JP2003147518A - スパッタリングターゲット - Google Patents
スパッタリングターゲットInfo
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- JP2003147518A JP2003147518A JP2001340651A JP2001340651A JP2003147518A JP 2003147518 A JP2003147518 A JP 2003147518A JP 2001340651 A JP2001340651 A JP 2001340651A JP 2001340651 A JP2001340651 A JP 2001340651A JP 2003147518 A JP2003147518 A JP 2003147518A
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Abstract
(57)【要約】
【解決手段】 本発明に係るスパッタリングターゲット
は、金属または合金からなるスパッタリングターゲット
であって、該ターゲットのボンディング面に溝切り加工
が施されていることを特徴としている。本発明では、前
記の溝切り加工によって、ターゲットのボンディング面
に形成された溝の深さが０．２〜１．０ｍｍの範囲、幅
が０．５〜２０ｍｍの範囲、センターピッチが１０〜２
００ｍｍの範囲にあることが好ましい。 【効果】 本発明によれば、スパッタリング時のターゲ
ットの剥離を抑制し、効率よくスパッタリングを行うこ
とができるスパッタリングターゲットおよびバッキング
プレート付きスパッタリングターゲットを提供すること
ができる。本発明に係るスパッタリングターゲット、ま
たはバッキングプレート付きスパッタリングターゲット
を用いてスパッタリングを行った場合には、安定した放
電を確保することができ、溝切り加工部の厚みを除いた
ターゲットの厚さまでスパッタリングをすることができ
る。
は、金属または合金からなるスパッタリングターゲット
であって、該ターゲットのボンディング面に溝切り加工
が施されていることを特徴としている。本発明では、前
記の溝切り加工によって、ターゲットのボンディング面
に形成された溝の深さが０．２〜１．０ｍｍの範囲、幅
が０．５〜２０ｍｍの範囲、センターピッチが１０〜２
００ｍｍの範囲にあることが好ましい。 【効果】 本発明によれば、スパッタリング時のターゲ
ットの剥離を抑制し、効率よくスパッタリングを行うこ
とができるスパッタリングターゲットおよびバッキング
プレート付きスパッタリングターゲットを提供すること
ができる。本発明に係るスパッタリングターゲット、ま
たはバッキングプレート付きスパッタリングターゲット
を用いてスパッタリングを行った場合には、安定した放
電を確保することができ、溝切り加工部の厚みを除いた
ターゲットの厚さまでスパッタリングをすることができ
る。
Description
【０００１】
【発明の技術分野】本発明は、スパッタリングおよび薄
膜形成に使用するスパッタリングターゲットに関する。
膜形成に使用するスパッタリングターゲットに関する。
【０００２】
【発明の技術的背景】従来より、薄膜形成法の１つとし
てスパッタリング法が知られている。スパッタリング法
とは、一般に減圧下でプラズマ状態とした不活性ガスを
ターゲットに衝突させ、そのエネルギーにより、ターゲ
ットから飛び出した分子や原子を基板に付着させること
で基板上に薄膜を形成する方法であり、大面積化が容易
で高性能の膜が得られることから工業的に利用されてい
る。
てスパッタリング法が知られている。スパッタリング法
とは、一般に減圧下でプラズマ状態とした不活性ガスを
ターゲットに衝突させ、そのエネルギーにより、ターゲ
ットから飛び出した分子や原子を基板に付着させること
で基板上に薄膜を形成する方法であり、大面積化が容易
で高性能の膜が得られることから工業的に利用されてい
る。
【０００３】また近年、スパッタリングの方式として、
反応性ガス中でスパッタリングを行う反応性スパッタリ
ング法や、ターゲットの裏面に磁石を設置し薄膜形成の
高速化を図るマグネトロンスパッタリング法なども知ら
れている。このようなスパッタリングに用いられるター
ゲットは、上述したようにスパッタリング時にプラズマ
状態の不活性ガスなどによる衝撃を受け続けるため、そ
の内部に熱量が蓄積し、高温となる。このため、一般
に、ＣｕやＣｕ系合金などの熱伝導性の良い材料からな
るバッキングプレートをターゲットに接合し、このバッ
キングプレートを冷却することにより、ターゲットの熱
