JPH09104973A - スパッタリングタ−ゲット及びその製造方法 - Google Patents
スパッタリングタ−ゲット及びその製造方法Info
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- JPH09104973A JPH09104973A JP8153342A JP15334296A JPH09104973A JP H09104973 A JPH09104973 A JP H09104973A JP 8153342 A JP8153342 A JP 8153342A JP 15334296 A JP15334296 A JP 15334296A JP H09104973 A JPH09104973 A JP H09104973A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 スパッタ時におけるノジュ−ルの発生が少な
く、異常放電やパ−ティクルが極力生じにくいセラミッ
クススパッタリングタ−ゲットを提供する。 【構成】 粉末冶金法により製造されたセラミックス
（ＩＴＯ等）スパッタリングタ−ゲットを、スパッタ表
面の中心線平均粗さRaが 0.1〜 3.0μｍで、表面粗さ曲
線の平均山間隔（Sm値）が１５０μｍ以上である構成と
するか、ＩＴＯタ−ゲットにあっては更に密度Ｄ(g/c
m3) とバルク抵抗値ρ(mΩcm) が「 6.20 ≦Ｄ≦ 7.23
」及び「−0.0676Ｄ＋0.887 ≧ρ≧−0.0761Ｄ＋0.666
」を満足する如くに構成する。なお、前記表面性状へ
の調整は、直径５００μｍ以下のガラスビ−ズ，アルミ
ナビ−ズ又はジルコニアビ−ズをブラスト材とするブラ
スト処理を施すことにより行うことができる。
く、異常放電やパ−ティクルが極力生じにくいセラミッ
クススパッタリングタ−ゲットを提供する。 【構成】 粉末冶金法により製造されたセラミックス
（ＩＴＯ等）スパッタリングタ−ゲットを、スパッタ表
面の中心線平均粗さRaが 0.1〜 3.0μｍで、表面粗さ曲
線の平均山間隔（Sm値）が１５０μｍ以上である構成と
するか、ＩＴＯタ−ゲットにあっては更に密度Ｄ(g/c
m3) とバルク抵抗値ρ(mΩcm) が「 6.20 ≦Ｄ≦ 7.23
」及び「−0.0676Ｄ＋0.887 ≧ρ≧−0.0761Ｄ＋0.666
」を満足する如くに構成する。なお、前記表面性状へ
の調整は、直径５００μｍ以下のガラスビ−ズ，アルミ
ナビ−ズ又はジルコニアビ−ズをブラスト材とするブラ
スト処理を施すことにより行うことができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、ＩＴＯと呼ばれる
“酸化インジウム−酸化錫”等のセラミックスから成る
ところの、粉末冶金法を経て製造されたスパッタリング
タ−ゲット、並びにその製造方法に関するものである。
“酸化インジウム−酸化錫”等のセラミックスから成る
ところの、粉末冶金法を経て製造されたスパッタリング
タ−ゲット、並びにその製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、電子機器類の分野を中心に、“ス
パッタリング法”によって基材表面にセラミックス薄膜
を形成させる技術が大いに適用されるようになってき
た。例えば、ＩＴＯ膜" と呼ばれる“酸化インジウム−
酸化錫薄膜”は高導電性と可視光透過性（透明性）を有
していることから最近では液晶表示装置，薄膜エレクト
ロルミネッセンス表示装置，放射線検出素子，端末機器
の透明タブレット，窓ガラスの結露防止用発熱膜，帯電
防止膜あるいは太陽光集熱器用選択透過膜等といった多
岐にわたる用途に供されているが、このＩＴＯ膜の形成
手段として大面積で品質の良い膜を再現性良く成膜でき
る“スパッタリング法”の採用が広まってきている。
パッタリング法”によって基材表面にセラミックス薄膜
を形成させる技術が大いに適用されるようになってき
た。例えば、ＩＴＯ膜" と呼ばれる“酸化インジウム−
酸化錫薄膜”は高導電性と可視光透過性（透明性）を有
していることから最近では液晶表示装置，薄膜エレクト
ロルミネッセンス表示装置，放射線検出素子，端末機器
の透明タブレット，窓ガラスの結露防止用発熱膜，帯電
防止膜あるいは太陽光集熱器用選択透過膜等といった多
