JP2016056392A - 磁気記録媒体用スパッタリングターゲット - Google Patents
磁気記録媒体用スパッタリングターゲット Download PDFInfo
- Publication number
- JP2016056392A JP2016056392A JP2014181425A JP2014181425A JP2016056392A JP 2016056392 A JP2016056392 A JP 2016056392A JP 2014181425 A JP2014181425 A JP 2014181425A JP 2014181425 A JP2014181425 A JP 2014181425A JP 2016056392 A JP2016056392 A JP 2016056392A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- powder
- oxide
- sio
- sputtering
- holding
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000005477 sputtering target Methods 0.000 title claims abstract description 43
- 230000005291 magnetic effect Effects 0.000 title abstract description 28
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims abstract description 118
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 66
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 54
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 23
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 23
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 claims abstract description 11
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims abstract description 10
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 68
- 239000010953 base metal Substances 0.000 claims description 7
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052692 Dysprosium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052691 Erbium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052688 Gadolinium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052772 Samarium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052771 Terbium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052790 beryllium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052702 rhenium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 abstract description 48
- 229910005335 FePt Inorganic materials 0.000 abstract description 8
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 142
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 32
- 238000001513 hot isostatic pressing Methods 0.000 description 24
- 238000000034 method Methods 0.000 description 22
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 20
- 239000004570 mortar (masonry) Substances 0.000 description 19
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 18
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 17
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 16
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 13
- 239000010408 film Substances 0.000 description 13
- 239000000463 material Substances 0.000 description 13
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 13
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 11
- 239000002609 medium Substances 0.000 description 11
- 239000011812 mixed powder Substances 0.000 description 11
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 11