を逃がすようにしている。
反応性ガス中でスパッタリングを行う反応性スパッタリ
ング法や、ターゲットの裏面に磁石を設置し薄膜形成の
高速化を図るマグネトロンスパッタリング法なども知ら
れている。このようなスパッタリングに用いられるター
ゲットは、上述したようにスパッタリング時にプラズマ
状態の不活性ガスなどによる衝撃を受け続けるため、そ
の内部に熱量が蓄積し、高温となる。このため、一般
に、ＣｕやＣｕ系合金などの熱伝導性の良い材料からな
るバッキングプレートをターゲットに接合し、このバッ
キングプレートを冷却することにより、ターゲットの熱
を逃がすようにしている。
【０００４】従来知られているターゲットとバッキング
プレートとの接合方法は、具体的には、以下のようなも
のであった。たとえば、まず、はじめにターゲットのス
パッタリングに供する面（以下、スパッタ面という）
と、その裏面であるボンディングを行う面（以下、ボン
ディング面という）の両面を、フライスや旋盤、平面研
削盤などで加工し、その後、ボンディング面を脱脂す
る。
プレートとの接合方法は、具体的には、以下のようなも
のであった。たとえば、まず、はじめにターゲットのス
パッタリングに供する面（以下、スパッタ面という）
と、その裏面であるボンディングを行う面（以下、ボン
ディング面という）の両面を、フライスや旋盤、平面研
削盤などで加工し、その後、ボンディング面を脱脂す
る。
【０００５】次に、前記ターゲットのボンディング面
と、バッキングプレートとを加熱し、ボンディング材を
ターゲットのボンディング面に塗布する。その後、前記
ターゲットをボンディング材の融点以上に加熱して、同
様に加熱したバッキングプレートと接合し、冷却した後
に矯正仕上げを行う。なお、ターゲットやバッキングプ
レートを構成する材料とボンディング材との関係で、タ
ーゲットやバッキングプレートと、ボンディング材との
濡れ性が不充分な場合には、めっきや溶射、ＰＶＤ（物
理的気相堆積）法などにより、ボンディング材との濡れ
性が良好な材料をターゲットのボンディング面やバッキ
ングプレートの表面にコーティングした後、ボンディン
グ材を塗布し、上記と同様の操作を行い、接合してい
た。
と、バッキングプレートとを加熱し、ボンディング材を
ターゲットのボンディング面に塗布する。その後、前記
ターゲットをボンディング材の融点以上に加熱して、同
様に加熱したバッキングプレートと接合し、冷却した後
に矯正仕上げを行う。なお、ターゲットやバッキングプ
レートを構成する材料とボンディング材との関係で、タ
ーゲットやバッキングプレートと、ボンディング材との
濡れ性が不充分な場合には、めっきや溶射、ＰＶＤ（物
理的気相堆積）法などにより、ボンディング材との濡れ
性が良好な材料をターゲットのボンディング面やバッキ
ングプレートの表面にコーティングした後、ボンディン
グ材を塗布し、上記と同様の操作を行い、接合してい
た。
【０００６】しかしながら、このような方法でバッキン
グプレートに接合されたターゲットには、スパッタリン
グ時にターゲットが反りあがり、バッキングプレートか
ら剥離するという問題があった。具体的には、本発明者
らの検討によれば、特に５００×５００ｍｍ2以上の面
積を有するターゲットでは、ターゲットの初期厚みの３
０〜５０％程度までスパッタリングしたところで、ター
ゲットの外周部がバッキングプレートから剥離してしま
い、スパッタリングを継続できなくなることがあった。
すなわち、ターゲットがバッキングプレートから剥離し
て反りあがり、スパッタリング装置内のシールド板に触
れて電気的に短絡し、スパッタリングを継続することが
できなくなることがあった。また、ターゲットのバッキ
ングプレートから剥離した箇所は冷却されず、熱量が蓄
積していくため、スパッタリングにより形成される薄膜
に欠陥が生じたり、ターゲットの材質によってはターゲ
ット自体が溶融してしまうことすらあった。
グプレートに接合されたターゲットには、スパッタリン
グ時にターゲットが反りあがり、バッキングプレートか
ら剥離するという問題があった。具体的には、本発明者
らの検討によれば、特に５００×５００ｍｍ2以上の面
積を有するターゲットでは、ターゲットの初期厚みの３
０〜５０％程度までスパッタリングしたところで、ター
ゲットの外周部がバッキングプレートから剥離してしま
い、スパッタリングを継続できなくなることがあった。
すなわち、ターゲットがバッキングプレートから剥離し
て反りあがり、スパッタリング装置内のシールド板に触
れて電気的に短絡し、スパッタリングを継続することが
できなくなることがあった。また、ターゲットのバッキ
