TWI509093B - Fe-Pt-based magnetic material sputtering target - Google Patents

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TWI509093B
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Description

Fe-Pt系強磁性材濺鍍靶
本發明係關於一種於磁記錄媒體之磁性體薄膜、尤其是於顆粒型之磁記錄層的成膜中所使用之強磁性材濺鍍靶，且關於一種顆粒產生較少之Fe-Pt系強磁性材濺鍍靶。
於由硬碟驅動器所代表之磁記錄領域中，作為承擔記錄之磁性薄膜之材料，使用有將強磁性金屬即Co、Fe或Ni作為基底的材料。例如於採用平面磁記錄方式之硬碟之記錄層中，一直使用以Co為主成分之Co-Cr系或Co-Cr-Pt系之強磁性合金。
又，於採用近年來被實用化之垂直磁記錄方式之硬碟之記錄層中，較多使用由以Co為主成分之Co-Cr-Pt系強磁性合金與非磁性無機物粒子所構成的複合材料。並且就高生產性之方面而言，硬碟等磁記錄媒體之磁性薄膜大多係對以上述材料作為成分之強磁性材濺鍍靶進行濺鍍而製作。
另一方面被認為，磁記錄媒體之記錄密度逐年地迅速增大，將來會自目前之100Gbit/in2 之面密度達到1Tbit/in2 。
被認為，若記錄密度達到Tbit/in2 ，則記錄bit之大小變得低於10nm，預料於此情形時由熱波動所引起之超常磁性化成為問題，並認為，目前所使用之磁記錄媒體、例如於Co-Cr基合金中添加Pt而提高晶磁異向性的材料之媒體或於其中進而添加B而減弱磁性粒間之磁耦合之媒體並不充分。
其原因在於：以10nm以下之大小穩定地發揮強磁性之粒子，必需具有更高之晶磁異向性。
因此，具有L10 結構之FePt相作為超高密度記錄媒體用材料而受到關注。又，由於具有L10 結構之FePt相之耐蝕性、抗氧化性優異，故而可期待用作適用於記錄媒體之材料。
於使用FePt相作為超高密度記錄媒體用材料之情形時，要求如下技術之開發：使規則化之FePt奈米粒子於磁性孤立之狀態下對齊方位而使其儘可能地高密度分散。
因此，提出有顆粒型磁記錄媒體。該顆粒媒體具有使磁性微粒子於氧化物等非磁性基質中析出之結構，並因磁性粒子間夾雜非磁性物質而需要磁性絕緣結構。顆粒型磁記錄媒體及與其相關之公知文獻，可列舉：專利文獻1、專利文獻2、專利文獻3、專利文獻4。
又，上述磁記錄層係由Fe-Pt合金等磁性相與使其分離之非磁性相所構成，金屬氧化物作為非磁性相之材料之一是有效的。此種磁記錄層大多係藉由濺鍍成膜法而形成，但通常存在如下問題：若欲利用磁控濺鍍裝置而對金屬氧化物所包含之強磁性材濺鍍靶進行濺鍍，則於濺鍍時產生金屬氧化物之意外脫離，或以於靶中所含有之空隙為起點產生異常放電從而產生顆粒(附著於基板上之垃圾)。
為了解決該問題，必需提高金屬氧化物與母材合金之密合性，進而使濺鍍靶高密度化。
專利文獻1：日本特開2000-306228號公報
專利文獻2：日本特開2000-311329號公報
專利文獻3：日本特開2008-59733號公報
專利文獻4：日本特開2008-169464號公報
本發明之課題在於：提供一種上述磁記錄層由Fe-Pt合金等磁性相與使其分離之非磁性相所構成且利用金屬氧化物作為非磁性相之材料之一的強磁性材濺鍍靶，其可提供一種，於濺鍍時抑制金屬氧化物之意外脫離並抑制以於靶中所含有之空隙為起點之異常放電所引起的顆粒產生，提高金屬氧化物與母材合金之密合性，進而使濺鍍靶高密度化之強磁性材濺鍍靶。
為了解決上述問題，本發明人等進行了潛心研究，結果發現：藉由選擇作為母材合金之主成分之Fe與潤濕性良好之金屬氧化物，可提高金屬氧化物與母材合金之密合性，並且可製作高密度之濺鍍靶。以此種方式製作之濺鍍靶可使顆粒產生大幅減少。即，發現：藉由使用潤濕性較高之金屬氧化物，可獲得顆粒產生較少之靶。
基於上述知識見解，本發明提供：
1)一種Fe-Pt系強磁性材濺鍍靶，其係由Pt為5mol%以上、60mol%以下，剩餘為Fe之組成的金屬與金屬氧化物所構成；
2)如上述1)之Fe-Pt系強磁性材濺鍍靶，其中，金屬氧化物對於熔融金屬之潤濕性的值為25(J/molK)以下；
3)如上述1)或2)之Fe-Pt系強磁性材濺鍍靶，其中，金屬氧化物之含有比例為15～70vol%；
4)如上述1)至3)中任一項之Fe-Pt系強磁性材濺鍍靶，其中，於金屬基質中分散有0.1～50μm粒徑之金屬氧化物。
又，本發明提供：
5)如上述1)至4)中任一項之Fe-Pt系強磁性材濺鍍靶，其中，上述金屬氧化物為選自Zr、Mg、Ti、Al、B、Ta、Nb、Zn、Si、Cr、Mn、Ga中之一種以上的氧化物；
6)如上述1)至5)中任一項之Fe-Pt系強磁性材濺鍍靶，其中，相對密度為97%以上；
7)如上述1)至6)中任一項之Fe-Pt系強磁性材濺鍍靶，其含有0.5mol%以上、20mol%以下之選自B、C、Ru、Ag、Au、Cu中之一種元素以上作為添加元素。
本發明係關於一種上述磁記錄層由Fe-Pt合金等磁性相與使其分離之非磁性相所構成且利用金屬氧化物作為非磁性相之材料之一的強磁性材濺鍍靶。本發明之強磁性材濺鍍靶具有如下優異之效果：其可提供一種，於濺鍍時抑制金屬氧化物之意外脫離或抑制於靶中所含有之空隙為起點之異常放電所引起的顆粒產生，提高金屬氧化物與母材合金之密合性，進而使濺鍍靶高密度化之強磁性材濺鍍靶。
本發明之強磁性材濺鍍靶具有可用於磁記錄媒體之磁性體薄膜、尤其是可用於顆粒型磁記錄層之成膜的效果。
本發明之Fe-Pt系強磁性材濺鍍靶由Pt為5mol%以上、60mol%以下，剩餘為Fe之組成之金屬與金屬氧化物所構成。其係成為本發明之基礎。
如下述實施例所示，獲得如下見解：藉由添加選自Zr、Mg、Ti、Al、B、Ta、Nb、Zn、Si、Cr、Mn、Ga中之一種以上之氧化物作為金屬氧化物，而具有可提高Fe-Pt系強磁性材濺鍍靶之密度並可較佳地抑制顆粒產生之效果，但作為添加該等氧化物之共同特性，金屬氧化物對於熔融金屬之潤濕性提高。
針對母材合金與非磁性材料之潤濕性，可藉由模擬並利用計算之潤濕指數(Calculated Wettability Index)(以下稱為「CWI」)而進行預測並評價。
尤其是，於金屬氧化物相對於熔融金屬之CWI之值為25(J/molK)以下(再者，單位「K」表示凱文。於說明書之記載中亦相同)時，使潤濕性良好、提高金屬氧化物與母材合金之密合性，並且對高密度之濺鍍靶有效。以此種方式製作之濺鍍靶可有效地抑制顆粒產生。
關於上述潤濕性，可根據Fe與各氧化物彼此之任意之化學平衡狀態下的自由能與焓變化量而計算潤濕性。
計算順序係：首先算出任意之氧化物(固相)與Fe(液相)交換氧之反應中自由能的變化量(△G0 )。其次，計算於任意之氧化物之金屬成分中溶解1莫耳之Fe時的焓變化量(△Hmix )。最後，將根據(△G0 +△Hmix )/RT所計算之值設為CWI。此時，R為氣體常數，T為反應場之溫度。通常可知CWI之值與任意之氧化物及金屬成分彼此之接觸角相關聯。
又，本發明之Fe-Pt系強磁性材濺鍍靶於將金屬氧化物之含有比例設為15～70vol%，進而使0.1～50μm粒徑之金屬氧化物分散於金屬基質中之情況下尤其有效。於該等情況下可製作高密度之濺鍍靶，所製作之濺鍍靶可有效地抑制顆粒產生。
又，上述金屬氧化物較理想為選自Zr、Mg、Ti、Al、B、Ta、Nb、Zn、Si、Cr、Mn、Ga中之一種以上之氧化物。該等使潤濕性提高，且皆對高密度之濺鍍靶有效，所製作之濺鍍靶可有效地抑制顆粒產生。並且，可達成Fe-Pt系強磁性材濺鍍靶之97%以上之相對密度。
又，本發明之Fe-Pt系強磁性材濺鍍靶可含有0.5mol%以上、20mol%以下之選自B、C、Ru、Ag、Au、Cu中之一種元素以上作為添加元素。該等元素之添加具有可提高使用本發明之強磁性材濺鍍靶而成膜之膜於垂直方向的矯頑力且可降低Fe-Pt之規則化溫度之效果。
