KR101920170B1

KR101920170B1 - 스퍼터링용 타깃재와 그 제조 방법

Info

Publication number: KR101920170B1
Application number: KR1020177002673A
Authority: KR
Inventors: 마코토 오자와; 이사오 안도
Original assignee: 스미토모 긴조쿠 고잔 가부시키가이샤
Priority date: 2014-07-03
Filing date: 2015-06-25
Publication date: 2018-11-19
Also published as: CN106574359B; US20170130328A1; KR20170024078A; JPWO2016002633A1; US10612127B2; CN106574359A; EP3165632A1; WO2016002633A1; JP6066018B2; TWI560298B; TW201606109A; EP3165632B1; EP3165632A4

Abstract

아킹이나 노듈의 발생이 매우 적은, 스퍼터링 타깃 및 그 제조 방법을 제공한다.
산화물 소결체로 이루어지는 재료를 가공하여, 평판상 또는 원통형 타깃재(3, 13)를 얻는다. 이때, 상기 재료 중 스퍼터링면(5, 15)으로 되는 면에 대해, 소정의 번수의 지석을 사용하여, 당해 지석의 번수에 따라서, 1회 이상의 조연삭을 실시하고, 그 후, 1회 이상의 제로 연삭을 실시하여, 스퍼터링면(5, 15)의 표면 조도를, 산술 평균 조도(Ra)로 0.9㎛ 이상, 최대 높이(Rz)로 10.0㎛ 이하, 또한 Rz_JIS로 7.0㎛ 이하로 한다. 얻어진 타깃재(3, 13)를, 접합층(4, 14)을 개재하여, 백킹 본체(2, 12)에 접합함으로써, 스퍼터링 타깃(1, 11)을 얻는다.

Description

스퍼터링용 타깃재와 그 제조 방법 {TARGET MATERIAL FOR SPUTTERING AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME}

본 발명은, 스퍼터링용 타깃재와 그 제조 방법에 관한 것이다. 또한, 본 발명은, 이 스퍼터링용 타깃재를 사용한 스퍼터링 타깃, 특히 이 스퍼터링용 타깃재를 분할 타깃재로서 사용한 연결 스퍼터링 타깃과 그 제조 방법에 관한 것이다.

투명 도전막은, 일반적으로 높은 도전성과 가시 영역에서의 높은 투과율을 구비하고 있다. 이로 인해, 태양 전지, 액정 표시 소자, 그 밖의 수광 소자의 투명 전극으로서 이용되고 있다. 또한, 자동차 창, 건축용 열선 반사막, 대전 방지막, 냉동 쇼케이스 등의 흐림 방지용 투명 발열체로서도 이용되고 있다.

이들 용도에는, 안티몬이나 불소를 도펀트로서 함유하는 산화주석, 알루미늄이나 갈륨을 도펀트로서 함유하는 산화아연, 또는 주석을 도펀트로서 함유하는 산화인듐(ITO) 등으로 이루어지는 투명 도전막이 사용되고 있다. 특히, 주석을 함유하는 산화인듐(ITO)으로 이루어지는 투명 도전막은, 저저항이며, 또한 비교적 용이하게 성막할 수 있으므로, 공업적으로 널리 사용되고 있다.

이러한 투명 도전막의 성막 방법으로서, 스프레이법, 증착법, 이온 플레이팅법, 스퍼터링법 등이 알려져 있다. 특히, 스퍼터링법은, 생산성이 높고, 고품질의 투명 도전막을 용이하게 얻을 수 있으므로, 공업적으로 널리 이용되고 있다.

스퍼터링법에서는, 백킹 본체에, 성막 재료원으로서의 타깃재가, 접합층을 개재하여 접합되어 있는 스퍼터링 타깃이 사용된다. 이러한 타깃재에서는, 방전 시에, 그 스퍼터링면에 노듈이 형성된다고 하는 문제가 있다. 이 노듈은, 이상 방전(아킹)이나 파티클 발생의 원인이 되고, 이들 이상에 의해, 얻어지는 투명 도전막에 있어서 핀 홀 등의 결함이 발생한다. 이로 인해, 성막 작업 중이라도 스퍼터링면으로부터 노듈을 제거할 필요가 있어, 노듈의 존재는 투명 도전막의 생산성을 저하시키는 큰 요인이 되고 있다. 이 노듈에 기인하는 문제는, 복수의 분할 타깃재를 연결한 연결 타깃재를 사용한 스퍼터링법에 있어서 현저하게 나타난다.

노듈은, 주로, 타깃재의 침식부와 비침식부의 경계 및 그 근방(경계 영역)에서 발생하고, 또한 노듈의 발생에는 이 경계 영역에 있어서의 표면 조도가 영향을 미치고 있는 것이 알려져 있다. 따라서, 노듈의 발생을 억제하기 위해서는, 경계 영역의 표면 조도를 적절하게 제어할 필요가 있다.

일본 특허 공개 평8-60352호 공보에는, 평판상 ITO 타깃재에 있어서, 스퍼터링면의 표면 조도를, 산술 평균 조도(Ra)로 0.8㎛ 이하, 또한 최대 높이(Rz)로 7.0㎛ 이하, 또는 10점 평균 조도(Rz_JIS)로 0.8㎛ 이하로 되도록 제어하는 것이 기재되어 있다. 이 타깃재는, 요철이 매우 적은 평활한 스퍼터링면을 구비하고 있으므로, 방전 시에 있어서의 노듈의 발생이 안정적으로 억제된다. 그러나, 이 타깃재를 사용하여 스퍼터링을 행한 경우, 침식부로부터 튀겨 나온 입자(스패터 입자)가 비침식부에 부착되고, 이 부착된 스패터 입자가 박리될 때, 아킹을 발생시키고, 또한 이것에 기인하여 파티클을 발생시킬 우려가 있다.

이에 대해, 일본 특허 공개 제2004-315931호 공보에는, 산화물 소결체로 이루어지는 평판상 타깃재에 있어서, 침식부의 표면을 평활하게 하면서, 비침식부의 상면의 표면 조도를, 산술 평균 조도(Ra)로 2.0㎛ 이상으로 하는 것이 기재되어 있다. 이 타깃재에서는, 앵커 효과에 의해, 비침식부에 부착된 스패터 입자의 박리가 억제되어, 이 스패터 입자의 박리에 기인하는 아킹의 발생은 방지된다. 그러나, 이 타깃재에서는, 비침식부에 스패터 입자가 돌기상으로 퇴적되어 노듈이 되고, 이 노듈의 돌기부를 기점으로 하여, 아킹이 발생할 우려가 있다.

일본 특허 공개 평8-60352호 공보 일본 특허 공개 제2004-315931호 공보

본 발명은, 아킹이나 노듈의 발생이 매우 적은, 스퍼터링 타깃을 제공하는 것을 목적으로 한다. 또한, 본 발명은, 이러한 스퍼터링 타깃을 효율적으로 양산 가능한 제조 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.

본 발명은, 산화물 소결체로 이루어지고, 스퍼터링면을 갖는, 스퍼터링용 타깃재이며, 상기 스퍼터링면의 표면 조도가, 산술 평균 조도(Ra)로 0.9㎛ 이상, 최대 높이(Rz)로 10.0㎛ 이하, 또한 10점 평균 조도(Rz_JIS)로 7.0㎛ 이하인 것을 특징으로 한다.

상기 산술 평균 조도(Ra)는, 0.9㎛∼1.5㎛의 범위에 있는 것이 바람직하고, 0.95㎛∼1.2㎛의 범위에 있는 것이 더욱 바람직하다. 또한, 상기 최대 높이(Rz)는 5.0㎛∼10.0㎛의 범위에 있는 것이 바람직하고, 6.0㎛∼8.0㎛의 범위에 있는 것이 더욱 바람직하다. 또한, 상기 10점 평균 조도(Rz_JIS)는, 4.0㎛∼7.0㎛의 범위에 있는 것이 바람직하고, 4.5㎛∼6.5㎛의 범위에 있는 것이 더욱 바람직하다.

본 발명의 스퍼터링용 타깃재의 제조 방법은, 산화물 소결체로 이루어지는 재료를 가공하여, 스퍼터링용 타깃재를 얻는 가공 공정을 구비하고, 당해 가공 공정에 있어서, 상기 재료 중 상기 스퍼터링용 타깃재에 있어서 스퍼터링면으로 되는 면에 대해, 소정의 번수를 갖는 지석을 사용하여, 조연삭을 실시하고, 그 후, 제로 연삭을 실시하여, 상기 스퍼터링면의 표면 조도를, 산술 평균 조도(Ra)로 0.9㎛ 이상, 최대 높이(Rz)로 10.0㎛ 이하, 또한 10점 평균 조도(Rz_JIS)로 7.0㎛ 이하로 하는 것을 특징으로 한다.

상기 산술 평균 조도(Ra)가 0.9㎛∼1.5㎛의 범위로, 상기 최대 높이(Rz)가 5.0㎛∼10.0㎛의 범위로, 상기 10점 평균 조도(Rz_JIS)가 4.0㎛∼7.0㎛로 되도록 하는 것이 바람직하다.

상기 조연삭을 번수#100∼#170의 범위에 있는 지석을 사용하여 행하고, 또한 상기 제로 연삭을 번수#140∼#400의 범위에 있는 지석을 사용하여 행하는 것이 바람직하다. 또한, 상기 조연삭을, 2회∼4회로 나누어 행하는 것이 바람직하고, 또한 상기 제로 연삭을, 2회∼6회로 나누어 행하는 것이 바람직하다.

상기 조연삭 후이며, 또한 상기 제로 연삭 전에, 번수#140∼#400의 범위에 있는 지석을 사용한 마무리 연삭을, 1회∼4회로 나누어 행하는 것이 더욱 바람직하다.

본 발명의 스퍼터링 타깃은, 백킹 본체와, 당해 백킹 본체에 접합층을 개재하여 접합된 스퍼터링용 타깃재를 구비하고, 상기 스퍼터링용 타깃재로서, 본 발명의 스퍼터링용 타깃재를 사용하고 있는 것을 특징으로 한다.

본 발명은, 특히 복수의 분할 타깃재로 이루어지는 연결 스퍼터링 타깃에 적합하게 적용 가능하다. 또한, 본 발명은, 평판상 또는 원통형의 스퍼터링용 타깃재를 사용한 스퍼터링 타깃에 모두 적용 가능하지만, 특히 상기 백킹 본체가 원통형 백킹 튜브로 이루어지고, 상기 스퍼터링용 타깃재가 원통 형상을 갖는 원통형 스퍼터링 타깃에 적합하게 적용된다.

또한, 본 발명의 스퍼터링 타깃의 제조 방법은, 본 발명의 스퍼터링용 타깃재를 백킹 본체에 접합층을 개재하여 접합하여, 스퍼터링 타깃을 얻는 접합 공정을 구비한다. 본 발명은, 특히 인접 배치되는 복수의 분할 타깃재로 이루어지는 연결 스퍼터링 타깃의 제조 방법에 적합하게 적용되고, 이 경우, 본 발명은 상기 복수의 분할 타깃재 각각으로서, 본 발명의 스퍼터링용 타깃재를 사용하고, 인접하는 상기 분할 타깃재끼리의 서로 대향하는 단부면의 간격이, 0.1㎜ 이상 1.0㎜ 이하로 되도록, 당해 복수의 분할 타깃재를 백킹 본체에 접합하는 공정을 구비하는 점에 특징을 갖는다.

본 발명에 따르면, 복수의 분할 타깃재를 구비하는 연결 스퍼터링 타깃의 구성이 채용되는 경우도 포함하여, 아킹이나 노듈의 발생이 매우 적은 스퍼터링 타깃이 제공된다. 또한, 본 발명에 따르면, 이러한 스퍼터링 타깃을 효율적으로 양산하는 것이 가능해진다. 이로 인해, 본 발명의 공업적 의의는, 매우 크다.

도 1은 본 발명을 적용한 평판상 스퍼터링 타깃을 도시하는 사시도이다.
도 2는 도 1의 A부의 확대도이다.
도 3은 본 발명을 적용한 원통형 스퍼터링 타깃을 도시하는 사시도이다.
도 4는 도 3의 B부의 확대도이다.

본 발명자들은, 상술한 문제를 해결하기 위해 예의 연구를 거듭한 결과, 스퍼터링 타깃의 비침식부에 퇴적된 입자의 박리를 방지하기 위해서는, 비침식부의 표면을 어느 정도 거칠게 형성하는 것이 유효하다는 결론을 얻었다.

그러나, 비침식부의 표면 조도를, 산술 평균 조도(Ra)로 2.0㎛ 이상까지 크게 하기 위해, 거친 지석을 사용하여 산화물 소결체의 표면을 연마한 경우에는, 최대 높이(Rz)나 10점 평균 조도(Rz_JIS)가 지나치게 커져, 비침식부의 표면에 상당한 볼록부 또는 오목부가 존재하게 된다. 이로 인해, 산술 평균 조도(Ra)를 2.0㎛ 이상으로 하는 것만으로는, 이들 볼록부 또는 오목부에 기인하는 노듈의 발생을 방지할 수는 없다.

따라서, 본 발명자들은, 이 점에 대해 더욱 연구를 거듭한 결과, 스퍼터링면의 표면 조도를, 산술 평균 조도(Ra)뿐만 아니라, 최대 높이(Rz) 및 10점 평균 조도(Rz_JIS)로 규제함으로써, 노듈 및 이것에 수반되는 파티클이나 아킹의 발생을 효과적으로 억제할 수 있다는 지견을 얻었다. 또한, 이러한 스퍼터링면은, 조연삭 및 제로 연삭을 조합하여, 혹은 조연삭, 마무리 연삭 및 제로 연삭을 조합하여 행함으로써, 공업 규모의 생산에 있어서도, 용이하고 또한 효율적으로 얻을 수 있다는 지견을 얻었다.

본 발명은, 이들 지견에 기초하여 완성된 것이다. 이하, 본 발명에 대해, 「1. 스퍼터링용 타깃재」, 「2. 스퍼터링용 타깃재의 제조 방법」, 「3. 스퍼터링 타깃」 및 「4. 스퍼터링 타깃의 제조 방법」으로 나누어, 도 1∼도 4를 참조하면서 상세하게 설명한다.

1. 스퍼터링용 타깃재

a) 재질

본 발명은, 산화물 소결체로 이루어지는 스퍼터링용 타깃재(이하, 「타깃재」라고 함)(3, 13)를 대상으로 한다. 또한, 산화물 소결체로 이루어지는 타깃재는, 합금을 포함하는 금속제의 타깃재와의 비교에 있어서, 일반적으로, 저항값이나 투과율의 경시적 변화가 적은 투명 도전막이 얻어지고, 또한 성막 조건의 제어가 용이한 한편, 스퍼터링 시에, 노듈이 발생하기 쉽다고 하는 특징이 있다.

본 발명에 있어서, 산화물 소결체의 종류는 특별히 제한되는 일 없이, 인듐(In), 주석(Sn), 아연(Zn), 알루미늄(Al), 니오븀(Nb), 탄탈륨(Ta) 및 티타늄(Ti)으로부터 선택되는 적어도 1종을 주성분으로 하는 산화물 소결체를 사용할 수 있다. 특히, 저융점 접합재와 융합되기 쉬운 산화인듐(In₂O₃)이나 산화아연(ZnO)을 주성분으로 하는 산화물 소결체를 적합하게 사용할 수 있다.

구체적으로는, 본 발명은, 주석을 함유하는 산화인듐(ITO), 세륨(Ce)을 함유하는 산화인듐(ICO), 갈륨(Ga)을 함유하는 산화인듐(IGO), 티타늄을 함유하는 산화인듐(ITiO), 텅스텐(W)을 함유하는 산화인듐(IWO), 이트륨(Y)을 함유하는 산화인듐(IYO), 니켈(Ni)을 함유하는 산화인듐(INiO), 스칸듐(Sc)을 함유하는 산화인듐(IScO), 실리콘(Si)을 함유하는 산화인듐(ISiO), 게르마늄(Ge)을 함유하는 산화인듐(IGeO), 하프늄(Hf)을 함유하는 산화인듐(IHfO), 탄탈륨을 함유하는 산화인듐(ITaO), 철(Fe)을 함유하는 산화인듐(IFeO), 프라세오디뮴(Pr)을 함유하는 산화인듐(IPrO), 유로퓸(Eu)을 함유하는 산화인듐(IEuO), 에르븀(Er)을 함유하는 산화인듐(IErO), 디스프로슘(Dy)을 함유하는 산화인듐(IDyO), 망간(Mn)을 함유하는 산화인듐(IMnO), 코발트(Co)를 함유하는 산화인듐(ICoO), 마그네슘(Mg)을 함유하는 산화인듐(IMgO), 아연을 함유하는 산화인듐(IZO), 혹은 갈륨과 아연을 함유하는 산화인듐(IGZO)으로 구성되는 산화물 소결체에 적합하게 적용 가능하다. 또한, 본 발명은, 알루미늄을 함유하는 산화아연(AZO), 갈륨을 함유하는 산화아연(GZO), 인듐(In)을 함유하는 산화아연(ZIO), 산화마그네슘(MgO)을 함유하는 산화아연(ZMgO), 산화주석(SnO2)을 함유하는 산화아연(ZTO), 갈륨과 알루미늄을 함유하는 산화아연(GAZO), 혹은 산화아연(ZnO)을 함유하는 산화주석(TZO)으로 구성되는 산화물 소결체에도 적합하게 적용 가능하다.

b) 형상

본 발명은, 타깃재(3, 13)의 형상에 의해 제한되는 일 없이, 평판상 타깃재(3) 및 원통형 타깃재(13)에 모두 적용 가능하다. 또한, 본 발명은 타깃재(3, 13)의 사이즈에 의해 제한되는 일도 없고, 다양한 사이즈의 타깃재(3, 13)에 대해 적용 가능하다.

또한, 12000㎠(100㎝×120㎝)를 초과하는 대면적 유리나 50㎝ 폭을 초과하는 필름에 성막하는 경우에는, 복수의 분할 타깃재(3a∼3f, 13a∼13f)를 각각 접합층(4, 14)을 개재하여, 백킹 본체(2, 12)에 인접 배치되도록 접합한 구조의 연결 스퍼터링 타깃(1, 11)이 일반적으로 사용되지만, 본 발명은, 연결 스퍼터링 타깃(1, 11)에 사용되는 연결 타깃재(3, 13)에 대해서도 적합하게 적용 가능하다.

c) 스퍼터링면의 표면 조도

본 발명의 타깃재(3, 13)에 있어서는, 평판상 타깃재(3) 및 원통형 타깃재(13)의 경우 모두, 스퍼터링면(5, 15)의 표면 조도가, 산술 평균 조도(Ra)로 0.9㎛ 이상, 최대 높이(Rz)로 10.0㎛ 이하, 또한 10점 평균 조도(Rz_JIS)로 7.0㎛ 이하로 되어 있다.

이러한 표면 조도를 구비하는 타깃재(3, 13)에서는, 앵커 효과에 의해 스퍼터링면(5, 15) 중의 비침식부에 부착 및 퇴적된 스패터 입자의 박리가 효과적으로 방지된다. 또한, 비침식부에 있어서, 스패터 입자가 돌기상으로 퇴적되어 노듈로 되는 일도 없으므로, 이러한 돌기부를 기점으로 하는 아킹의 발생도 효과적으로 방지된다.

또한, 산술 평균 조도(Ra), 최대 높이(Rz) 및 10점 평균 조도(Rz_JIS)는, 표면 조도 및 윤곽 형상 측정기를 사용하여, JIS B 0601(2013)에 준거한 방법에 의해 측정 가능하다.

[산술 평균 조도(Ra)]

본 발명에 있어서, 산술 평균 조도(Ra)는, 0.9㎛ 이상, 바람직하게는 0.95㎛ 이상으로 제어된다. 산술 평균 조도(Ra)가 0.9㎛ 미만에서는, 스퍼터링 시에 비래한 스패터 입자가, 스퍼터링면(5, 15), 특히 비침식부에 재부착되어, 퇴적물로 된 경우에, 이 퇴적물에 대한 앵커 효과를 충분히 작용시킬 수 없다. 이로 인해, 퇴적물의 박리가 아킹의 발생 원인이 된다. 또한, 산술 평균 조도(Ra)의 상한은, 최대 높이(Rz) 및 10점 평균 조도(Rz_JIS)의 제어에 의해 실질적으로 제한되지만, 1.5㎛ 이하인 것이 바람직하고, 1.2㎛ 이하인 것이 더욱 바람직하다.

[최대 높이(Rz)]

본 발명에 있어서, 최대 높이(Rz)는, 10.0㎛ 이하, 바람직하게는 8.0㎛ 이하로 제어된다. 최대 높이(Rz)가 10.0㎛를 초과하면, 스퍼터링면(5, 15)에 비교적 높은 돌기부가 존재하게 되어, 스퍼터링 시에, 이 돌기부에 전류가 집중됨으로써 아킹이 발생한다. 또한, 최대 높이(Rz)의 하한은, 산술 평균 조도(Ra)의 제어에 의해 실질적으로 제한되지만, 5.0㎛ 이상인 것이 바람직하고, 6.0㎛ 이상인 것이 더욱 바람직하다.

[10점 평균 조도(Rz_JIS)]

본 발명에 있어서, 10점 평균 조도(Rz_JIS)는, 7.0㎛ 이하, 바람직하게는 6.5㎛ 이하로 제어된다. 10점 평균 조도(Rz_JIS)가 7.0㎛를 초과하면, 앵커 효과가 과도하게 큰 것으로 되므로, 스퍼터링면(5, 15)에 부착된 스패터 입자가 돌기상으로 성장하여, 노듈로 되기 쉬워진다. 또한, 10점 평균 조도(Rz_JIS)의 하한도, 산술 평균 조도(Ra)의 제어에 의해 실질적으로 제한되지만, 4.0㎛ 이상인 것이 바람직하고, 4.5㎛ 이상인 것이 더욱 바람직하다.

d) 비스퍼터링면의 표면 조도

본 발명에서는, 스퍼터링면의 표면 조도를 적절하게 규제하고, 그 앵커 효과를 이용함으로써, 스퍼터링면에 재부착된 스패터 입자의 박리에 기인하는 아킹의 발생이나, 스퍼터링면에 퇴적된 스패터 입자가 돌기상으로 성장하여 노듈로 되고, 이 노듈에 전류가 집중되는 것에 의한 아킹의 발생을 효과적으로 방지하고 있다. 이로 인해, 평판상 타깃재의 측면이나 원통형 타깃재의 단부면의 표면 조도의 아킹의 발생에 대한 영향은, 본래적으로 작게 억제된다. 따라서, 본 발명에서는, 이들 비스퍼터링면의 표면 조도가 원칙적으로 제한되는 일은 없다. 단, 스퍼터링면과 마찬가지로, 그 표면 조도를, 산술 평균 조도(Ra)로 0.9㎛ 이상, 최대 높이(Rz)로 10.0㎛ 이하, 또한 10점 평균 조도(Rz_JIS)로 7.0㎛ 이하로 제어하는 것은 가능하고, 또한 바람직하다고 할 수 있다.

2. 스퍼터링용 타깃재의 제조 방법

본 발명의 타깃재의 제조 방법은, 산화물 소결체를, 소정의 형상 및 소정의 표면 조도로 되도록 가공하여, 타깃재를 얻는 가공 공정을 구비한다. 또한, 본 발명은, 평판상 산화물 소결체로 이루어지는 타깃재와, 원통형 산화물 소결체로 이루어지는 타깃재에 모두 적용 가능하다.

평판상 산화물 소결체의 상면 및 원통형 산화물 소결체의 외주면은, 본 발명의 스퍼터링 타깃에 있어서의 스퍼터링면으로 된다. 본 발명의 타깃재의 제조 방법에 있어서는, 스퍼터링면으로 되는 이들 면에 대해, 소정의 번수의 지석을 사용하여 연삭 가공이 실시된다. 본 발명에서는, 이 연삭 가공에 의해, 스퍼터링면의 표면 조도를, 산술 평균 조도(Ra)로 0.9㎛ 이상, 최대 높이(Rz)로 10.0㎛ 이하, 또한 10점 평균 조도(Rz_JIS)로 7.0㎛ 이하로 하는 것이 중요하다. 이 연삭 가공으로서는, 1회 이상의 조연삭 및 1회 이상의 제로 연삭, 바람직하게는 1회 이상의 조연삭, 1회 이상의 마무리 연삭, 및 1회 이상의 제로 연삭이 행해진다. 이러한 연삭 가공에 의해, 스퍼터링면의 표면 조도를, 상기한 소정 범위로 하는 것이 용이하고 또한 효율적으로 가능해진다.

a) 평판상 타깃재의 제조 방법

평판상 타깃재를 제조하는 경우, 처음으로, 평면 연삭반을 사용하여, 평판상 산화물 소결체의 각 면 중, 스퍼터링면으로 되는 상면에 대해 연삭 가공을 실시한다. 이때, 상면의 표면 조도, 즉, 산술 평균 조도(Ra), 최대 높이(Rz) 및 10점 평균 조도(Rz_JIS)가 상기한 소정 범위로 되도록, 상기 상면에 대해 적어도 1회 이상의 조연삭 및 1회 이상의 제로 연삭을 실시한다. 다음으로, 평면 연삭반, 슬라이싱 머신, 그라인딩 센터, 머시닝 센터 등을 사용하여, 평판상 산화물 소결체의 측면 및 단부면에 대해 연삭 가공을 실시한다. 이에 의해, 평판상 산화물 소결체를 소정의 치수로 조정한다. 또한, 상면과 측면 및 단부면을 가공하는 순서는, 특별히 제한되는 일은 없고, 상면의 표면 조도를 상기한 소정 범위로 제어할 수 있는 한, 측면 및 단부면을 가공한 후에, 상면을 가공해도 된다.

b) 원통형 타깃재의 제조 방법

원통형 타깃재를 제조하는 경우, 먼저, 원통형 산화물 소결체의 단부면의 연삭을 행하고, 평행도를 낸다. 다음으로, 원통 연삭반, 내면 연삭반, 머시닝 센터, 그라인딩 센터 등을 사용하여, 원통형 산화물 소결체의 내주면 및 외주면에 대해 소정의 치수로 되도록 연삭 가공을 실시한다. 이때, 스퍼터링면으로 되는 외주면에 대해, 그 표면 조도, 구체적으로는 산술 평균 조도(Ra), 최대 높이(Rz) 및 10점 평균 조도(Rz_JIS)가 상기한 소정 범위로 되도록, 적어도 1회 이상의 조연삭 및 1회 이상의 제로 연삭을 실시한다. 그 후, 다시, 평면 연삭반을 사용하여, 원통형 타깃재의 전체 길이가, 소정의 치수로 되도록 단부면에 대해 연삭 가공을 실시한다.

또한, 원통형 산화물 소결체는, 그 형상이 특이한 것이나 강도가 낮은 것에 기인하여, 상술한 가공 시에, 공지의 척킹 방법만으로는 충분한 고정 강도로 척킹 지그(고정 지그)에 고정할 수 없어, 가공 중에, 위치 어긋남이나 균열이 발생하는 경우가 있다. 이로 인해, 공지의 척킹 방법 외에도, 접착제 등을 통해 척킹 지그에 고정하고, 고정 강도를 향상시킨 후 가공하는 것이 바람직하다.

c) 스퍼터링면의 가공

[조연삭]

조연삭에서는, 비교적 거친 지석을 사용하여 연삭한다. 구체적으로는, 번수#100∼#170의 지석을 사용하는 것이 바람직하고, 번수#120∼#170의 지석을 사용하는 것이 보다 바람직하고, 번수#120∼#140의 지석을 사용하는 것이 더욱 바람직하다. 이러한 비교적 입도가 큰 지석을 사용함으로써, 높은 작업 효율로 조연삭을 행할 수 있다. 또한, 제로 연삭이나 마무리 연삭에 의해, 용이하게, 소정의 표면 조도를 구비하는 스퍼터링면을 형성할 수 있다.

이에 대해, 번수#100 미만의 지석에서는, 스퍼터링면의 최대 높이(Rz) 및 10점 평균 조도(Rz_JIS)가 지나치게 커지므로, 스퍼터링 중의 아킹이나 노듈의 발생을 억제하는 것이 곤란해진다. 한편, 번수#170을 초과하는 지석에서는, 조연삭에 장시간을 필요로 하여, 생산성의 악화를 초래한다. 또한, 지석이 빈번하게 막힘이나 찌부러뜨림을 일으켜, 연삭 저항이 커지므로, 지석 축이나 산화물 소결체가 변형되거나, 산화물 소결체에 크랙이 발생하거나 할 우려가 있다. 또한, 트루잉 작업(지석 축의 변형을 수정하는 작업)이나 드레싱 작업(지석의 표면을 갈아 절삭 품질을 되찾는 작업)이 필요해져, 생산성이 점점 악화되게 된다.

