JPH02301559A - 一体構造型スパッタリングターゲット - Google Patents
一体構造型スパッタリングターゲットInfo
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- JPH02301559A JPH02301559A JP12119189A JP12119189A JPH02301559A JP H02301559 A JPH02301559 A JP H02301559A JP 12119189 A JP12119189 A JP 12119189A JP 12119189 A JP12119189 A JP 12119189A JP H02301559 A JPH02301559 A JP H02301559A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、薄膜形成に用いるスパッタリングターゲット
に関する。
に関する。
（従来の技術）
スパッタリング法は、真空中にＡｒガスを導入し、陰極
に負電位を与えてグロー放電番発生させる。ここで生成
したＡｒイオンはターゲット（陰極）に衝突し、ターゲ
ットをスパッタし、被スパツタ粒子は対向した陽極上の
基板上に堆積し薄膜を形成する。
に負電位を与えてグロー放電番発生させる。ここで生成
したＡｒイオンはターゲット（陰極）に衝突し、ターゲ
ットをスパッタし、被スパツタ粒子は対向した陽極上の
基板上に堆積し薄膜を形成する。
一般的に、このスパッタリング法で用いられるターゲッ
トはボンディング材でバッキングプレートと接合して使
用される。
トはボンディング材でバッキングプレートと接合して使
用される。
一般にバッキングプレートは純銅あるいは銅系合金が使
用され、ボンディング材はインジウムのような低融点金
属、半田のような合金、樹脂等が使用される。
用され、ボンディング材はインジウムのような低融点金
属、半田のような合金、樹脂等が使用される。
スパッタリングターゲットが接合されたバッキングプレ
ートの裏面は、スパッタ時には水冷される。
ートの裏面は、スパッタ時には水冷される。
しかし、スパッタリングターゲットとバッキングプレー
トを一体化しく以下一体構造型スパッタリングターゲッ
トという〉、同一材質で製作しスパッタに使用すること
がある。
トを一体化しく以下一体構造型スパッタリングターゲッ
トという〉、同一材質で製作しスパッタに使用すること
がある。
この一体構造型スパッタリングターゲットはボンディン
グを行なわないため加工コストが安価である利点がある
。
グを行なわないため加工コストが安価である利点がある
。
また、一般的なボンディング付ターゲットは、不注意で
スパッタし過ぎると、パッキングプレ−トまでスパッタ
することがあるが、一体構造型スパッタリングターゲッ
トはスパッタし過ぎても同一材質であるため生成した薄
膜に問題が起らない利点がある。
スパッタし過ぎると、パッキングプレ−トまでスパッタ
することがあるが、一体構造型スパッタリングターゲッ
トはスパッタし過ぎても同一材質であるため生成した薄
膜に問題が起らない利点がある。
一体構造型スパッタリングターゲットは上記のような利
点があるが、一方、その水冷面にピンホール、巣、割れ
等の欠点がある場合、ターゲット使用中に冷却水がこれ
らの欠陥部を腐食し、時にはスパッタ面と欠陥が貫通し
、水もれ、真空もれを生じ使用不能となる欠点がある。
点があるが、一方、その水冷面にピンホール、巣、割れ
等の欠点がある場合、ターゲット使用中に冷却水がこれ
らの欠陥部を腐食し、時にはスパッタ面と欠陥が貫通し
、水もれ、真空もれを生じ使用不能となる欠点がある。
、
このような現象は、例えば、Ａ１のような単一金属の一
体構造型スパッタリングターゲットでは比較的起りにく
いが、Ａ１合金のような一体構造型スパッタリングター
ゲットでは欠陥ができ易いためしばしば起る。
体構造型スパッタリングターゲットでは比較的起りにく
いが、Ａ１合金のような一体構造型スパッタリングター
ゲットでは欠陥ができ易いためしばしば起る。
（解決しようとする問題点）
本発明は、スパッタリングターゲットの水冷面が冷却水
で腐食されず、水冷面とスパッタ面の貫通欠陥を防止す
る一体構造型スパッタリングターゲットを提供しようと
するものである。
で腐食されず、水冷面とスパッタ面の貫通欠陥を防止す
る一体構造型スパッタリングターゲットを提供しようと
するものである。
（問題を解決するための手段）
本発明は、一体構造型スパッタリングターゲットの水冷
面を皮膜でコーティングしたものである。
面を皮膜でコーティングしたものである。
皮膜はＡＱ、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｃｕ、Ｎ ｉ、Ｔｉあるいは
