JPH0860352A - Ｉｔｏスパッタリングターゲット - Google Patents
ＩｔｏスパッタリングターゲットInfo
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- JPH0860352A JPH0860352A JP7144685A JP14468595A JPH0860352A JP H0860352 A JPH0860352 A JP H0860352A JP 7144685 A JP7144685 A JP 7144685A JP 14468595 A JP14468595 A JP 14468595A JP H0860352 A JPH0860352 A JP H0860352A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 スパッタ時に発生するノジュールを抑制
したＩＴＯスパッタリングターゲットを提供する。 【構成】 密度６．４ｇ／ｃｍ3以上のＩＴＯター
ゲットであって、被スパッタリング表面の中心線平均粗
さ（Ｒａ）≦０．８μｍで、かつ〜の一つ以上の条
件を満たす。最大高さ（Ｒｍａｘ）≦７．０μｍ、
十点平均粗さ（Ｒｚ）≦６．０μｍ、最大粗さ（Ｒ
ｔ）≦６．５μｍ、平均線深さ（Ｒｐ）≦２．０μ
ｍ、平均傾斜角（θａ）≦１０．０°、カッテイン
グ深さ（ＣＶ）≦０．５μｍ、Ｐｃ（＋１．０μｍ）
≦２５
したＩＴＯスパッタリングターゲットを提供する。 【構成】 密度６．４ｇ／ｃｍ3以上のＩＴＯター
ゲットであって、被スパッタリング表面の中心線平均粗
さ（Ｒａ）≦０．８μｍで、かつ〜の一つ以上の条
件を満たす。最大高さ（Ｒｍａｘ）≦７．０μｍ、
十点平均粗さ（Ｒｚ）≦６．０μｍ、最大粗さ（Ｒ
ｔ）≦６．５μｍ、平均線深さ（Ｒｐ）≦２．０μ
ｍ、平均傾斜角（θａ）≦１０．０°、カッテイン
グ深さ（ＣＶ）≦０．５μｍ、Ｐｃ（＋１．０μｍ）
≦２５
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、透明導電膜製造の際に
使用されるＩＴＯスパッタリングターゲットに関するも
のである。
使用されるＩＴＯスパッタリングターゲットに関するも
のである。
【０００２】
【従来の技術】ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉ
ｄｅ）薄膜は高導電性、高透過率といった特徴を有し、
更に微細加工も容易に行えることから、フラットパネル
ディスプレイ用表示電極、太陽電池用窓材、帯電防止膜
等の広範囲な分野に渡って用いられている。特に液晶表
示装置を始めとしたフラットパネルディスプレイ分野で
は近年大型化および高精細化が進んでおり、その表示用
電極であるＩＴＯ薄膜に対する需要もまた急速に高まっ
ている。このようなＩＴＯ薄膜の製造方法はスプレー熱
分解法、ＣＶＤ法等の化学的成膜法と電子ビーム蒸着
法、スパッタリング法等の物理的成膜法に大別すること
ができる。中でもスパッタリング法は大面積化が容易で
かつ高性能の膜が得られる成膜法であることから、様々
な分野で使用されている。
ｄｅ）薄膜は高導電性、高透過率といった特徴を有し、
更に微細加工も容易に行えることから、フラットパネル
ディスプレイ用表示電極、太陽電池用窓材、帯電防止膜
等の広範囲な分野に渡って用いられている。特に液晶表
示装置を始めとしたフラットパネルディスプレイ分野で
は近年大型化および高精細化が進んでおり、その表示用
電極であるＩＴＯ薄膜に対する需要もまた急速に高まっ
ている。このようなＩＴＯ薄膜の製造方法はスプレー熱
分解法、ＣＶＤ法等の化学的成膜法と電子ビーム蒸着
法、スパッタリング法等の物理的成膜法に大別すること
ができる。中でもスパッタリング法は大面積化が容易で
かつ高性能の膜が得られる成膜法であることから、様々
な分野で使用されている。
【０００３】スパッタリング法によりＩＴＯ薄膜を製造
する場合、スパッタリングターゲットとしては金属イン
ジウムおよび金属スズからなる合金ターゲット（以降Ｉ
Ｔターゲットと略する）あるいは酸化インジウムと酸化
スズからなる複合酸化物ターゲット（以降ＩＴＯターゲ
ットと略する）が用いられる。このうち、ＩＴＯターゲ
ットを用いる方法は、ＩＴターゲットを用いる方法と比
較して得られた膜の抵抗値および透過率の経時変化が少
なく成膜条件のコントロールが容易であるため、ＩＴＯ
薄膜製造法の主流となっている。
する場合、スパッタリングターゲットとしては金属イン
ジウムおよび金属スズからなる合金ターゲット（以降Ｉ
Ｔターゲットと略する）あるいは酸化インジウムと酸化
スズからなる複合酸化物ターゲット（以降ＩＴＯターゲ
ットと略する）が用いられる。このうち、ＩＴＯターゲ
ットを用いる方法は、ＩＴターゲットを用いる方法と比
較して得られた膜の抵抗値および透過率の経時変化が少
なく成膜条件のコントロールが容易であるため、ＩＴＯ
薄膜製造法の主流となっている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ＩＴＯターゲットをア
ルゴンガスと酸素ガスとの混合ガス雰囲気中で連続して
スパッタリングした場合、積算スパッタリング時間の増
加と共にターゲット表面にはノジュールと呼ばれる黒色
の付着物が析出する。インジウムの低級酸化物と考えら
れているこの黒色の付着物は、ターゲットのエロージョ
ン部の周囲に析出するため、スパッタリング時の異常放
電の原因となりやすく、またそれ自身がパーテイクルの
発生源となることが知られている。
ルゴンガスと酸素ガスとの混合ガス雰囲気中で連続して
スパッタリングした場合、積算スパッタリング時間の増
加と共にターゲット表面にはノジュールと呼ばれる黒色
の付着物が析出する。インジウムの低級酸化物と考えら
れているこの黒色の付着物は、ターゲットのエロージョ
ン部の周囲に析出するため、スパッタリング時の異常放
電の原因となりやすく、またそれ自身がパーテイクルの
発生源となることが知られている。
【０００５】その結果、連続してスパッタリングを行う
と、形成された薄膜中に異物欠陥が発生し、これが液晶
表示装置等のフラットパネルディスプレイの製造歩留ま
り低下の原因となっていた。特に近年フラットパネルデ
ィスプレイの分野では高精細化が進んでおり、このよう
な薄膜中の異物欠陥は素子の動作不良を引き起こすた
め、特に解決すべき重要な課題となっていた。
と、形成された薄膜中に異物欠陥が発生し、これが液晶
表示装置等のフラットパネルディスプレイの製造歩留ま
り低下の原因となっていた。特に近年フラットパネルデ
ィスプレイの分野では高精細化が進んでおり、このよう
な薄膜中の異物欠陥は素子の動作不良を引き起こすた
め、特に解決すべき重要な課題となっていた。
【０００６】従来のＩＴＯ薄膜の生産においては、この
ような薄膜中の欠陥の発生を防ぐために定期的にターゲ
ット表面のノジュールを除去するといった対策が取られ
ていた。しかしこのようなターゲットクリーニング作業
は重大な生産性の低下を引き起こすため、ノジュールの
発生の起こりにくいＩＴＯターゲットの開発が強く望ま
れていた。
ような薄膜中の欠陥の発生を防ぐために定期的にターゲ
ット表面のノジュールを除去するといった対策が取られ
ていた。しかしこのようなターゲットクリーニング作業
は重大な生産性の低下を引き起こすため、ノジュールの
発生の起こりにくいＩＴＯターゲットの開発が強く望ま
れていた。
【０００７】一方、上述したようなノジュールの発生を
防ぐ方法として、例えば特開平５−１４８６３５に記載
されているように圧縮成形した酸化インジウムと酸化ス
ズとからなる酸化物粉末混合体の焼結を１気圧以上の高
い酸素分圧雰囲気中で実施し、得られたＩＴＯ焼結体に
常法に従って機械加工を施すことにより、Ｒａが０．５
μｍ以下でノジュール発生の少ないＩＴＯ焼結ターゲッ
トを製造する方法が知られている。しかしながら、本発
明者等が上記製造方法に従って作製したＲａ０．５μｍ
以下の表面粗さを持つ数種類のＩＴＯスパッタリングタ
ーゲットについて詳細に検討を行ったところ、同程度の
Ｒａを持つターゲットを同一条件でスパッタリングした
時のノジュール発生量にはターゲット毎に差があること
が明らかとなった。
防ぐ方法として、例えば特開平５−１４８６３５に記載
されているように圧縮成形した酸化インジウムと酸化ス
ズとからなる酸化物粉末混合体の焼結を１気圧以上の高
い酸素分圧雰囲気中で実施し、得られたＩＴＯ焼結体に
常法に従って機械加工を施すことにより、Ｒａが０．５
μｍ以下でノジュール発生の少ないＩＴＯ焼結ターゲッ
トを製造する方法が知られている。しかしながら、本発
明者等が上記製造方法に従って作製したＲａ０．５μｍ
以下の表面粗さを持つ数種類のＩＴＯスパッタリングタ
ーゲットについて詳細に検討を行ったところ、同程度の
Ｒａを持つターゲットを同一条件でスパッタリングした
時のノジュール発生量にはターゲット毎に差があること
が明らかとなった。
【０００８】本発明の課題は、フラットパネルディスプ
レイの透明電極等に用いられるＩＴＯ薄膜のスパッタリ
ングにおいて、膜中欠陥の発生原因となるターゲット表
面のノジュールの析出が安定して起こらないＩＴＯスパ
ッタリングターゲットを提供することにある。
レイの透明電極等に用いられるＩＴＯ薄膜のスパッタリ
ングにおいて、膜中欠陥の発生原因となるターゲット表
面のノジュールの析出が安定して起こらないＩＴＯスパ
ッタリングターゲットを提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明者等は０．５μｍ
以下の同程度のＲａを持つターゲットのノジュール発生
量が異なる原因を明らかにするべくこれらのターゲット
の表面状態について詳細な検討を行った結果、上記の同
程度のＲａを持ちながらノジュール発生量の異なるター
ゲットにおいてはＲｍａｘ、Ｒｚ、Ｒｔ、Ｒｐ、θａ、
ＣｖまたはＰｃ（＋１．０μｍ）の値が大きく異なって
いることおよびＲｍａｘ、Ｒｚ、Ｒｔ、Ｒｐ、θａ、Ｃ
ｖまたはＰｃ（＋１．０μｍ）の値が小さいターゲット
においてノジュール発生が特に抑制される傾向にあると
の事実を見出だした。またこれらＲｍａｘ、Ｒｚ、Ｒ
ｔ、Ｒｐ、θａ、ＣｖまたはＰｃ（＋１．０μｍ）の値
の変化は、常法の機械研削加工において不可避的に発生
する研削傷と深く関わっているとの結論を得た。
以下の同程度のＲａを持つターゲットのノジュール発生
量が異なる原因を明らかにするべくこれらのターゲット
の表面状態について詳細な検討を行った結果、上記の同
程度のＲａを持ちながらノジュール発生量の異なるター
ゲットにおいてはＲｍａｘ、Ｒｚ、Ｒｔ、Ｒｐ、θａ、
ＣｖまたはＰｃ（＋１．０μｍ）の値が大きく異なって
いることおよびＲｍａｘ、Ｒｚ、Ｒｔ、Ｒｐ、θａ、Ｃ
ｖまたはＰｃ（＋１．０μｍ）の値が小さいターゲット
においてノジュール発生が特に抑制される傾向にあると
の事実を見出だした。またこれらＲｍａｘ、Ｒｚ、Ｒ
ｔ、Ｒｐ、θａ、ＣｖまたはＰｃ（＋１．０μｍ）の値
の変化は、常法の機械研削加工において不可避的に発生
する研削傷と深く関わっているとの結論を得た。
【００１０】ここでＲａが同一でありながらＲｍａｘ、
ＲｚまたはＲｔの異なるような状態を表す表面形状を図
１および図２に示す。図１および図２から明らかなよう
にＲａが同一の値を持ちながらもＲｍａｘ、Ｒｚまたは
Ｒｔの小さいａ）、ｃ）およびｅ）では表面が一様な起
伏を持っているのに対してＲｍａｘ、ＲｚまたはＲｔの
大きいｂ）、ｄ）およびｆ）では所々に非常に大きな凸
部或いは凹部が存在していることが分かる（ａ）、
ｂ）、ｃ）およびｄ）では表面に凹凸の波長の長いうね
