JP2018035434A - 非磁性材料分散型Ｆｅ−Ｐｔ系スパッタリングターゲット - Google Patents

Abstract

【課題】Ｆｅ−Ｐｔ磁性相を規則化するための熱処理温度を低下させることが可能なスパッタリングターゲットであって、スパッタ時にパーティクルの発生が抑制されたスパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】Ｆｅ、Ｐｔ及びＧｅを含有する非磁性材料分散型のスパッタリングターゲットであって、Ｆｅ、Ｐｔ及びＧｅについて原子数比で（Ｆｅ_1-αＰｔ_α）_1-βＧｅ_β（α、βは、０．３５≦α≦０．５５、０．０５≦β≦０．２を満たす数）で表される組成を満足する磁性相を有し、該磁性相は、スパッタリングターゲットのスパッタ面に対する垂直断面を研磨したときの研磨面のＥＰＭＡによる元素マッピングにおいて、Ｇｅの濃度が３０質量％以上であるＧｅ基合金相の面積比率（Ｓ_Ge30質量%）の平均の、スパッタリングターゲットの全体組成から計算されるＧｅの面積比率（Ｓ_Ge）に対する割合（Ｓ_Ge30質量％／Ｓ_Ge）が、０．５以下であるスパッタリングターゲット。
【選択図】なし

Description

本発明は磁気記録媒体中の磁性薄膜の形成に適した非磁性材料分散型Ｆｅ−Ｐｔ系スパッタリングターゲットに関する。

ハードディスクドライブに代表される磁気記録の分野では、記録を担う磁性薄膜の材料として、強磁性金属であるＣｏ、Ｆｅ又はＮｉをベースとした材料が用いられている。例えば、面内磁気記録方式を採用するハードディスクの記録層にはＣｏを主成分とするＣｏ−Ｃｒ系やＣｏ−Ｃｒ−Ｐｔ系の強磁性合金が用いられてきた。また、近年実用化された垂直磁気記録方式を採用するハードディスクの記録層には、Ｃｏを主成分とするＣｏ−Ｃｒ−Ｐｔ系の強磁性合金に酸化物や炭素等の非磁性粒子を分散させた複合材料が多く用いられている。磁性薄膜は、生産性の高さから、上記材料を成分とするスパッタリングターゲットをＤＣマグネトロンスパッタ装置でスパッタして作製されることが多い。

一方、ハードディスクの記録密度は年々急速に増大しており、現在、１Ｔｂｉｔ／ｉｎ²を超える容量のものが市販されつつある。１Ｔｂｉｔ／ｉｎ²に記録密度が達すると記録ｂｉｔのサイズが１０ｎｍを下回るようになり、その場合、熱揺らぎによる超常磁性化が問題となってくると予想され、現在、使用されている磁気記録媒体の材料、例えばＣｏ−Ｃｒ基合金にＰｔを添加して結晶磁気異方性を高めた材料では十分ではないことが予想される。１０ｎｍ以下のサイズで安定的に強磁性として振る舞う磁性粒子は、より高い結晶磁気異方性を持っている必要があるからである。

上記のような理由から、Ｌ１₀構造を持つＦｅ−Ｐｔ磁性相が超高密度記録媒体用材料として注目されている。Ｌ１₀構造を持つＦｅ−Ｐｔ磁性相は高い結晶磁気異方性とともに、耐食性、耐酸化性に優れているため、磁気記録媒体としての応用に適した材料と期待されている。そしてＦｅ−Ｐｔ磁性相を超高密度記録媒体用材料として使用する場合には、規則化したＦｅ−Ｐｔ磁性粒子を磁気的に孤立させた状態で出来るだけ高密度に方位を揃えて分散させるという技術の開発が求められている。

このようなことから、Ｌ１₀構造を有するＦｅ−Ｐｔ磁性相を酸化物、窒化物、炭化物、炭素といった非磁性材料で孤立させたグラニュラー構造磁性薄膜が熱アシスト磁気記録方式を採用した次世代ハードディスクの磁気記録媒体用に提案されている。このグラニュラー構造磁性薄膜は、磁性粒子同士が非磁性物質の介在により磁気的に絶縁される構造となっている。

Ｆｅ−Ｐｔ磁性相を有するグラニュラー構造磁性薄膜は、Ｆｅ−Ｐｔ系のスパッタリングターゲットを用いて作製されるのが一般的である。Ｆｅ−Ｐｔ膜をスパッタリング法で作製した場合、Ｆｅ原子とＰｔ原子がランダムに並ぶ不規則相になる。従来は規則化したＦｅ−Ｐｔ磁性相を形成するために成膜後に６００℃程度で熱処理（アニール）する必要があった。しかしながら、実用性の観点からは当該熱処理の温度を極力低下できることが望ましい。この点、特許文献１にはＦｅ−Ｐｔ合金などの合金膜の規則化に必要なアニール温度を低下させるために、残留酸素量に代表される残留ガス成分量を低減することが記載されている。しかし、非磁性材料として酸化物、炭化物、窒化物等を扱う場合、このようなガス成分量を制御することは容易ではない。

特許文献２には、Ｆｅ−Ｐｔ層をスパッタ法で堆積させ、次に、Ｆｅ−Ｐｔ層の上にシーリング層を堆積後、４００〜８００℃の温度範囲でアニールを行い、Ｆｅ−ＰｔをＬ１₀相で実質的に規則化した後、シーリング層を除去することが記載されている。しかし、この方法は、高温アニールを可能とすることを目的としており、Ｆｅ−Ｐｔ磁性相を規則化するためのアニール温度を低下させる技術ではない。

特許文献３には、ＭｇＯを添加したＬ１₀型規則合金混合物薄膜は、ＳｉＯ₂やＡｌ₂Ｏ₃を添加した混合物薄膜に比べ低い成膜温度で作製できることが記載されている。しかし、当該技術はＭｇＯを添加した場合、相対的に成膜時の基板加熱温度が低いことを示すのみで、規則化温度を低下させることを意図するものではない。

特許文献４及び５には、Ｆｅ−Ｐｔ系の磁性記録媒体用スパッタリングターゲットに関する発明が記載されている。これらの発明は本出願人によってなされたものであり、非磁性材料として含有する炭素がスパッタリング時に脱落してパーティクルが発生するのを効果的に抑制できるという優れた技術であるが、規則化温度の低下について言及するものではない。

更に、特許文献６及び７にも、Ｆｅ−Ｐｔ系スパッタリングターゲットや磁気記録媒体が開示されているが、やはり規則化温度の低下について言及するものではない。

このような背景の下、本出願人は現時点で未公開の特許出願（特願２０１５−０４２３０９）を行っている。当該出願にはＧｅが規則化温度を低下させるのに有利であるとして、Ｇｅを所定の比率で添加したＦｅ−Ｐｔ系スパッタリングターゲットが開示されている。

特開２００３−３１３６５９号公報 特開２０１３−７７３７０号公報 特開２００２−１２３９２０号公報 ＷＯ２０１４／１９６３７７号 ＷＯ２０１４／１８８９１６号 特開２００８−５９７３３号公報 特開２０１２−２１４８７４号公報 特願２０１５−０４２３０９号（未公開先願）

特願２０１５−０４２３０９号に記載の技術はＦｅ−Ｐｔ磁性相を規則化するための熱処理温度を低下させることが可能なスパッタリングターゲットを得ることができる点で有用である。しかしながら、当該文献に記載の技術では、スパッタ時にパーティクルが発生しやすいという問題があった。パーティクルはスパッタ膜の品質安定性の観点から極力抑制することが望ましい。

本発明は上記事情に鑑みて創作されたものであり、Ｆｅ−Ｐｔ磁性相を規則化するための熱処理温度を低下させることが可能なスパッタリングターゲットであって、スパッタ時にパーティクルの発生が抑制されたスパッタリングターゲットを提供することを課題とする。

本発明者は上記課題を解決するために鋭意検討した結果、原料としてＧｅ粉を使用し、焼結して得られたスパッタリングターゲットは、Ｆｅ−Ｐｔ合金に比べ導電性の低いＧｅ粒部にノジュールが生じやすく、これがパーティクルの原因となっていることを突き止めた。そこで、原料としてＧｅ粉ではなく、ＰｔとＧｅの合金粉（以下、「Ｐｔ−Ｇｅ合金粉」という。）又はＰｔとＧｅとＦｅの合金粉（以下、「Ｐｔ−Ｇｅ−Ｆｅ合金粉」という。）を使用し、焼結して得られたスパッタリングターゲットはスパッタ時にノジュールが抑制され、パーティクルの発生も抑制されることが分かった。当該スパッタリングターゲットの磁性相をＥＰＭＡにより分析すると、Ｇｅ濃度が３０質量％以上であるＧｅ基合金相の面積比率が極めて小さいことが分かった。本発明は斯かる知見に基づいて完成したものである。

本発明は一側面において、Ｆｅ、Ｐｔ及びＧｅを含有する非磁性材料分散型のスパッタリングターゲットであって、Ｆｅ、Ｐｔ及びＧｅについて原子数比で（Ｆｅ_1-αＰｔ_α）_1-βＧｅ_β（α、βは、０．３５≦α≦０．５５、０．０５≦β≦０．２を満たす数）で表される組成を満足する磁性相を有し、該磁性相は、スパッタリングターゲットのスパッタ面に対する垂直断面を研磨したときの研磨面のＥＰＭＡによる元素マッピングにおいて、Ｇｅの濃度が３０質量％以上であるＧｅ基合金相の面積比率（Ｓ_Ge30質量%）の平均の、スパッタリングターゲットの全体組成から計算されるＧｅの面積比率（Ｓ_Ge）に対する割合（Ｓ_Ge30質量％／Ｓ_Ge）が、０．５以下であるスパッタリングターゲットである。

本発明に係るスパッタリングターゲットの一実施形態においては、非磁性材料は、炭素、炭化物、酸化物及び窒化物よりなる群から選択される一種又は二種以上であり、該非磁性材料の体積比率がスパッタリングターゲットの全体積に対して１０〜６０ｖｏｌ％を占める。

本発明に係るスパッタリングターゲットの別の一実施形態においては、Ａｕ、Ｂ、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｃｕ、Ｍｎ、Ｍｏ、Ｎｂ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｒｅ、Ｒｈ、Ｒｕ、Ｓｎ、Ｔａ、Ｗ、Ｖ及びＺｎよりなる群から選択される一種又は二種以上の第三元素を、Ｆｅ、Ｇｅ及びＰｔの合計原子数に対する第三元素の合計原子数の割合で表して１０ａｔ．％以下含有する。

本発明に係るスパッタリングターゲットの更に別の一実施形態においては、酸素濃度が４００質量ｐｐｍ以下である。

本発明は別の一側面において、
Ｆｅ、Ｐｔ及びＧｅが原子数比で（Ｆｅ_1-αＰｔ_α）_1-βＧｅ_β（α、βは、０．３５≦α≦０．５５、０．０５≦β≦０．２を満たす数）で表される組成を満足するように、Ｐｔ−Ｇｅ合金粉及び／又はＰｔ−Ｇｅ−Ｆｅ合金粉と、Ｐｔ−Ｇｅ合金粉及びＰｔ−Ｇｅ−Ｆｅ合金粉以外の金属粉と、非磁性材料粉とを、不活性ガス雰囲気下で粉砕しながら混合する工程と、
上記工程で得られた混合粉末から、加圧焼結方法により真空雰囲気又は不活性ガス雰囲気下で前記Ｐｔ−Ｇｅ合金粉の融点未満の温度で焼結して焼結体を得る工程と、
前記焼結体を成形加工する工程と、
を含む本発明に係るスパッタリングターゲットの製造方法である。

本発明に係るスパッタリングターゲットの製造方法の一実施形態においては、前記混合する工程の前における前記Ｐｔ−Ｇｅ合金粉及び／又はＰｔ−Ｇｅ−Ｆｅ合金粉の平均粒径が１〜５０μｍである。

本発明に係るスパッタリングターゲットの製造方法の別の一実施形態においては、Ｐｔ−Ｇｅ合金粉を使用する場合、前記混合する工程の前における前記Ｐｔ−Ｇｅ合金粉の組成が原子比で、Ｐｔ：Ｇｅ＝１：０．８〜１．２である。

本発明に係るスパッタリングターゲットの製造方法の更に別の一実施形態においては、Ｐｔ−Ｇｅ−Ｆｅ合金粉を使用する場合、前記混合する工程の前における前記Ｐｔ−Ｇｅ−Ｆｅ合金粉の組成が原子比で、Ｐｔ：Ｇｅ：Ｆｅ＝１：０．８〜１．２：０．１〜０．３である。

本発明に係るスパッタリングターゲットの製造方法の更に別の一実施形態においては、焼結時に２０〜７０ＭＰａの範囲の圧力で加圧することを含む。

本発明に係るスパッタリングターゲットの製造方法の更に別の一実施形態においては、前記粉砕しながら混合する工程により得られる混合粉末の平均粒径が２０μｍ以下である。

本発明により、Ｆｅ−Ｐｔ磁性相を規則化するための熱処理温度を低下させることが可能なスパッタリングターゲットであって、スパッタ時にノジュール及びパーティクルの発生が抑制されたスパッタリングターゲットが提供可能となる。本発明に係るスパッタリングターゲットを用いることにより、Ｆｅ−Ｐｔ磁性相を有するグラニュラー構造磁性薄膜を低コスト及び短時間で工業生産することが可能となるという格別の効果が得られる。

（金属相）
本発明に係るＦｅ、Ｐｔ及びＧｅを含有する非磁性材料分散型のスパッタリングターゲットは一実施形態において、Ｆｅ、Ｐｔ及びＧｅを含有する磁性相を有する。磁性相は、スパッタリングターゲットのスパッタ面に対する垂直断面を研磨したときの研磨面のＥＰＭＡによる元素マッピングにおいて、Ｆｅ、Ｐｔ及びＧｅについて、原子数比で（Ｆｅ_1-αＰｔ_α）_1-βＧｅ_β（α、βは、０．３５≦α≦０．５５、０．０５≦β≦０．２を満たす数）で表される組成を満たす。磁性相はＦｅ、Ｐｔ及びＧｅの他、後述する第三元素を含有することができる。

αが０．３５以上であることにより、磁性相が規則合金相の形態をとるという利点が得られる。αは好ましくは０．４以上であり、より好ましくは０．４５以上である。また、αが０．５５以下であることにより、同様に磁性相が規則合金相となるという利点が得られる。αは好ましくは０．５３以下であり、より好ましくは０．５２以下である。

βが０．０５以上であることにより、規則化温度の低下効果を有意に発現させることができる。βは好ましくは０．０６以上であり、より好ましくは０．０７以上である。また、βが０．２以下であることにより、磁性薄膜としての磁気特性を十分に得ることができるという利点が得られる。βは好ましくは０．１５以下であり、より好ましくは０．１２以下である。

磁性相においてＧｅ濃度が３０質量％以上であるＧｅ基合金相の面積比率（Ｓ_Ge30質量%）の平均の、ターゲットの全体組成から計算されるＧｅの面積比率（Ｓ_Ge）に対する割合（Ｓ_Ge30質量%／Ｓ_Ge）が、０．５以下であることが有利である。このことは、磁性相中に高濃度Ｇｅを有する領域が極めて少ないことを意味している。これにより、スパッタ時にノジュールが発生し難くなり、パーティクルの発生を抑制可能となる。当該Ｇｅ基合金相の割合（Ｓ_Ge30質量%／Ｓ_Ge）は０．５以下であることが好ましく、０．３以下であることがより好ましく、０．２以下であることが更により好ましく、例えば０〜０．２とすることができる。

本発明において、磁性相におけるＳ_Ge30質量%／Ｓ_Geは以下の方法によって測定される。スパッタリングターゲットのスパッタ面に対する垂直断面を切り出し、当該断面を番手がＰ８０からＰ２０００までの研磨布紙を用いて順番に研磨し、最終的に粒径０．３μｍの酸化アルミニウム砥粒を用いたバフ研磨することで断面研磨面を得る。当該研磨面について、ＥＰＭＡ（電子線マイクロアナライザ）を用いて以下の条件で元素マッピングを行い、Ｇｅ濃度が３０質量％以上の領域の面積比率を調べる。ＥＰＭＡの観察条件は、加速電圧１５ｋＶ、照射電流１〜２×１０^-7Ａとして、観察倍率２５００倍で、２５６×２５６ピクセル数（１点の測定時間１ｍｓｅｃ）の元素マッピング画像を、異なる観察視野で複数枚取得する。元素マッピングでは、特定の元素についてＸ線検出強度に応じたモノクロ表示またはカラー表示の画像が得られる。そこで、ＥＰＭＡに付随する解析機能を用いてＸ線強度マップを質量濃度マップに変換する。この変換は各元素の標準サンプルを測定して用意したＸ線検出強度と元素濃度を関連付ける検量線（一次関数）を用いて行われる。そして変換した質量濃度マップを用いて、Ｇｅ濃度が３０質量％以上の領域の面積比率（Ｓ_Ge30質量%）の平均を求める。一方、ＩＣＰ−ＡＥＳ装置によりターゲットの組成分析を行う。組成分析結果から、ターゲット各成分の質量比と各成分の密度を利用してＧｅの面積比率Ｓ_Geを求める。以上により、Ｓ_Ge30質量%の割合（Ｓ_Ge30質量%／Ｓ_Ge）を算出する。

（第三元素）
本発明に係るスパッタリングターゲットは、Ａｕ、Ｂ、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｃｕ、Ｍｎ、Ｍｏ、Ｎｂ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｒｅ、Ｒｈ、Ｒｕ、Ｓｎ、Ｔａ、Ｗ、Ｖ及びＺｎよりなる群から選択される一種又は二種以上の第三元素を含有することができる。これらの第三元素は、Ｇｅと同様に、Ｆｅ−Ｐｔ磁性相を規則化するための熱処理温度を下げる効果があり、Ｇｅと併用することが許容される。これらの第三元素は、Ｆｅ、Ｇｅ及びＰｔの合計原子数に対する第三元素の合計原子数の割合で表して１０ａｔ．％以下含有することができ、５ａｔ．％以下含有することもでき、１ａｔ．％以下含有することもできる。

（非磁性材料）
本発明に係るスパッタリングターゲットは、非磁性材料として、炭素、炭化物、酸化物及び窒化物よりなる群から選択される少なくとも一種又は二種以上を含有することができる。非磁性材料はスパッタリングターゲット中で磁性相とは区別可能な非磁性材料相として分散して存在することができる。炭化物の例としては、Ｂ、Ｃａ、Ｎｂ、Ｓｉ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｗ及びＺｒよりなる群から選択される元素の一種又は二種以上の炭化物が挙げられる。酸化物の例としては、Ａｌ、Ｂ、Ｂａ、Ｂｅ、Ｃａ、Ｃｅ、Ｃｒ、Ｄｙ、Ｅｒ、Ｅｕ、Ｇａ、Ｇｄ、Ｈｏ、Ｌｉ、Ｍｇ、Ｍｎ、Ｎｂ、Ｎｄ、Ｐｒ、Ｓｃ、Ｓｉ、Ｓｍ、Ｓｒ、Ｔａ、Ｔｂ、Ｔｉ、Ｖ、Ｙ、Ｚｎ及びＺｒよりなる群から選択される元素の一種又は二種以上の酸化物が挙げられる。窒化物の例としては、Ａｌ、Ｂ、Ｃａ、Ｎｂ、Ｓｉ、Ｔａ、Ｔｉ及びＺｒよりなる群から選択される元素の一種又は二種以上の窒化物が挙げられる。

本発明に係るスパッタリングターゲットから作製された磁性薄膜は、炭素、炭化物、窒化物、酸化物が磁性相同士の磁気的な相互作用を絶縁する構造をとるため、良好な磁気特性が期待される。非磁性材料の配合量は、磁気記録媒体に要求される特性を維持できる範囲内であれば特に制限はないが、磁気的な相互作用を絶縁する作用を効果的に発揮するという観点で、スパッタリングターゲットの全体積に対して１０ｖｏｌ％以上であることが好ましく、２０ｖｏｌ％以上であることがより好ましく、２５ｖｏｌ％以上であることが更により好ましい。また、非磁性材料の配合量は、非磁性材料の割合が増えるとターゲットの導電性が低くなり、ＤＣスパッタすることが困難となるだけでなく、パーティクルの発生源ともなるため、生産性を確保する観点から、スパッタリングターゲットの全体積に対して６０ｖｏｌ％以下であることが好ましく、５０ｖｏｌ％以下であることがより好ましく、４０ｖｏｌ％以下であることが更により好ましい。非磁性材料の体積比率は、ターゲットを構成する各元素の原子数比と原子量から質量比を求め、これと各元素の密度を利用して求めることができる。

（相対密度）
本発明に係るスパッタリングターゲットは、相対密度が９０％以上であることが好ましく、９３％以上であることがより好ましく、９５％以上であることが更により好ましい。密度の向上は、スパッタ膜の均一性を高め、また、スパッタ時のパーティクル発生の抑制に寄与する。高密度のスパッタリングターゲット（焼結体）は、原料粉末の粒径を小さくすること、原料粉末の混合を十分に行うこと、焼結体の製造時にホットプレスや熱間静水圧焼結などにより高温加圧条件を付与することなどの条件を組み合わせることにより得ることができる。スパッタリングターゲットの相対密度は、水中でのアルキメデス法で測定した実測密度の理論密度に対する比率である、（実測密度／理論密度）×１００（％）から算出される。

理論密度の計算は、下記の式を用いて実施した。
式：理論密度＝Σ（構成成分の分子量×構成成分のモル比）／Σ（構成成分の分子量×構成成分のモル比／構成成分の文献値密度）
ここで、Σ（シグマ）は、ターゲットの構成成分の全てについて、和をとることを意味する。
各成分の密度（文献値）を以下に例示する。
Ｆｅ：７．８７４（ｇ／ｃｍ³）、Ｐｔ：２１．４５（ｇ／ｃｍ³）、Ｇｅ：５．３２３（ｇ／ｃｍ³）、Ｃ（グラファイト）：２．２６０（ｇ／ｃｍ³）、Ｃ（非晶質炭素）：１．９５（ｇ／ｃｍ³）、Ｃ（ダイヤモンド）：３．５１（ｇ／ｃｍ³）、Ａｕ：１９．３（ｇ／ｃｍ³）、Ｂ：２．３４（ｇ／ｃｍ³）、Ｃｏ：８．９（ｇ／ｃｍ³）、Ｃｒ：７．１８８（ｇ／ｃｍ³）、Ｃｕ：８．９３（ｇ／ｃｍ³）、Ｍｎ：７．４２（ｇ／ｃｍ³）、Ｍｏ：１０．２（ｇ／ｃｍ³）、Ｎｂ：８．５７（ｇ／ｃｍ³）、Ｎｉ：８．８５（ｇ／ｃｍ³）、Ｐｄ：１２．０２（ｇ／ｃｍ³）、Ｒｅ：２１．０２（ｇ／ｃｍ³）、Ｒｈ：１２．４１（ｇ／ｃｍ³）、Ｒｕ：１２．０６（ｇ／ｃｍ³）、Ｓｎ：７．２８（ｇ／ｃｍ³）、Ｔａ：１６．６（ｇ／ｃｍ³）、Ｗ：１９．３（ｇ／ｃｍ³）、Ｖ：５．９８（ｇ／ｃｍ³）、Ｚｎ：７．１４（ｇ／ｃｍ³）、Ａｌ₂Ｏ₃：３．９（ｇ／ｃｍ³）、Ｂ₂Ｏ₃：１．８４（ｇ／ｃｍ³）、ＢａＯ：５．０６（ｇ／ｃｍ³）、ＣａＯ：３．３７（ｇ／ｃｍ³）、ＣｅＯ₂：７．１３（ｇ／ｃｍ³）、Ｃｒ₂Ｏ₃：５．２１（ｇ／ｃｍ³）、Ｄｙ₂Ｏ₃：７．８１（ｇ／ｃｍ³）、Ｅｒ₂Ｏ₃：８．６４（ｇ／ｃｍ³）、Ｅｕ₂Ｏ₃：７．４２（ｇ／ｃｍ³）、Ｇａ₂Ｏ₃：６．４４（ｇ／ｃｍ³）、Ｇｄ₂Ｏ₃：７．４（ｇ／ｃｍ³）、Ｈｏ₂Ｏ₃：８．３６（ｇ／ｃｍ³）、Ｌｉ₂Ｏ：２．０１３（ｇ／ｃｍ³）、ＭｇＯ：３．６５（ｇ／ｃｍ³）、ＭｎＯ：５．４３（ｇ／ｃｍ³）、Ｎｂ₂Ｏ₅：４．６（ｇ／ｃｍ³）、：Ｎｄ₂Ｏ₃：７．２４（ｇ／ｃｍ³）、Ｐｒ₂Ｏ₃：６．８８（ｇ／ｃｍ³）、Ｓｃ₂Ｏ₃：３．８６４（ｇ／ｃｍ³）、ＳｉＯ₂（非晶質）：２．２（ｇ／ｃｍ³）、ＳｉＯ₂（石英）：２．７（ｇ／ｃｍ³）、Ｓｍ₂Ｏ₃：７．４３（ｇ／ｃｍ³）、ＳｒＯ：４．７（ｇ／ｃｍ³）、Ｔａ₂Ｏ₅：８．７３（ｇ／ｃｍ³）、Ｔｂ₄Ｏ₇：７．８（ｇ／ｃｍ³）、ＴｉＯ₂：４．２６（ｇ／ｃｍ³）、Ｖ₂Ｏ₃：４．８７（ｇ／ｃｍ³）、Ｙ₂Ｏ₃：５．０３（ｇ／ｃｍ³）、ＺｎＯ：５．６（ｇ／ｃｍ³）、ＺｒＯ₂：５．４９（ｇ／ｃｍ³）、Ｂ₄Ｃ：２．５１（ｇ／ｃｍ³）、ＣａＣ₂：２．２２（ｇ／ｃｍ³）、ＮｂＣ：７．８２（ｇ／ｃｍ³）、ＳｉＣ：３．２１（ｇ／ｃｍ³）、ＴａＣ：１４．６５（ｇ／ｃｍ³）、ＴｉＣ：４．９３（ｇ／ｃｍ³）、ＷＣ：１５．７（ｇ／ｃｍ³）、ＺｒＣ：６．７３（ｇ／ｃｍ³）、ＡｌＮ：３．２６（ｇ／ｃｍ³）、ＢＮ：２．２７（ｇ／ｃｍ³）、ＮｂＮ：８．３１（ｇ／ｃｍ³）、Ｓｉ₃Ｎ₄：３．４４（ｇ／ｃｍ³）、ＴａＮ：１４．３６（ｇ／ｃｍ³）、ＴｉＮ：５．４３（ｇ／ｃｍ³）、ＺｒＮ：７．３５（ｇ／ｃｍ³）

（酸素濃度）
本発明に係るスパッタリングターゲットは一実施形態において、酸素濃度が４００質量ｐｐｍ以下である。酸素濃度が低いことで規則化が進行しやすくなるという利点が得られる。酸素濃度は３００質量ｐｐｍ以下であるのが好ましく、２５０質量ｐｐｍ以下であるのがより好ましく、例えば２００〜４００質量ｐｐｍとすることができる。本発明において、酸素濃度は不活性ガス融解−赤外吸収法を採用した酸素分析計により測定する。

（製法）
本発明に係るスパッタリングターゲットは、粉末焼結法を用いて、例えば、以下の方法によって作製することができる。まず、金属粉として、Ｆｅ粉、Ｐｔ−Ｇｅ合金粉、Ｐｔ−Ｇｅ−Ｆｅ合金粉、Ｐｔ粉、随意に第三元素の粉末などを用意する。ＧｅはＰｔ−Ｇｅ合金粉（ＰｔとＧｅの合金粉）又はＰｔ−Ｇｅ−Ｆｅ合金粉（ＰｔとＧｅとＦｅの合金粉）を原料として使用することが重要である。Ｐｔ−Ｇｅ合金粉及びＰｔ−Ｇｅ−Ｆｅ合金粉を併用してもよい。これにより、ターゲットを構成する磁性相においてＧｅ濃度が３０質量％以上のＧｅ基合金相の面積比率が極めて小さくなる。すると、得られたスパッタリングターゲットはスパッタ時にノジュールが抑制され、パーティクルの発生も抑制される。一方、Ｇｅ単体の粉末を原料粉末として使用して焼結すると、ターゲットを構成する磁性相においてＧｅ濃度が３０質量％以上のＧｅ基合金相の面積比率が大きくなり、ノジュールが生じやすく、パーティクル量も多くなる。また、一般的に粒径サイズの小さい金属原料粉を使用すると、粉末表面の酸化の影響によりターゲット中の酸素量が増えてしまうが、あらかじめＰｔ−Ｇｅ及び／又はＰｔ−Ｇｅ−Ｆｅの合金粉としておくことで、Ｇｅの酸化を抑制することができる。さらに金属粉としてＰｔ−Ｇｅ−Ｆｅのアトマイズ粉を用いることもできる。この場合Ｇｅを磁性相中で均一に分散させることができるという利点がある。

Ｐｔ−Ｇｅ合金粉又はＰｔ−Ｇｅ−Ｆｅ合金粉は溶解鋳造したインゴットを粉砕して作製してもよいし、アトマイズ粉として作製してもよい。Ｐｔ−Ｇｅ合金粉の組成は粉砕性を考慮し、原子比で、Ｐｔ：Ｇｅ＝１：０．８〜１．２とすることが好ましく、Ｐｔ：Ｇｅ＝１：０．９〜１．１とすることがより好ましく、Ｐｔ：Ｇｅ＝１：０．９５〜１．１０５とすることが更により好ましい。Ｐｔ−Ｇｅ−Ｆｅ合金粉の組成は粉砕性を考慮し、原子比で、Ｐｔ：Ｇｅ：Ｆｅ＝１：０．８〜１．２：０．１〜０．３とすることが好ましく、Ｐｔ：Ｇｅ：Ｆｅ＝１：０．８〜１．２：０．１〜０．２とすることがより好ましく、Ｐｔ：Ｇｅ：Ｆｅ＝１：０．９〜１．１：０．１〜０．２とすることが更により好ましい。また、Ｐｔ−Ｇｅ合金粉及びＰｔ−Ｇｅ−Ｆｅ合金粉は、ターゲット中の組成ムラをなくすという理由により、平均粒径が５０μｍ以下であることが好ましく、３０μｍ以下であることがより好ましく、２０μｍ以下であることが更により好ましい。Ｐｔ−Ｇｅ合金粉及びＰｔ−Ｇｅ−Ｆｅ合金粉は、これら合金粉が酸化することによる組成変化を抑制する観点から、平均粒径が１μｍ以上であることが好ましく、２μｍ以上であることがより好ましく、４μｍ以上であることが更により好ましい。

Ｇｅ以外の金属は、単体の金属粉を用いることもでき、合金粉を用いることもできる。合金粉は溶解鋳造したインゴットを粉砕して作製してもよいし、アトマイズ粉として作製してもよい。Ｇｅ以外の金属の粉末は、非磁性材料の均一な分散を可能とし、偏析と結晶粗大化を防止するという観点で、平均粒径が３０μｍ以下であることが好ましく、２０μｍ以下であることがより好ましく、１０μｍ以下であることが更により好ましい。また、Ｇｅ以外の金属の粉末は、金属粉が酸化することによる組成変化を抑制する観点から、平均粒径が１μｍ以上であることが好ましく、２μｍ以上であることがより好ましく、４μｍ以上であることが更により好ましい。

また、非磁性材料の粉末として、炭素粉、炭化物粉、窒化物粉、酸化物粉などを用意する。非磁性材料のうち炭素粉に関しては、グラファイト（黒鉛）やナノチューブのように結晶構造を有するものと、カーボンブラックに代表される非晶質のものがあるが、いずれの炭素粉を使用することができる。非磁性材料粉末は均一分散させやすいという観点で、平均粒径が３０μｍ以下であることが好ましく、１０μｍ以下であることがより好ましく、５μｍ以下であることが更により好ましい。また、非磁性材料粉末は粉末同士の凝集防止という観点で、平均粒径が０．１μｍ以上であることが好ましく、１μｍ以上であることがより好ましく、２μｍ以上であることが更により好ましい。

本発明において、金属粉及び非磁性材料の平均粒径は、レーザー回折・散乱法によって求めた粒度分布における体積値基準での積算値５０％（Ｄ５０）での粒径を意味する。実施例においては、ＨＯＲＩＢＡ社製の型式ＬＡ−９２０の粒度分布測定装置を使用し、粉末をエタノールの溶媒中に分散させて測定した。屈折率は金属コバルトの値を使用した。

次いで、原料粉（金属粉及び非磁性材料粉）を所望の組成となるように秤量し、ボールミル等の公知の手法を用いて粉砕を兼ねて混合する。このとき、粉砕容器内に不活性ガスを封入して原料粉の酸化をできるかぎり抑制することが望ましい。不活性ガスとしは、Ａｒ、Ｎ₂ガスが挙げられる。また、このとき、均一な組織を実現するために混合粉の平均粒径が２０μｍ以下になるまで粉砕することが好ましく、さらに１０μｍ以下になるまで粉砕することが好ましく、例えば０．１〜１０μｍの範囲になるまで粉砕することができる。このようにして得られた混合粉末をホットプレス法で真空雰囲気又は不活性ガス雰囲気下において成型・焼結する。また、前記ホットプレス法以外にも、プラズマ放電焼結法など様々な加圧焼結方法を使用することができる。特に、熱間静水圧焼結法（ＨＩＰ）は、焼結体の密度向上に有効であり、ホットプレス法と熱間静水圧焼結法をこの順に実施することが焼結体の密度向上の観点から好ましい。

焼結時の保持温度は、金属粉の溶融を避けるために磁性相の組成に依存するが、使用するＰｔ−Ｇｅ合金及び／又はＰｔ−Ｆｅ−Ｇｅ合金の融点未満とすることが好ましく、融点よりも２０℃以上低い温度とすることがより好ましく、融点よりも５０℃以上低い温度とすることが更により好ましい。例えばＰｔとＧｅの原子比が１：１のＰｔ−Ｇｅ合金の場合は、１０７０℃以下とすることが好ましく、９５０℃以下とすることがより好ましく、８５０℃以下とすることが更により好ましい。また、焼結時の保持温度は、焼結体の密度低下を避けるために６５０℃以上とすることが好ましく、７００℃以上とすることがより好ましく、７５０℃以上とすることが更により好ましい。

焼結時のプレス圧力は、焼結を促進するために２０ＭＰａ以上とすることが好ましく、２５ＭＰａ以上とすることがより好ましく、３０ＭＰａ以上とすることが更により好ましい。また、焼結時のプレス圧力は、ダイスの強度を考慮し７０ＭＰａ以下とすることが好ましく、５０ＭＰａ以下とすることがより好ましく、４０ＭＰａ以下とすることが更により好ましい。

焼結時間は、焼結体の密度向上のために０．３時間以上とすることが好ましく、０．５時間以上とすることがより好ましく、１．０時間以上とすることが更により好ましい。また、焼結時間は、結晶粒の粗大化を防止するために３．０時間以下とすることが好ましく、２．０時間以下とすることがより好ましく、１．５時間以下とすることが更により好ましい。

得られた焼結体を、旋盤等を用いて所望の形状に成形加工することにより、本発明に係るスパッタリングターゲットを作製することができる。ターゲット形状には特に制限はないが、例えば平板状（円盤状や矩形板状を含む）及び円筒状が挙げられる。本発明に係るスパッタリングターゲットは、グラニュラー構造磁性薄膜の成膜に使用するスパッタリングターゲットとして特に有用である。

以下に本発明の実施例を比較例と共に示すが、これらの実施例は本発明及びその利点をよりよく理解するために提供するものであり、本発明が限定されることを意図するものではない。

＜スパッタリングターゲットの作製＞
原料粉末として、試験例に応じて表１に記載の各平均粒径をもつＦｅ粉、Ｐｔ−Ｇｅ合金粉（又はＰｔ−Ｇｅ−Ｆｅ合金粉）、Ｐｔ粉、非磁性材料としてのグラファイト（Ｃ）粉を用意し、表１に記載の原子数比で合計質量が２２００ｇとなるように秤量した。原料粉末の平均粒径（Ｄ５０）は先述した方法により、堀場製作所製のＬＡ−９２０装置を使用して測定した。Ｐｔ−Ｇｅ合金粉はＰｔ及びＧｅを原子比１：１の組成で溶解鋳造したインゴットを粉砕し、目開き９０μｍの篩で篩別した篩下のものである。さらに、このＰｔ−Ｇｅ合金粉を、粉砕媒体のＳＵＳボールと共に容量１０リットルのボールミルポットに投入し、Ａｒ雰囲気中で８時間回転させて混合、粉砕した。レーザー回折・散乱法によって粉砕後のＰｔ−Ｇｅ合金粉の平均粒径（Ｄ５０）を求めたところ、何れの試験例においても２０μｍ程度であった。またＰｔ−Ｇｅ−Ｆｅ合金粉は、Ｐｔ、Ｇｅ及びＦｅを原子数比１：１：０．２の組成になるようにガスアトマイズ法で作製したものを用いた。さらに、このＰｔ−Ｇｅ−Ｆｅアトマイズ合金粉を、粉砕媒体のＳＵＳボールと共に容量１０リットルのボールミルポットに投入し、Ａｒ雰囲気中で８時間回転させて混合、粉砕した。レーザー回折・散乱法によって粉砕後のＰｔ−Ｇｅ−Ｆｅ合金粉の平均粒径（Ｄ５０）を求めたところ、何れの試験例においても２０μｍ程度であった。
非磁性材料（Ｃ）の体積比率は、各元素の原子数比と原子量から質量比を求め、これと各元素の密度を利用して求めた。例えば、実施例１及び比較例１の場合、Ｆｅ、Ｐｔ、Ｇｅ、Ｃの質量比をそれぞれＷ１、Ｗ２、Ｗ３、Ｗ４（質量％）とし、Ｆｅ、Ｐｔ、Ｇｅ、Ｃの密度をそれぞれＤ１＝７．８７４（ｇ／ｃｍ³）、Ｄ２＝２１．４５（ｇ／ｃｍ³）、Ｄ３＝５．３２３（ｇ／ｃｍ³）、Ｄ４＝２．２６０（ｇ／ｃｍ³）として以下の式に導入することで求めた。
Ｃの体積比率（％）＝（Ｗ４／Ｄ４）÷（Ｗ１／Ｄ１＋Ｗ２／Ｄ２＋Ｗ３／Ｄ３＋Ｗ４／Ｄ４）×１００

秤量した原料粉末を、粉砕媒体のＳＵＳボールと共に容量１０リットルのボールミルポットに投入し、Ａｒ雰囲気中で４時間回転させて混合、粉砕した。レーザー回折・散乱法によって粉砕後の混合粉の平均粒径（Ｄ５０）を求めたところ、何れの試験例においても１〜５μｍ程度であった。次にポットから取り出した粉末をカーボン製の型に充填し、ホットプレス装置を用いて成型、焼結した。ホットプレスの条件は、真空雰囲気、昇温速度３００°Ｃ／時間、保持温度７５０℃、保持時間２時間とし、昇温開始時から温度保持終了まで３０ＭＰａで加圧した。保持終了後はチャンバー内でそのまま自然冷却させた。次に、ホットプレスの型から取り出した焼結体に熱間静水圧焼結（ＨＩＰ）を施した。熱間静水圧焼結の条件は、昇温温度３００℃／時間、保持温度７５０℃、保持時間２時間とし、昇温開始時からＡｒガスのガス圧を徐々に高めて、７５０℃保持中は１５０ＭＰａで加圧した。温度保持終了後は炉内でそのまま自然冷却させた。次に、旋盤を用いて、それぞれの焼結体を直径１８０．０ｍｍ、厚さ５．０ｍｍの形状に切削加工し、円盤状のスパッタリングターゲットを得た。

＜Ｓ_Ge30質量%／Ｓ_Ge＞
上記の製造手順で得られた各試験例に係るターゲットのスパッタ面に対する垂直断面をファインカッターにより切り出し、当該断面を先述した研磨方法で研磨することで得た断面研磨面における磁性相ついて、ＥＰＭＡ（日本電子社製、装置名：ＪＸＡ−８５００Ｆ）を用いて以下の条件で元素マッピングを行い、Ｇｅ濃度が３０質量％以上の領域の面積比率を調べた。ＥＰＭＡの観察条件は、加速電圧１５ｋＶ、照射電流１〜２×１０^-7Ａとして、観察倍率２５００倍で、２５６×２５６ピクセル数（１点の測定時間１ｍｓｅｃ）の元素マッピング画像を、異なる観察視野で１０枚取得した。このときの観察視野面積の合計は４０μｍ×４０μｍ×１０枚＝約１６０００μｍ²であった。なお、元素マッピングでは、特定の元素についてＸ線検出強度に応じたモノクロ表示またはカラー表示の画像が得られる。そこで、ＥＰＭＡに付随する基本ソフトウェアの面分析ソフトウェア（バージョン１．４２）による解析機能を用いてＸ線強度マップを質量濃度マップに変換した。この変換は各元素の純物質の標準サンプルを測定して用意したＸ線検出強度と元素濃度を関連付ける検量線（一次関数）を用いて行っている。そして変換した質量濃度マップにおいて、Ｇｅ濃度が３０質量％以上の領域の面積比率Ｓ_Ge30質量%（％）を各視野について求め、１０視野の平均を算出した。そして後述のターゲットの組成分析の結果から求めたＧｅの面積比率Ｓ_Geに対するＳ_Ge30質量%の平均の割合（Ｓ_Ge30質量%／Ｓ_Ge）を算出した。組成分析結果からのＧｅの面積比率Ｓ_Geの計算は、体積比率の計算と同様にターゲット各成分の質量比と各成分の密度を利用して求めた。例えば、実施例１及び比較例１の場合、Ｆｅ、Ｐｔ、Ｇｅ、Ｃの質量比をそれぞれＷ１、Ｗ２、Ｗ３、Ｗ４（質量％）とし、Ｆｅ、Ｐｔ、Ｇｅ、Ｃの密度をそれぞれＤ１＝７．８７４（ｇ／ｃｍ³）、Ｄ２＝２１．４５（ｇ／ｃｍ³）、Ｄ３＝５．３２３（ｇ／ｃｍ³）、Ｄ４＝２．２６０（ｇ／ｃｍ³）として以下の式に導入することで求めた。
Ｇｅの面積比率（％）Ｓ_Ge＝（Ｗ３／Ｄ３）÷（Ｗ１／Ｄ１＋Ｗ２／Ｄ２＋Ｗ３／Ｄ３＋Ｗ４／Ｄ４）×１００
ここでは均一に分散した相の平均面積率と体積率の間には以下の関係式が成立することを利用した（新家光雄 編：３Ｄ材料組織・特性解析の基礎と応用 付録Ａ１項、内田老鶴圃、２０１４年６月）。
平均面積率 ＝ 体積率
このようにして求めたＳ_Ge30質量%の平均のＳ_Geに対する割合（Ｓ_Ge30質量%／Ｓ_Ge）を表１に示す。

＜組成分析＞
上記の製造手順で得られた各試験例に係るターゲットから切り出した小片について、不活性ガス融解−赤外吸収法を採用したＬＥＣＯ社製の酸素分析計（装置名ＴＣ６００）によって酸素濃度を測定した。結果を表１に示す。

上記の製造手順で得られた各試験例に係るターゲットを旋盤で切削して得た切粉について、ＩＣＰ−ＡＥＳ装置（日立ハイテクサイエンス社製（旧ＳＩＩ製）、装置名：ＳＰＳ３１００ＨＶ）により組成分析を行い、いずれのターゲットの組成も実質的に秤量組成と同じであることを確認した。ここで測定精度を高めるために、金属組成分析については内部標準法で検量線を引いて実施した。

＜相対密度＞
上記の製造手順で得られた各試験例に係るターゲットについて、水中でのアルキメデス法で測定した実測密度と理論密度から相対密度を算出した。結果を表１に示す。

＜成膜試験＞
上記の製造手順で得られた各試験例に係るスパッタリングターゲットをマグネトロンスパッタ装置（キヤノンアネルバ製Ｃ-３０１０スパッタリングシステム）に取り付け、スパッタリングを実施した。スパッタリング条件は、投入電力１ｋＷ、Ａｒガス圧１．７Ｐａとし、シリコン基板上に２０秒間成膜した。基板上へ付着したパーティクル（粒径０．２５〜３μｍ）の個数をパーティクルカウンター（ＫＬＡ−Ｔｅｎｃｏｒ社製、装置名：Ｓｕｒｆｓｃａｎ６４２０）で測定した。結果を表１に示す。なお、成膜後のスパッタリングターゲットのスパッタ面をＳＥＭによって観察したところ、実施例１〜２３についてはノジュールの発生はほとんど見られなかったが、比較例１においてはノジュールの存在が確認された。また、成膜後、高真空炉にて、基板上の薄膜を４００℃、１時間加熱した後、ＸＲＤ（Ｘ線回折法）で分析した結果、いずれの試験例に係る薄膜についてもＦｅ−Ｐｔ規則相のピークが確認された。ＸＲＤの分析条件は以下の通りである。
分析装置：株式会社リガク社製 全自動水平型多目的Ｘ線回折装置ＳｍａｒｔＬａｂ
管球：Ｃｕ（ＣｕＫαにて測定）
管電圧：４０ｋＶ
管電流：３０ｍＡ
光学系：集中法型回折光学系
スキャンモード：２θ／θ
走査範囲（２θ）：１０°〜８０°
測定ステップ（２θ）：０．０５°
スキャンスピード（２θ）：毎分０．５°
アタッチメント：標準アタッチメント
フィルタ：ＣｕＫβフィルタ
カウンターモノクロ：無し
カウンター：Ｄ／ｔｅＸ Ｕｌｔｒａ
発散スリット：２／３ｄｅｇ.
発散縦スリット：１０．０ｍｍ
散乱スリット：１０．０ｍｍ
受光スリット：１０．０ｍｍ
アッテネータ：ＯＰＥＮ
ＦｅＰｔ規則相の超格子反射ピークが表れる角度（２θ）：
２４．０°（００１）、３２．８°（１１０）
測定サンプルサイズ：約１０ｍｍ×１０ｍｍ
得られたＸＲＤプロファイルの解析は、株式会社リガク社製統合粉末Ｘ線解析ソフトウェア ＰＤＸＬを用いて実施した。得られた測定データに対して、ＢＧ除去、Ｋα₂除去、ピークサーチを自動モードで実施し、回折ピークを抽出した。そして（００１）および（１１０）面からの上記回折ピーク角度の±０．５°の範囲におけるピークの有無を調べた。両範囲にそれぞれ回折ピークが存在する場合、ＦｅＰｔ膜は規則化していると判断した。

Claims (10)

1. Ｆｅ、Ｐｔ及びＧｅを含有する非磁性材料分散型のスパッタリングターゲットであって、Ｆｅ、Ｐｔ及びＧｅについて原子数比で（Ｆｅ_1-αＰｔ_α）_1-βＧｅ_β（α、βは、０．３５≦α≦０．５５、０．０５≦β≦０．２を満たす数）で表される組成を満足する磁性相を有し、該磁性相は、スパッタリングターゲットのスパッタ面に対する垂直断面を研磨したときの研磨面のＥＰＭＡによる元素マッピングにおいて、Ｇｅの濃度が３０質量％以上であるＧｅ基合金相の面積比率（Ｓ_Ge30質量%）の平均の、スパッタリングターゲットの全体組成から計算されるＧｅの面積比率（Ｓ_Ge）に対する割合（Ｓ_Ge30質量％／Ｓ_Ge）が、０．５以下であるスパッタリングターゲット。
2. 非磁性材料は、炭素、炭化物、酸化物及び窒化物よりなる群から選択される一種又は二種以上であり、該非磁性材料の体積比率がスパッタリングターゲットの全体積に対して１０〜６０ｖｏｌ％を占める請求項１に記載のスパッタリングターゲット。
3. Ａｕ、Ｂ、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｃｕ、Ｍｎ、Ｍｏ、Ｎｂ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｒｅ、Ｒｈ、Ｒｕ、Ｓｎ、Ｔａ、Ｗ、Ｖ及びＺｎよりなる群から選択される一種又は二種以上の第三元素を、Ｆｅ、Ｇｅ及びＰｔの合計原子数に対する第三元素の合計原子数の割合で表して１０ａｔ．％以下含有する請求項１又は２に記載のスパッタリングターゲット。
4. 酸素濃度が４００質量ｐｐｍ以下である請求項１〜３の何れか一項に記載のスパッタリングターゲット。
5. Ｆｅ、Ｐｔ及びＧｅが原子数比で（Ｆｅ_1-αＰｔ_α）_1-βＧｅ_β（α、βは、０．３５≦α≦０．５５、０．０５≦β≦０．２を満たす数）で表される組成を満足するように、Ｐｔ−Ｇｅ合金粉及び／又はＰｔ−Ｇｅ−Ｆｅ合金粉と、Ｐｔ−Ｇｅ合金粉及びＰｔ−Ｇｅ−Ｆｅ合金粉以外の金属粉と、非磁性材料粉とを、不活性ガス雰囲気下で粉砕しながら混合する工程と、
   上記工程で得られた混合粉末から、加圧焼結方法により真空雰囲気又は不活性ガス雰囲気下で前記Ｐｔ−Ｇｅ合金粉の融点未満の温度で焼結して焼結体を得る工程と、
   前記焼結体を成形加工する工程と、
   を含む請求項１〜４の何れか一項に記載のスパッタリングターゲットの製造方法。
6. 前記混合する工程の前における前記Ｐｔ−Ｇｅ合金粉及び／又はＰｔ−Ｇｅ−Ｆｅ合金粉の平均粒径が１〜５０μｍである請求項５に記載のスパッタリングターゲットの製造方法。
7. Ｐｔ−Ｇｅ合金粉を使用する場合、前記混合する工程の前における前記Ｐｔ−Ｇｅ合金粉の組成が原子比で、Ｐｔ：Ｇｅ＝１：０．８〜１．２である請求項５又は６に記載のスパッタリングターゲットの製造方法。
8. Ｐｔ−Ｇｅ−Ｆｅ合金粉を使用する場合、前記混合する工程の前における前記Ｐｔ−Ｇｅ−Ｆｅ合金粉の組成が原子比で、Ｐｔ：Ｇｅ：Ｆｅ＝１：０．８〜１．２：０．１〜０．３である請求項５〜７の何れか一項に記載のスパッタリングターゲットの製造方法。
9. 焼結時に２０〜７０ＭＰａの範囲の圧力で加圧することを含む請求項５〜８の何れか一項に記載のスパッタリングターゲットの製造方法。
10. 前記粉砕しながら混合する工程により得られる混合粉末の平均粒径が２０μｍ以下である請求項５〜９の何れか一項に記載のスパッタリングターゲットの製造方法。