岐にわたる用途に供されているが、このＩＴＯ膜の形成
手段として大面積で品質の良い膜を再現性良く成膜でき
る“スパッタリング法”の採用が広まってきている。
【０００３】ところで、スパッタリング法によってセラ
ミックス薄膜を形成する場合には、一般には同様組成の
セラミックスで構成されたスパッタリングタ−ゲットが
使用されており、また、このセラミックススパッタリン
グタ−ゲットとしては通常は酸化物粉末原料を粉末冶金
法にて一体化し緻密化したものが用いられている（例え
ばＩＴＯ膜を形成する場合には酸化インジウムと酸化錫
から成るタ−ゲットが使用されるが、 このＩＴＯタ−ゲ
ットには、酸化インジウムと酸化錫の粉末混合体あるい
はこれにド−パントを添加した粉末混合体を常温でプレ
ス成形し、 これを大気中にて１２５０〜１６５０℃で焼
結してから更に平面研削等の機械加工を施したものが一
般に用いられる）。
ミックス薄膜を形成する場合には、一般には同様組成の
セラミックスで構成されたスパッタリングタ−ゲットが
使用されており、また、このセラミックススパッタリン
グタ−ゲットとしては通常は酸化物粉末原料を粉末冶金
法にて一体化し緻密化したものが用いられている（例え
ばＩＴＯ膜を形成する場合には酸化インジウムと酸化錫
から成るタ−ゲットが使用されるが、 このＩＴＯタ−ゲ
ットには、酸化インジウムと酸化錫の粉末混合体あるい
はこれにド−パントを添加した粉末混合体を常温でプレ
ス成形し、 これを大気中にて１２５０〜１６５０℃で焼
結してから更に平面研削等の機械加工を施したものが一
般に用いられる）。
【０００４】しかしながら、上述のようなセラミックス
タ−ゲットを使用したスパッタリング成膜法の需要増に
伴い“スパッタリング時にタ−ゲット表面にノジュ−ル
（針状の突起物）が発生する現象”に注目がなされ、こ
れが異常放電やパ−ティクルの発生につながって作業性
低下や形成される薄膜の品質劣化を引き起こす原因にな
っているとして問題視されるようになった。
タ−ゲットを使用したスパッタリング成膜法の需要増に
伴い“スパッタリング時にタ−ゲット表面にノジュ−ル
（針状の突起物）が発生する現象”に注目がなされ、こ
れが異常放電やパ−ティクルの発生につながって作業性
低下や形成される薄膜の品質劣化を引き起こす原因にな
っているとして問題視されるようになった。
【０００５】このようなことから、本発明が目的とした
のは、スパッタリング時におけるノジュ−ルの発生が少
なく、異常放電やパ−ティクルが極力生じにくいセラミ
ックススパッタリングタ−ゲットを提供することであ
る。
のは、スパッタリング時におけるノジュ−ルの発生が少
なく、異常放電やパ−ティクルが極力生じにくいセラミ
ックススパッタリングタ−ゲットを提供することであ
る。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明者等は、上記目的
を達成すべく鋭意研究を行ったところ、以下に示す知見
を得ることができた。即ち、粉末冶金法を経て得られる
従来のセラミックススパッタリングタ−ゲット、例えば
ＩＴＯスパッタリングタ−ゲットにおいては、次のこと
が判明している。 a) ノジュ−ルはタ−ゲットの割れた部分に沿って発生
する， b) タ−ゲットの密度が高くなると（タ−ゲット内部の
ポアサイズが小さくなり、 数も少なくなると）ノジュ−
ルは少なくなる。 従って、これらのことから、ノジュ−ルはマクロ的及び
ミクロ的なエッジ部を起点にして発生している可能性が
大きいと判断された。そのため、実際には、タ−ゲット
のスパッタ面は平面研削による最終仕上げの後に更に超
音波洗浄等を行って表面を清浄としてから使用に供する
ことがなされており、これによりノジュ−ル発生の起点
は殆ど無くなっているものと考えられたが、それでもな
おノジュ−ルの防止効果は十分に満足できるほどのもの
ではなかった。
を達成すべく鋭意研究を行ったところ、以下に示す知見
を得ることができた。即ち、粉末冶金法を経て得られる
従来のセラミックススパッタリングタ−ゲット、例えば
ＩＴＯスパッタリングタ−ゲットにおいては、次のこと
が判明している。 a) ノジュ−ルはタ−ゲットの割れた部分に沿って発生
する， b) タ−ゲットの密度が高くなると（タ−ゲット内部の
ポアサイズが小さくなり、 数も少なくなると）ノジュ−
ルは少なくなる。 従って、これらのことから、ノジュ−ルはマクロ的及び