り成分が存在しない場合の断面曲線を示す）。
ＲｚまたはＲｔの異なるような状態を表す表面形状を図
１および図２に示す。図１および図２から明らかなよう
にＲａが同一の値を持ちながらもＲｍａｘ、Ｒｚまたは
Ｒｔの小さいａ）、ｃ）およびｅ）では表面が一様な起
伏を持っているのに対してＲｍａｘ、ＲｚまたはＲｔの
大きいｂ）、ｄ）およびｆ）では所々に非常に大きな凸
部或いは凹部が存在していることが分かる（ａ）、
ｂ）、ｃ）およびｄ）では表面に凹凸の波長の長いうね
り成分が存在しない場合の断面曲線を示す）。
【００１１】Ｒａが同一でありながらＲｐの異なるよう
な状態を表す表面形状を図３に示す。図３から明らかな
ようにＲａが同一の値を持ちながらもＲｐの小さいａ）
では表面が一様な起伏を持っているのに対してＲｐの大
きいｂ）では所々に非常に大きな凸部が存在しているこ
とが分かる（ａ）およびｂ）では表面に凹凸の波長の長
いうねり成分の存在しない場合の断面曲線を示す）。
な状態を表す表面形状を図３に示す。図３から明らかな
ようにＲａが同一の値を持ちながらもＲｐの小さいａ）
では表面が一様な起伏を持っているのに対してＲｐの大
きいｂ）では所々に非常に大きな凸部が存在しているこ
とが分かる（ａ）およびｂ）では表面に凹凸の波長の長
いうねり成分の存在しない場合の断面曲線を示す）。
【００１２】Ｒａが同一でありながらのθａの異なるよ
うな状態を表す表面形状を図４に示す。図４から明らか
なようにＲａが同一の値を持ちながらもθａの小さい
ａ）では表面が平均傾斜角の小さい周期の大きなうねり
から構成されているのに対してθａの大きいｂ）では表
面が平均傾斜角の大きい周期の小さなうねりから構成さ
れていることが分かる。なお、本発明において定義され
るθａとは図５の粗さ曲線の基準長さ間（Ｌ）にある隣
り合う凹凸の高度差（ｈ１〜ｈｎ）から以下の式により
算出される平均傾斜角を言う。
うな状態を表す表面形状を図４に示す。図４から明らか
なようにＲａが同一の値を持ちながらもθａの小さい
ａ）では表面が平均傾斜角の小さい周期の大きなうねり
から構成されているのに対してθａの大きいｂ）では表
面が平均傾斜角の大きい周期の小さなうねりから構成さ
れていることが分かる。なお、本発明において定義され
るθａとは図５の粗さ曲線の基準長さ間（Ｌ）にある隣
り合う凹凸の高度差（ｈ１〜ｈｎ）から以下の式により
算出される平均傾斜角を言う。
【００１３】θａ＝ｔａｎ-1（（ｈ１＋ｈ２＋ｈ３＋ｈ
４＋・・・・＋ｈｎ）／Ｌ） Ｒａが同一でありながらのＣＶの値の異なるような状態
を表す表面形状を図６に示す。図６から明らかなように
Ｒａが同一の値を持ちながらもｔｐ（０−１０％）にお
けるＣＶの値の小さいａ）では表面が均一な高さを持つ
山から形成されているのに対してｔｐ（０−１０％）に
おけるＣＶの値の大きいｂ）では所々に非常に大きな山
が存在していることが分かる（ａ）およびｂ）は表面に
凹凸の波長の長いうねり成分の存在しない場合の断面曲
線を示す）。なお、本発明において定義されるｔｐ（０
−１０％）におけるＣＶとは図７に示すように基準長さ
（Ｌ）区間内の断面曲線を平均線に平行なレベルの直線
で断面曲線の山側より順次切断したとき、その直線を断
面曲線が切り取る線分の長さの総和の基準長さに対する
比が０％のレベル（断面曲線の最高山頂）と１０％とな
るレベルの間の距離ｄを示す。
４＋・・・・＋ｈｎ）／Ｌ） Ｒａが同一でありながらのＣＶの値の異なるような状態
を表す表面形状を図６に示す。図６から明らかなように
Ｒａが同一の値を持ちながらもｔｐ（０−１０％）にお
けるＣＶの値の小さいａ）では表面が均一な高さを持つ
山から形成されているのに対してｔｐ（０−１０％）に
おけるＣＶの値の大きいｂ）では所々に非常に大きな山
が存在していることが分かる（ａ）およびｂ）は表面に
凹凸の波長の長いうねり成分の存在しない場合の断面曲
線を示す）。なお、本発明において定義されるｔｐ（０
−１０％）におけるＣＶとは図７に示すように基準長さ
（Ｌ）区間内の断面曲線を平均線に平行なレベルの直線
で断面曲線の山側より順次切断したとき、その直線を断
面曲線が切り取る線分の長さの総和の基準長さに対する
比が０％のレベル（断面曲線の最高山頂）と１０％とな
るレベルの間の距離ｄを示す。
【００１４】また、Ｒａが同一でありながらのＰｃ（＋
１．０μｍ）の異なるような状態を表す表面形状を図８
に示す。図８から明らかなようにＲａが同一の値を持ち
ながらもＰｃ（＋１．０μｍ）の小さいａ）では表面が
高さ１．０μｍ以下の山を持つ一様な表面形状からなる
のに対してＰｃ（＋１．０μｍ）の大きいｂ）では表面
の所々に高さ１．０μｍ以上の大きな山を持つ表面形状
であることが分かる。なお、本発明において定義される
Ｐｃ（＋１．０μｍ）とは、図９に示すように基準長さ
Ｌ（本発明においては２．５ｍｍ）の粗さ曲線におい
て、粗さ曲線の中心線に対し上側に１．０ミクロンの位
置に、中心線に対して平行な１本のピークカウントレベ
ルを設けたとき、中心線と粗さ曲線が交差する２点間に
おいて、ピークカウントレベルと粗さ曲線が交差する点
が１回以上存在する場合一山とし、この山の数の合計数
として定義される値である。
１．０μｍ）の異なるような状態を表す表面形状を図８
に示す。図８から明らかなようにＲａが同一の値を持ち
ながらもＰｃ（＋１．０μｍ）の小さいａ）では表面が
高さ１．０μｍ以下の山を持つ一様な表面形状からなる
のに対してＰｃ（＋１．０μｍ）の大きいｂ）では表面
の所々に高さ１．０μｍ以上の大きな山を持つ表面形状
であることが分かる。なお、本発明において定義される
Ｐｃ（＋１．０μｍ）とは、図９に示すように基準長さ
Ｌ（本発明においては２．５ｍｍ）の粗さ曲線におい
て、粗さ曲線の中心線に対し上側に１．０ミクロンの位
置に、中心線に対して平行な１本のピークカウントレベ
ルを設けたとき、中心線と粗さ曲線が交差する２点間に
おいて、ピークカウントレベルと粗さ曲線が交差する点
が１回以上存在する場合一山とし、この山の数の合計数
として定義される値である。
【００１５】そこで本発明者等は、表面を機械的に研磨
することにより機械研削加工において不可避的に発生す
る研削傷を除去したターゲットを作製し、それらのター
ゲット物性とノジュール発生量との関係について更に詳
細に検討を行った結果、以下の結論を得た。
することにより機械研削加工において不可避的に発生す
る研削傷を除去したターゲットを作製し、それらのター
ゲット物性とノジュール発生量との関係について更に詳
細に検討を行った結果、以下の結論を得た。
【００１６】（ａ）ターゲットの密度が６．４ｇ／ｃｍ
3に達しないターゲットでは、被スパッタリング面のＲ
ａ、Ｒｍａｘ、Ｒｚ、Ｒｔ、Ｒｐ、θａ、ＣｖまたはＰ
ｃ（＋１．０μｍ）に関係なくターゲット使用初期から
ノジュールが発生する。
3に達しないターゲットでは、被スパッタリング面のＲ
ａ、Ｒｍａｘ、Ｒｚ、Ｒｔ、Ｒｐ、θａ、ＣｖまたはＰ
ｃ（＋１．０μｍ）に関係なくターゲット使用初期から
ノジュールが発生する。
【００１７】（ｂ）ターゲットの密度が６．４ｇ／ｃｍ
3以上で被スパッタリング面のＲａが０．８μｍ以下の
ターゲットの場合、ノジュールの発生し難いターゲット
が得られることがあり、そのときの該被スパッタリング
面の表面のＲｍａｘは７．０μｍ以下である。
3以上で被スパッタリング面のＲａが０．８μｍ以下の
ターゲットの場合、ノジュールの発生し難いターゲット
が得られることがあり、そのときの該被スパッタリング
面の表面のＲｍａｘは７．０μｍ以下である。
【００１８】（ｃ）被スパッタリング面の表面のＲａが
０．８μｍ以下でかつＲｍａｘが７．０μｍ以下の場合
でも、ＲａとＲｍａｘがＲａ×Ｒｍａｘ≦３．０μｍ2
なる関係を満すような場合、更にノジュール発生が抑制
される。
０．８μｍ以下でかつＲｍａｘが７．０μｍ以下の場合
でも、ＲａとＲｍａｘがＲａ×Ｒｍａｘ≦３．０μｍ2
なる関係を満すような場合、更にノジュール発生が抑制
される。
【００１９】（ｄ）ターゲットの密度が６．４ｇ／ｃｍ
3以上で被スパッタリング面のＲａが０．８μｍ以下の
ノジュールの発生し難いターゲットにおいては、常に該
被スパッタリング面の表面のＲｚが６．０μｍ以下であ
る。
3以上で被スパッタリング面のＲａが０．８μｍ以下の
ノジュールの発生し難いターゲットにおいては、常に該
被スパッタリング面の表面のＲｚが６．０μｍ以下であ
る。
【００２０】（ｅ）被スパッタリング面の表面のＲａが
０．８μｍ以下でかつＲｚが６．０μｍ以下の場合で
も、ＲａとＲｚがＲａ×Ｒｚ≦３．０μｍ2なる関係を
満すような場合、更にノジュール発生が抑制される。
０．８μｍ以下でかつＲｚが６．０μｍ以下の場合で
も、ＲａとＲｚがＲａ×Ｒｚ≦３．０μｍ2なる関係を
満すような場合、更にノジュール発生が抑制される。
【００２１】（ｆ）ターゲットの密度が６．４ｇ／ｃｍ
3以上で被スパッタリング面のＲａが０．８μｍ以下の
ノジュールの発生し難いターゲットにおいては、常に該
被スパッタリング面の表面のＲｔが６．５μｍ以下であ
る。
3以上で被スパッタリング面のＲａが０．８μｍ以下の
ノジュールの発生し難いターゲットにおいては、常に該
被スパッタリング面の表面のＲｔが６．５μｍ以下であ
る。
【００２２】（ｇ）被スパッタリング面の表面のＲａが
０．８μｍ以下でかつＲｔが６．５μｍ以下の場合で
も、ＲａとＲｔがＲａ×Ｒｔ≦３．０μｍ2なる関係を
満すような場合、更にノジュール発生が抑制される。
０．８μｍ以下でかつＲｔが６．５μｍ以下の場合で
も、ＲａとＲｔがＲａ×Ｒｔ≦３．０μｍ2なる関係を
満すような場合、更にノジュール発生が抑制される。
【００２３】（ｈ）ターゲットの密度が６．４ｇ／ｃｍ
3以上で被スパッタリング面のＲａが０．８μｍ以下の
ターゲットの場合、ノジュールの発生し難いターゲット
が得られることがあり、そのときの該被スパッタリング
面の表面のＲｐは２．０μｍ以下である。
3以上で被スパッタリング面のＲａが０．８μｍ以下の
ターゲットの場合、ノジュールの発生し難いターゲット
が得られることがあり、そのときの該被スパッタリング
面の表面のＲｐは２．０μｍ以下である。
【００２４】（ｉ）被スパッタリング面の表面のＲａが
０．８μｍ以下でかつＲｐが２．０μｍ以下の場合で
も、ＲｐとＲｍａｘがＲｐ／Ｒｍａｘ≦０．２なる関係
を満すような場合、更にノジュール発生が抑制される。
０．８μｍ以下でかつＲｐが２．０μｍ以下の場合で
も、ＲｐとＲｍａｘがＲｐ／Ｒｍａｘ≦０．２なる関係
を満すような場合、更にノジュール発生が抑制される。
【００２５】（ｊ）ターゲットの密度が６．４ｇ／ｃｍ
3以上で被スパッタリング面のＲａが０．８μｍ以下の
ターゲットの場合、ノジュールの発生し難いターゲット
が得られることがあり、そのときの該被スパッタリング
面の表面のθａは１０．０°以下である。
3以上で被スパッタリング面のＲａが０．８μｍ以下の
ターゲットの場合、ノジュールの発生し難いターゲット
が得られることがあり、そのときの該被スパッタリング
面の表面のθａは１０．０°以下である。
【００２６】（ｋ）ターゲットの密度が６．４ｇ／ｃｍ
3以上で被スパッタリング面のＲａが０．８μｍ以下の
ターゲットの場合、ノジュールの発生し難いターゲット
が得られることがあり、そのときの該被スパッタリング
面の表面のＣＶの値は０．５μｍ以下である。
3以上で被スパッタリング面のＲａが０．８μｍ以下の
ターゲットの場合、ノジュールの発生し難いターゲット
が得られることがあり、そのときの該被スパッタリング
面の表面のＣＶの値は０．５μｍ以下である。
【００２７】（ｌ）ターゲットの密度が６．４ｇ／ｃｍ
