WO2012073882A1 - スパッタリングターゲット - Google Patents

スパッタリングターゲット Download PDF

Info

Publication number
WO2012073882A1
WO2012073882A1 PCT/JP2011/077362 JP2011077362W WO2012073882A1 WO 2012073882 A1 WO2012073882 A1 WO 2012073882A1 JP 2011077362 W JP2011077362 W JP 2011077362W WO 2012073882 A1 WO2012073882 A1 WO 2012073882A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
sputtering target
powder
mol
sputtering
sintering
Prior art date
Application number
PCT/JP2011/077362
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
池田　真
Original Assignee
三井金属鉱業株式会社
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Family has litigation
First worldwide family litigation filed litigation Critical https://patents.darts-ip.com/?family=46171814&utm_source=google_patent&utm_medium=platform_link&utm_campaign=public_patent_search&patent=WO2012073882(A1) "Global patent litigation dataset” by Darts-ip is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 International License.
Application filed by 三井金属鉱業株式会社 filed Critical 三井金属鉱業株式会社
Priority to CN201180056488.4A priority Critical patent/CN103228816B/zh
Priority to JP2012546856A priority patent/JP5730903B2/ja
Priority to US13/989,251 priority patent/US9011653B2/en
Priority to SG2013041330A priority patent/SG190918A1/en
Publication of WO2012073882A1 publication Critical patent/WO2012073882A1/ja

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
    • G11B5/84—Processes or apparatus specially adapted for manufacturing record carriers
    • G11B5/851—Coating a support with a magnetic layer by sputtering
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
    • C22C—ALLOYS
    • C22C33/00—Making ferrous alloys
    • C22C33/02—Making ferrous alloys by powder metallurgy
    • C22C33/0257—Making ferrous alloys by powder metallurgy characterised by the range of the alloying elements
    • C22C33/0278—Making ferrous alloys by powder metallurgy characterised by the range of the alloying elements with at least one alloying element having a minimum content above 5%
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/34—Sputtering
    • C23C14/3407—Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target
    • C23C14/3414—Metallurgical or chemical aspects of target preparation, e.g. casting, powder metallurgy
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B22—CASTING; POWDER METALLURGY
    • B22F—WORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
    • B22F2998/00—Supplementary information concerning processes or compositions relating to powder metallurgy
    • B22F2998/10—Processes characterised by the sequence of their steps
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
    • H01F41/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties
    • H01F41/14—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties for applying magnetic films to substrates
    • H01F41/18—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties for applying magnetic films to substrates by cathode sputtering
    • H01F41/183—Sputtering targets therefor