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 11
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 10
- 239000000284 extract Substances 0.000 description 10
- 230000006698 induction Effects 0.000 description 10
- 150000002978 peroxides Chemical class 0.000 description 10
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 10
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 10
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 8
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 7
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 7
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 6
- 238000007731 hot pressing Methods 0.000 description 5
- 229910001260 Pt alloy Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 description 4
- 239000006249 magnetic particle Substances 0.000 description 4
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 4
- 239000011362 coarse particle Substances 0.000 description 3
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000005294 ferromagnetic effect Effects 0.000 description 3
- 238000000717 platinum sputter deposition Methods 0.000 description 3
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 3
- 229910000521 B alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 2
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 2
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 2
- 239000000696 magnetic material Substances 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 2
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 2
- 238000005204 segregation Methods 0.000 description 2
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 1
- 238000004220 aggregation Methods 0.000 description 1
- 230000002776 aggregation Effects 0.000 description 1
- 238000013019 agitation Methods 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000006229 carbon black Substances 0.000 description 1
- 229910021393 carbon nanotube Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002041 carbon nanotube Substances 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 239000002612 dispersion medium Substances 0.000 description 1
- 239000003302 ferromagnetic material Substances 0.000 description 1
- 230000005307 ferromagnetism Effects 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 239000010954 inorganic particle Substances 0.000 description 1
- 230000005389 magnetism Effects 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 238000005096 rolling process Methods 0.000 description 1
- 238000010008 shearing Methods 0.000 description 1
- 238000007873 sieving Methods 0.000 description 1
- 239000006104 solid solution Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 230000009466 transformation Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Powder Metallurgy (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Thin Magnetic Films (AREA)
Abstract