ングプレートから剥離した箇所は冷却されず、熱量が蓄
積していくため、スパッタリングにより形成される薄膜
に欠陥が生じたり、ターゲットの材質によってはターゲ
ット自体が溶融してしまうことすらあった。
【０００７】本発明者らは、上記問題点を解決すべく、
鋭意検討した結果、ターゲットのボンディング面に溝切
り加工を施すことによって、スパッタリング時にバッキ
ングプレートからの剥離を抑制できるターゲットを得る
ことができることを見出し、本発明を完成するに至っ
た。
鋭意検討した結果、ターゲットのボンディング面に溝切
り加工を施すことによって、スパッタリング時にバッキ
ングプレートからの剥離を抑制できるターゲットを得る
ことができることを見出し、本発明を完成するに至っ
た。
【０００８】
【発明の目的】本発明は、スパッタリング時におけるタ
ーゲットとバッキングプレートとの剥離を抑制して、効
率よくスパッタリングを行うことができるターゲットを
提供することを目的としている。また、本発明はこのよ
うなターゲットをバッキングプレートと接合した、バッ
キングプレート付きターゲットを提供することを目的と
している。
ーゲットとバッキングプレートとの剥離を抑制して、効
率よくスパッタリングを行うことができるターゲットを
提供することを目的としている。また、本発明はこのよ
うなターゲットをバッキングプレートと接合した、バッ
キングプレート付きターゲットを提供することを目的と
している。
【０００９】
【発明の概要】本発明に係るスパッタリングターゲット
は、金属または合金からなるスパッタリングターゲット
であって、該ターゲットのボンディング面に溝切り加工
が施されていることを特徴としている。本発明では、前
記の溝切り加工によって、ターゲットのボンディング面
に形成された溝の深さが０．２〜１．０ｍｍの範囲、幅
が０．５〜２０ｍｍの範囲、センターピッチが１０〜２
００ｍｍの範囲にあることが好ましい。
は、金属または合金からなるスパッタリングターゲット
であって、該ターゲットのボンディング面に溝切り加工
が施されていることを特徴としている。本発明では、前
記の溝切り加工によって、ターゲットのボンディング面
に形成された溝の深さが０．２〜１．０ｍｍの範囲、幅
が０．５〜２０ｍｍの範囲、センターピッチが１０〜２
００ｍｍの範囲にあることが好ましい。
【００１０】本発明に係るスパッタリングターゲット
は、Ｍｏ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｗからなる群より
選ばれた少なくとも１種の金属からなるか、これを主成
分とする合金であることが好ましい。本発明に係るバッ
キングプレート付きスパッタリングターゲットは、前記
スパッタリングターゲットがボンディング材を介してバ
ッキングプレートに接合されていることを特徴としてい
る。
は、Ｍｏ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｗからなる群より
選ばれた少なくとも１種の金属からなるか、これを主成
分とする合金であることが好ましい。本発明に係るバッ
キングプレート付きスパッタリングターゲットは、前記
スパッタリングターゲットがボンディング材を介してバ
ッキングプレートに接合されていることを特徴としてい
る。
【００１１】本発明に係るバッキングプレート付きスパ
ッタリングターゲットにおいては、前記ボンディング材
により、ターゲットとバッキングプレートの間に形成さ
れたボンディング層の厚みが０．２〜１．０ｍｍの範囲
にあることが好ましい。本発明に係るバッキングプレー
ト付きスパッタリングターゲットにおいては、前記ボン
ディング材が、ＩｎまたはＩｎ系合金からなることが好
ましい。
ッタリングターゲットにおいては、前記ボンディング材
により、ターゲットとバッキングプレートの間に形成さ
れたボンディング層の厚みが０．２〜１．０ｍｍの範囲
にあることが好ましい。本発明に係るバッキングプレー
ト付きスパッタリングターゲットにおいては、前記ボン
ディング材が、ＩｎまたはＩｎ系合金からなることが好
ましい。
【００１２】
【発明の具体的説明】以下、本発明について具体的に説
明する。 ＜スパッタリングターゲット＞本発明に係るスパッタリ
ングターゲットは、金属または合金からなるスパッタリ
ングターゲットのボンディング面に溝切り加工を施し、
溝を形成したスパッタリングターゲットである。
明する。 ＜スパッタリングターゲット＞本発明に係るスパッタリ
ングターゲットは、金属または合金からなるスパッタリ
ングターゲットのボンディング面に溝切り加工を施し、
溝を形成したスパッタリングターゲットである。