ミクロ的なエッジ部を起点にして発生している可能性が
大きいと判断された。そのため、実際には、タ−ゲット
のスパッタ面は平面研削による最終仕上げの後に更に超
音波洗浄等を行って表面を清浄としてから使用に供する
ことがなされており、これによりノジュ−ル発生の起点
は殆ど無くなっているものと考えられたが、それでもな
おノジュ−ルの防止効果は十分に満足できるほどのもの
ではなかった。
【０００７】そこで、ノジュ−ル発生の原因について更
に仔細な検討を行った結果、タ−ゲットのスパッタ面に
対し平面研削による最終仕上げの後に更に超音波洗浄等
を施して表面の清浄化を図ったとしても、微視的にはな
お“表面の凹凸の間に平面研削屑が残っている可能性”
や“表面にエッジを有する凹凸が残っている可能性”が
拭えず、この残存研磨屑等がスパッタリング時のノジュ
−ル発生の起点になっていることが指摘された。そし
て、上述のような“表面凹凸の間の平面研削屑の残存”
や“エッジを有する凹凸の残存”を無くするにはサンド
ブラスト等のブラスト処理が有効であり、表面研削後の
タ−ゲット表面をブラスト処理して中心線平均粗さRaが
特定の範囲内に入るように表面調整を行うことがノジュ
−ル及びパ−ティクルの低減に極めて効果的であること
も分かった。
に仔細な検討を行った結果、タ−ゲットのスパッタ面に
対し平面研削による最終仕上げの後に更に超音波洗浄等
を施して表面の清浄化を図ったとしても、微視的にはな
お“表面の凹凸の間に平面研削屑が残っている可能性”
や“表面にエッジを有する凹凸が残っている可能性”が
拭えず、この残存研磨屑等がスパッタリング時のノジュ
−ル発生の起点になっていることが指摘された。そし
て、上述のような“表面凹凸の間の平面研削屑の残存”
や“エッジを有する凹凸の残存”を無くするにはサンド
ブラスト等のブラスト処理が有効であり、表面研削後の
タ−ゲット表面をブラスト処理して中心線平均粗さRaが
特定の範囲内に入るように表面調整を行うことがノジュ
−ル及びパ−ティクルの低減に極めて効果的であること
も分かった。
【０００８】また、表面粗さ曲線の平均山間隔（Sm値：
基準測定長Ｌにおける表面粗さ曲線の凹凸の平均間隔）
もノジュ−ル発生に大きく影響しており、Sm値が大きい
ほど（即ち表面粗さ曲線の山と谷の起伏数が少ないほ
ど）ノジュ−ルの防止に有効であることも明らかとなっ
た。
基準測定長Ｌにおける表面粗さ曲線の凹凸の平均間隔）
もノジュ−ル発生に大きく影響しており、Sm値が大きい
ほど（即ち表面粗さ曲線の山と谷の起伏数が少ないほ
ど）ノジュ−ルの防止に有効であることも明らかとなっ
た。
【０００９】更に、ノジュ−ルの抑制に好ましい上記表
面性状を有するスパッタリングタ−ゲットは、粉末冶金
法により一体化し緻密化したセラミックスタ−ゲット素
材の表面を平面研削した後、この表面に対し、特に直径
５００μｍ以下のガラスビ−ズ，アルミナビ−ズ又はジ
ルコニアビ−ズをブラスト材としたブラスト処理を施す
ことによって安定に得られることも判明したのである。
面性状を有するスパッタリングタ−ゲットは、粉末冶金
法により一体化し緻密化したセラミックスタ−ゲット素
材の表面を平面研削した後、この表面に対し、特に直径
５００μｍ以下のガラスビ−ズ，アルミナビ−ズ又はジ
ルコニアビ−ズをブラスト材としたブラスト処理を施す
ことによって安定に得られることも判明したのである。
【００１０】本発明は、上記知見事項等に基づいてなさ
れたものであり、各々下記の事項をもって構成されるこ
とを特徴とするものである。 (1) 粉末冶金法により製造されたセラミックススパッタ
リングタ−ゲットであって、スパッタ表面の中心線平均
粗さRaが 0.1〜 3.0μｍで、表面粗さ曲線の平均山間隔
（Sm値）が１５０μｍ以上であることを特徴とするスパ
ッタリングタ−ゲット。 (2) 粉末冶金法により製造されたセラミックススパッタ
リングタ−ゲットであって、前記セラミックスがＩＴＯ
であり、かつスパッタ表面の中心線平均粗さRaが 0.1〜
3.0μｍで、表面粗さ曲線の平均山間隔（Sm値）が１５
０μｍ以上であることを特徴とするスパッタリングタ−
ゲット。 (3) 粉末冶金法により製造されたセラミックススパッタ
リングタ−ゲットであって、該セラミックスがＩＴＯで
あり、かつスパッタ表面の中心線平均粗さRaが0.1 〜3.