これらの金属の少なくとも一種を含む合金皮膜、樹脂皮
膜、化学処理をほどこした化成皮膜ホーロー引き皮膜等
が用いられる。
これらの金属の少なくとも一種を含む合金皮膜、樹脂皮
膜、化学処理をほどこした化成皮膜ホーロー引き皮膜等
が用いられる。
皮膜はスパッタリングターゲットの水冷面と密着性のよ
いものが好ましい。
いものが好ましい。
着膜法は蒸着法、メッキ法、塗装法、化学処理法等が用
いられる。
いられる。
上記のように、一体構造型スパッタリングターゲットの
水冷面にピンホール、巣、割れ等の欠陥があっても、皮
膜でコーティングしであるため冷却水がこれらの欠陥部
を腐食せず、かつ、水冷面とスパッタ面を欠陥が貫通す
ることはない。
水冷面にピンホール、巣、割れ等の欠陥があっても、皮
膜でコーティングしであるため冷却水がこれらの欠陥部
を腐食せず、かつ、水冷面とスパッタ面を欠陥が貫通す
ることはない。
第１図は本発明になる一体構造型スパッタリングターゲ
ットの断面図である。
ットの断面図である。
本発明を第１図にしたがって説明すると、一体構造型タ
ーゲット１の水冷面に皮ｐｓ２がコーティングしである
。
ーゲット１の水冷面に皮ｐｓ２がコーティングしである
。
第２図は従来のスパッタリングターゲットの断面図であ
り、ターゲットとバッキングプレートがボンディング材
４で接合しである。
り、ターゲットとバッキングプレートがボンディング材
４で接合しである。
（実施例１）
寸法１２７ｍｍｘ３８１ｍｍ厚さ５ｍｍのＡｌ−３ｉ
（９９：１ｗｔ％）の一体構造型スパッタリングターゲ
ットを作成した。
（９９：１ｗｔ％）の一体構造型スパッタリングターゲ
ットを作成した。
このターゲットをスパッタ装置に装着し、冷却水を流し
真空度’ＩＱ ７’ｏｒｒの真空にしたところターゲ
ットのスパッタ面に水もれが発生した。
真空度’ＩＱ ７’ｏｒｒの真空にしたところターゲ
ットのスパッタ面に水もれが発生した。
このターゲットをスパッタ装置から取り外し、その水冷
面にフッ素樹脂を２０μ電着塗装した。
面にフッ素樹脂を２０μ電着塗装した。
再び、スパッタ装置に装着し、冷却水を流し真空度１０
Ｔｏｒｒの真空にしたが、水もれ、真空もれは発生し
なかった。
Ｔｏｒｒの真空にしたが、水もれ、真空もれは発生し
なかった。
さらに、Ａｒガスを導入し、このターゲットを深さ４ｍ
ｍまでスパッタしたが、水もれ、真空もれは発生しなか
った。
ｍまでスパッタしたが、水もれ、真空もれは発生しなか
った。
また、冷却水による腐食も認められず、膜の密着性も極
めて良好であった。
めて良好であった。
（実施例２）
寸法１２７ｍｍｘ５０８ｍｍ厚さ５ ｍｍ（７）Ａ Ｉ
−Ｃｕ （９８： ２ｗｔ％）の一体構造型スパッタ
リングターゲットを作成した。
−Ｃｕ （９８： ２ｗｔ％）の一体構造型スパッタ
リングターゲットを作成した。
このターゲットをスパッタ装置に装着し、冷却水を流し
真空度１０ ＴＯｒｒの真空にしたところターゲットの
スパッタ面に水もれが発生した。
真空度１０ ＴＯｒｒの真空にしたところターゲットの
スパッタ面に水もれが発生した。
このターゲットをスパッタ装置から取り外し、その水冷
面にメッキ法によりＮｉを１０μの厚さに着膜した。
面にメッキ法によりＮｉを１０μの厚さに着膜した。
再び、スパッタ装置に装着し、冷却水を流し真空度１０
Ｔｏｒｒの真空にしたが、水もれ、真空もれは発生
しなかった。
Ｔｏｒｒの真空にしたが、水もれ、真空もれは発生
しなかった。
さらに、Ａｒガスを導入し、このターゲットを深さ４ｍ
ｍまでスパッタしたが、水もれ、真空もれは発生しなか
った。
ｍまでスパッタしたが、水もれ、真空もれは発生しなか
った。
また冷却水による腐食も認められず、膜の密着性も極め
て良好であった。
て良好であった。
（実施例３）
寸法１２７ｍｍｘ４５７ｍｍ厚さ５ｍｍのＡｌ−Ｃｒ
（９５： ５ｗｔ％）の一体構造型スパッタリングター
ゲットを作成した。
（９５： ５ｗｔ％）の一体構造型スパッタリングター
ゲットを作成した。
このターゲットをスパッタ装置に装着し、冷却水を流し
真空度１０ Ｔｏｒｒの真空にしたところターゲット
のスパッタ面に水もれが発生した。
真空度１０ Ｔｏｒｒの真空にしたところターゲット
のスパッタ面に水もれが発生した。
このターゲットをスパッタ装置から取り外し、その水冷
面をアルマイト処理して厚さ１５μの化成皮膜を形成し
た。
面をアルマイト処理して厚さ１５μの化成皮膜を形成し
た。
再び、スパッタ装置に装着し、冷却水を流し真空度１０
Ｔｏｒｒの真空にしたが、水もれ、真空もれは発生
しなかった。
Ｔｏｒｒの真空にしたが、水もれ、真空もれは発生
しなかった。
さらに、Ａｒガスを導入し、このターゲットを深さ４ｍ