3以上で被スパッタリング面のＲａが０．８μｍ以下の
ターゲットの場合、ノジュールの発生し難いターゲット
が得られることがあり、そのときの該被スパッタリング
面の表面のＰｃ（＋１．０μｍ）は２５以下である。
3以上で被スパッタリング面のＲａが０．８μｍ以下の
ターゲットの場合、ノジュールの発生し難いターゲット
が得られることがあり、そのときの該被スパッタリング
面の表面のＰｃ（＋１．０μｍ）は２５以下である。
【００２８】本発明者等は上記に示すような検討を鋭意
行った結果、実質的に酸化インジウムおよび酸化スズか
らなる密度が６．４ｇ／ｃｍ3以上のＩＴＯスパッタリ
ングターゲットにおいて、該スパッタリングターゲット
の被スパッタリング面の表面粗さを制御することにより
安定かつ効果的にスパッタリング時に発生するノジュー
ルを抑制することができることを見出だし本発明を完成
するに至った。
行った結果、実質的に酸化インジウムおよび酸化スズか
らなる密度が６．４ｇ／ｃｍ3以上のＩＴＯスパッタリ
ングターゲットにおいて、該スパッタリングターゲット
の被スパッタリング面の表面粗さを制御することにより
安定かつ効果的にスパッタリング時に発生するノジュー
ルを抑制することができることを見出だし本発明を完成
するに至った。
【００２９】即ち本発明は、実質的に酸化インジウムお
よび酸化スズからなる密度６．４ｇ／ｃｍ3以上のＩＴ
Ｏスパッタリングターゲットであって、該スパッタリン
グターゲットの被スパッタリング面の表面のＲａが０．
８μｍ以下（好ましくは０．６５μｍ以下）で、かつ、
以下の（１）〜（７）の少なくとも一つの条件を満たす
ことを特徴とするＩＴＯスパッタリングターゲットに関
する。
よび酸化スズからなる密度６．４ｇ／ｃｍ3以上のＩＴ
Ｏスパッタリングターゲットであって、該スパッタリン
グターゲットの被スパッタリング面の表面のＲａが０．
８μｍ以下（好ましくは０．６５μｍ以下）で、かつ、
以下の（１）〜（７）の少なくとも一つの条件を満たす
ことを特徴とするＩＴＯスパッタリングターゲットに関
する。
【００３０】（１）Ｒｍａｘ≦７．０μｍ（好ましくは
Ｒｍａｘ≦５．０μｍ）、 （２）Ｒｚ≦６．０μｍ（好ましくはＲｚ≦５．０μ
ｍ）、 （３）Ｒｔ≦６．５μｍ（好ましくはＲｔ≦５．５μ
ｍ）、 （４）Ｒｐ≦２．０μｍ（好ましくはＲｐ≦１．５μ
ｍ）、 （５）θａ≦１０．０°（好ましくはθａ≦７．０
°）、 （６）ＣＶ≦０．５μｍ（好ましくはＣＶ≦０．３μ
ｍ）、 （７）Ｐｃ（＋１．０μｍ）≦２５（好ましくはＰｃ
（＋１．０μｍ）≦２０） 以下、本発明を詳細に説明する。
Ｒｍａｘ≦５．０μｍ）、 （２）Ｒｚ≦６．０μｍ（好ましくはＲｚ≦５．０μ
ｍ）、 （３）Ｒｔ≦６．５μｍ（好ましくはＲｔ≦５．５μ
ｍ）、 （４）Ｒｐ≦２．０μｍ（好ましくはＲｐ≦１．５μ
ｍ）、 （５）θａ≦１０．０°（好ましくはθａ≦７．０
°）、 （６）ＣＶ≦０．５μｍ（好ましくはＣＶ≦０．３μ
ｍ）、 （７）Ｐｃ（＋１．０μｍ）≦２５（好ましくはＰｃ
（＋１．０μｍ）≦２０） 以下、本発明を詳細に説明する。
【００３１】本発明に関わる密度が６．４ｇ／ｃｍ3以
上でかつ上記表面状態を持つＩＴＯスパッタリングター
ゲットは、例えば、以下のような方法で製造することが
できる。
上でかつ上記表面状態を持つＩＴＯスパッタリングター
ゲットは、例えば、以下のような方法で製造することが
できる。
【００３２】始めに酸化インジウム粉末と酸化スズ粉末
との混合粉末或いはＩＴＯ粉末等にバインダー等を加
え、プレス法或いは鋳込法等の成形方法により成形して
ＩＴＯ成形体を作製する。この際、使用する粉末の平均
粒径が大きいと焼結後の密度が十分に上がらず本発明に
関わる密度６．４ｇ／ｃｍ3以上の焼結体を得難くなる
ことがあるので、使用する粉末の平均粒径は１．５μｍ
以下であることが望ましく、更に好ましくは０．１〜
１．５μｍである。
との混合粉末或いはＩＴＯ粉末等にバインダー等を加
え、プレス法或いは鋳込法等の成形方法により成形して
ＩＴＯ成形体を作製する。この際、使用する粉末の平均
粒径が大きいと焼結後の密度が十分に上がらず本発明に
関わる密度６．４ｇ／ｃｍ3以上の焼結体を得難くなる
ことがあるので、使用する粉末の平均粒径は１．５μｍ
以下であることが望ましく、更に好ましくは０．１〜
１．５μｍである。
【００３３】また、混合粉末またはＩＴＯ粉末中の酸化
スズ含有量は、スパッタリングによりＩＴＯ薄膜を作成
した際に比抵抗が低下する５〜１５重量％とすることが
望ましい。
スズ含有量は、スパッタリングによりＩＴＯ薄膜を作成
した際に比抵抗が低下する５〜１５重量％とすることが
望ましい。
【００３４】次に得られた成形体に必要に応じてＣＩＰ
等の圧密化処理を行う。この際ＣＩＰの圧力は十分な圧
密効果を得るため２ｔｏｎ／ｃｍ2以上、好ましくは２
〜３ｔｏｎ／ｃｍ2であることが望ましい。ここで始め
の成形を鋳込法により行った場合には、ＣＩＰ後の成形
体中に残存する水分およびバインダー等の有機物を除去
する目的で脱バインダー処理を施してもよい。また始め
の成形をプレス法により行った場合でも、成形時にバイ
ンダーを使用した時には、同様の脱バインダー処理を行
うことが望ましい。
等の圧密化処理を行う。この際ＣＩＰの圧力は十分な圧
密効果を得るため２ｔｏｎ／ｃｍ2以上、好ましくは２
〜３ｔｏｎ／ｃｍ2であることが望ましい。ここで始め
の成形を鋳込法により行った場合には、ＣＩＰ後の成形
体中に残存する水分およびバインダー等の有機物を除去
する目的で脱バインダー処理を施してもよい。また始め
の成形をプレス法により行った場合でも、成形時にバイ
ンダーを使用した時には、同様の脱バインダー処理を行
うことが望ましい。
【００３５】このようにして得られた成形体を焼結炉内
に投入して焼結を行う。焼結方法としては、焼結後の焼
結体の密度が６．４ｇ／ｃｍ3以上となる焼結方法であ
ればいかなる方法でも良いが生産設備のコスト等を考慮
すると大気中焼結が望ましい。しかしこの他ＨＰ法、Ｈ
ＩＰ法および酸素加圧焼結法等の従来知られている他の
焼結法を用いることができることは言うまでもない。ま
た焼結条件についても焼結体の密度が６．４ｇ／ｃｍ3
以上となる焼結条件を適宜選択することができるが、十
分な密度上昇効果を得るため、また酸化スズの蒸発を抑
制するため、焼結温度が１４５０〜１６５０℃であるこ
とが望ましい。また焼結時の雰囲気としては大気或いは
純酸素雰囲気であることが好ましい。また焼結時間につ
いても十分な密度上昇効果を得るために５時間以上、好
ましくは、５〜３０時間であることが望ましい。
に投入して焼結を行う。焼結方法としては、焼結後の焼
結体の密度が６．４ｇ／ｃｍ3以上となる焼結方法であ
ればいかなる方法でも良いが生産設備のコスト等を考慮
すると大気中焼結が望ましい。しかしこの他ＨＰ法、Ｈ
ＩＰ法および酸素加圧焼結法等の従来知られている他の
焼結法を用いることができることは言うまでもない。ま
た焼結条件についても焼結体の密度が６．４ｇ／ｃｍ3
以上となる焼結条件を適宜選択することができるが、十
分な密度上昇効果を得るため、また酸化スズの蒸発を抑
制するため、焼結温度が１４５０〜１６５０℃であるこ
とが望ましい。また焼結時の雰囲気としては大気或いは
純酸素雰囲気であることが好ましい。また焼結時間につ
いても十分な密度上昇効果を得るために５時間以上、好
ましくは、５〜３０時間であることが望ましい。
【００３６】続いて上記の方法により作製した密度６．
４ｇ／ｃｍ3以上のＩＴＯ焼結体を所望のターゲット形
状に研削加工する。この時点では加工後のターゲット表
面の表面粗さについては特に注意を払う必要はないが、
この時点で被スパッタリング面にあまり大きな研削傷を
作ると次の表面研磨に要する時間が極端に長くなり生産
性の点で問題となるので、研削加工後の被スパッタリン
グ面の表面粗さとしてはＲａが２．０μｍ以下で、次に
示す〜の条件を少なくとも一つ満足することが好ま
しい。
４ｇ／ｃｍ3以上のＩＴＯ焼結体を所望のターゲット形
状に研削加工する。この時点では加工後のターゲット表
面の表面粗さについては特に注意を払う必要はないが、
この時点で被スパッタリング面にあまり大きな研削傷を
作ると次の表面研磨に要する時間が極端に長くなり生産
性の点で問題となるので、研削加工後の被スパッタリン
グ面の表面粗さとしてはＲａが２．０μｍ以下で、次に
示す〜の条件を少なくとも一つ満足することが好ま
しい。
【００３７】Ｒｍａｘ、ＲｚまたはＲｔの少なくとも
一つが３０μｍ以下、 Ｒｐ≦１５μｍ、 θａ≦１５°、 ｔｐ（０−１０％）におけるＣＶ≦１．５μｍ、 Ｐｃ（＋１．０μｍ）≦１００ 次に上記研削加工を施されたターゲットの被スパッタリ
ング面の表面を更に機械的に研磨する。焼結体の研磨方
法としては、研磨時の焼結体へのダメージの少ない湿式
研磨が望ましい。この際、研磨に使用する材料としては
ＳｉＣ砥粒が塗布された研磨紙或いはアルミナまたはダ
イヤモンドの砥粒を含むスラリー等を適宜使用すること
ができる。この時使用する研磨材料の粗さについては特
に規定は無いが、例えば平均粒径６７μｍ以上の砥粒が
塗布された研磨紙のような粗い材料を使用すると所望の
表面状態のターゲットを得られなくなることがあるので
注意を要する。逆に始めからアルミナスラリー等の細か
い研磨材料を使用すると被研磨面を所望の表面状態にす
るために必要な時間が極端に長くなり生産性の点で問題
となる。
一つが３０μｍ以下、 Ｒｐ≦１５μｍ、 θａ≦１５°、 ｔｐ（０−１０％）におけるＣＶ≦１．５μｍ、 Ｐｃ（＋１．０μｍ）≦１００ 次に上記研削加工を施されたターゲットの被スパッタリ
ング面の表面を更に機械的に研磨する。焼結体の研磨方
法としては、研磨時の焼結体へのダメージの少ない湿式
研磨が望ましい。この際、研磨に使用する材料としては
ＳｉＣ砥粒が塗布された研磨紙或いはアルミナまたはダ
イヤモンドの砥粒を含むスラリー等を適宜使用すること
ができる。この時使用する研磨材料の粗さについては特
に規定は無いが、例えば平均粒径６７μｍ以上の砥粒が
塗布された研磨紙のような粗い材料を使用すると所望の
表面状態のターゲットを得られなくなることがあるので
注意を要する。逆に始めからアルミナスラリー等の細か
い研磨材料を使用すると被研磨面を所望の表面状態にす
るために必要な時間が極端に長くなり生産性の点で問題
となる。
【００３８】このため研磨を行う際には、例えば、始め
に平均粒径４６μｍの砥粒が塗布された研磨紙のような
少し粗い研磨材料を用いて表面を粗研磨した後、次第に
細かい研磨材料を用いて徐々に表面を研磨することが望
ましい。研磨後のターゲットの表面状態はターゲットの
密度および焼結粒径により多少異なるものの、研磨紙に
よる最終段階の研磨に平均粒径３１μｍ以下の砥粒が塗
布された研磨紙を用いることにより本発明に関わる表面
状態の研磨面を得ることができる。
に平均粒径４６μｍの砥粒が塗布された研磨紙のような
少し粗い研磨材料を用いて表面を粗研磨した後、次第に
細かい研磨材料を用いて徐々に表面を研磨することが望
ましい。研磨後のターゲットの表面状態はターゲットの
密度および焼結粒径により多少異なるものの、研磨紙に
よる最終段階の研磨に平均粒径３１μｍ以下の砥粒が塗
布された研磨紙を用いることにより本発明に関わる表面
状態の研磨面を得ることができる。
【００３９】特に被スパッタリング面の表面がＲａ≦
０．８μｍで、更に次のような関係を満足するＩＴＯス
パッタリングターゲットを得るためには、 ・Ｒｍａｘ≦７．０μｍかつＲａ×Ｒｍａｘ≦３．０μ