本發明之強磁性材濺鍍靶係藉由粉末冶金法而製作。於製作時，準備各金屬元素之粉末(Fe及Pt之粉末)與進而視需要添加之金屬元素之粉末(B、C、Ru、Ag、Au、Cu之粉末)。該等粉末較理想為使用最大粒徑為20μm以下者。
又，亦可使用該等金屬之霧化合金粉末、例如主成分之金屬粉末與視需要投入之添加金屬元素之合金粉末代替各金屬元素之粉末。於此情形時，較理想為使用平均粒徑為10μm～200μm之粒子。
並且，以成為所需組成之方式稱量上述粉末，利用球磨機等公知之方法進行混合並粉碎。於添加金屬氧化物粉末之情形時，只要於該階段與金屬粉末混合即可。
另一方面，若金屬粉末過小，則存在促進氧化等問題，故而更理想為設為0.5μm以上。
又，金屬氧化物粉末較理想為使用最大粒徑為5μm以下者。另一方面，若該金屬氧化物粉末過小，則變得易凝聚，故而更理想為使用0.1μm以上者。
利用熱壓對如此所獲得之混合粉末進行成型、燒結。除熱壓以外，亦可使用電漿放電燒結法、熱均壓燒結法。燒結時之保持溫度較佳為設為於靶充分緻密化之溫度區域內最低之溫度。雖根據靶之組成而不同，但大多情況下設為800～1300℃之溫度範圍。
其次，將該混合粉填充於碳製模具中，於真空環境中、溫度為1100℃、保持時間為2小時、壓力為30MPa之條件下進行熱壓而獲得燒結體。進而，利用車床將其加工成直徑為180mm、厚度為5mm之圓盤狀靶後，實施濺鍍並計數顆粒數。
藉此可製作金屬氧化物與母材合金之密合性較高且高密度之Fe-Pt-氧化物靶。可獲得如下效果：即便增加氧化物之體積率，亦可維持靶之高密度且於濺鍍時所產生之顆粒較少。又，可視需要預先藉由模擬來預測母材合金與非磁性材料之潤濕性，並可藉由對其進行實驗而確認CWI為25(J/molK)以下之氧化物較為有效。該數值越小潤濕性變得越良好。
以此種方式製造之本案發明之Fe-Pt系強磁性材濺鍍靶作為於磁記錄媒體之磁性體薄膜、尤其是顆粒型磁記錄層之成膜中所使用之靶有用。
實施例
以下，基於實施例及比較例進行說明。再者，本實施例始終為一例，本發明不受該例之任何限定。即，本發明為僅由申請專利範圍所限制者，且為包含除本發明所包含之實施例以外之各種變形者。
(實施例1)
本發明之強磁性材濺鍍靶係藉由粉末冶金法而製作，於製作時準備Fe粉末與Pt粉末。該等粉末均使用最大粒徑為10μm之粉末。又，使用最大粒徑為1μm之氧化鋯(ZrO2 )作為金屬氧化物粉末。
並且，以分別成為0.60kg、2.40kg、0.60kg之方式稱量上述Fe、Pt、ZrO2 之粉末，利用球磨機法進行混合並粉碎。如此，將所添加之金屬氧化物粉末與金屬粉末同時混合。
其次，將該混合粉末填充於碳製模具中，於如下條件下進行熱壓而獲得燒結體：在真空環境中，在800～1300℃之溫度範圍內適當選擇溫度，保持時間為2小時，壓力為30MPa。可獲得燒結性良好且相對密度為97.4%之燒結體。進而，利用車床將其加工成直徑為180mm、厚度為5mm之圓盤狀靶。
並且，使用該濺鍍靶進行濺鍍並計數顆粒數。將因濺鍍而產生之顆粒的生成數示於表1。再者，顆粒數之評價係以如下方式進行：對於通常用於產品之膜厚(記錄層之厚度為5～10nm)，難以發現顆粒數之差，故而將膜厚設為通常之200倍左右(厚度為1000nm)，增加顆粒之絕對數量。以下，進行相同之處理。
如該表1所示，顆粒數為12個。此時之氧化物(ZrO2 )之體積率為22.5%。於此情形時，獲得如下結果：即便使氧化物(ZrO2 )之體積率增加至70%，亦可維持靶之高密度，於濺鍍時所產生之顆粒為20個以下，且與下述所示之比較例相比通常較少。
另一方面，預先利用模擬預測母材合金與非磁性材料之潤濕性。其結果，即潤濕性之評價CWI為23.7(J/molK)。該數值越小潤濕性變得越良好(以下相同)。可認為，該潤濕性提高金屬氧化物與母材合金之密合性，進而對於使濺鍍靶高密度化方面具有較大影響。
又，可認為，該潤濕性於濺鍍時抑制金屬氧化物之意外脫離，進而抑制由以於靶中所含有之空隙為起點之異常放電所引起之顆粒產生。將以上結果示於表1。
以此種方式製造之本案發明之Fe-Pt系強磁性材濺鍍靶作為於磁記錄媒體之磁性體薄膜、尤其是顆粒型磁記錄層之成膜中所使用之靶有用。尤其可獲得如下優異之效果：可抑制母材合金與氧化物之相互選擇及特性較為重要且含有氧化物之濺鍍靶於成膜時易產生的顆粒之產生。
(實施例2)
本發明之強磁性材濺鍍靶係藉由粉末冶金法而製作，於製作時準備Fe粉末與Pt粉末。該等粉末均使用最大粒徑為10μm之粉末。又，使用最大粒徑為0.5μm之氧化鎂(MgO)作為金屬氧化物粉末。
並且，以分別成為0.60kg、2.40kg、0.30kg之方式稱量上述Fe、Pt、MgO之粉末，利用球磨機法進行混合並粉碎。如此，將所添加之金屬氧化物粉末與金屬粉末同時混合。
其次，將該混合粉末填充於碳製模具中，於如下條件下進行熱壓而獲得燒結體：在真空環境中，在800～1300℃之溫度範圍內適當選擇溫度，保持時間為2小時，壓力為30MPa。可獲得燒結性良好且相對密度為97.6%之燒結體。進而，利用車床將其加工成直徑為180mm、厚度為5mm之圓盤狀靶。
並且，使用該濺鍍靶進行濺鍍並計數顆粒數。將因濺鍍而產生之顆粒的生成數示於表1。如該表1所示，顆粒數為8個。
此時之氧化物(MgO)之體積率為30.4%。於此情形時，獲得如下結果：即便使氧化物(MgO)之體積率增加至70%，亦可維持靶之高密度，於濺鍍時所產生之顆粒為20個以下，且與下述所示之比較例相比通常較少。
與實施例1同樣地預先利用模擬預測母材合金與非磁性材料之潤濕性。其結果，潤濕性之評價CWI為18.0(J/molK)。可認為，該潤濕性提高金屬氧化物與母材合金之密合性，進而對於使濺鍍靶高密度化方面具有較大影響。
又，可認為，該潤濕性於濺鍍時抑制金屬氧化物之意外脫離，進而抑制由以於靶中所含有之空隙為起點之異常放電所引起之顆粒產生。
以此種方式製造之本案發明之Fe-Pt系強磁性材濺鍍靶作為於磁記錄媒體之磁性體薄膜、尤其是顆粒型磁記錄層之成膜中所使用之靶有用。尤其可獲得如下優異之效果：可抑制母材合金與氧化物之相互選擇及特性較為重要且含有氧化物之濺鍍靶於成膜時易產生的顆粒之產生。
(實施例3)
本發明之強磁性材濺鍍靶係藉由粉末冶金法而製作，於製作時準備Fe粉末與Pt粉末。該等粉末均使用最大粒徑為10μm之粉末。又，使用最大粒徑為3μm之氧化鈦(TiO2 )作為金屬氧化物粉末。
並且，以分別成為0.60kg、2.40kg、0.30kg之方式稱量上述Fe、Pt、TiO2 之粉末，利用球磨機法進行混合並粉碎。如此，將所添加之金屬氧化物粉末與金屬粉末同時混合。
其次，將該混合粉末填充於碳製模具中，於如下條件下進行熱壓而獲得燒結體：在真空環境中，在800～1300℃之溫度範圍內適當選擇溫度，保持時間為2小時，壓力為30MPa。可獲得燒結性良好且相對密度為98.4%之燒結體。進而，利用車床將其加工成直徑為180mm、厚度為5mm之圓盤狀靶。
並且，使用該濺鍍靶進行濺鍍並計數顆粒數。將因濺鍍而產生之顆粒的生成數示於表1。如該表1所示，顆粒數為7個。此時之氧化物(TiO2 )之體積率為27.2%。於此情形時，獲得如下結果：即便使氧化物(TiO2 )之體積率增加至70%，亦可維持靶之高密度，於濺鍍時所產生之顆粒為20個以下，且與下述所示之比較例相比通常較少。
與實施例1同樣地預先利用模擬預測母材合金與非磁性材料之潤濕性。其結果，潤濕性之評價CWI為16.5(J/molK)。可認為，該潤濕性提高金屬氧化物與母材合金之密合性，進而對於使濺鍍靶高密度化方面具有較大影響。又，可認為，該潤濕性於濺鍍時抑制金屬氧化物之意外脫離，進而抑制由以於靶中所含有之空隙為起點之異常放電所導致的顆粒產生。
