JP2001140063A - 延長された寿命を有するスパッタターゲット - Google Patents
延長された寿命を有するスパッタターゲットInfo
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- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
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- H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
- H01J37/3411—Constructional aspects of the reactor
- H01J37/3414—Targets
- H01J37/3423—Shape
-
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- H01J37/3402—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering using supplementary magnetic fields
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- H01J37/3408—Planar magnetron sputtering
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 集積回路に薄膜を付着するための延長された
寿命を有するスパッタターゲットの開発。 【解決手段】 スパッタリング中侵食溝が生じるターゲ
ットレースウエイ領域に位置的に対応して増大された厚
さの環状段領域であるリングを有する平面状ターゲット
が提供される。これら増加された厚さのリングは薄膜性
質にマイナスの影響を与えることなくスパッタリングの
ための追加材料を提供する。本発明のターゲットは交換
が必要となる前に延長された期間スパッタ出来、それに
より付着による薄膜形成の生産性を増大する。これらリ
ングは、平面状の上面とそれに対して傾斜した両側面と
を具備する。リングは２〜６ｍｍの厚さと２０〜６０ｍ
ｍの巾を有する。
寿命を有するスパッタターゲットの開発。 【解決手段】 スパッタリング中侵食溝が生じるターゲ
ットレースウエイ領域に位置的に対応して増大された厚
さの環状段領域であるリングを有する平面状ターゲット
が提供される。これら増加された厚さのリングは薄膜性
質にマイナスの影響を与えることなくスパッタリングの
ための追加材料を提供する。本発明のターゲットは交換
が必要となる前に延長された期間スパッタ出来、それに
より付着による薄膜形成の生産性を増大する。これらリ
ングは、平面状の上面とそれに対して傾斜した両側面と
を具備する。リングは２〜６ｍｍの厚さと２０〜６０ｍ
ｍの巾を有する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、長い有用寿命を有
するスパッタターゲットに関するものであり、特にはタ
ーゲット寿命を延長するための増加された厚さの内側及
び外側環状リングとを具備するスパッタターゲットに関
する。
するスパッタターゲットに関するものであり、特にはタ
ーゲット寿命を延長するための増加された厚さの内側及
び外側環状リングとを具備するスパッタターゲットに関
する。
【０００２】
【従来の技術】スパッタリングは、処理室内に設置され
た半導体ウエハ若しくは他の基板の被覆と関与するプロ
セスを言及するものであり、その場合、ウエハ若しくは
他の基板は、それと空間的に対向して配置されそしてス
パッタされるべき材料から作製されたスパッタターゲッ
トに対して電気的にバイアスされる。不活性気体が低温
において室内に導入されそして気体をイオン化するべく
電場が印可される。気体からのイオンがターゲットを衝
撃しそしてターゲットから構成原子を放出させ、放出さ
れた原子はその後ターゲット材料で被覆されるべきウエ
ハ若しくは他の基板上に薄膜として付着・堆積される。