ｍ2 ・Ｒｚ≦６．０μｍかつＲａ×Ｒｚ≦３．０μｍ2 ・Ｒｔ≦６．５μｍかつＲａ×Ｒｔ≦３．０μｍ2 ・Ｒｐ≦２．０μｍかつＲｐ／Ｒｍａｘ≦０．２ ・θａ≦７．０° ・ｔｐ（０−１０％）におけるＣＶ≦０．３μｍ、 ・Ｐｃ（＋１．０μｍ）≦２０ 研磨紙による最終段階の研磨を平均粒径２２μｍ以下の
砥粒が塗布された研磨紙で行った後、平均粒径０．３μ
ｍ以下のアルミナまたはダイヤモンド砥粒を含むスラリ
ーを用いて更に最終的な仕上げの表面研磨を行うことが
望ましい。
０．８μｍで、更に次のような関係を満足するＩＴＯス
パッタリングターゲットを得るためには、 ・Ｒｍａｘ≦７．０μｍかつＲａ×Ｒｍａｘ≦３．０μ
ｍ2 ・Ｒｚ≦６．０μｍかつＲａ×Ｒｚ≦３．０μｍ2 ・Ｒｔ≦６．５μｍかつＲａ×Ｒｔ≦３．０μｍ2 ・Ｒｐ≦２．０μｍかつＲｐ／Ｒｍａｘ≦０．２ ・θａ≦７．０° ・ｔｐ（０−１０％）におけるＣＶ≦０．３μｍ、 ・Ｐｃ（＋１．０μｍ）≦２０ 研磨紙による最終段階の研磨を平均粒径２２μｍ以下の
砥粒が塗布された研磨紙で行った後、平均粒径０．３μ
ｍ以下のアルミナまたはダイヤモンド砥粒を含むスラリ
ーを用いて更に最終的な仕上げの表面研磨を行うことが
望ましい。
【００４０】なお、本発明において規定される表面状態
を示すパラメーターの下限については特に制限はない
が、研磨に要する時間やコスト等との関係から、Ｒａ、
Ｒｍａｘ、Ｒｚ、Ｒｔ、Ｒｐ、θａ、ＣＶおよびＰｃ
（＋１．０μｍ）の下限としては、それぞれ０．０３μ
ｍ、０．４μｍ、０．３μｍ、０．４μｍ、０．１μ
ｍ、０．４°、０．１μｍ、および１０程度で充分であ
る。
を示すパラメーターの下限については特に制限はない
が、研磨に要する時間やコスト等との関係から、Ｒａ、
Ｒｍａｘ、Ｒｚ、Ｒｔ、Ｒｐ、θａ、ＣＶおよびＰｃ
（＋１．０μｍ）の下限としては、それぞれ０．０３μ
ｍ、０．４μｍ、０．３μｍ、０．４μｍ、０．１μ
ｍ、０．４°、０．１μｍ、および１０程度で充分であ
る。
【００４１】このようにして得られた本発明に関わる密
度および表面状態を有するＩＴＯスパッタリングターゲ
ットにおいては、確実にスパッタリング時に発生するノ
ジュールを抑制することができる。
度および表面状態を有するＩＴＯスパッタリングターゲ
ットにおいては、確実にスパッタリング時に発生するノ
ジュールを抑制することができる。
【００４２】
【実施例】以下、本発明を実施例をもって更に詳細に説
明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
なお、表面粗さの測定方法の内Ｒａ、ＲｍａｘおよびＲ
ｚについては、日本工業規格（ＪＩＳ Ｂ０６０１）に
規定されており本発明においてもこれに準拠して測定を
実施した。以下に本発明において実施したＲａ、Ｒｍａ
ｘ、ＲｚおよびＲｔの測定条件を表１に、Ｒｐ、θａ、
ＣＶおよびＰｃ（＋１．０μｍ）の測定条件を表２に示
す。
明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
なお、表面粗さの測定方法の内Ｒａ、ＲｍａｘおよびＲ
ｚについては、日本工業規格（ＪＩＳ Ｂ０６０１）に
規定されており本発明においてもこれに準拠して測定を
実施した。以下に本発明において実施したＲａ、Ｒｍａ
ｘ、ＲｚおよびＲｔの測定条件を表１に、Ｒｐ、θａ、
ＣＶおよびＰｃ（＋１．０μｍ）の測定条件を表２に示
す。
【００４３】
【表１】
【００４４】
【表２】
【００４５】実施例１ 酸化インジウム粉末５４０ｇ（純度９９．９９％、平均
粒径１．３μｍ）と酸化スズ粉末６０ｇ（純度９９．９
９％、平均粒径０．７μｍ）を容量５Ｌのボールミル用
ポットに入れ、これに直径１０ｍｍのナイロンボール２
ｋｇを加え、回転数５０ｒｐｍで５時間乾式ボールミル
混合して混合粉末を作製した。次に得られた混合粉末を
水、分散剤およびバインダーと共に混合してスラリー化
し、これを直径１３０ｍｍで高さ１０．５ｍｍの内部容
積を持つ鋳込み用の樹脂型の中へ注入して直径１３０ｍ
ｍで高さ１０．５ｍｍの成形体を作製した。次にこの成
形体を乾燥炉内に設置し、４５０℃で１０時間加熱して
成形体中に残存する水分および有機物を除去した。その
後この成形体を３ｔｏｎ／ｃｍ2の圧力でＣＩＰ処理し
て密度４．２ｇ／ｃｍ3の成形体を得た。次にこの成形
体を大気焼結炉内に設置して以下の条件で焼結を実施し
た。
粒径１．３μｍ）と酸化スズ粉末６０ｇ（純度９９．９
９％、平均粒径０．７μｍ）を容量５Ｌのボールミル用
ポットに入れ、これに直径１０ｍｍのナイロンボール２
ｋｇを加え、回転数５０ｒｐｍで５時間乾式ボールミル
混合して混合粉末を作製した。次に得られた混合粉末を
水、分散剤およびバインダーと共に混合してスラリー化
し、これを直径１３０ｍｍで高さ１０．５ｍｍの内部容
積を持つ鋳込み用の樹脂型の中へ注入して直径１３０ｍ
ｍで高さ１０．５ｍｍの成形体を作製した。次にこの成
形体を乾燥炉内に設置し、４５０℃で１０時間加熱して
成形体中に残存する水分および有機物を除去した。その
後この成形体を３ｔｏｎ／ｃｍ2の圧力でＣＩＰ処理し
て密度４．２ｇ／ｃｍ3の成形体を得た。次にこの成形
体を大気焼結炉内に設置して以下の条件で焼結を実施し
た。
【００４６】（焼結条件） ・焼結温度 ： １４５０℃ ・昇温速度 ： ２５℃／Ｈｒ ・焼結時間 ： １５時間 得られた焼結体の密度をアルキメデス法により測定した
ところ６．４４ｇ／ｃｍ3であった。次にこの焼結体を
旋盤を用いて直径７６．２ｍｍ厚さ５．１ｍｍに加工し
た。加工後の被スパッタリング面の表面粗さはＲａ：
１．２μｍ、Ｒｍａｘ：１４．０μｍ、Ｒｚ：１２．７
μｍ、Ｒｔ：１３．１μｍであった。次にこの加工済の
焼結体の被スパッタリング面を湿式回転研磨機を用いて
以下の条件で研磨した。
ところ６．４４ｇ／ｃｍ3であった。次にこの焼結体を
旋盤を用いて直径７６．２ｍｍ厚さ５．１ｍｍに加工し
た。加工後の被スパッタリング面の表面粗さはＲａ：
１．２μｍ、Ｒｍａｘ：１４．０μｍ、Ｒｚ：１２．７
μｍ、Ｒｔ：１３．１μｍであった。次にこの加工済の
焼結体の被スパッタリング面を湿式回転研磨機を用いて
以下の条件で研磨した。
【００４７】（研磨条件） ・研磨材料 ： 研磨紙（平均粒径：４６μｍ、３
１μｍ） ・研磨材回転数 ： ３００ｒｐｍ ・焼結体回転数 ： １５０ｒｐｍ ・荷重 ： ６６ｇ／ｃｍ2 ・研磨時間 ： ５分／１段階 ・研磨順序 ： ４６μｍ→３１μｍ 上記の条件で表面研磨を実施した焼結体の被スパッタリ
ング面の表面粗さを測定したところ、Ｒａ：０．８μ
ｍ、Ｒｍａｘ：６．８μｍ、Ｒｚ：５．８μｍ、Ｒｔ：
６．５μｍであった。このようにして得られた焼結体を
バッキングプレートにボンディングしてターゲットを作
製し、以下の条件でスパッタリングを実施した。
１μｍ） ・研磨材回転数 ： ３００ｒｐｍ ・焼結体回転数 ： １５０ｒｐｍ ・荷重 ： ６６ｇ／ｃｍ2 ・研磨時間 ： ５分／１段階 ・研磨順序 ： ４６μｍ→３１μｍ 上記の条件で表面研磨を実施した焼結体の被スパッタリ
ング面の表面粗さを測定したところ、Ｒａ：０．８μ
ｍ、Ｒｍａｘ：６．８μｍ、Ｒｚ：５．８μｍ、Ｒｔ：
６．５μｍであった。このようにして得られた焼結体を
バッキングプレートにボンディングしてターゲットを作
製し、以下の条件でスパッタリングを実施した。
【００４８】（スパッタリング条件） ・ＤＣ電力 ： １２０Ｗ（２．６Ｗ／ｃｍ2） ・ガス圧 ： ０．５Ｐａ ・Ａｒガス流量 ： ５０ＳＣＣＭ ・Ｏ2ガス流量 ： ０．６ＳＣＣＭ 上記の条件により連続的にスパッタリング試験を実施し
たところ、ノジュールは放電開始後３０時間までは発生
せず、また、最終的なノジュール発生量は少なかった。
たところ、ノジュールは放電開始後３０時間までは発生
せず、また、最終的なノジュール発生量は少なかった。
【００４９】次に基板温度２００℃で作製した厚さ２０
０ｎｍのＩＴＯ薄膜上にレジストを用いて１０μｍのラ
イン＆スペースを持つパターンを形成し、このＩＴＯ薄
膜を塩酸、硝酸および水から成るエッチング液を用いて
エッチング試験したところ、ターゲットの寿命末期を除
きエッチング不良は発生しなかった。また発生したエッ
チング不良は極僅かであった。
０ｎｍのＩＴＯ薄膜上にレジストを用いて１０μｍのラ
イン＆スペースを持つパターンを形成し、このＩＴＯ薄
膜を塩酸、硝酸および水から成るエッチング液を用いて
エッチング試験したところ、ターゲットの寿命末期を除
きエッチング不良は発生しなかった。また発生したエッ
チング不良は極僅かであった。
【００５０】実施例２ 実施例１と同様の方法で作製したＩＴＯ成形体を常圧純
酸素雰囲気炉内に設置して以下の条件で焼結を実施し
た。
酸素雰囲気炉内に設置して以下の条件で焼結を実施し
た。
【００５１】（焼結条件） ・焼結温度 ： １６００℃ ・昇温速度 ： ２５℃／Ｈｒ ・焼結時間 ： ２０時間 ・Ｏ2ガス流量 ： ５Ｌ／分 得られた焼結体の密度をアルキメデス法により測定した
ところ６．９４ｇ／ｃｍ3であった。次にこの焼結体を
旋盤を用いて直径７６．２ｍｍ厚さ５．１ｍｍに加工し
た。加工後の被スパッタリング面の表面粗さはＲａ：
０．５μｍ、Ｒｍａｘ：１０．５μｍ、Ｒｚ：９．４μ
ｍ、Ｒｔ：１０．２μｍであった。次にこの加工済の焼
結体の被スパッタリング面を湿式回転研磨機を用いて以
下の条件で研磨した。
ところ６．９４ｇ／ｃｍ3であった。次にこの焼結体を
旋盤を用いて直径７６．２ｍｍ厚さ５．１ｍｍに加工し
た。加工後の被スパッタリング面の表面粗さはＲａ：
０．５μｍ、Ｒｍａｘ：１０．５μｍ、Ｒｚ：９．４μ
ｍ、Ｒｔ：１０．２μｍであった。次にこの加工済の焼
結体の被スパッタリング面を湿式回転研磨機を用いて以
下の条件で研磨した。
【００５２】（研磨条件） ・研磨材料 ： 研磨紙（平均粒径：４６μｍ、３
１μｍ、２２μｍ、１８μｍ） アルミナスラリー（アルミナ平均粒度：０．０６μｍ） ・研磨材回転数 ： ３００ｒｐｍ ・焼結体回転数 ： １５０ｒｐｍ ・荷重 ： ６６ｇ／ｃｍ2 ・研磨時間 ： ５分／１段階 ・研磨順序 ： ４６μｍ→３１μｍ→２２μｍ→
１８μｍ→アルミナスラリー 上記の条件で表面研磨を実施した焼結体の被スパッタリ
ング面の表面粗さを測定したところ、Ｒａ：０．４μ
ｍ、Ｒｍａｘ：４．８μｍ、Ｒｚ：３．７μｍ、Ｒｔ：
４．５μｍであった。このようにして得られた焼結体を
バッキングプレートにボンディングしてターゲットを作
製し、実施例１と同様の条件で連続的にスパッタリング
試験を実施したところ、ノジュールは殆ど発生しなかっ
た。
１μｍ、２２μｍ、１８μｍ） アルミナスラリー（アルミナ平均粒度：０．０６μｍ） ・研磨材回転数 ： ３００ｒｐｍ ・焼結体回転数 ： １５０ｒｐｍ ・荷重 ： ６６ｇ／ｃｍ2 ・研磨時間 ： ５分／１段階 ・研磨順序 ： ４６μｍ→３１μｍ→２２μｍ→
１８μｍ→アルミナスラリー 上記の条件で表面研磨を実施した焼結体の被スパッタリ
ング面の表面粗さを測定したところ、Ｒａ：０．４μ
ｍ、Ｒｍａｘ：４．８μｍ、Ｒｚ：３．７μｍ、Ｒｔ：
４．５μｍであった。このようにして得られた焼結体を
バッキングプレートにボンディングしてターゲットを作
製し、実施例１と同様の条件で連続的にスパッタリング
試験を実施したところ、ノジュールは殆ど発生しなかっ
た。
【００５３】次に基板温度２００℃で作製した厚さ２０
０ｎｍのＩＴＯ薄膜上にレジストを用いて１０μｍのラ
イン＆スペースを持つパターンを形成し、このＩＴＯ薄
膜を塩酸、硝酸および水から成るエッチング液を用いて
エッチング試験したところ、ターゲットの寿命に関係な
くエッチング不良は発生しなかった。
０ｎｍのＩＴＯ薄膜上にレジストを用いて１０μｍのラ
イン＆スペースを持つパターンを形成し、このＩＴＯ薄
膜を塩酸、硝酸および水から成るエッチング液を用いて
エッチング試験したところ、ターゲットの寿命に関係な
くエッチング不良は発生しなかった。
【００５４】実施例３ 酸化インジウム粉末５５５ｇ（純度９９．９９％、平均
粒径１．３μｍ）と酸化スズ粉末４５ｇ（純度９９．９
９％、平均粒径０．７μｍ）を容量５Ｌのボールミル用
ポットに入れ、これに直径１０ｍｍのナイロンボール２
ｋｇを加え、回転数５０ｒｐｍで５時間乾式ボールミル
混合して混合粉末を作製した。次に得られた混合粉末に
バインダーを添加した後、直径１３０ｍｍのプレス用金
型の中へ入れ５００ｋｇ／ｃｍ2の圧力でプレスして成
形体を作製した。次に得られた成形体を乾燥炉内に設置
し、１００℃で１０時間加熱して成形体中に残存する有
機物等を除去し、その後この成形体を３ｔｏｎ／ｃｍ2
の圧力でＣＩＰ処理して密度４．１ｇ／ｃｍ3の成形体
とした。こうして得られた作製したＩＴＯ成形体を大気
焼結炉内に設置して酸素ガスを吹き込みながら以下の条
件で焼結を実施した。
粒径１．３μｍ）と酸化スズ粉末４５ｇ（純度９９．９
９％、平均粒径０．７μｍ）を容量５Ｌのボールミル用
ポットに入れ、これに直径１０ｍｍのナイロンボール２
ｋｇを加え、回転数５０ｒｐｍで５時間乾式ボールミル
混合して混合粉末を作製した。次に得られた混合粉末に
バインダーを添加した後、直径１３０ｍｍのプレス用金
型の中へ入れ５００ｋｇ／ｃｍ2の圧力でプレスして成
形体を作製した。次に得られた成形体を乾燥炉内に設置
し、１００℃で１０時間加熱して成形体中に残存する有
機物等を除去し、その後この成形体を３ｔｏｎ／ｃｍ2
の圧力でＣＩＰ処理して密度４．１ｇ／ｃｍ3の成形体
とした。こうして得られた作製したＩＴＯ成形体を大気
焼結炉内に設置して酸素ガスを吹き込みながら以下の条
件で焼結を実施した。
【００５５】（焼結条件） ・焼結温度 ： １５５０℃ ・昇温速度 ： ２５℃／Ｈｒ ・焼結時間 ： ２０時間 ・Ｏ2ガス流量 ： ３Ｌ／分 得られた焼結体の密度をアルキメデス法により測定した
ところ６．６９ｇ／ｃｍ3であった。次にこの焼結体を
旋盤を用いて直径７６．２ｍｍ厚さ５．１ｍｍに加工し
た。加工後の被スパッタリング面の表面粗さはＲａ：
０．９μｍ、Ｒｍａｘ：１１．２μｍ、Ｒｚ：１０．３
μｍ、Ｒｔ：１１．０μｍであった。次にこの加工済の
焼結体の被スパッタリング面を湿式回転研磨機を用いて
以下の条件で研磨した。
ところ６．６９ｇ／ｃｍ3であった。次にこの焼結体を
旋盤を用いて直径７６．２ｍｍ厚さ５．１ｍｍに加工し
た。加工後の被スパッタリング面の表面粗さはＲａ：
０．９μｍ、Ｒｍａｘ：１１．２μｍ、Ｒｚ：１０．３
μｍ、Ｒｔ：１１．０μｍであった。次にこの加工済の
焼結体の被スパッタリング面を湿式回転研磨機を用いて
以下の条件で研磨した。
【００５６】（研磨条件） ・研磨材料 ： 研磨紙（平均粒径：４６μｍ、３
１μｍ、２２μｍ） ・研磨材回転数 ： ３００ｒｐｍ ・焼結体回転数 ： １５０ｒｐｍ ・荷重 ： ６６ｇ／ｃｍ2 ・研磨時間 ： ５分／１段階 ・研磨順序 ： ４６μｍ→３１μｍ→２２μｍ 上記の条件で表面研磨を実施した焼結体の被スパッタリ
ング面の表面粗さを測定したところ、Ｒａ：０．６μ
ｍ、Ｒｍａｘ：５．６μｍ、Ｒｚ：５．１μｍ、Ｒｔ：
５．５μｍであった。このようにして得られた焼結体を
バッキングプレートにボンディングしてターゲットを作
製し、実施例１と同様の条件で連続的にスパッタリング
試験を実施したところ、ノジュールはターゲット寿命の
末期において若干発生しただけであった。
１μｍ、２２μｍ） ・研磨材回転数 ： ３００ｒｐｍ ・焼結体回転数 ： １５０ｒｐｍ ・荷重 ： ６６ｇ／ｃｍ2 ・研磨時間 ： ５分／１段階 ・研磨順序 ： ４６μｍ→３１μｍ→２２μｍ 上記の条件で表面研磨を実施した焼結体の被スパッタリ
ング面の表面粗さを測定したところ、Ｒａ：０．６μ
ｍ、Ｒｍａｘ：５．６μｍ、Ｒｚ：５．１μｍ、Ｒｔ：
５．５μｍであった。このようにして得られた焼結体を
バッキングプレートにボンディングしてターゲットを作
製し、実施例１と同様の条件で連続的にスパッタリング
試験を実施したところ、ノジュールはターゲット寿命の
末期において若干発生しただけであった。
【００５７】次に基板温度２００℃で作製した厚さ２０
０ｎｍのＩＴＯ薄膜上にレジストを用いて１０μｍのラ
イン＆スペースを持つパターンを形成し、このＩＴＯ薄
膜を塩酸、硝酸および水から成るエッチング液を用いて
エッチング試験したところ、ターゲットの寿命末期に極
僅かにエッチング不良が発生したに過ぎなかった。
０ｎｍのＩＴＯ薄膜上にレジストを用いて１０μｍのラ
イン＆スペースを持つパターンを形成し、このＩＴＯ薄
膜を塩酸、硝酸および水から成るエッチング液を用いて
エッチング試験したところ、ターゲットの寿命末期に極
僅かにエッチング不良が発生したに過ぎなかった。
【００５８】比較例１ 実施例１と同様の方法で得られた密度４．２ｇ／ｃｍ3
のＩＴＯ成形体を大気焼結炉に設置して以下の条件で焼
結を実施した。
のＩＴＯ成形体を大気焼結炉に設置して以下の条件で焼
結を実施した。
【００５９】（焼結条件） ・焼結温度 ： １４００℃ ・昇温速度 ： ５０℃／Ｈｒ ・焼結時間 ： ４時間 得られた焼結体の密度をアルキメデス法により測定した
ところ６．０ｇ／ｃｍ3であった。次にこの焼結体を旋
盤を用いて直径７６．２ｍｍ厚さ５．１ｍｍに加工し
た。加工後の被スパッタリング面の表面粗さはＲａ：
１．４μｍ、Ｒｍａｘ：１７．０μｍ、Ｒｚ：１６．０
μｍ、Ｒｔ：１６．８μｍ、Ｒｐ：３．０μｍ、θａ：
１４．６°、ＣＶ：１．４μｍ、およびＰｃ（＋１．０
μｍ）：９５であった。
ところ６．０ｇ／ｃｍ3であった。次にこの焼結体を旋
盤を用いて直径７６．２ｍｍ厚さ５．１ｍｍに加工し
た。加工後の被スパッタリング面の表面粗さはＲａ：
１．４μｍ、Ｒｍａｘ：１７．０μｍ、Ｒｚ：１６．０
μｍ、Ｒｔ：１６．８μｍ、Ｒｐ：３．０μｍ、θａ：
１４．６°、ＣＶ：１．４μｍ、およびＰｃ（＋１．０
μｍ）：９５であった。
【００６０】次にこの加工済の焼結体の被スパッタリン
グ面を湿式回転研磨機を用いて以下の条件で研磨した。
グ面を湿式回転研磨機を用いて以下の条件で研磨した。
【００６１】（研磨条件） ・研磨材料 ： 研磨紙（平均粒径：４６μｍ、３
１μｍ、２２μｍ） ・研磨材回転数 ： ３００ｒｐｍ ・焼結体回転数 ： １５０ｒｐｍ ・荷重 ： ６６ｇ／ｃｍ2 ・研磨時間 ： ５分／１段階 ・研磨順序 ： ４６μｍ→３１μｍ→２２μｍ 上記の条件で表面研磨を実施した焼結体の被スパッタリ
ング面の表面粗さを測定したところ、Ｒａ：１．０μ
ｍ、Ｒｍａｘ：９．５μｍ、Ｒｚ：９．２μｍ、Ｒｔ：
９．４μｍ、Ｒｐ：２．４μｍ、θａ：１２．０°、Ｃ
Ｖ：０．６μｍ、およびＰｃ（＋１．０μｍ）：３５で
あった。
１μｍ、２２μｍ） ・研磨材回転数 ： ３００ｒｐｍ ・焼結体回転数 ： １５０ｒｐｍ ・荷重 ： ６６ｇ／ｃｍ2 ・研磨時間 ： ５分／１段階 ・研磨順序 ： ４６μｍ→３１μｍ→２２μｍ 上記の条件で表面研磨を実施した焼結体の被スパッタリ
ング面の表面粗さを測定したところ、Ｒａ：１．０μ
ｍ、Ｒｍａｘ：９．５μｍ、Ｒｚ：９．２μｍ、Ｒｔ：
９．４μｍ、Ｒｐ：２．４μｍ、θａ：１２．０°、Ｃ
Ｖ：０．６μｍ、およびＰｃ（＋１．０μｍ）：３５で
あった。
【００６２】このようにして得られた焼結体をバッキン
グプレートにボンディングしてターゲットを作製し、実
施例１と同様の条件で連続的にスパッタリング試験を実
施したところ、ノジュールは放電開始後７．５時間の時
点で発生し、スパッタリング時間の増加と共に急激に増
加した。
グプレートにボンディングしてターゲットを作製し、実
施例１と同様の条件で連続的にスパッタリング試験を実
施したところ、ノジュールは放電開始後７．５時間の時
点で発生し、スパッタリング時間の増加と共に急激に増
加した。
【００６３】次に基板温度２００℃で作製した厚さ２０
０ｎｍのＩＴＯ薄膜上にレジストを用いて１０μｍのラ
イン＆スペースを持つパターンを形成し、このＩＴＯ薄
膜を塩酸、硝酸および水から成るエッチング液を用いて
エッチング試験したところ、ターゲット使用時間が１０
時間程度の時点で作製した膜から徐々にエッチング不良
が発生を始め、不良率はターゲット使用時間の増加と共
に急激に上昇した。
０ｎｍのＩＴＯ薄膜上にレジストを用いて１０μｍのラ
イン＆スペースを持つパターンを形成し、このＩＴＯ薄
膜を塩酸、硝酸および水から成るエッチング液を用いて
エッチング試験したところ、ターゲット使用時間が１０
時間程度の時点で作製した膜から徐々にエッチング不良
が発生を始め、不良率はターゲット使用時間の増加と共
に急激に上昇した。
【００６４】比較例２ 実施例２と同様の方法で作製した密度６．８５ｇ／ｃｍ
3のＩＴＯ焼結体を旋盤で機械加工した後、表面研磨を
施さずにターゲット化した。この時被スパッタリング面
の表面粗さはＲａ：０．５μｍ、Ｒｍａｘ：１１．７μ
ｍ、Ｒｚ：１０．６μｍ、Ｒｔ：１１．５μｍであっ
た。
3のＩＴＯ焼結体を旋盤で機械加工した後、表面研磨を
施さずにターゲット化した。この時被スパッタリング面
の表面粗さはＲａ：０．５μｍ、Ｒｍａｘ：１１．７μ
ｍ、Ｒｚ：１０．６μｍ、Ｒｔ：１１．５μｍであっ
た。
【００６５】このターゲットを実施例１と同様の条件で
連続的にスパッタリング試験を実施したところ、ノジュ
ールは放電開始後２０時間の時点で発生し、スパッタリ
ング時間の増加と共に急激に増加した。
連続的にスパッタリング試験を実施したところ、ノジュ
ールは放電開始後２０時間の時点で発生し、スパッタリ
ング時間の増加と共に急激に増加した。
【００６６】次に基板温度２００℃で作製した厚さ２０
０ｎｍのＩＴＯ薄膜上にレジストを用いて１０μｍのラ
イン＆スペースを持つパターンを形成し、このＩＴＯ薄
膜を塩酸、硝酸および水から成るエッチング液を用いて
エッチング試験したところ、ターゲット使用時間が２５
時間程度の時点で作製した膜から徐々にエッチング不良
が発生を始め、不良率はターゲット使用時間の増加と共
に上昇した。
０ｎｍのＩＴＯ薄膜上にレジストを用いて１０μｍのラ
イン＆スペースを持つパターンを形成し、このＩＴＯ薄
膜を塩酸、硝酸および水から成るエッチング液を用いて
エッチング試験したところ、ターゲット使用時間が２５
時間程度の時点で作製した膜から徐々にエッチング不良
が発生を始め、不良率はターゲット使用時間の増加と共
に上昇した。
【００６７】実施例４ 実施例１と同様の方法で得られた密度４．２ｇ／ｃｍ3
の成形体を大気焼結炉内に設置して以下の条件で焼結を
実施した。
の成形体を大気焼結炉内に設置して以下の条件で焼結を
実施した。
【００６８】（焼結条件） ・焼結温度 ： １４５０℃ ・昇温速度 ： ２５℃／Ｈｒ ・焼結時間 ： ２０時間 得られた焼結体の密度をアルキメデス法により測定した
ところ６．４７ｇ／ｃｍ3であった。次にこの焼結体を
旋盤を用いて直径７６．２ｍｍ厚さ５．１ｍｍに加工し
た。加工後の被スパッタリング面の表面粗さはＲａ：
１．２μｍ、Ｒｐ：３．８μｍであった。次にこの加工
済の焼結体の被スパッタリング面を実施例１と同様な条
件で研磨した。
ところ６．４７ｇ／ｃｍ3であった。次にこの焼結体を
旋盤を用いて直径７６．２ｍｍ厚さ５．１ｍｍに加工し
た。加工後の被スパッタリング面の表面粗さはＲａ：
１．２μｍ、Ｒｐ：３．８μｍであった。次にこの加工
済の焼結体の被スパッタリング面を実施例１と同様な条
件で研磨した。
【００６９】表面研磨を実施した焼結体の被スパッタリ
ング面の表面粗さを測定したところ、Ｒａ：０．８μ
ｍ、Ｒｐ：１．９μｍ、Ｒｍａｘ：６．７μｍであっ
た。このようにして得られた焼結体をバッキングプレー
トにボンディングしてターゲットを作製し、実施例１と
同様な条件でスパッタリングを実施したところ、ノジュ
ールは放電開始後２５時間までは発生せず、最終的なノ
ジュール発生量は少なかった。
ング面の表面粗さを測定したところ、Ｒａ：０．８μ
ｍ、Ｒｐ：１．９μｍ、Ｒｍａｘ：６．７μｍであっ
た。このようにして得られた焼結体をバッキングプレー
トにボンディングしてターゲットを作製し、実施例１と
同様な条件でスパッタリングを実施したところ、ノジュ
ールは放電開始後２５時間までは発生せず、最終的なノ
ジュール発生量は少なかった。
【００７０】次に基板温度２００℃で作製した厚さ２０
０ｎｍのＩＴＯ薄膜上にレジストを用いて１０μｍのラ
イン＆スペースを持つパターンを形成し、このＩＴＯ薄
膜を塩酸、硝酸および水から成るエッチング液を用いて
エッチング試験したところ、ターゲットの寿命末期を除
きエッチング不良は発生しなかった。また発生したエッ
チング不良は極僅かであった。
０ｎｍのＩＴＯ薄膜上にレジストを用いて１０μｍのラ
イン＆スペースを持つパターンを形成し、このＩＴＯ薄
膜を塩酸、硝酸および水から成るエッチング液を用いて
エッチング試験したところ、ターゲットの寿命末期を除
きエッチング不良は発生しなかった。また発生したエッ
チング不良は極僅かであった。
【００７１】実施例５ 実施例１と同様の方法で得られた密度４．２ｇ／ｃｍ3
のＩＴＯ成形体を常圧純酸素雰囲気炉内に設置して以下
の条件で焼結を実施した。
のＩＴＯ成形体を常圧純酸素雰囲気炉内に設置して以下
の条件で焼結を実施した。
【００７２】（焼結条件） ・焼結温度 ： １６５０℃ ・昇温速度 ： ５０℃／Ｈｒ ・焼結時間 ： １０時間 ・Ｏ2ガス流量 ： ５Ｌ／分 得られた焼結体の密度をアルキメデス法により測定した
ところ７．００ｇ／ｃｍ3であった。次にこの焼結体を
旋盤を用いて直径７６．２ｍｍ厚さ５．１ｍｍに加工し
た。加工後の被スパッタリング面の表面粗さはＲａ：
０．５μｍ、Ｒｐ：２．１μｍであった。次にこの加工
済の焼結体の被スパッタリング面を実施例２と同様な条
件で研磨した。
ところ７．００ｇ／ｃｍ3であった。次にこの焼結体を
旋盤を用いて直径７６．２ｍｍ厚さ５．１ｍｍに加工し
た。加工後の被スパッタリング面の表面粗さはＲａ：
０．５μｍ、Ｒｐ：２．１μｍであった。次にこの加工
済の焼結体の被スパッタリング面を実施例２と同様な条
件で研磨した。
【００７３】表面研磨を実施した焼結体の被スパッタリ
ング面の表面粗さを測定したところ、Ｒａ：０．４μ
ｍ、Ｒｐ：０．６μｍ、Ｒｍａｘ：４．３μｍであっ
た。このようにして得られた焼結体をバッキングプレー
トにボンディングしてターゲットを作製し、実施例１と
同様の条件で連続的にスパッタリング試験を実施したと
ころ、ノジュールは殆ど発生しなかった。
ング面の表面粗さを測定したところ、Ｒａ：０．４μ
ｍ、Ｒｐ：０．６μｍ、Ｒｍａｘ：４．３μｍであっ
た。このようにして得られた焼結体をバッキングプレー
トにボンディングしてターゲットを作製し、実施例１と
同様の条件で連続的にスパッタリング試験を実施したと
ころ、ノジュールは殆ど発生しなかった。
【００７４】次に基板温度２００℃で作製した厚さ２０
０ｎｍのＩＴＯ薄膜上にレジストを用いて１０μｍのラ
イン＆スペースを持つパターンを形成し、このＩＴＯ薄
膜を塩酸、硝酸および水から成るエッチング液を用いて
エッチング試験したところ、ターゲットの寿命に関係な
くエッチング不良は発生しなかった。
０ｎｍのＩＴＯ薄膜上にレジストを用いて１０μｍのラ
イン＆スペースを持つパターンを形成し、このＩＴＯ薄
膜を塩酸、硝酸および水から成るエッチング液を用いて
エッチング試験したところ、ターゲットの寿命に関係な
くエッチング不良は発生しなかった。
【００７５】比較例３ 実施例５と同様の方法で作製した密度７．００ｇ／ｃｍ
3のＩＴＯ焼結体を旋盤で機械加工した後、表面研磨を
施さずにターゲット化した。この時被スパッタリング面
の表面粗さはＲａ：０．５μｍ、Ｒｐ：２．１μｍであ
った。
3のＩＴＯ焼結体を旋盤で機械加工した後、表面研磨を
施さずにターゲット化した。この時被スパッタリング面
の表面粗さはＲａ：０．５μｍ、Ｒｐ：２．１μｍであ
った。
【００７６】このターゲットを実施例１と同様の条件で
連続的にスパッタリング試験を実施したところ、ノジュ
ールは放電開始後２０時間の時点で発生し、スパッタリ
ング時間の増加と共に急激に増加した。
連続的にスパッタリング試験を実施したところ、ノジュ
ールは放電開始後２０時間の時点で発生し、スパッタリ
ング時間の増加と共に急激に増加した。
【００７７】次に基板温度２００℃で作製した厚さ２０
０ｎｍのＩＴＯ薄膜上にレジストを用いて１０μｍのラ
イン＆スペースを持つパターンを形成し、このＩＴＯ薄
膜を塩酸、硝酸および水から成るエッチング液を用いて
エッチング試験したところ、ターゲット使用時間が２５
時間程度の時点で作製した膜から徐々にエッチング不良
が発生を始め、不良率はターゲット使用時間の増加と共
に上昇した。
０ｎｍのＩＴＯ薄膜上にレジストを用いて１０μｍのラ
イン＆スペースを持つパターンを形成し、このＩＴＯ薄
膜を塩酸、硝酸および水から成るエッチング液を用いて
エッチング試験したところ、ターゲット使用時間が２５
時間程度の時点で作製した膜から徐々にエッチング不良
が発生を始め、不良率はターゲット使用時間の増加と共
に上昇した。
【００７８】実施例６ 実施例１と同様の方法で得られた密度４．２ｇ／ｃｍ3
の成形体を大気焼結炉内に設置して以下の条件で焼結を
実施した。
の成形体を大気焼結炉内に設置して以下の条件で焼結を
実施した。
【００７９】（焼結条件） ・焼結温度：１５００℃ ・昇温速度：２５℃／Ｈｒ ・焼結時間：１０時間 得られた焼結体の密度をアルキメデス法により測定した
ところ６．５１ｇ／ｃｍ3であった。次にこの焼結体を
旋盤を用いて直径７６．２ｍｍ厚さ５．１ｍｍに加工し
た。加工後の被スパッタリング面の表面粗さはＲａ：
１．２μｍ、θａ：１３．６°であった。次にこの加工
済の焼結体の被スパッタリング面を湿式回転研磨機を用
いて以下の条件で研磨した。
ところ６．５１ｇ／ｃｍ3であった。次にこの焼結体を
旋盤を用いて直径７６．２ｍｍ厚さ５．１ｍｍに加工し
た。加工後の被スパッタリング面の表面粗さはＲａ：
１．２μｍ、θａ：１３．６°であった。次にこの加工
済の焼結体の被スパッタリング面を湿式回転研磨機を用
いて以下の条件で研磨した。
【００８０】（研磨条件） ・研磨材料 ： 研磨紙（平均粒径：４６μｍ、３
１μｍ、２２μｍ） ・研磨材回転数 ： ３００ｒｐｍ ・焼結体回転数 ： １５０ｒｐｍ ・荷重 ： ６６ｇ／ｃｍ2 ・研磨時間 ： ５分／１段階 ・研磨順序 ： ４６μｍ→３１μｍ→２２μｍ 表面研磨を実施した焼結体の被スパッタリング面の表面
粗さを測定したところ、Ｒａ：０．８μｍ、θａ：９．
８°であった。このようにして得られた焼結体をバッキ
ングプレートにボンディングしてターゲットを作製し、
実施例１と同様の条件でスパッタリングを実施した。
１μｍ、２２μｍ） ・研磨材回転数 ： ３００ｒｐｍ ・焼結体回転数 ： １５０ｒｐｍ ・荷重 ： ６６ｇ／ｃｍ2 ・研磨時間 ： ５分／１段階 ・研磨順序 ： ４６μｍ→３１μｍ→２２μｍ 表面研磨を実施した焼結体の被スパッタリング面の表面
粗さを測定したところ、Ｒａ：０．８μｍ、θａ：９．
８°であった。このようにして得られた焼結体をバッキ
ングプレートにボンディングしてターゲットを作製し、
実施例１と同様の条件でスパッタリングを実施した。
【００８１】上記の条件により連続的にスパッタリング
試験を実施したところ、ノジュールは放電開始後３０時
間までは発生せず、最終的なノジュール発生量は少なか
った。
試験を実施したところ、ノジュールは放電開始後３０時
間までは発生せず、最終的なノジュール発生量は少なか
った。
【００８２】次に基板温度２００℃で作製した厚さ２０
０ｎｍのＩＴＯ薄膜上にレジストを用いて１０μｍのラ
イン＆スペースを持つパターンを形成し、このＩＴＯ薄
膜を塩酸、硝酸および水から成るエッチング液を用いて
エッチング試験したところ、ターゲットの寿命末期を除
きエッチング不良は発生しなかった。また発生したエッ
チング不良は極僅かであった。
０ｎｍのＩＴＯ薄膜上にレジストを用いて１０μｍのラ
イン＆スペースを持つパターンを形成し、このＩＴＯ薄
膜を塩酸、硝酸および水から成るエッチング液を用いて
エッチング試験したところ、ターゲットの寿命末期を除
きエッチング不良は発生しなかった。また発生したエッ
チング不良は極僅かであった。
【００８３】実施例７ 実施例１と同様の方法で得られた密度４．２ｇ／ｃｍ3
の成形体を常圧純酸素雰囲気炉内に設置して以下の条件
で焼結を実施した。
の成形体を常圧純酸素雰囲気炉内に設置して以下の条件
で焼結を実施した。
【００８４】（焼結条件） ・焼結温度 ： １６５０℃ ・昇温速度 ： ２５℃／Ｈｒ ・焼結時間 ： ５時間 ・Ｏ2ガス流量 ： ７．５Ｌ／分 得られた焼結体の密度をアルキメデス法により測定した
ところ６．８８ｇ／ｃｍ3であった。次にこの焼結体を
旋盤を用いて直径７６．２ｍｍ厚さ５．１ｍｍに加工し
た。加工後の被スパッタリング面の表面粗さはＲａ：
０．５μｍ、θａ：１２．４°であった。次にこの加工
済の焼結体の被スパッタリング面を実施例２と同様の条
件で研磨した。
ところ６．８８ｇ／ｃｍ3であった。次にこの焼結体を
旋盤を用いて直径７６．２ｍｍ厚さ５．１ｍｍに加工し
た。加工後の被スパッタリング面の表面粗さはＲａ：
０．５μｍ、θａ：１２．４°であった。次にこの加工
済の焼結体の被スパッタリング面を実施例２と同様の条
件で研磨した。
【００８５】表面研磨を実施した焼結体の被スパッタリ
ング面の表面粗さを測定したところ、Ｒａ：０．４μ
ｍ、θａ：２．９°であった。このようにして得られた
焼結体をバッキングプレートにボンディングしてターゲ
ットを作製し、実施例１と同様の条件で連続的にスパッ
タリング試験を実施したところ、ノジュールは殆ど発生
しなかった。
ング面の表面粗さを測定したところ、Ｒａ：０．４μ
ｍ、θａ：２．９°であった。このようにして得られた
焼結体をバッキングプレートにボンディングしてターゲ
ットを作製し、実施例１と同様の条件で連続的にスパッ
タリング試験を実施したところ、ノジュールは殆ど発生
しなかった。
【００８６】次に基板温度２００℃で作製した厚さ２０
０ｎｍのＩＴＯ薄膜上にレジストを用いて１０μｍのラ
イン＆スペースを持つパターンを形成し、このＩＴＯ薄
膜を塩酸、硝酸および水から成るエッチング液を用いて
エッチング試験したところ、ターゲットの寿命に関係な
くエッチング不良は発生しなかった。
０ｎｍのＩＴＯ薄膜上にレジストを用いて１０μｍのラ
イン＆スペースを持つパターンを形成し、このＩＴＯ薄
膜を塩酸、硝酸および水から成るエッチング液を用いて
エッチング試験したところ、ターゲットの寿命に関係な
くエッチング不良は発生しなかった。
【００８７】比較例４ 実施例７と同様の方法で作製した密度６．８５ｇ／ｃｍ
3のＩＴＯ焼結体を旋盤で機械加工した後、表面研磨を
施さずにターゲット化した。この時被スパッタリング面
の表面粗さはＲａ：０．５μｍ、θａ：１２．６°であ
った。このターゲットを実施例１と同様の条件で連続的
にスパッタリング試験を実施したところ、ノジュールは
放電開始後２０時間の時点で発生し、スパッタリング時
間の増加と共に急激に増加した。
3のＩＴＯ焼結体を旋盤で機械加工した後、表面研磨を
施さずにターゲット化した。この時被スパッタリング面
の表面粗さはＲａ：０．５μｍ、θａ：１２．６°であ
った。このターゲットを実施例１と同様の条件で連続的
にスパッタリング試験を実施したところ、ノジュールは
放電開始後２０時間の時点で発生し、スパッタリング時
間の増加と共に急激に増加した。
【００８８】次に基板温度２００℃で作製した厚さ２０
０ｎｍのＩＴＯ薄膜上にレジストを用いて１０μｍのラ
イン＆スペースを持つパターンを形成し、このＩＴＯ薄
膜を塩酸、硝酸および水から成るエッチング液を用いて
エッチング試験したところ、ターゲット使用時間が２５
時間程度の時点で作製した膜から徐々にエッチング不良
が発生を始め、不良率はターゲット使用時間の増加と共
に上昇した。
０ｎｍのＩＴＯ薄膜上にレジストを用いて１０μｍのラ
イン＆スペースを持つパターンを形成し、このＩＴＯ薄
膜を塩酸、硝酸および水から成るエッチング液を用いて
エッチング試験したところ、ターゲット使用時間が２５
時間程度の時点で作製した膜から徐々にエッチング不良
が発生を始め、不良率はターゲット使用時間の増加と共
に上昇した。
【００８９】実施例８ 実施例１と同様の方法で得られた密度４．２ｇ／ｃｍ3
の成形体を大気焼結炉内に設置して以下の条件で焼結を
実施した。
の成形体を大気焼結炉内に設置して以下の条件で焼結を
実施した。
【００９０】（焼結条件） ・焼結温度 ： １４５０℃ ・昇温速度 ： ２５℃／Ｈｒ ・焼結時間 ： １０時間 得られた焼結体の密度をアルキメデス法により測定した
ところ６．４１ｇ／ｃｍ3であった。次にこの焼結体を
旋盤を用いて直径７６．２ｍｍ厚さ５．１ｍｍに加工し
た。加工後の被スパッタリング面の表面粗さはＲａ：
１．２μｍ、ｔｐ（０−１０％）におけるＣＶ：１．２
μｍであった。次にこの加工済の焼結体の被スパッタリ
ング面を実施例６と同様な方法で研磨した。
ところ６．４１ｇ／ｃｍ3であった。次にこの焼結体を
旋盤を用いて直径７６．２ｍｍ厚さ５．１ｍｍに加工し
た。加工後の被スパッタリング面の表面粗さはＲａ：
１．２μｍ、ｔｐ（０−１０％）におけるＣＶ：１．２
μｍであった。次にこの加工済の焼結体の被スパッタリ
ング面を実施例６と同様な方法で研磨した。
【００９１】表面研磨を実施した焼結体の被スパッタリ
ング面の表面粗さを測定したところ、Ｒａ：０．８μ
ｍ、ｔｐ（０−１０％）におけるＣＶ：０．５μｍであ
った。このようにして得られた焼結体をバッキングプレ
ートにボンディングしてターゲットを作製し、実施例１
と同様の条件でスパッタリングを実施したところ、ノジ
ュールは放電開始後３０時間までは発生せず、最終的な
ノジュール発生量は少なかった。
ング面の表面粗さを測定したところ、Ｒａ：０．８μ
ｍ、ｔｐ（０−１０％）におけるＣＶ：０．５μｍであ
った。このようにして得られた焼結体をバッキングプレ
ートにボンディングしてターゲットを作製し、実施例１
と同様の条件でスパッタリングを実施したところ、ノジ
ュールは放電開始後３０時間までは発生せず、最終的な
ノジュール発生量は少なかった。
【００９２】次に基板温度２００℃で作製した厚さ２０
０ｎｍのＩＴＯ薄膜上にレジストを用いて１０μｍのラ
イン＆スペースを持つパターンを形成し、このＩＴＯ薄
膜を塩酸、硝酸および水から成るエッチング液を用いて
エッチング試験したところ、ターゲットの寿命末期を除
きエッチング不良は発生しなかった。また発生したエッ
チング不良は極僅かであった。
０ｎｍのＩＴＯ薄膜上にレジストを用いて１０μｍのラ
イン＆スペースを持つパターンを形成し、このＩＴＯ薄
膜を塩酸、硝酸および水から成るエッチング液を用いて
エッチング試験したところ、ターゲットの寿命末期を除
きエッチング不良は発生しなかった。また発生したエッ
チング不良は極僅かであった。
【００９３】実施例９ 実施例１と同様の方法で作製したＩＴＯ成形体を常圧純
酸素雰囲気炉内に設置して以下の条件で焼結を実施し
た。
酸素雰囲気炉内に設置して以下の条件で焼結を実施し
た。
【００９４】（焼結条件） ・焼結温度 ： １６００℃ ・昇温速度 ： ２５℃／Ｈｒ ・焼結時間 ： １５時間 ・Ｏ2ガス流量 ： １０Ｌ／分 得られた焼結体の密度をアルキメデス法により測定した
ところ６．９０ｇ／ｃｍ3であった。次にこの焼結体を
旋盤を用いて直径７６．２ｍｍ厚さ５．１ｍｍに加工し
た。加工後の被スパッタリング面の表面粗さはＲａ：
０．５μｍ、ｔｐ（０−１０％）におけるＣＶ：０．９
μｍであった。次にこの加工済の焼結体の被スパッタリ
ング面を実施例２と同様の条件で研磨した。
ところ６．９０ｇ／ｃｍ3であった。次にこの焼結体を
旋盤を用いて直径７６．２ｍｍ厚さ５．１ｍｍに加工し
た。加工後の被スパッタリング面の表面粗さはＲａ：
０．５μｍ、ｔｐ（０−１０％）におけるＣＶ：０．９
μｍであった。次にこの加工済の焼結体の被スパッタリ
ング面を実施例２と同様の条件で研磨した。
【００９５】表面研磨を実施した焼結体の被スパッタリ
ング面の表面粗さを測定したところ、Ｒａ：０．４μ
ｍ、ｔｐ（０−１０％）におけるＣＶ：０．２μｍであ
った。このようにして得られた焼結体をバッキングプレ
ートにボンディングしてターゲットを作製し、実施例１
と同様の条件で連続的にスパッタリング試験を実施した
ところ、ノジュールは殆ど発生しなかった。
ング面の表面粗さを測定したところ、Ｒａ：０．４μ
ｍ、ｔｐ（０−１０％）におけるＣＶ：０．２μｍであ
った。このようにして得られた焼結体をバッキングプレ
ートにボンディングしてターゲットを作製し、実施例１
と同様の条件で連続的にスパッタリング試験を実施した
ところ、ノジュールは殆ど発生しなかった。
【００９６】次に基板温度２００℃で作製した厚さ２０
０ｎｍのＩＴＯ薄膜上にレジストを用いて１０μｍのラ
イン＆スペースを持つパターンを形成し、このＩＴＯ薄
膜を塩酸、硝酸および水から成るエッチング液を用いて
エッチング試験したところ、ターゲットの寿命に関係な
くエッチング不良は発生しなかった。
０ｎｍのＩＴＯ薄膜上にレジストを用いて１０μｍのラ
イン＆スペースを持つパターンを形成し、このＩＴＯ薄
膜を塩酸、硝酸および水から成るエッチング液を用いて
エッチング試験したところ、ターゲットの寿命に関係な
くエッチング不良は発生しなかった。
【００９７】比較例５ 実施例９と同様の方法で作製した密度６．９０ｇ／ｃｍ
3のＩＴＯ焼結体を旋盤で機械加工した後、表面研磨を
施さずにターゲット化した。この時被スパッタリング面
の表面粗さはＲａ：０．５μｍ、ｔｐ（０−１０％）に
おけるＣＶ：１．０μｍであった。このターゲットを実
施例１と同様の条件で連続的にスパッタリング試験を実
施したところ、ノジュールは放電開始後２０時間の時点
で発生し、スパッタリング時間の増加と共に急激に増加
した。
3のＩＴＯ焼結体を旋盤で機械加工した後、表面研磨を
施さずにターゲット化した。この時被スパッタリング面
の表面粗さはＲａ：０．５μｍ、ｔｐ（０−１０％）に
おけるＣＶ：１．０μｍであった。このターゲットを実
施例１と同様の条件で連続的にスパッタリング試験を実
施したところ、ノジュールは放電開始後２０時間の時点
で発生し、スパッタリング時間の増加と共に急激に増加
した。
【００９８】次に基板温度２００℃で作製した厚さ２０
０ｎｍのＩＴＯ薄膜上にレジストを用いて１０μｍのラ
イン＆スペースを持つパターンを形成し、このＩＴＯ薄
膜を塩酸、硝酸および水から成るエッチング液を用いて
エッチング試験したところ、ターゲット使用時間が２
２．５時間程度の時点で作製した膜から徐々にエッチン
グ不良が発生を始め、不良率はターゲット使用時間の増
加と共に上昇した。
０ｎｍのＩＴＯ薄膜上にレジストを用いて１０μｍのラ
イン＆スペースを持つパターンを形成し、このＩＴＯ薄
膜を塩酸、硝酸および水から成るエッチング液を用いて
エッチング試験したところ、ターゲット使用時間が２
２．５時間程度の時点で作製した膜から徐々にエッチン
グ不良が発生を始め、不良率はターゲット使用時間の増
加と共に上昇した。
【００９９】実施例１０ 実施例１と同様の方法で得られた密度４．２ｇ／ｃｍ3
の成形体を大気焼結炉内に設置して以下の条件で焼結を
実施した。
の成形体を大気焼結炉内に設置して以下の条件で焼結を
実施した。
【０１００】（焼結条件） ・焼結温度 ： １５００℃ ・昇温速度 ： ２５℃／Ｈｒ ・焼結時間 ： ７．５時間 得られた焼結体の密度をアルキメデス法により測定した
ところ６．４９ｇ／ｃｍ3であった。次にこの焼結体を
旋盤を用いて直径７６．２ｍｍ厚さ５．１ｍｍに加工し
た。加工後の被スパッタリング面の表面粗さはＲａ：
１．２μｍ、Ｐｃ（＋１．０μｍ）：７０であった。次
にこの加工済の焼結体の被スパッタリング面を実施例６
と同様な条件で研磨した。
ところ６．４９ｇ／ｃｍ3であった。次にこの焼結体を
旋盤を用いて直径７６．２ｍｍ厚さ５．１ｍｍに加工し
た。加工後の被スパッタリング面の表面粗さはＲａ：
１．２μｍ、Ｐｃ（＋１．０μｍ）：７０であった。次
にこの加工済の焼結体の被スパッタリング面を実施例６
と同様な条件で研磨した。
【０１０１】表面研磨を実施した焼結体の被スパッタリ
ング面の表面粗さを測定したところ、Ｒａ：０．８μ
ｍ、Ｐｃ（＋１．０μｍ）：２４であった。このように
して得られた焼結体をバッキングプレートにボンディン
グしてターゲットを作製し、実施例１と同様な方法でス
パッタリングを実施したところ、ノジュールは放電開始
後３０時間までは発生せず、最終的なノジュール発生量
は少なかった。
ング面の表面粗さを測定したところ、Ｒａ：０．８μ
ｍ、Ｐｃ（＋１．０μｍ）：２４であった。このように
して得られた焼結体をバッキングプレートにボンディン
グしてターゲットを作製し、実施例１と同様な方法でス
パッタリングを実施したところ、ノジュールは放電開始
後３０時間までは発生せず、最終的なノジュール発生量
は少なかった。
【０１０２】次に基板温度２００℃で作製した厚さ２０
０ｎｍのＩＴＯ薄膜上にレジストを用いて１０μｍのラ
イン＆スペースを持つパターンを形成し、このＩＴＯ薄
膜を塩酸、硝酸および水から成るエッチング液を用いて
エッチング試験したところ、ターゲットの寿命末期を除
きエッチング不良は発生しなかった。また発生したエッ
チング不良は極僅かであった。
０ｎｍのＩＴＯ薄膜上にレジストを用いて１０μｍのラ
イン＆スペースを持つパターンを形成し、このＩＴＯ薄
膜を塩酸、硝酸および水から成るエッチング液を用いて
エッチング試験したところ、ターゲットの寿命末期を除
きエッチング不良は発生しなかった。また発生したエッ
チング不良は極僅かであった。
【０１０３】実施例１１ 実施例１と同様の方法で作製したＩＴＯ成形体を常圧純
酸素雰囲気炉内に設置して以下の条件で焼結を実施し
た。
酸素雰囲気炉内に設置して以下の条件で焼結を実施し
た。
【０１０４】（焼結条件） ・焼結温度 ： １６５０℃ ・昇温速度 ： ２５℃／Ｈｒ ・焼結時間 ： ２０時間 ・Ｏ2ガス流量 ： １０Ｌ／分 得られた焼結体の密度をアルキメデス法により測定した
ところ７．０６ｇ／ｃｍ3であった。次にこの焼結体を
旋盤を用いて直径７６．２ｍｍ厚さ５．１ｍｍに加工し
た。加工後の被スパッタリング面の表面粗さはＲａ：
０．５μｍ、Ｐｃ（＋１．０μｍ）：３２であった。次
にこの加工済の焼結体の被スパッタリング面を実施例２
と同様な条件で研磨した。
ところ７．０６ｇ／ｃｍ3であった。次にこの焼結体を
旋盤を用いて直径７６．２ｍｍ厚さ５．１ｍｍに加工し
た。加工後の被スパッタリング面の表面粗さはＲａ：
０．５μｍ、Ｐｃ（＋１．０μｍ）：３２であった。次
にこの加工済の焼結体の被スパッタリング面を実施例２
