JPS6258524A - 電気接点部品の接触面被覆方法 - Google Patents
電気接点部品の接触面被覆方法Info
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- JPS6258524A JPS6258524A JP19573085A JP19573085A JPS6258524A JP S6258524 A JPS6258524 A JP S6258524A JP 19573085 A JP19573085 A JP 19573085A JP 19573085 A JP19573085 A JP 19573085A JP S6258524 A JPS6258524 A JP S6258524A
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- silver
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、電気接点部品に関する。更に詳しくは、電気
接点部分の相手材との接触面の耐摩耗性を向上せしめた
電気接点部品に関する。
接点部分の相手材との接触面の耐摩耗性を向上せしめた
電気接点部品に関する。
電気接点部品の接点部分は、接触抵抗を下げるため、銀
、金、白金、釦およびそれらの合金などの金属材料を用
いたり、上記合金を貼り付けたり、あるいは貴金属をめ
っきしたりして用いられている。
、金、白金、釦およびそれらの合金などの金属材料を用
いたり、上記合金を貼り付けたり、あるいは貴金属をめ
っきしたりして用いられている。
これらの手段の内、特に耐摩耗性を必要としている場合
には、銀−タングステンを混合焼結した材料を接点部分
にロウ付けなどで貼り付けて使用している。このとき用
いられる銀（比重１０．４９）とタングステン（比重１
９．３５）との重量比は、一般に約７５ ： ２５〜２
５ ： ７５の範囲内にある。
には、銀−タングステンを混合焼結した材料を接点部分
にロウ付けなどで貼り付けて使用している。このとき用
いられる銀（比重１０．４９）とタングステン（比重１
９．３５）との重量比は、一般に約７５ ： ２５〜２
５ ： ７５の範囲内にある。
このような銀−タングステン焼結体の場合、銀単体の場
合とは異なり、めっき法で必要な個所に被覆することが
できないので、焼結体そのものを適当な形状に加工した
上、ロウ付けなどの方法で貼り付けて固定している。し
かしながら、このような方法では、焼結体にある程度の
厚さを必要とし、機械加工やロウ付は工程での精度や加
工かすか無駄になるなどの問題点がみられる。
合とは異なり、めっき法で必要な個所に被覆することが
できないので、焼結体そのものを適当な形状に加工した
上、ロウ付けなどの方法で貼り付けて固定している。し
かしながら、このような方法では、焼結体にある程度の
厚さを必要とし、機械加工やロウ付は工程での精度や加
工かすか無駄になるなどの問題点がみられる。
本発明者は、電気接点部分の相手材との接触面の耐摩耗
性のなお一層の向上を、工程を簡略化しかつコストを低
減化させながら達成せしめる方法を求めて種々検討した
結果、銀−タングステン混合物のスパッタリング薄膜を
用いることにより、かかる課題が効果的に解決されるこ
とを見出した。
性のなお一層の向上を、工程を簡略化しかつコストを低
減化させながら達成せしめる方法を求めて種々検討した
結果、銀−タングステン混合物のスパッタリング薄膜を
用いることにより、かかる課題が効果的に解決されるこ
とを見出した。
〔問題点を解決するための手段〕および〔作用〕従って
１本発明は電気接点部品に係り、この電気接点部品は、
電気接点部分の相手材との接触面を、銀−タングステン
混合物のスパッタリング薄膜で被覆してなる。
１本発明は電気接点部品に係り、この電気接点部品は、
電気接点部分の相手材との接触面を、銀−タングステン
混合物のスパッタリング薄膜で被覆してなる。
スパッタリング薄膜で被覆される電気接点部分は、銅、
真ちゅう、ブロンズ、ニッケル、リン青銅、洋白、モネ
ル、鋼などから作られた種々の形状の接点台座であり、
開閉接点の場合には、スパッタリング薄膜の被覆は固定
側および／または可動側の接点に対して行われる。
真ちゅう、ブロンズ、ニッケル、リン青銅、洋白、モネ
ル、鋼などから作られた種々の形状の接点台座であり、
開閉接点の場合には、スパッタリング薄膜の被覆は固定
側および／または可動側の接点に対して行われる。
スパッタリングのターゲットとしては、銀−タングステ
ン焼結体またはそれに部分的に銀板あるいはタングステ
ン板を貼り付けたもの、その他に銀とタングステンとを
任意の模様でモザイク状に配したものなどが用いられる
。ただし、形成されたスパッタリング薄膜の組成は、銀
：タングステンの重量比で９９．９ ： ０．１〜１５
： ８５、好ましくは７０：３０〜２０ ： ８０の
範囲内になければ、接触抵抗を低く維持しながら耐摩耗
性を向上せしめるという本発明の目的が十分に達成され