以此種方式製造之本案發明之Fe-Pt系強磁性材濺鍍靶作為於磁記錄媒體之磁性體薄膜、尤其是顆粒型磁記錄層之成膜中所使用之靶有用。尤其可獲得如下優異之效果：可抑制母材合金與氧化物之相互選擇及特性較為重要且含有氧化物之濺鍍靶於成膜時易產生的顆粒之產生。
(實施例4)
本發明之強磁性材濺鍍靶係藉由粉末冶金法而製作，於製作時準備Fe粉末與Pt粉末。該等粉末均使用最大粒徑為10μm之粉末。又，使用最大粒徑為1μm之氧化鋁(Al2 O3 )作為金屬氧化物粉末。
並且，以分別成為0.60kg、2.40kg、0.30kg之方式稱量上述Fe、Pt、(Al2 O3 )之粉末，利用球磨機法進行混合並粉碎。如此，將所添加之金屬氧化物粉末與金屬粉末同時混合。
其次，將該混合粉末填充於碳製模具中，於如下條件下進行熱壓而獲得燒結體：在真空環境中，在800～1300℃之溫度範圍內適當選擇溫度，保持時間為2小時，壓力為30MPa。可獲得燒結性良好且相對密度為97.9%之燒結體。進而，利用車床將其加工成直徑為180mm、厚度為5mm之圓盤狀靶。
並且，使用該濺鍍靶進行濺鍍並計數顆粒數。將因濺鍍而產生之顆粒的生成數示於表1。如該表1所示，顆粒數為9個。此時之氧化物(Al2 O3 )之體積率為29.0%。於此情形時，獲得如下結果：即便使氧化物(Al2 O3 )之體積率增加至70%，亦可維持靶之高密度，於濺鍍時所產生之顆粒為20個以下，且與下述所示之比較例相比通常較少。
與實施例1同樣地預先利用模擬預測母材合金與非磁性材料之潤濕性。其結果，潤濕性之評價CWI為15.2(J/molK)。可認為，該潤濕性提高金屬氧化物與母材合金之密合性，進而對於使濺鍍靶高密度化方面具有較大影響。又，可認為，該潤濕性於濺鍍時抑制金屬氧化物之意外脫離，進而抑制由以於靶中所含有之空隙為起點之異常放電所引起之顆粒產生。
以此種方式製造之本案發明之Fe-Pt系強磁性材濺鍍靶作為於磁記錄媒體之磁性體薄膜、尤其是顆粒型磁記錄層之成膜中所使用之靶有用。尤其可獲得如下優異之效果：可抑制母材合金與氧化物之相互選擇及特性較為重要且含有氧化物之濺鍍靶於成膜時易產生的顆粒之產生。
(實施例5)
本發明之強磁性材濺鍍靶係藉由粉末冶金法而製作，於製作時準備Fe粉末與Pt粉末。該等粉末均使用最大粒徑為10μm之粉末。又，使用最大粒徑為3μm之氧化硼(B2 O3 )作為金屬氧化物粉末。
並且，以分別成為0.60kg、2.40kg、0.30kg之方式稱量上述Fe、Pt、B2 O3 之粉末，利用球磨機法進行混合並粉碎。如此，將所添加之金屬氧化物粉末與金屬粉末同時混合。
其次，將該混合粉末填充於碳製模具中，於如下條件下進行熱壓而獲得燒結體：在真空環境中，在800～1300℃之溫度範圍內適當選擇溫度，保持時間為2小時，壓力為30MPa。可獲得燒結性良好且相對密度為97.8%之燒結體。進而，利用車床將其加工成直徑為180mm、厚度為5mm之圓盤狀靶。
並且，使用該濺鍍靶進行濺鍍並計數顆粒數。將因濺鍍而產生之顆粒的生成數示於表1。如該表1所示，顆粒數為10個。此時之氧化物(B2 O3 )之體積率為46.4%。
再者，由於此情形時之氧化物(B2 O3 )之融點為500℃左右，故而若加入(B2 O3 )並熱壓，則有其於熱壓過程中溶出而難以高密度化之虞。因此，於添加B2 O3 之情形時，較佳為將體積率設為40%左右。藉此獲得如下效果：維持靶之高密度，於濺鍍時所產生之顆粒為20個以下，且與下述所示之比較例相比通常較少。
與實施例1同樣地預先利用模擬預測母材合金與非磁性材料之潤濕性。其結果，潤濕性之評價CWI為15.0(J/molK)。可認為，該潤濕性提高金屬氧化物與母材合金之密合性，進而對於使濺鍍靶高密度化方面具有較大影響。
又，可認為，該潤濕性於濺鍍時抑制金屬氧化物之意外脫離，進而抑制由以於靶中所含有之空隙為起點之異常放電所引起之顆粒產生。
以此種方式製造之本案發明之Fe-Pt系強磁性材濺鍍靶作為於磁記錄媒體之磁性體薄膜、尤其是顆粒型磁記錄層之成膜中所使用之靶有用。尤其可獲得如下優異之效果：可抑制母材合金與氧化物之相互選擇及特性較為重要且含有氧化物之濺鍍靶於成膜時易產生的顆粒之產生。
(實施例6)
本發明之強磁性材濺鍍靶係藉由粉末冶金法而製作，於製作時準備Fe粉末與Pt粉末。該等粉末均使用最大粒徑為10μm之粉末。又，使用最大粒徑為0.7μm之氧化鉭(Ta2 O5 )作為金屬氧化物粉末。
並且，以分別成為0.60kg、2.40kg、0.30kg之方式稱量上述Fe、Pt、Ta2 O5 之粉末，利用球磨機法進行混合並粉碎。如此，將所添加之金屬氧化物粉末與金屬粉末同時混合。
其次，將該混合粉末填充於碳製模具中，於如下條件下進行熱壓而獲得燒結體：在真空環境中，在800～1300℃之溫度範圍內適當選擇溫度，保持時間為2小時，壓力為30MPa。可獲得燒結性良好且相對密度為98.5%之燒結體。進而，利用車床將其加工成直徑為180mm、厚度為5mm之圓盤狀靶。
並且，使用該濺鍍靶進行濺鍍並計數顆粒數。將因濺鍍而產生之顆粒之產生數示於表1。如該表1所示，顆粒數為7個。此時之氧化物(Ta2 O5 )之體積率為15.4%。於此情形時，獲得如下結果：即便使氧化物(Ta2 O5 )之體積率增加至70%，亦可維持靶之高密度，於濺鍍時所產生之顆粒為20個以下，且與下述所示之比較例相比通常較少。
與實施例1同樣地預先利用模擬預測母材合金與非磁性材料之潤濕性。其結果，潤濕性之評價CWI為14.3(J/molK)。可認為，該潤濕性提高金屬氧化物與母材合金之密合性，進而對於使濺鍍靶高密度化方面具有較大影響。
又，可認為，該潤濕性於濺鍍時抑制金屬氧化物之意外脫離，進而抑制由以於靶中所含有之空隙為起點之異常放電所引起之顆粒產生。
以此種方式製造之本案發明之Fe-Pt系強磁性材濺鍍靶作為於磁記錄媒體之磁性體薄膜、尤其是顆粒型磁記錄層之成膜中所使用之靶有用。尤其可獲得如下優異之效果：可抑制母材合金與氧化物之相互選擇及特性較為重要且含有氧化物之濺鍍靶於成膜時易產生的顆粒之產生。
(實施例7)
本發明之強磁性材濺鍍靶係藉由粉末冶金法而製作，於製作時準備Fe粉末與Pt粉末。該等粉末均使用最大粒徑為10μm之粉末。又，使用最大粒徑為0.9μm之氧化鈮(Nb2 O5 )作為金屬氧化物粉末。
並且，以分別成為0.60kg、2.40kg、0.30kg之方式稱量上述Fe、Pt、Nb2 O5 之粉末，利用球磨機法進行混合並粉碎。如此，將所添加之金屬氧化物粉末與金屬粉末同時混合。
其次，將該混合粉末填充於碳製模具中，於如下條件下進行熱壓而獲得燒結體：在真空環境中，在800～1300℃之溫度範圍內適當選擇溫度，保持時間為2小時，壓力為30MPa。可獲得燒結性良好且相對密度為98.2%之燒結體。進而，利用車床將其加工成直徑為180mm、厚度為5mm之圓盤狀靶。
並且，使用該濺鍍靶進行濺鍍並計數顆粒數。將因濺鍍而產生之顆粒之產生數示於表1。如該表1所示為8個。此時之氧化物(Nb2 O5 )之體積率為26.3%。於此情形時，獲得如下結果：即便使氧化物(Nb2 O5 )之體積率增加至70%，亦可維持靶之高密度，於濺鍍時所產生之顆粒為20個以下，且與下述所示之比較例相比通常較少。
與實施例1同樣地預先利用模擬預測母材合金與非磁性材料之潤濕性。其結果，濕性之評價CWI為11.8(J/molK)。可認為，該潤濕性提高氧化物與母材合金之密合性，進而對於使濺鍍靶高密度化方面具有較大影響。又，可認為，該潤濕性於濺鍍時抑制金屬氧化物之意外脫離，進而抑制由以於靶中所含有之空隙為起點之異常放電所引起之顆粒產生。
以此種方式製造之本案發明之Fe-Pt系強磁性材濺鍍靶作為於磁記錄媒體之磁性體薄膜、尤其是顆粒型磁記錄層之成膜中所使用之靶有用。尤其可獲得如下優異之效果：可抑制母材合金與氧化物之相互選擇及特性較為重要且含有氧化物之濺鍍靶於成膜時易產生的顆粒之產生。
(實施例8)
本發明之強磁性材濺鍍靶係藉由粉末冶金法而製作，於製作時準備Fe粉末與Pt粉末。該等粉末均使用最大粒徑為10μm之粉末。又，使用最大粒徑為3μm之氧化鋅(ZnO)作為金屬氧化物粉末。
