JPWO2016052380A1 - タングステンスパッタリングターゲット及びその製造方法 - Google Patents
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- 238000005477 sputtering target Methods 0.000 title claims abstract description 37
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 18
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 10
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 title description 15
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 title description 15
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims abstract description 19
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 40
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims description 30
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 15
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims description 7
- 239000010409 thin film Substances 0.000 abstract description 24
- 239000010408 film Substances 0.000 abstract description 19
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 15
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 abstract description 15
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 9
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 13
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 10
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 10
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 9
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 9
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 8
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 8
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 239000011812 mixed powder Substances 0.000 description 7
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 7
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 5
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 5
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 4
- 230000008569 process Effects 0.000 description 4
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000000560 X-ray reflectometry Methods 0.000 description 2
- 238000009694 cold isostatic pressing Methods 0.000 description 2
- 238000001036 glow-discharge mass spectrometry Methods 0.000 description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 2
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001340 alkali metals Chemical class 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000013329 compounding Methods 0.000 description 1
- 239000002772 conduction electron Substances 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 1
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 1
- 238000001513 hot isostatic pressing Methods 0.000 description 1
- 238000007731 hot pressing Methods 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 238000000691 measurement method Methods 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021332 silicide Inorganic materials 0.000 description 1
- FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N silicide(4-) Chemical compound [Si-4] FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052723 transition metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000003624 transition metals Chemical class 0.000 description 1
- WQJQOUPTWCFRMM-UHFFFAOYSA-N tungsten disilicide Chemical compound [Si]#[W]#[Si] WQJQOUPTWCFRMM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021342 tungsten silicide Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 description 1
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
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- C22C45/00—Amorphous alloys
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- H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
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- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/28—Manufacture of electrodes on semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/268
- H01L21/283—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current
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Abstract
Description
本発明者らは、この知見に基づいて、以下の発明を提供する。
1)Agを0.01〜0.5wt%含有し、残余がW及び不可避的不純物からなることを特徴とするスパッタリングターゲット。
2)Wのマトリックス相とAg粒子からなる組織を有し、Wマトリックス相中にAgが固溶していないことを特徴とする上記1)記載のスパッタリングターゲット。
3)Ag粒子の平均粒径が0.1〜10.0μmであることを特徴とする上記1)又は2)記載のスパッタリングターゲット。
4)ターゲット中の組成バラツキが10%以内であることを特徴とする上記1)〜3)のいずれか一に記載のスパッタリングターゲット。
5)純度が99.999%以上であることを特徴とする上記1)〜4)のいずれか一に記載のスパッタリングターゲット。
6)平均粒径が0.1〜10.0μmのW粉末と平均粒径が0.1〜10.0μmのAg粉末を、Agが0.01〜0.5wt%、残余がW及び不可避的不純物となる配合比で混合し、これを15〜30MPaの加圧力、温度1600〜2000℃で焼結することを特徴とするスパッタリングターゲットの製造方法。
Agの組成のバラツキは、円盤状ターゲットにおいて、中心1点、1/2R(半径)の均等8点、及び、外周より1cm内側(外周部)の均等8点、の合計17点について、各点(体積:0.5〜2cm3)におけるAg含有量を測定し、その最大値、最小値、平均値から次式を用いて算出する。
Agの組成バラツキ(%)={(Ag含有量の最大値)―(Ag含有量の最小値)}/(Ag含有量の平均値)×100
まず、平均粒径が0.1〜10.0μmのW粉末と平均粒径が0.1〜10μmのAg粉末を用意する。これらの原料粉末は純度5N以上のものを使用するのが好ましい。次に、これらの粉末をAgが0.01〜0.5wt%となるような配合比で混合する。混合には、特に、ポットミルやメカニカルアロイなどを用いることで、Agを均一に分散させることができる。
原料粉末として、純度5以上、平均粒径2.0μmのW粉末と、純度5N以上、平均粒径5.0μmのAg粉末を用い、所定の比率で調合し、これをポットミル中で混合した。次に、この混合粉末を、カーボンモールド中に充填し、真空雰囲気中で、1800℃に加熱し、15MPaでホットプレスした。これによって、Agが0.05wt%、残余がW及び不可避的不純物からなる焼結体が得られた。このとき焼結体密度は、99.1%であった。次に、このようにして得られた焼結体を切削、研磨等の機械加工を行い、直径440mm、厚さ3mmの円盤状スパッタリングターゲットを作製し、このターゲット中のAgの組成バラツキを調べた。その結果、Agの組成バラツキは10%以内であった。また、このターゲットを走査型電子顕微鏡で観察したところ、W結晶の粒界にAg粒子が確認された。
原料粉末として、純度5以上、平均粒径2.0μmのW粉末と、純度5N以上のAg塊を用い、所定の比率で調合し、これを、メカニカルアロイを用いて混合した。次に、この混合粉末をカーボンモールド中に充填し、真空雰囲気中で、1600℃に加熱し、30MPaでホットプレスした。これにより、Agが0.05wt%、残余がW及び不可避的不純物からなる焼結体が得られた。このとき焼結体密度は、99.1%であった。