ないので、このような範囲内の組成を有するスパッタリ
ング薄膜を形成させるようなターゲットが用いられなけ
ればならない。また、これ以上の割合でタングステンが
用いられると、膜が硬くなってスパッタリング薄膜の内
部応力が大きくなり、自然剥離を起し易くなるので、膜
を必要なだけ厚く形成させることができなくなる。
ン焼結体またはそれに部分的に銀板あるいはタングステ
ン板を貼り付けたもの、その他に銀とタングステンとを
任意の模様でモザイク状に配したものなどが用いられる
。ただし、形成されたスパッタリング薄膜の組成は、銀
：タングステンの重量比で９９．９ ： ０．１〜１５
： ８５、好ましくは７０：３０〜２０ ： ８０の
範囲内になければ、接触抵抗を低く維持しながら耐摩耗
性を向上せしめるという本発明の目的が十分に達成され
ないので、このような範囲内の組成を有するスパッタリ
ング薄膜を形成させるようなターゲットが用いられなけ
ればならない。また、これ以上の割合でタングステンが
用いられると、膜が硬くなってスパッタリング薄膜の内
部応力が大きくなり、自然剥離を起し易くなるので、膜
を必要なだけ厚く形成させることができなくなる。
このようなターゲットを用いてのスパッタリング処理は
５通常のスパッタリング装置、例えばマグネトロン型の
高周波スパッタリング装置を用いて行われる。スパッタ
リングに際しては、ターゲットが一方の電極、一般には
上部電極に装着され、スパッタリング処理される電気接
点部品が他方の電極、一般には下部電極上に、処理を必
要としない面を適宜例えばステンレススチール板製マス
クなどで覆った状態で搭載する。
５通常のスパッタリング装置、例えばマグネトロン型の
高周波スパッタリング装置を用いて行われる。スパッタ
リングに際しては、ターゲットが一方の電極、一般には
上部電極に装着され、スパッタリング処理される電気接
点部品が他方の電極、一般には下部電極上に、処理を必
要としない面を適宜例えばステンレススチール板製マス
クなどで覆った状態で搭載する。
このような状態でスパッタリング処理する前に、下部電
極側に高周波を印加してスバツタエッチンングを行ない
、電気接点部品表面のゴミ、油などの汚れや酸化層の除
去が行われる。電気接点部品の形状が円筒状や円錐状の
場合には、スパッタリング処理は冶具を回転させながら
行なうことにより、均一な被覆を行なうことができる。
極側に高周波を印加してスバツタエッチンングを行ない
、電気接点部品表面のゴミ、油などの汚れや酸化層の除
去が行われる。電気接点部品の形状が円筒状や円錐状の
場合には、スパッタリング処理は冶具を回転させながら
行なうことにより、均一な被覆を行なうことができる。
形成されるスパッタリング薄膜の膜厚は、処理条件、例
えば有効電力、処理温度などによって、あるいは水晶発
振を利用した膜厚モニターの使用によってコントロール
することができる。
えば有効電力、処理温度などによって、あるいは水晶発
振を利用した膜厚モニターの使用によってコントロール
することができる。
本発明に係るスパッタリング薄膜の形成により、得られ
る電気接点部品には、次のような効果が奏せられる。
る電気接点部品には、次のような効果が奏せられる。
（１）電気接点部分の相手材との接触面の耐摩耗性を著
しく向上させることができ、しかも密着性も良好である
。
しく向上させることができ、しかも密着性も良好である
。
（２）ターゲットの面積比を変えるだけで、形成される
スパッタリング薄膜の組成を容品にコントロールするこ
とができる。
スパッタリング薄膜の組成を容品にコントロールするこ
とができる。
（３）必要最小限の膜厚を被覆できるので、無駄がなく
なり、コストの低減化が図れる。
なり、コストの低減化が図れる。
（４）寸法精度を容易に出すことができる。
（５）銀−タングステン焼結体の加工、洗浄、ロウ付け
などの一連の工程を、スパッタリングの一工程だけに簡
略化できる。
などの一連の工程を、スパッタリングの一工程だけに簡
略化できる。
次に、実施例について本発明を説明する。
実施例１
厚さ１．１１ＩＩ１１！の銅板からなる接点部品基板を
、次の順序に従って洗浄した。
、次の順序に従って洗浄した。
（１）中性洗剤超音波洗浄 ２分間（
２）水洗 ２ 〃（３）
酸洗（５％塩酸） ５ 〃（４）
水洗 ２ 〃（５）エ
タノール置換 ２ 〃（６）１
．ｉ、１−トリクロルエタン超音波洗浄 ５ 〃（７）
１．．１．１−トリクロルエタン蒸気洗浄 １０ ｎ
このようにして洗浄した基板について、次のようなスパ
ッタリング操作を、第１図に示されるような態様に従っ
て行なった。
２）水洗 ２ 〃（３）
酸洗（５％塩酸） ５ 〃（４）
水洗 ２ 〃（５）エ
タノール置換 ２ 〃（６）１
．ｉ、１−トリクロルエタン超音波洗浄 ５ 〃（７）
１．．１．１−トリクロルエタン蒸気洗浄 １０ ｎ
このようにして洗浄した基板について、次のようなスパ
ッタリング操作を、第１図に示されるような態様に従っ
て行なった。