た半導体ウエハ若しくは他の基板の被覆と関与するプロ
セスを言及するものであり、その場合、ウエハ若しくは
他の基板は、それと空間的に対向して配置されそしてス
パッタされるべき材料から作製されたスパッタターゲッ
トに対して電気的にバイアスされる。不活性気体が低温
において室内に導入されそして気体をイオン化するべく
電場が印可される。気体からのイオンがターゲットを衝
撃しそしてターゲットから構成原子を放出させ、放出さ
れた原子はその後ターゲット材料で被覆されるべきウエ
ハ若しくは他の基板上に薄膜として付着・堆積される。
【０００３】スパッタリング速度の増加は、電場の使用
に加えて、電場に重畳されそしてターゲット表面上方を
閉ループ形態で形成されるアーチ状の磁場の併用により
実現された。これら方法は、マグネトロンスパッタリン
グ法として知られている。アーチ状の磁場はターゲット
表面に隣り合う環状領域において電子を捕捉し、それに
より当該領域における電子−気体原子衝突数を増加し
て、ターゲットに衝突してターゲット物質を放出せしめ
る当該領域の正の気体イオン数における増加をもたら
す。従って、ターゲット物質は、ターゲットレースウエ
イ（競争レース場に見えることからこう呼ばれる）とし
て知られる、ターゲット表面の一般に環状の部分におい
て侵食される。ターゲットの侵食部分はしばしば侵食溝
と呼ばれる。磁場を創出する磁石の配列に依存して、一
つ以上の環状侵食溝がスパッタターゲットに形成されう
る。
に加えて、電場に重畳されそしてターゲット表面上方を
閉ループ形態で形成されるアーチ状の磁場の併用により
実現された。これら方法は、マグネトロンスパッタリン
グ法として知られている。アーチ状の磁場はターゲット
表面に隣り合う環状領域において電子を捕捉し、それに
より当該領域における電子−気体原子衝突数を増加し
て、ターゲットに衝突してターゲット物質を放出せしめ
る当該領域の正の気体イオン数における増加をもたら
す。従って、ターゲット物質は、ターゲットレースウエ
イ（競争レース場に見えることからこう呼ばれる）とし
て知られる、ターゲット表面の一般に環状の部分におい
て侵食される。ターゲットの侵食部分はしばしば侵食溝
と呼ばれる。磁場を創出する磁石の配列に依存して、一
つ以上の環状侵食溝がスパッタターゲットに形成されう
る。
【０００４】侵食溝が深くなるに従い、堆積された薄膜
の性状は悪化する可能性がある。例えば、ターゲットが
その有用寿命の終わりに近づくに従い、膜厚或いは抵抗
の一様性が犠牲となる危険がある。かくして、ターゲッ
トは代表的に、（ａ）薄膜の一様性の低下のような、ス
パッタリング性能が許容し得ない水準まで低下するま
で、（ｂ）ターゲット厚さが薄くなってバッキングプレ
ート材料に至るまでの穿孔が生じる危険性が高くなるま
で、或いは（ｃ）レースウエイ領域がターゲットがもは
やそれを支持するだけの機械的安定性を持たなくなるよ
うな点まで減厚されるまでの期間においてのみスパッタ
に供される。これら破損のいずれもウエハ汚染及び損失
における大損害問題につながり、そしてスパッタリング
装置の完全な損壊危険性につながる恐れがある。こうし
た破損を回避するために、ターゲットは保存寿命を定め
て定期的に取り替えられ、製造プロセスの頻繁な中断を
もたらす。更に、ターゲットの取り替え前にはターゲッ
トレースウエイ領域におけるターゲット材料部分のみが
消耗されていることが理解されよう。大半はレースウエ
イ領域の外側にあるターゲット材料の残部は廃棄される
か若しくはリサイクルされねばならない。
の性状は悪化する可能性がある。例えば、ターゲットが
その有用寿命の終わりに近づくに従い、膜厚或いは抵抗
の一様性が犠牲となる危険がある。かくして、ターゲッ
トは代表的に、（ａ）薄膜の一様性の低下のような、ス
パッタリング性能が許容し得ない水準まで低下するま
で、（ｂ）ターゲット厚さが薄くなってバッキングプレ
ート材料に至るまでの穿孔が生じる危険性が高くなるま
で、或いは（ｃ）レースウエイ領域がターゲットがもは
やそれを支持するだけの機械的安定性を持たなくなるよ