또한, 가공 방법에 따라 다르지만, 특히 플런지 컷에 의한 가공을 행하는 경우, 소정의 치수로 1회 가공하는 것보다, 복수 회로 나누어 소정의 치수까지 가공하는 쪽이 바람직하다. 즉, 조연삭에 있어서는, 1면당, 1회만 연삭하는 것보다, 복수 회로 나누어 연삭하는 쪽이 바람직하다. 이것은, 연삭에 의한 변형이나 기계적 부하를 저감시키는 것도 목적이지만, 일반적으로, 지석의 연삭 면적이, 산화물 소결체의 스퍼터링면의 면적보다 상당히 작기 때문에, 한 번으로는 피연삭면인 스퍼터링면의 전체면을 연삭할 수 없는 것에 기인하는 문제가 발생하기 때문이다. 즉, 피연삭면 중 일부를 깊게 연삭하게 되어, 피연삭면 중의 연삭 부분과 미연삭 부분 사이에 큰 단차가 생겨 버린다. 이러한 피연삭면에 생긴 단차와 지석의 단부면이 접촉하고, 지석에 요동이 발생하여, 1회만의 연삭으로는 피연삭면 전체에 걸쳐 균일한 연삭을 실시할 수 없게 되므로, 이러한 문제를 회피하기 위해, 복수 회로 나누어 스퍼터링면에 연삭이 실시되는 것이다.

또한, 피연삭면의 단차와 지석의 측면이 접촉함으로써, 연삭액이 연삭 중인 연삭면에 들어가지 않아, 연삭면의 냉각이 불충분해져 연삭 버닝을 발생하거나, 절삭분이 효율적으로 배출되지 않아, 지석이 막힘을 일으켜, 연삭 속도가 저하되어 버리거나 하는 경우가 있다. 이들 문제가 발생하지 않도록, 1회의 연삭량을 정해 두는 것이 바람직하다.

구체적으로는, 1회의 연삭량은, 2㎜ 이하가 바람직하고, 1㎜ 이하가 더욱 바람직하다. 하한은 특별히 한정되지 않지만, 연삭 횟수가 많아지면 핸들링 횟수가 증가하여, 생산성이 저하되어 버리므로, 연삭 횟수가 2회∼4회 정도로 되도록, 1회의 연삭량을 300㎛ 이상으로 하는 것이 바람직하고, 500㎛ 이상으로 하는 것이 더욱 바람직하다.

이러한 연삭량을 연삭할 때, 평판상 산화물 소결체의 경우에는, 1회의 절입량을 50㎛ 이상으로 하여 연삭하면, 산화물 소결체나 지석에 큰 부하가 가해져, 산화물 소결체가 균열되거나, 지석의 열화가 빨라지거나, 피연삭면의 표면 조도가 커져 버리거나 하므로, 이 연삭을 복수 회의 절입으로 나누어 실시하는 것이 바람직하다. 즉, 1회의 절입량을, 30㎛ 이하로 하는 것이 바람직하고, 15㎛ 이하로 하는 것이 더욱 바람직하다.

한편, 원통형 산화물 소결체의 경우에는, 평판상 산화물 소결체와 같이 지석을 왕복 운동시키는 일은 없고, 산화물 소결체를 회전시킴으로써, 적은 절입량으로도 비교적 단시간에 연삭할 수 있고, 또한 한 번의 절입량이 커도, 산화물 소결체가 균열되거나, 표면 조도가 커지거나 하기 어렵다. 따라서, 1회의 절입량을, Φ0.01㎜/초∼Φ0.20㎜/초 정도의 범위로부터 선택하면 된다.

[마무리 연삭]

통상, 연삭 가공에서는, 조연삭 후에, 마무리 연삭이 피가공면에 실시된다. 그러나, 본 발명에서는, 스퍼터링면의 표면 연삭으로서, 소정의 번수의 지석을 사용하여, 1회 이상의 조연삭 및 1회 이상의 제로 연삭을 실시하여 스퍼터링면이 상기한 소정 범위로 되면, 마무리 연삭을 실시할 필요는 없고, 마무리 연삭의 공정은 임의이다. 단, 스퍼터링면 전체에 걸쳐 적당한 요철 형상을 비교적으로 형성하는 관점, 및 마찬가지로, 연삭 후의 표면 상태나 표면 조도를 안정시키거나, 연삭 중에 발생하는 변형이나 연삭 대상인 산화물 소결체에 대한 부하를 저감시키거나 하는 관점에서, 마무리 연삭을 채용하는 것이 바람직하다.

마무리 연삭에서는, 조연삭보다 번수가 작은 지석이 사용된다. 통상, 조연삭에 번수#100∼#170의 지석을 사용한 경우에는, 마무리 연삭에는 번수#600∼#800의 미세한 지석이 사용된다. 그러나, 본 발명에 있어서 마무리 연삭을 스퍼터링면의 표면 연삭으로서 사용하는 경우에는, 스퍼터링면의 표면 조도를 산술 평균 조도(Ra)로 0.9㎛로 하는 관점에서, 번수#140∼#400의 지석을 사용하면 충분하다. 또한, 번수#170∼#325의 지석을 사용하는 것이 더욱 바람직하다.

마무리 연삭에, 번수#140 미만의 지석을 사용한 경우, 최대 높이(Rz) 및 10점 평균 조도(Rz_JIS)가 지나치게 커지므로, 스퍼터링 중의 아킹이나 노듈의 발생을 억제하는 것이 곤란해진다. 한편, 번수#400을 초과하는 지석에서는, 작업성을 악화시킬 뿐만 아니라, 산술 평균 조도(Ra)가 0.9㎛ 미만으로 되어, 스패터 입자에 대한 충분한 앵커 효과를 스퍼터링면에 작용시킬 수 없게 되는 경우가 있다.

본 발명에 있어서, 마무리 연삭에 있어서의 절입량(지석의 이송량)에 대해서도 임의이지만, 평판상 산화물 소결체의 경우에는, 통상 10㎛ 이하로 하는 것이 바람직하고, 1㎛∼5㎛로 하는 것이 더욱 바람직하다. 원통형 산화물 소결체의 경우에는, 조연삭과 마찬가지의 이유에 의해, Φ0.01㎜/초∼Φ0.15㎜/초로 하는 것이 바람직하고, Φ0.03㎜/초∼Φ0.1㎜/초로 하는 것이 더욱 바람직하다.

또한, 마무리 연삭은, 조연삭과 비교하여 연삭 시에 있어서의 산화물 소결체에 대한 부하가 작아, 연삭 횟수를, 1면당 1회로 해도 특별히 문제가 발생하는 일은 없다. 단, 마무리 연삭에 의한 연삭량을 많게 하는 경우에는, 조연삭과 마찬가지로, 연삭 횟수를 2회∼4회로 하는 것이 바람직하다. 이것은, 마무리 연삭에는 비교적 번수가 작은 지석을 사용하는 경우가 많고, 번수가 큰 지석은, 막힘을 일으키기 쉬워지므로, 연삭 능력의 저하가 일어나기 쉽다. 이 연삭 능력이 저하됨으로써, 지석에 연삭 버닝, 칩핑, 변형이 발생하여, 스퍼터링면에 휨 등의 문제를 발생시키는 원인이 된다. 또한, 마무리 가공은, 완성된 면 상태에 가까우므로, 이러한 문제를 발생시키지 않는 것이 중요하고, 가공 횟수를 증가시켜, 변형을 제거하면서 가공함으로써, 이들을 해소하는 것이 가능해진다. 그러나, 마무리 연삭의 연삭 횟수가 5회 이상으로 되면, 연삭 조건에 따라 다르지만, 효과를 기대할 수 없을뿐만 아니라, 작업 효율의 악화를 초래하거나, 스퍼터링면에 있어서의 산술 평균 조도(Ra)가 0.9㎛ 미만으로 되거나 하는 경우가 있다. 1회의 연삭량은 특별히 한정되지 않지만, 목표의 연삭량과 연삭 횟수에 의해 5㎛∼400㎛의 범위에서 선택된다.

[제로 연삭]

본 발명의 타깃재의 제조 방법에서는, 마무리 연삭 후, 혹은 마무리 연삭을 생략하는 경우에는, 조연삭 후에, 평판상 산화물 소결체의 상면 또는 원통형 산화물 소결체의 외주면에 대해, 제로 연삭(스파크 아웃)이 실시된다. 이에 의해, 마무리 연삭 후 또는 조연삭 후에 잔존하는 돌기부를 제거할 수 있다. 또한, 제로 연삭이라 함은, 가공 지그를, 가공면을 미끄러지도록 이동시켜, 즉, 절입을 부여하지 않고(절입량은 「0」) 지석을 회전시켜, 연삭에 의한 불꽃이나 연삭음이 없어질 때까지 가공을 계속하여, 가공면에 존재하는 돌기부를 연삭하는 가공 방법을 말한다.

제로 연삭에서 사용하는 지석은 특별히 제한되는 일은 없고, 조연삭 또는 마무리 연삭에서 사용한 지석을 그대로 사용해도 되고, 혹은 이들 지석과는 상이한 번수의 지석을 사용할 수도 있다. 단, 잔존하는 돌기물을 효율적으로 제거하는 관점에서, 마무리 연삭 후의 제로 연삭에는, 마무리 연삭과 마찬가지의 번수#140∼#400의 지석을 사용하는 것이 바람직하고, 번수#170∼#325의 지석을 사용하는 것이 더욱 바람직하다. 번수#140 미만의 지석에서는, 스퍼터링면의 최대 높이(Rz) 및 10점 평균 조도(Rz_JIS)가 지나치게 커져, 스퍼터링 중의 아킹이나 노듈의 발생을 억제하는 것이 곤란해지는 경우가 있다. 한편, 번수#400을 초과하는 지석에서는, 제로 연삭에 장시간을 필요로 하여, 생산성의 악화를 초래한다.