このようにして得られた焼結体を切削、研磨等の機械加工を行い、直径440mm、厚さ3mmの円盤状スパッタリングターゲットを作製し、このターゲット中のAgの組成バラツキを調べた。その結果、Agの組成バラツキは10%以内であった。また、ターゲットを走査型電子顕微鏡で観察したところ、W結晶の粒界にAg粒子が確認された。次に、このターゲットを用いてスパッタリングを行い、Ag含有タングステン薄膜を形成した。得られた薄膜について、実施例1と同様の方法を用いて、膜の比抵抗(Ω・cm)を算出した。その結果、Agを含有しない場合(比較例1)に比べて、比抵抗が9%低下した。また、面内の比抵抗の均一性(ユニフォーミティ)を測定したところ5%以下と良好な結果が得られた。
原料粉末として、純度5以上、平均粒径2.0μmのW粉末と、純度5N以上、平均粒径10.0μmのAg粉末を用い、所定の比率で調合し、これをポットミル中で混合した。次に、この混合粉末をカーボンモールド中に充填し、真空雰囲気中で、1700℃に加熱し、20MPaでホットプレスした。これにより、Agが0.5wt%、残余がW及び不可避的不純物からなる焼結体が得られた。このとき焼結体密度は、99.2%であった。
このようにして得られた焼結体を切削、研磨等の機械加工を行い、直径440mm、厚さ3mmの円盤状スパッタリングターゲットを作製し、このターゲット中のAgの組成バラツキを調べた。その結果、Agの組成バラツキは10%以内であった。また、このターゲットを走査型電子顕微鏡で観察したところ、W結晶の粒界にAg粒子が確認された。次に、このターゲットを用いてスパッタリングを行い、Ag含有タングステン薄膜を形成した。得られた薄膜について、実施例1と同様の方法を用いて、膜の比抵抗(Ω・cm)を算出した。その結果、Agを含有しない場合(比較例1)に比べて、比抵抗が18%低下した。また、面内の比抵抗の均一性(ユニフォーミティ)を測定したところ5%以下と良好な結果が得られた。
原料粉末として、純度5以上、平均粒径2.0μmのW粉末と、純度5N以上のAg塊を用い、所定の比率で調合し、これを、メカニカルアロイを用いて混合した。次に、この混合粉末を、カーボンモールド中に充填し、真空雰囲気中で、1600℃に加熱し、30MPaでホットプレスした。これによって、Agが0.5wt%、残余がW及び不可避的不純物からなる焼結体が得られた。このとき焼結体密度は、99.4%であった。
このようにして得られた焼結体を切削、研磨等の機械加工を行い、直径440mm、厚さ3mmの円盤状スパッタリングターゲットを作製し、このターゲット中のAgの組成バラツキを調べた。その結果、Agの組成バラツキは10%以内であった。また、このターゲットを走査型電子顕微鏡で観察したところ、W結晶の粒界にAg粒子が確認された。次に、このターゲットを用いてスパッタリングを行い、Ag含有タングステン薄膜を形成した。得られた薄膜について、実施例1と同様の方法を用いて、膜の比抵抗(Ω・cm)を算出した。その結果、Agを含有しない場合(比較例1)に比べて、比抵抗が19%低下した。また、面内の比抵抗の均一性(ユニフォーミティ)を測定したところ5%以下と良好な結果が得られた。
原料粉末として、純度5以上、平均粒径2.0μmのW粉末を用意し、これをカーボンモールド中に充填し、真空雰囲気中で、1800℃に加熱し、25MPaでホットプレスした。これによって、W及び不可避的不純物からなる焼結体が得られた。このとき焼結体密度は、99.2%であった。次に、このようにして得られた焼結体を切削、研磨等の機械加工を行い、直径440mm、厚さ3mmの円盤状スパッタリングターゲットを作製した。次に、このターゲットを用いてスパッタリングを行い、タングステン薄膜を形成した。得られた薄膜について、実施例1と同様の方法を用いて、膜の比抵抗(Ω・cm)を測定した。なお、比較例1の比抵抗を基準として、実施例との比較を行った。
原料粉末として、純度5以上、平均粒径2.0μmのW粉末と、純度5N以上、平均粒径2.0μmのAg粉末を用い、所定の比率で調合し、これを、V型混合機を用いて混合した。次に、この混合粉末を、カーボンモールド中に充填し、真空雰囲気中で、1700℃に加熱し、30MPaでホットプレスした。これによって、Agが0.05wt%、残余がW及び不可避的不純物からなる焼結体が得られた。このとき焼結体密度は、99.2%であった。
このようにして得られた焼結体を切削、研磨等の機械加工を行い、直径440mm、厚さ3mmの円盤状スパッタリングターゲットを作製し、このターゲット中のAgの組成バラツキを調べた。その結果、Agの組成バラツキは40%であった。また、このターゲットを走査型電子顕微鏡で観察したところ、W結晶の粒界にAg粒子が確認された。次に、このターゲットを用いてスパッタリングを行い、Ag含有タングステン薄膜を形成した。得られた薄膜について、実施例1と同様の方法を用いて、膜の比抵抗(Ω・cm)を算出した。その結果、Agを含有しない場合(比較例1)に比べて、比抵抗が9%低下していたが、面内の比抵抗の均一性(ユニフォーミティ)を測定したところ10%以上であった。
原料粉末として、純度5以上、平均粒径2.0μmのW粉末と、純度5N以上、平均粒径5.0μmのAg粉末を用い、所定の比率で調合し、これをポットミル中で混合した。次に、この混合粉末を、カーボンモールド中に充填し、真空雰囲気中で、1600℃に加熱し、20MPaでホットプレスした。これによって、Agが0.5wt%、残余がW及び不可避的不純物からなる焼結体が得られた。このとき焼結体密度は99.6%であった。
このようにして得られた焼結体を切削、研磨等の機械加工を行い、直径440mm、厚さ3mmの円盤状スパッタリングターゲットを作製し、このターゲット中のAgの組成バラツキを調べた。その結果、Agの組成バラツキは24%であった。また、このターゲットを走査型電子顕微鏡で観察したところ、W結晶の粒界にAg粒子が確認された。次に、このターゲットを用いてスパッタリングを行い、Ag含有タングステン薄膜を形成した。得られた薄膜について、実施例1と同様の方法を用いて、膜の比抵抗(Ω・cm)を算出した。その結果、Agを含有しない場合(比較例1)に比べ、比抵抗が17%低下していたが、面内の比抵抗の均一性(ユニフォーミティ)を測定したところ10%以上であった。