並且，以分別成為0.60kg、2.40kg、0.30kg之方式稱量上述Fe、Pt、ZnO之粉末，利用球磨機法進行混合並粉碎。如此，將所添加之金屬氧化物粉末與金屬粉末同時混合。
其次，將該混合粉末填充於碳製模具中，於如下條件下進行熱壓而獲得燒結體：在真空環境中，在800～1300℃之溫度範圍內適當選擇溫度，保持時間為2小時，壓力為30MPa。可獲得燒結性良好且相對密度為98.5%之燒結體。進而，利用車床將其加工成直徑為180mm、厚度為5mm之圓盤狀靶。
並且，使用該濺鍍靶進行濺鍍並計數顆粒數。將因濺鍍而產生之顆粒之產生數示於表1。如該表1所示，顆粒數為8個。此時之氧化物(ZnO)之體積率為22.2%。於此情形時，獲得如下結果：即便使氧化物(ZnO)之體積率增加至70%，亦可維持靶之高密度，於濺鍍時所產生之顆粒為20個以下，且與下述所示之比較例相比通常較少。
與實施例1同樣地預先利用模擬預測母材合金與非磁性材料之潤濕性。其結果，潤濕性之評價CWI為9.6(J/molK)。可認為，該潤濕性提高氧化物與母材合金之密合性，進而對於使濺鍍靶高密度化方面具有較大影響。
又，可認為，該潤濕性於濺鍍時抑制金屬氧化物之意外脫離，進而抑制由以於靶中所含有之空隙為起點之異常放電所引起之顆粒產生。
以此種方式製造之本案發明之Fe-Pt系強磁性材濺鍍靶作為於磁記錄媒體之磁性體薄膜、尤其是顆粒型磁記錄層之成膜中所使用之靶有用。尤其可獲得如下優異之效果：可抑制母材合金與氧化物之相互選擇及特性較為重要且含有氧化物之濺鍍靶於成膜時易產生的顆粒之產生。
(實施例9)
本發明之強磁性材濺鍍靶係藉由粉末冶金法而製作，於製作時準備Fe粉末與Pt粉末。該等粉末均使用最大粒徑為10μm之粉末。又，使用最大粒徑為2μm之氧化矽(SiO2 )作為金屬氧化物粉末。
並且，以分別成為0.60kg、2.40kg、0.30kg之方式稱量上述Fe、Pt、SiO2 之粉末，利用球磨機法進行混合並粉碎。如此，將所添加之金屬氧化物粉末與金屬粉末同時混合。
其次，將該混合粉末填充於碳製模具中，於如下條件下進行熱壓而獲得燒結體：在真空環境中，在800～1300℃之溫度範圍內適當選擇溫度，保持時間為2小時，壓力為30MPa。可獲得燒結性良好且相對密度為98.8%之燒結體。進而，利用車床將其加工成直徑為180mm、厚度為5mm之圓盤狀靶。
並且，使用該濺鍍靶進行濺鍍並計數顆粒數。將因濺鍍而產生之顆粒之產生數示於表1。如該表1所示，顆粒數為7個。此時之氧化物(SiO2 )之體積率為42.0%。於此情形時，獲得如下結果：即便使氧化物(SiO2 )之體積率增加至70%，亦可維持靶之高密度，於濺鍍時所產生之顆粒為20個以下，且與下述所示之比較例相比通常較少。
與實施例1同樣地預先利用模擬預測母材合金與非磁性材料之潤濕性，其結果，潤濕性之評價CWI為7.3(J/molK)。可認為，該潤濕性提高氧化物與母材合金之密合性，進而對於使濺鍍靶高密度化方面具有較大影響。
又，可認為，該潤濕性於濺鍍時抑制金屬氧化物之意外脫離，進而抑制由以於靶中所含有之空隙為起點之異常放電所引起之顆粒產生。
以此種方式製造之本案發明之Fe-Pt系強磁性材濺鍍靶作為於磁記錄媒體之磁性體薄膜、尤其是顆粒型磁記錄層之成膜中所使用之靶有用。尤其可獲得如下優異之效果：可抑制母材合金與氧化物之相互選擇及特性較為重要且含有氧化物之濺鍍靶於成膜時易產生的顆粒之產生。
(實施例10)
本發明之強磁性材濺鍍靶係藉由粉末冶金法而製作，於製作時準備Fe粉末與Pt粉末。該等粉末均使用最大粒徑為10μm之粉末。又，使用最大粒徑為3μm之氧化鉻(Cr2 O3 )作為金屬氧化物粉末。
並且。以分別成為0.60kg、2.40kg、0.30kg之方式稱量上述Fe、Pt、Cr2 O3 之粉末，利用球磨機法進行混合並粉碎。如此，將所添加之金屬氧化物粉末與金屬粉末同時混合。
其次，將該混合粉末填充於碳製模具中，於如下條件下進行熱壓而獲得燒結體：在真空環境中，在800～1300℃之溫度範圍內適當選擇溫度，保持時間為2小時，壓力為30MPa。可獲得燒結性良好且相對密度99.3%之燒結體。進而，利用車床將其加工成直徑為180mm、厚度為5mm之圓盤狀靶。
並且，使用該濺鍍靶進行濺鍍並計數顆粒數。將因濺鍍而產生之顆粒之產生數示於表1。如該表1所示，顆粒數為6個。此時之氧化物(Cr2 O3 )之體積率為23.4%。於此情形時，可認為，即便使氧化物(Cr2 O3 )之體積率增加至70%，亦可維持靶之高密度，於濺鍍時所產生之顆粒為20個以下，且與下述所示之比較例相比通常較少。
與實施例1同樣地預先利用模擬預測母材合金與非磁性材料之潤濕性。其結果，潤濕性之評價CWI為6.2(J/molK)。可認為，該潤濕性提高氧化物與母材合金之密合性，進而對於使濺鍍靶高密度化方面具有較大影響。
又，可認為，該潤濕性於濺鍍時抑制金屬氧化物之意外脫離，進而抑制由以於靶中所含有之空隙為起點之異常放電所引起之顆粒產生。
以此種方式製造之本案發明之Fe-Pt系強磁性材濺鍍靶作為於磁記錄媒體之磁性體薄膜、尤其是顆粒型磁記錄層之成膜中所使用之靶有用。尤其可獲得如下優異之效果：可抑制母材合金與氧化物之相互選擇及特性較為重要且含有氧化物之濺鍍靶於成膜時易產生的顆粒之產生。
(實施例11)
本發明之強磁性材濺鍍靶係藉由粉末冶金法而製作，於製作時準備Fe粉末與Pt粉末。該等粉末均使用最大粒徑為10μm之粉末。又，使用最大粒徑為3μm之氧化錳(MnO)作為金屬氧化物粉末。
並且，以分別成為0.60kg、2.40kg、0.30kg之方式稱量上述Fe、Pt、MnO之粉末，利用球磨機法進行混合並粉碎。如此，將所添加之金屬氧化物粉末與金屬粉末同時混合。
其次，將該混合粉末填充於碳製模具中，於如下條件下進行熱壓而獲得燒結體：在真空環境中，在800～1300℃之溫度範圍內適當選擇溫度，保持時間為2小時，壓力為30MPa。可獲得燒結性良好且相對密度為99.2%之燒結體。進而，利用車床將其加工成直徑為180mm、厚度為5mm之圓盤狀靶。
並且，使用該濺鍍靶進行濺鍍並計數顆粒數。將因濺鍍而產生之顆粒之產生數示於表1。如該表1所示，顆粒數為6個。此時之氧化物(MnO)之體積率為24.9%。於此情形時，可認為，即便使氧化物(MnO)之體積率增加至70%，亦可維持靶之高密度，於濺鍍時所產生之顆粒為20個以下，且與下述所示之比較例相比通常較少。
與實施例1同樣地預先利用模擬預測母材合金與非磁性材料之潤濕性。其結果，潤濕性之評價CWI為6.1(J/molK)。可認為，該潤濕性提高氧化物與母材合金之密合性，進而對於使濺鍍靶高密度化方面具有較大影響。又，可認為，該潤濕性於濺鍍時抑制金屬氧化物之意外脫離，進而抑制由以於靶中所含有之空隙為起點之異常放電所引起之顆粒產生。
以此種方式製造之本案發明之Fe-Pt系強磁性材濺鍍靶作為於磁記錄媒體之磁性體薄膜、尤其是顆粒型磁記錄層之成膜中所使用之靶有用。尤其可獲得如下優異之效果：可抑制母材合金與氧化物之相互選擇及特性較為重要且含有氧化物之濺鍍靶於成膜時易產生的顆粒之產生。
(實施例12)
本發明之強磁性材濺鍍靶係藉由粉末冶金法而製作，於製作時準備Fe粉末與Pt粉末。該等粉末均使用最大粒徑為10μm之粉末。又，使用最大粒徑為0.9μm之氧化鎵(Ga2 O3 )作為金屬氧化物粉末。
並且，以分別成為0.60kg、2.40kg、0.30kg之方式稱量上述Fe、Pt、Ga2 O3 之粉末，利用球磨機法進行混合並粉碎。如此，將所添加之金屬氧化物粉末與金屬粉末同時混合。
其次，將該混合粉末填充於碳製模具中，於如下條件下進行熱壓而獲得燒結體：在真空環境中，在800～1300℃之溫度範圍內適當選擇溫度，保持時間為2小時，壓力為30MPa。可獲得燒結性良好且相對密度為99.5%之燒結體。進而，利用車床將其加工成直徑為180mm、厚度為5mm之圓盤狀靶。