또한, 제로 연삭은, 조연삭과 마찬가지로, 1면당 1회만 연삭하는 것보다, 복수 회로 나누어 연삭하는 쪽이 바람직하다. 구체적으로는, 1면당 2회∼6회 정도로 나누어 연삭하는 것이 바람직하다.

3. 스퍼터링 타깃

본 발명의 스퍼터링 타깃은, 종래와 마찬가지로, 백킹 본체와, 백킹 본체에 접합된 타깃재와, 백킹 본체와 타깃재 사이의 접합층으로 이루어진다. 특히, 본 발명의 스퍼터링 타깃은, 타깃재로서, 상술한 타깃재를 사용하고 있는 것을 특징으로 한다.

a) 타깃재

본 발명의 스퍼터링 타깃(1, 11)에서는, 타깃재로서, 상술한 타깃재(3, 13)가 사용된다. 또한, 타깃재(3, 13)로서는, 복수의 분할 타깃재(3a∼3f, 13a∼13f)를 연결한 연결 타깃재를 사용할 수도 있다.

[분할 타깃재]

상술한 바와 같이, 노듈은, 침식부와 비침식부의 경계 및 그 근방(경계 영역)에서 많이 발생한다. 구체적으로는, 평판상 스퍼터링 타깃(1)에서는 그 외주부에, 원통형 스퍼터링 타깃(11)에서는 그 양단부에, 침식부와 비침식부의 경계가 존재하므로, 노듈은, 이들 경계 및 그 근방(경계 영역)에서 많이 발생하게 된다. 단, 복수의 분할 타깃재(3a∼3f, 13a∼13f)를 연결한 연결 타깃재(3, 13)에서는, 노듈은, 상술한 경계 영역뿐만 아니라, 분할부 및 그 근방에 있어서도 발생한다. 이로 인해, 분할 수가 많아짐에 따라, 노듈 발생 빈도도 증가하게 된다.

따라서, 본 발명을 이러한 연결 타깃재(3, 13)에 적용한 경우에는, 상술한 작용에 의해, 분할 수에 관계없이, 아킹이나 노듈의 발생을 대폭 억제하는 것이 가능해진다.

[분할 간격]

본 발명을 연결 타깃재(3, 13)에 적용하는 경우, 인접하는 분할 타깃재(3a∼3f, 13a∼13f)의 서로 대향하는 측면(6)이나 단부면(16)의 간격(이하, 「분할 간격」이라고 함)은, 0.1㎜ 이상 1.0㎜ 이하로 하는 것이 바람직하고, 0.3㎜ 이상 0.6㎜ 이하로 하는 것이 더욱 바람직하다. 분할 간격이 0.1㎜ 미만에서는, 성막 시의 열팽창에 의해, 인접하는 분할 타깃재(3a∼3f, 13a∼13f)끼리가 접촉하여, 분할 타깃재(3a∼3f, 13a∼13f)에 절결 등이 발생하고, 이 절결을 기점으로 하여, 아킹이나 노듈이 발생할 우려가 있다. 한편, 분할 간격이 1.0㎜를 초과하면, 인접하는 분할 타깃재(3a∼3f, 13a∼13f) 사이에 존재하는 불순물이, 이 스퍼터링 타깃(1, 11)에 의해 형성되는 막 속으로 말려 들어가거나, 측면(6)이나 단부면(16)에 존재하는 돌기부에 전류가 집중되어, 아킹이나 노듈이 발생하기 쉬워지거나 한다.

또한, 종래 기술에서는, 분할 간격을 0.1㎜∼0.5㎜ 정도로 하는 것이 바람직하다고 되어 있지만, 공업 규모의 생산에 있어서, 분할 간격을 이러한 범위로 제어하는 것은 용이하지 않아, 작업 효율의 악화를 초래하고 있었다. 이 점에서, 본 발명에 따르면, 분할 간격을, 0.5㎜를 초과하여 1.0㎜ 정도로 해도, 아킹이나 노듈의 발생을 충분히 억제할 수 있으므로, 작업 효율을 개선하는 것이 가능하다.

b) 백킹 본체

[재질]

본 발명의 스퍼터링 타깃(1, 11)에 있어서, 백킹 본체(2, 12), 즉, 백킹 플레이트(2) 및 백킹 튜브(12)의 재질은, 특별히 제한되는 일 없이, 공지의 것을 사용할 수 있다. 예를 들어, SUS304 등의 일반적인 오스테나이트계 스테인리스제의 백킹 본체 외에, 구리 또는 구리 합금제, 티타늄 또는 티타늄 합금제, 몰리브덴 또는 몰리브덴 합금제, 알루미늄 또는 알루미늄 합금제의 백킹 본체를 사용할 수 있다. 단, 이들 중에는, 그 표면에 부동태 피막이나 산화 피막이 존재하여, 접합재와의 접합성이 떨어진 것도 있다. 이러한 백킹 본체를 사용하는 경우에는, 그 표면에, 구리 및/또는 니켈 등의 금속층을 형성하는 것이 바람직하다.

[형상]

본 발명을 평판상 스퍼터링 타깃(1)에 적용하는 경우, 백킹 플레이트(2)의 형상은, 접합 시에, 평판상 타깃재(3)가 밀려나오지 않는 한, 특별히 제한되는 일은 없다. 또한, 백킹 플레이트(2)의 두께도, 핸들링 시에 휘는 것과 같은 두께가 아닌 한, 특별히 제한되는 일은 없다.

또한, 백킹 플레이트(2)를 반복하여 이용한 경우나, 평판상 타깃재(3)와 백킹 플레이트(2)의 열팽창률의 차가 큰 경우에는, 스퍼터링 타깃(1)에 휨이 발생할 우려가 있다. 이러한 경우, 평판상 타깃재(3)와 백킹 플레이트(2)의 접합 시에, 휨을 교정하면서 접합하거나, 백킹 플레이트(2)의 표면에 접합재를 많이 도포하여 두꺼운 접합층(4)을 형성하거나 함으로써, 휨을 흡수시키는 등의 대응이 필요해진다.

한편, 본 발명을 원통형 스퍼터링 타깃(11)에 적용하는 경우, 백킹 튜브(12)의 외경은, 원통형 타깃재(13)의 선팽창률을 고려하여 설정하는 것이 바람직하다. 예를 들어, 원통형 타깃재(13)로서, 20℃에 있어서의 선팽창률이 7.2×10^-6/℃인 ITO를 사용하고, 백킹 튜브(12)로서, 20℃에 있어서의 선팽창률이 17.3×10^-6/℃인 SUS304를 사용하는 경우, 원통형 타깃재(13)의 내주면과 백킹 튜브(12)의 외주면의 간격이, 바람직하게는 0.3㎜∼2.0㎜, 더욱 바람직하게는 0.5㎜∼1.0㎜로 되도록 백킹 튜브(12)의 외경을 설정한다. 이 간극이 0.3㎜ 미만에서는, 용융 상태에 있는 접합층(14)을 형성하기 위한 접합재를 주입하였을 때, 백킹 튜브(12)의 열팽창에 의해 원통형 타깃재(13)가 균열되어 버릴 우려가 있다. 한편, 이 간극이 2.0㎜를 초과하면, 원통형 타깃재(13)의 중공부에 백킹 튜브(12)를 동축에 배치하고, 이들의 중심축이 일치한 상태에서 접합하는 것이 곤란해진다.

또한, 백킹 튜브(12)의 전체 길이는, 이것에 접합되는 원통형 타깃재(13)의 전체 길이에 따라서 적절하게 선택될 필요가 있다. 예를 들어, 백킹 튜브(12)의 전체 길이는, 이것에 접합되는 원통형 타깃재(13)의 전체 길이보다, 바람직하게는 0㎜∼500㎜, 더욱 바람직하게는 10㎜∼200㎜ 정도 길게 한다. 백킹 튜브(12)의 전체 길이가 이러한 범위에 있으면, 스퍼터링 시의 취급이 용이한 것으로 된다.

c) 접합층

접합층(4, 14)은, 백킹 플레이트(2)의 표면에 도포한 접합재, 또는 백킹 튜브(12)와 원통형 타깃재(13)를 조합한 상태에 있어서, 이들 사이의 간극에 주입한 접합재가, 고화됨으로써 형성된다.

접합재는, 백킹 본체(2, 12)나 타깃재(3, 13)보다 융점이 낮고, 충분한 접합 강도가 얻어지는 것이면 된다. 일반적으로는 인듐, 주석 또는 아연 등을 주성분으로서 사용한 저융점 땜납을 적합하게 사용할 수 있다. 구체적으로는, 인듐을 주성분으로 하고, 주석이나 안티몬 등을 함유시킨 저융점 땜납이나, 주석을 주성분으로 하고, 인듐, 안티몬, 아연 등을 함유시킨 저융점 땜납 등을 사용할 수 있다. 이들 저융점 땜납은, 냉각 고화 후의 경도가 적절한 범위에 있을 뿐만 아니라, 용융 시의 유동성도 높기 때문에, 공극이나 수축이 매우 적은 균일한 접합층(4, 14)을 형성할 수 있다.

특히, 인듐을 주성분으로 하는 저융점 땜납, 바람직하게는 인듐을 80질량％ 이상, 더욱 바람직하게는 인듐을 90질량％ 이상 함유하는 저융점 땜납은, 냉각 고화 후의 경도가 주석이나 아연을 주성분으로 하는 저융점 땜납보다 낮아, 냉각 과정에 있어서의 분할 타깃재의 균열을 효과적으로 방지할 수 있다. 또한, 스퍼터링 시에 있어서의 충격을 흡수하는 효과도 높기 때문에, 특히 원통형 스퍼터링 타깃(11)의 접합재로서 적합하게 사용할 수 있다.

4. 스퍼터링 타깃의 제조 방법

본 발명의 스퍼터링 타깃의 제조 방법은, 본 발명의 타깃재를 백킹 본체에 접합하여, 스퍼터링 타깃을 얻는 접합 공정을 구비한다. 타깃재와 백킹 본체의 접합 방법은, 특별히 제한되지 않고, 공지의 방법을 적용할 수 있다.

또한, 인접 배치되는 복수의 분할 타깃재로 이루어지는 연결 스퍼터링 타깃에 본 발명을 적용하는 경우에는, 인접하는 분할 타깃재끼리의 서로 대향하는 단부면의 간격이, 상술한 바와 같이, 0.1㎜ 이상 1.0㎜ 이하로 되도록, 백킹 본체에 접합하는 것이 바람직하다.

실시예

이하, 실시예 및 비교예를 이용하여, 본 발명을 더욱 상세하게 설명한다. 또한, 실시예 및 비교예에서는, 얻어진 스퍼터링 타깃을 사용하여 스퍼터링을 실시하고, 스퍼터링 중에 발생한 아킹 및 노듈을, 이하의 기준에 따라서 평가하였다.

[아킹 평가]

아킹 평가는, 고속 아크 및 저속 아크의 검지 시간을 0으로 하고, 스퍼터링을 개시하고 나서 1시간 경과한 후의, 10분간당 아킹 발생 횟수를 카운트함으로써 행하였다. 또한, 아킹의 평가는, 3회로 나누어(초기, 중기 및 후기) 실시하고, 각각에 있어서, 아킹 발생 횟수가 20회 미만인 것을 「◎」, 20회 이상 50회 미만인 것을 「○」, 50회 이상인 것을 「△」, 눈으로 볼 수 있는 규모의 큰 아킹의 발생이 확인된 것을 「×」로서 평가하였다.

[노듈 평가]

노듈 평가는, 스퍼터링 후에, 스퍼터링면 및 분할부(측면 또는 단부면)를 눈으로 관찰함으로써 행하였다. 구체적으로는, 노듈이 전혀 발생하지 않은 것을 「○」, 노듈이 0.01㎡당 1개∼5개 발생한 것을 「△」, 노듈이 0.01㎡당 6개 이상 발생한 것을 「×」로서 평가하였다.

(실시예 1)

a) 스퍼터링 타깃의 제작

[가공 공정]

분할 타깃재(13a∼13f)를 제작하기 위해, 외경이 155㎜, 내경이 131㎜, 전체 길이(축방향의 길이)가 165㎜인, 원통형 ITO(주석을 함유하는 산화인듐) 소결체를 6개 준비하고, 각각에 대해, 이하의 가공을 행하였다.

먼저, 이들 원통형 ITO 소결체를 평면 연삭반에 설치하고, 전체 길이가 161㎜로 되도록, 그 양단부면에 대해, 번수#120의 지석을 사용하여 2회로 나누어 연삭을 실시하였다. 다음으로, 이 원통형 ITO 소결체를 원통 연삭반에 설치하고, 외경이 151㎜로 되도록, 그 외주면(스퍼터링면)에 대해, 번수#120의 지석을 사용하여, 절입량이 Φ0.1㎜/초, 1개소의 연삭 시간이 18초간인 조연삭을 2회 실시하여 151.4㎜까지 가공하고, 다음으로 번수#170의 지석을 사용하여, 절입량이 Φ0.08㎜/초, 1개소의 연삭 시간이 2.5초인 마무리 연삭을 2회 실시하고, 또한 번수#170의 지석을 사용하여 제로 연삭(스파크 아웃)을 4회 실시하였다. 그 후, 이 원통형 ITO 소결체를 내면 연삭반에 설치하고, 내경이 135㎜로 되도록 그 내주면을, 번수#120의 지석을 사용하여 연삭하였다. 마지막으로, 이 원통형 ITO 소결체를, 다시 평면 연삭반에 설치하고, 번수#120의 지석을 사용하여, 전체 길이가 160㎜로 되도록, 양단부면을 0.5㎜씩 연삭하였다.

이와 같이 하여 얻어진 분할 타깃재(13a∼13f)의 스퍼터링면(15)의 산술 평균 조도(Ra), 최대 높이(Rz) 및 10점 평균 조도(Rz_JIS)를, 표면 조도 및 윤곽 형상 측정기를 사용하여, JIS B 0601(2013)에 준거한 방법에 의해 측정하였다. 이들의 결과를 표 2에 나타낸다. 또한, 이들 분할 타깃재(13a∼13f)의 단부면(16)의 표면 조도를 마찬가지로 하여 측정한 바, 산술 평균 조도(Ra)로 1.1㎛, 최대 높이(Rz)로 7.8㎛ 및 10점 평균 조도(Rz_JIS)로 7.8㎛였다.

[접합 공정]

가공 공정에서 얻어진 분할 타깃재(13a∼13f)의 스퍼터링면(15) 및 단부면(16)에 마스킹 테이프를 부착한 후, 초음파 납땜 인두를 사용하여, 그 내주면에 인듐계 땜납을 도포하였다.

다음으로, 전체 길이가 1m인 백킹 튜브(12)를 직립시키고, 이것에 분할 타깃재(13a)를 삽입하고, 분할 타깃재(13a)와 백킹 튜브(12)를 가열하였다. 분할 타깃재(13a)와 백킹 튜브(12)의 온도가 160℃를 초과한 시점에서, 이들의 간극에, 용융한 인듐계 땜납을 소정량 유입하였다. 또한, 이 인듐계 땜납은, 분할 타깃재(13a)의 내주면에 도포한 것과 마찬가지의 것이었다. 이 상태에서 실온까지 서랭하고, 인듐계 땜납이 고화되어 접합층(14)을 형성한 것을 확인한 후, 단부면(16)의 마스킹 테이프를 박리하였다.

계속해서, 백킹 튜브(12)에, 두께가 0.5㎜, 외경이 153㎜, 내경이 135㎜인 환상 테플론 시트를 삽입하여, 분할 타깃재(13a)의 단부면(16)에 밀착시킨 후, 분할 타깃재(13b)를 삽입하여, 그 단부면(16)과 환상 테플론 시트를 밀착시켰다. 분할 타깃재(13a)의 경우와 마찬가지로, 분할 타깃재(13b)와 백킹 튜브(12)를 가열하고, 이들의 온도가 160℃를 초과한 시점에서, 용융한 인듐계 땜납을 소정량 유입하였다. 이 상태에서 실온까지 서랭하고, 인듐계 땜납이 고화된 것을 확인한 후, 단부면(16)의 마스킹 테이프를 박리하였다.

이후, 마찬가지의 작업을 반복하여, 분할 타깃재(13c∼13f)를 백킹 튜브(12)에 접합하였다. 그 후, 분할 타깃재(13a∼13f)의 사이에 각각 삽입한 환상 테플론 시트를 제거함으로써, 분할 타깃재(13a∼13f)에 의해 구성되는 원통형 타깃재(13)를 구비하고, 스퍼터링면의 전체 길이가 약 962㎜인, 원통형 스퍼터링 타깃(11)을 얻었다. 원통형 타깃재(13)의 인접하는 분할 타깃재(13a∼13f)의 분할 간격의 최댓값 및 최솟값을 표 2에 나타낸다.

b) 스퍼터링 타깃의 평가

이와 같이 하여 얻어진 원통형 스퍼터링 타깃(11)을 마그네트론형 회전 캐소드 스퍼터링 장치에 설치하고, 0.7Pa의 아르곤 분위기 중, 파워 밀도 15kW/m의 조건에서 스퍼터링을 실시하고, 3시간 방전한 시점에서 스퍼터링을 중단하였다. 이 스퍼터링 초기에 있어서, 아킹은 발생하지 않았다. 또한, 스퍼터링면(15) 및 단부면(16)의 상태를 눈으로 관찰한 결과, 어느 쪽에도 노듈이 발생하지 않은 것이 확인되었다.

스퍼터링을 재개하여, 원통형 타깃재(13)의 두께가 5㎜로 된 시점에서, 다시 스퍼터링을 중단하였다. 이 스퍼터링 중기에 있어서, 아킹은 발생하지 않았다. 또한, 마찬가지로, 스퍼터링면(15) 및 단부면(16)의 상태를 눈으로 관찰한 결과, 어느 쪽에도 노듈이 발생하지 않은 것이 확인되었다.

다시, 스퍼터링을 재개하여, 라이프 엔드까지 스퍼터링을 행하였다. 이 스퍼터링 후기에 있어서, 아킹은 발생하지 않았다. 또한, 마찬가지로, 스퍼터링면(15) 및 단부면(16)의 상태를 눈으로 관찰한 결과, 어느 쪽에도 노듈이 발생하지 않은 것이 확인되었다. 이상의 결과를 표 2에 나타낸다.

(실시예 2)

원통형 ITO 소결체의 외주면에 대해, 번수#100의 지석을 사용하여 조연삭을 4회 실시한 것, 및 번수#140의 지석을 사용하여 마무리 연삭을 4회 실시하고, 또한 제로 연삭을 6회 실시한 것 이외에는, 실시예 1과 마찬가지로 하여, 분할 타깃재(13a∼13f)를 얻고, 또한 원통형 스퍼터링 타깃(11)을 제작하였다. 실시예 1과 마찬가지로, 분할 타깃재(13a∼13f)의 스퍼터링면(15)의 표면 조도를 측정하고, 그 분할 간격을 측정하고, 또한 원통형 스퍼터링 타깃(11)을 사용하여 스퍼터링을 실시함으로써, 원통형 타깃재(13)를 구성하는 분할 타깃재(13a∼13f)의 평가를 행하였다.

(실시예 3)

원통형 ITO 소결체의 외주면에 대해, 번수#170의 지석을 사용하여 조연삭을 2회 실시한 것, 및 번수#400의 지석을 사용하여 마무리 연삭을 1회 실시하고, 또한 제로 연삭을 2회 실시한 것 이외에는, 실시예 1과 마찬가지로 하여, 분할 타깃재(13a∼13f) 및 원통형 스퍼터링 타깃(11)을 얻었다. 이들에 대해, 실시예 1과 마찬가지의 측정 및 평가를 행하였다.

(실시예 4)

원통형 TZO(산화아연(ZnO)을 함유하는 산화주석) 타깃 소결체의 외주면에 대해, 번수#170의 지석을 사용하여 조연삭을 2회 실시한 것, 및 번수#220의 지석을 사용하여 마무리 연삭을 2회 실시하고, 또한 제로 연삭을 3회 실시한 것 이외에는, 실시예 1과 마찬가지로 하여, 분할 타깃재(13a∼13f) 및 원통형 스퍼터링 타깃(11)을 얻었다. 이들에 대해, 실시예 1과 마찬가지의 측정 및 평가를 행하였다.

(실시예 5)

원통형 ITO 소결체의 외주면에 대해, 번수#140의 지석을 사용하여 조연삭을 2회 실시한 것, 번수#325의 지석을 사용하여 마무리 연삭을 3회 실시하고, 또한 제로 연삭을 2회 실시한 것 이외에는, 실시예 1과 마찬가지로 하여, 분할 타깃재(13a∼13f) 및 원통형 스퍼터링 타깃(11)을 얻었다. 이들에 대해, 실시예 1과 마찬가지의 측정 및 평가를 행하였다.

(실시예 6)

원통형 ITO 소결체의 외주면에 대해, 번수#140의 지석을 사용하여 조연삭을 4회 실시하고, 또한 제로 연삭을 4회 실시한 것, 및 마무리 연삭을 생략한 것 이외에는, 실시예 1과 마찬가지로 하여, 분할 타깃재(13a∼13f) 및 원통형 스퍼터링 타깃(11)을 얻었다. 이들에 대해, 실시예 1과 마찬가지의 측정 및 평가를 행하였다.

(실시예 7)

a) 스퍼터링 타깃의 제작

[가공 공정]

분할 타깃재(3a∼3f)를 제작하기 위해, 세로가 310㎜, 폭이 260㎜, 두께가 11㎜인 평판상 ITO 소결체를 6매 준비하고, 각각에 대해, 이하의 가공을 행하였다.

우선, 이들 평판상 ITO 소결체의 상면(스퍼터링면)에 대해, 번수#120의 지석을 사용하여, 절입량을 15㎛로 하고, 평판상 타깃의 두께가 10.1㎜로 되도록 1개소당 30회의 절입에 의한 조연삭을 2회 실시하고, 다음으로 번수#170의 지석을 사용하여, 절입량을 5㎛로 하고, 1개소당 10회의 절입에 의한 마무리 연삭을 2회 실시하고, 또한 번수#170의 지석을 사용하여 제로 연삭을 4회 실시하여, 타깃 두께를 10㎜로 하였다. 그 후, 이 평판상 ITO 소결체를, 슬라이싱 머신이나 그라인딩 센터를 사용하여, 세로가 300㎜, 폭이 250㎜로 되도록 가공하였다.

이와 같이 하여 얻어진 분할 타깃재(3a∼3f)의 스퍼터링면(5)의 산술 평균 조도(Ra), 최대 높이(Rz) 및 10점 평균 조도(Rz_JIS)를, 실시예 1과 마찬가지로 하여 측정하였다. 이들 결과를 표 2에 나타낸다. 또한, 이들 분할 타깃재(3a∼3f)의 측면(6)의 표면 조도를 마찬가지로 하여 측정한 바, 산술 평균 조도(Ra)로 1.1㎛, 최대 높이(Rz)로 7.8㎛, 및 10점 평균 조도(Rz_JIS)로 6.2㎛였다.

[접합 공정]

가공 공정에서 얻어진 분할 타깃재(3a∼3f)를, 고화 후에 접합층(4)을 형성하는 접합재로서 인듐계 땜납을 사용하여, 백킹 플레이트(2)에 접합함으로써, 분할 타깃재(3a∼3f)에 의해 구성되는 평판상 타깃재(3)를 구비하고, 길이 방향의 길이가 1800㎜인, 평판상 스퍼터링 타깃(1)을 얻었다. 평판상 타깃재(3)의 인접하는 분할 타깃재(3a∼3f)의 분할 간격의 최댓값 및 최솟값을 표 2에 나타낸다.

b) 스퍼터링 타깃의 평가

이와 같이 하여 얻어진 평판상 스퍼터링 타깃(1)을 마그네트론형 스퍼터링 장치에 설치하고, 0.7Pa의 아르곤 분위기 중, 파워 밀도 3W/㎠의 조건에서 스퍼터링을 실시하고, 3시간 방전한 시점에서 스퍼터링을 중단하였다. 이 스퍼터링 초기에 있어서, 아킹이 발생하는 일은 없었다. 또한, 스퍼터링면(5) 및 측면(6)의 상태를 눈으로 관찰한 결과, 어느 쪽에도 노듈이 발생하지 않은 것이 확인되었다.

그 후, 스퍼터링을 재개하여, 평판상 타깃재(3)의 두께가 5㎜로 된 시점에서, 다시 스퍼터링을 중단하였다. 이 스퍼터링 중기에 있어서, 아킹은 발생하지 않았다. 또한, 마찬가지로, 스퍼터링면(5) 및 측면(6)의 상태를 눈으로 관찰한 결과, 어느 쪽에도 노듈이 발생하지 않은 것이 확인되었다.

다시, 스퍼터링을 재개하여, 라이프 엔드까지 스퍼터링을 행하였다. 이 스퍼터링 후기에 있어서도, 아킹은 발생하지 않았다. 또한, 마찬가지로, 스퍼터링면(5) 및 측면(6)의 상태를 눈으로 관찰한 결과, 어느 쪽에도 노듈이 발생하지 않은 것이 확인되었다. 이상의 결과를 표 2에 나타낸다.

(비교예 1)

원통형 ITO 소결체의 외주면에 대해, 번수#80의 지석을 사용하여 조연삭을 4회 실시한 것, 및 번수#100의 지석을 사용하여 마무리 연삭을 4회 실시하고, 또한 제로 연삭을 4회 실시한 것 이외에는, 실시예 1과 마찬가지로 하여, 분할 타깃재(13a∼13f) 및 원통형 스퍼터링 타깃(11)을 얻었다. 이들에 대해, 실시예 1과 마찬가지의 측정 및 평가를 행하였다.

또한, 비교예 1에서는, 스퍼터링 개시 직후부터 아킹이 발생하기 시작하였으므로, 파워 밀도를 5kW/m까지 낮추어 스퍼터링을 계속하였지만, 아킹을 멈출 수는 없었다. 이 때문에, 원통형 타깃재(13)의 두께가 7.7㎜로 된 시점에서, 스퍼터링을 중단하였다. 이때, 스퍼터링면(15) 및 단부면(16)에 노듈이 발생한 것이 확인되었으므로, 이 단계에서 스퍼터링을 중지하였다. 그 후, 얻어진 막에 대해서도 눈으로 관찰을 행한 바, 성막 시에 이미 결함이 발생한 것이 확인되었다.

(비교예 2)

원통형 ITO 소결체의 외주면에 대해, 번수#325의 지석을 사용하여 조연삭을 2회 실시한 것, 및 번수#500의 지석을 사용하여 마무리 연삭을 2회 실시하고, 또한 제로 연삭을 2회 실시한 것 이외에는, 실시예 1과 마찬가지로 하여, 분할 타깃재(13a∼13f) 및 원통형 스퍼터링 타깃(11)을 얻었다. 이들에 대해, 실시예 1과 마찬가지의 측정 및 평가를 행하였다.

또한, 비교예 2에서는, 원통형 타깃재(13)의 두께가 7㎜로 될 때까지는 아킹은 발생하지 않고, 또한 스퍼터링면(15) 및 단부면(16)의 어느 쪽에도 노듈이 발생하지 않았다. 그러나, 점차, 아킹이 발생하게 되어, 성막 속도가 저하되었다. 이로 인해, 파워 밀도를 10kW/m, 나아가 2kW/m까지 낮추어 스퍼터링을 계속하였지만, 아킹을 멈출 수 없어, 원통형 타깃재(13)의 두께가 5㎜로 된 시점에서 스퍼터링을 중단하였다. 이때, 스퍼터링면(15) 및 단부면(16)에 노듈이 발생한 것이 확인되었으므로, 이 단계에서 스퍼터링을 중지하였다. 그 후, 얻어진 막에 대해서도 눈으로 관찰을 행한 바, 성막 시에 이미 결함이 발생한 것이 확인되었다.

(비교예 3)

원통형 ITO 소결체의 외주면에 대해, 번수#100의 지석을 사용하여 조연삭을 2회 실시한 것, 및 번수#120의 지석을 사용하여 마무리 연삭을 1회 실시하고, 또한 제로 연삭을 1회 실시한 것 이외에는, 실시예 1과 마찬가지로 하여, 분할 타깃재(13a∼13f) 및 원통형 스퍼터링 타깃(11)을 얻었다. 이들에 대해, 실시예 1과 마찬가지의 측정 및 평가를 행하였다.

또한, 비교예 3에서는, 스퍼터링 개시 직후부터 아킹이 발생하기 시작하였으므로, 파워 밀도를 4kW/m까지 낮추어 스퍼터링을 계속하였지만, 아킹을 멈출 수는 없었다. 이 때문에, 원통형 타깃재(13)의 두께가 7.6㎜로 된 시점에서, 스퍼터링을 중단하였다. 이때, 스퍼터링면(15) 및 단부면(16)에 노듈이 발생한 것이 확인되었다. 그 후, 스퍼터링을 재개하였지만, 아킹을 멈출 수는 없었으므로, 최종적으로, 원통형 타깃재(13)의 두께가 7.3㎜로 된 시점에서 스퍼터링을 중지하였다. 이때, 스퍼터링면(15) 및 단부면(16)의 상태를 눈으로 관찰한 결과, 모두 대량의 노듈이 발생한 것이 확인되었다.

(비교예 4)

원통형 ITO 소결체의 외주면에 대해, 번수#140의 지석을 사용하여, 순차, 조연삭을 1회 실시하고, 마무리 연삭을 실시하고, 또한 제로 연삭을 1회 실시한 것 이외에는, 실시예 1과 마찬가지로 하여, 분할 타깃재(13a∼13f) 및 원통형 스퍼터링 타깃(11)을 얻었다. 이들에 대해, 실시예 1과 마찬가지의 측정 및 평가를 행하였다.

또한, 비교예 4에서는, 스퍼터링 개시 직후부터 아킹이 발생하기 시작하였지만, 스퍼터링을 정지할 정도의 빈도는 아니었다. 그러나, 점차, 아킹이 커져, 성막 속도가 저하되었다. 그 후, 파워 밀도를 4kW/m까지 단숨에 낮추어 스퍼터링을 계속하였지만, 아킹을 멈출 수 없었으므로, 스퍼터링을 중단하였다. 이때, 스퍼터링면(15) 및 단부면(16)의 상태를 눈으로 관찰한 결과, 모두 노듈이 발생한 것이 확인되었으므로, 이 단계에서 스퍼터링을 중지하였다.

(비교예 5)

원통형 ITO 소결체의 외주면에 대해, 번수#140의 지석을 사용하여 조연삭을 1회 실시한 것, 번수#170의 지석을 사용하여 마무리 연삭을 1회 실시한 것, 및 제로 연삭을 생략한 것 이외에는, 실시예 1과 마찬가지로 하여, 분할 타깃재(13a∼13f) 및 원통형 스퍼터링 타깃(11)을 얻었다. 이들에 대해, 실시예 1과 마찬가지의 측정 및 평가를 행하였다.

또한, 비교예 5에서는, 스퍼터링 개시 직후부터 아킹이 발생하기 시작하였지만, 스퍼터링을 정지할 정도의 빈도는 아니었다. 그러나, 점차, 아킹이 커져, 성막 속도가 저하되었다. 그 후, 파워 밀도를 4kW/m까지 단숨에 낮추어 스퍼터링을 계속하였지만, 아킹을 멈출 수 없었으므로, 스퍼터링을 중단하였다. 이때, 스퍼터링면(15) 및 단부면(16)의 상태를 눈으로 관찰한 결과, 모두 노듈이 발생한 것이 확인되었으므로, 이 단계에서 스퍼터링을 중지하였다.

(비교예 6)

평판상 ITO 소결체의 상면에 대해, 번수#80의 지석을 사용하여 조연삭을 2회 실시한 것, 및 번수#500의 지석을 사용하여 마무리 연삭을 5회 실시하고, 또한 제로 연삭을 2회 실시한 것 이외에는, 실시예 7과 마찬가지로 하여, 분할 타깃재(3a∼3f) 및 평판상 스퍼터링 타깃(1)을 얻었다. 이들에 대해, 실시예 7과 마찬가지의 측정 및 평가를 행하였다.

또한, 비교예 6에서는, 스퍼터링 개시 직후에는 아킹이 발생하지 않았지만, 1시간 방전한 시점에서, 서서히 아킹이 발생하기 시작하였다. 3시간 방전한 시점에서, 스퍼터링을 중단하고, 스퍼터링면(5) 및 측면(6)의 상태를 눈으로 관찰한 결과, 어느 쪽에도 노듈이 발생하지 않은 것이 확인되었다. 그 후, 스퍼터링을 재개하였지만, 아킹을 멈출 수 없었으므로, 평판상 타깃재(3)의 두께 9.5㎜로 된 시점에서, 다시 스퍼터링을 중단하였다. 이때, 스퍼터링면(5) 및 측면(6)의 상태를 눈으로 관찰한 결과, 모두 노듈이 발생한 것이 확인되었다. 다시, 스퍼터링을 재개하였지만, 아킹을 멈출 수 없었으므로, 스퍼터링을 중지하였다. 이때, 스퍼터링면(5) 및 측면(6)의 상태를 눈으로 관찰한 결과, 모두 대량의 노듈이 발생한 것이 확인되었다.

1 : 평판상 스퍼터링 타깃
2 : 백킹 본체(백킹 플레이트)
3 : 평판상 타깃재
3a∼3f : 분할 타깃재
4 : 접합층
5 : 스퍼터링면
6 : 측면
11 : 원통형 스퍼터링 타깃
12 : 백킹 본체(백킹 튜브)
13 : 원통형 타깃재
13a∼13f : 분할 타깃재
14 : 접합층
15 : 스퍼터링면
16 : 단부면

Claims

산화물 소결체로 이루어지고, 스퍼터링면을 갖는, 스퍼터링용 타깃재이며, 상기 스퍼터링면이, 산술 평균 조도(Ra)로 0.9㎛ 이상, 최대 높이(Rz)로 10.0㎛ 이하, 또한 10점 평균 조도(Rz_JIS)로 7.0㎛ 이하의 표면 조도를 갖는, 스퍼터링용 타깃재.
제1항에 있어서,
상기 산술 평균 조도(Ra)가 0.9㎛∼1.5㎛의 범위에, 상기 최대 높이(Rz)가 5.0㎛∼10.0㎛의 범위에, 상기 10점 평균 조도(Rz_JIS)가 4.0㎛∼7.0㎛의 범위에 있는, 스퍼터링용 타깃재.
산화물 소결체로 이루어지는 재료를 가공하여, 스퍼터링용 타깃재를 얻는 가공 공정을 구비하고, 당해 가공 공정에 있어서, 상기 재료 중 상기 스퍼터링용 타깃재에 있어서 스퍼터링면으로 되는 면에 대해, 정해진 번수의 지석을 사용하여, 조연삭을 실시하고, 그 후, 제로 연삭을 실시하여, 상기 스퍼터링면의 표면 조도를, 산술 평균 조도(Ra)로 0.9㎛ 이상, 최대 높이(Rz)로 10.0㎛ 이하, 또한 10점 평균 조도(Rz_JIS)로 7.0㎛ 이하로 하는, 스퍼터링용 타깃재의 제조 방법.
제3항에 있어서,
상기 산술 평균 조도(Ra)가 0.9㎛∼1.5㎛의 범위로, 상기 최대 높이(Rz)가 5.0㎛∼10.0㎛의 범위로, 상기 10점 평균 조도(Rz_JIS)가 4.0㎛∼7.0㎛의 범위로 되도록, 상기 조연삭 및 상기 제로 연삭을 실시하는, 스퍼터링용 타깃재의 제조 방법.
제3항 또는 제4항에 있어서,
상기 조연삭을 번수#100∼#170의 범위에 있는 지석을 사용하여 행하고, 또한 상기 제로 연삭을 번수#140∼#400의 범위에 있는 지석을 사용하여 행하는, 스퍼터링용 타깃재의 제조 방법.
제3항 또는 제4항에 있어서,
상기 조연삭을, 2회∼4회로 나누어 행하는, 스퍼터링용 타깃재의 제조 방법.
제3항 또는 제4항에 있어서,
상기 제로 연삭을, 2회∼6회로 나누어 행하는, 스퍼터링용 타깃재의 제조 방법.
제3항 또는 제4항에 있어서,
상기 조연삭 후이며, 또한 상기 제로 연삭 전에, 번수#140∼#400의 범위에 있는 지석을 사용한 마무리 연삭을, 1회∼4회로 나누어 행하는, 스퍼터링용 타깃재의 제조 방법.
백킹 본체와, 당해 백킹 본체에 접합층을 개재하여 접합된 스퍼터링용 타깃재를 구비하는 스퍼터링 타깃이며, 상기 스퍼터링용 타깃재가, 제1항 또는 제2항에 기재된 스퍼터링용 타깃재인, 스퍼터링 타깃.
제9항에 있어서,
상기 스퍼터링용 타깃재는, 복수의 분할 타깃재로 이루어지는, 스퍼터링 타깃.
제9항에 있어서,
상기 백킹 본체는 원통형 백킹 튜브로 이루어지고, 상기 스퍼터링용 타깃재는 원통 형상을 갖는, 스퍼터링 타깃.
인접 배치되는 복수의 분할 타깃재로 이루어지는 스퍼터링 타깃의 제조 방법이며, 상기 복수의 분할 타깃재 각각으로서, 제1항 또는 제2항에 기재된 스퍼터링용 타깃재를 사용하여, 인접하는 상기 분할 타깃재끼리의 서로 대향하는 단부면의 간격이, 0.1㎜ 이상 1.0㎜ 이하로 되도록, 당해 복수의 분할 타깃재를 백킹 본체에 접합하는 공정을 구비하는, 스퍼터링 타깃의 제조 방법.