うな点まで減厚されるまでの期間においてのみスパッタ
に供される。これら破損のいずれもウエハ汚染及び損失
における大損害問題につながり、そしてスパッタリング
装置の完全な損壊危険性につながる恐れがある。こうし
た破損を回避するために、ターゲットは保存寿命を定め
て定期的に取り替えられ、製造プロセスの頻繁な中断を
もたらす。更に、ターゲットの取り替え前にはターゲッ
トレースウエイ領域におけるターゲット材料部分のみが
消耗されていることが理解されよう。大半はレースウエ
イ領域の外側にあるターゲット材料の残部は廃棄される
か若しくはリサイクルされねばならない。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】従って、材料廃棄量を
増加することなくまたスパッタリング性能にマイナスの
影響を与えることなく、スパッタリングに供される材料
の量を増加してターゲットの有用寿命を延長する必要性
が存在している。
増加することなくまたスパッタリング性能にマイナスの
影響を与えることなく、スパッタリングに供される材料
の量を増加してターゲットの有用寿命を延長する必要性
が存在している。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は、延長された有
用寿命を有する薄膜付着・堆積用のスパッタターゲット
を提供する。この目的のためにそして本発明の原理に従
えば、スパッタリング中侵食溝が生じるレースウエイ領
域に位置的に対応して、一つ以上の増大された厚さのリ
ングがスパッタ表面に形成される。有益には、これらリ
ングは、平面状の上面とそれに対して傾斜された（９０
度ではなく）両側の側面とを具備する段付き領域（以
下、段領域という）である。本発明の好ましい具体例に
おいて、リングは、約２〜６ｍｍ、好ましくは約４ｍｍ
の厚さと約２０〜６０ｍｍの巾を有する。内側及び外側
侵食溝が生じるようなターゲット形態においては、増大
せる厚さの２つのリングが、好ましくは外側リングを内
側リングより巾広として、形成されることが好ましい。
本発明の延長された寿命のスパッタターゲットを作製す
るためには、ターゲット素材が形成されそしてその上面
が環状の段領域を形成するように機械加工で除去され
る。侵食溝が生じる部位に位置する段領域すなわちリン
グは、材料の廃棄を増加することなくまた薄膜性質にマ
イナスの影響を与えることなくスパッタリングのための
追加材料を提供する。
用寿命を有する薄膜付着・堆積用のスパッタターゲット
を提供する。この目的のためにそして本発明の原理に従
えば、スパッタリング中侵食溝が生じるレースウエイ領
域に位置的に対応して、一つ以上の増大された厚さのリ
ングがスパッタ表面に形成される。有益には、これらリ
ングは、平面状の上面とそれに対して傾斜された（９０
度ではなく）両側の側面とを具備する段付き領域（以
下、段領域という）である。本発明の好ましい具体例に
おいて、リングは、約２〜６ｍｍ、好ましくは約４ｍｍ
の厚さと約２０〜６０ｍｍの巾を有する。内側及び外側
侵食溝が生じるようなターゲット形態においては、増大
せる厚さの２つのリングが、好ましくは外側リングを内
側リングより巾広として、形成されることが好ましい。
本発明の延長された寿命のスパッタターゲットを作製す
るためには、ターゲット素材が形成されそしてその上面
が環状の段領域を形成するように機械加工で除去され
る。侵食溝が生じる部位に位置する段領域すなわちリン
グは、材料の廃棄を増加することなくまた薄膜性質にマ
イナスの影響を与えることなくスパッタリングのための
追加材料を提供する。
【０００７】本発明のこれらまた他の目的や利点につい
ては添付図面を参照しての以下の記載から明らかとなろ
う。本発明の一部を構成するものとして組み込まれた添
付図面は、本発明の具体例を例示するものであり、上述
した本発明の一般概念の説明と併せて、本発明の原理を
説明する役割を果たすものである。
ては添付図面を参照しての以下の記載から明らかとなろ
う。本発明の一部を構成するものとして組み込まれた添
付図面は、本発明の具体例を例示するものであり、上述