並且，使用該濺鍍靶進行濺鍍並計數顆粒數。將因濺鍍而產生之顆粒之產生數示於表1。如該表1所示，顆粒數為7個。此時之氧化物(Ga2 O3 )之體積率為19.8%。於此情形時，可認為，即便使氧化物(Ga2 O3 )之體積率增加至70%，亦可維持靶之高密度，於濺鍍時所產生之顆粒為20個以下，且與下述所示之比較例相比通常較少。
與實施例1同樣地預先利用模擬預測母材合金與非磁性材料之潤濕性。其結果，潤濕性之評價CWI為1.8(J/molK)。可認為，該潤濕性提高氧化物與母材合金之密合性，進而對於使濺鍍靶高密度化方面具有較大影響。
又，可認為，該潤濕性於濺鍍時抑制金屬氧化物之意外脫離，進而抑制由以於靶中所含有之空隙為起點之異常放電所引起之顆粒產生。
以此種方式製造之本案發明之Fe-Pt系強磁性材濺鍍靶作為於磁記錄媒體之磁性體薄膜、尤其是顆粒型磁記錄層之成膜中所使用之靶有用。尤其可獲得如下優異之效果：可抑制母材合金與氧化物之相互選擇及特性較為重要且含有氧化物之濺鍍靶於成膜時易產生的顆粒之產生。
(比較例1)
於除添加CaO作為上述氧化物以外與實施例2相同之條件下製作靶。於此情形時，使用預先利用模擬預測母材合金與非磁性材料之潤濕性之CaO。其預想之該潤濕性之評價CWI為32.5(J/molK)，潤濕性較差。
燒結體靶之相對密度成為95.3%。金屬氧化物與母材合金之密合性較低，並且成為低密度之Fe-Pt-氧化物(CaO)靶。
並且，使用該濺鍍靶進行濺鍍並計數顆粒數。將因濺鍍而產生之顆粒之產生數示於表1。如該表1所示，顆粒數為64個。此時之氧化物(CaO)之體積率為32.1%。於此情形時，獲得如下結果：即便使氧化物(CaO)之體積率增加至70%，靶亦為低密度，於濺鍍時所產生之顆粒為超過20個者，且與上述所示之實施例相比通常較多。
可認為，上述潤濕性之降低使金屬氧化物與母材合金之密合性降低，進而對於使濺鍍靶低密度化方面具有較大影響。又，可認為，該潤濕性為於濺鍍時使金屬氧化物之意外脫離增加，進而使由以於靶中所含有之空隙為起點之異常放電所引起之顆粒產生增加之原因。如此可知，添加潤濕性較差之氧化物(CaO)之Fe-Pt-氧化物(CaO)靶欠佳。
(比較例2)
於除添加Y2 O3 作為上述氧化物以外與實施例2相同之條件下製作靶。於此情形時，使用預先利用模擬預測母材合金與非磁性材料之潤濕性之Y2 O3 。其預想之該潤濕性之評價CWI為27.6(J/molK)，潤濕性較差。
燒結體靶之相對密度成為96.9%。金屬氧化物與母材合金之密合性較低，並且成為低密度之Fe-Pt-氧化物(Y2 O3 )靶。
並且，使用該濺鍍靶進行濺鍍並計數顆粒數。將因濺鍍而產生之顆粒之產生數示於表1。如該表1所示，顆粒數為53個。此時之氧化物(Y2 O3 )之體積率為24.1%。於此情形時，獲得如下結果：即便使氧化物(Y2 O3 )之體積率增加至70%，靶亦為低密度，於濺鍍時所產生之顆粒超過20個，且與上述所示之實施例相比通常較多。
可認為，上述潤濕性之降低使金屬氧化物與母材合金之密合性降低，進而對於使濺鍍靶低密度化上具有較大影響。又，可認為，該潤濕性成為於濺鍍時使金屬氧化物之意外脫離增加，進而使由以於靶中所含有之空隙為起點之異常放電所引起的顆粒產生增加之原因。如此可知，添加潤濕性較差之氧化物(Y2 O3 )之Fe-Pt-氧化物(Y2 O3 )靶欠佳。
(比較例3)
於除添加CoO作為上述氧化物以外與實施例2相同之條件下預先決定靶之製作。於此情形時，使用預先利用模擬預測母材合金與非磁性材料之潤濕性之CoO。其預想之該潤濕性CWI為-2.0(J/molK)。
燒結體靶之相對密度為99.9%，但CoO於高溫下會熱分解而無法以該氧化物之形態存在於燒結體中，因此無法獲得作為本案發明目的之組成之燒結體靶。再者，此時之氧化物(CoO)之體積率為19.8%。
(比較例4)
於除添加In2 O3 作為上述氧化物以外與實施例1相同之條件下預先決定靶之製作。於此情形時，使用預先利用模擬預測母材合金與非磁性材料之潤濕性之In2 O3 。其預想之該潤濕性之評價CWI為-2.3(J/molK)。
燒結體靶之相對密度為99.8%，但In2 O3 於高溫下會熱分解而無法以該氧化物之形態存在於燒結體中，因此無法獲得作為本案發明目的之組成之燒結體靶。
再者，此時之氧化物(In2 O3 )之體積率為18.1%。
(比較例5)
於除添加GeO2 作為上述氧化物以外與實施例1相同之條件下預先決定靶之製作。於此情形時，使用預先利用模擬預測母材合金與非磁性材料之潤濕性之GeO2 。其預想之該潤濕性之評價CWI為-2.9(J/molK)。
燒結體靶之相對密度為99.9%，但GeO2 於高溫下會熱分解而無法以該氧化物之形態存在於燒結體中，因此無法獲得作為本案發明目的之組成之燒結體靶。再者，此時之氧化物(GeO2 )之體積率為20.4%。
(實施例13)
本發明之強磁性材濺鍍靶係藉由粉末冶金法而製作，於製作時準備Fe粉末與Pt之粉末。該等粉末均使用最大粒徑為10μm之粉末。又，使用最大粒徑為2μm之氧化矽(SiO2 )作為金屬氧化物粉末。
並且，以分別成為0.60kg、2.40kg、0.70kg之方式稱量上述Fe、Pt、SiO2 之粉末，利用球磨機法進行混合並粉碎。如此，將所添加之金屬氧化物粉末與金屬粉末同時混合。
其次，將該混合粉末填充於碳製模具中，於如下條件下進行熱壓而獲得燒結體：在真空環境中，在800～1300℃之溫度範圍內適當選擇溫度，保持時間為2小時，壓力為30MPa。可獲得燒結性良好且相對密度為98.4%之燒結體。進而，利用車床將其加工成直徑為180mm、厚度為5mm之圓盤狀靶。並且，使用該濺鍍靶進行濺鍍並計數顆粒數。
藉此，可製作金屬氧化物與母材合金之密合性較高且高密度之Fe-Pt-氧化物(SiO2 )靶。將因濺鍍而產生之顆粒之產生數示於表1。
如該表1所示，顆粒數為19個。於此情形時，獲得如下結果：即便使氧化物(SiO2 )之體積率增加至62.8%，亦可維持靶之高密度，於濺鍍時所產生之顆粒為20個以下，且與比較例相比通常較少。
另一方面，預先利用模擬預測母材合金與非磁性材料之潤濕性。其結果，即潤濕性之評價CWI成為7.3(J/molK)。該數值越小潤濕性變得越良好(以下相同)。可認為，該潤濕性提高氧化物與母材合金之密合性，進而對於使濺鍍靶高密度化方面具有較大影響。又，可認為，該潤濕性於濺鍍時抑制金屬氧化物之意外脫離，進而抑制由以於靶中所含有之空隙為起點之異常放電所引起之顆粒產生。將以上結果示於表1。
以此種方式製造之本案發明之Fe-Pt系強磁性材濺鍍靶作為於磁記錄媒體之磁性體薄膜、尤其是顆粒型磁記錄層之成膜中所使用之靶有用。尤其可獲得如下優異之效果：可抑制母材合金與氧化物之相互選擇及特性較為重要且含有氧化物之濺鍍靶於成膜時易產生的顆粒之產生。
(實施例14)
本發明之強磁性材濺鍍靶係藉由粉末冶金法而製作，於製作時準備Fe粉末與Pt粉末。該等粉末均使用最大粒徑為10μm之粉末。又，使用最大粒徑為2μm之氧化矽(SiO2 )作為金屬氧化物粉末。
並且，以分別成為0.60kg、2.40kg、0.12kg之方式稱量上述Fe、Pt、SiO2 之粉末，利用球磨機法進行混合並粉碎。如此，將所添加之金屬氧化物粉末與金屬粉末同時混合。
其次，將該混合粉末填充於碳製模具中，於如下條件下進行熱壓而獲得燒結體：在真空環境中，在800～1300℃之溫度範圍內適當選擇溫度，保持時間為2小時，壓力為30MPa。可獲得燒結性良好且相對密度為99.2%之燒結體。進而，利用車床將其加工成直徑為180mm、厚度為5mm之圓盤狀靶。
並且，使用該濺鍍靶進行濺鍍並計數顆粒數。
將因濺鍍而產生之顆粒之產生數示於表1。如該表1所示，顆粒數為6個。於此情形時，獲得如下結果：即便使氧化物(SiO2 )之體積率增加至22.5%，亦可維持靶之高密度，於濺鍍時所產生之顆粒為20個以下，且與比較例相比通常較少。