0 μｍ、表面粗さ曲線の平均山間隔（Sm値）が１５０μ
ｍ以上で、しかも密度Ｄ(g/cm3) とバルク抵抗値ρ(mΩ
cm) が下記２つの式を同時に満たして成ることを特徴と
するスパッタリングタ−ゲット。 a) 6.20 ≦Ｄ≦ 7.23 b) −0.0676Ｄ＋0.887 ≧ρ≧−0.0761Ｄ＋0.666 。 (4) 粉末冶金法により製造されたセラミックスタ−ゲッ
ト素材のスパッタ表面に直径５００μｍ以下のガラスビ
−ズ，アルミナビ−ズ又はジルコニアビ−ズをブラスト
材とするブラスト処理を施し、該スパッタ表面の中心線
平均表面粗さRaを 0.1〜 3.0μｍに、また表面粗さ曲線
の平均山間隔（Sm値）を１５０μｍ以上の範囲に調整す
ることを特徴とする、セラミックススパッタリングタ−
ゲットの製造方法。 (5) 粉末冶金法により製造されたＩＴＯタ−ゲット素材
のスパッタ表面に直径５００μｍ以下のガラスビ−ズ，
アルミナビ−ズ又はジルコニアビ−ズをブラスト材とす
るブラスト処理を施し、該スパッタ表面の中心線平均表
面粗さRaを 0.1〜 3.0μｍに、また表面粗さ曲線の平均
山間隔（Sm値）を１５０μｍ以上の範囲に調整すること
を特徴とする、セラミックススパッタリングタ−ゲット
の製造方法。 (6) 粉末冶金法により製造された密度Ｄ(g/cm3) とバル
ク抵抗値ρ(mΩcm) が下記２つの式を同時に満たして成
るＩＴＯタ−ゲット素材のスパッタ表面に直径５００μ
ｍ以下のガラスビ−ズ，アルミナビ−ズ又はジルコニア
ビ−ズをブラスト材とするブラスト処理を施し、該スパ
ッタ表面の中心線平均表面粗さRaを 0.1〜 3.0μｍに、
また表面粗さ曲線の平均山間隔（Sm値）を１５０μｍ以
上の範囲に調整することを特徴とする、セラミックスス
パッタリングタ−ゲットの製造方法。 a) 6.20 ≦Ｄ≦ 7.23 b) −0.0676Ｄ＋0.887 ≧ρ≧−0.0761Ｄ＋0.666 。
れたものであり、各々下記の事項をもって構成されるこ
とを特徴とするものである。 (1) 粉末冶金法により製造されたセラミックススパッタ
リングタ−ゲットであって、スパッタ表面の中心線平均
粗さRaが 0.1〜 3.0μｍで、表面粗さ曲線の平均山間隔
（Sm値）が１５０μｍ以上であることを特徴とするスパ
ッタリングタ−ゲット。 (2) 粉末冶金法により製造されたセラミックススパッタ
リングタ−ゲットであって、前記セラミックスがＩＴＯ
であり、かつスパッタ表面の中心線平均粗さRaが 0.1〜
3.0μｍで、表面粗さ曲線の平均山間隔（Sm値）が１５
０μｍ以上であることを特徴とするスパッタリングタ−
ゲット。 (3) 粉末冶金法により製造されたセラミックススパッタ
リングタ−ゲットであって、該セラミックスがＩＴＯで
あり、かつスパッタ表面の中心線平均粗さRaが0.1 〜3.