した本発明の一般概念の説明と併せて、本発明の原理を
説明する役割を果たすものである。
【０００８】
【発明の実施の形態】金属質スパッタターゲットの寿命
は、最大侵食領域においてターゲットの厚さを選択的に
増大することによって付着・堆積に供しうる材料を増加
することにより増大される。この厚さの変更は、皮膜厚
さ或いは抵抗の一様性のような皮膜性質を何ら劣化する
ことなく達成される。目視的に、ターゲットはターゲッ
ト表面上に増加した材料厚さのリングを持つように見え
る。リングは、レースウエイ領域をカバーしそして追加
材料がない場合にスパッタリング中当該領域で形成され
るはずの侵食溝より巾広である。
は、最大侵食領域においてターゲットの厚さを選択的に
増大することによって付着・堆積に供しうる材料を増加
することにより増大される。この厚さの変更は、皮膜厚
さ或いは抵抗の一様性のような皮膜性質を何ら劣化する
ことなく達成される。目視的に、ターゲットはターゲッ
ト表面上に増加した材料厚さのリングを持つように見え
る。リングは、レースウエイ領域をカバーしそして追加
材料がない場合にスパッタリング中当該領域で形成され
るはずの侵食溝より巾広である。
【０００９】代表的に、平面状スパッタターゲットは、
ターゲット素材から、平坦で、平滑な表面を持つように
そして堆積室内でターゲットが止着されることを可能と
するフランジを形成するように機械加工される。機械加
工は、工作旋盤或いは他の任意の適当な切削機械／工具
を使用して行いうる。ターゲットの直径やフランジの厚
さのようなある種のパラメータは、顧客によりその堆積
設備と合うように設定される。本発明のターゲットにお
いて、図１の上面図及び図２の断面図に示されるよう
に、これらパラメータは本発明の原理を実施するのに変
更される必要はない。スパッタターゲット１０は、仮想
線で示されるターゲット素材１２から機械加工される。
ターゲット素材１２は、鋳造、鍛造若しくはプレスのよ
うな任意の既知の方法により成形されうる。ターゲット
素材１２の上面１４は、リングの形態の環状の段領域１
８ａ、１８ｂを備える平面状表面（スパッタ表面）１６
を形成するよう機械加工で削られる。段領域１８ａ、１
８ｂは、それらが存在しない場合スパッタリング中形成
されるはずの環状の侵食溝２０ａ、２０ｂ（仮想線で示
す）が形成される部位に相当するように形成される。図
１及び２に示す特定の具体例において、生成される磁場
（図示無し）は狭い内側侵食溝２０ａと広い外側侵食溝
２０ｂの形成をもたらす。従って、本発明の原理に従え
ば、内側段領域１８ａは、内側侵食溝２０ａが形成され
る領域を覆ってリングの巾Ｗａ（リングの上面２４にお
いて半径方向に測定）が侵食溝の巾Ｗａ’（表面１６に
おいて半径方向に測定）より大きいよう形成される。同
様に、外側段領域１８ｂは、外側侵食溝２０ｂが形成さ
れる領域を覆ってリングの巾Ｗｂ（リングの上面２４に
おいて半径方向に測定）が侵食溝の巾Ｗｂ’（表面１６
において半径方向に測定）より大きいよう形成される。
リングの巾Ｗａ、Ｗｂは侵食溝の巾Ｗａ’、Ｗｂ’に依
存するけれども、リングの巾は代表的に約２０〜６０ｍ
ｍの範囲にある。本発明の一具体例において、内側段領
域１８ａは約３０ｍｍの巾を有し、他方外側段領域１８
ｂは約５０ｍｍの巾を有する。
ターゲット素材から、平坦で、平滑な表面を持つように
そして堆積室内でターゲットが止着されることを可能と
するフランジを形成するように機械加工される。機械加
工は、工作旋盤或いは他の任意の適当な切削機械／工具
を使用して行いうる。ターゲットの直径やフランジの厚
さのようなある種のパラメータは、顧客によりその堆積
設備と合うように設定される。本発明のターゲットにお
いて、図１の上面図及び図２の断面図に示されるよう
に、これらパラメータは本発明の原理を実施するのに変
更される必要はない。スパッタターゲット１０は、仮想
線で示されるターゲット素材１２から機械加工される。
ターゲット素材１２は、鋳造、鍛造若しくはプレスのよ
うな任意の既知の方法により成形されうる。ターゲット
素材１２の上面１４は、リングの形態の環状の段領域１