另一方面，預先利用模擬預測母材合金與非磁性材料之潤濕性。其結果，即潤濕性之評價CWI為7.3(J/molK)。該數值越小潤濕性變得越良好(以下相同)。可認為，該潤濕性提高氧化物與母材合金之密合性，進而對於使濺鍍靶高密度化方面具有較大影響。又，可認為，該潤濕性於濺鍍時抑制金屬氧化物之意外脫離，進而抑制由以於靶中所含有之空隙為起點之異常放電所引起之顆粒產生。將以上結果示於表1。
以此種方式製造之本案發明之Fe-Pt系強磁性材濺鍍靶作為於磁記錄媒體之磁性體薄膜、尤其是顆粒型磁記錄層之成膜中所使用之靶有用。尤其可獲得如下優異之效果：可抑制母材合金與氧化物之相互選擇及特性較為重要且含有氧化物之濺鍍靶於成膜時易產生的顆粒之產生。
(實施例15)
本發明之強磁性材濺鍍靶係藉由粉末冶金法而製作，於製作時準備Fe粉末與Pt粉末。該等粉末均使用最大粒徑為10μm之粉末。又，使用最大粒徑為3μm之氧化鈦(TiO2 )作為金屬氧化物粉末。
並且，以分別成為0.60kg、2.40kg、1.00kg之方式稱量上述Fe、Pt、TiO2 粉末，利用球磨機法進行混合並粉碎。如此，將所添加之金屬氧化物粉末與金屬粉末同時混合。
其次，將該混合粉末填充於碳製模具中，於如下條件下進行熱壓而獲得燒結體：在真空環境中，在800～1300℃之溫度範圍內適當選擇溫度，保持時間為2小時，壓力為30MPa。可獲得燒結性良好且相對密度為98.2%之燒結體。進而，利用車床將其加工成直徑為180mm、厚度為5mm之圓盤狀靶。
並且，使用該濺鍍靶進行濺鍍並計數顆粒數。
將因濺鍍而產生之顆粒之產生數示於表1。如該表1所示，顆粒數為16個。於此情形時，獲得如下結果：即便使氧化物(TiO2 )之體積率增加至55.5%，亦可維持靶之高密度，於濺鍍時所產生之顆粒為20個以下，且與比較例相比通常較少。
另一方面，預先利用模擬預測母材合金與非磁性材料之潤濕性。其結果，即潤濕性之評價CWI為16.5(J/molK)。該數值越小潤濕性變得越良好(以下相同)。可認為，該潤濕性提高氧化物與母材合金之密合性，進而對於使濺鍍靶高密度化方面具有較大影響。又，可認為，該潤濕性於濺鍍時抑制金屬氧化物之意外脫離，進而抑制由以於靶中所含有之空隙為起點之異常放電所引起之顆粒產生。將以上結果示於表1。
以此種方式製造之本案發明之Fe-Pt系強磁性材濺鍍靶作為於磁記錄媒體之磁性體薄膜、尤其是顆粒型磁記錄層之成膜中所使用之靶有用。尤其可獲得如下優異之效果：可抑制母材合金與氧化物之相互選擇及特性較為重要且含有氧化物之濺鍍靶於成膜時易產生的顆粒之產生。
(實施例16)
本發明之強磁性材濺鍍靶係藉由粉末冶金法而製作，於製作時準備Fe粉末與Pt粉末。該等粉末均使用最大粒徑為10μm之粉末。又，使用最大粒徑為3μm之氧化鉻(Cr2 O3 )作為金屬氧化物粉末。
並且，以分別成為0.60kg、2.40kg、1.00kg之方式稱量上述Fe、Pt、Cr2 O3 之粉末，利用球磨機法進行混合並粉碎。如此，將所添加之金屬氧化物粉末與金屬粉末同時混合。
其次，將該混合粉末填充於碳製模具中，於如下條件下進行熱壓而獲得燒結體：在真空環境中，在800～1300℃之溫度範圍內適當選擇溫度，保持時間為2小時，壓力為30MPa。可獲得燒結性良好且相對密度為98.9%之燒結體。進而，利用車床將其加工成直徑為180mm、厚度為5mm之圓盤狀靶。
並且，使用該濺鍍靶進行濺鍍並計數顆粒數。
將因濺鍍而產生之顆粒之產生數示於表1。如該表1所示，顆粒數為8個。於此情形時，獲得如下結果：即便使氧化物(Cr2 O3 )之體積率增加至50.5%，亦可維持靶之高密度，於濺鍍時所產生之顆粒為20個以下，且與比較例相比通常較少。
另一方面，預先利用模擬預測母材合金與非磁性材料之潤濕性。其結果，即潤濕性之評價CWI為6.2(J/molK)。該數值越小潤濕性變得越良好(以下相同)。可認為，該潤濕性提高氧化物與母材合金之密合性，進而對於使濺鍍靶高密度化方面具有較大影響。又，可認為，該潤濕性於濺鍍時抑制金屬氧化物之意外脫離，進而抑制由以於靶中所含有之空隙為起點之異常放電所引起之顆粒產生。將以上結果示於表1。
以此種方式製造之本案發明之Fe-Pt系強磁性材濺鍍靶作為於磁記錄媒體之磁性體薄膜、尤其是顆粒型磁記錄層之成膜中所使用之靶有用。尤其可獲得如下優異之效果：可抑制母材合金與氧化物之相互選擇及特性較為重要且含有氧化物之濺鍍靶於成膜時易產生的顆粒之產生。
(實施例17)
本發明之強磁性材濺鍍靶係藉由粉末冶金法而製作，於製作時準備Fe粉末、Pt之粉末與Au粉末。該等粉末均使用最大粒徑為10μm之粉末。又，使用最大粒徑為2μm之氧化矽(SiO2 )作為金屬氧化物粉末。
並且，以分別成為0.60kg、2.40kg、0.50kg、0.40kg之方式稱量上述Fe、Pt、SiO2 、Au之粉末，利用球磨機法進行混合並粉碎。如此，將所添加之金屬氧化物粉末與金屬粉末同時混合。
其次，將該混合粉末填充於碳製模具中，於如下條件下進行熱壓而獲得燒結體：在真空環境中，在800～1300℃之溫度範圍內適當選擇溫度，保持時間為2小時，壓力為30MPa。可獲得燒結性良好且相對密度為97.8%之燒結體。進而，利用車床將其加工成直徑為180mm、厚度為5mm之圓盤狀靶。
並且，使用該濺鍍靶進行濺鍍並計數顆粒數。
將因濺鍍而產生之顆粒之產生數示於表1。如該表1所示，顆粒數為7個。於此情形時，獲得如下結果：即便使氧化物(SiO2 )之體積率增加至49.7%，亦可維持靶之高密度，於濺鍍時所產生之顆粒為20個以下，且與比較例相比通常較少。
另一方面，預先利用模擬預測母材合金與非磁性材料之潤濕性。其結果，即潤濕性之評價CWI為7.3(J/molK)。該數值越小潤濕性變得越良好(以下相同)。可認為，該潤濕性提高氧化物與母材合金之密合性，進而對於使濺鍍靶高密度化方面具有較大影響。
又，可認為，該潤濕性於濺鍍時抑制金屬氧化物之意外脫離，進而抑制由以於靶中所含有之空隙為起點之異常放電所引起之顆粒產生。將以上結果示於表1。
以此種方式製造之本案發明之Fe-Pt系強磁性材濺鍍靶作為於磁記錄媒體之磁性體薄膜、尤其是顆粒型磁記錄層之成膜中所使用之靶有用。尤其可獲得如下優異之效果：可抑制母材合金與氧化物之相互選擇及特性較為重要且含有氧化物之濺鍍靶於成膜時易產生的顆粒之產生。
(實施例18)
本發明之強磁性材濺鍍靶係藉由粉末冶金法而製作，於製作時準備Fe粉末、Pt粉末與Ag粉末。該等粉末均使用最大粒徑為10μm之粉末。又，使用最大粒徑為2μm之氧化矽(SiO2 )作為金屬氧化物粉末。
並且，以分別成為0.60kg、2.40kg、0.50kg、0.01kg之方式稱量上述Fe、Pt、SiO2 、Ag之粉末，利用球磨機法進行混合並粉碎。如此，將所添加之金屬氧化物粉末與金屬粉末同時混合。
其次，將該混合粉末填充於碳製模具中，於如下條件下進行熱壓而獲得燒結體：在真空環境中，在800～1300℃之溫度範圍內適當選擇溫度，保持時間為2小時，壓力為30MPa。可獲得燒結性良好且相對密度為97.1%之燒結體。進而，利用車床將其加工成直徑為180mm、厚度為5mm之圓盤狀靶。
並且，使用該濺鍍靶進行濺鍍並計數顆粒數。
將因濺鍍而產生之顆粒之產生數示於表1。如該表1所示，顆粒數為10個。於此情形時，獲得如下結果：即便使(SiO2 )之體積率增加至54.5%，亦可維持靶之高密度，於濺鍍時所產生之顆粒為20個以下，且與比較例相比通常較少。
另一方面，預先利用模擬預測母材合金與非磁性材料之潤濕性。其結果，即潤濕性之評價CWI為。其結果，即潤濕性之評價CWI為7.3(J/molK)。該數值越小潤濕性變得越良好(以下相同)。可認為，該潤濕性提高氧化物與母材合金之密合性，進而對於使濺鍍靶高密度化方面具有較大影響。又，可認為，該潤濕性於濺鍍時抑制金屬氧化物之意外脫離，進而抑制由以於靶中所含有之空隙為起點之異常放電所引起之顆粒產生。將以上結果示於表1。