0 μｍ、表面粗さ曲線の平均山間隔（Sm値）が１５０μ
ｍ以上で、しかも密度Ｄ(g/cm3) とバルク抵抗値ρ(mΩ
cm) が下記２つの式を同時に満たして成ることを特徴と
するスパッタリングタ−ゲット。 a) 6.20 ≦Ｄ≦ 7.23 b) −0.0676Ｄ＋0.887 ≧ρ≧−0.0761Ｄ＋0.666 。 (4) 粉末冶金法により製造されたセラミックスタ−ゲッ
ト素材のスパッタ表面に直径５００μｍ以下のガラスビ
−ズ，アルミナビ−ズ又はジルコニアビ−ズをブラスト
材とするブラスト処理を施し、該スパッタ表面の中心線
平均表面粗さRaを 0.1〜 3.0μｍに、また表面粗さ曲線
の平均山間隔（Sm値）を１５０μｍ以上の範囲に調整す
ることを特徴とする、セラミックススパッタリングタ−
ゲットの製造方法。 (5) 粉末冶金法により製造されたＩＴＯタ−ゲット素材
のスパッタ表面に直径５００μｍ以下のガラスビ−ズ，
アルミナビ−ズ又はジルコニアビ−ズをブラスト材とす
るブラスト処理を施し、該スパッタ表面の中心線平均表
面粗さRaを 0.1〜 3.0μｍに、また表面粗さ曲線の平均
山間隔（Sm値）を１５０μｍ以上の範囲に調整すること
を特徴とする、セラミックススパッタリングタ−ゲット
の製造方法。 (6) 粉末冶金法により製造された密度Ｄ(g/cm3) とバル
ク抵抗値ρ(mΩcm) が下記２つの式を同時に満たして成
るＩＴＯタ−ゲット素材のスパッタ表面に直径５００μ
ｍ以下のガラスビ−ズ，アルミナビ−ズ又はジルコニア
ビ−ズをブラスト材とするブラスト処理を施し、該スパ
ッタ表面の中心線平均表面粗さRaを 0.1〜 3.0μｍに、
また表面粗さ曲線の平均山間隔（Sm値）を１５０μｍ以
上の範囲に調整することを特徴とする、セラミックスス
パッタリングタ−ゲットの製造方法。 a) 6.20 ≦Ｄ≦ 7.23 b) −0.0676Ｄ＋0.887 ≧ρ≧−0.0761Ｄ＋0.666 。
【００１１】以下、本発明において、セラミックススパ
ッタリングタ−ゲットのスパッタ表面の“中心線平均表
面粗さRa”及び“表面粗さ曲線の平均山間隔（Sm値）”
や、その“密度Ｄ”並びに“バルク抵抗値ρ”、更には
セラミックススパッタリングタ−ゲットの製造条件（表
面性状の調整条件）をそれぞれ前記の如くに限定した理
由を、その作用と共に説明する。
ッタリングタ−ゲットのスパッタ表面の“中心線平均表
面粗さRa”及び“表面粗さ曲線の平均山間隔（Sm値）”
や、その“密度Ｄ”並びに“バルク抵抗値ρ”、更には
セラミックススパッタリングタ−ゲットの製造条件（表
面性状の調整条件）をそれぞれ前記の如くに限定した理
由を、その作用と共に説明する。
【００１２】
【作用】 A) 表面の中心線平均粗さRa 「中心線平均粗さRa」とはＪＩＳのＢ０６０１で定義さ
れる表面粗さを指すことは言うまでもないが、本発明に
係るセラミックススパッタリングタ−ゲットではスパッ
タ表面の中心線平均粗さRaは 0.1〜 3.0μｍの範囲に調
整される。これは、スパッタ表面の中心線平均粗さRaを
特に 0.1〜 3.0μｍの範囲に調整した場合にスパッタ時
のノジュ−ル発生量が極小となり、異常放電やパ−ティ
クルの発生を抑え得るようになるためである。なお、上
記Raが 0.1μｍ未満という平滑面の場合にも好結果が得
られない理由は、Raが 0.1μｍ未満の場合には特にタ−
ゲットの非エロ−ジョン部等に付着した膜の剥離が生じ
やすくなり、これがパ−ティクルの発生につながるため
である。
れる表面粗さを指すことは言うまでもないが、本発明に
係るセラミックススパッタリングタ−ゲットではスパッ