マグネトン型スパッタリング装置の反応器１内に、互い
に対向位置にある上部電極２および下部電極３をそれぞ
れ設置し、上部電極には銀−タングステン（重量比３０
： ７０）焼結体よりなる円板状ターゲット４（直径
１５２ａ＋ｍ、厚さ４ ｍｍ）を装着すると共に、基板
ホルダーを兼ねた下部電極上には上記洗浄基板５，５′
を、非処理面を覆った状態で搭載する。
に対向位置にある上部電極２および下部電極３をそれぞ
れ設置し、上部電極には銀−タングステン（重量比３０
： ７０）焼結体よりなる円板状ターゲット４（直径
１５２ａ＋ｍ、厚さ４ ｍｍ）を装着すると共に、基板
ホルダーを兼ねた下部電極上には上記洗浄基板５，５′
を、非処理面を覆った状態で搭載する。
スパッタリング処理は、まず油回転ポンプ、油拡散ポン
プなどの真空ポンプ（図示せず）を用いて、反応器内の
空気を排気口６から排気した。即ち。
プなどの真空ポンプ（図示せず）を用いて、反応器内の
空気を排気口６から排気した。即ち。
油回転ポンプによって１０””Ｔｏｒｒのオーダー迄排
気した後、今度は油拡散ポンプを用いて１０−＠Ｔｏｒ
ｒのオーダー迄高真空に排気した。次いで、バリアプル
リークバルブ７を調節しながら圧力調節バルブ８を開け
、アルゴンガスのボンベ９からアルゴンガスを反応器内
に導入し、そこでの圧力を１Ｏ−３Ｔｏｒｒとする。こ
こで、排気筒のメインバルブ（図示せず）を調節して、
圧力を５ Ｘ ］、０−’ Ｔｏｒｒとする。
気した後、今度は油拡散ポンプを用いて１０−＠Ｔｏｒ
ｒのオーダー迄高真空に排気した。次いで、バリアプル
リークバルブ７を調節しながら圧力調節バルブ８を開け
、アルゴンガスのボンベ９からアルゴンガスを反応器内
に導入し、そこでの圧力を１Ｏ−３Ｔｏｒｒとする。こ
こで、排気筒のメインバルブ（図示せず）を調節して、
圧力を５ Ｘ ］、０−’ Ｔｏｒｒとする。
なお、符号１０は、圧力計である。
スパッタリング操作は、高周波電源（１３，５６ＭＨ２
）１１およびバリアプルコンデンサー１２から発振させ
た高周波をまず下部電極側に印加してスパッタエツチン
グを行ない、接点部品基板上の酸化層などを除去した後
、有効電力約１〜ｉｏｗ／ｉ、好ましくは１．７〜８．
５Ｗ／ｃｄ （３００〜１５００Ｗ／６インチターゲッ
ト）の高周波を上部電極側に放電することにより行われ
、基板上に厚さ約０．０５〜２０μｍの銀−タングステ
ン混合物薄膜を形成させる。
）１１およびバリアプルコンデンサー１２から発振させ
た高周波をまず下部電極側に印加してスパッタエツチン
グを行ない、接点部品基板上の酸化層などを除去した後
、有効電力約１〜ｉｏｗ／ｉ、好ましくは１．７〜８．
５Ｗ／ｃｄ （３００〜１５００Ｗ／６インチターゲッ
ト）の高周波を上部電極側に放電することにより行われ
、基板上に厚さ約０．０５〜２０μｍの銀−タングステ
ン混合物薄膜を形成させる。
このようにして形成されたスパッタリング薄膜は、ＥＳ
ＣＡによる表面ａｍではその組成が銀：タングステンの
元素比が約３ニアとなっていてタングステンリッチ（重
量比では約１９ ： ８１）であり、またＳＥＭによる
ａ察では膜にはピンホールがなく、表面状態では多少粒
状部分はみられるものの緻密なものであることが分った
。その表面硬度（ビッカース硬度１ｈ）を測定すると
９００−１２００の値が得られ、銀めっきの硬度１３０
あるいはターゲットに用いられた銀−タングステン焼結
体の硬度２７０と比較して、硬度が著しく高い値を示し
ている。更に、膜厚１０μｍのスパッタリング薄膜につ
いてのＪＩＳ Ｈ−８５０４に基＜１８０°曲げ試験お
よび加熱試験による密着性の評価では、銀めっきと同等
以上の密着性のあることが確認された。
ＣＡによる表面ａｍではその組成が銀：タングステンの
元素比が約３ニアとなっていてタングステンリッチ（重
量比では約１９ ： ８１）であり、またＳＥＭによる
ａ察では膜にはピンホールがなく、表面状態では多少粒
状部分はみられるものの緻密なものであることが分った
。その表面硬度（ビッカース硬度１ｈ）を測定すると
９００−１２００の値が得られ、銀めっきの硬度１３０
あるいはターゲットに用いられた銀−タングステン焼結
体の硬度２７０と比較して、硬度が著しく高い値を示し
ている。更に、膜厚１０μｍのスパッタリング薄膜につ
いてのＪＩＳ Ｈ−８５０４に基＜１８０°曲げ試験お
よび加熱試験による密着性の評価では、銀めっきと同等
以上の密着性のあることが確認された。
実施例２
実施例１において、ターゲットとして第２図に示される
ように、銀−タングステン（重量比３０ ： ７０）焼
結体の斜線部分に銀板７枚を貼り付けたもの（Ａｇ−υ
：Ａｇの面積比５８ ： ４２）を用い、銀板基板上に
スパッタリング薄膜を形成させた。形成されたスパッタ
リング薄膜の組成は、銀：タングステンの重量比が５５
： ４５であり、実施例１のものよりも銀リッチとな
っている。
ように、銀−タングステン（重量比３０ ： ７０）焼
結体の斜線部分に銀板７枚を貼り付けたもの（Ａｇ−υ