以此種方式製造之本案發明之Fe-Pt系強磁性材濺鍍靶作為於磁記錄媒體之磁性體薄膜、尤其是顆粒型磁記錄層之成膜中所使用之靶有用。尤其可獲得如下優異之效果：可抑制母材合金與氧化物之相互選擇及特性較為重要且含有氧化物之濺鍍靶於成膜時易產生的顆粒之產生。
(實施例19)
本發明之強磁性材濺鍍靶係藉由粉末冶金法而製作，於製作時準備Fe粉末、Pt粉末與Cu粉末。該等粉末均使用最大粒徑為10μm之粉末。又，使用最大粒徑為2μm之氧化矽(SiO2 )作為金屬氧化物粉末。
並且，以分別成為0.60kg、2.40kg、0.50kg、0.10kg之方式稱量上述Fe、Pt、SiO2 、Cu之粉末，利用球磨機法進行混合並粉碎。如此，將所添加之金屬氧化物粉末與金屬粉末同時混合。
其次將該混合粉末填充於碳製模具中，於如下條件下進行熱壓而獲得燒結體：在真空環境中，在800～1300℃之溫度範圍內適當選擇溫度，保持時間為2小時，壓力為30MPa。可獲得燒結性良好且相對密度為98.3%之燒結體。進而，利用車床將其加工成直徑為180mm、厚度為5mm之圓盤狀靶。
並且，使用該濺鍍靶進行濺鍍並計數顆粒數。
將因濺鍍而產生之顆粒之產生數示於表1。如該表1所示，顆粒數為7個。於此情形時，獲得如下結果：即便使(SiO2 )之體積率增加至51.9%，亦可維持靶之高密度，於濺鍍時所產生之顆粒為20個以下，且與比較例相比通常較少。
另一方面，預先利用模擬預測母材合金與非磁性材料之潤濕性。其結果，即潤濕性之評價CWI為7.3(J/molK)。該數值越小潤濕性變得越良好(以下相同)。可認為，該潤濕性提高氧化物與母材合金之密合性，進而對於使濺鍍靶高密度化方面具有較大影響。又，可認為，該潤濕性於濺鍍時抑制金屬氧化物之意外脫離，進而抑制由以於靶中所含有之空隙為起點之異常放電所引起之顆粒產生。將以上結果示於表1。
以此種方式製造之本案發明之Fe-Pt系強磁性材濺鍍靶作為於磁記錄媒體之磁性體薄膜、尤其是顆粒型磁記錄層之成膜中所使用之靶有用。尤其可獲得如下優異之效果：可抑制母材合金與氧化物之相互選擇及特性較為重要且含有氧化物之濺鍍靶於成膜時易產生的顆粒之產生。
(實施例20)
本發明之強磁性材濺鍍靶係藉由粉末冶金法而製作，於製作時準備Fe粉末、Pt之粉末與Cu粉末。該等粉末均使用最大粒徑為10μm之粉末。又，使用最大粒徑為2μm之氧化矽(SiO2 )作為金屬氧化物粉末。
並且，以分別成為0.60kg、2.10kg、0.30kg、0.20kg之方式稱量上述Fe、Pt、SiO2 、Cu之粉末，利用球磨機法進行混合並粉碎。如此，將所添加之金屬氧化物粉末與金屬粉末同時混合。
其次，將該混合粉末填充於碳製模具中，於如下條件下進行熱壓而獲得燒結體：在真空環境中，在800～1300℃之溫度範圍內適當選擇溫度，保持時間為2小時，壓力為30MPa。可獲得燒結性良好且相對密度為98.8%之燒結體。進而，利用車床將其加工成直徑為180mm、厚度為5mm之圓盤狀靶。
並且，使用該濺鍍靶進行濺鍍並計數顆粒數。
將因濺鍍而產生之顆粒之產生數示於表1。如該表1所示，顆粒數為6個。於此情形時，獲得如下結果：即便使(SiO2 )之體積率增加至38.4%，亦可維持靶之高密度，於濺鍍時所產生之顆粒為20個以下，且與比較例相比通常較少。
另一方面，預先利用模擬預測母材合金與非磁性材料之潤濕性。其結果，即潤濕性之評價CWI為7.3(J/molK)。該數值越小潤濕性變得越良好(以下相同)。可認為，該潤濕性提高氧化物與母材合金之密合性，進而對於使濺鍍靶高密度化方面具有較大影響。又，可認為，該潤濕性於濺鍍時抑制金屬氧化物之意外脫離，進而抑制由以於靶中所含有之空隙為起點之異常放電所引起之顆粒產生。將以上結果示於表1。
以此種方式製造之本案發明之Fe-Pt系強磁性材濺鍍靶作為於磁記錄媒體之磁性體薄膜、尤其是顆粒型磁記錄層之成膜中所使用之靶有用。尤其可獲得如下優異之效果：可抑制母材合金與氧化物之相互選擇及特性較為重要且含有氧化物之濺鍍靶於成膜時易產生的顆粒之產生。
(實施例21)
本發明之強磁性材濺鍍靶係藉由粉末冶金法而製作，於製作時準備Fe粉末、Pt粉末與Ru之粉末。該等粉末均使用最大粒徑為10μm之粉末。又，使用最大粒徑為2μm之氧化矽(SiO2 )作為金屬氧化物粉末。
並且，以分別成為0.60kg、2.40kg、0.50kg、0.10kg之方式稱量上述Fe、Pt、SiO2 、Ru之粉末，利用球磨機法進行混合並粉碎。如此，將所添加之金屬氧化物粉末與金屬粉末同時混合。
其次，將該混合粉末填充於碳製模具中，於如下條件下進行熱壓而獲得燒結體：在真空環境中，在800～1300℃之溫度範圍內適當選擇溫度，保持時間為2小時，壓力為30MPa。可獲得燒結性良好且相對密度為97.9%之燒結體。進而，利用車床將其加工成直徑為180mm、厚度為5mm之圓盤狀靶。
並且，使用該濺鍍靶進行濺鍍並計數顆粒數。
將因濺鍍而產生之顆粒之產生數示於表1。如該表1所示，顆粒數為6個。於此情形時，獲得如下結果：即便使(SiO2 )之體積率增加至52.6%，亦可維持靶之高密度，於濺鍍時所產生之顆粒為20個以下，且與比較例相比通常較少。
另一方面，預先利用模擬預測母材合金與非磁性材料之潤濕性。其結果，即潤濕性之評價CWI為7.3(J/molK)。該數值越小潤濕性變得越良好(以下相同)。可認為，該潤濕性提高氧化物與母材合金之密合性，進而對於使濺鍍靶高密度化方面具有較大影響。
又，可認為，該潤濕性於濺鍍時抑制金屬氧化物之意外脫離，進而抑制由以於靶中所含有之空隙為起點之異常放電所引起之顆粒產生。將以上結果示於表1。
以此種方式製造之本案發明之Fe-Pt系強磁性材濺鍍靶作為於磁記錄媒體之磁性體薄膜、尤其是顆粒型磁記錄層之成膜中所使用之靶有用。尤其可獲得如下優異之效果：可抑制母材合金與氧化物之相互選擇及特性較為重要且含有氧化物之濺鍍靶於成膜時易產生的顆粒之產生。
(實施例22)
本發明之強磁性材濺鍍靶係藉由粉末冶金法而製作，於製作時準備Fe粉末、Pt粉末與C之粉末。該等粉末均使用最大粒徑為10μm之粉末。又，使用最大粒徑為2μm之氧化矽(SiO2 )作為金屬氧化物粉末。
並且，以分別成為0.60kg、2.10kg、0.30kg、0.01kg之方式稱量上述Fe、Pt、SiO2 、C之粉末，利用球磨機法進行混合並粉碎。如此，將所添加之金屬氧化物粉末與金屬粉末同時混合。
其次，將該混合粉末填充於碳製模具中，於如下條件下進行熱壓而獲得燒結體：在真空環境中，在800～1300℃之溫度範圍內適當選擇溫度，保持時間為2小時，壓力為30MPa。可獲得燒結性良好且相對密度為97.0%之燒結體。進而，利用車床將其加工成直徑為180mm、厚度為5mm之圓盤狀靶。
並且，使用該濺鍍靶進行濺鍍並計數顆粒數。
將因濺鍍而產生之顆粒之產生數示於表1。如該表1所示，顆粒數為18個。於此情形時，獲得如下結果：即便使(SiO2 )之體積率增加至45.5%，亦可維持靶之高密度，於濺鍍時所產生之顆粒為20個以下，且與比較例相比通常較少。
另一方面，預先利用模擬預測母材合金與非磁性材料之潤濕性。其結果，即潤濕性之評價CWI為7.3(J/molK)。該數值越小潤濕性變得越良好(以下相同)。可認為，該潤濕性提高氧化物與母材合金之密合性，進而對於使濺鍍靶高密度化方面具有較大影響。又，可認為，該潤濕性於濺鍍時抑制金屬氧化物之意外脫離，進而抑制由以於靶中所含有之空隙為起點之異常放電所引起之顆粒產生。將以上結果示於表1。
以此種方式製造之本案發明之Fe-Pt系強磁性材濺鍍靶作為於磁記錄媒體之磁性體薄膜、尤其是顆粒型磁記錄層之成膜中所使用之靶有用。尤其可獲得如下優異之效果：可抑制母材合金與氧化物之相互選擇及特性較為重要且含有氧化物之濺鍍靶於成膜時易產生的顆粒之產生。
(實施例23)
本發明之強磁性材濺鍍靶係藉由粉末冶金法而製作，於製作時準備Fe粉末、Pt粉末與B之粉末。該等粉末均使用最大粒徑為10μm之粉末。又，使用最大粒徑為2μm之氧化矽(SiO2 )作為金屬氧化物粉末。