【００１３】本発明に係るスパッタリングターゲット
は、金属または合金からなることが好ましく、このよう
な金属または合金としては、具体的には、たとえば、Ｍ
ｏ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｗ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ａｇ、
Ａｕ、Ｐｔ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｍｇ、Ａｌ-Ｍｇ、Ａｌ-Ｔ
ｉ、Ｎｉ-Ｆｅ、Ｎｉ-Ｃｒ、Ｆｅ-Ｃｏ、Ｆｅ-Ｔａ、Ｃ
ｏ-Ｃｒ、Ｃｏ-Ｃｒ-Ｐｔ、Ｃｏ-Ｚｒ、Ｃｏ-Ｐｔ、Ｐ
ｔ-Ｍｎ、Ｉｒ-Ｍｎ、Ｔｉ−Ｗなどが挙げられる。これ
らのうちでは、Ｍｏ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｗから
なる群より選ばれた少なくとも１種の金属か、これを主
成分とする合金が好ましい。
は、金属または合金からなることが好ましく、このよう
な金属または合金としては、具体的には、たとえば、Ｍ
ｏ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｗ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ａｇ、
Ａｕ、Ｐｔ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｍｇ、Ａｌ-Ｍｇ、Ａｌ-Ｔ
ｉ、Ｎｉ-Ｆｅ、Ｎｉ-Ｃｒ、Ｆｅ-Ｃｏ、Ｆｅ-Ｔａ、Ｃ
ｏ-Ｃｒ、Ｃｏ-Ｃｒ-Ｐｔ、Ｃｏ-Ｚｒ、Ｃｏ-Ｐｔ、Ｐ
ｔ-Ｍｎ、Ｉｒ-Ｍｎ、Ｔｉ−Ｗなどが挙げられる。これ
らのうちでは、Ｍｏ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｗから
なる群より選ばれた少なくとも１種の金属か、これを主
成分とする合金が好ましい。
【００１４】本発明では、前記ターゲットを構成するタ
ーゲット材の製造方法は、特に限定されず、常法により
製造することができる。たとえば、真空溶解後、鋳造
し、塑性加工した後、機械研削する真空溶解法や、HIP
（ホットアイソスタティックプレス）法もしくはCIP
（コールドアイソスタティックプレス）法により成形
後、焼結、塑性加工する粉末冶金法を用いて、ターゲッ
ト材を製造することができる。
ーゲット材の製造方法は、特に限定されず、常法により
製造することができる。たとえば、真空溶解後、鋳造
し、塑性加工した後、機械研削する真空溶解法や、HIP
（ホットアイソスタティックプレス）法もしくはCIP
（コールドアイソスタティックプレス）法により成形
後、焼結、塑性加工する粉末冶金法を用いて、ターゲッ
ト材を製造することができる。
【００１５】本発明では、上記のようにして製造したタ
ーゲット材を、スパッタリングターゲットに加工する際
に、そのボンディング面に溝切り加工を施すことを特徴
としている。本発明の具体例を図１および図２に示す。
図１は、スパッタリングターゲットをボンディング面を
上にして見たときの斜視図であり、図２は、図１のＩ−
Ｉ断面図である。この例では、ターゲット１のボンディ
ング面３に平面的に見て碁盤目状の溝が形成されてい
る。溝の平面形状は、この例に限定されず、ターゲット
やバッキングプレートの形状や大きさによって、適宜変
えることができ、たとえば、縞状、同心円状などであっ
てもよい。
ーゲット材を、スパッタリングターゲットに加工する際
に、そのボンディング面に溝切り加工を施すことを特徴
としている。本発明の具体例を図１および図２に示す。
図１は、スパッタリングターゲットをボンディング面を
上にして見たときの斜視図であり、図２は、図１のＩ−
Ｉ断面図である。この例では、ターゲット１のボンディ
ング面３に平面的に見て碁盤目状の溝が形成されてい
る。溝の平面形状は、この例に限定されず、ターゲット
やバッキングプレートの形状や大きさによって、適宜変
えることができ、たとえば、縞状、同心円状などであっ
てもよい。
【００１６】本発明では、ターゲットのボンディング面
に形成された溝の深さｄは、０．２〜１．０ｍｍの範
囲、好ましくは０．５〜１．０ｍｍの範囲にあることが
望ましく、前記溝の幅ｗは、０．５〜２０ｍｍの範囲、
好ましくは５〜１５ｍｍの範囲にあることが望ましく、
前記溝のセンターピッチｐ（ある溝の中心線と、これと
隣接する溝の中心線との間の距離）は、１０〜２００ｍ
ｍの範囲、好ましくは５０〜１５０ｍｍの範囲にあるこ
とが望ましい。
に形成された溝の深さｄは、０．２〜１．０ｍｍの範