【解決手段】Fe及びPtを含む母材金属に酸化物が分散した組織を有する焼結体スパッタリングターゲットであって、母材金属中におけるFeとPtとの原子数比がFe100−XPtX(Xは35≦X≦55を満たす値)であり、酸化物として少なくともSiO2を含有し、炭素を300〜5000wtppm含有することを特徴とするスパッタリングターゲット。
【選択図】図1
Description
1)Fe及びPtを含む母材金属に酸化物が分散した組織を有する焼結体スパッタリングターゲットであって、母材金属中におけるFeとPtとの原子数比がFe100−XPtX(Xは35≦X≦55を満たす値)であり、酸化物として少なくともSiO2を含有し、炭素を300〜5000wtppm含有することを特徴とするスパッタリングターゲット。
2)Ag、Au、B、Co、Cr、Cu、Ga、Ge、Mn、Mo、Nb、Ni、Pd、Re、Rh、Ru、Si、Sn、Ta、W、V、Znから選択されるいずれか一種以上の元素を金属成分として含有し、その含有率が金属成分中の原子数比で0.5〜15%あることを特徴とする上記1)記載のスパッタリングターゲット。
3)SiO2以外の酸化物として、Al、B、Ba、Be、Ca、Ce、Cr、Dy、Er、Eu、Ga、Gd、Ho、Li、Mg、Mn、Nb、Nd、Pr、Sc、Sm、Sr、Ta、Tb、Ti、V、Y、Zn、Zrから選択される元素の酸化物をいずれか一種以上含有することを特徴とする上記1)又は2)記載のスパッタリングターゲット。
4)該ターゲット中における酸化物の体積比率が10〜55%であることを特徴とする上記1)〜3)のいずれか一記載のスパッタリングターゲット。
5)該ターゲット切断面における酸化物粒子の一粒子当たりの平均面積が4μm2以下であることを特徴とする上記1)〜4)のいずれか一記載のスパッタリングターゲット。
FeとPtの原子数比がFe100−XPtX(Xは35≦X≦55を満たす値)とするのは、Ptの含有量が原子数比で35%未満あるいは55%超であると、磁性薄膜としての機能が低下するため、好ましくないためである。また、酸化物として、SiO2を用いると、特に好ましい磁性薄膜を得ることができる。
酸化物が均一に分散しているかどうかは観察場所による面積比率のバラつきを指標に判断する。すなわち、無作為に選んだ5箇所(1000μm2以上の大きさの領域)における酸化物の面積比率の標準偏差を、同5箇所における酸化物の面積比率の平均値で除した値が0.2以下であれば、酸化物が均一に分散していると見なす。
なお、酸化物粒子の平均面積は、ターゲットの切断面を光学顕微鏡で観察し、その切断面における酸化物粒子の面積から求めることができる。平均面積は、観察場所によるばらつきを少なくするために、無作為に選んだ1000μm2以上の大きさの領域を5箇所観察して、その平均として求める必要がある。
方法としては、攪拌混合機、攪拌転動混合機、100〜200メッシュ程度のふるい等を使用することができる。なお、ふるいは、粗大粒の除去だけではなく、解砕や混合の機能も兼ね備えるものである。
また、解砕やふるい分けは、原料を混合した後に行うこともできる。混合装置としては、縦型ミキサー、V型混合機もしくはこれに準ずる性能を有する混合機を使用することができる。
原料粉末として、平均粒径3μmのFe粉末、平均粒径3μmのPt粉末、平均粒径0.5μmのSiO2粉末を用意し、組成が40Fe−40Pt−20SiO2(mol%)となるように秤量した。このときSiO2粉末には非晶質粉末を使用した。次に、秤量したFe粉末、Pt粉末、SiO2粉末を乳鉢に入れた後、これに炭素粉末を3000wtppmとなるように添加し、その後、2時間混合した。
次に、この焼結体を直径180.0mm、厚さ5.0mmの形状へ旋盤で切削加工してターゲットとした。次に、このターゲットをマグネトロンスパッタ装置(キヤノンアネルバ製C-3010スパッタリングシステム)に取り付け、スパッタリングを行った。スパッタリングの条件は、投入電力1kW、Arガス圧1.7Paとし、2kWhrのプレスパッタリングを実施した後、4インチ径のシリコン基板上に20秒間成膜した。そして基板上へ付着したパーティクルの個数をパーティクルカウンターで測定した。表1に示すように、このときのパーティクル個数は17個であった。
原料粉末として、平均粒径3μmのFe粉末、平均粒径3μmのPt粉末、平均粒径0.5μmのSiO2粉末を用意し、組成が40Fe−40Pt−20SiO2(mol%)となるように秤量した。このときSiO2粉末には非晶質粉末を使用した。次に、秤量したFe粉末、Pt粉末、SiO2粉末を乳鉢に入れた後、2時間混合した。比較例1では炭素粉末は添加しなかった。
次に、この焼結体を直径180.0mm、厚さ5.0mmの形状へ旋盤で切削加工してターゲットとした。次に、このターゲットをマグネトロンスパッタ装置(キヤノンアネルバ製C-3010スパッタリングシステム)に取り付け、スパッタリングを行った。スパッタリングの条件は、投入電力1kW、Arガス圧1.7Paとし、2kWhrのプレスパッタリングを実施した後、4インチ径のシリコン基板上に20秒間成膜した。そして基板上へ付着したパーティクルの個数をパーティクルカウンターで測定した。表1に示すように、このときのパーティクル個数は89個であった。
原料粉末として、平均粒径3μmのFe粉末、平均粒径3μmのPt粉末、平均粒径3μmのCu粉末、平均粒径0.5μmのSiO2粉末を用意し、組成が35Fe−35Pt−10Cu−20SiO2(mol%)となるように秤量した。このときSiO2粉末には石英粉末を使用した。次に、秤量したFe粉末、Pt粉末、SiO2粉末、Cu粉末を乳鉢に入れた後、これに炭素粉末を400wtppmとなるように添加し、その後、2時間混合した。
次に、この焼結体を直径180.0mm、厚さ5.0mmの形状へ旋盤で切削加工してターゲットとした。次に、このターゲットをマグネトロンスパッタ装置(キヤノンアネルバ製C-3010スパッタリングシステム)に取り付け、スパッタリングを行った。スパッタリングの条件は、投入電力1kW、Arガス圧1.7Paとし、2kWhrのプレスパッタリングを実施した後、4インチ径のシリコン基板上に20秒間成膜した。そして基板上へ付着したパーティクルの個数をパーティクルカウンターで測定した。表1に示すように、このときのパーティクル個数は12個であった。