Definitions

  • the present invention relates to a sputtering target, and more particularly to a high-density sputtering target containing Fe, Pt, Ag and C and capable of forming a magnetic recording film without requiring a large-scale apparatus.
  • FePt-based thin film has been proposed as a next-generation magnetic recording film replacing the CoPt-based thin film.
  • FePt-based thin films have the advantage of higher magnetic anisotropy than CoPt-based thin films.
  • the FePt-based thin film has disadvantages that the structure of the FePt-based thin film becomes irregular and the magnetic properties are deteriorated due to excessive particles.
  • Patent Document 1 discloses a technique for obtaining an FePtC-based magnetic recording film having excellent magnetic properties by simultaneously sputtering Fe, Pt and C alone as well as a sputtering target.
  • This problem can be solved by producing a sputtering target containing all elements constituting the magnetic recording film such as Fe, Pt and C. If this sputtering target is used, it is only necessary to sputter one sputtering target, so there is no need for a plurality of cathodes to install the sputtering target, and no FePtC magnetic recording is required without requiring a large-scale apparatus. A membrane can be obtained.
  • the present invention has been made to solve the above-described problems, and provides a sputtering target capable of obtaining a high-performance FePtC magnetic recording film having a high density even if it contains carbon at a high concentration.
  • the purpose is to do.
  • the present invention for achieving the above object is a sputtering target characterized by containing Fe, Pt, Ag and C.
  • the ratio of the content of Ag to the total content of Fe, Pt and Ag is preferably 1 to 20 mol%, Preferably, it is produced by firing raw material powder containing Fe powder, Pt powder, Ag powder and C powder, The density is preferably 90% or more.
  • the sputtering target of the present invention contains Ag in addition to Fe, Pt and C.
  • the sputtering target of the present invention has a high density.
  • the amount of gas released from the sputtering target can be reduced, and the characteristics of the thin film formed by sputtering can be improved.
  • the sputtering target of this invention is manufactured by low-temperature sintering, it becomes high density.
  • FIG. 1 is an X-ray diffraction pattern of the sputtering target obtained in Examples 1 to 5.
  • FIG. 2 is an X-ray diffraction pattern of the sputtering target obtained in Comparative Examples 1-6.
  • the sputtering target of the present invention contains Fe, Pt, Ag and C. That is, the sputtering target of the present invention is one in which Ag is newly added to a FePtC-based sputtering target that has been conventionally studied.
  • the density of the sputtering target can be increased.
  • the reason why the density of the sputtering target increases when Ag is contained is considered as follows.
  • a mixed powder composed of Fe powder and Pt powder is fired, Fe and Pt are solidified and the components are densely packed, so that a high-density sputtering target is obtained.
  • C inhibits solid solution of Fe and Pt, and the components are not clogged densely. Is considered difficult to obtain.
  • the sputtering target of the present invention consists of Fe, Pt, Ag and C, and may contain other inevitable impurities.
  • the content of Ag is preferably 1 to 20 mol% and more preferably 5 to 17 mol% with respect to the total content of Fe, Pt and Ag.
  • the content of Ag is within the above range, a high-density sputtering target is easily obtained.
  • the Ag content is less than 1 mol%, the sputtering target may not be sufficiently dense. If it is more than 20 mol%, the magnetic properties of the film formed by sputtering this sputtering target. May decrease.
  • x is preferably 45 to 65, more preferably 49 to 51
  • y is preferably 1 to 20, and more preferably 5 to 17 Z is preferably 13 to 59, and more preferably 32 to 59. If the ratio of Fe, Pt, Ag and C is within the above range, a thin film obtained by sputtering this sputtering target can be used effectively as a magnetic recording film.
  • the relative density of the sputtering target of the present invention is preferably 90% or more, more preferably 95% or more.
  • the relative density is a numerical value measured based on the Archimedes method.
  • the sputtering target according to the present invention is manufactured by preparing a mixed powder by mixing Fe powder, Pt powder, Ag powder and C powder, sintering the powder, and processing the sintered body as necessary. can do.
  • the average particle diameters of Fe powder, Pt powder, Ag powder and C powder measured by the BET (Brunauer-Emmett-Teller) method are usually 10 to 70 ⁇ m, 1 to 4 ⁇ m, 2 to 5 ⁇ m and 3 to 20 ⁇ m, respectively.
  • the ratio of Fe powder, Pt powder, Ag powder and C powder to be mixed is determined so that the ratio of Fe, Pt, Ag and C contained in the obtained sputtering target is within the above range.
  • the mixing method of Fe powder, Pt powder, Ag powder, and C powder is not particularly limited, and examples thereof include mixing by a ball mill.
  • Examples of the method for sintering the mixed powder include sintering by an electric current sintering method and sintering by a hot press (HP) method.
  • the electric current sintering method is particularly preferable.
  • the particles are joined and sintered by discharge between the particles, so that less energy is required and sintering at a lower temperature than the hot press (HP) method is possible. For this reason, it becomes easy to obtain the sintered compact which has a high density and consists of fine particles.
  • the use of a target made of fine particles has an advantage that the uniformity of the formed film is increased.
  • a target composed of coarse particles there is a strong tendency to cause problems such as particle generation.
  • the electric current sintering method is superior to the hot press method or the like.
  • a sintered body having a higher relative density than that of a hot press method or the like can be obtained.
  • the relative density of the sintered body can be improved by performing additional processing on the sintered body. Therefore, even if the relative density of the sintered body obtained by sintering the mixed powder is less than 90%, a target having a relative density of 90% or more is obtained by performing additional processing on the sintered body. It is possible.
  • the density can be improved while maintaining the microstructure.
  • the relative density of the sintered body can be increased by subjecting the sintered body obtained by the hot pressing method to hot isostatic pressing, and even if the relative density of the sintered body is less than 90%, A target having a relative density of 90% or more can be obtained by additional processing by a hydraulic press. If a hot isostatic press is applied to the sintered body obtained by the electric current sintering method, a target having a higher relative density can be obtained.
  • the sintering temperature is usually 700 to 1200 ° C., preferably 900 to 1100 ° C.
  • a sputtering target having a higher density can be obtained as the sintering temperature is higher.
  • the sintering temperature is too high, a target composed of coarse particles is obtained, and problems such as generation of particles are likely to occur during film formation.
  • the sputtering target of the invention has a high density even when the sintering temperature is low.
  • the sputtering target of the present invention can be sputtered in the same manner as a conventional sputtering target for a magnetic recording film.
  • a FePtAgC thin film can be formed by sputtering using the sputtering target of the present invention. This FePtAgC thin film can be used as a magnetic recording film.
  • Examples 1 to 5 [Manufacture of sputtering target] Fe powder having an average particle diameter of 30 ⁇ m, Pt powder having an average particle diameter of 2 ⁇ m, Ag powder having an average particle diameter of 3 ⁇ m, and C powder having an average particle diameter of 7 ⁇ m, each having a content ratio of 18.45 mol%, 18.45 mol%, A mixed powder was prepared by mixing with a ball mill for 1.5 hours at 4.10 mol% and 59.00 mol%. Each average particle diameter is a numerical value measured by the BET method.
  • the obtained mixed powder was sintered under the following conditions using an electric current sintering apparatus to obtain a sintered body having a diameter of 20 mm and a thickness of 5 mm. This sintered body was used as a sputtering target.
  • C 1 to C i indicate the content (% by weight) of the constituent material of the target sintered body, and ⁇ 1 to ⁇ i are the densities of the constituent materials corresponding to C 1 to C i. (G / cm 3 ).
  • FIG. 1 the lower five charts are charts showing the peak positions of C, Ag, Pt, Fe and Fe—Pt (intermetallic compound of Fe and Pt), respectively, from the bottom.
  • the temperature displayed on the right side of FIG. 1 is the sintering temperature.
  • the peak with a black circle is a Pt peak
  • the peak with a black triangle is an Ag peak
  • the peak with a black square is an Fe—Pt peak.
  • the obtained mixed powder was sintered under the above conditions using the same electric sintering apparatus as in Example 1 to obtain a sintered body having a diameter of 20 mm and a thickness of 5 mm.
  • This sintered body was used as a sputtering target.
  • the obtained sputtering target was subjected to measurement of relative density and evaluation of the state after forming the sputtering target by the same method as described above. The results are shown in Table 1.
  • FIG. 2 The obtained diffraction pattern is shown in FIG.
  • the lower four charts are charts showing the peak positions of C, Pt, Fe and Fe—Pt (intermetallic compound of Fe and Pt) from the bottom.
  • the temperature displayed on the right side of FIG. 2 is the sintering temperature.
  • the peak with a black circle is a Pt peak
  • the peak with a black square is an Fe—Pt peak.
  • the sputtering target composed of Fe, Pt, Ag and C (Examples 1 to 5) is compared with the sputtering target composed of Fe, Pt and C (Comparative Examples 1 to 6) sintered at the same temperature.
  • the relative density is high.
  • the relative density cannot be 90% or more unless the sintering temperature is 910 ° C. or higher.
  • the sintering temperature Is 770 ° C. or higher and the relative density is 90% or higher. That is, it can be seen that when Ag is contained in the FePtC-based sputtering target, a high-density sputtering target can be obtained at a lower sintering temperature.
  • the sputtering target made of Fe, Pt, Ag, and C has a higher degree of progress of solid solution of Fe and Pt even at a lower sintering temperature than the sputtering target made of Fe, Pt, and C, and has a high relative density. It turns out that it is obtained. That is, it is considered that Ag promotes solid solution of Fe and Pt, and as a result, increases the relative density of the sputtering target.
  • Example 6 The same procedure as in Example 1 was performed except that the content ratios of Fe powder, Pt powder, Ag powder, and C powder were 19.48 mol%, 19.48 mol%, 2.05 mol%, and 59.00 mol%, respectively. A mixed powder was prepared.
  • the obtained mixed powder was sintered under the same conditions as in Example 1 except that the sintering temperature was set to 1000 ° C. using the same electro-sintering apparatus as in Example 1, and sintered with a diameter of 20 mm and a thickness of 5 mm. A ligature was obtained. This sintered body was used as a sputtering target.
  • Example 7 The relative density of this sputtering target was determined by the same method as in Example 1. The state after molding of the obtained sputtering target was evaluated in the same manner as in Example 1. The results are shown in Table 2. (Example 7) The same operation as in Example 1 was performed except that the content ratios of Fe powder, Pt powder, Ag powder, and C powder were 19.14 mol%, 19.14 mol%, 2.73 mol%, and 59.00 mol%, respectively. A mixed powder was prepared.
  • the obtained mixed powder was sintered under the same conditions as in Example 1 except that the sintering temperature was set to 950 ° C. using the same electro-sintering apparatus as in Example 1, and sintered with a diameter of 20 mm and a thickness of 5 mm. A ligature was obtained. This sintered body was used as a sputtering target.
  • Example 8 The relative density of this sputtering target was determined by the same method as in Example 1. The state after molding of the obtained sputtering target was evaluated in the same manner as in Example 1. The results are shown in Table 2. (Example 8) The same procedure as in Example 1 was performed except that the content ratios of Fe powder, Pt powder, Ag powder, and C powder were 17.77 mol%, 17.77 mol%, 5.47 mol%, and 59.00 mol%, respectively. A mixed powder was prepared.
  • the obtained mixed powder was sintered under the same conditions as in Example 1 except that the sintering temperature was set to 900 ° C. using the same electro-sintering apparatus as in Example 1, and sintered with a diameter of 20 mm and a thickness of 5 mm. A ligature was obtained. This sintered body was used as a sputtering target.
  • Example 9 The same procedure as in Example 1 was performed except that the content ratios of Fe powder, Pt powder, Ag powder, and C powder were 17.09 mol%, 17.09 mol%, 6.83 mol%, and 59.00 mol%, respectively. A mixed powder was prepared.
  • the obtained mixed powder was sintered under the same conditions as in Example 1 except that the sintering temperature was set to 850 ° C. using the same electro-sintering apparatus as in Example 1, and sintered with a diameter of 20 mm and a thickness of 5 mm. A ligature was obtained. This sintered body was used as a sputtering target.
  • Example 10 The relative density of this sputtering target was determined by the same method as in Example 1. The state after molding of the obtained sputtering target was evaluated in the same manner as in Example 1. The results are shown in Table 2. (Example 10) A sintered body was obtained by the same production method as in Example 8. The obtained sintered body was processed under the following conditions using a hot isostatic pressing device to obtain a sputtering target.
  • the sintering temperature should be set appropriately even when the ratio of the Ag content to the total content of Fe, Pt and Ag (y mol%) is changed as described above. It can be seen that an FePtC-based sputtering target having a relative density of 90% or more can be obtained. It can also be seen that a high-density sputtering target can be obtained even at a lower sintering temperature by increasing the ratio of the Ag content (y mol%) to the total content of Fe, Pt and Ag.
  • Example 8 and Example 10 show that the relative density of the sputtering target can be improved by subjecting the FePtC-based sintered body to hot isostatic pressing.

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Powder Metallurgy (AREA)
  • Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
  • Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)

Abstract

　本発明は、ＡｇおよびＣを含有することを特徴とするスパッタリングターゲットである。本発明のスパッタリングターゲットは、Ｆｅ、ＰｔおよびＣに加えてＡｇを含有する。Ａｇを含有することにより本発明のスパッタリングターゲットは高密度になる。その結果、スパッタ時にスパッタリングターゲットを真空雰囲気に設置した際、スパッタリングターゲットから放出されるガスの量を低減させることができ、スパッタにより形成される薄膜の特性を向上させることができる。また、本発明のスパッタリングターゲットは、低温焼結で製造された場合でも高密度になる。

Description

スパッタリングターゲット
　本発明は、スパッタリングターゲットに関し、さらに詳しくは、Ｆｅ、Ｐｔ、ＡｇおよびＣを含有し、大規模な装置を要することなく磁気記録膜を形成することができる高密度のスパッタリングターゲットに関する。
　コンピューター等に搭載されるハードディスク等を構成する磁気記録膜として、従来ＣｏＰｔ系薄膜が用いられ、垂直磁気記録方式により高記録密度化が図られてきた。しかし、近年、高記録密度化の要請がますます強まり、ＣｏＰｔ系薄膜ではその要請に応えることが困難になってきている。
　そこで、ＣｏＰｔ系薄膜に替わる次世代磁気記録膜として、ＦｅＰｔ系薄膜が提案されている。ＦｅＰｔ系薄膜は、ＣｏＰｔ系薄膜に比較して磁気異方性が高い利点を有する。その一方、ＦｅＰｔ系薄膜は、これを構成する粒子が過大になることによって、構造が不規則になり、磁気特性が低下する短所がある。
　このため、ＦｅＰｔ系薄膜に炭素などを添加することにより磁気特性を制御する技術が検討されている。
　特許文献１には、Ｆｅ、ＰｔおよびＣ単体の他スパッタリングターゲットを同時にスパッタすることにより、磁気特性に優れたＦｅＰｔＣ系の磁気記録膜を得る技術が開示されている。
　しかし、この技術は、３種類のスパッタリングターゲットを用いた三元同時スパッタを行うため、スパッタリングターゲットを設置するためのカソードが３個以上必要になり、装置が大規模になるなどの問題点があった。
　この問題は、Ｆｅ、ＰｔおよびＣなど磁気記録膜を構成するすべての元素を含有したスパッタリングターゲットを作製することにより解決することができる。このスパッタリングターゲットを用いれば、1個のスパッタリングターゲットをスパッタすればよいので、スパッタリングターゲットを設置するために複数個のカソードが必要になることはなく、大規模な装置を要することなくＦｅＰｔＣ系磁気記録膜を得ることができる。
　しかし、スパッタリングターゲット中の炭素が高濃度になるとスパッタリングターゲットの密度を高くすることが困難になる。スパッタリングターゲットの密度が低いと、スパッタ時にスパッタリングターゲットを真空雰囲気に設置した際、スパッタリングターゲットから放出されるガスの量が増大し、スパッタにより形成される薄膜の特性を低下させる問題を生じる。
特許第３９５０８３８号公報
　本発明は、前記の問題点を解決するためになされたものであり、炭素を高濃度で含有していても密度が高く、高性能のＦｅＰｔＣ系磁気記録膜を得ることのできるスパッタリングターゲットを提供することを目的とする。
　前記目的を達成する本発明は、Ｆｅ、Ｐｔ、ＡｇおよびＣを含有することを特徴とするスパッタリングターゲットである。
　前記スパッタリングターゲットにおいては、Ｆｅ、ＰｔおよびＡｇの含有量の合計に対するＡｇの含有量の比率が１～２０モル％であることが好ましく、
　Ｆｅ粉末、Ｐｔ粉末、Ａｇ粉末およびＣ粉末を含有する原料粉末を焼成して製造されることが好ましく、また、
　密度が９０％以上であることが好ましい。
　本発明のスパッタリングターゲットは、Ｆｅ、ＰｔおよびＣに加えてＡｇを含有する。Ａｇを含有することにより本発明のスパッタリングターゲットは高密度になる。その結果、スパッタ時にスパッタリングターゲットを真空雰囲気に設置した際、スパッタリングターゲットから放出されるガスの量を低減させることができ、スパッタにより形成される薄膜の特性を向上させることができる。また、本発明のスパッタリングターゲットは、低温焼結で製造された場合でも高密度になる。
図１は、実施例１～５で得られたスパッタリングターゲットのＸ線回折パターンである。 図２は、比較例１～６で得られたスパッタリングターゲットのＸ線回折パターンである。
　本発明のスパッタリングターゲットは、Ｆｅ、Ｐｔ、ＡｇおよびＣを含有する。つまり、本発明のスパッタリングターゲットは、従来検討されていたＦｅＰｔＣ系のスパッタリングターゲットに新たにＡｇを含有させたものである。
　スパッタリングターゲットに、Ｆｅ、ＰｔおよびＣに加えてＡｇを含有させると、スパッタリングターゲットの密度を高くすることができる。Ａｇを含有するとスパッタリングターゲットの密度が高くなる理由は次のように考えられる。Ｆｅ粉末およびＰｔ粉末からなる混合粉末を焼成すると、ＦｅとＰｔとが固溶化していき、成分が密に詰まるため、高密度のスパッタリングターゲットが得られる。一方、Ｆｅ粉末、Ｐｔ粉末およびＣ粉末からなる混合粉末を焼成すると、ＣがＦｅとＰｔとの固溶化を阻害し、成分が密に詰まらなくなるため、ＦｅＰｔＣ系の場合には高密度のスパッタリングターゲットが得られにくいと考えられる。Ｆｅ粉末、Ｐｔ粉末、Ｃ粉末およびＡｇ粉末からなる混合粉末を焼成した場合には、Ｃが存在していても、ＡｇがＦｅとＰｔとの固溶化を促進させるため、成分が密に詰まり、高密度のスパッタリングターゲットが得られると考えられる。以上のことについては、後述の実施例において具体的に詳述する。
　本発明のスパッタリングターゲットは、Ｆｅ、Ｐｔ、ＡｇおよびＣからなり、その他不可避的不純物が含有される場合がある。
　Ａｇの含有量は、Ｆｅ、ＰｔおよびＡｇの含有量の合計に対して、１～２０モル％であることが好ましく、５～１７モル％であることがより好ましい。Ａｇの含有量が前記範囲内であると、高密度のスパッタリングターゲットになりやすくなる。一方、Ａｇの含有量が１モル％より少ないと、スパッタリングターゲットが十分には高密度にならない場合があり、２０モル％より多いと、本スパッタリングターゲットをスパッタリングすることにより形成される膜の磁気特性が低下する場合がある。
　本発明のスパッタリングターゲットに含まれるＦｅ、Ｐｔ、ＡｇおよびＣの比率としては、本発明のスパッタリングターゲットの組成を[（ＦｅxＰｔ100-x）100-y－Ａｇy]100-z－Ｃz（ｘ、ｙ、ｚ：モル％）と表記した場合、ｘが好ましくは４５～６５であり、より好ましくは４９～５１であり、ｙが好ましくは１～２０であり、より好ましくは５～１７であり、Ｚが好ましくは１３～５９であり、より好ましくは３２～５９である。Ｆｅ、Ｐｔ、ＡｇおよびＣの比率が前記範囲であれば、このスパッタリングターゲットをスパッタして得られる薄膜は磁気記録膜として有効に使用することができる。
　本発明のスパッタリングターゲットの相対密度は、好ましくは９０％以上であり、より好ましくは９５％以上である。相対密度が９０％以上であると、スパッタ時にスパッタリングターゲットを真空雰囲気に設置した際、スパッタリングターゲットから放出されるガスの量を低減させることができ、スパッタにより形成される薄膜の特性を向上させることができる。前記相対密度はアルキメデス法に基づき測定された数値である。
　本発明に係るスパッタリングターゲットは、Ｆｅ粉末、Ｐｔ粉末、Ａｇ粉末およびＣ粉末を混合して混合粉末を調製し、これを焼結し、さらに必要に応じて焼結体に加工を施すことにより製造することができる。
　Ｆｅ粉末、Ｐｔ粉末、Ａｇ粉末およびＣ粉末のＢＥＴ(Brunauer-Emmett-Teller)法で測定された平均粒径は、通常それぞれ１０～７０μｍ、１～４μｍ、２～５μｍおよび３～２０μｍである。
　混合するＦｅ粉末、Ｐｔ粉末、Ａｇ粉末およびＣ粉末の割合は、得られるスパッタリングターゲット中に含まれるＦｅ、Ｐｔ、ＡｇおよびＣの比率が前記範囲内になるように決定される。
　Ｆｅ粉末、Ｐｔ粉末、Ａｇ粉末およびＣ粉末の混合方法としては特に制限はなく、例えばボールミル等による混合が挙げられる。
　混合粉末の焼結方法としては、たとえば通電焼結法による焼結およびホットプレス（ＨＰ）法による焼結等が挙げられる。
　これらの中で、通電焼結法が特に好ましい。通電焼結法では、粒子間の放電によって粒子同士を接合および焼結させるため、必要なエネルギーが少なく、ホットプレス（ＨＰ）法などよりも低温での焼結が可能である。このため、密度が高く、細かい粒子からなる焼結体が得られやすくなる。
　一方、ホットプレス法では、外部からの加熱によって焼結させるため、多くのエネルギーを要し、高温で焼結しないと密度の高い焼結体が得られない。このため、粗大な粒子からなる焼結体が形成される傾向が強い。
　一般的には、細かい粒子からなるターゲットを用いたほうが、形成される膜の均一性が高くなるというメリットがある。一方、粗大な粒子からなるターゲットを用いると、パーティクル発生などの問題を引き起こす傾向が強い。この点において、通電焼結法はホットプレス法などよりも優れている。
　上述のとおり、通電焼結法を用いると、ホットプレス法などに比較して相対密度の高い焼結体が得られる。たとえば、通電焼結法を用いると相対密度９０％以上の焼結体を得ることは容易であるが、ホットプレス法を用いると相対密度９０％以上の焼結体を得ることは困難である。
　ただし、焼結体に追加工を施すことにより焼結体の相対密度を向上させることができる。したがって、混合粉末を焼結して得られた焼結体の相対密度が９０％未満であったとしても、その焼結体に追加工を施すことにより相対密度が９０％以上であるターゲットを得ることは可能である。
　前記追加工としては熱間静水圧プレス（ＨＩＰ）等が挙げられる。熱間静水圧プレスで焼結体に追加工を行うことにより，微細組織を保ちながら密度を向上させることができる。たとえば、ホットプレス法により得られた焼結体に熱間静水圧プレスを施すことにより焼結体の相対密度を高めることができ、焼結体の相対密度９０％未満であっても熱間静水圧プレスによる追加工により相対密度９０％以上のターゲットを得ることができる。通電焼結法により得られた焼結体に熱間静水圧プレスを施せば、さらに相対密度が高いターゲットを得ることができる。
　焼結温度としては、通常７００～１２００℃であり、好ましくは９００～１１００℃である。焼結温度が高いほど密度の高いスパッタリングターゲットが得られるが、焼結温度が高すぎると、粗大な粒子からなるターゲットが得られ、成膜時にパーティクル発生などの問題が生じやすくなる。
　発明のスパッタリングターゲットは、焼結温度が低い場合であっても高密度となる。
　本発明のスパッタリングターゲットは、従来の磁気記録膜用スパッタリングターゲットと同様にスパッタすることができる。
　本発明のスパッタリングターゲットを用いてスパッタすることにより、ＦｅＰｔＡｇＣ薄膜を形成することができる。このＦｅＰｔＡｇＣ薄膜は磁気記録膜として使用することができる。
　（実施例１～５）
　［スパッタリングターゲットの製造］
　平均粒径３０μｍのＦｅ粉末、平均粒径２μｍのＰｔ粉末、平均粒径３μｍのＡｇ粉末および平均粒径７μｍのＣ粉末を、それぞれの含有比率が１８．４５モル％、１８．４５モル％、４．１０モル％および５９．００モル％となるようにボールミルで１．５時間混合して、混合粉末を調製した。前記各平均粒径はＢＥＴ法により測定された数値である。
　得られた混合粉末を、通電焼結装置を用いて下記の条件で焼結して、直径２０ｍｍ、厚み５ｍｍの焼結体を得た。この焼結体をスパッタリングターゲットとした。実施例１～５で得られたスパッタリングターゲットの組成を[（ＦｅxＰｔ100-x）100-y－Ａｇy]100-z－Ｃz（ｘ、ｙ、ｚ：モル％）と表記した場合、いずれのスパッタリングターゲットについてもｘ＝５０、ｙ＝１０、ｚ＝５９であった。
　＜焼結条件＞
　　焼結雰囲気：真空
　　昇温時間：１０ｍｉｎ
　　焼結温度：表１の通り
　　焼結保持時間：１０ｍｉｎ
　　圧力：０．４ｔ／ｃｍ2
　　降温：自然炉冷
　［相対密度の測定］
　得られたスパッタリングターゲットの相対密度をアルキメデス法に基づき測定した。具体的には、スパッタリングターゲットの空中重量を、体積（＝スパッタリングターゲット焼結体の水中重量/計測温度における水比重）で除し、下記式（Ｘ）に基づく理論密度ρ（ｇ／ｃｍ3）に対する百分率の値を相対密度（単位：％）とした。結果を表１に示した。
Figure JPOXMLDOC01-appb-M000001
　（式（Ｘ）中、Ｃ1～Ｃiはそれぞれターゲット焼結体の構成物質の含有量（重量％）を示し、ρ1～ρiはＣ1～Ｃiに対応する各構成物質の密度（ｇ/ｃｍ3）を示す。）。
　［スパッタリングターゲットの成形後の状態の評価］
　得られたスパッタリングターゲットの状態を肉眼で観察し、スパッタリングターゲットの成形後の状態を評価した。
　結果を表１に示した。表１中、「溶け出し」とは、昇温時に粒子が溶融し、型の隙間から漏れ出して、固まったことを意味する。「端部欠け」とは、スパッタリングターゲットに指で力を加えたときに、スパッタリングターゲットの端部が欠けたことを意味する。「溶け出し」および「端部欠け」がなかった場合には空欄とした。
　［Ｘ線回折測定］
　得られたスパッタリングターゲットに対し、以下の条件でＸ線回折測定を行った。
測定方法：２θ／θ法
サンプリング幅：０．０２°
スキャンスピード：４°／ｍｉｎ
管球：Ｃｕ
　得られた回折パターンを図１に示した。図１において、下側の５つのチャートは、下からそれぞれＣ、Ａｇ、Ｐｔ、ＦｅおよびＦｅ－Ｐｔ（ＦｅとＰｔとの金属間化合物）のピーク位置を示すチャートである。図１の右側に表示した温度は焼結温度である。図１中、黒丸を付したピークはＰｔのピークであり、黒三角を付したピークはＡｇのピークであり、黒四角を付したピークはＦｅ－Ｐｔのピークである。
　（比較例１～６）
　［スパッタリングターゲットの製造］
　平均粒径３０μｍのＦｅ粉末、平均粒径２μｍのＰｔ粉末および平均粒径７μｍのＣ粉末を、それぞれの含有比率が２０．５モル％、２０．５モル％および５９モル％となるようにボールミルで１．５時間混合して、混合粉末を調製した。前記各平均粒径はＢＥＴ法により測定された数値である。
　得られた混合粉末を、実施例１と同じ通電焼結装置を用いて上記の条件で焼結して、直径２０ｍｍ、厚み５ｍｍの焼結体を得た。この焼結体をスパッタリングターゲットとした。このスパッタリングターゲットの組成を（ＦｅxＰｔ100-x）100-y－Ｃy（ｘ、ｙ：モル％）と表記した場合、ｘ＝５０、ｙ＝５９であった。
　得られたスパッタリングターゲットに対し、上記と同様の方法で相対密度の測定およびスパッタリングターゲットの成形後の状態の評価を行った。結果を表１に示した。
　得られたスパッタリングターゲットに対し、上記と同様の方法でＸ線回折測定を行った。
　得られた回折パターンを図２に示した。図２において、下側の４つのチャートは、下からそれぞれＣ、Ｐｔ、ＦｅおよびＦｅ－Ｐｔ（ＦｅとＰｔとの金属間化合物）のピーク位置を示すチャートである。図２の右側に表示した温度は焼結温度である。図２中、黒丸を付したピークはＰｔのピークであり、黒四角を付したピークはＦｅ－Ｐｔのピークである。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000002




　表１から、Ｆｅ、Ｐｔ、ＡｇおよびＣからなるスパッタリングターゲット（実施例１～５）は、同じ温度で焼結されたＦｅ、ＰｔおよびＣからなるスパッタリングターゲット（比較例１～６）に比較して、相対密度が高いことがわかる。また、Ｆｅ、ＰｔおよびＣからなるスパッタリングターゲットの場合、焼結温度が９１０℃以上でないと相対密度は９０％以上にならないが、Ｆｅ、Ｐｔ、ＡｇおよびＣからなるスパッタリングターゲットの場合、焼結温度が７７０℃以上で相対密度が９０％以上になる。つまり、ＦｅＰｔＣ系スパッタリングターゲットにおいてＡｇを含有させると、より低い焼結温度で高密度のスパッタリングターゲットが得られることがわかる。
　図１および図２より、スパッタリングターゲット中の各成分の存在状態が確認される。
　図２において、焼結温度が９１０℃以下である場合、Ｐｔのピークが確認され、Ｆｅ－Ｐｔ（ＦｅとＰｔとの金属間化合物）のピークは小さいことから、ＦｅとＰｔとの固溶化が十分には進んでいないことがわかる。一方、焼結温度が９６０℃以上である場合、Ｐｔのピークは確認されず、Ｆｅ－Ｐｔの大きなピークが確認されることから、ＦｅとＰｔとの固溶化が十分に進んでいることがわかる。
　図１において、焼結温度が７７０℃である場合、Ｐｔのピークが確認されるが、図１における同じ焼結温度のチャートに比べ、Ｐｔのピークは小さく、Ｆｅ－Ｐｔのピークは大きい。一方、焼結温度が９１０℃以上である場合、Ｐｔのピークは確認されず、ＦｅとＰｔとの固溶化が十分に進んでいることがわかる。
　図１および図２において、ＡｇおよびＣのピークの大きさは焼結温度には依存せず、各焼結温度のチャートでほぼ同じ大きさのピークが確認される。このことから、ＡｇおよびＣは固溶化せず、それぞれ単独で存在しているものと考えられる。
　以上より、Ｆｅ、Ｐｔ、ＡｇおよびＣからなるスパッタリングターゲット、Ｆｅ、ＰｔおよびＣからなるスパッタリングターゲットとも、焼結温度が高い場合ほどＦｅとＰｔとの固溶化が進行し、相対密度が高くなることがわかる。Ｆｅ、Ｐｔ、ＡｇおよびＣからなるスパッタリングターゲットは、Ｆｅ、ＰｔおよびＣからなるスパッタリングターゲットと比較して、低い焼結温度でもＦｅとＰｔとの固溶化の進行の程度が大きく、高い相対密度が得られることがわかる。すなわち、ＡｇがＦｅとＰｔとの固溶化を促進させ、その結果、スパッタリングターゲットの相対密度を高めているものと考えられる。