：Ａｇの面積比５８ ： ４２）を用い、銀板基板上に
スパッタリング薄膜を形成させた。形成されたスパッタ
リング薄膜の組成は、銀：タングステンの重量比が５５
： ４５であり、実施例１のものよりも銀リッチとな
っている。
実施例３
実施例１において、ターゲットとして第３図に示される
ように、銀−タングステン（重量比３０ ： ７０）焼
結体の斜線部分に７枚の銀板を貼り付けたもの（Ａｇ−
ＩＩ ； Ａｇの面積比８３ ： １７）を用い、銀板
基板上にスパッタリング薄膜を形成させた。形成された
スバッタリング薄膜の組成は、銀：タングステンの重量
比が３０ ： ７０であった。また、このスパッタリン
グ薄膜の表面硬度は、４５０の値を示した。
ように、銀−タングステン（重量比３０ ： ７０）焼
結体の斜線部分に７枚の銀板を貼り付けたもの（Ａｇ−
ＩＩ ； Ａｇの面積比８３ ： １７）を用い、銀板
基板上にスパッタリング薄膜を形成させた。形成された
スバッタリング薄膜の組成は、銀：タングステンの重量
比が３０ ： ７０であった。また、このスパッタリン
グ薄膜の表面硬度は、４５０の値を示した。
実施例２〜３のスパッタリング薄膜について、実施例１
と同様に密着性の評価を行なうと、いずれもやはり銀め
っきと同等以上の密着性のあることが確認された。
と同様に密着性の評価を行なうと、いずれもやはり銀め
っきと同等以上の密着性のあることが確認された。
第１図は、本発明で適用される高周波スパッタリング法
に用いられる装置の概要図である。第２〜３図は、それ
ぞれ実施例２〜３で用いられるターゲットの平面図であ
る。 （符号の説明） １・・・・・反応器 ２・・・・・上部電極 ３・・・・・下部電極 ４・・・・・Ａｇ−Ｗ混合物ターゲット５・・・・・接
点部品基板 ９・・・・・不活性ガスボンベ １１・・・・・高周波電源
に用いられる装置の概要図である。第２〜３図は、それ
ぞれ実施例２〜３で用いられるターゲットの平面図であ
る。 （符号の説明） １・・・・・反応器 ２・・・・・上部電極 ３・・・・・下部電極 ４・・・・・Ａｇ−Ｗ混合物ターゲット５・・・・・接
点部品基板 ９・・・・・不活性ガスボンベ １１・・・・・高周波電源
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、電気接点部分の相手材との接触面を、銀−タングス
テン混合物のスパッタリング薄膜で被覆してなる電気接
点部品。 ２、銀：タングステンの重量比で９９．９：０．１〜１
５：８５の範囲内の組成を有するスパッタリング薄膜に
よって被覆された特許請求の範囲第１項記載の電気接点
部品。 ３、銀−タングステン焼結体をターゲットに用いてスパ
ッタリング薄膜を形成させた特許請求の範囲第１項また
は第２項記載の電気接点部品。 ４、銀−タングステン焼結体に部分的に銀板またはタン
グステン板を貼り付けたターゲットを用いてスパッタリ
ング薄膜を形成させた特許請求の範囲第１項または第２
項記載の電気接点部品。 ５、銅板にタングステン板を部分的に貼り付けたターゲ
ットを用いてスパッタリング薄膜を形成させた特許請求
の範囲第１項または第２項記載の電気接点部品。 ６、タングステン板に銅板を部分的に貼り付けたターゲ
ットを用いてスパッタリング薄膜を形成させた特許請求
の範囲第１項または第２項記載の電気接点部品。 ７、銅およびタングステンを任意の模様でモザイク状に
配した板をターゲットに用いてスパッタリング薄膜を形
成させた特許請求の範囲第１項または第２項記載の電気
接点部品。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19573085A JPS6258524A (ja) | 1985-09-06 | 1985-09-06 | 電気接点部品の接触面被覆方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19573085A JPS6258524A (ja) | 1985-09-06 | 1985-09-06 | 電気接点部品の接触面被覆方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6258524A true JPS6258524A (ja) | 1987-03-14 |
| JPH0588492B2 JPH0588492B2 (ja) | 1993-12-22 |
Family
ID=16346007
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19573085A Granted JPS6258524A (ja) | 1985-09-06 | 1985-09-06 | 電気接点部品の接触面被覆方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6258524A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1616372B1 (de) * | 2003-04-17 | 2009-06-24 | AMI Doduco GmbH | Elektrische steckkontakte und ein halbzeug für deren herstellung |