原料粉末として、平均粒径3μmのFe粉末、平均粒径3μmのPt粉末、平均粒径3μmのCu粉末、平均粒径0.5μmのSiO2粉末を用意し、組成が35Fe−35Pt−10Cu−20SiO2(mol%)となるように秤量した。このときSiO2粉末には石英粉末を使用した。次に、秤量したFe粉末、Pt粉末、SiO2粉末、Cu粉末を乳鉢に入れた後、2時間混合した。比較例2では炭素粉末は添加しなかった。
次に、この焼結体を直径180.0mm、厚さ5.0mmの形状へ旋盤で切削加工してターゲットとした。次に、このターゲットをマグネトロンスパッタ装置(キヤノンアネルバ製C-3010スパッタリングシステム)に取り付け、スパッタリングを行った。スパッタリングの条件は、投入電力1kW、Arガス圧1.7Paとし、2kWhrのプレスパッタリングを実施した後、4インチ径のシリコン基板上に20秒間成膜した。そして基板上へ付着したパーティクルの個数をパーティクルカウンターで測定した。表1に示すように、このときのパーティクル個数は68個であった。
原料粉末として、平均粒径10μmのFe−Pt−B合金粉末(組成:47.5Fe−47.5Pt−5B(mol%))、平均粒径0.5μmのSiO2粉末を用意し、組成が38Fe−38Pt−4B−20SiO2(mol%)となるように秤量した。このときSiO2粉末には非晶質粉末を使用した。次に、秤量したFe−Pt−B粉末、SiO2粉末を媒体攪拌ミルのポットに入れた後、これに炭素粉末を5000wtppmとなるように添加し、その後、8時間混合した。
次に、この焼結体を直径180.0mm、厚さ5.0mmの形状へ旋盤で切削加工してターゲットとした。次に、このターゲットをマグネトロンスパッタ装置(キヤノンアネルバ製C-3010スパッタリングシステム)に取り付け、スパッタリングを行った。スパッタリングの条件は、投入電力1kW、Arガス圧1.7Paとし、2kWhrのプレスパッタリングを実施した後、4インチ径のシリコン基板上に20秒間成膜した。そして基板上へ付着したパーティクルの個数をパーティクルカウンターで測定した。表1に示すように、このときのパーティクル個数は21個であった。
原料粉末として、平均粒径10μmのFe−Pt−B合金粉末(組成:47.5Fe−47.5Pt−5B(mol%))、平均粒径0.5μmのSiO2粉末を用意し、組成が38Fe−38Pt−4B−20SiO2(mol%)となるように秤量した。このときSiO2粉末には非晶質粉末を使用した。次に、秤量したFe−Pt−B粉末、SiO2粉末を媒体攪拌ミルのポットに入れた後、8時間混合した。比較例3では炭素粉末は添加しなかった。
次に、この焼結体を直径180.0mm、厚さ5.0mmの形状へ旋盤で切削加工してターゲットとした。次に、このターゲットをマグネトロンスパッタ装置(キヤノンアネルバ製C-3010スパッタリングシステム)に取り付け、スパッタリングを行った。スパッタリングの条件は、投入電力1kW、Arガス圧1.7Paとし、2kWhrのプレスパッタリングを実施した後、4インチ径のシリコン基板上に20秒間成膜した。そして基板上へ付着したパーティクルの個数をパーティクルカウンターで測定した。表1に示すように、このときのパーティクル個数は103個であった。
原料粉末として、平均粒径3μmのFe粉末、平均粒径3μmのPt粉末、平均粒径3μmのCu粉末、平均粒径0.5μmのSiO2粉末、平均粒径1μmのZrO2粉末を用意し、組成が40Fe−40Pt−10SiO2−10ZrO2(mol%)となるように秤量した。このときSiO2粉末には非晶質粉末を使用した。次に、秤量したFe粉末、Pt粉末、SiO2粉末、ZrO2粉末を乳鉢に入れた後、これに炭素粉末を2500wtppmとなるように添加し、その後、2時間混合した。
次に、この焼結体を直径180.0mm、厚さ5.0mmの形状へ旋盤で切削加工してターゲットとした。次に、このターゲットをマグネトロンスパッタ装置(キヤノンアネルバ製C-3010スパッタリングシステム)に取り付け、スパッタリングを行った。スパッタリングの条件は、投入電力1kW、Arガス圧1.7Paとし、2kWhrのプレスパッタリングを実施した後、4インチ径のシリコン基板上に20秒間成膜した。そして基板上へ付着したパーティクルの個数をパーティクルカウンターで測定した。表1に示すように、このときのパーティクル個数は14個であった。
原料粉末として、平均粒径3μmのFe粉末、平均粒径3μmのPt粉末、平均粒径3μmのCu粉末、平均粒径0.5μmのSiO2粉末、平均粒径1μmのZrO2粉末を用意し、組成が40Fe−40Pt−10SiO2−10ZrO2(mol%)となるように秤量した。このときSiO2粉末には非晶質粉末を使用した。次に、秤量したFe粉末、Pt粉末、SiO2粉末、ZrO2粉末を乳鉢に入れた後、2時間混合した。比較例4では炭素粉末は添加しなかった。
次に、この焼結体を直径180.0mm、厚さ5.0mmの形状へ旋盤で切削加工してターゲットとした。次に、このターゲットをマグネトロンスパッタ装置(キヤノンアネルバ製C-3010スパッタリングシステム)に取り付け、スパッタリングを行った。スパッタリングの条件は、投入電力1kW、Arガス圧1.7Paとし、2kWhrのプレスパッタリングを実施した後、4インチ径のシリコン基板上に20秒間成膜した。そして基板上へ付着したパーティクルの個数をパーティクルカウンターで測定した。表1に示すように、このときのパーティクル個数は63個であった。
原料粉末として、平均粒径3μmのFe粉末、平均粒径3μmのPt粉末、平均粒径3μmのCo粉末、平均粒径0.5μmのSiO2粉末、平均粒径1μmのTiO2粉末を用意し、組成が40Fe−40Pt−4Co−8SiO2−8TiO2(mol%)となるように秤量した。このときSiO2粉末には非晶質粉末を使用した。次に、秤量したFe粉末、Pt粉末、Co粉末、SiO2粉末、TiO2粉末を乳鉢に入れた後、これに炭素粉末を5000wtppmとなるように添加し、その後、2時間混合した。
次に、この焼結体を直径180.0mm、厚さ5.0mmの形状へ旋盤で切削加工してターゲットとした。次に、このターゲットをマグネトロンスパッタ装置(キヤノンアネルバ製C-3010スパッタリングシステム)に取り付け、スパッタリングを行った。スパッタリングの条件は、投入電力1kW、Arガス圧1.7Paとし、2kWhrのプレスパッタリングを実施した後、4インチ径のシリコン基板上に20秒間成膜した。そして基板上へ付着したパーティクルの個数をパーティクルカウンターで測定した。表1に示すように、このときのパーティクル個数は6個であった。