タ表面の中心線平均粗さRaは 0.1〜 3.0μｍの範囲に調
整される。これは、スパッタ表面の中心線平均粗さRaを
特に 0.1〜 3.0μｍの範囲に調整した場合にスパッタ時
のノジュ−ル発生量が極小となり、異常放電やパ−ティ
クルの発生を抑え得るようになるためである。なお、上
記Raが 0.1μｍ未満という平滑面の場合にも好結果が得
られない理由は、Raが 0.1μｍ未満の場合には特にタ−
ゲットの非エロ−ジョン部等に付着した膜の剥離が生じ
やすくなり、これがパ−ティクルの発生につながるため
である。
【００１３】B) 表面粗さ曲線の平均山間隔（Sm値） 「表面粗さ曲線の平均山間隔（Sm値）」とは、周知の如
く“表面粗さ曲線の平均線”を横切って表面粗さ曲線が
山から谷へ向かう点から次の山から谷へ向かう横断点ま
での間隔の平均値をある測定長Ｌの範囲で求めた値であ
り、このSm値が大きいほど山と谷の起伏数が少ないこと
になるが、該Sm値もノジュ−ルの発生量に大きく影響す
る。そして、上記Sm値が特に１５０μｍ以上の領域とな
るように調整された場合に、中心線平均粗さRaの調整と
相まってノジュ−ル発生量が著しく減少することから、
表面粗さ曲線の平均山間隔（Sm値）を１５０μｍ以上に
調整することと定めた。なお、上記Sm値が大きいほどノ
ジュ−ルの発生量が減少する理由は、これによりノジュ
−ルの起点の数が減少することにあるものと推測され
る。
く“表面粗さ曲線の平均線”を横切って表面粗さ曲線が
山から谷へ向かう点から次の山から谷へ向かう横断点ま
での間隔の平均値をある測定長Ｌの範囲で求めた値であ
り、このSm値が大きいほど山と谷の起伏数が少ないこと
になるが、該Sm値もノジュ−ルの発生量に大きく影響す
る。そして、上記Sm値が特に１５０μｍ以上の領域とな
るように調整された場合に、中心線平均粗さRaの調整と
相まってノジュ−ル発生量が著しく減少することから、
表面粗さ曲線の平均山間隔（Sm値）を１５０μｍ以上に
調整することと定めた。なお、上記Sm値が大きいほどノ
ジュ−ルの発生量が減少する理由は、これによりノジュ
−ルの起点の数が減少することにあるものと推測され
る。
【００１４】ところで、特開平４−３０１０７４号公報
にも表面を粗面化したTaスパッタリングタ−ゲットに関
する技術が開示されているが、ここで形成される粗面は
“スパッタ時にタ−ゲットから叩き出されて飛散する粒
子を補足すると共にこれが剥離するのを防止する粗さ”
のものであって、特にノジュ−ルの発生が抑えられるRa
値やSm値を示すものでないことは言うまでもない。
にも表面を粗面化したTaスパッタリングタ−ゲットに関
する技術が開示されているが、ここで形成される粗面は
“スパッタ時にタ−ゲットから叩き出されて飛散する粒
子を補足すると共にこれが剥離するのを防止する粗さ”
のものであって、特にノジュ−ルの発生が抑えられるRa
値やSm値を示すものでないことは言うまでもない。
【００１５】C) 密度及びバルク抵抗値 セラミックススパッタリングタ−ゲットがＩＴＯスパッ
タリングタ−ゲットの場合には、その製造に当って“圧
縮成形した酸化物粉末混合体の焼結”を１気圧以上の高
い酸素分圧雰囲気中で実施すると得られるタ−ゲットの
密度を７g/cm3を超える程度（理論密度の９７〜９９％
程度）にまで高めることができ、ノジュ−ル発生をより
一層抑える効果がもたらされる。更に、タ−ゲットのバ
ルク抵抗値もスパッタリング作業性と密接に関係してお
り、密度とバルク抵抗値が特定の領域に調整されると成
膜操作の安定性が一段と改善され、高性能ＩＴＯ膜の形