| US8394508B2 (en) | 2007-07-31 | 2013-03-12 | Nippon Mining & Metals Co., Ltd. | Plated article having metal thin film formed by electroless plating |
| JP2013134889A (ja) * | 2011-12-26 | 2013-07-08 | Tokuriki Honten Co Ltd | 電気接点材料およびその製造方法 |
| JP2013134883A (ja) * | 2011-12-26 | 2013-07-08 | Tokuriki Honten Co Ltd | 接触子の製造方法および接触子 |
| WO2016052380A1 (ja) * | 2014-09-30 | 2016-04-07 | Ｊｘ金属株式会社 | タングステンスパッタリングターゲット及びその製造方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5320565A (en) * | 1976-08-09 | 1978-02-24 | Fujitsu Ltd | Method of manufacturing silverrtungsten electric contacts |
-
1985
- 1985-09-06 JP JP19573085A patent/JPS6258524A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5320565A (en) * | 1976-08-09 | 1978-02-24 | Fujitsu Ltd | Method of manufacturing silverrtungsten electric contacts |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| EP2086061A2 (de) | 2003-04-17 | 2009-08-05 | AMI DODUCO GmbH | Elektrische Steckkontakte und ein Halbzeug für deren Herstellung |
| EP2086061A3 (de) * | 2003-04-17 | 2009-12-30 | AMI DODUCO GmbH | Elektrische Steckkontakte und ein Halbzeug für deren Herstellung |
| US8697247B2 (en) | 2003-04-17 | 2014-04-15 | Doduco Gmbh | Electrical plug contacts and a semi-finished product for the production thereof |
| US8394508B2 (en) | 2007-07-31 | 2013-03-12 | Nippon Mining & Metals Co., Ltd. | Plated article having metal thin film formed by electroless plating |
| JP2013134889A (ja) * | 2011-12-26 | 2013-07-08 | Tokuriki Honten Co Ltd | 電気接点材料およびその製造方法 |
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| WO2016052380A1 (ja) * | 2014-09-30 | 2016-04-07 | Ｊｘ金属株式会社 | タングステンスパッタリングターゲット及びその製造方法 |
| JPWO2016052380A1 (ja) * | 2014-09-30 | 2017-04-27 | Ｊｘ金属株式会社 | タングステンスパッタリングターゲット及びその製造方法 |
| US10176974B2 (en) | 2014-09-30 | 2019-01-08 | Jx Nippon Mining & Metals Corporation | Tungsten sputtering target and method for producing same |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0588492B2 (ja) | 1993-12-22 |
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