原料粉末として、平均粒径3μmのFe粉末、平均粒径3μmのPt粉末、平均粒径3μmのCo粉末、平均粒径0.5μmのSiO2粉末、平均粒径1μmのTiO2粉末を用意し、組成が40Fe−40Pt−4Co−8SiO2−8TiO2(mol%)となるように秤量した。このときSiO2粉末には非晶質粉末を使用した。次に、秤量したFe粉末、Pt粉末、Co粉末、SiO2粉末、TiO2粉末を乳鉢に入れた後、2時間混合した。比較例5では炭素粉末は添加しなかった。
次に、この焼結体を直径180.0mm、厚さ5.0mmの形状へ旋盤で切削加工してターゲットとした。次に、このターゲットをマグネトロンスパッタ装置(キヤノンアネルバ製C-3010スパッタリングシステム)に取り付け、スパッタリングを行った。スパッタリングの条件は、投入電力1kW、Arガス圧1.7Paとし、2kWhrのプレスパッタリングを実施した後、4インチ径のシリコン基板上に20秒間成膜した。そして基板上へ付着したパーティクルの個数をパーティクルカウンターで測定した。表1に示すように、このときのパーティクル個数は35個であった。
Claims (5)
- Fe及びPtを含む母材金属に酸化物が分散した組織を有する焼結体スパッタリングターゲットであって、母材金属中におけるFeとPtとの原子数比がFe100−XPtX(Xは35≦X≦55を満たす値)であり、酸化物として少なくともSiO2を含有し、炭素を300〜5000wtppm含有することを特徴とするスパッタリングターゲット。
- Ag、Au、B、Co、Cr、Cu、Ga、Ge、Mn、Mo、Nb、Ni、Pd、Re、Rh、Ru、Si、Sn、Ta、W、V、Znから選択されるいずれか一種以上の元素を金属成分として含有し、その含有率が金属成分中の原子数比で0.5〜15%あることを特徴とする請求項1記載のスパッタリングターゲット。
- SiO2以外の酸化物として、Al、B、Ba、Be、Ca、Ce、Cr、Dy、Er、Eu、Ga、Gd、Ho、Li、Mg、Mn、Nb、Nd、Pr、Sc、Sm、Sr、Ta、Tb、Ti、V、Y、Zn、Zrから選択される元素の酸化物をいずれか一種以上含有することを特徴とする請求項1又は2記載のスパッタリングターゲット。
- 該ターゲット中における酸化物の体積比率が10〜55%であることを特徴とする請求項1〜3のいずれか一項に記載のスパッタリングターゲット。
- 該ターゲット切断面における酸化物粒子の一粒子当たりの平均面積が4μm2以下であることを特徴とする請求項1〜4のいずれか一項に記載のスパッタリングターゲット。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014181425A JP6305881B2 (ja) | 2014-09-05 | 2014-09-05 | 磁気記録媒体用スパッタリングターゲット |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014181425A JP6305881B2 (ja) | 2014-09-05 | 2014-09-05 | 磁気記録媒体用スパッタリングターゲット |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2016056392A true JP2016056392A (ja) | 2016-04-21 |
JP6305881B2 JP6305881B2 (ja) | 2018-04-04 |
Family
ID=55756479
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014181425A Active JP6305881B2 (ja) | 2014-09-05 | 2014-09-05 | 磁気記録媒体用スパッタリングターゲット |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6305881B2 (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2018188706A (ja) * | 2017-05-09 | 2018-11-29 | 三菱マテリアル株式会社 | 酸化物スパッタリングターゲット |
WO2020053973A1 (ja) * | 2018-09-11 | 2020-03-19 | Jx金属株式会社 | 強磁性材スパッタリングターゲット |
CN111910101A (zh) * | 2020-07-14 | 2020-11-10 | 中南大学 | 一种高纯度高强高导铜基靶材及其制备方法 |
CN113649570A (zh) * | 2020-05-12 | 2021-11-16 | 株式会社钢臂功科研 | 烧结体的制造方法及溅射靶的制造方法 |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003313659A (ja) * | 2002-04-22 | 2003-11-06 | Toshiba Corp | 記録媒体用スパッタリングターゲットと磁気記録媒体 |
EP1895518A1 (en) * | 2006-09-01 | 2008-03-05 | Heraeus, Inc. | Magnetic recording media and sputter targets with compositions of high anisotropy alloys and oxide compounds |
WO2011070850A1 (ja) * | 2009-12-11 | 2011-06-16 | Jx日鉱日石金属株式会社 | Co若しくはCo合金相に酸化物相を分散させたスパッタリングターゲット、Co若しくはCo合金相と酸化物相とからなる磁性体薄膜及び同磁性体薄膜を用いた磁気記録媒体 |
WO2012029498A1 (ja) * | 2010-08-31 | 2012-03-08 | Jx日鉱日石金属株式会社 | Fe-Pt系強磁性材スパッタリングターゲット |
WO2013105648A1 (ja) * | 2012-01-13 | 2013-07-18 | 田中貴金属工業株式会社 | FePt系スパッタリングターゲット及びその製造方法 |
WO2014064995A1 (ja) * | 2012-10-25 | 2014-05-01 | Jx日鉱日石金属株式会社 | 非磁性物質分散型Fe-Pt系スパッタリングターゲット |
-
2014
- 2014-09-05 JP JP2014181425A patent/JP6305881B2/ja active Active
Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003313659A (ja) * | 2002-04-22 | 2003-11-06 | Toshiba Corp | 記録媒体用スパッタリングターゲットと磁気記録媒体 |
EP1895518A1 (en) * | 2006-09-01 | 2008-03-05 | Heraeus, Inc. | Magnetic recording media and sputter targets with compositions of high anisotropy alloys and oxide compounds |
JP2008059733A (ja) * | 2006-09-01 | 2008-03-13 | Heraeus Inc | 磁気記録媒体及びスパッタターゲット |
WO2011070850A1 (ja) * | 2009-12-11 | 2011-06-16 | Jx日鉱日石金属株式会社 | Co若しくはCo合金相に酸化物相を分散させたスパッタリングターゲット、Co若しくはCo合金相と酸化物相とからなる磁性体薄膜及び同磁性体薄膜を用いた磁気記録媒体 |
WO2012029498A1 (ja) * | 2010-08-31 | 2012-03-08 | Jx日鉱日石金属株式会社 | Fe-Pt系強磁性材スパッタリングターゲット |
WO2013105648A1 (ja) * | 2012-01-13 | 2013-07-18 | 田中貴金属工業株式会社 | FePt系スパッタリングターゲット及びその製造方法 |
WO2014064995A1 (ja) * | 2012-10-25 | 2014-05-01 | Jx日鉱日石金属株式会社 | 非磁性物質分散型Fe-Pt系スパッタリングターゲット |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2018188706A (ja) * | 2017-05-09 | 2018-11-29 | 三菱マテリアル株式会社 | 酸化物スパッタリングターゲット |
WO2020053973A1 (ja) * | 2018-09-11 | 2020-03-19 | Jx金属株式会社 | 強磁性材スパッタリングターゲット |
CN111183244A (zh) * | 2018-09-11 | 2020-05-19 | Jx金属株式会社 | 强磁性材料溅射靶 |
CN111183244B (zh) * | 2018-09-11 | 2022-03-08 | Jx金属株式会社 | 强磁性材料溅射靶 |
CN113649570A (zh) * | 2020-05-12 | 2021-11-16 | 株式会社钢臂功科研 | 烧结体的制造方法及溅射靶的制造方法 |
CN113649570B (zh) * | 2020-05-12 | 2023-08-08 | 株式会社钢臂功科研 | 烧结体的制造方法及溅射靶的制造方法 |
CN111910101A (zh) * | 2020-07-14 | 2020-11-10 | 中南大学 | 一种高纯度高强高导铜基靶材及其制备方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP6305881B2 (ja) | 2018-04-04 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5976867B2 (ja) | 磁性材焼結体スパッタリングターゲット | |
TWI550114B (zh) | Fe-Pt-C系濺鍍靶 | |
JP5290468B2 (ja) | C粒子が分散したFe−Pt系スパッタリングターゲット | |
JP6526837B2 (ja) | 強磁性材スパッタリングターゲット | |
JP5457615B1 (ja) | 磁気記録膜形成用スパッタリングターゲット及びその製造方法 | |
JP5587495B2 (ja) | C粒子が分散したFe−Pt系スパッタリングターゲット | |
JP5705993B2 (ja) | C粒子が分散したFe−Pt−Ag−C系スパッタリングターゲット及びその製造方法 | |
JPWO2016047236A1 (ja) | 磁気記録膜形成用スパッタリングターゲット及びその製造方法 | |
JP6305881B2 (ja) | 磁気記録媒体用スパッタリングターゲット | |
JP2018035434A (ja) | 非磁性材料分散型Fe−Pt系スパッタリングターゲット | |
JP5801496B2 (ja) | スパッタリングターゲット | |
JP6005767B2 (ja) | 磁性記録媒体用スパッタリングターゲット | |
JP6445126B2 (ja) | 磁性体薄膜形成用スパッタリングターゲット | |
JP5876155B2 (ja) | 磁気記録膜用スパッタリングターゲット及びその製造に用いる炭素原料 | |
JP5944580B2 (ja) | スパッタリングターゲット | |
TWI753073B (zh) | 磁性材濺鍍靶及其製造方法 | |
JP5946922B2 (ja) | 磁性記録媒体用スパッタリングターゲット | |
JP5826945B2 (ja) | 磁性記録媒体用スパッタリングターゲット | |
WO2016013334A1 (ja) | 磁性体薄膜形成用スパッタリングターゲット |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20170221 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20171026 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20171114 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20180115 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20180220 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20180307 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6305881 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |