WO2014185266A1 - 磁性薄膜形成用スパッタリングターゲット - Google Patents
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Abstract
Ｆｅ－Ｐｔ合金と非磁性材料を主成分とする焼結体スパッタリングターゲットであって、酸素１モルに対する酸化物の標準生成自由エネルギーがＣＯ（一酸化炭素）よりも低い酸化物を形成する元素を、５０質量ｐｐｍ以上５０００質量ｐｐｍ以下含有し、非磁性材料として、炭素、炭化物、窒化物のいずれか一種以上を含有することを特徴とするスパッタリングターゲット。本発明は、スパッタ時に発生するパーティクル量を大幅に低減させたＦｅ－Ｐｔ合金と非磁性材料とからなるスパッタリングターゲットを提供することを課題とする。
Description
本発明は、磁気記録媒体における磁性薄膜の形成に使用される焼結体スパッタリングターゲットに関する。
ハードディスクドライブに代表される磁気記録の分野では、磁気記録媒体の磁性薄膜の材料として、強磁性金属であるＣｏ、Ｆｅ、あるいはＮｉをベースとした材料が用いられている。例えば、面内磁気記録方式を採用するハードディスクの磁性薄膜にはＣｏを主成分とするＣｏ－Ｃｒ系やＣｏ－Ｃｒ－Ｐｔ系の強磁性合金が用いられてきた。
また、近年実用化された垂直磁気記録方式を採用するハードディスクの磁性薄膜には、Ｃｏを主成分とするＣｏ－Ｃｒ－Ｐｔ系の強磁性合金と酸化物からなる複合材料が多く用いられている。そして上記の磁性薄膜は、生産性の高さから、上記材料を成分とするスパッタリングターゲットをマグネトロンスパッタ装置でスパッタして作製されることが多い。
また、近年実用化された垂直磁気記録方式を採用するハードディスクの磁性薄膜には、Ｃｏを主成分とするＣｏ－Ｃｒ－Ｐｔ系の強磁性合金と酸化物からなる複合材料が多く用いられている。そして上記の磁性薄膜は、生産性の高さから、上記材料を成分とするスパッタリングターゲットをマグネトロンスパッタ装置でスパッタして作製されることが多い。
一方、ハードディスクの記録密度は年々急速に増大しており、１ Ｔｂｉｔ／ｉｎ２を超えつつある。１Ｔｂｉｔ／ｉｎ２に記録密度が達すると記録ｂｉｔのサイズが１０ｎｍを下回るようになり、その場合、熱揺らぎによる超常磁性化が問題となってくると予想される。現在、使用されている磁気記録媒体の材料、例えばＣｏ基合金にＰｔを添加して結晶磁気異方性を高めた材料では十分ではないことが予想される。１０ｎｍ以下のサイズで安定的に強磁性として振る舞う磁性粒子は、より高い結晶磁気異方性を持っている必要があるからである。
上記のような理由から、Ｌ１０構造を有するＦｅ－Ｐｔ合金が超高密度記録媒体用材料として注目されている。Ｌ１０構造を有するＦｅ－Ｐｔ合金は高い結晶磁気異方性とともに、耐食性、耐酸化性に優れているため、磁気記録媒体としての応用に適した材料として期待されているものである。
そしてＬ１０構造を有するＦｅ－Ｐｔ合金を超高密度記録媒体用材料として使用する場合には、Ｌ１０構造へ規則化したＦｅ－Ｐｔ磁性粒子を磁気的に孤立させた状態で出来るだけ高密度に方位をそろえて分散させるという技術の開発が求められている。
そしてＬ１０構造を有するＦｅ－Ｐｔ合金を超高密度記録媒体用材料として使用する場合には、Ｌ１０構造へ規則化したＦｅ－Ｐｔ磁性粒子を磁気的に孤立させた状態で出来るだけ高密度に方位をそろえて分散させるという技術の開発が求められている。
このようなことから、Ｌ１０構造を有するＦｅ－Ｐｔ磁性粒子をＣ（炭素）や酸化物といった非磁性材料で孤立させたグラニュラー構造磁性薄膜が、熱アシスト磁気記録方式を採用した次世代ハードディスクの磁気記録媒体用として提案されている。このグラニュラー構造磁性薄膜は、非磁性材料が磁性粒子を取り囲むことにより磁性粒子間の磁気的相互作用を遮断する構造を有している。
グラニュラー構造の磁性薄膜を有する磁気記録媒体及びこれに関連する公知文献としては、特許文献１、特許文献２、特許文献３、特許文献４、特許文献５を挙げることができる。
グラニュラー構造の磁性薄膜を有する磁気記録媒体及びこれに関連する公知文献としては、特許文献１、特許文献２、特許文献３、特許文献４、特許文献５を挙げることができる。
上記Ｌ１０構造を有するＦｅ－Ｐｔ磁性粒子を有するグラニュラー構造磁性薄膜としては、非磁性材料としてＣを含有する磁性薄膜が、特にその磁気特性の高さから注目されている。ところが、Ｆｅ－Ｐｔ合金とＣからなるスパッタリングターゲットをスパッタしようとすると、スパッタ時にＣの不用意な脱離が生じパーティクル（基板上に付着したゴミ）が大量に発生するという問題がある。この問題を解決するには、Ｆｅ－Ｐｔ合金とＣの密着性を高めたスパッタリングターゲットを提供する必要がある。また、Ｃのかわりに炭化物や窒化物を含有するターゲットを用いても、優れた磁性薄膜が得ることができるが、この場合もスパッタ時にパーティクルが多く発生するという問題があった。
本発明の課題は、スパッタ時に発生するパーティクル量を大幅に低減させたＦｅ－Ｐｔ合金と非磁性材料とからなる焼結体スパッタリングターゲットを提供することである。
上記の課題を解決するために、本発明者らは鋭意研究を行った結果、酸素１モルに対する酸化物の標準生成自由エネルギーがＣＯ（一酸化炭素）のよりも低い酸化物を形成する元素を微量添加することで、スパッタ時に発生するパーティクル量を大幅に低減したスパッタリングターゲットを得ることができることを見出した。
このような知見に基づき、本発明は、
１）Ｆｅ－Ｐｔ合金と非磁性材料を主成分とする焼結体スパッタリングターゲットであって、酸素１モルに対する酸化物の標準生成自由エネルギーがＣＯ（一酸化炭素）よりも低い酸化物を形成する元素を、５０質量ｐｐｍ以上５０００質量ｐｐｍ以下含有し、非磁性材料として、炭素、炭化物、窒化物のいずれか一種以上を含有することを特徴とするスパッタリングターゲット、
２）前記酸素１モルに対する酸化物の標準生成自由エネルギーがＣＯ（一酸化炭素）よりも低い酸化物を形成する元素が、Ａｌ、Ｍｇ、Ｔｉ、Ｙ、Ｚｒであることを特徴とする上記１）記載のスパッタリングターゲット、
３）Ｆｅ、Ｐｔ以外に、Ａｇ、Ａｕ、Ｂ、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｃｕ、Ｇａ、Ｇｅ、Ｉｒ、Ｍｎ、Ｍｏ、Ｎｂ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｒｅ、Ｒｈ、Ｒｕ、Ｓｉ、Ｓｎ、Ｔａ、Ｗ、Ｖ、Ｚｎから選択されるいずれか一種以上の元素を、金属成分として含有することを特徴とする上記１）又は２）記載のスパッタリングターゲット、
４）非磁性材料として、さらに酸化物を含有することを特徴とする上記１）～３）のいずれか一に記載のスパッタリングターゲット、を提供する。
１）Ｆｅ－Ｐｔ合金と非磁性材料を主成分とする焼結体スパッタリングターゲットであって、酸素１モルに対する酸化物の標準生成自由エネルギーがＣＯ（一酸化炭素）よりも低い酸化物を形成する元素を、５０質量ｐｐｍ以上５０００質量ｐｐｍ以下含有し、非磁性材料として、炭素、炭化物、窒化物のいずれか一種以上を含有することを特徴とするスパッタリングターゲット、
２）前記酸素１モルに対する酸化物の標準生成自由エネルギーがＣＯ（一酸化炭素）よりも低い酸化物を形成する元素が、Ａｌ、Ｍｇ、Ｔｉ、Ｙ、Ｚｒであることを特徴とする上記１）記載のスパッタリングターゲット、
３）Ｆｅ、Ｐｔ以外に、Ａｇ、Ａｕ、Ｂ、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｃｕ、Ｇａ、Ｇｅ、Ｉｒ、Ｍｎ、Ｍｏ、Ｎｂ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｒｅ、Ｒｈ、Ｒｕ、Ｓｉ、Ｓｎ、Ｔａ、Ｗ、Ｖ、Ｚｎから選択されるいずれか一種以上の元素を、金属成分として含有することを特徴とする上記１）又は２）記載のスパッタリングターゲット、
４）非磁性材料として、さらに酸化物を含有することを特徴とする上記１）～３）のいずれか一に記載のスパッタリングターゲット、を提供する。
本発明によれば、スパッタリングの際に、発生するパーティクル量を大幅に低減したスパッタリングターゲットを提供することができる。これにより、成膜時における歩留まりを著しく向上することができるという、優れた効果を有する。
本発明のスパッタリングターゲットは、Ｆｅ－Ｐｔ合金と、Ｃ（炭素）、炭化物、窒化物のいずれか一種以上からなる非磁性材料とを主成分とするものである。これらの成分は、磁気記録媒体として必要とされる成分であり、配合割合は有効な磁気記録媒体としての特性を維持できる範囲内であれば、特に制限はない。
Ｆｅ－Ｐｔ合金の組成として一般には、分子量比率においてＰｔが３５％以上５５％以下、残部がＦｅの割合で配合したものが用いることができる。
Ｆｅ－Ｐｔ合金の組成として一般には、分子量比率においてＰｔが３５％以上５５％以下、残部がＦｅの割合で配合したものが用いることができる。
本願発明において特に重要なことは、ＣＯ（一酸化炭素）の酸素１モルに対する酸化物の標準生成自由エネルギーよりも、低い標準生成自由エネルギーを有する酸化物を形成する元素を、微量含有することである。
酸素親和力が大きいこれらの元素は、焼結時にＦｅ粉やＦｅ系の合金粉に含まれる酸素と反応し、安定な酸化物を形成する。その結果、炭素、炭化物、窒化物が上記の酸素と反応して生じるガス成分（ＣＯ、ＣＯ２、ＮＯ、ＮＯ２）が減少して、Ｆｅ－Ｐｔ合金と非磁性材料の密着性が向上する。この密着性の向上により、非磁性材料の脱落によるパーティクルの発生を抑制することができる。
なお、上記の微量含有する元素の酸化物の標準生成自由エネルギーは、焼結時の温度領域でＣＯ（一酸化炭素）の標準生成自由エネルギーよりも低ければ良い。すなわち、本発明のスパッタリングターゲット（焼結体）の焼結温度は、高くても約１５００℃であるので、これらの酸化物の標準生成自由エネルギーは、約１５００℃以下の温度領域でＣＯ（一酸化炭素）の標準生成自由エネルギーよりも低ければ十分である。
酸素親和力が大きいこれらの元素は、焼結時にＦｅ粉やＦｅ系の合金粉に含まれる酸素と反応し、安定な酸化物を形成する。その結果、炭素、炭化物、窒化物が上記の酸素と反応して生じるガス成分（ＣＯ、ＣＯ２、ＮＯ、ＮＯ２）が減少して、Ｆｅ－Ｐｔ合金と非磁性材料の密着性が向上する。この密着性の向上により、非磁性材料の脱落によるパーティクルの発生を抑制することができる。
なお、上記の微量含有する元素の酸化物の標準生成自由エネルギーは、焼結時の温度領域でＣＯ（一酸化炭素）の標準生成自由エネルギーよりも低ければ良い。すなわち、本発明のスパッタリングターゲット（焼結体）の焼結温度は、高くても約１５００℃であるので、これらの酸化物の標準生成自由エネルギーは、約１５００℃以下の温度領域でＣＯ（一酸化炭素）の標準生成自由エネルギーよりも低ければ十分である。
前記の酸化物の標準生成自由エネルギーがＣＯ（一酸化炭素）よりも低い酸化物を形成する元素の含有量は、５０質量ｐｐｍ以上５０００質量ｐｐｍ以下とする。含有量が５０質量ｐｐｍ未満であると、焼結時にこれらの元素の酸化物が形成されても、なお相当量の酸素が非磁性材料と反応するため、Ｆｅ－Ｐｔ合金と非磁性材料の密着性の向上が期待できず、一方、含有量が５０００質量ｐｐｍを超えると、所望の磁気特性が得られないだけでなく、焼結時にこれらの元素の酸化物が粒成長して、パーティクルの原因となる粗大な酸化物が形成される場合があるからである。
酸素１モルに対する酸化物の標準生成自由エネルギーがＣＯ（一酸化炭素）よりも低い酸化物を形成する元素を、磁気記録媒体として必要とされる成分として用いる場合を除き、これらの元素の含有量を５０００質量ｐｐｍ以下に抑える必要がある。なお、本発明において、これらの元素は金属粉として添加させることができるが、最終的にターゲットにおいて必要量含まれていればよく、その添加手段は特に問わない。
酸素１モルに対する酸化物の標準生成自由エネルギーがＣＯ（一酸化炭素）よりも低い酸化物を形成する元素を、磁気記録媒体として必要とされる成分として用いる場合を除き、これらの元素の含有量を５０００質量ｐｐｍ以下に抑える必要がある。なお、本発明において、これらの元素は金属粉として添加させることができるが、最終的にターゲットにおいて必要量含まれていればよく、その添加手段は特に問わない。
本発明において、前記の酸化物の標準生成自由エネルギーがＣＯ（一酸化炭素）よりも低い酸化物を形成する元素として、Ａｌ、Ｍｇ、Ｔｉ、Ｙ、Ｚｒ、Ｐｒ等の公知の材料を用いることができる。中でも、Ａｌ、Ｍｇ、Ｔｉ、Ｙ、Ｚｒの酸化物は、非常に安定であるため、パーティクルの発生源となり難く、好ましい。また、これらの元素を二種以上含んでもよく、その場合にはターゲットにおけるこれらの元素の合計含有量を５０質量ｐｐｍ以上５０００質量ｐｐｍ以下とする必要がある。
さらに、本発明のスパッタリングターゲットは、Ｆｅ、Ｐｔ以外にＡｇ、Ａｕ、Ｂ、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｃｕ、Ｇａ、Ｇｅ、Ｉｒ、Ｍｎ、Ｍｏ、Ｎｂ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｒｅ、Ｒｈ、Ｒｕ、Ｓｉ、Ｓｎ、Ｔａ、Ｗ、Ｖ、Ｚｎから選択した一種以上の元素を、金属成分としてさらに含有することができる。これらの元素は、主にＬ１０構造を発現するための熱処理の温度を下げるために添加するものである。その配合割合は、有効な磁気記録媒体としての特性を維持できる範囲内であれば、特に制限はない。
また、本発明のスパッタリングターゲットは、非磁性材料として、上記の炭素、炭化物、窒化物に加えて、酸化物を含有することができる。このようなスパッタリングターゲットから作製された磁性膜は、酸化物が炭素、炭化物、窒化物と同様に磁性粒子同士の磁気的な相互作用を絶縁する構造をとるため、良好な磁気特性が期待される。
本発明のスパッタリングターゲットは、粉末焼結法を用いて、例えば、以下の方法によって作製することができる。
まず、金属粉としてＦｅ粉、Ｐｔ粉、Ａｌ粉などを用意する。金属粉としては、単元素の金属粉だけでなく、合金粉を用いることもできる。これらの金属粉は粒径が１～１０μｍの範囲のものを用いることが望ましい。粒径が１～１０μｍであるとより均一な混合が可能であり、偏析と粗大結晶化を防止できる。金属粉末の粒径が１０μｍより大きい場合には、非磁性材料が均一に分散しないことがあり、また、１μｍより小さい場合には、金属粉の酸化の影響でターゲットの組成が所望の組成から外れてくるという問題が生じることがある。なお、この粒径範囲はあくまで好ましい範囲であり、これを逸脱することが本願発明を否定する条件でないことは当然理解されるべきである。
まず、金属粉としてＦｅ粉、Ｐｔ粉、Ａｌ粉などを用意する。金属粉としては、単元素の金属粉だけでなく、合金粉を用いることもできる。これらの金属粉は粒径が１～１０μｍの範囲のものを用いることが望ましい。粒径が１～１０μｍであるとより均一な混合が可能であり、偏析と粗大結晶化を防止できる。金属粉末の粒径が１０μｍより大きい場合には、非磁性材料が均一に分散しないことがあり、また、１μｍより小さい場合には、金属粉の酸化の影響でターゲットの組成が所望の組成から外れてくるという問題が生じることがある。なお、この粒径範囲はあくまで好ましい範囲であり、これを逸脱することが本願発明を否定する条件でないことは当然理解されるべきである。
また、非磁性材料の粉末として、Ｃ粉、炭化物粉、窒化物粉などを用意する。非磁性材料粉末は粒径が１～３０μｍの範囲のものを用いることが望ましい。粒径が１～３０μｍであると前述の金属粉と混合した際に、非磁性材料粉同士が凝集しにくくなり、均一に分散させることが可能になる。非磁性材料のうちＣ粉に関しては、グラファイト（黒鉛）やナノチューブのように結晶構造を有するものと、カーボンブラックに代表される非晶質のものがあるが、いずれのＣ粉を使用することができる。
次に、上記の原料粉を所望の組成になるように秤量し、ボールミル等の公知の手法を用いて粉砕を兼ねて混合する。このとき、粉砕容器内に不活性ガスを封入して原料粉の酸化をできるかぎり抑制することが望ましい。
このようにして得られた混合粉末をホットプレス法で真空雰囲気、あるいは、不活性ガス雰囲気において成型・焼結させる。また、前記ホットプレス以外にも、プラズマ放電焼結法など様々な加圧焼結方法を使用することができる。特に熱間静水圧焼結法は焼結体の密度向上に有効である。焼結時の保持温度は、ターゲットの構成成分にもよるが、多くの場合、８００～１５００°Ｃの温度範囲とする。
そして、得られた焼結体を旋盤で所望の形状に加工することにより、本発明のスパッタリングターゲットを作製することができる。
そして、得られた焼結体を旋盤で所望の形状に加工することにより、本発明のスパッタリングターゲットを作製することができる。
以上により本発明のスパッタリングターゲットを製造することができる。このようにして製造したスパッタリングターゲットは、スパッタ時に発生するパーティクル量を低減することができ、成膜時における歩留まりを向上することができるという優れた効果を有する。
以下、実施例および比較例に基づいて説明する。なお、本実施例はあくまで一例であり、この例によって何ら制限されるものではない。すなわち、本発明は特許請求の範囲によってのみ制限されるものであり、本発明に含まれる実施例以外の種々の変形を包含するものである。
（実施例１）
原料粉として平均粒径３μｍのＦｅ粉、平均粒径３μｍのＰｔ粉、平均粒径１０μｍのＣ粉（グラファイト粉）を用意した。そして以下の組成比で合計の重量が２６００ｇとなるように秤量した。
秤量組成（分子量比率）：３０Ｆｅ－３０Ｐｔ－４０Ｃ
さらに、実施例１では、平均粒径１０μｍのＡｌ粉を上記重量の０．１％に相当する量である２．６ｇ秤量した。
原料粉として平均粒径３μｍのＦｅ粉、平均粒径３μｍのＰｔ粉、平均粒径１０μｍのＣ粉（グラファイト粉）を用意した。そして以下の組成比で合計の重量が２６００ｇとなるように秤量した。
秤量組成（分子量比率）：３０Ｆｅ－３０Ｐｔ－４０Ｃ
さらに、実施例１では、平均粒径１０μｍのＡｌ粉を上記重量の０．１％に相当する量である２．６ｇ秤量した。
次に秤量した全ての粉末を、粉砕媒体のＳＵＳボールと共に容量１０リットルのボールミルポットに投入し、Ａｒ雰囲気中で１６時間回転させて混合・粉砕した。そしてポットから取り出した粉末をカーボン製の型に充填しホットプレス装置を用いて成型・焼結させた。ホットプレスの条件は、真空雰囲気、昇温速度３００°Ｃ／時間、保持温度１５００°Ｃ、保持時間２時間とし、昇温開始時から保持終了まで３０ＭＰａで加圧した。保持終了後はチャンバー内でそのまま自然冷却させた。
次に作製した焼結体の一部を切り出し、切り出した小片を用いてＡｌの分析を実施した。ＩＣＰ－ＡＥＳ装置を用いて分析した結果、Ａｌの含有量は１０３０質量ｐｐｍであった。さらに旋盤を用いて、焼結体を直径１８０．０ｍｍ、厚さ５．０ｍｍの形状へ切削加工し、円盤状のターゲットを得た。
このターゲットをマグネトロンスパッタ装置（キヤノンアネルバ製Ｃ-３０１０スパッタリングシステム）に取り付け、スパッタリングを行った。スパッタリングの条件は、投入電力１ｋＷ、Ａｒガス圧１．７Ｐａとし、２ｋＷｈｒのプレスパッタリングを実施した後、４インチ径のシリコン基板上に２０秒間成膜した。基板上へ付着したパーティクルの個数をパーティクルカウンターで測定した。このときのパーティクル個数は３２１個であった。
このターゲットをマグネトロンスパッタ装置（キヤノンアネルバ製Ｃ-３０１０スパッタリングシステム）に取り付け、スパッタリングを行った。スパッタリングの条件は、投入電力１ｋＷ、Ａｒガス圧１．７Ｐａとし、２ｋＷｈｒのプレスパッタリングを実施した後、４インチ径のシリコン基板上に２０秒間成膜した。基板上へ付着したパーティクルの個数をパーティクルカウンターで測定した。このときのパーティクル個数は３２１個であった。
（比較例１）
原料粉として平均粒径３μｍのＦｅ粉、平均粒径３μｍのＰｔ粉、平均粒径１０μｍのＣ粉（グラファイト粉）を用意した。そして以下の組成比で合計の重量が２６００ｇとなるように秤量した。
秤量組成（分子量比率）：３０Ｆｅ－３０Ｐｔ－４０Ｃ
また、比較例１ではＡｌ粉は添加しなかった。
原料粉として平均粒径３μｍのＦｅ粉、平均粒径３μｍのＰｔ粉、平均粒径１０μｍのＣ粉（グラファイト粉）を用意した。そして以下の組成比で合計の重量が２６００ｇとなるように秤量した。
秤量組成（分子量比率）：３０Ｆｅ－３０Ｐｔ－４０Ｃ
また、比較例１ではＡｌ粉は添加しなかった。
次に秤量した全ての粉末を、粉砕媒体のＳＵＳボールと共に容量１０リットルのボールミルポットに投入し、Ａｒ雰囲気中で１６時間回転させて混合・粉砕した。そしてポットから取り出した粉末をカーボン製の型に充填しホットプレス装置を用いて成型・焼結させた。ホットプレスの条件は、真空雰囲気、昇温速度３００°Ｃ／時間、保持温度１５００°Ｃ、保持時間２時間とし、昇温開始時から保持終了まで３０ＭＰａで加圧した。保持終了後はチャンバー内でそのまま自然冷却させた。
次に作製した焼結体の一部を切り出し、切り出した小片を用いてＡｌの分析を実施した。ＩＣＰ－ＡＥＳ装置を用いて分析した結果、Ａｌの含有量は５０質量ｐｐｍ（検出下限）未満であった。さらに旋盤を用いて、焼結体を直径１８０．０ｍｍ、厚さ５．０ｍｍの形状へ切削加工し、円盤状のターゲットを得た。このターゲットを用いて実施例１と同一条件でスパッタリングを行い、基板上へ付着したパーティクルの個数をパーティクルカウンターで測定した。このときのパーティクル個数は８７１個で、実施例１より増加した。
（比較例２）
原料粉として平均粒径３μｍのＦｅ粉、平均粒径３μｍのＰｔ粉、平均粒径１０μｍのＣ粉（グラファイト粉）を用意した。そして以下の組成比で合計の重量が２６００ｇとなるように秤量した。
秤量組成（分子量比率）：３０Ｆｅ－３０Ｐｔ－４０Ｃ
さらに、比較例２では、平均粒径１０μｍのＡｌ粉を上記重量の１％に相当する量である２６．０ｇ秤量した。
原料粉として平均粒径３μｍのＦｅ粉、平均粒径３μｍのＰｔ粉、平均粒径１０μｍのＣ粉（グラファイト粉）を用意した。そして以下の組成比で合計の重量が２６００ｇとなるように秤量した。
秤量組成（分子量比率）：３０Ｆｅ－３０Ｐｔ－４０Ｃ
さらに、比較例２では、平均粒径１０μｍのＡｌ粉を上記重量の１％に相当する量である２６．０ｇ秤量した。
次に秤量した全ての粉末を、粉砕媒体のＳＵＳボールと共に容量１０リットルのボールミルポットに投入し、Ａｒ雰囲気中で１６時間回転させて混合・粉砕した。そしてポットから取り出した粉末をカーボン製の型に充填しホットプレス装置を用いて成型・焼結させた。ホットプレスの条件は、真空雰囲気、昇温速度３００°Ｃ／時間、保持温度１５００°Ｃ、保持時間２時間とし、昇温開始時から保持終了まで３０ＭＰａで加圧した。保持終了後はチャンバー内でそのまま自然冷却させた。
次に作製した焼結体の一部を切り出し、切り出した小片を用いてＡｌの分析を実施した。ＩＣＰ－ＡＥＳ装置を用いて分析した結果、Ａｌの含有量は９９６０質量ｐｐｍであった。さらに旋盤を用いて、焼結体を直径１８０．０ｍｍ、厚さ５．０ｍｍの形状へ切削加工し、円盤状のターゲットを得た。このターゲットを用いて実施例１と同一条件でスパッタリングを行い、基板上へ付着したパーティクルの個数をパーティクルカウンターで測定した。このときのパーティクル個数は５３８個で、実施例１より増加した。これはＡｌの添加量が多かったため、粗大な酸化物が形成されパーティクル源となったためと考えられる。
（実施例２）
原料粉として平均粒径３μｍのＦｅ粉、平均粒径３μｍのＰｔ粉、平均粒径１０μｍのＣ粉（グラファイト粉）を用意した。そして以下の組成比で合計の重量が３０００ｇとなるように秤量した。
秤量組成（分子量比率）：４０Ｆｅ－４０Ｐｔ－２０Ｃ
さらに、実施例２では平均粒径１００μｍのＦｅ３Ｚｒ粉を上記重量の０．０５％に相当する量である１．５ｇ秤量した。
原料粉として平均粒径３μｍのＦｅ粉、平均粒径３μｍのＰｔ粉、平均粒径１０μｍのＣ粉（グラファイト粉）を用意した。そして以下の組成比で合計の重量が３０００ｇとなるように秤量した。
秤量組成（分子量比率）：４０Ｆｅ－４０Ｐｔ－２０Ｃ
さらに、実施例２では平均粒径１００μｍのＦｅ３Ｚｒ粉を上記重量の０．０５％に相当する量である１．５ｇ秤量した。
次に秤量した全ての粉末を、粉砕媒体のＳＵＳボールと共に容量１０リットルのボールミルポットに投入し、Ａｒ雰囲気中で１６時間回転させて混合・粉砕した。そしてポットから取り出した粉末をカーボン製の型に充填しホットプレス装置を用いて成型・焼結させた。ホットプレスの条件は、真空雰囲気、昇温速度３００°Ｃ／時間、保持温度１４００°Ｃ、保持時間２時間とし、昇温開始時から保持終了まで３０ＭＰａで加圧した。保持終了後はチャンバー内でそのまま自然冷却させた。
次に作製した焼結体の一部を切り出し、切り出した小片を用いてＺｒの分析を実施した。ＩＣＰ－ＡＥＳ装置を用いて分析した結果、Ｚｒの含有量は１７０質量ｐｐｍであった。さらに旋盤を用いて、焼結体を直径１８０．０ｍｍ、厚さ５．０ｍｍの形状へ切削加工し、円盤状のターゲットを得た。このターゲットを用いて実施例１と同一条件でスパッタリングを行い、基板上へ付着したパーティクルの個数をパーティクルカウンターで測定した。このときのパーティクル個数は１６６個であった。
（比較例３）
原料粉として平均粒径３μｍのＦｅ粉、平均粒径３μｍのＰｔ粉、平均粒径１０μｍのＣ粉（グラファイト粉）を用意した。そして以下の組成比で合計の重量が３０００ｇとなるように秤量した。
秤量組成（分子量比率）：４０Ｆｅ－４０Ｐｔ－２０Ｃ
また、比較例３ではＦｅ３Ｚｒ粉は添加しなかった。
原料粉として平均粒径３μｍのＦｅ粉、平均粒径３μｍのＰｔ粉、平均粒径１０μｍのＣ粉（グラファイト粉）を用意した。そして以下の組成比で合計の重量が３０００ｇとなるように秤量した。
秤量組成（分子量比率）：４０Ｆｅ－４０Ｐｔ－２０Ｃ
また、比較例３ではＦｅ３Ｚｒ粉は添加しなかった。
次に秤量した全ての粉末を、粉砕媒体のＳＵＳボールと共に容量１０リットルのボールミルポットに投入し、Ａｒ雰囲気中で１６時間回転させて混合・粉砕した。そしてポットから取り出した粉末をカーボン製の型に充填しホットプレス装置を用いて成型・焼結させた。ホットプレスの条件は、真空雰囲気、昇温速度３００°Ｃ／時間、保持温度１４００°Ｃ、保持時間２時間とし、昇温開始時から保持終了まで３０ＭＰａで加圧した。保持終了後はチャンバー内でそのまま自然冷却させた。
次に作製した焼結体の一部を切り出し、切り出した小片を用いてＺｒの分析を実施した。ＩＣＰ－ＡＥＳ装置を用いて分析した結果、Ｚｒの含有量は５０質量ｐｐｍ（検出下限）未満であった。さらに旋盤を用いて、焼結体を直径１８０．０ｍｍ、厚さ５．０ｍｍの形状へ切削加工し、円盤状のターゲットを得た。このターゲットを用いて実施例１と同一条件でスパッタリングを行い、基板上へ付着したパーティクルの個数をパーティクルカウンターで測定した。このときのパーティクル個数は４１０個で、実施例２より増加した。
（比較例４）
原料粉として平均粒径３μｍのＦｅ粉、平均粒径３μｍのＰｔ粉、平均粒径１０μｍのＣ粉（グラファイト粉）を用意した。そして以下の組成比で合計の重量が３０００ｇとなるように秤量した。
秤量組成（分子量比率）：４０Ｆｅ－４０Ｐｔ－２０Ｃ
さらに、比較例４では平均粒径１００μｍのＦｅ３Ｚｒ粉を上記重量の２％に相当する量である６０．０ｇ秤量した。
原料粉として平均粒径３μｍのＦｅ粉、平均粒径３μｍのＰｔ粉、平均粒径１０μｍのＣ粉（グラファイト粉）を用意した。そして以下の組成比で合計の重量が３０００ｇとなるように秤量した。
秤量組成（分子量比率）：４０Ｆｅ－４０Ｐｔ－２０Ｃ
さらに、比較例４では平均粒径１００μｍのＦｅ３Ｚｒ粉を上記重量の２％に相当する量である６０．０ｇ秤量した。
次に秤量した全ての粉末を、粉砕媒体のＳＵＳボールと共に容量１０リットルのボールミルポットに投入し、Ａｒ雰囲気中で１６時間回転させて混合・粉砕した。そしてポットから取り出した粉末をカーボン製の型に充填しホットプレス装置を用いて成型・焼結させた。ホットプレスの条件は、真空雰囲気、昇温速度３００°Ｃ／時間、保持温度１４００°Ｃ、保持時間２時間とし、昇温開始時から保持終了まで３０ＭＰａで加圧した。保持終了後はチャンバー内でそのまま自然冷却させた。
次に作製した焼結体の一部を切り出し、切り出した小片を用いてＺｒの分析を実施した。ＩＣＰ－ＡＥＳ装置を用いて分析した結果、Ｚｒの含有量は７１００質量ｐｐｍであった。さらに旋盤を用いて、焼結体を直径１８０．０ｍｍ、厚さ５．０ｍｍの形状へ切削加工し、円盤状のターゲットを得た。このターゲットを用いて実施例１と同一条件でスパッタリングを行い、基板上へ付着したパーティクルの個数をパーティクルカウンターで測定した。このときのパーティクル個数は４８９個で、実施例２より増加した。これはＺｒの添加量が多かったため、粗大な酸化物が形成されパーティクル源となったためと考えられる。
（実施例３）
原料粉として平均粒径３μｍのＦｅ粉、平均粒径３μｍのＰｔ粉、平均粒径１０μｍのＣ粉（グラファイト粉）を用意した。そして以下の組成比で合計の重量が３０００ｇとなるように秤量した。
秤量組成（分子量比率）：３７．５Ｆｅ－３７．５Ｐｔ－２５Ｃ
さらに、実施例３では、平均粒径４０μｍのＴｉ粉を上記重量の０．１％に相当する量である３．０ｇ秤量した。
原料粉として平均粒径３μｍのＦｅ粉、平均粒径３μｍのＰｔ粉、平均粒径１０μｍのＣ粉（グラファイト粉）を用意した。そして以下の組成比で合計の重量が３０００ｇとなるように秤量した。
秤量組成（分子量比率）：３７．５Ｆｅ－３７．５Ｐｔ－２５Ｃ
さらに、実施例３では、平均粒径４０μｍのＴｉ粉を上記重量の０．１％に相当する量である３．０ｇ秤量した。
次に秤量した全ての粉末を、粉砕媒体のＳＵＳボールと共に容量１０リットルのボールミルポットに投入し、Ａｒ雰囲気中で１６時間回転させて混合・粉砕した。そしてポットから取り出した粉末をカーボン製の型に充填しホットプレス装置を用いて成型・焼結させた。ホットプレスの条件は、真空雰囲気、昇温速度３００°Ｃ／時間、保持温度１４００°Ｃ、保持時間２時間とし、昇温開始時から保持終了まで３０ＭＰａで加圧した。保持終了後はチャンバー内でそのまま自然冷却させた。
次に作製した焼結体の一部を切り出し、切り出した小片を用いてＴｉの分析を実施した。ＩＣＰ－ＡＥＳ装置を用いて分析した結果、Ｔｉの含有量は１０１０質量ｐｐｍであった。さらに旋盤を用いて、焼結体を直径１８０．０ｍｍ、厚さ５．０ｍｍの形状へ切削加工し、円盤状のターゲットを得た。このターゲットを用いて実施例１と同一条件でスパッタリングを行い、基板上へ付着したパーティクルの個数をパーティクルカウンターで測定した。このときのパーティクル個数は２８１個であった。
（比較例５）
原料粉として平均粒径３μｍのＦｅ粉、平均粒径３μｍのＰｔ粉、平均粒径１０μｍのＣ粉（グラファイト粉）を用意した。そして以下の組成比で合計の重量が３０００ｇとなるように秤量した。
秤量組成（分子量比率）：３７．５Ｆｅ－３７．５Ｐｔ－２５Ｃ
また、比較例５ではＴｉ粉は添加しなかった。
原料粉として平均粒径３μｍのＦｅ粉、平均粒径３μｍのＰｔ粉、平均粒径１０μｍのＣ粉（グラファイト粉）を用意した。そして以下の組成比で合計の重量が３０００ｇとなるように秤量した。
秤量組成（分子量比率）：３７．５Ｆｅ－３７．５Ｐｔ－２５Ｃ
また、比較例５ではＴｉ粉は添加しなかった。
次に秤量した全ての粉末を、粉砕媒体のＳＵＳボールと共に容量１０リットルのボールミルポットに投入し、Ａｒ雰囲気中で１６時間回転させて混合・粉砕した。そしてポットから取り出した粉末をカーボン製の型に充填しホットプレス装置を用いて成型・焼結させた。ホットプレスの条件は、真空雰囲気、昇温速度３００°Ｃ／時間、保持温度１４００°Ｃ、保持時間２時間とし、昇温開始時から保持終了まで３０ＭＰａで加圧した。保持終了後はチャンバー内でそのまま自然冷却させた。
次に作製した焼結体の一部を切り出し、切り出した小片を用いてＴｉの分析を実施した。ＩＣＰ－ＡＥＳ装置を用いて分析した結果、Ｔｉの含有量は５０質量ｐｐｍ（検出下限）未満であった。さらに旋盤を用いて、焼結体を直径１８０．０ｍｍ、厚さ５．０ｍｍの形状へ切削加工し、円盤状のターゲットを得た。このターゲットを用いて実施例１と同一条件でスパッタリングを行い、基板上へ付着したパーティクルの個数をパーティクルカウンターで測定した。このときのパーティクル個数は４９１個で、実施例３より増加した。
（比較例６）
原料粉として平均粒径３μｍのＦｅ粉、平均粒径３μｍのＰｔ粉、平均粒径１０μｍのＣ粉（グラファイト粉）を用意した。そして以下の組成比で合計の重量が３０００ｇとなるように秤量した。
秤量組成（分子量比率）：３７．５Ｆｅ－３７．５Ｐｔ－２５Ｃ
さらに、比較例６では、平均粒径４０μｍのＴｉ粉を上記重量の０．６％に相当する量である１８．０ｇ秤量した。
原料粉として平均粒径３μｍのＦｅ粉、平均粒径３μｍのＰｔ粉、平均粒径１０μｍのＣ粉（グラファイト粉）を用意した。そして以下の組成比で合計の重量が３０００ｇとなるように秤量した。
秤量組成（分子量比率）：３７．５Ｆｅ－３７．５Ｐｔ－２５Ｃ
さらに、比較例６では、平均粒径４０μｍのＴｉ粉を上記重量の０．６％に相当する量である１８．０ｇ秤量した。
次に秤量した全ての粉末を、粉砕媒体のＳＵＳボールと共に容量１０リットルのボールミルポットに投入し、Ａｒ雰囲気中で１６時間回転させて混合・粉砕した。そしてポットから取り出した粉末をカーボン製の型に充填しホットプレス装置を用いて成型・焼結させた。ホットプレスの条件は、真空雰囲気、昇温速度３００°Ｃ／時間、保持温度１４００°Ｃ、保持時間２時間とし、昇温開始時から保持終了まで３０ＭＰａで加圧した。保持終了後はチャンバー内でそのまま自然冷却させた。
次に作製した焼結体の一部を切り出し、切り出した小片を用いてＴｉの分析を実施した。ＩＣＰ－ＡＥＳ装置を用いて分析した結果、Ｔｉの含有量は５９６０質量ｐｐｍであった。さらに旋盤を用いて、焼結体を直径１８０．０ｍｍ、厚さ５．０ｍｍの形状へ切削加工し、円盤状のターゲットを得た。このターゲットを用いて実施例１と同一条件でスパッタリングを行い、基板上へ付着したパーティクルの個数をパーティクルカウンターで測定した。このときのパーティクル個数は４５４個で、実施例３より増加した。これはＴｉの添加量が多かったため、粗大な酸化物が形成されパーティクル源となったためと考えられる。
（実施例４）
原料粉として平均粒径３μｍのＦｅ粉、平均粒径３μｍのＰｔ粉、平均粒径１０μｍのＣ粉（グラファイト粉）を用意した。そして以下の組成比で合計の重量が２８００ｇとなるように秤量した。
秤量組成（分子量比率）：３５Ｆｅ－３５Ｐｔ－３０Ｃ
さらに、実施例４では、平均粒径５０μｍのＦｅ１７Ｐｒ２粉を上記重量の０．１％に相当する量である２．８ｇ秤量した。
原料粉として平均粒径３μｍのＦｅ粉、平均粒径３μｍのＰｔ粉、平均粒径１０μｍのＣ粉（グラファイト粉）を用意した。そして以下の組成比で合計の重量が２８００ｇとなるように秤量した。
秤量組成（分子量比率）：３５Ｆｅ－３５Ｐｔ－３０Ｃ
さらに、実施例４では、平均粒径５０μｍのＦｅ１７Ｐｒ２粉を上記重量の０．１％に相当する量である２．８ｇ秤量した。
次に秤量した全ての粉末を、粉砕媒体のＳＵＳボールと共に容量１０リットルのボールミルポットに投入し、Ａｒ雰囲気中で１６時間回転させて混合・粉砕した。そしてポットから取り出した粉末をカーボン製の型に充填しホットプレス装置を用いて成型・焼結させた。ホットプレスの条件は、真空雰囲気、昇温速度３００°Ｃ／時間、保持温度１５００°Ｃ、保持時間２時間とし、昇温開始時から保持終了まで３０ＭＰａで加圧した。保持終了後はチャンバー内でそのまま自然冷却させた。
次に作製した焼結体の一部を切り出し、切り出した小片を用いてＰｒの分析を実施した。ＩＣＰ－ＡＥＳ装置を用いて分析した結果、Ｐｒの含有量は２３０質量ｐｐｍであった。さらに旋盤を用いて、焼結体を直径１８０．０ｍｍ、厚さ５．０ｍｍの形状へ切削加工し、円盤状のターゲットを得た。このターゲットを用いて実施例１と同一条件でスパッタリングを行い、基板上へ付着したパーティクルの個数をパーティクルカウンターで測定した。このときのパーティクル個数は３７８個であった。
（比較例７）
原料粉として平均粒径３μｍのＦｅ粉、平均粒径３μｍのＰｔ粉、平均粒径１０μｍのＣ粉（グラファイト粉）を用意した。そして以下の組成比で合計の重量が２８００ｇとなるように秤量した。
秤量組成（分子量比率）：３５Ｆｅ－３５Ｐｔ－３０Ｃ
また、比較例7ではＦｅ１７Ｐｒ２粉は添加しなかった。
原料粉として平均粒径３μｍのＦｅ粉、平均粒径３μｍのＰｔ粉、平均粒径１０μｍのＣ粉（グラファイト粉）を用意した。そして以下の組成比で合計の重量が２８００ｇとなるように秤量した。
秤量組成（分子量比率）：３５Ｆｅ－３５Ｐｔ－３０Ｃ
また、比較例7ではＦｅ１７Ｐｒ２粉は添加しなかった。
次に秤量した全ての粉末を、粉砕媒体のＳＵＳボールと共に容量１０リットルのボールミルポットに投入し、Ａｒ雰囲気中で１６時間回転させて混合・粉砕した。そしてポットから取り出した粉末をカーボン製の型に充填しホットプレス装置を用いて成型・焼結させた。ホットプレスの条件は、真空雰囲気、昇温速度３００°Ｃ／時間、保持温度１５００°Ｃ、保持時間２時間とし、昇温開始時から保持終了まで３０ＭＰａで加圧した。保持終了後はチャンバー内でそのまま自然冷却させた。
次に作製した焼結体の一部を切り出し、切り出した小片を用いてＰｒの分析を実施した。ＩＣＰ－ＡＥＳ装置を用いて分析した結果、Ｐｒの含有量は５０質量ｐｐｍ（検出下限）未満であった。さらに旋盤を用いて、焼結体を直径１８０．０ｍｍ、厚さ５．０ｍｍの形状へ切削加工し、円盤状のターゲットを得た。このターゲットを用いて実施例１と同一条件でスパッタリングを行い、基板上へ付着したパーティクルの個数をパーティクルカウンターで測定した。このときのパーティクル個数は５６６個で、実施例４より増加した。
（比較例８）
原料粉として平均粒径３μｍのＦｅ粉、平均粒径３μｍのＰｔ粉、平均粒径１０μｍのＣ粉（グラファイト粉）を用意した。そして以下の組成比で合計の重量が２８００ｇとなるように秤量した。
秤量組成（分子量比率）：３５Ｆｅ－３５Ｐｔ－３０Ｃ
さらに、比較例８では、平均粒径５０μｍのＦｅ１７Ｐｒ２粉を上記重量の４．０％に相当する量である１１２ｇ秤量した。
原料粉として平均粒径３μｍのＦｅ粉、平均粒径３μｍのＰｔ粉、平均粒径１０μｍのＣ粉（グラファイト粉）を用意した。そして以下の組成比で合計の重量が２８００ｇとなるように秤量した。
秤量組成（分子量比率）：３５Ｆｅ－３５Ｐｔ－３０Ｃ
さらに、比較例８では、平均粒径５０μｍのＦｅ１７Ｐｒ２粉を上記重量の４．０％に相当する量である１１２ｇ秤量した。
次に秤量した全ての粉末を、粉砕媒体のＳＵＳボールと共に容量１０リットルのボールミルポットに投入し、Ａｒ雰囲気中で１６時間回転させて混合・粉砕した。そしてポットから取り出した粉末をカーボン製の型に充填しホットプレス装置を用いて成型・焼結させた。ホットプレスの条件は、真空雰囲気、昇温速度３００°Ｃ／時間、保持温度１５００°Ｃ、保持時間２時間とし、昇温開始時から保持終了まで３０ＭＰａで加圧した。保持終了後はチャンバー内でそのまま自然冷却させた。
次に作製した焼結体の一部を切り出し、切り出した小片を用いてＰｒの分析を実施した。ＩＣＰ－ＡＥＳ装置を用いて分析した結果、Ｐｒの含有量は９８７０質量ｐｐｍであった。さらに旋盤を用いて、焼結体を直径１８０．０ｍｍ、厚さ５．０ｍｍの形状へ切削加工し、円盤状のターゲットを得た。このターゲットを用いて実施例１と同一条件でスパッタリングを行い、基板上へ付着したパーティクルの個数をパーティクルカウンターで測定した。このときのパーティクル個数は４１１個で、実施例４より増加した。これはＰｒの添加量が多かったため、粗大な酸化物が形成されパーティクル源となったためと考えられる。
（実施例５）
原料粉として平均粒径３μｍのＦｅ粉、平均粒径３μｍのＰｔ粉、平均粒径１０μｍのＣ粉（グラファイト粉）を用意した。そして以下の組成比で合計の重量が２７００ｇとなるように秤量した。
秤量組成（分子量比率）：３２．５Ｆｅ－３２．５Ｐｔ－３５Ｃ
さらに、実施例５では、平均粒径１００μｍのＭｇ粉を上記重量の０．１％に相当する量である２．７ｇ、平均粒径４０μｍのＦｅ３Ｚｒ粉を上記重量の０．２％に相当する量である５．４ｇ、それぞれ秤量した。
原料粉として平均粒径３μｍのＦｅ粉、平均粒径３μｍのＰｔ粉、平均粒径１０μｍのＣ粉（グラファイト粉）を用意した。そして以下の組成比で合計の重量が２７００ｇとなるように秤量した。
秤量組成（分子量比率）：３２．５Ｆｅ－３２．５Ｐｔ－３５Ｃ
さらに、実施例５では、平均粒径１００μｍのＭｇ粉を上記重量の０．１％に相当する量である２．７ｇ、平均粒径４０μｍのＦｅ３Ｚｒ粉を上記重量の０．２％に相当する量である５．４ｇ、それぞれ秤量した。
次に秤量した全ての粉末を、粉砕媒体のＳＵＳボールと共に容量１０リットルのボールミルポットに投入し、Ａｒ雰囲気中で１６時間回転させて混合・粉砕した。そしてポットから取り出した粉末をカーボン製の型に充填しホットプレス装置を用いて成型・焼結させた。ホットプレスの条件は、真空雰囲気、昇温速度３００°Ｃ／時間、保持温度１５００°Ｃ、保持時間２時間とし、昇温開始時から保持終了まで３０ＭＰａで加圧した。保持終了後はチャンバー内でそのまま自然冷却させた。
次に作製した焼結体の一部を切り出し、切り出した小片を用いてＭｇとＺｒの分析を実施した。グロー放電質量分析装置を用いて分析した結果、Ｍｇの含有量は１０００質量ｐｐｍ、Ｚｒの含有量は７００質量ｐｐｍであった。さらに旋盤を用いて、焼結体を直径１８０．０ｍｍ、厚さ５．０ｍｍの形状へ切削加工し、円盤状のターゲットを得た。このターゲットを用いて実施例１と同一条件でスパッタリングを行い、基板上へ付着したパーティクルの個数をパーティクルカウンターで測定した。このときのパーティクル個数は２７５個であった。
（比較例９）
原料粉として平均粒径３μｍのＦｅ粉、平均粒径３μｍのＰｔ粉、平均粒径１０μｍのＣ粉（グラファイト粉）を用意した。そして以下の組成比で合計の重量が２７００ｇとなるように秤量した。
秤量組成（分子量比率）：３２．５Ｆｅ－３２．５Ｐｔ－３５Ｃ
また、比較例９ではＭｇ粉もＦｅ３Ｚｒ粉も添加しなかった。
原料粉として平均粒径３μｍのＦｅ粉、平均粒径３μｍのＰｔ粉、平均粒径１０μｍのＣ粉（グラファイト粉）を用意した。そして以下の組成比で合計の重量が２７００ｇとなるように秤量した。
秤量組成（分子量比率）：３２．５Ｆｅ－３２．５Ｐｔ－３５Ｃ
また、比較例９ではＭｇ粉もＦｅ３Ｚｒ粉も添加しなかった。
次に秤量した全ての粉末を、粉砕媒体のＳＵＳボールと共に容量１０リットルのボールミルポットに投入し、Ａｒ雰囲気中で１６時間回転させて混合・粉砕した。そしてポットから取り出した粉末をカーボン製の型に充填しホットプレス装置を用いて成型・焼結させた。ホットプレスの条件は、真空雰囲気、昇温速度３００°Ｃ／時間、保持温度１５００°Ｃ、保持時間２時間とし、昇温開始時から保持終了まで３０ＭＰａで加圧した。保持終了後はチャンバー内でそのまま自然冷却させた。
次に作製した焼結体の一部を切り出し、切り出した小片を用いてＭｇとＺｒの分析を実施した。グロー放電質量分析装置を用いて分析した結果、Ｍｇは８質量ｐｐｍ、Ｚｒは１７質量ｐｐｍであった。さらに旋盤を用いて、焼結体を直径１８０．０ｍｍ、厚さ５．０ｍｍの形状へ切削加工し、円盤状のターゲットを得た。このターゲットを用いて実施例１と同一条件でスパッタリングを行い、基板上へ付着したパーティクルの個数をパーティクルカウンターで測定した。このときのパーティクル個数は７２０個で、実施例５より増加した。
（比較例１０）
原料粉として平均粒径３μｍのＦｅ粉、平均粒径３μｍのＰｔ粉、平均粒径１０μｍのＣ粉（グラファイト粉）を用意した。そして以下の組成比で合計の重量が２７００ｇとなるように秤量した。
秤量組成（分子量比率）：３２．５Ｆｅ－３２．５Ｐｔ－３５Ｃ
さらに、比較例１０では、平均粒径１００μｍのＭｇ粉を上記重量の１．０％に相当する量である２７ｇ、平均粒径４０μｍのＦｅ３Ｚｒ粉を上記重量の０．４％に相当する量である１０．８ｇ、それぞれ秤量した。
原料粉として平均粒径３μｍのＦｅ粉、平均粒径３μｍのＰｔ粉、平均粒径１０μｍのＣ粉（グラファイト粉）を用意した。そして以下の組成比で合計の重量が２７００ｇとなるように秤量した。
秤量組成（分子量比率）：３２．５Ｆｅ－３２．５Ｐｔ－３５Ｃ
さらに、比較例１０では、平均粒径１００μｍのＭｇ粉を上記重量の１．０％に相当する量である２７ｇ、平均粒径４０μｍのＦｅ３Ｚｒ粉を上記重量の０．４％に相当する量である１０．８ｇ、それぞれ秤量した。
次に秤量した全ての粉末を、粉砕媒体のＳＵＳボールと共に容量１０リットルのボールミルポットに投入し、Ａｒ雰囲気中で１６時間回転させて混合・粉砕した。そしてポットから取り出した粉末をカーボン製の型に充填しホットプレス装置を用いて成型・焼結させた。ホットプレスの条件は、真空雰囲気、昇温速度３００°Ｃ／時間、保持温度１５００°Ｃ、保持時間２時間とし、昇温開始時から保持終了まで３０ＭＰａで加圧した。保持終了後はチャンバー内でそのまま自然冷却させた。
次に作製した焼結体の一部を切り出し、切り出した小片を用いてＭｇとＺｒの分析を実施した。グロー放電質量分析装置を用いて分析した結果、Ｍｇの含有量は９９００質量ｐｐｍ、Ｚｒの含有量は１４００質量ｐｐｍであった。さらに旋盤を用いて、焼結体を直径１８０．０ｍｍ、厚さ５．０ｍｍの形状へ切削加工し、円盤状のターゲットを得た。このターゲットを用いて実施例１と同一条件でスパッタリングを行い、基板上へ付着したパーティクルの個数をパーティクルカウンターで測定した。このときのパーティクル個数は９８８個で、実施例５より増加した。これはＭｇとＺｒの添加量が多かったため、粗大な酸化物が形成されパーティクル源となったためと考えられる。
（実施例６）
原料粉として平均粒径３μｍのＦｅ粉、平均粒径３μｍのＰｔ粉、平均粒径１０μｍのＣ粉（グラファイト粉）を用意した。そして以下の組成比で合計の重量が２４００ｇとなるように秤量した。
秤量組成（分子量比率）：２７．５Ｆｅ－２７．５Ｐｔ－４５Ｃ
さらに、実施例６では、平均粒径１０μｍのＡｌ粉を上記重量の０．２％に相当する量である４．８ｇ、平均粒径４０μｍのＴｉ粉を上記重量の０．２％に相当する量である４．８ｇ、平均粒径１００μｍのＦｅ３Ｚｒ粉を上記重量の０．２％に相当する量である４．８ｇ、それぞれ秤量した。
原料粉として平均粒径３μｍのＦｅ粉、平均粒径３μｍのＰｔ粉、平均粒径１０μｍのＣ粉（グラファイト粉）を用意した。そして以下の組成比で合計の重量が２４００ｇとなるように秤量した。
秤量組成（分子量比率）：２７．５Ｆｅ－２７．５Ｐｔ－４５Ｃ
さらに、実施例６では、平均粒径１０μｍのＡｌ粉を上記重量の０．２％に相当する量である４．８ｇ、平均粒径４０μｍのＴｉ粉を上記重量の０．２％に相当する量である４．８ｇ、平均粒径１００μｍのＦｅ３Ｚｒ粉を上記重量の０．２％に相当する量である４．８ｇ、それぞれ秤量した。
次に秤量した全ての粉末を、粉砕媒体のＳＵＳボールと共に容量１０リットルのボールミルポットに投入し、Ａｒ雰囲気中で１６時間回転させて混合・粉砕した。そしてポットから取り出した粉末をカーボン製の型に充填しホットプレス装置を用いて成型・焼結させた。ホットプレスの条件は、真空雰囲気、昇温速度３００°Ｃ／時間、保持温度１５００°Ｃ、保持時間２時間とし、昇温開始時から保持終了まで３０ＭＰａで加圧した。保持終了後はチャンバー内でそのまま自然冷却させた。
次に作製した焼結体の一部を切り出し、切り出した小片を用いてＡｌとＴｉとＺｒの分析を実施した。グロー放電質量分析装置を用いて分析した結果、Ａｌの含有量は２０００質量ｐｐｍ、Ｔｉの含有量は１９００質量ｐｐｍ、Ｚｒの含有量は７００質量ｐｐｍであった。さらに旋盤を用いて、焼結体を直径１８０．０ｍｍ、厚さ５．０ｍｍの形状へ切削加工し、円盤状のターゲットを得た。このターゲットを用いて実施例１と同一条件でスパッタリングを行い、基板上へ付着したパーティクルの個数をパーティクルカウンターで測定した。このときのパーティクル個数は３８５個であった。
（比較例１１）
原料粉として平均粒径３μｍのＦｅ粉、平均粒径３μｍのＰｔ粉、平均粒径１０μｍのＣ粉（グラファイト粉）を用意した。そして以下の組成比で合計の重量が２４００ｇとなるように秤量した。
秤量組成（分子量比率）：２７．５Ｆｅ－２７．５Ｐｔ－４５Ｃ
また、比較例１１ではＡｌ粉もＴｉ粉もＦｅ３Ｚｒ粉も添加しなかった。
原料粉として平均粒径３μｍのＦｅ粉、平均粒径３μｍのＰｔ粉、平均粒径１０μｍのＣ粉（グラファイト粉）を用意した。そして以下の組成比で合計の重量が２４００ｇとなるように秤量した。
秤量組成（分子量比率）：２７．５Ｆｅ－２７．５Ｐｔ－４５Ｃ
また、比較例１１ではＡｌ粉もＴｉ粉もＦｅ３Ｚｒ粉も添加しなかった。
次に秤量した全ての粉末を、粉砕媒体のＳＵＳボールと共に容量１０リットルのボールミルポットに投入し、Ａｒ雰囲気中で１６時間回転させて混合・粉砕した。そしてポットから取り出した粉末をカーボン製の型に充填しホットプレス装置を用いて成型・焼結させた。ホットプレスの条件は、真空雰囲気、昇温速度３００°Ｃ／時間、保持温度１５００°Ｃ、保持時間２時間とし、昇温開始時から保持終了まで３０ＭＰａで加圧した。保持終了後はチャンバー内でそのまま自然冷却させた。
次に作製した焼結体の一部を切り出し、切り出した小片を用いてＡｌとＴｉとＺｒの分析を実施した。グロー放電質量分析装置を用いて分析した結果、Ａｌは０．５質量ｐｐｍ、Ｔｉは０．４質量ｐｐｍ、Ｚｒは１３質量ｐｐｍであった。さらに旋盤を用いて、焼結体を直径１８０．０ｍｍ、厚さ５．０ｍｍの形状へ切削加工し、円盤状のターゲットを得た。このターゲットを用いて実施例１と同一条件でスパッタリングを行い、基板上へ付着したパーティクルの個数をパーティクルカウンターで測定した。このときのパーティクル個数は８０４個で、実施例６より増加した。
（比較例１２）
原料粉として平均粒径３μｍのＦｅ粉、平均粒径３μｍのＰｔ粉、平均粒径１０μｍのＣ粉（グラファイト粉）を用意した。そして以下の組成比で合計の重量が２４００ｇとなるように秤量した。
秤量組成（分子量比率）：２７．５Ｆｅ－２７．５Ｐｔ－４５Ｃ
さらに、比較例１２では、平均粒径１０μｍのＡｌ粉を上記重量の０．３％に相当する量である７．２ｇ、平均粒径４０μｍのＴｉ粉を上記重量の０．３％に相当する量である７．２ｇ、平均粒径１００μｍのＦｅ３Ｚｒ粉を上記重量の０．４％に相当する量である９．６ｇ、それぞれ秤量した。
原料粉として平均粒径３μｍのＦｅ粉、平均粒径３μｍのＰｔ粉、平均粒径１０μｍのＣ粉（グラファイト粉）を用意した。そして以下の組成比で合計の重量が２４００ｇとなるように秤量した。
秤量組成（分子量比率）：２７．５Ｆｅ－２７．５Ｐｔ－４５Ｃ
さらに、比較例１２では、平均粒径１０μｍのＡｌ粉を上記重量の０．３％に相当する量である７．２ｇ、平均粒径４０μｍのＴｉ粉を上記重量の０．３％に相当する量である７．２ｇ、平均粒径１００μｍのＦｅ３Ｚｒ粉を上記重量の０．４％に相当する量である９．６ｇ、それぞれ秤量した。
次に秤量した全ての粉末を、粉砕媒体のＳＵＳボールと共に容量１０リットルのボールミルポットに投入し、Ａｒ雰囲気中で１６時間回転させて混合・粉砕した。そしてポットから取り出した粉末をカーボン製の型に充填しホットプレス装置を用いて成型・焼結させた。ホットプレスの条件は、真空雰囲気、昇温速度３００°Ｃ／時間、保持温度１５００°Ｃ、保持時間２時間とし、昇温開始時から保持終了まで３０ＭＰａで加圧した。保持終了後はチャンバー内でそのまま自然冷却させた。
次に作製した焼結体の一部を切り出し、切り出した小片を用いてＡｌとＴｉとＺｒの分析を実施した。グロー放電質量分析装置を用いて分析した結果、Ａｌの含有量は３１００質量ｐｐｍ、Ｔｉの含有量は３０００質量ｐｐｍ、Ｚｒの含有量は１４００質量ｐｐｍであった。さらに旋盤を用いて、焼結体を直径１８０．０ｍｍ、厚さ５．０ｍｍの形状へ切削加工し、円盤状のターゲットを得た。このターゲットを用いて実施例１と同一条件でスパッタリングを行い、基板上へ付着したパーティクルの個数をパーティクルカウンターで測定した。このときのパーティクル個数は４８５個で、実施例６より増加した。これはＡｌとＴｉとＺｒの添加量が多かったため、粗大な酸化物が形成されパーティクル源となったためと考えられる。
（実施例８）
原料粉として平均粒径３μｍのＦｅ粉、平均粒径３μｍのＰｔ粉、平均粒径５μｍのＴａＣ粉を用意した。そして以下の組成比で合計の重量が３２００ｇとなるように秤量した。
秤量組成（分子量比率）：４６．２０Ｆｅ－３０．８０Ｐｔ－２３ＴａＣ
さらに、実施例８では、平均粒径１００μｍのＭｇ粉を上記重量の０．２％に相当する量である６．４ｇ秤量した。
原料粉として平均粒径３μｍのＦｅ粉、平均粒径３μｍのＰｔ粉、平均粒径５μｍのＴａＣ粉を用意した。そして以下の組成比で合計の重量が３２００ｇとなるように秤量した。
秤量組成（分子量比率）：４６．２０Ｆｅ－３０．８０Ｐｔ－２３ＴａＣ
さらに、実施例８では、平均粒径１００μｍのＭｇ粉を上記重量の０．２％に相当する量である６．４ｇ秤量した。
次に秤量した全ての粉末を、粉砕媒体のＳＵＳボールと共に容量１０リットルのボールミルポットに投入し、Ａｒ雰囲気中で１６時間回転させて混合・粉砕した。そしてポットから取り出した粉末をカーボン製の型に充填しホットプレス装置を用いて成型・焼結させた。ホットプレスの条件は、真空雰囲気、昇温速度３００°Ｃ／時間、保持温度１２００°Ｃ、保持時間２時間とし、昇温開始時から保持終了まで３０ＭＰａで加圧した。保持終了後はチャンバー内でそのまま自然冷却させた。
次に作製した焼結体の一部を切り出し、切り出した小片を用いてＭｇの分析を実施した。ＩＣＰ－ＡＥＳ装置を用いて分析した結果、Ｍｇの含有量は２０７０質量ｐｐｍであった。さらに旋盤を用いて、焼結体を直径１８０．０ｍｍ、厚さ５．０ｍｍの形状へ切削加工し、円盤状のターゲットを得た。このターゲットを用いて実施例１と同一条件でスパッタリングを行い、基板上へ付着したパーティクルの個数をパーティクルカウンターで測定した。このときのパーティクル個数は１３８個であった。
（比較例１５）
原料粉として平均粒径３μｍのＦｅ粉、平均粒径３μｍのＰｔ粉、平均粒径５μｍのＴａＣ粉を用意した。そして以下の組成比で合計の重量が３２００ｇとなるように秤量した。
秤量組成（分子量比率）：４６．２０Ｆｅ－３０．８０Ｐｔ－２３ＴａＣ
また、比較例１５ではＭｇ粉は添加しなかった。
原料粉として平均粒径３μｍのＦｅ粉、平均粒径３μｍのＰｔ粉、平均粒径５μｍのＴａＣ粉を用意した。そして以下の組成比で合計の重量が３２００ｇとなるように秤量した。
秤量組成（分子量比率）：４６．２０Ｆｅ－３０．８０Ｐｔ－２３ＴａＣ
また、比較例１５ではＭｇ粉は添加しなかった。
次に秤量した全ての粉末を、粉砕媒体のＳＵＳボールと共に容量１０リットルのボールミルポットに投入し、Ａｒ雰囲気中で１６時間回転させて混合・粉砕した。そしてポットから取り出した粉末をカーボン製の型に充填しホットプレス装置を用いて成型・焼結させた。ホットプレスの条件は、真空雰囲気、昇温速度３００°Ｃ／時間、保持温度１２００°Ｃ、保持時間２時間とし、昇温開始時から保持終了まで３０ＭＰａで加圧した。保持終了後はチャンバー内でそのまま自然冷却させた。
次に作製した焼結体の一部を切り出し、切り出した小片を用いてＭｇの分析を実施した。ＩＣＰ－ＡＥＳ装置を用いて分析した結果、Ｍｇの含有量は５０質量ｐｐｍ（検出下限）未満であった。さらに旋盤を用いて、焼結体を直径１８０．０ｍｍ、厚さ５．０ｍｍの形状へ切削加工し、円盤状のターゲットを得た。このターゲットを用いてマグネトロンスパッタ装置に取り付け、実施例１と同一条件でスパッタリングを行い、基板上へ付着したパーティクルの個数をパーティクルカウンターで測定した。このときのパーティクル個数は４０８個で、実施例８より増加した。
（比較例１６）
原料粉として平均粒径３μｍのＦｅ粉、平均粒径３μｍのＰｔ粉、平均粒径５μｍのＴａＣ粉を用意した。そして以下の組成比で合計の重量が３２００ｇとなるように秤量した。
秤量組成（分子量比率）：４６．２０Ｆｅ－３０．８０Ｐｔ－２３ＴａＣ
さらに、比較例１６では、平均粒径１００μｍのＭｇ粉を上記重量の１％に相当する量である３２．０ｇ秤量した。
原料粉として平均粒径３μｍのＦｅ粉、平均粒径３μｍのＰｔ粉、平均粒径５μｍのＴａＣ粉を用意した。そして以下の組成比で合計の重量が３２００ｇとなるように秤量した。
秤量組成（分子量比率）：４６．２０Ｆｅ－３０．８０Ｐｔ－２３ＴａＣ
さらに、比較例１６では、平均粒径１００μｍのＭｇ粉を上記重量の１％に相当する量である３２．０ｇ秤量した。
次に秤量した全ての粉末を、粉砕媒体のＳＵＳボールと共に容量１０リットルのボールミルポットに投入し、Ａｒ雰囲気中で１６時間回転させて混合・粉砕した。そしてポットから取り出した粉末をカーボン製の型に充填しホットプレス装置を用いて成型・焼結させた。ホットプレスの条件は、真空雰囲気、昇温速度３００°Ｃ／時間、保持温度１２００°Ｃ、保持時間２時間とし、昇温開始時から保持終了まで３０ＭＰａで加圧した。保持終了後はチャンバー内でそのまま自然冷却させた。
次に作製した焼結体の一部を切り出し、切り出した小片を用いてＭｇの分析を実施した。ＩＣＰ－ＡＥＳ装置を用いて分析した結果、Ｍｇの含有量は１０１００質量ｐｐｍであった。さらに旋盤を用いて、焼結体を直径１８０．０ｍｍ、厚さ５．０ｍｍの形状へ切削加工し、円盤状のターゲットを得た。このターゲットを用いて実施例１と同一条件でスパッタリングを行い、基板上へ付着したパーティクルの個数をパーティクルカウンターで測定した。このときのパーティクル個数は２２７個で、実施例８より増加した。これはＭｇの添加量が多かったため、粗大な酸化物が形成されパーティクル源となったためと考えられる。
（実施例９）
原料粉として平均粒径３μｍのＦｅ粉、平均粒径３μｍのＰｔ粉、平均粒径１０μｍのＢＮ粉を用意した。そして以下の組成比で合計の重量が２４００ｇとなるように秤量した。
秤量組成（分子量比率）：３５Ｆｅ－３５Ｐｔ－３０ＢＮ
さらに、実施例９では平均粒径４０μｍのＴｉ粉を上記重量の０．０２％に相当する量である０．４８ｇ秤量した。
原料粉として平均粒径３μｍのＦｅ粉、平均粒径３μｍのＰｔ粉、平均粒径１０μｍのＢＮ粉を用意した。そして以下の組成比で合計の重量が２４００ｇとなるように秤量した。
秤量組成（分子量比率）：３５Ｆｅ－３５Ｐｔ－３０ＢＮ
さらに、実施例９では平均粒径４０μｍのＴｉ粉を上記重量の０．０２％に相当する量である０．４８ｇ秤量した。
次に秤量した全ての粉末を、粉砕媒体のＳＵＳボールと共に容量１０リットルのボールミルポットに投入し、Ａｒ雰囲気中で１６時間回転させて混合・粉砕した。そしてポットから取り出した粉末をカーボン製の型に充填しホットプレス装置を用いて成型・焼結させた。ホットプレスの条件は、真空雰囲気、昇温速度３００°Ｃ／時間、保持温度１２００°Ｃ、保持時間２時間とし、昇温開始時から保持終了まで３０ＭＰａで加圧した。保持終了後はチャンバー内でそのまま自然冷却させた。
次に作製した焼結体の一部を切り出し、切り出した小片を用いてＴｉの分析を実施した。ＩＣＰ－ＡＥＳ装置を用いて分析した結果、Ｔｉの含有量は１９０質量ｐｐｍであった。さらに旋盤を用いて、焼結体を直径１８０．０ｍｍ、厚さ５．０ｍｍの形状へ切削加工し、円盤状のターゲットを得た。このターゲットを用いて実施例１と同一条件でスパッタリングを行い、基板上へ付着したパーティクルの個数をパーティクルカウンターで測定した。このときのパーティクル個数は１７８個であった。
（比較例１７）
原料粉として平均粒径３μｍのＦｅ粉、平均粒径３μｍのＰｔ粉、平均粒径１０μｍのＢＮ粉を用意した。そして以下の組成比で合計の重量が２４００ｇとなるように秤量した。
秤量組成（分子量比率）：３５Ｆｅ－３５Ｐｔ－３０ＢＮ
また、比較例１７ではＴｉ粉は添加しなかった。
原料粉として平均粒径３μｍのＦｅ粉、平均粒径３μｍのＰｔ粉、平均粒径１０μｍのＢＮ粉を用意した。そして以下の組成比で合計の重量が２４００ｇとなるように秤量した。
秤量組成（分子量比率）：３５Ｆｅ－３５Ｐｔ－３０ＢＮ
また、比較例１７ではＴｉ粉は添加しなかった。
次に秤量した全ての粉末を、粉砕媒体のＳＵＳボールと共に容量１０リットルのボールミルポットに投入し、Ａｒ雰囲気中で１６時間回転させて混合・粉砕した。そしてポットから取り出した粉末をカーボン製の型に充填しホットプレス装置を用いて成型・焼結させた。ホットプレスの条件は、真空雰囲気、昇温速度３００°Ｃ／時間、保持温度１２００°Ｃ、保持時間２時間とし、昇温開始時から保持終了まで３０ＭＰａで加圧した。保持終了後はチャンバー内でそのまま自然冷却させた。
次に作製した焼結体の一部を切り出し、切り出した小片を用いてＴｉ量の分析を実施した。ＩＣＰ－ＡＥＳ装置を用いて分析した結果、Ｔｉの含有量は５０質量ｐｐｍ（検出下限）未満であった。さらに旋盤を用いて、焼結体を直径１８０．０ｍｍ、厚さ５．０ｍｍの形状へ切削加工し、円盤状のターゲットを得た。このターゲットを用いてマグネトロンスパッタ装置に取り付け、実施例１と同一条件でスパッタリングを行い、基板上へ付着したパーティクルの個数をパーティクルカウンターで測定した。このときのパーティクル個数は３７０個で、実施例９より増加した。
（比較例１８）
原料粉として平均粒径３μｍのＦｅ粉、平均粒径３μｍのＰｔ粉、平均粒径１０μｍのＢＮ粉を用意した。そして以下の組成比で合計の重量が２４００ｇとなるように秤量した。
秤量組成（分子量比率）：３５Ｆｅ－３５Ｐｔ－３０ＢＮ
さらに、比較例１８では、平均粒径４０μｍのＴｉ粉を上記重量の１％に相当する量である２４．０ｇ秤量した。
原料粉として平均粒径３μｍのＦｅ粉、平均粒径３μｍのＰｔ粉、平均粒径１０μｍのＢＮ粉を用意した。そして以下の組成比で合計の重量が２４００ｇとなるように秤量した。
秤量組成（分子量比率）：３５Ｆｅ－３５Ｐｔ－３０ＢＮ
さらに、比較例１８では、平均粒径４０μｍのＴｉ粉を上記重量の１％に相当する量である２４．０ｇ秤量した。
次に秤量した全ての粉末を、粉砕媒体のＳＵＳボールと共に容量１０リットルのボールミルポットに投入し、Ａｒ雰囲気中で１６時間回転させて混合・粉砕した。そしてポットから取り出した粉末をカーボン製の型に充填しホットプレス装置を用いて成型・焼結させた。ホットプレスの条件は、真空雰囲気、昇温速度３００°Ｃ／時間、保持温度１２００°Ｃ、保持時間２時間とし、昇温開始時から保持終了まで３０ＭＰａで加圧した。保持終了後はチャンバー内でそのまま自然冷却させた。
次に作製した焼結体の一部を切り出し、切り出した小片を用いてＴｉの分析を実施した。ＩＣＰ－ＡＥＳ装置を用いて分析した結果、Ｔｉの含有量は１００００質量ｐｐｍであった。さらに旋盤を用いて、焼結体を直径１８０．０ｍｍ、厚さ５．０ｍｍの形状へ切削加工し、円盤状のターゲットを得た。このターゲットを用いて実施例１と同一条件でスパッタリングを行い、基板上へ付着したパーティクルの個数をパーティクルカウンターで測定した。このときのパーティクル個数は３２８個で、実施例９より増加した。
これはＴｉの添加量が多かったため、粗大な酸化物が形成されパーティクル源となったためと考えられる。
これはＴｉの添加量が多かったため、粗大な酸化物が形成されパーティクル源となったためと考えられる。
（実施例１０）
原料粉として平均粒径１０μｍのＦｅ－Ｐｔ粉（分子量比率で５０Ｆｅ－５０Ｐｔの組成）、平均粒径１０μｍのＣ粉（グラファイト粉）、平均粒径１μｍのＳｉＯ２粉を用意した。そして以下の組成比で合計の重量が２５００ｇとなるように秤量した。
秤量組成（分子量比率）：３５Ｆｅ－３５Ｐｔ－２５Ｃ－５ＳｉＯ２
さらに、実施例１０では、平均粒径５０μｍのＦｅ３Ｙ粉を上記重量の０．１％に相当する量である２．５ｇ秤量した。
原料粉として平均粒径１０μｍのＦｅ－Ｐｔ粉（分子量比率で５０Ｆｅ－５０Ｐｔの組成）、平均粒径１０μｍのＣ粉（グラファイト粉）、平均粒径１μｍのＳｉＯ２粉を用意した。そして以下の組成比で合計の重量が２５００ｇとなるように秤量した。
秤量組成（分子量比率）：３５Ｆｅ－３５Ｐｔ－２５Ｃ－５ＳｉＯ２
さらに、実施例１０では、平均粒径５０μｍのＦｅ３Ｙ粉を上記重量の０．１％に相当する量である２．５ｇ秤量した。
次に秤量した全ての粉末を、粉砕媒体のＳＵＳボールと共に容量１０リットルのボールミルポットに投入し、Ａｒ雰囲気中で１６時間回転させて混合・粉砕した。そしてポットから取り出した粉末をカーボン製の型に充填しホットプレス装置を用いて成型・焼結させた。ホットプレスの条件は、真空雰囲気、昇温速度３００°Ｃ／時間、保持温度１１５０°Ｃ、保持時間２時間とし、昇温開始時から保持終了まで３０ＭＰａで加圧した。保持終了後はチャンバー内でそのまま自然冷却させた。
次に作製した焼結体の一部を切り出し、切り出した小片を用いてＹの分析を実施した。ＩＣＰ－ＡＥＳ装置を用いて分析した結果、Ｙの含有量は３５０質量ｐｐｍであった。さらに旋盤を用いて、焼結体を直径１８０．０ｍｍ、厚さ５．０ｍｍの形状へ切削加工し、円盤状のターゲットを得た。このターゲットを用いて実施例１と同一条件でスパッタリングを行い、基板上へ付着したパーティクルの個数をパーティクルカウンターで測定した。このときのパーティクル個数は１１３個であった。
（比較例１９）
原料粉として平均粒径１０μｍのＦｅ－Ｐｔ粉（分子量比率で５０Ｆｅ－５０Ｐｔの組成）、平均粒径１０μｍのＣ粉（グラファイト粉）、平均粒径１μｍのＳｉＯ２粉を用意した。そして以下の組成比で合計の重量が２５００ｇとなるように秤量した。
秤量組成（分子量比率）：３５Ｆｅ－３５Ｐｔ－２５Ｃ－５ＳｉＯ２
また、比較例１９ではＦｅ３Ｙ粉は添加しなかった。
原料粉として平均粒径１０μｍのＦｅ－Ｐｔ粉（分子量比率で５０Ｆｅ－５０Ｐｔの組成）、平均粒径１０μｍのＣ粉（グラファイト粉）、平均粒径１μｍのＳｉＯ２粉を用意した。そして以下の組成比で合計の重量が２５００ｇとなるように秤量した。
秤量組成（分子量比率）：３５Ｆｅ－３５Ｐｔ－２５Ｃ－５ＳｉＯ２
また、比較例１９ではＦｅ３Ｙ粉は添加しなかった。
次に秤量した全ての粉末を、粉砕媒体のＳＵＳボールと共に容量１０リットルのボールミルポットに投入し、Ａｒ雰囲気中で１６時間回転させて混合・粉砕した。そしてポットから取り出した粉末をカーボン製の型に充填しホットプレス装置を用いて成型・焼結させた。ホットプレスの条件は、真空雰囲気、昇温速度３００°Ｃ／時間、保持温度１１５０°Ｃ、保持時間２時間とし、昇温開始時から保持終了まで３０ＭＰａで加圧した。保持終了後はチャンバー内でそのまま自然冷却させた。
次に作製した焼結体の一部を切り出し、切り出した小片を用いてＹ量の分析を実施した。ＩＣＰ－ＡＥＳ装置を用いて分析した結果、Ｙの含有量は５０質量ｐｐｍ（検出下限）未満であった。さらに旋盤を用いて、焼結体を直径１８０．０ｍｍ、厚さ５．０ｍｍの形状へ切削加工し、円盤状のターゲットを得た。このターゲットを用いてマグネトロンスパッタ装置に取り付け、実施例１と同一条件でスパッタリングを行い、基板上へ付着したパーティクルの個数をパーティクルカウンターで測定した。このときのパーティクル個数は２２１個で、実施例１０より増加した。
（比較例２０）
原料粉として平均粒径１０μｍのＦｅ－Ｐｔ粉（分子量比率で５０Ｆｅ－５０Ｐｔの組成）、平均粒径１０μｍのＣ粉（グラファイト粉）、平均粒径１μｍのＳｉＯ２粉を用意した。そして以下の組成比で合計の重量が２５００ｇとなるように秤量した。
秤量組成（分子量比率）：３５Ｆｅ－３５Ｐｔ－２５Ｃ－５ＳｉＯ２
さらに、比較例２０では平均粒径５０μｍのＦｅ３Ｙ粉を上記重量の２％に相当する量である５０ｇ秤量した。
原料粉として平均粒径１０μｍのＦｅ－Ｐｔ粉（分子量比率で５０Ｆｅ－５０Ｐｔの組成）、平均粒径１０μｍのＣ粉（グラファイト粉）、平均粒径１μｍのＳｉＯ２粉を用意した。そして以下の組成比で合計の重量が２５００ｇとなるように秤量した。
秤量組成（分子量比率）：３５Ｆｅ－３５Ｐｔ－２５Ｃ－５ＳｉＯ２
さらに、比較例２０では平均粒径５０μｍのＦｅ３Ｙ粉を上記重量の２％に相当する量である５０ｇ秤量した。
次に秤量した全ての粉末を、粉砕媒体のＳＵＳボールと共に容量１０リットルのボールミルポットに投入し、Ａｒ雰囲気中で１６時間回転させて混合・粉砕した。そしてポットから取り出した粉末をカーボン製の型に充填しホットプレス装置を用いて成型・焼結させた。ホットプレスの条件は、真空雰囲気、昇温速度３００°Ｃ／時間、保持温度１１５０°Ｃ、保持時間２時間とし、昇温開始時から保持終了まで３０ＭＰａで加圧した。保持終了後はチャンバー内でそのまま自然冷却させた。
次に作製した焼結体の一部を切り出し、切り出した小片を用いてＹの分析を実施した。ＩＣＰ－ＡＥＳ装置を用いて分析した結果、Ｙの含有量は６９１０質量ｐｐｍであった。さらに旋盤を用いて、焼結体を直径１８０．０ｍｍ、厚さ５．０ｍｍの形状へ切削加工し、円盤状のターゲットを得た。このターゲットを用いて実施例１と同一条件でスパッタリングを行い、基板上へ付着したパーティクルの個数をパーティクルカウンターで測定した。このときのパーティクル個数は３５１個で、実施例１０より増加した。これはＹの添加量が多かったため、粗大なＹ酸化物が形成されパーティクル源となったためと考えられる。
（実施例１１）
原料粉として平均粒径３μｍのＦｅ粉、平均粒径３μｍのＰｔ粉、平均粒径１０μｍのＣ粉、平均粒径１μｍのＳｉ３Ｎ４粉を用意した。そして以下の組成比で合計の重量が２６００ｇとなるように秤量した。
秤量組成（分子量比率）：３８Ｆｅ－３８Ｐｔ－２０Ｃ－４Ｓｉ３Ｎ４
さらに、実施例１１では平均粒径１０μｍのＡｌ粉を上記重量の０．０５％に相当する量である１．３ｇ、平均粒径４０μｍのＴｉ粉を上記重量の０．０５％に相当する量である１．３ｇ、それぞれ秤量した。
原料粉として平均粒径３μｍのＦｅ粉、平均粒径３μｍのＰｔ粉、平均粒径１０μｍのＣ粉、平均粒径１μｍのＳｉ３Ｎ４粉を用意した。そして以下の組成比で合計の重量が２６００ｇとなるように秤量した。
秤量組成（分子量比率）：３８Ｆｅ－３８Ｐｔ－２０Ｃ－４Ｓｉ３Ｎ４
さらに、実施例１１では平均粒径１０μｍのＡｌ粉を上記重量の０．０５％に相当する量である１．３ｇ、平均粒径４０μｍのＴｉ粉を上記重量の０．０５％に相当する量である１．３ｇ、それぞれ秤量した。
次に秤量した全ての粉末を、粉砕媒体のＳＵＳボールと共に容量１０リットルのボールミルポットに投入し、Ａｒ雰囲気中で１６時間回転させて混合・粉砕した。そしてポットから取り出した粉末をカーボン製の型に充填しホットプレス装置を用いて成型・焼結させた。ホットプレスの条件は、窒素雰囲気、昇温速度３００°Ｃ／時間、保持温度１１００°Ｃ、保持時間２時間とし、昇温開始時から保持終了まで３０ＭＰａで加圧した。保持終了後はチャンバー内でそのまま自然冷却させた。
次に作製した焼結体の一部を切り出し、切り出した小片を用いてＡｌとＴｉの分析を実施した。グロー放電質量分析装置を用いて分析した結果、Ａｌの含有量は５２０質量ｐｐｍ、Ｔｉの含有量は５１０質量ｐｐｍであった。さらに旋盤を用いて、焼結体を直径１８０．０ｍｍ、厚さ５．０ｍｍの形状へ切削加工し、円盤状のターゲットを得た。このターゲットを用いて実施例１と同一条件でスパッタリングを行い、基板上へ付着したパーティクルの個数をパーティクルカウンターで測定した。このときのパーティクル個数は１６９個であった。
（比較例２１）
原料粉として平均粒径３μｍのＦｅ粉、平均粒径３μｍのＰｔ粉、平均粒径１０μｍのＣ粉、平均粒径１μｍのＳｉ３Ｎ４粉を用意した。そして以下の組成比で合計の重量が２６００ｇとなるように秤量した。
秤量組成（分子量比率）：３８Ｆｅ－３８Ｐｔ－２０Ｃ－４Ｓｉ３Ｎ４
また、比較例２１ではＡｌ粉もＴｉ粉も添加しなかった。
原料粉として平均粒径３μｍのＦｅ粉、平均粒径３μｍのＰｔ粉、平均粒径１０μｍのＣ粉、平均粒径１μｍのＳｉ３Ｎ４粉を用意した。そして以下の組成比で合計の重量が２６００ｇとなるように秤量した。
秤量組成（分子量比率）：３８Ｆｅ－３８Ｐｔ－２０Ｃ－４Ｓｉ３Ｎ４
また、比較例２１ではＡｌ粉もＴｉ粉も添加しなかった。
次に秤量した全ての粉末を、粉砕媒体のＳＵＳボールと共に容量１０リットルのボールミルポットに投入し、Ａｒ雰囲気中で１６時間回転させて混合・粉砕した。そしてポットから取り出した粉末をカーボン製の型に充填しホットプレス装置を用いて成型・焼結させた。ホットプレスの条件は、窒素雰囲気、昇温速度３００°Ｃ／時間、保持温度１１００°Ｃ、保持時間２時間とし、昇温開始時から保持終了まで３０ＭＰａで加圧した。保持終了後はチャンバー内でそのまま自然冷却させた。
次に作製した焼結体の一部を切り出し、切り出した小片を用いてＡｌとＴｉの分析を実施した。グロー放電質量分析装置を用いて分析した結果、Ａｌは０．４質量ｐｐｍ、Ｔｉは０．３質量ｐｐｍであった。さらに旋盤を用いて、焼結体を直径１８０．０ｍｍ、厚さ５．０ｍｍの形状へ切削加工し、円盤状のターゲットを得た。このターゲットを用いて実施例１と同一条件でスパッタリングを行い、基板上へ付着したパーティクルの個数をパーティクルカウンターで測定した。このときのパーティクル個数は４０１個で、実施例１１より増加した。
（比較例２２）
原料粉として平均粒径３μｍのＦｅ粉、平均粒径３μｍのＰｔ粉、平均粒径１０μｍのＣ粉、平均粒径１μｍのＳｉ３Ｎ４粉を用意した。そして以下の組成比で合計の重量が２６００ｇとなるように秤量した。
秤量組成（分子量比率）：３８Ｆｅ－３８Ｐｔ－２０Ｃ－４Ｓｉ３Ｎ４
さらに、比較例２２では、平均粒径１０μｍのＡｌ粉を上記重量の１％に相当する量である２６．０ｇ、平均粒径４０μｍのＴｉ粉を上記重量の１％に相当する量である２６．０ｇ、それぞれ秤量した。
原料粉として平均粒径３μｍのＦｅ粉、平均粒径３μｍのＰｔ粉、平均粒径１０μｍのＣ粉、平均粒径１μｍのＳｉ３Ｎ４粉を用意した。そして以下の組成比で合計の重量が２６００ｇとなるように秤量した。
秤量組成（分子量比率）：３８Ｆｅ－３８Ｐｔ－２０Ｃ－４Ｓｉ３Ｎ４
さらに、比較例２２では、平均粒径１０μｍのＡｌ粉を上記重量の１％に相当する量である２６．０ｇ、平均粒径４０μｍのＴｉ粉を上記重量の１％に相当する量である２６．０ｇ、それぞれ秤量した。
次に秤量した全ての粉末を、粉砕媒体のＳＵＳボールと共に容量１０リットルのボールミルポットに投入し、Ａｒ雰囲気中で１６時間回転させて混合・粉砕した。そしてポットから取り出した粉末をカーボン製の型に充填しホットプレス装置を用いて成型・焼結させた。ホットプレスの条件は、窒素雰囲気、昇温速度３００°Ｃ／時間、保持温度１１００°Ｃ、保持時間２時間とし、昇温開始時から保持終了まで３０ＭＰａで加圧した。保持終了後はチャンバー内でそのまま自然冷却させた。
次に作製した焼結体の一部を切り出し、切り出した小片を用いてＡｌとＴｉの分析を実施した。グロー放電質量分析装置を用いて分析した結果、Ａｌの含有量は１００００質量ｐｐｍ、Ｔｉの含有量は１００００質量ｐｐｍであった。さらに旋盤を用いて、焼結体を直径１８０．０ｍｍ、厚さ５．０ｍｍの形状へ切削加工し、円盤状のターゲットを得た。このターゲットを用いて実施例１と同一条件でスパッタリングを行い、基板上へ付着したパーティクルの個数をパーティクルカウンターで測定した。このときのパーティクル個数は４５６個で、実施例１１より増加した。これはＡｌとＴｉの添加量が多かったため、粗大な酸化物が形成されパーティクル源となったためと考えられる。
（実施例１２）
原料粉として平均粒径３μｍのＦｅ粉、平均粒径３μｍのＰｔ粉、平均粒径５μｍのＣｕ粉、平均粒径１０μｍのＣ粉（グラファイト粉）を用意した。そして以下の組成比で合計の重量が２５００ｇとなるように秤量した。
秤量組成（分子量比率）：２７Ｆｅ－２７Ｐｔ－６Ｃｕ－４０Ｃ
さらに、実施例１２では平均粒径２００μｍのＦｅ３Ｚｒ粉を上記重量の０．０２％に相当する量である０．５ｇ秤量した。
原料粉として平均粒径３μｍのＦｅ粉、平均粒径３μｍのＰｔ粉、平均粒径５μｍのＣｕ粉、平均粒径１０μｍのＣ粉（グラファイト粉）を用意した。そして以下の組成比で合計の重量が２５００ｇとなるように秤量した。
秤量組成（分子量比率）：２７Ｆｅ－２７Ｐｔ－６Ｃｕ－４０Ｃ
さらに、実施例１２では平均粒径２００μｍのＦｅ３Ｚｒ粉を上記重量の０．０２％に相当する量である０．５ｇ秤量した。
次に秤量した全ての粉末を、粉砕媒体のＳＵＳボールと共に容量１０リットルのボールミルポットに投入し、Ａｒ雰囲気中で１６時間回転させて混合・粉砕した。そしてポットから取り出した粉末をカーボン製の型に充填しホットプレス装置を用いて成型・焼結させた。ホットプレスの条件は、真空雰囲気、昇温速度３００°Ｃ／時間、保持温度１２００°Ｃ、保持時間２時間とし、昇温開始時から保持終了まで３０ＭＰａで加圧した。保持終了後はチャンバー内でそのまま自然冷却させた。
次に作製した焼結体の一部を切り出し、切り出した小片を用いてＺｒの分析を実施した。ＩＣＰ－ＡＥＳ装置を用いて分析した結果、Ｚｒの含有量は７０質量ｐｐｍであった。さらに旋盤を用いて、焼結体を直径１８０．０ｍｍ、厚さ５．０ｍｍの形状へ切削加工し、円盤状のターゲットを得た。このターゲットを用いて実施例１と同一条件でスパッタリングを行い、基板上へ付着したパーティクルの個数をパーティクルカウンターで測定した。このときのパーティクル個数は２５５個であった。
（比較例２３）
原料粉として平均粒径３μｍのＦｅ粉、平均粒径３μｍのＰｔ粉、平均粒径５μｍのＣｕ粉、平均粒径１０μｍのＣ粉（グラファイト粉）を用意した。そして以下の組成比で合計の重量が２５００ｇとなるように秤量した。
秤量組成（分子量比率）：２７Ｆｅ－２７Ｐｔ－６Ｃｕ－４０Ｃ
また、比較例２３ではＦｅ３Ｚｒ粉は添加しなかった。
原料粉として平均粒径３μｍのＦｅ粉、平均粒径３μｍのＰｔ粉、平均粒径５μｍのＣｕ粉、平均粒径１０μｍのＣ粉（グラファイト粉）を用意した。そして以下の組成比で合計の重量が２５００ｇとなるように秤量した。
秤量組成（分子量比率）：２７Ｆｅ－２７Ｐｔ－６Ｃｕ－４０Ｃ
また、比較例２３ではＦｅ３Ｚｒ粉は添加しなかった。
次に秤量した全ての粉末を、粉砕媒体のＳＵＳボールと共に容量１０リットルのボールミルポットに投入し、Ａｒ雰囲気中で１６時間回転させて混合・粉砕した。そしてポットから取り出した粉末をカーボン製の型に充填しホットプレス装置を用いて成型・焼結させた。ホットプレスの条件は、真空雰囲気、昇温速度３００°Ｃ／時間、保持温度１２００°Ｃ、保持時間２時間とし、昇温開始時から保持終了まで３０ＭＰａで加圧した。保持終了後はチャンバー内でそのまま自然冷却させた。
次に作製した焼結体の一部を切り出し、切り出した小片を用いてＺｒ量の分析を実施した。ＩＣＰ－ＡＥＳ装置を用いて分析した結果、Ｚｒの含有量は５０質量ｐｐｍ（検出下限）未満であった。さらに旋盤を用いて、焼結体を直径１８０．０ｍｍ、厚さ５．０ｍｍの形状へ切削加工し、円盤状のターゲットを得た。このターゲットを用いて実施例１と同一条件でスパッタリングを行い、基板上へ付着したパーティクルの個数をパーティクルカウンターで測定した。このときのパーティクル個数は４３８個で、実施例１２より増加した。
（比較例２４）
原料粉として平均粒径３μｍのＦｅ粉、平均粒径３μｍのＰｔ粉、平均粒径５μｍのＣｕ粉、平均粒径１０μｍのＣ粉（グラファイト粉）を用意した。そして以下の組成比で合計の重量が２５００ｇとなるように秤量した。
秤量組成（分子量比率）：２７Ｆｅ－２７Ｐｔ－６Ｃｕ－４０Ｃ
さらに、比較例２４では平均粒径２００μｍのＦｅ３Ｚｒ粉を上記重量の２％に相当する量である５０.０ｇ秤量した。
原料粉として平均粒径３μｍのＦｅ粉、平均粒径３μｍのＰｔ粉、平均粒径５μｍのＣｕ粉、平均粒径１０μｍのＣ粉（グラファイト粉）を用意した。そして以下の組成比で合計の重量が２５００ｇとなるように秤量した。
秤量組成（分子量比率）：２７Ｆｅ－２７Ｐｔ－６Ｃｕ－４０Ｃ
さらに、比較例２４では平均粒径２００μｍのＦｅ３Ｚｒ粉を上記重量の２％に相当する量である５０.０ｇ秤量した。
次に秤量した全ての粉末を、粉砕媒体のＳＵＳボールと共に容量１０リットルのボールミルポットに投入し、Ａｒ雰囲気中で１６時間回転させて混合・粉砕した。そしてポットから取り出した粉末をカーボン製の型に充填しホットプレス装置を用いて成型・焼結させた。ホットプレスの条件は、真空雰囲気、昇温速度３００°Ｃ／時間、保持温度１２００°Ｃ、保持時間２時間とし、昇温開始時から保持終了まで３０ＭＰａで加圧した。保持終了後はチャンバー内でそのまま自然冷却させた。
次に作製した焼結体の一部を切り出し、切り出した小片を用いてＺｒの分析を実施した。ＩＣＰ－ＡＥＳ装置を用いて分析した結果、Ｚｒの含有量は７２１０質量ｐｐｍであった。さらに旋盤を用いて、焼結体を直径１８０．０ｍｍ、厚さ５．０ｍｍの形状へ切削加工し、円盤状のターゲットを得た。このターゲットを用いて実施例１と同一条件でスパッタリングを行い、基板上へ付着したパーティクルの個数をパーティクルカウンターで測定した。このときのパーティクル個数は４６４個で、実施例１２より増加した。これはＺｒの添加量が多かったため、粗大な酸化物が形成されパーティクル源となったためと考えられる。
（実施例１３）
原料粉として平均粒径３μｍのＦｅ粉、平均粒径３μｍのＰｔ粉、平均粒径１０μｍのＢＮ粉、平均粒径２μｍのＣｒ２Ｏ３粉を用意した。そして以下の組成比で合計の重量が２５００ｇとなるように秤量した。
秤量組成（分子量比率）：３８Ｆｅ－３８Ｐｔ－２０ＢＮ－４Ｃｒ２Ｏ３
さらに、実施例７では平均粒径１００μｍのＭｇ粉を上記重量の０．５％に相当する量である１２．５ｇ秤量した。
原料粉として平均粒径３μｍのＦｅ粉、平均粒径３μｍのＰｔ粉、平均粒径１０μｍのＢＮ粉、平均粒径２μｍのＣｒ２Ｏ３粉を用意した。そして以下の組成比で合計の重量が２５００ｇとなるように秤量した。
秤量組成（分子量比率）：３８Ｆｅ－３８Ｐｔ－２０ＢＮ－４Ｃｒ２Ｏ３
さらに、実施例７では平均粒径１００μｍのＭｇ粉を上記重量の０．５％に相当する量である１２．５ｇ秤量した。
次に秤量した全ての粉末を、粉砕媒体のＳＵＳボールと共に容量１０リットルのボールミルポットに投入し、Ａｒ雰囲気中で１６時間回転させて混合・粉砕した。そしてポットから取り出した粉末をカーボン製の型に充填しホットプレス装置を用いて成型・焼結させた。ホットプレスの条件は、真空雰囲気、昇温速度３００°Ｃ／時間、保持温度１１５０°Ｃ、保持時間２時間とし、昇温開始時から保持終了まで３０ＭＰａで加圧した。保持終了後はチャンバー内でそのまま自然冷却させた。
次に作製した焼結体の一部を切り出し、切り出した小片を用いてＭｇの分析を実施した。ＩＣＰ－ＡＥＳ装置を用いて分析した結果、Ｍｇの含有量は４８９０質量ｐｐｍであった。さらに旋盤を用いて、焼結体を直径１８０．０ｍｍ、厚さ５．０ｍｍの形状へ切削加工し、円盤状のターゲットを得た。このターゲットを用いて実施例１と同一条件でスパッタリングを行い、基板上へ付着したパーティクルの個数をパーティクルカウンターで測定した。このときのパーティクル個数は１２９個であった。
（比較例２５）
原料粉として平均粒径３μｍのＦｅ粉、平均粒径３μｍのＰｔ粉、平均粒径１０μｍのＢＮ粉、平均粒径２μｍのＣｒ２Ｏ３粉を用意した。そして以下の組成比で合計の重量が２５００ｇとなるように秤量した。
秤量組成（分子量比率）：３８Ｆｅ－３８Ｐｔ－２０ＢＮ－４Ｃｒ２Ｏ３
また、比較例２５ではＭｇ粉は添加しなかった。
原料粉として平均粒径３μｍのＦｅ粉、平均粒径３μｍのＰｔ粉、平均粒径１０μｍのＢＮ粉、平均粒径２μｍのＣｒ２Ｏ３粉を用意した。そして以下の組成比で合計の重量が２５００ｇとなるように秤量した。
秤量組成（分子量比率）：３８Ｆｅ－３８Ｐｔ－２０ＢＮ－４Ｃｒ２Ｏ３
また、比較例２５ではＭｇ粉は添加しなかった。
次に秤量した全ての粉末を、粉砕媒体のＳＵＳボールと共に容量１０リットルのボールミルポットに投入し、Ａｒ雰囲気中で１６時間回転させて混合・粉砕した。そしてポットから取り出した粉末をカーボン製の型に充填しホットプレス装置を用いて成型・焼結させた。ホットプレスの条件は、真空雰囲気、昇温速度３００°Ｃ／時間、保持温度１１５０°Ｃ、保持時間２時間とし、昇温開始時から保持終了まで３０ＭＰａで加圧した。保持終了後はチャンバー内でそのまま自然冷却させた。
次に作製した焼結体の一部を切り出し、切り出した小片を用いてＭｇ量の分析を実施した。ＩＣＰ－ＡＥＳ装置を用いて分析した結果、Ｍｇの含有量は５０質量ｐｐｍ（検出下限）未満であった。さらに旋盤を用いて、焼結体を直径１８０．０ｍｍ、厚さ５．０ｍｍの形状へ切削加工し、円盤状のターゲットを得た。このターゲットを用いて実施例１と同一条件でスパッタリングを行い、基板上へ付着したパーティクルの個数をパーティクルカウンターで測定した。このときのパーティクル個数は５４６個で、実施例１３より増加した。
（比較例２６）
原料粉として平均粒径３μｍのＦｅ粉、平均粒径３μｍのＰｔ粉、平均粒径１０μｍのＢＮ粉、平均粒径２μｍのＣｒ２Ｏ３粉を用意した。そして以下の組成比で合計の重量が２５００ｇとなるように秤量した。
秤量組成（分子量比率）：３８Ｆｅ－３８Ｐｔ－２０ＢＮ－４Ｃｒ２Ｏ３
さらに、比較例２６では平均粒径１００μｍのＭｇ粉を上記重量の０．６％に相当する量である１５．０ｇ秤量した。
原料粉として平均粒径３μｍのＦｅ粉、平均粒径３μｍのＰｔ粉、平均粒径１０μｍのＢＮ粉、平均粒径２μｍのＣｒ２Ｏ３粉を用意した。そして以下の組成比で合計の重量が２５００ｇとなるように秤量した。
秤量組成（分子量比率）：３８Ｆｅ－３８Ｐｔ－２０ＢＮ－４Ｃｒ２Ｏ３
さらに、比較例２６では平均粒径１００μｍのＭｇ粉を上記重量の０．６％に相当する量である１５．０ｇ秤量した。
次に秤量した全ての粉末を、粉砕媒体のＳＵＳボールと共に容量１０リットルのボールミルポットに投入し、Ａｒ雰囲気中で１６時間回転させて混合・粉砕した。そしてポットから取り出した粉末をカーボン製の型に充填しホットプレス装置を用いて成型・焼結させた。ホットプレスの条件は、真空雰囲気、昇温速度３００°Ｃ／時間、保持温度１１５０°Ｃ、保持時間２時間とし、昇温開始時から保持終了まで３０ＭＰａで加圧した。保持終了後はチャンバー内でそのまま自然冷却させた。
次に作製した焼結体の一部を切り出し、切り出した小片を用いてＭｇの分析を実施した。ＩＣＰ－ＡＥＳ装置を用いて分析した結果、Ｍｇの含有量は５９９０質量ｐｐｍであった。さらに旋盤を用いて、焼結体を直径１８０．０ｍｍ、厚さ５．０ｍｍの形状へ切削加工し、円盤状のターゲットを得た。このターゲットを用いて実施例１と同一条件でスパッタリングを行い、基板上へ付着したパーティクルの個数をパーティクルカウンターで測定した。このときのパーティクル個数は１７７個で、実施例１３より増加した。これはＭｇの添加量が多かったため、粗大な酸化物が形成されパーティクル源となったためと考えられる。
以上の通り、いずれの実施例においても、酸素１モルに対する酸化物の標準生成自由エネルギーがＣＯ（一酸化炭素）のよりも低い元素を微量添加することで、スパッタリング時に発生するパーティクル量を低減することができ、成膜時の歩留まりを向上することができた。このように、ＣＯ（一酸化炭素）のよりも酸化物の標準生成自由エネルギーが低い酸化物を形成する元素を含有させることが、パーティクル発生の抑制に非常に重要な役割を有することが分かった。
本発明のスパッタリングターゲットは、スパッタ時に発生するパーティクル量を低減することができ、成膜時における歩留まりを向上することができるという優れた効果を有する。したがって、グラニュラー構造型の磁性薄膜を形成するためのスパッタリングターゲットとして有用である。
Claims (4)
- Ｆｅ－Ｐｔ合金と非磁性材料を主成分とする焼結体スパッタリングターゲットであって、酸素１モルに対する酸化物の標準生成自由エネルギーがＣＯ（一酸化炭素）よりも低い酸化物を形成する元素を、５０質量ｐｐｍ以上５０００質量ｐｐｍ以下含有し、非磁性材料として、炭素、炭化物、窒化物のいずれか一種以上を含有することを特徴とするスパッタリングターゲット。
- 前記酸素１モルに対する酸化物の標準生成自由エネルギーがＣＯ（一酸化炭素）よりも低い酸化物を形成する元素が、Ａｌ、Ｍｇ、Ｔｉ、Ｙ、Ｚｒであることを特徴とする請求項１に記載のスパッタリングターゲット。
- Ｆｅ、Ｐｔ以外に、Ａｇ、Ａｕ、Ｂ、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｃｕ、Ｇａ、Ｇｅ、Ｉｒ、Ｍｎ、Ｍｏ、Ｎｂ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｒｅ、Ｒｈ、Ｒｕ、Ｓｉ、Ｓｎ、Ｔａ、Ｗ、Ｖ、Ｚｎから選択されるいずれか一種以上の元素を、金属成分として含有することを特徴とする請求項１又は２記載のスパッタリングターゲット。
- 非磁性材料として、さらに酸化物を含有することを特徴とする請求項１～３のいずれか一項に記載のスパッタリングターゲット。
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Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2016166404A (ja) * | 2015-03-04 | 2016-09-15 | Ｊｘ金属株式会社 | 磁気記録媒体用スパッタリングターゲット |
| CN106000398A (zh) * | 2015-03-27 | 2016-10-12 | 丰田自动车株式会社 | 废气净化催化剂及其制造方法 |
| WO2017141558A1 (ja) * | 2016-02-19 | 2017-08-24 | Ｊｘ金属株式会社 | 磁気記録媒体用スパッタリングターゲット及び磁性薄膜 |
| JP2018035434A (ja) * | 2016-09-02 | 2018-03-08 | Ｊｘ金属株式会社 | 非磁性材料分散型Ｆｅ−Ｐｔ系スパッタリングターゲット |
| WO2018047978A1 (ja) * | 2016-09-12 | 2018-03-15 | Ｊｘ金属株式会社 | 強磁性材スパッタリングターゲット |
| WO2022034873A1 (ja) * | 2020-08-12 | 2022-02-17 | 田中貴金属工業株式会社 | Ｆｅ－Ｐｔ－ＢＮ系スパッタリングターゲット及びその製造方法 |
| CN114072534A (zh) * | 2019-06-28 | 2022-02-18 | 田中贵金属工业株式会社 | Fe-Pt-BN系溅射靶及其制造方法 |
| CN114072536A (zh) * | 2019-07-12 | 2022-02-18 | 田中贵金属工业株式会社 | Fe-Pt-BN系溅射靶及其制造方法 |
| WO2023037810A1 (ja) * | 2021-09-08 | 2023-03-16 | 田中貴金属工業株式会社 | 硬質窒化物含有スパッタリングターゲット |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP6971901B2 (ja) * | 2018-03-27 | 2021-11-24 | Ｊｘ金属株式会社 | スパッタリングターゲット |
Citations (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008059733A (ja) * | 2006-09-01 | 2008-03-13 | Heraeus Inc | 磁気記録媒体及びスパッタターゲット |
| WO2012105205A1 (ja) * | 2011-01-31 | 2012-08-09 | 三菱マテリアル株式会社 | 磁気記録媒体膜形成用スパッタリングターゲットおよびその製造方法 |
| WO2012105201A1 (ja) * | 2011-01-31 | 2012-08-09 | 三菱マテリアル株式会社 | 磁気記録媒体膜形成用スパッタリングターゲットおよびその製造方法 |
| WO2012133166A1 (ja) * | 2011-03-30 | 2012-10-04 | Jx日鉱日石金属株式会社 | 磁気記録膜用スパッタリングターゲット |
| WO2012132939A1 (ja) * | 2011-03-30 | 2012-10-04 | 田中貴金属工業株式会社 | ＦｅＰｔ－Ｃ系スパッタリングターゲット及びその製造方法 |
| JP2012252768A (ja) * | 2011-05-09 | 2012-12-20 | Mitsubishi Materials Corp | 磁気記録媒体膜形成用スパッタリングターゲットおよびその製造方法 |
| JP2013033581A (ja) * | 2011-07-05 | 2013-02-14 | Mitsubishi Materials Corp | 磁気記録媒体膜形成用スパッタリングターゲットおよびその製造方法 |
| WO2013046882A1 (ja) * | 2011-09-26 | 2013-04-04 | Jx日鉱日石金属株式会社 | Ｆｅ－Ｐｔ－Ｃ系スパッタリングターゲット |
| WO2013094605A1 (ja) * | 2011-12-22 | 2013-06-27 | Jx日鉱日石金属株式会社 | Ｃ粒子が分散したＦｅ－Ｐｔ系スパッタリングターゲット |
-
2014
- 2014-04-30 WO PCT/JP2014/061947 patent/WO2014185266A1/ja active Application Filing
- 2014-04-30 JP JP2015517022A patent/JP5969120B2/ja active Active
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Patent Citations (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008059733A (ja) * | 2006-09-01 | 2008-03-13 | Heraeus Inc | 磁気記録媒体及びスパッタターゲット |
| WO2012105205A1 (ja) * | 2011-01-31 | 2012-08-09 | 三菱マテリアル株式会社 | 磁気記録媒体膜形成用スパッタリングターゲットおよびその製造方法 |
| WO2012105201A1 (ja) * | 2011-01-31 | 2012-08-09 | 三菱マテリアル株式会社 | 磁気記録媒体膜形成用スパッタリングターゲットおよびその製造方法 |
| WO2012133166A1 (ja) * | 2011-03-30 | 2012-10-04 | Jx日鉱日石金属株式会社 | 磁気記録膜用スパッタリングターゲット |
| WO2012132939A1 (ja) * | 2011-03-30 | 2012-10-04 | 田中貴金属工業株式会社 | ＦｅＰｔ－Ｃ系スパッタリングターゲット及びその製造方法 |
| JP2012252768A (ja) * | 2011-05-09 | 2012-12-20 | Mitsubishi Materials Corp | 磁気記録媒体膜形成用スパッタリングターゲットおよびその製造方法 |
| JP2013033581A (ja) * | 2011-07-05 | 2013-02-14 | Mitsubishi Materials Corp | 磁気記録媒体膜形成用スパッタリングターゲットおよびその製造方法 |
| WO2013046882A1 (ja) * | 2011-09-26 | 2013-04-04 | Jx日鉱日石金属株式会社 | Ｆｅ－Ｐｔ－Ｃ系スパッタリングターゲット |
| WO2013094605A1 (ja) * | 2011-12-22 | 2013-06-27 | Jx日鉱日石金属株式会社 | Ｃ粒子が分散したＦｅ－Ｐｔ系スパッタリングターゲット |
Cited By (19)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2016194147A (ja) * | 2015-03-04 | 2016-11-17 | Ｊｘ金属株式会社 | 磁気記録媒体に適した磁性膜及びその製造方法 |
| WO2017150524A1 (ja) * | 2015-03-04 | 2017-09-08 | Ｊｘ金属株式会社 | 磁気記録媒体に適した磁性膜及びその製造方法 |
| JP2016166404A (ja) * | 2015-03-04 | 2016-09-15 | Ｊｘ金属株式会社 | 磁気記録媒体用スパッタリングターゲット |
| CN106000398A (zh) * | 2015-03-27 | 2016-10-12 | 丰田自动车株式会社 | 废气净化催化剂及其制造方法 |
| JP2016185535A (ja) * | 2015-03-27 | 2016-10-27 | トヨタ自動車株式会社 | 排ガス浄化触媒及びその製造方法 |
| CN108699677A (zh) * | 2016-02-19 | 2018-10-23 | 捷客斯金属株式会社 | 磁记录介质用溅射靶以及磁性薄膜 |
| WO2017141558A1 (ja) * | 2016-02-19 | 2017-08-24 | Ｊｘ金属株式会社 | 磁気記録媒体用スパッタリングターゲット及び磁性薄膜 |
| JPWO2017141558A1 (ja) * | 2016-02-19 | 2018-10-11 | Ｊｘ金属株式会社 | 磁気記録媒体用スパッタリングターゲット及び磁性薄膜 |
| US11837450B2 (en) | 2016-02-19 | 2023-12-05 | Jx Metals Corporation | Sputtering target for magnetic recording medium, and magnetic thin film |
| JP2018035434A (ja) * | 2016-09-02 | 2018-03-08 | Ｊｘ金属株式会社 | 非磁性材料分散型Ｆｅ−Ｐｔ系スパッタリングターゲット |
| WO2018043680A1 (ja) * | 2016-09-02 | 2018-03-08 | Ｊｘ金属株式会社 | 非磁性材料分散型Ｆｅ－Ｐｔ系スパッタリングターゲット |
| WO2018047978A1 (ja) * | 2016-09-12 | 2018-03-15 | Ｊｘ金属株式会社 | 強磁性材スパッタリングターゲット |
| US11060180B2 (en) | 2016-09-12 | 2021-07-13 | Jx Nippon Mining & Metals Corporation | Ferromagnetic material sputtering target |
| JPWO2018047978A1 (ja) * | 2016-09-12 | 2018-10-18 | Ｊｘ金属株式会社 | 強磁性材スパッタリングターゲット |
| CN114072534A (zh) * | 2019-06-28 | 2022-02-18 | 田中贵金属工业株式会社 | Fe-Pt-BN系溅射靶及其制造方法 |
| CN114072536A (zh) * | 2019-07-12 | 2022-02-18 | 田中贵金属工业株式会社 | Fe-Pt-BN系溅射靶及其制造方法 |
| WO2022034873A1 (ja) * | 2020-08-12 | 2022-02-17 | 田中貴金属工業株式会社 | Ｆｅ－Ｐｔ－ＢＮ系スパッタリングターゲット及びその製造方法 |
| JP7462511B2 (ja) | 2020-08-12 | 2024-04-05 | 田中貴金属工業株式会社 | Ｆｅ－Ｐｔ－ＢＮ系スパッタリングターゲット及びその製造方法 |
| WO2023037810A1 (ja) * | 2021-09-08 | 2023-03-16 | 田中貴金属工業株式会社 | 硬質窒化物含有スパッタリングターゲット |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
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