WO2013175884A1 - C粒子が分散したFe-Pt-Ag-C系スパッタリングターゲット及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
Description
また、近年実用化された垂直磁気記録方式を採用するハードディスクの磁性薄膜には、Coを主成分とするCo-Cr-Pt系の強磁性合金と非磁性の無機物粒子からなる複合材料が多く用いられている。そして上記の磁性薄膜は、生産性の高さから、上記材料を成分とするスパッタリングターゲットをDCマグネトロンスパッタ装置でスパッタして作製されることが多い。
そしてFePt相を超高密度記録媒体用材料として使用する場合には、規則化したFePt磁性粒子を磁気的に孤立させた状態で出来るだけ高密度に方位をそろえて分散させるという技術の開発が求められている。
グラニュラー構造の磁性薄膜を有する磁気記録媒体及びこれに関連する公知文献としては、特許文献1、特許文献2、特許文献3、特許文献4、特許文献5を挙げることができる。
参考までに、Fe-Pt系材を用いた記録媒体用のスパッタリングターゲットに関する特許文献1~7を下記に示す。
1)原子数比で(Fe100-X-PtX)100-Y-Z-AgY-CZ(但し、Xは35≦X≦55、Yは0.5≦Y≦15、Zは15≦Z≦55を満たす数)の組成を有するFe-Pt-Ag-C系焼結体スパッタリングターゲットであって、相対密度が93%以上である焼結体スパッタリングターゲット。
2)CがFe-Pt合金中に分散したFe-Pt-C相とAg相が互いに混在した組織を有する上記1)に記載のFe-Pt-Ag-C系焼結体スパッタリングターゲット。
3)CがFe-Pt合金中に分散したFe-Pt-C相とCがAg中に分散したAg-C相が互いに混在した組織を有する上記1)に記載のFe-Pt-Ag-C系焼結体スパッタリングターゲット。
4)CがFe-Pt合金中に分散したFe-Pt-C相、Ag相、CがAg中に分散したAg-C相が、それぞれ互いに混在した組織を有する上記1)に記載のFe-Pt-Ag-C系焼結体スパッタリングターゲット、を提供する。
5)Fe-Pt-Ag-C系スパッタリングターゲットの製造方法であって、予めFe-Pt-C焼結体を作製し、これを粉砕して粉砕粉とし、この粉砕粉とAg粉を混合して、Agの融点未満の温度で焼結することを特徴とするFe-Pt-Ag-C系焼結体スパッタリングターゲットの製造方法
6)Fe-Pt-Ag-C系スパッタリングターゲットの製造方法であって、予めFe-Pt-C焼結体を作製し、これを粉砕して粉砕粉とし、この粉砕粉とAg粉を混合して、Agの融点未満の温度で焼結することを特徴とする上記1)、2)のいずれか一項に記載のFe-Pt-Ag-C系焼結体スパッタリングターゲットの製造方法
7)Fe-Pt-Ag-C系スパッタリングターゲットの製造方法であって、予めFe-Pt-C焼結体を作製し、これを粉砕して粉砕粉とし、この粉砕粉とAg粉とC粉とを混合して、Agの融点未満の温度で焼結することを特徴とするFe-Pt-Ag-C系焼結体スパッタリングターゲットの製造方法
8)Fe-Pt-Ag-C系スパッタリングターゲットの製造方法であって、予めFe-Pt-C焼結体を作製し、これを粉砕して粉砕粉とし、この粉砕粉とAg粉とC粉とを混合して、Agの融点未満の温度で焼結することを特徴とする上記1)、3)、4)のいずれか一項に記載のFe-Pt-Ag-C系焼結体スパッタリングターゲットの製造方法
9)93%以上の相対密度を有するFe-Pt-C焼結体の粉砕粉を混合して焼結することを特徴とする上記5)~8)のいずれか一項に記載のFe-P-Ag-C系焼結体スパッタリングターゲットの製造方法、を提供する。
また本発明では、Ptの含有量Xは、Fe-Pt組成中、好ましくは35以上55原子数比以下である。PtのFe-Pt組成中における含有量Xが、35原子数比未満であると、L10構造を持つFePt相が生じなくなり、55原子数比を超えても、同様に、L10構造を持つFePt相が生じなくなる。
式:計算密度=シグマΣ(構成元素の原子量×構成元素の原子数比)/Σ(構成元素の原子量×構成元素の原子数比/構成元素の文献値密度)
ここで、Σは、ターゲットの構成元素の全てについて、和をとることを意味する。
各元素の密度(文献値)は、以下の値を用いている。