囲、好ましくは０．５〜１．０ｍｍの範囲にあることが
望ましく、前記溝の幅ｗは、０．５〜２０ｍｍの範囲、
好ましくは５〜１５ｍｍの範囲にあることが望ましく、
前記溝のセンターピッチｐ（ある溝の中心線と、これと
隣接する溝の中心線との間の距離）は、１０〜２００ｍ
ｍの範囲、好ましくは５０〜１５０ｍｍの範囲にあるこ
とが望ましい。
【００１７】溝の深さｄ、幅ｗ、およびセンターピッチ
ｐが、何れも上記数値範囲内にあると、ターゲットとバ
ッキングプレートとをボンディング材で接合する際の加
熱冷却工程を通じて、ターゲットとバッキングプレート
との熱膨張率の差から生じる内部の歪を緩和することが
できるとともに、ボンディング材を介したターゲットと
バッキングプレートとの密着性を向上し、スパッタリン
グ時にターゲットとバッキングプレート間で生じる剥離
を抑制することができる。
ｐが、何れも上記数値範囲内にあると、ターゲットとバ
ッキングプレートとをボンディング材で接合する際の加
熱冷却工程を通じて、ターゲットとバッキングプレート
との熱膨張率の差から生じる内部の歪を緩和することが
できるとともに、ボンディング材を介したターゲットと
バッキングプレートとの密着性を向上し、スパッタリン
グ時にターゲットとバッキングプレート間で生じる剥離
を抑制することができる。
【００１８】なお、ここで、溝の深さｄ、幅ｗ、および
センターピッチｐは、図２に示したように定義される。
すなわち、溝の深さｄとは、溝の最も深い位置の深さで
あり、溝の幅ｗとは、溝の横方向の距離であり、溝のセ
ンターピッチｐとは、溝の中心線５と、これと隣接する
溝の中心線７との間の距離をいう。前記溝の深さｄは、
具体的には、たとえば、ダイヤルデプスゲージ（ミツト
ヨ製、７２１３）を用いて測定することができる。
センターピッチｐは、図２に示したように定義される。
すなわち、溝の深さｄとは、溝の最も深い位置の深さで
あり、溝の幅ｗとは、溝の横方向の距離であり、溝のセ
ンターピッチｐとは、溝の中心線５と、これと隣接する
溝の中心線７との間の距離をいう。前記溝の深さｄは、
具体的には、たとえば、ダイヤルデプスゲージ（ミツト
ヨ製、７２１３）を用いて測定することができる。
【００１９】前記溝の幅ｗ、およびセンターピッチｐ
は、具体的には、たとえば、ノギス（ミツトヨ製、ＣＤ
−３０Ｃ）を用いて測定することができる。また、図１
および図２に示した例においては、溝の断面形状は、矩
形であるが、これに限定されず、その他の形状、たとえ
ば、半円形、半楕円形などを採用してもよい。
は、具体的には、たとえば、ノギス（ミツトヨ製、ＣＤ
−３０Ｃ）を用いて測定することができる。また、図１
および図２に示した例においては、溝の断面形状は、矩
形であるが、これに限定されず、その他の形状、たとえ
ば、半円形、半楕円形などを採用してもよい。
【００２０】このような溝を形成する方法は、特に限定
されず、たとえば機械研削加工、ブラスト加工、エッチ
ング加工、レーザー加工などの方法をターゲットの材
質、大きさ、形状などに応じて、適宜採用することがで
きる。 ＜バッキングプレート付きスパッタリングターゲット＞
本発明に係るバッキングプレート付きスパッタリングタ
ーゲットは、前記スパッタリングターゲットが、ボンデ
ィング材によって、バッキングプレートに接合されてい
る。
されず、たとえば機械研削加工、ブラスト加工、エッチ
ング加工、レーザー加工などの方法をターゲットの材
質、大きさ、形状などに応じて、適宜採用することがで
きる。 ＜バッキングプレート付きスパッタリングターゲット＞
本発明に係るバッキングプレート付きスパッタリングタ
ーゲットは、前記スパッタリングターゲットが、ボンデ
ィング材によって、バッキングプレートに接合されてい
る。
【００２１】このバッキングプレート付きスパッタリン
グターゲットにおいては、ボンディング材によって、タ
ーゲットとバッキングプレートとの間に形成されたボン
ディング層の厚みが、好ましくは０．２〜１．０ｍｍの
範囲、より好ましくは０．５〜１．０ｍｍの範囲にある
ことが望ましい。ここで、前記ボンディング層の厚みと
は、バッキングプレートのボンディング面を基準とし
て、ターゲットのスパッタ面までを測定し、その測定値
からターゲットの厚みを引いた値をいう。このような測
定は、たとえば、デプスゲージ（ミツトヨ製、ＶＤＳ１
５）により行うことができる。ボンディング層の厚み
が、上記範囲内にあると、ターゲットとバッキングプレ
ートとの密着性が優れており好ましい。
グターゲットにおいては、ボンディング材によって、タ
ーゲットとバッキングプレートとの間に形成されたボン
ディング層の厚みが、好ましくは０．２〜１．０ｍｍの
範囲、より好ましくは０．５〜１．０ｍｍの範囲にある
ことが望ましい。ここで、前記ボンディング層の厚みと
は、バッキングプレートのボンディング面を基準とし
て、ターゲットのスパッタ面までを測定し、その測定値
からターゲットの厚みを引いた値をいう。このような測
定は、たとえば、デプスゲージ（ミツトヨ製、ＶＤＳ１
５）により行うことができる。ボンディング層の厚み
が、上記範囲内にあると、ターゲットとバッキングプレ
ートとの密着性が優れており好ましい。
【００２２】前記ボンディング材は、ターゲットを構成
する材料によって異なるが、一般にＩｎまたはＩｎ系合
金からなることが好ましい。Ｉｎ系合金としては、具体
的に、たとえば、Ｉｎ-Ｓｎ、Ｉｎ-Ｐｂ、Ｉｎ-Ａｇ、
Ｉｎ-Ｚｎなどが挙げられる。これらのうちでは、Ｉｎ
が好ましい。前記ボンディング材を用いると接合する際
の加熱温度を低くすることができ、ターゲットとバッキ
ングプレートの熱膨張率の差から内部生じることのある
歪を少なくすることができる。
する材料によって異なるが、一般にＩｎまたはＩｎ系合
金からなることが好ましい。Ｉｎ系合金としては、具体
的に、たとえば、Ｉｎ-Ｓｎ、Ｉｎ-Ｐｂ、Ｉｎ-Ａｇ、
Ｉｎ-Ｚｎなどが挙げられる。これらのうちでは、Ｉｎ
が好ましい。前記ボンディング材を用いると接合する際
の加熱温度を低くすることができ、ターゲットとバッキ
ングプレートの熱膨張率の差から内部生じることのある
歪を少なくすることができる。
【００２３】なお、前記バッキングプレートを構成する
材料は、特に限定されず、公知のものを使用することが
できる。具体的には、ターゲットを外部の冷却装置によ
り冷却できるように、熱伝導性に優れた材料が好まし
く、たとえば、Ｃｕ、Ｃｕ系合金などが挙げられる。
材料は、特に限定されず、公知のものを使用することが
できる。具体的には、ターゲットを外部の冷却装置によ
り冷却できるように、熱伝導性に優れた材料が好まし
く、たとえば、Ｃｕ、Ｃｕ系合金などが挙げられる。
【００２４】
【発明の効果】本発明によれば、スパッタリング時のタ
ーゲットの剥離を抑制し、効率よくスパッタリングを行
うことができるスパッタリングターゲットおよびバッキ
ングプレート付きスパッタリングターゲットを提供する
ことができる。本発明に係るスパッタリングターゲッ
ト、またはバッキングプレート付きスパッタリングター
ゲットを用いてスパッタリングを行った場合には、安定
した放電を確保することができ、溝切り加工部の厚みを
除いたターゲットの厚さまでスパッタリングをすること
ができる。
ーゲットの剥離を抑制し、効率よくスパッタリングを行
うことができるスパッタリングターゲットおよびバッキ
ングプレート付きスパッタリングターゲットを提供する
ことができる。本発明に係るスパッタリングターゲッ
ト、またはバッキングプレート付きスパッタリングター
ゲットを用いてスパッタリングを行った場合には、安定
した放電を確保することができ、溝切り加工部の厚みを
除いたターゲットの厚さまでスパッタリングをすること
ができる。
【００２５】
【実施例】以下、実施例に基づいて本発明をさらに具体
的に説明するが、本発明はこれらの実施例に限定される
ものではない。
的に説明するが、本発明はこれらの実施例に限定される
ものではない。
【００２６】
【実施例１】Ｍｏの母材をフライスにより荒削りした
後、ボンディング面となる面にφ６ｍｍのエンドミル
で、図１に示したように碁盤目状に溝切り加工を行った
後、平面研削盤でスパッタ面とボンディング面の両面を
研削し、その後、855×960×6ｍｍ3のサイズに加工し、
ターゲットとした。溝切り加工により形成された溝の深
さ、幅、およびセンターピッチを測定したところ、溝の
深さは、０．３〜０．７ｍｍ、溝の幅は、６．０ｍｍ、
溝のセンターピッチは、９９．９〜１００．０ｍｍであ
った。
後、ボンディング面となる面にφ６ｍｍのエンドミル
で、図１に示したように碁盤目状に溝切り加工を行った
後、平面研削盤でスパッタ面とボンディング面の両面を
研削し、その後、855×960×6ｍｍ3のサイズに加工し、
ターゲットとした。溝切り加工により形成された溝の深
さ、幅、およびセンターピッチを測定したところ、溝の
深さは、０．３〜０．７ｍｍ、溝の幅は、６．０ｍｍ、
溝のセンターピッチは、９９．９〜１００．０ｍｍであ
った。
【００２７】このＭｏターゲットと、バッキングプレー
ト（銅とステンレスのハイブリッド：サイズ935×1040
×25ｍｍ3）とを１６０〜２００℃に加熱し、ボンディ
ング面にＩｎのボンディング材を塗布して、接合した
後、冷却し、サンプル１を作製した。サンプル１のバッ
キングプレートのボンディング面を基準として、ターゲ
ットのスパッタ面までの距離を測定し、そこからターゲ
ットの厚みを引いてボンディング層の厚みを求めたとこ
ろ、８点測定してボンディング層の厚みは０．１ｍｍ以
下であった。
ト（銅とステンレスのハイブリッド：サイズ935×1040
×25ｍｍ3）とを１６０〜２００℃に加熱し、ボンディ
ング面にＩｎのボンディング材を塗布して、接合した
後、冷却し、サンプル１を作製した。サンプル１のバッ
キングプレートのボンディング面を基準として、ターゲ
ットのスパッタ面までの距離を測定し、そこからターゲ
ットの厚みを引いてボンディング層の厚みを求めたとこ
ろ、８点測定してボンディング層の厚みは０．１ｍｍ以
下であった。
【００２８】同様にして、サンプル２〜５を作製し、溝
の深さ、幅、センターピッチ、ボンディング層の厚みを
測定した。結果を表１に示す。サンプル１〜５を、スパ
ッタリング装置に装着し、以下の条件でスパッタリング
を行ったところ、１枚にわずかな剥離が生じたが、スパ
ッタリングの継続に支障はなかった。他の４サンプルに
ついては、すべて剥離は生じなかった。
の深さ、幅、センターピッチ、ボンディング層の厚みを
測定した。結果を表１に示す。サンプル１〜５を、スパ
ッタリング装置に装着し、以下の条件でスパッタリング
を行ったところ、１枚にわずかな剥離が生じたが、スパ
ッタリングの継続に支障はなかった。他の４サンプルに
ついては、すべて剥離は生じなかった。
【００２９】これらの５サンプルすべてについて、ター
ゲットの初期厚みの８０％までスパッタリングを行うこ
とができた。 スパッタ条件 スパッタリング方式：ＤＣマグネトロンスパッタ プロセスガス ：Ａｒ プロセス圧力 ：３ mTorr 投入電力 ：５．５ W/cm2
ゲットの初期厚みの８０％までスパッタリングを行うこ
とができた。 スパッタ条件 スパッタリング方式：ＤＣマグネトロンスパッタ プロセスガス ：Ａｒ プロセス圧力 ：３ mTorr 投入電力 ：５．５ W/cm2
【００３０】
【実施例２】ボンディング層の厚みが、平均で０．５ｍ
ｍ程度となるように接合した他は、実施例１と同様にし
て、同サイズのバッキングプレート付きスパッタリング
ターゲットを５枚作製した（サンプルＮｏ．６〜１
０）。サンプル６〜１０についても、実施例１と同様に
して、溝の深さ、幅、センターピッチ、ボンディング層
の厚みを測定した。結果を表１に示す。
ｍ程度となるように接合した他は、実施例１と同様にし
て、同サイズのバッキングプレート付きスパッタリング
ターゲットを５枚作製した（サンプルＮｏ．６〜１
０）。サンプル６〜１０についても、実施例１と同様に
して、溝の深さ、幅、センターピッチ、ボンディング層
の厚みを測定した。結果を表１に示す。
【００３１】これらの５サンプルを実施例１と同様の条
件で、スパッタリングしたところ、５サンプルすべてに
ついて、剥離は生じず、ターゲットの初期厚みの８０％
までスパッタリングを行うことができた。
件で、スパッタリングしたところ、５サンプルすべてに
ついて、剥離は生じず、ターゲットの初期厚みの８０％
までスパッタリングを行うことができた。
【００３２】
【比較例１】ターゲットのボンディング面に溝切り加工
を施さなかった他は、実施例１と同様にして、バッキン
グプレート付きスパッタリングターゲットを１０枚作製
した（サンプルＮｏ．１１〜２０）。サンプル１１〜２
０についても、実施例１と同様にして、ボンディング層
の厚みを測定した。結果を表１に示す。
を施さなかった他は、実施例１と同様にして、バッキン
グプレート付きスパッタリングターゲットを１０枚作製
した（サンプルＮｏ．１１〜２０）。サンプル１１〜２
０についても、実施例１と同様にして、ボンディング層
の厚みを測定した。結果を表１に示す。
【００３３】これらの１０サンプルを実施例１と同様の
条件で、スパッタリングしたところ、１０サンプルすべ
てについて、ターゲットの初期厚みの３０〜５０％程度
までスパッタリングしたところで、ターゲットの外周部
のほぼ全周に渡って剥離が生じ、スパッタリングの継続
が不可能であった。ターゲットとバッキングプレートの
間には、最大で０．７ｍｍの空隙が生じていた。
条件で、スパッタリングしたところ、１０サンプルすべ
てについて、ターゲットの初期厚みの３０〜５０％程度
までスパッタリングしたところで、ターゲットの外周部
のほぼ全周に渡って剥離が生じ、スパッタリングの継続
が不可能であった。ターゲットとバッキングプレートの
間には、最大で０．７ｍｍの空隙が生じていた。
【００３４】
【表１】
【図１】図１は、本発明に係るターゲットの概略を示す
斜視図である。
斜視図である。
【図２】図２は、図１に示したターゲットのＩ−Ｉ断面
図である。
図である。
１ …ターゲット
３ …ボンディング面
５ …中心線
７ …中心線
Claims (6)
- 【請求項１】金属または合金からなるスパッタリングタ
ーゲットであって、該ターゲットのボンディング面に溝
切り加工が施されていることを特徴とするスパッタリン
グターゲット。 - 【請求項２】前記溝切り加工によって、ターゲットのボ
ンディング面に形成された溝の深さが０．２〜１．０ｍ
ｍの範囲、 幅が０．５〜２０ｍｍの範囲、 センターピッチが１０〜２００ｍｍの範囲にあることを
特徴とする請求項１に記載のスパッタリングターゲッ
ト。 - 【請求項３】前記ターゲットが、Ｍｏ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｔ
ａ、Ｃｒ、Ｗからなる群より選ばれた少なくとも１種の
金属からなるか、これを主成分とする合金であることを
特徴とする請求項１または２に記載のスパッタリングタ
ーゲット。 - 【請求項４】請求項１〜３のいずれかに記載のスパッタ
リングターゲットがボンディング材を介してバッキング
プレートに接合されていることを特徴とするバッキング
プレート付きスパッタリングターゲット。 - 【請求項５】前記ボンディング材により、ターゲットと
バッキングプレートとの間に形成されたボンディング層
の厚みが０．２〜１．０ｍｍの範囲にあることを特徴と
する請求項４に記載のバッキングプレート付きスパッタ
リングターゲット。 - 【請求項６】前記ボンディング材が、ＩｎまたはＩｎ系
合金からなることを特徴とする請求項４または５に記載
のバッキングプレート付きスパッタリングターゲット。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001340651A JP2003147518A (ja) | 2001-11-06 | 2001-11-06 | スパッタリングターゲット |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001340651A JP2003147518A (ja) | 2001-11-06 | 2001-11-06 | スパッタリングターゲット |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003147518A true JP2003147518A (ja) | 2003-05-21 |
Family
ID=19154812
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001340651A Pending JP2003147518A (ja) | 2001-11-06 | 2001-11-06 | スパッタリングターゲット |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2003147518A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPWO2005111261A1 (ja) * | 2004-05-18 | 2008-03-27 | 三井金属鉱業株式会社 | スパッタリングターゲット及びその製造方法 |
| JP2009249721A (ja) * | 2008-04-10 | 2009-10-29 | Mitsui Mining & Smelting Co Ltd | スパッタリングターゲット |
-
2001
- 2001-11-06 JP JP2001340651A patent/JP2003147518A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPWO2005111261A1 (ja) * | 2004-05-18 | 2008-03-27 | 三井金属鉱業株式会社 | スパッタリングターゲット及びその製造方法 |
| JP2009249721A (ja) * | 2008-04-10 | 2009-10-29 | Mitsui Mining & Smelting Co Ltd | スパッタリングターゲット |
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Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20061206 |