８ａ、１８ｂを備える平面状表面（スパッタ表面）１６
を形成するよう機械加工で削られる。段領域１８ａ、１
８ｂは、それらが存在しない場合スパッタリング中形成
されるはずの環状の侵食溝２０ａ、２０ｂ（仮想線で示
す）が形成される部位に相当するように形成される。図
１及び２に示す特定の具体例において、生成される磁場
（図示無し）は狭い内側侵食溝２０ａと広い外側侵食溝
２０ｂの形成をもたらす。従って、本発明の原理に従え
ば、内側段領域１８ａは、内側侵食溝２０ａが形成され
る領域を覆ってリングの巾Ｗａ（リングの上面２４にお
いて半径方向に測定）が侵食溝の巾Ｗａ’（表面１６に
おいて半径方向に測定）より大きいよう形成される。同
様に、外側段領域１８ｂは、外側侵食溝２０ｂが形成さ
れる領域を覆ってリングの巾Ｗｂ（リングの上面２４に
おいて半径方向に測定）が侵食溝の巾Ｗｂ’（表面１６
において半径方向に測定）より大きいよう形成される。
リングの巾Ｗａ、Ｗｂは侵食溝の巾Ｗａ’、Ｗｂ’に依
存するけれども、リングの巾は代表的に約２０〜６０ｍ
ｍの範囲にある。本発明の一具体例において、内側段領
域１８ａは約３０ｍｍの巾を有し、他方外側段領域１８
ｂは約５０ｍｍの巾を有する。
【００１０】ここでの論議は２つの侵食溝が生じる具体
例に焦点を当てているが、磁場は単一の侵食溝或いは任
意の数の多数溝を生成するように配列されうることを理
解すべきである。本発明の原理に従えば、ターゲット寿
命は、任意のターゲットレースウエイを覆って追加侵食
材料を提供するように段領域を形成することにより増大
されうる。２つの侵食溝の具体例においては、例えば、
段領域は外側溝のみを覆って、内側溝のみを覆って若し
くは両方に形成されうる。
例に焦点を当てているが、磁場は単一の侵食溝或いは任
意の数の多数溝を生成するように配列されうることを理
解すべきである。本発明の原理に従えば、ターゲット寿
命は、任意のターゲットレースウエイを覆って追加侵食
材料を提供するように段領域を形成することにより増大
されうる。２つの侵食溝の具体例においては、例えば、
段領域は外側溝のみを覆って、内側溝のみを覆って若し
くは両方に形成されうる。
【００１１】各段領域１８ａ及び１８ｂは、約２〜６ｍ
ｍ、好ましくは約４ｍｍの厚さＴを持つよう形成される
ことが好ましい。換言すれば、段領域１８ａ及び１８ｂ
は、スパッタリングのほとんどが起こる領域に追加ター
ゲット材料を提供するよう平面状表面１６から上方に約
２〜６ｍｍ突出する。厚さを増大したこの領域での材料
のスパッタリングは、長期間にわたり良好な皮膜性状を
与え、以てターゲットの交換が必要となる頻度を減じ
る。
ｍ、好ましくは約４ｍｍの厚さＴを持つよう形成される
ことが好ましい。換言すれば、段領域１８ａ及び１８ｂ
は、スパッタリングのほとんどが起こる領域に追加ター
ゲット材料を提供するよう平面状表面１６から上方に約
２〜６ｍｍ突出する。厚さを増大したこの領域での材料
のスパッタリングは、長期間にわたり良好な皮膜性状を
与え、以てターゲットの交換が必要となる頻度を減じ
る。
【００１２】各段領域１８ａ及び１８ｂは好ましくは、
上平面２４とそれに対して非直交的に傾斜した、対向す
る側面２６ａ、２８ａ及び２６ｂ、２８ｂでもって形成
される。角度は好ましくは約２０〜６０度の範囲にあ
る。限定ではなく、単なる例示として、内側段領域１８
ａは、互いの方に４５度の角度で傾斜した対向する側面
２６ａ、２８ａでもって形成しえ、他方外側段領域１８
ｂは、対向する、内方に４５度の角度で傾斜した側面２
６ｂと内方に３０度の角度で傾斜した側面２８ｂとでも
って形成される。そうした形態において、段領域は、タ
ーゲットがその有用寿命に達した後に残される不使用タ
ーゲット材料の量を最小限とする形状を有する。
上平面２４とそれに対して非直交的に傾斜した、対向す
る側面２６ａ、２８ａ及び２６ｂ、２８ｂでもって形成
される。角度は好ましくは約２０〜６０度の範囲にあ
る。限定ではなく、単なる例示として、内側段領域１８
ａは、互いの方に４５度の角度で傾斜した対向する側面
２６ａ、２８ａでもって形成しえ、他方外側段領域１８
ｂは、対向する、内方に４５度の角度で傾斜した側面２
６ｂと内方に３０度の角度で傾斜した側面２８ｂとでも
って形成される。そうした形態において、段領域は、タ
ーゲットがその有用寿命に達した後に残される不使用タ
ーゲット材料の量を最小限とする形状を有する。
【００１３】ターゲット素材１２から、ターゲットを付
着・堆積室（図示無し）内に取り付けるためのフランジ
３０もまた、ターゲット１０に形成される。フランジ３
０は、任意の既知の若しくは今後開発されうる形態をと
りうる。スパッタターゲットは所望なら、バッキングプ
レート（図示無し）に接合されてスパッタターゲット／
バッキングプレート組立体を形成する。ターゲット１０
はその後、ターゲット１０に対向関係で置かれたウエハ
３２上に薄膜層を付着・堆積するべくスパッタされる。
着・堆積室（図示無し）内に取り付けるためのフランジ
３０もまた、ターゲット１０に形成される。フランジ３
０は、任意の既知の若しくは今後開発されうる形態をと
りうる。スパッタターゲットは所望なら、バッキングプ
レート（図示無し）に接合されてスパッタターゲット／
バッキングプレート組立体を形成する。ターゲット１０
はその後、ターゲット１０に対向関係で置かれたウエハ
３２上に薄膜層を付着・堆積するべくスパッタされる。
【００１４】本発明の延長された寿命のスパッタターゲ
ットは、集積回路上にメタライジング層として使用され
る任意の材料から構成することができる。本発明は、純
若しくは合金化アルミニウム、銅、チタン、タンタル、
コバルト、或いは貴金属ターゲットに対して得に有用で
あることが見出された。貴金属としては、白金、パラジ
ウム、ルテニウム、ロジウム、オスミウム及びイリジウ
ムが知られている。
ットは、集積回路上にメタライジング層として使用され
る任意の材料から構成することができる。本発明は、純
若しくは合金化アルミニウム、銅、チタン、タンタル、
コバルト、或いは貴金属ターゲットに対して得に有用で
あることが見出された。貴金属としては、白金、パラジ
ウム、ルテニウム、ロジウム、オスミウム及びイリジウ
ムが知られている。
【００１５】
【実施例】限定を意図するものでないが、例として述べ
ると、本発明のターゲットを、約３２３ｍｍ直径の平面
状スパッタ表面と１９．６ｍｍ厚さのターゲット上に４
ｍｍ厚さ、３０ｍｍ巾の内側及び外側環状段領域とを有
するものとして機械加工した。ターゲットはアルミニウ
ム−０．５ｗｔ％銅製であった。使用において、アルゴ
ン気体中で２ｍＴの室圧力を使用して１０．９３ｋＷに
おいてマゲネトロンスパッタリングを実施した。本発明
に従う増厚リングを使用しない、３２３ｍｍ直径及び１
９．６ｍｍ厚さを有するアルミニウム−０．５ｗｔ％銅
ターゲットは、約８５０ｋＷ−ｈｒの間スパッタできた
のに対して、同じ寸法を有するが４ｍｍ厚さ、３０ｍｍ
巾の内側及び外側環状段領域とを有する本発明のアルミ
ニウム−０．５ｗｔ％銅ターゲットは、約１５００ｋＷ
−ｈｒに至るまでもの間スパッタすることができた。こ
の延長されたスパッタリング時間は皮膜性状の何らの劣
化なく実現された。更に、段領域が使用された場合、一
層深い侵食溝が観察された。従って、本発明のターゲッ
トは、ウエハ上に付着・堆積される薄膜の完全性を維持
したまま、最大侵食領域に追加材料を提供することによ
りスパッタリングの生産性を増加する。更に、本発明の
ターゲットはターゲット材料の廃棄分を増加しない。
ると、本発明のターゲットを、約３２３ｍｍ直径の平面
状スパッタ表面と１９．６ｍｍ厚さのターゲット上に４
ｍｍ厚さ、３０ｍｍ巾の内側及び外側環状段領域とを有
するものとして機械加工した。ターゲットはアルミニウ
ム−０．５ｗｔ％銅製であった。使用において、アルゴ
ン気体中で２ｍＴの室圧力を使用して１０．９３ｋＷに
おいてマゲネトロンスパッタリングを実施した。本発明
に従う増厚リングを使用しない、３２３ｍｍ直径及び１
９．６ｍｍ厚さを有するアルミニウム−０．５ｗｔ％銅
ターゲットは、約８５０ｋＷ−ｈｒの間スパッタできた
のに対して、同じ寸法を有するが４ｍｍ厚さ、３０ｍｍ
巾の内側及び外側環状段領域とを有する本発明のアルミ