原料粉末として、純度5以上のW塊と、純度5N以上のAg塊を用い、所定の比率で炉に投入し、EB溶解を行った。これによって、Agが0.05wt%、残余がW及び不可避的不純物からなるインゴットが得られた。このようにして得られたインゴットを切削、研磨等の機械加工を行い、直径440mm、厚さ3mmの円盤状スパッタリングターゲットを作製した。そして、このターゲットを走査型電子顕微鏡で観察したところ、W結晶の粒界にAg粒子が確認できなかった。次に、このターゲットを用いてスパッタリングを行い、Ag含有タングステン薄膜を形成した。得られた薄膜について、実施例1と同様の方法を用いて、膜の比抵抗(Ω・cm)を算出した。その結果、Agを含有しない場合(比較例1)に比べて、比抵抗の低下は見られなかった。
Claims (6)
- Agを0.01〜0.5wt%含有し、残余がW及び不可避的不純物からなることを特徴とするスパッタリングターゲット。
- Wのマトリックス相とAg粒子からなる組織を有し、Wマトリックス相中にAgが固溶していないことを特徴とする請求項1記載のスパッタリングターゲット。
- Ag粒子の平均粒径が0.1〜10μmであることを特徴とする請求項1又は2記載のスパッタリングターゲット。
- ターゲット中のAgの組成バラツキが10%以内であることを特徴とする請求項1〜3のいずれか一項に記載のスパッタリングターゲット。
- 純度99.999%以上であることを特徴とする請求項1〜4のいずれか一項に記載のスパッタリングターゲット。
- 平均粒径が0.1〜10μmのW粉末と平均粒径が0.1〜10μmのAg粉末を、Agが0.01〜0.5wt%、残余がW及び不可避的不純物となるような配合比で混合し、これを15〜30MPaの加圧力、温度1600〜2000℃で焼結することを特徴とするスパッタリングターゲットの製造方法。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014201841 | 2014-09-30 | ||
JP2014201841 | 2014-09-30 | ||
PCT/JP2015/077265 WO2016052380A1 (ja) | 2014-09-30 | 2015-09-28 | タングステンスパッタリングターゲット及びその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2016052380A1 true JPWO2016052380A1 (ja) | 2017-04-27 |
JP6310088B2 JP6310088B2 (ja) | 2018-04-11 |
Family
ID=55630416
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2016552001A Active JP6310088B2 (ja) | 2014-09-30 | 2015-09-28 | タングステンスパッタリングターゲット及びその製造方法 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10176974B2 (ja) |
JP (1) | JP6310088B2 (ja) |
KR (1) | KR101960206B1 (ja) |
SG (1) | SG11201701835PA (ja) |
TW (1) | TWI663273B (ja) |
WO (1) | WO2016052380A1 (ja) |
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-
2015
- 2015-09-28 WO PCT/JP2015/077265 patent/WO2016052380A1/ja active Application Filing
- 2015-09-28 SG SG11201701835PA patent/SG11201701835PA/en unknown
- 2015-09-28 JP JP2016552001A patent/JP6310088B2/ja active Active
- 2015-09-28 KR KR1020177007960A patent/KR101960206B1/ko active IP Right Grant
- 2015-09-28 US US15/515,194 patent/US10176974B2/en active Active
- 2015-09-30 TW TW104132372A patent/TWI663273B/zh active
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WO2016052380A1 (ja) | 2016-04-07 |
JP6310088B2 (ja) | 2018-04-11 |
KR101960206B1 (ko) | 2019-03-19 |
US10176974B2 (en) | 2019-01-08 |
TW201612348A (en) | 2016-04-01 |
KR20170046723A (ko) | 2017-05-02 |
TWI663273B (zh) | 2019-06-21 |
SG11201701835PA (en) | 2017-04-27 |
US20170211176A1 (en) | 2017-07-27 |
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Legal Events
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---|---|---|---|
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|
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R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
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R250 | Receipt of annual fees |
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