ｍまでスパッタしたが、水もれ、真空もれは発生しなか
った。
ｍまでスパッタしたが、水もれ、真空もれは発生しなか
った。
また、冷却水による腐食も認められず、膜の密着性も極
めて良好であった。
めて良好であった。
（発明の効果）
本発明によれば、一体構造型スパッタリングターゲット
の水冷面とスパッタ面の欠陥による貫通を防止すること
ができる特徴がある。
の水冷面とスパッタ面の欠陥による貫通を防止すること
ができる特徴がある。
また、水冷面のピンホール、巣、割れ等の欠陥部の冷却
水による腐食を防止することができる特徴がある。
水による腐食を防止することができる特徴がある。
第１図は本発明になる一体構造型スパッタリングターゲ
ットの断面図である。 図において、１は一体構造型ターゲット、２は皮膜であ
る。 第２図は従来のスパッタリングターゲットの断面図であ
る。 図において、３はターゲット、４はボンディング材、５
はバッキングプレートである。
ットの断面図である。 図において、１は一体構造型ターゲット、２は皮膜であ
る。 第２図は従来のスパッタリングターゲットの断面図であ
る。 図において、３はターゲット、４はボンディング材、５
はバッキングプレートである。
Claims (1)
- 一体構造型スパッタリングターゲットにおいてその水冷
面をＡｇ、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｔｉあるいはこれ
らの金属の少なくとも一種を含む合金、樹脂等の皮膜あ
るいは化成皮膜でコーティングしたことを特徴とする一
体構造型スパッタリングターゲット。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12119189A JPH02301559A (ja) | 1989-05-15 | 1989-05-15 | 一体構造型スパッタリングターゲット |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12119189A JPH02301559A (ja) | 1989-05-15 | 1989-05-15 | 一体構造型スパッタリングターゲット |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02301559A true JPH02301559A (ja) | 1990-12-13 |
Family
ID=14805112
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12119189A Pending JPH02301559A (ja) | 1989-05-15 | 1989-05-15 | 一体構造型スパッタリングターゲット |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02301559A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5879524A (en) * | 1996-02-29 | 1999-03-09 | Sony Corporation | Composite backing plate for a sputtering target |
| KR20140018274A (ko) * | 2011-04-08 | 2014-02-12 | 플란제 에스이 | 보호 구조체를 포함하는 관형 타깃 |
-
1989
- 1989-05-15 JP JP12119189A patent/JPH02301559A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5879524A (en) * | 1996-02-29 | 1999-03-09 | Sony Corporation | Composite backing plate for a sputtering target |
| KR20140018274A (ko) * | 2011-04-08 | 2014-02-12 | 플란제 에스이 | 보호 구조체를 포함하는 관형 타깃 |
| JP2014514449A (ja) * | 2011-04-08 | 2014-06-19 | プランゼー エスエー | 保護装置付き管状ターゲット |
| US10978279B2 (en) | 2011-04-08 | 2021-04-13 | Plansee Se | Tubular target having a protective device |
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