ニウム−０．５ｗｔ％銅ターゲットは、約１５００ｋＷ
−ｈｒに至るまでもの間スパッタすることができた。こ
の延長されたスパッタリング時間は皮膜性状の何らの劣
化なく実現された。更に、段領域が使用された場合、一
層深い侵食溝が観察された。従って、本発明のターゲッ
トは、ウエハ上に付着・堆積される薄膜の完全性を維持
したまま、最大侵食領域に追加材料を提供することによ
りスパッタリングの生産性を増加する。更に、本発明の
ターゲットはターゲット材料の廃棄分を増加しない。
【００１６】本発明をその具体例に基づいて詳細に説明
したが、本発明はそうした詳細に限定されるものではな
い。追加的な利点や改変については当業者に容易に理解
されよう。本発明の精神内で、多くの変更を為し得るこ
とを銘記されたい。
したが、本発明はそうした詳細に限定されるものではな
い。追加的な利点や改変については当業者に容易に理解
されよう。本発明の精神内で、多くの変更を為し得るこ
とを銘記されたい。
【００１７】
【発明の効果】本発明のターゲットは、ウエハ上に付着
／堆積される薄膜の完全性を維持したまま、最大侵食領
域に追加材料を提供することによりスパッタリングの生
産性を増加する。更に、本発明のターゲットはターゲッ
ト材料の廃棄分を増加しない。
／堆積される薄膜の完全性を維持したまま、最大侵食領
域に追加材料を提供することによりスパッタリングの生
産性を増加する。更に、本発明のターゲットはターゲッ
ト材料の廃棄分を増加しない。
【図１】増加せる厚さを有する内側リングと外側リング
を具備する、本発明のスパッタターゲットの上面図であ
る。
を具備する、本発明のスパッタターゲットの上面図であ
る。
【図２】図１のスパッタターゲットの断面図であり、機
械加工前のターゲット素材を仮想線で示す。
械加工前のターゲット素材を仮想線で示す。
１０ スパッタターゲット １２ ターゲット素材 １８ａ、１８ｂ 環状の段領域（リング） １６ 平面状スパッタ表面 ２０ａ、２０ｂ 侵食溝 ２４ 上平面 ２６ａ、２８ａ、２６ｂ、２８ｂ 側面 ３０ フランジ
Claims (3)
- 【請求項１】 一様な薄膜を付着堆積するためのスパッ
タターゲットであって、平面状のスパッタ表面とマグネ
トロンスパッタリング中ターゲット寿命を延長するため
の内側及び外側環状リングとを具備し、該内側及び外側
リングは平面状上面を有しそして前記平面状のスパッタ
表面に対して増大された厚さを有し、該平面状スパッタ
表面が該内側リングの内部並びに該内側及び外側環状リ
ングの間並びに該外側リングの外側に延在していること
を特徴とするスパッタターゲット。 - 【請求項２】 外側リングが内側リングより半径方向に
巾広である請求項１のスパッタターゲット。 - 【請求項３】 スパッタターゲットがアルミニウム、
銅、チタン、タンタル、コバルト、白金、パラジウム、
ルテニウム、ロジウム、オスミウム及びイリジウム並び
にその合金から成る群から選択される材料製であり、そ
して内側及び外側リングがターゲットスパッタ面の平面
に直交する方向において約２〜６ｍｍの厚さと約２０〜
６０ｍｍの半径方向で測定しての巾とを有する請求項１
のスパッタターゲット。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US40193699A | 1999-09-23 | 1999-09-23 | |
| US09/401936 | 1999-09-23 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001140063A true JP2001140063A (ja) | 2001-05-22 |
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ID=23589871
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000288293A Withdrawn JP2001140063A (ja) | 1999-09-23 | 2000-09-22 | 延長された寿命を有するスパッタターゲット |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP1087033A1 (ja) |