（実施例６）
　Ｆｅ粉末、Ｐｔ粉末、Ａｇ粉末、Ｃ粉末それぞれの含有比率を１９．４８モル％、１９．４８モル％、２．０５モル％、５９．００モル％とした以外は実施例１と同様に行い、混合粉末を調製した。
　得られた混合粉末を、実施例１と同じ通電焼結装置を用いて、焼結温度を１０００℃としたこと以外は実施例１と同じ条件で焼結して、直径２０ｍｍ、厚み５ｍｍの焼結体を得た。この焼結体をスパッタリングターゲットとした。このスパッタリングターゲットの組成を[（ＦｅxＰｔ100-x）100-y－Ａｇy]100-z－Ｃz（ｘ、ｙ、ｚ：モル％）と表記した場合、ｘ＝５０、ｙ＝５、ｚ＝５９であった。
　このスパッタリングターゲットの相対密度を、実施例１と同様の方法で求めた。得られたスパッタリングターゲットの成形後の状態を、実施例１と同様の方法で評価した。結果を表２に示した。
（実施例７）
　Ｆｅ粉末、Ｐｔ粉末、Ａｇ粉末、Ｃ粉末それぞれの含有比率を１９．１４モル％、１９．１４モル％、２．７３モル％、５９．００モル％とした以外は実施例１と同様に行い、混合粉末を調製した。
　得られた混合粉末を、実施例１と同じ通電焼結装置を用いて、焼結温度を９５０℃としたこと以外は実施例１と同じ条件で焼結して、直径２０ｍｍ、厚み５ｍｍの焼結体を得た。この焼結体をスパッタリングターゲットとした。このスパッタリングターゲットの組成を[（ＦｅxＰｔ100-x）100-y－Ａｇy]100-z－Ｃz（ｘ、ｙ、ｚ：モル％）と表記した場合、ｘ＝５０、ｙ＝６．６７、ｚ＝５９であった。
　このスパッタリングターゲットの相対密度を、実施例１と同様の方法で求めた。得られたスパッタリングターゲットの成形後の状態を、実施例１と同様の方法で評価した。結果を表２に示した。
（実施例８）
　Ｆｅ粉末、Ｐｔ粉末、Ａｇ粉末、Ｃ粉末それぞれの含有比率を１７．７７モル％、１７．７７モル％、５．４７モル％、５９．００モル％とした以外は実施例１と同様に行い、混合粉末を調製した。
　得られた混合粉末を、実施例１と同じ通電焼結装置を用いて、焼結温度を９００℃としたこと以外は実施例１と同じ条件で焼結して、直径２０ｍｍ、厚み５ｍｍの焼結体を得た。この焼結体をスパッタリングターゲットとした。このスパッタリングターゲットの組成を[（ＦｅxＰｔ100-x）100-y－Ａｇy]100-z－Ｃz（ｘ、ｙ、ｚ：モル％）と表記した場合、ｘ＝５０、ｙ＝１３．３３、ｚ＝５９であった。
　このスパッタリングターゲットの相対密度を、実施例１と同様の方法で求めた。得られたスパッタリングターゲットの成形後の状態を、実施例１と同様の方法で評価した。結果を表２に示した。
（実施例９）
　Ｆｅ粉末、Ｐｔ粉末、Ａｇ粉末、Ｃ粉末それぞれの含有比率を１７．０９モル％、１７．０９モル％、６．８３モル％、５９．００モル％とした以外は実施例１と同様に行い、混合粉末を調製した。
　得られた混合粉末を、実施例１と同じ通電焼結装置を用いて、焼結温度を８５０℃としたこと以外は実施例１と同じ条件で焼結して、直径２０ｍｍ、厚み５ｍｍの焼結体を得た。この焼結体をスパッタリングターゲットとした。このスパッタリングターゲットの組成を[（ＦｅxＰｔ100-x）100-y－Ａｇy]100-z－Ｃz（ｘ、ｙ、ｚ：モル％）と表記した場合、ｘ＝５０、ｙ＝１６．６７、ｚ＝５９であった。
　このスパッタリングターゲットの相対密度を、実施例１と同様の方法で求めた。得られたスパッタリングターゲットの成形後の状態を、実施例１と同様の方法で評価した。結果を表２に示した。

（実施例１０）
　実施例８と同様の製法で焼結体を得た。得られた焼結体を、熱間静水圧プレス装置を用い、以下の条件で処理して、スパッタリングターゲットを得た。
＜処理条件＞
雰囲気：アルゴン
温度： ９００℃
圧力：１１８ＭＰａ
　このスパッタリングターゲットの組成を[（ＦｅxＰｔ100-x）100-y－Ａｇy]100-z－Ｃz（ｘ、ｙ、ｚ：モル％）と表記した場合、ｘ＝５０、ｙ＝１３．３３、ｚ＝５９であった。
　このスパッタリングターゲットの相対密度を、実施例１と同様の方法で求めた。得られたスパッタリングターゲットの成形後の状態を、実施例１と同様の方法で評価した。結果を表２に示した。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000003

　表１および表２より、Ｆｅ、ＰｔおよびＡｇの含有量の合計に対するＡｇの含有量の比率（ｙモル％）を上記のように変化させた場合にも、焼結温度を適切に設定することにより、相対密度が９０％以上のＦｅＰｔＣ系スパッタリングターゲットが得られることがわかる。また、Ｆｅ、ＰｔおよびＡｇの含有量の合計に対するＡｇの含有量の比率（ｙモル％）を増大させることにより、より低い焼結温度でも高密度のスパッタリングターゲットが得られることがわかる。
　また、実施例８および実施例１０の結果より、ＦｅＰｔＣ系焼結体に熱間静水圧プレスを施すことにより、スパッタリングターゲットの相対密度を向上させることができることがわかる。

Claims (4)

  1. 　Ｆｅ、Ｐｔ、ＡｇおよびＣを含有することを特徴とするスパッタリングターゲット。
  2. 　Ｆｅ、ＰｔおよびＡｇの含有量の合計に対するＡｇの含有量の比率が１～２０モル％であることを特徴とする請求項１に記載のスパッタリングターゲット。
  3. 　Ｆｅ粉末、Ｐｔ粉末、Ａｇ粉末およびＣ粉末を含有する原料粉末を焼成して製造されることを特徴とする請求項１または２に記載のスパッタリングターゲット。
  4. 　密度が９０％以上であることを特徴とする請求項１～３のいずれかに記載のスパッタリングターゲット。
PCT/JP2011/077362 2010-11-29 2011-11-28 スパッタリングターゲット WO2012073882A1 (ja)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201180056488.4A CN103228816B (zh) 2010-11-29 2011-11-28 溅射靶
JP2012546856A JP5730903B2 (ja) 2010-11-29 2011-11-28 スパッタリングターゲット
US13/989,251 US9011653B2 (en) 2010-11-29 2011-11-28 Sputtering target
SG2013041330A SG190918A1 (en) 2010-11-29 2011-11-28 Sputtering target

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2010-265037 2010-11-29
JP2010265037 2010-11-29

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2012073882A1 true WO2012073882A1 (ja) 2012-06-07

Family

ID=46171814

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2011/077362 WO2012073882A1 (ja) 2010-11-29 2011-11-28 スパッタリングターゲット

Country Status (6)

Country Link
US (1) US9011653B2 (ja)
JP (1) JP5730903B2 (ja)
CN (1) CN103228816B (ja)
MY (1) MY156941A (ja)
SG (1) SG190918A1 (ja)
WO (1) WO2012073882A1 (ja)

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2013175884A1 (ja) * 2012-05-22 2013-11-28 Jx日鉱日石金属株式会社 Ｃ粒子が分散したＦｅ－Ｐｔ－Ａｇ－Ｃ系スパッタリングターゲット及びその製造方法
WO2013190943A1 (ja) * 2012-06-18 2013-12-27 Jx日鉱日石金属株式会社 磁気記録膜用スパッタリングターゲット
WO2014024519A1 (ja) * 2012-08-10 2014-02-13 三井金属鉱業株式会社 焼結体およびスパッタリングターゲット
WO2014171161A1 (ja) * 2013-04-15 2014-10-23 Jx日鉱日石金属株式会社 スパッタリングターゲット
US20150107411A1 (en) * 2012-08-31 2015-04-23 Jx Nippon Mining & Metals Corporation Fe-Based Magnetic Material Sintered Compact
JP5973056B2 (ja) * 2013-03-11 2016-08-23 Ｊｘ金属株式会社 磁気記録膜形成用スパッタリングターゲットの製造方法
US10186404B2 (en) 2013-03-01 2019-01-22 Tanaka Kikinzoku Kogyo K.K. FePt—C-based sputtering target and method for manufacturing same

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003313659A (ja) * 2002-04-22 2003-11-06 Toshiba Corp 記録媒体用スパッタリングターゲットと磁気記録媒体
JP2004152471A (ja) * 2002-10-29 2004-05-27 Korea Advanced Inst Of Sci Technol ＦｅＰｔＣ薄膜を利用した高密度磁気記録媒体及びその製造方法
JP2006161082A (ja) * 2004-12-03 2006-06-22 Ishifuku Metal Ind Co Ltd スパッタリングターゲットの製造方法
JP2008060347A (ja) * 2006-08-31 2008-03-13 Ishifuku Metal Ind Co Ltd 磁性薄膜
JP2008169464A (ja) * 2007-01-08 2008-07-24 Heraeus Inc スパッタターゲット及びその製造方法

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101513672B (zh) * 2005-02-01 2011-09-14 东曹株式会社 成型模
CN1822114A (zh) 2006-03-10 2006-08-23 北京科技大学 一种制备FePt/Ag高密度磁记录介质材料的方法
WO2012014504A1 (ja) * 2010-07-29 2012-02-02 Jx日鉱日石金属株式会社 磁気記録膜用スパッタリングターゲット及びその製造方法
JP5226155B2 (ja) * 2010-08-31 2013-07-03 Ｊｘ日鉱日石金属株式会社 Ｆｅ−Ｐｔ系強磁性材スパッタリングターゲット

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003313659A (ja) * 2002-04-22 2003-11-06 Toshiba Corp 記録媒体用スパッタリングターゲットと磁気記録媒体
JP2004152471A (ja) * 2002-10-29 2004-05-27 Korea Advanced Inst Of Sci Technol ＦｅＰｔＣ薄膜を利用した高密度磁気記録媒体及びその製造方法
JP2006161082A (ja) * 2004-12-03 2006-06-22 Ishifuku Metal Ind Co Ltd スパッタリングターゲットの製造方法
JP2008060347A (ja) * 2006-08-31 2008-03-13 Ishifuku Metal Ind Co Ltd 磁性薄膜
JP2008169464A (ja) * 2007-01-08 2008-07-24 Heraeus Inc スパッタターゲット及びその製造方法

Cited By (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5705993B2 (ja) * 2012-05-22 2015-04-22 Jx日鉱日石金属株式会社 Ｃ粒子が分散したＦｅ−Ｐｔ−Ａｇ−Ｃ系スパッタリングターゲット及びその製造方法
WO2013175884A1 (ja) * 2012-05-22 2013-11-28 Jx日鉱日石金属株式会社 Ｃ粒子が分散したＦｅ－Ｐｔ－Ａｇ－Ｃ系スパッタリングターゲット及びその製造方法
US20140360871A1 (en) * 2012-05-22 2014-12-11 Jx Nippon Mining & Metals Corporation Fe-Pt-Ag-C-Based Sputtering Target Having C Grains Dispersed Therein, and Method for Producing Same
WO2013190943A1 (ja) * 2012-06-18 2013-12-27 Jx日鉱日石金属株式会社 磁気記録膜用スパッタリングターゲット
US20140346039A1 (en) * 2012-06-18 2014-11-27 Jx Nippon Mining & Metals Corporation Sputtering Target for Magnetic Recording Film
US9540724B2 (en) * 2012-06-18 2017-01-10 Jx Nippon Mining & Metals Corporation Sputtering target for magnetic recording film
WO2014024519A1 (ja) * 2012-08-10 2014-02-13 三井金属鉱業株式会社 焼結体およびスパッタリングターゲット
CN104540977A (zh) * 2012-08-10 2015-04-22 三井金属矿业株式会社 烧结体以及溅射靶
US10090012B2 (en) * 2012-08-31 2018-10-02 Jx Nippon Mining & Metals Corporation Fe-bases magnetic material sintered compact
US20150107411A1 (en) * 2012-08-31 2015-04-23 Jx Nippon Mining & Metals Corporation Fe-Based Magnetic Material Sintered Compact
US10186404B2 (en) 2013-03-01 2019-01-22 Tanaka Kikinzoku Kogyo K.K. FePt—C-based sputtering target and method for manufacturing same
JP5973056B2 (ja) * 2013-03-11 2016-08-23 Ｊｘ金属株式会社 磁気記録膜形成用スパッタリングターゲットの製造方法
JP2016173871A (ja) * 2013-03-11 2016-09-29 Ｊｘ金属株式会社 磁気記録膜形成用スパッタリングターゲット及び該ターゲットの製造に用いる炭素原料
WO2014171161A1 (ja) * 2013-04-15 2014-10-23 Jx日鉱日石金属株式会社 スパッタリングターゲット
JP5944580B2 (ja) * 2013-04-15 2016-07-05 Ｊｘ金属株式会社 スパッタリングターゲット

Also Published As

Publication number Publication date
SG190918A1 (en) 2013-07-31
CN103228816A (zh) 2013-07-31
CN103228816B (zh) 2015-09-30
US20130240352A1 (en) 2013-09-19
MY156941A (en) 2016-04-15
US9011653B2 (en) 2015-04-21
JPWO2012073882A1 (ja) 2014-05-19
JP5730903B2 (ja) 2015-06-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5730903B2 (ja) スパッタリングターゲット
US10325762B2 (en) Sputtering target for forming magnetic recording film and process for producing same
US10090012B2 (en) Fe-bases magnetic material sintered compact
JP5913620B2 (ja) Ｆｅ−Ｐｔ系焼結体スパッタリングターゲット及びその製造方法
JP6264846B2 (ja) 酸化物焼結体、スパッタリングターゲットおよびその製造方法
TW201812063A (zh) 強磁性材濺鍍靶
JP6692724B2 (ja) 非磁性材料分散型Ｆｅ−Ｐｔ系スパッタリングターゲット
TW201413019A (zh) 磁記錄膜用濺鍍靶
US20140360871A1 (en) Fe-Pt-Ag-C-Based Sputtering Target Having C Grains Dispersed Therein, and Method for Producing Same
TWI583813B (zh) Sintered body sputtering target
JP5583771B2 (ja) ＺｎＯ−ＭｇＯ系スパッタリングターゲット用焼結体
CN104245623A (zh) 含Li磷酸化合物烧结体和溅射靶,及其制造方法
KR20230062880A (ko) 텅스텐 실리사이드 타깃 및 그 제조 방법, 그리고 텅스텐 실리사이드막의 제조 방법
CN104126026B (zh) 含有铬氧化物的强磁性材料溅射靶
WO2012073879A1 (ja) スパッタリングターゲット
TWI640642B (zh) Strong magnetic material sputtering target containing chromium oxide
CN111183244B (zh) 强磁性材料溅射靶
JP6728094B2 (ja) 強磁性材スパッタリングターゲット
TWI680198B (zh) 強磁性材料濺射靶及其製造方法與磁記錄膜的製造方法
WO2020066114A1 (ja) スパッタリングターゲット及びスパッタリングターゲットを製造するための粉体
JP5601920B2 (ja) Ｆｅ／Ｃｏ−Ｐｔ系焼結合金の製造方法
JP2019019402A (ja) スパッタリングターゲット、スパッタリングターゲットの製造方法及び磁気媒体の製造方法
JP2020059883A (ja) 酸化マグネシウムスパッタリングターゲット
JP2020023740A (ja) スパッタリングターゲット
TW201619402A (zh) 由Ａｌ－Ｔｅ－Ｃｕ－Ｚｒ系合金組成之濺鍍靶及其製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 11844017

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 13989251

Country of ref document: US

ENP Entry into the national phase

Ref document number: 2012546856

Country of ref document: JP

Kind code of ref document: A

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

122 Ep: pct application non-entry in european phase

Ref document number: 11844017

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1