と同様な条件で研磨した。
【０１０５】表面研磨を実施した焼結体の被スパッタリ
ング面の表面粗さを測定したところ、Ｒａ：０．４μ
ｍ、Ｐｃ（＋１．０μｍ）：０であった。このようにし
て得られた焼結体をバッキングプレートにボンディング
してターゲットを作製し、実施例１と同様の条件で連続
的にスパッタリング試験を実施したところ、ノジュール
は殆ど発生しなかった。
ング面の表面粗さを測定したところ、Ｒａ：０．４μ
ｍ、Ｐｃ（＋１．０μｍ）：０であった。このようにし
て得られた焼結体をバッキングプレートにボンディング
してターゲットを作製し、実施例１と同様の条件で連続
的にスパッタリング試験を実施したところ、ノジュール
は殆ど発生しなかった。
【０１０６】次に基板温度２００℃で作製した厚さ２０
０ｎｍのＩＴＯ薄膜上にレジストを用いて１０μｍのラ
イン＆スペースを持つパターンを形成し、このＩＴＯ薄
膜を塩酸、硝酸および水から成るエッチング液を用いて
エッチング試験したところ、ターゲットの寿命に関係な
くエッチング不良は発生しなかった。
０ｎｍのＩＴＯ薄膜上にレジストを用いて１０μｍのラ
イン＆スペースを持つパターンを形成し、このＩＴＯ薄
膜を塩酸、硝酸および水から成るエッチング液を用いて
エッチング試験したところ、ターゲットの寿命に関係な
くエッチング不良は発生しなかった。
【０１０７】比較例６ 実施例１１と同様の方法で作製した密度７．０５ｇ／ｃ
ｍ3のＩＴＯ焼結体を旋盤で機械加工した後、表面研磨
を施さずにターゲット化した。この時被スパッタリング
面の表面粗さはＲａ：０．５μｍ、Ｐｃ（＋１．０μ
ｍ）：３３であった。このターゲットを実施例１と同様
の条件で連続的にスパッタリング試験を実施したとこ
ろ、ノジュールは放電開始後２０時間の時点で発生し、
スパッタリング時間の増加と共に急激に増加した。
ｍ3のＩＴＯ焼結体を旋盤で機械加工した後、表面研磨
を施さずにターゲット化した。この時被スパッタリング
面の表面粗さはＲａ：０．５μｍ、Ｐｃ（＋１．０μ
ｍ）：３３であった。このターゲットを実施例１と同様
の条件で連続的にスパッタリング試験を実施したとこ
ろ、ノジュールは放電開始後２０時間の時点で発生し、
スパッタリング時間の増加と共に急激に増加した。
【０１０８】次に基板温度２００℃で作製した厚さ２０
０ｎｍのＩＴＯ薄膜上にレジストを用いて１０μｍのラ
イン＆スペースを持つパターンを形成し、このＩＴＯ薄
膜を塩酸、硝酸および水から成るエッチング液を用いて
エッチング試験したところ、ターゲット使用時間が２５
時間程度の時点で作製した膜から徐々にエッチング不良
が発生を始め、不良率はターゲット使用時間の増加と共
に上昇した。
０ｎｍのＩＴＯ薄膜上にレジストを用いて１０μｍのラ
イン＆スペースを持つパターンを形成し、このＩＴＯ薄
膜を塩酸、硝酸および水から成るエッチング液を用いて
エッチング試験したところ、ターゲット使用時間が２５
時間程度の時点で作製した膜から徐々にエッチング不良
が発生を始め、不良率はターゲット使用時間の増加と共
に上昇した。
【０１０９】
【発明の効果】本発明のＩＴＯスパッタリングターゲッ
トは、ＩＴＯターゲット上にスパッタリング時、発生す
るノジュールを再現性よくかつ効果的に抑制することが
できる。この結果、ノジュール除去のためのスパッタリ
ング面清掃過程を不要もしくはその回数を激減させるこ
とができ、また、薄膜中の欠陥を安定かつ効果的に防止
できるため、ＬＣＤ等のディスプレイの生産性を飛躍的
に向上させることができる。
トは、ＩＴＯターゲット上にスパッタリング時、発生す
るノジュールを再現性よくかつ効果的に抑制することが
できる。この結果、ノジュール除去のためのスパッタリ
ング面清掃過程を不要もしくはその回数を激減させるこ
とができ、また、薄膜中の欠陥を安定かつ効果的に防止
できるため、ＬＣＤ等のディスプレイの生産性を飛躍的
に向上させることができる。
【図１】 表面形状と中心線平均粗さ（Ｒａ）、最大高
さ（Ｒｍａｘ）および十点平均粗さ（Ｒｚ）との関係を
示す図である。
さ（Ｒｍａｘ）および十点平均粗さ（Ｒｚ）との関係を
示す図である。
【図２】 表面形状と中心線平均粗さ（Ｒａ）、最大粗
さ（Ｒｔ）および十点平均粗さ（Ｒｚ）との関係を示す
図である。
さ（Ｒｔ）および十点平均粗さ（Ｒｚ）との関係を示す
図である。
【図３】 表面形状と平均線深さ（Ｒｐ）および中心線
平均粗さ（Ｒａ）との関係を示す図である。
平均粗さ（Ｒａ）との関係を示す図である。
【図４】 表面形状と平均傾斜角（θａ）および中心線
平均粗さ（Ｒａ）との関係を示す図である。
平均粗さ（Ｒａ）との関係を示す図である。
【図５】 本発明における平均傾斜角（θａ）の説明図
である。
である。
【図６】 表面形状とカッティング深さ（ＣＶ）および
中心線平均粗さ（Ｒａ）との関係を示す図である。
中心線平均粗さ（Ｒａ）との関係を示す図である。
【図７】 本発明におけるカッティング深さ（ＣＶ）の
説明図である。
説明図である。
【図８】 表面形状とピークカウント（Ｐｃ）および中
心線平均粗さ（Ｒａ）との関係を示す図である。
心線平均粗さ（Ｒａ）との関係を示す図である。
【図９】 本発明におけるピークカウント（Ｐｃ）の説
明図である。
明図である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (31)優先権主張番号 特願平6−130246 (32)優先日 平６(1994)６月13日 (33)優先権主張国 日本（ＪＰ） (31)優先権主張番号 特願平6−130247 (32)優先日 平６(1994)６月13日 (33)優先権主張国 日本（ＪＰ）
Claims (5)
- 【請求項１】 実質的に酸化インジウムおよび酸化スズ
からなる密度６．４ｇ／ｃｍ3以上のＩＴＯスパッタリ
ングターゲットであって、該スパッタリングターゲット
の被スパッタリング面の表面の中心線平均粗さ（以下Ｒ
ａと略記）が０．８μｍ以下で、かつ、以下の（１）〜
（７）の少なくとも一つの条件を満たすことを特徴とす
るＩＴＯスパッタリングターゲット。 （１）最大高さ（以下Ｒｍａｘと略記）が７．０μｍ以
下、 （２）十点平均粗さ（以下Ｒｚと略記）が６．０μｍ以
下、 （３）基準長さ２．５ｍｍにおいて測定された粗さ曲線
を中心線に平行な２直線で挟んだ時に得られる２直線間
の間隔として表される最大粗さ（以下Ｒｔと略記）が
６．５μｍ以下、 （４）基準長さ２．５ｍｍにおいて測定された断面曲線
中の最大の高さを持つ山と平均線までの距離で表される
平均線深さ（以下Ｒｐと略記）が２．０μｍ以下、 （５）基準長さ２．５ｍｍの粗さ曲線における凹凸の平
均傾斜角（以下θａと略記）が１０．０°以下、 （６）基準長さ２．５ｍｍにおいて、ｔｐ（０−１０
％）におけるカッテイング深さ（以下ＣＶと略記）が
０．５μｍ以下、 （但し、ｔｐ（０−１０％）におけるＣＶとは、基準長
さ区間内の断面曲線を平均線に平行なレベルの直線で断
面曲線の山側より順次切断したとき、その直線を断面曲
線が切り取る線分の長さの総和の基準長さに対する比が
０％のレベル（断面曲線の最高山頂）と１０％となるレ
ベルの間の距離を示す） （７）基準長さ２．５ｍｍにおいて、 Ｐｃ（＋１．０μｍ）≦２５ （但し、Ｐｃ（＋１．０μｍ）とは、粗さ曲線の中心線
に対し上側に１．０ミクロンの位置に、中心線に対して
平行な１本のピークカウントレベルを設けたとき、中心
線と粗さ曲線が交差する２点間において、ピークカウン
トレベルと粗さ１線が交差する点が１回以上存在する場
合一山とし、基準長さにおける山の合計数を表す） - 【請求項２】 被スパッタリング面の表面のＲａとＲｍ
ａｘとが、Ｒａ×Ｒｍａｘ≦３．０μｍ2なる関係を満
足することを特徴とする請求項１に記載のＩＴＯスパッ
タリングターゲット。 - 【請求項３】 被スパッタリング面の表面のＲａとＲｚ
とが、Ｒａ×Ｒｚ≦３．０μｍ2なる関係を満足するこ
とを特徴とする請求項１または請求項２に記載のＩＴＯ
スパッタリングターゲット。 - 【請求項４】 被スパッタリング面の表面のＲａとＲｔ
とが、Ｒａ×Ｒｔ≦３．０μｍ2なる関係を満足するこ
とを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載のＩ
ＴＯスパッタリングターゲット。 - 【請求項５】 被スパッタリング面の表面のＲｐとＲｍ
ａｘとが、Ｒｐ／Ｒｍａｘ≦０．２であることを特徴と
する請求項１〜４のいずれか１項に記載のＩＴＯスパッ
タリングターゲット。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14468595A JP3152108B2 (ja) | 1994-06-13 | 1995-06-12 | Ｉｔｏスパッタリングターゲット |
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|---|---|---|---|
| JP13024494 | 1994-06-13 | ||
| JP6-130244 | 1994-06-13 | ||
| JP6-130243 | 1994-06-13 | ||
| JP13024694 | 1994-06-13 | ||
| JP6-130246 | 1994-06-13 | ||
| JP13024594 | 1994-06-13 | ||
| JP13024394 | 1994-06-13 | ||
| JP13024794 | 1994-06-13 | ||
| JP6-130245 | 1994-06-13 | ||
| JP6-130247 | 1994-06-13 | ||
| JP14468595A JP3152108B2 (ja) | 1994-06-13 | 1995-06-12 | Ｉｔｏスパッタリングターゲット |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0860352A true JPH0860352A (ja) | 1996-03-05 |
| JP3152108B2 JP3152108B2 (ja) | 2001-04-03 |
Family
ID=27552759
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14468595A Expired - Fee Related JP3152108B2 (ja) | 1994-06-13 | 1995-06-12 | Ｉｔｏスパッタリングターゲット |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3152108B2 (ja) |
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| KR20200097197A (ko) * | 2018-04-18 | 2020-08-18 | 미쓰이금속광업주식회사 | 산화물 소결체, 스퍼터링 타깃 및 산화물 박막의 제조 방법 |
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| JP2013087281A (ja) * | 2011-10-22 | 2013-05-13 | Yamamoto Saki | 北都バイオペレット |
-
1995
- 1995-06-12 JP JP14468595A patent/JP3152108B2/ja not_active Expired - Fee Related
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