| JP (1) | JP2001140063A (ja) |
| KR (1) | KR20010050590A (ja) |
| IL (1) | IL138642A0 (ja) |
| SG (1) | SG97941A1 (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JP6014818B1 (ja) * | 2015-04-06 | 2016-10-26 | 株式会社クラフト | スパッタリングターゲット |
| JP2018076598A (ja) * | 2014-01-21 | 2018-05-17 | 住友化学株式会社 | スパッタリングターゲット |
| KR20200106146A (ko) * | 2017-03-29 | 2020-09-11 | 스미또모 가가꾸 가부시키가이샤 | 스퍼터링 타깃 |
| CN112981341A (zh) * | 2019-12-17 | 2021-06-18 | 新奥科技发展有限公司 | 自支撑靶膜的制备方法及制备装置 |
| WO2022038795A1 (ja) * | 2020-08-17 | 2022-02-24 | 松田産業株式会社 | 貴金属スパッタリングターゲット |
| JP2022033675A (ja) * | 2020-08-17 | 2022-03-02 | 松田産業株式会社 | 貴金属スパッタリングターゲット |
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-
2000
- 2000-09-22 IL IL13864200A patent/IL138642A0/xx unknown
- 2000-09-22 SG SG200005488A patent/SG97941A1/en unknown
- 2000-09-22 KR KR1020000055763A patent/KR20010050590A/ko not_active Application Discontinuation
- 2000-09-22 JP JP2000288293A patent/JP2001140063A/ja not_active Withdrawn
- 2000-09-22 EP EP00120767A patent/EP1087033A1/en not_active Withdrawn
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| JP2018076598A (ja) * | 2014-01-21 | 2018-05-17 | 住友化学株式会社 | スパッタリングターゲット |
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| JP6014818B1 (ja) * | 2015-04-06 | 2016-10-26 | 株式会社クラフト | スパッタリングターゲット |
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| KR20200106146A (ko) * | 2017-03-29 | 2020-09-11 | 스미또모 가가꾸 가부시키가이샤 | 스퍼터링 타깃 |
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| WO2022038795A1 (ja) * | 2020-08-17 | 2022-02-24 | 松田産業株式会社 | 貴金属スパッタリングターゲット |
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|---|---|---|---|
| A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20071204 |