Fe:7.86g/cc、Pt:21.45g/cc、Ag:10.49g/cc、C:2.26g/cc
すなわち、本願発明は、低融点のAgを含まないFe-Pt-Cで予め緻密な焼結体を作製し、この粉砕粉を用いることにより、密度向上を狙うものである。
そこでAgを除く、Fe粉とPt粉とC粉との混合粉を焼結が進行するAgの融点以上の温度で焼結させて、Fe-Pt-Cの高密度焼結体を予め作製しておく。次に、この焼結体を適当な粒径に粉砕・篩別したFe-Pt-C粉とAg粉を混合し、焼結体を作製する。そうするとFe-Pt-C粒の粒同士をつなぐようにAgが分布した組織を有する高密度焼結体を得ることができる。
この場合の混合量は、Ag中におけるC添加量の体積比率が20%以下程度となるようにするのが良い。このように、予めFe-Pt-C焼結体を作製し、これを粉砕して粉砕粉とし、この粉砕粉とAg粉とC粉とを混合して、Agの融点未満の温度で焼結することができる。
なお、B、Si、Cr、Ti、Ta、W、Al、Mg、Mn、Ca、Zr、Yから選択した1成分以上の酸化物を1~20mol%含有させることができる。これらによって、密度が大きく影響を受けない(低下しない)範囲の添加とすることが必要である。
さらに原料粉として、合金粉(Fe-Pt粉)を用いてもよい。特にPtを含む合金粉はその組成にもよるが、原料粉末中の酸素量を少なくするために有効である。合金粉を用いる場合も、粒径が0.5μm以上10μm以下のものを用いることが望ましい。
このようにして得られたFe-Pt-C焼結体から表層部を旋盤などで除去した後、ジョークラッシャー、ロールクラッシャー、ブラウンミル、ハンマーミルなどの粉砕装置を用いて粉砕し、Fe-Pt-C粉を作製する。Fe-Pt-C粉の粒子径は20μm以上300μm以下にすることが望ましい。
この混合粉を、ホットプレスで成型・焼結する。ホットプレス以外にも、プラズマ放電焼結法、熱間静水圧焼結法を使用することもできる。焼結時の保持温度は、Agの融点より低い温度とする。多くの場合、900~950°Cの温度範囲である。
このようにして得られた焼結体を旋盤で所望の形状に加工することにより、本発明のスパッタリングターゲットは作製できる。
原料粉として平均粒径3μmのFe粉、平均粒径3μmのPt粉、平均粒径2μmのAg粉、平均粒径1μmのC粉を用意した。初めにFe粉とPt粉とC粉を以下の原子数比となるように、合計重量で3000g秤量した。
原子数比:(Fe50-Pt50)52.94-C47.06
原子数比:(Fe50-Pt50)45-Ag15-C40
実施例1のスパッタリングターゲットの研磨面をEPMAで観察したときの二次電子画像および元素分布画像を参考までに図1に示す(二次電子画像は図中にSLと表記してある)。図1で、マトリックスとして細かく分散しているのは、Fe-Pt-C相である。そして、Fe-Pt-C相のマトリックス中に、比較的大きな粒子としてAg相が、千切れ雲のように分散しているのが観察できる。また、図1から、微細なCがターゲットの組織中に分散しているのが確認できる。
次に、焼結体を直径180.0mm、厚さ5.0mmの形状へ旋盤で切削加工し、円盤状のターゲットを作製した。これをマグネトロンスパッタ装置(キヤノンアネルバ製C-3010スパッタリングシステム)に取り付け、スパッタリングを行った。スパッタリングの条件は、投入電力1kW、Arガス圧1.7Paとし、2kWhrのプレスパッタリングを実施した後、4インチ径のSi基板上に20秒間成膜した。そして基板上へ付着したパーティクルの個数をパーティクルカウンターで測定した。このときのパーティクル個数は27個であった。
原料粉として平均粒径3μmのFe粉、平均粒径3μmのPt粉、平均粒径2μmのAg粉、平均粒径1μmのC粉を用意した。初めにFe粉とPt粉とC粉を以下の原子数比となるように、合計重量で3000g秤量した。
原子数比:(Fe50-Pt50)56.25-C43.75
原子数比:(Fe50-Pt50)45-Ag15-C40
次に、焼結体を直径180.0mm、厚さ5.0mmの形状へ旋盤で切削加工し、円盤状のターゲットを作製した。これをマグネトロンスパッタ装置に取り付け、実施例1と同じ条件で、スパッタリングを行った。その結果、パーティクル個数は36個であった。
原料粉として平均粒径3μmのFe粉、平均粒径3μmのPt粉、平均粒径2μmのAg粉、平均粒径1μmのC粉を用意した。そして用意した粉末を以下の原子数比となるように、合計重量で2400g秤量した。
原子数比:(Fe50-Pt50)45-Ag15-C40
次に、焼結体を直径180.0mm、厚さ5.0mmの形状へ旋盤で切削加工し、円盤状のターゲットを作製した。これをマグネトロンスパッタ装置に取り付け、実施例1と同じ条件で、スパッタリングを行った。その結果、パーティクル個数は73個で、実施例1、2よりパーティクル個数は増加した。
原料粉として平均粒径3μmのFe粉、平均粒径3μmのPt粉、平均粒径2μmのAg粉、平均粒径1μmのC粉を用意した。初めにFe粉とPt粉とC粉を以下の原子数比となるように、合計重量で3000g秤量した。
原子数比:(Fe65-Pt35)42.11-C57.89
原子数比:(Fe65-Pt35)40-Ag5-C55
次に、焼結体を直径180.0mm、厚さ5.0mmの形状へ旋盤で切削加工し、円盤状のターゲットを作製した。これをマグネトロンスパッタ装置に取り付け、スパッタリングを行った。その結果、パーティクル個数は38であった。
原料粉として平均粒径3μmのFe粉、平均粒径3μmのPt粉、平均粒径2μmのAg粉、平均粒径1μmのC粉を用意した。そして用意した粉末を以下の原子数比となるように、合計重量で2100g秤量した。
原子数比:(Fe65-Pt35)40-Ag5-C55
次に、焼結体を直径180.0mm、厚さ5.0mmの形状へ旋盤で切削加工し、円盤状のターゲットを作製した。これをマグネトロンスパッタ装置に取り付け、実施例3と同じ条件で、スパッタリングを行った。その結果、パーティクル個数は92個で、実施例3より増加した。
Claims (9)
- 原子数比で(Fe100-X-PtX)100-Y-Z-AgY-CZ(但し、Xは35≦X≦55、Yは0.5≦Y≦15、Zは15≦Z≦55を満たす数)の組成を有するFe-Pt-Ag-C系焼結体スパッタリングターゲットであって、相対密度が93%以上である焼結体スパッタリングターゲット。
- CがFe-Pt合金中に分散したFe-Pt-C相とAg相が互いに混在した組織を有する請求項1に記載のFe-Pt-Ag-C系焼結体スパッタリングターゲット。
- CがFe-Pt合金中に分散したFe-Pt-C相とCがAg中に分散したAg-C相が互いに混在した組織を有する請求項1に記載のFe-Pt-Ag-C系焼結体スパッタリングターゲット。
- CがFe-Pt合金中に分散したFe-Pt-C相、Ag相、CがAg中に分散したAg-C相が、それぞれ互いに混在した組織を有する請求項1に記載のFe-Pt-Ag-C系焼結体スパッタリングターゲット。
- Fe-Pt-Ag-C系スパッタリングターゲットの製造方法であって、予めFe-Pt-C焼結体を作製し、これを粉砕して粉砕粉とし、この粉砕粉とAg粉を混合して、Agの融点未満の温度で焼結することを特徴とするFe-Pt-Ag-C系焼結体スパッタリングターゲットの製造方法。
- Fe-Pt-Ag-C系スパッタリングターゲットの製造方法であって、予めFe-Pt-C焼結体を作製し、これを粉砕して粉砕粉とし、この粉砕粉とAg粉を混合して、Agの融点未満の温度で焼結することを特徴とする請求項1、2のいずれか一項に記載のFe-Pt-Ag-C系焼結体スパッタリングターゲットの製造方法。
- Fe-Pt-Ag-C系スパッタリングターゲットの製造方法であって、予めFe-Pt-C焼結体を作製し、これを粉砕して粉砕粉とし、この粉砕粉とAg粉とC粉とを混合して、Agの融点未満の温度で焼結することを特徴とするFe-P-Ag-C系焼結体スパッタリングターゲットの製造方法。
- Fe-Pt-Ag-C系スパッタリングターゲットの製造方法であって、予めFe-Pt-C焼結体を作製し、これを粉砕して粉砕粉とし、この粉砕粉とAg粉とC粉とを混合して、Agの融点未満の温度で焼結することを特徴とする請求項1、3、4のいずれか一項に記載のFe-P-Ag-C系焼結体スパッタリングターゲットの製造方法。
- 93%以上の相対密度を有するFe-Pt-C焼結体の粉砕粉を混合して焼結することを特徴とする請求項5~8のいずれか一項に記載のFe-P-Ag-C系焼結体スパッタリングターゲットの製造方法。
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