並且，以分別成為0.60kg、2.10kg、0.30kg、0.01kg之方式稱量上述Fe、Pt、SiO2 、B之粉末，利用球磨機法進行混合並粉碎。如此，將所添加之金屬氧化物粉末與金屬粉末同時混合。
其次，將該混合粉末填充於碳製模具中，於如下條件下進行熱壓而獲得燒結體：在真空環境中，在800～1300℃之溫度範圍內適當選擇溫度，保持時間為2小時，壓力為30MPa。可獲得燒結性良好且相對密度為97.9%之燒結體。進而，利用車床將其加工成直徑為180mm、厚度為5mm之圓盤狀靶。
並且，使用該濺鍍靶進行濺鍍並計數顆粒數。
將因濺鍍而產生之顆粒之產生數示於表1。如該表1所示，顆粒數為11個。於此情形時，獲得如下結果：即便使(SiO2 )之體積率增加至42.7%，亦可維持靶之高密度，於濺鍍時所產生之顆粒為20個以下，且與比較例相比通常較少。
另一方面，預先利用模擬預測母材合金與非磁性材料之潤濕性。其結果，即潤濕性之評價CWI為7.3(J/molK)。該數值越小潤濕性變得越良好(以下相同)。可認為，該潤濕性提高氧化物與母材合金之密合性，進而對於使濺鍍靶高密度化方面具有較大影響。又，可認為，該潤濕性於濺鍍時抑制金屬氧化物之意外脫離，進而抑制由以於靶中所含有之空隙為起點之異常放電所引起之顆粒產生。將以上結果示於表1。
以此種方式製造之本案發明之Fe-Pt系強磁性材濺鍍靶作為於磁記錄媒體之磁性體薄膜、尤其是顆粒型磁記錄層之成膜中所使用之靶有用。尤其可獲得如下優異之效果：可抑制母材合金與氧化物之相互選擇及特性較為重要且含有氧化物之濺鍍靶於成膜時易產生的顆粒之產生。
(實施例24)
本發明之強磁性材濺鍍靶係藉由粉末冶金法而製作，於製作時準備Fe粉末與Pt粉末。該等粉末均使用最大粒徑為10μm之粉末。又，使用最大粒徑為3μm之氧化鈦(TiO2 )作為金屬氧化物粉末。
並且，以分別成為1.20kg、0.30kg、0.10kg之方式稱量上述Fe、Pt、TiO2 之粉末，利用球磨機法進行混合並粉碎。如此，將所添加之金屬氧化物粉末與金屬粉末同時混合。
其次將該混合粉末填充於碳製模具中，於如下條件下進行熱壓而獲得燒結體：在真空環境中，在800～1300℃之溫度範圍內適當選擇溫度，保持時間為2小時，壓力為30MPa。可獲得燒結性良好且相對密度為99.1%之燒結體。進而，利用車床將其加工成直徑為180mm、厚度為5mm之圓盤狀靶。
並且，使用該濺鍍靶進行濺鍍並計數顆粒數。
將因濺鍍而產生之顆粒之產生數示於表1。如該表1所示，顆粒數為6個。於此情形時，獲得如下結果：即便使(TiO2 )之體積率增加至37.3%，亦可維持靶之高密度，於濺鍍時所產生之顆粒為20個以下，且與比較例相比通常較少。
另一方面，預先利用模擬預測母材合金與非磁性材料之潤濕性。其結果，即潤濕性之評價CWI為16.5(J/molK)。該數值越小潤濕性變得越良好(以下相同)。可認為，該潤濕性提高氧化物與母材合金之密合性，進而對於使濺鍍靶高密度化方面具有較大影響。又，可認為，該潤濕性於濺鍍時抑制金屬氧化物之意外脫離，進而抑制由以於靶中所含有之空隙為起點之異常放電所引起之顆粒產生。將以上結果示於表1。
以此種方式製造之本案發明之Fe-Pt系強磁性材濺鍍靶作為於磁記錄媒體之磁性體薄膜、尤其是顆粒型磁記錄層之成膜中所使用之靶有用。尤其可獲得如下優異之效果：可抑制母材合金與氧化物之相互選擇及特性較為重要且含有氧化物之濺鍍靶於成膜時易產生的顆粒之產生。
(實施例25)
本發明之強磁性材濺鍍靶係藉由粉末冶金法而製作，於製作時準備Fe粉末與Pt粉末。該等粉末均使用最大粒徑為10μm之粉末。又，使用最大粒徑為3μm之氧化鈦(TiO2 )作為金屬氧化物粉末。
並且，以分別成為0.35kg、2.38kg、0.15kg之方式稱量上述Fe、Pt、TiO2 之粉末，利用球磨機法進行混合並粉碎。如此，將所添加之金屬氧化物粉末與金屬粉末同時混合。
其次，將該混合粉末填充於碳製模具中，於如下條件下進行熱壓而獲得燒結體：在真空環境中，在800～1300℃之溫度範圍內適當選擇溫度，保持時間為2小時，壓力為30MPa。可獲得燒結性良好且相對密度為98.9%之燒結體。進而，利用車床將其加工成直徑為180mm、厚度為5mm之圓盤狀靶。
並且，使用該濺鍍靶進行濺鍍並計數顆粒數。
將因濺鍍而產生之顆粒之產生數示於表1。如該表1所示，顆粒數為7個。於此情形時，獲得如下結果：即便使(TiO2 )之體積率之體積率增加至42.7%，亦可維持靶之高密度，於濺鍍時所產生之顆粒為20個以下，且與比較例相比通常較少。
另一方面，預先利用模擬預測母材合金與非磁性材料之潤濕性。其結果，即潤濕性之評價CWI為16.5(J/molK)。該數值越小潤濕性變得越良好(以下相同)。可認為，該潤濕性提高氧化物與母材合金之密合性，進而對於使濺鍍靶高密度化方面具有較大影響。又，可認為，該潤濕性於濺鍍時抑制金屬氧化物之意外脫離，進而抑制由以於靶中所含有之空隙為起點之異常放電所引起之顆粒產生。將以上結果示於表1。
以此種方式製造之本案發明之Fe-Pt系強磁性材濺鍍靶作為於磁記錄媒體之磁性體薄膜、尤其是顆粒型磁記錄層之成膜中所使用之靶有用。尤其可獲得如下優異之效果：可抑制母材合金與氧化物之相互選擇及特性較為重要且含有氧化物之濺鍍靶於成膜時易產生的顆粒之產生。
[產業上之可利用性]
本發明提供上述磁記錄層由Fe-Pt合金等磁性相及使其分離之非磁性相所構成，且利用金屬氧化物作為非磁性相之材料之一的強磁性材濺鍍靶。本發明之強磁性材濺鍍靶具有以下優異之效果：於濺鍍時可抑制金屬氧化物之意外脫離、或由以於靶中所含有之空隙為起點之異常放電所引起的顆粒產生，提高金屬氧化物與母材合金之密合性，進而使濺鍍靶高密度化。因此，對於磁記錄媒體之磁性體薄膜、尤其是顆粒型磁記錄層之成膜用強磁性材濺鍍靶有用。

Claims (11)

  1. 一種Fe-Pt系強磁性材濺鍍靶，其係由Pt為5mol%以上、60mol%以下，剩餘為Fe之組成的金屬與金屬氧化物所構成，且相對密度為97%以上。
  2. 如申請專利範圍第1項之Fe-Pt系強磁性材濺鍍靶，其中，金屬氧化物對於熔融金屬之潤濕性的值為25(J/molK)以下。
  3. 如申請專利範圍第1項之Fe-Pt系強磁性材濺鍍靶，其中，金屬氧化物之含有比例為15~70vol%。
  4. 如申請專利範圍第2項之Fe-Pt系強磁性材濺鍍靶，其中，金屬氧化物之含有比例為15~70vol%。
  5. 如申請專利範圍第1至4項中任一項之Fe-Pt系強磁性材濺鍍靶，其中，於金屬基質中分散有0.1~50μm粒徑之金屬氧化物。
  6. 如申請專利範圍第1至4項中任一項之Fe-Pt系強磁性材濺鍍靶，其中，該金屬氧化物為選自Zr、Mg、Ti、Al、B、Ta、Nb、Zn、Si、Cr、Mn、Ga中之一種以上之氧化物。
  7. 如申請專利範圍第5項之Fe-Pt系強磁性材濺鍍靶，其中，該金屬氧化物為選自Zr、Mg、Ti、Al、B、Ta、Nb、Zn、Si、Cr、Mn、Ga中之一種以上之氧化物。
  8. 如申請專利範圍第1至4項中任一項之Fe-Pt系強磁性材濺鍍靶，其含有0.5mol%以上、20mol%以下之選自B、C、Ru、Ag、Au、Cu中之一種元素以上作為添加元素。
  9. 如申請專利範圍第5項之Fe-Pt系強磁性材濺鍍靶，其含有0.5mol%以上、20mol%以下之選自B、C、Ru、Ag、Au、Cu中之一種元素以上作為添加元素。
  10. 如申請專利範圍第6項之Fe-Pt系強磁性材濺鍍靶，其含有0.5mol%以上、20mol%以下之選自B、C、Ru、Ag、Au、Cu中之一種元素以上作為添加元素。
  11. 如申請專利範圍第7項之Fe-Pt系強磁性材濺鍍靶，其含有0.5mol%以上、20mol%以下之選自B、C、Ru、Ag、Au、Cu中之一種元素以上作為添加元素。
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