成性はより一層向上する。従って、ＩＴＯスパッタリン
グタ−ゲットにおいては、その密度Ｄ及びバルク抵抗値
ρを調整することも推奨されることである。
タリングタ−ゲットの場合には、その製造に当って“圧
縮成形した酸化物粉末混合体の焼結”を１気圧以上の高
い酸素分圧雰囲気中で実施すると得られるタ−ゲットの
密度を７g/cm3を超える程度（理論密度の９７〜９９％
程度）にまで高めることができ、ノジュ−ル発生をより
一層抑える効果がもたらされる。更に、タ−ゲットのバ
ルク抵抗値もスパッタリング作業性と密接に関係してお
り、密度とバルク抵抗値が特定の領域に調整されると成
膜操作の安定性が一段と改善され、高性能ＩＴＯ膜の形
成性はより一層向上する。従って、ＩＴＯスパッタリン
グタ−ゲットにおいては、その密度Ｄ及びバルク抵抗値
ρを調整することも推奨されることである。
【００１６】ただ、ＩＴＯスパッタリングタ−ゲットの
密度Ｄが6.20g/cm3 を下回ると前記効果が十分に得られ
ず、一方、7.23g/cm3 を上回る領域にまで密度を上昇さ
せるのは「高酸素分圧雰囲気中焼結法」によっても非常
に困難で、コスト的な不利を招く。
密度Ｄが6.20g/cm3 を下回ると前記効果が十分に得られ
ず、一方、7.23g/cm3 を上回る領域にまで密度を上昇さ
せるのは「高酸素分圧雰囲気中焼結法」によっても非常
に困難で、コスト的な不利を招く。
【００１７】また、ＩＴＯスパッタリングタ−ゲットの
バルク抵抗値ρはその密度Ｄに大きく依存する傾向があ
り、密度が高くなると急激に低下する傾向を示す。そし
て、このバルク抵抗値が低い程スパッタ時におけるア−
キングの発生が少ないので好ましいが、密度6.20〜7.23
g/cm3 の領域で ρ ＜ −0.0761Ｄ＋0.666 を達成することは「高酸素分圧雰囲気中焼結法」によっ
ても非常に困難である。一方、ＩＴＯスパッタリングタ
−ゲットのバルク抵抗値ρが ρ ＞ −0.0676Ｄ＋0.887 の領域になるとスパッタ時における異常放電の発生が多
くなって成膜操作の安定性が損なわれるばかりか、成膜
速度も不安定となってスパッタの進行に伴い成膜速度が
低下する現象が著しくなる。従って、ＩＴＯスパッタリ
ングタ−ゲットのバルク抵抗値ρは −0.0676Ｄ＋0.887 ≧ ρ ≧−0.0761Ｄ＋0.666 の範囲に調整するのが望ましい。
バルク抵抗値ρはその密度Ｄに大きく依存する傾向があ
り、密度が高くなると急激に低下する傾向を示す。そし
て、このバルク抵抗値が低い程スパッタ時におけるア−
キングの発生が少ないので好ましいが、密度6.20〜7.23
g/cm3 の領域で ρ ＜ −0.0761Ｄ＋0.666 を達成することは「高酸素分圧雰囲気中焼結法」によっ
ても非常に困難である。一方、ＩＴＯスパッタリングタ
−ゲットのバルク抵抗値ρが ρ ＞ −0.0676Ｄ＋0.887 の領域になるとスパッタ時における異常放電の発生が多
くなって成膜操作の安定性が損なわれるばかりか、成膜
速度も不安定となってスパッタの進行に伴い成膜速度が
低下する現象が著しくなる。従って、ＩＴＯスパッタリ
ングタ−ゲットのバルク抵抗値ρは −0.0676Ｄ＋0.887 ≧ ρ ≧−0.0761Ｄ＋0.666 の範囲に調整するのが望ましい。
【００１８】また、ＩＴＯスパッタリングタ−ゲットの
密度並びにバルク抵抗値の調整は、原料粉をプレス成形
する際のプレス圧，焼結時の雰囲気（酸素分圧），焼結
温度等を調節することによって可能である。
密度並びにバルク抵抗値の調整は、原料粉をプレス成形
する際のプレス圧，焼結時の雰囲気（酸素分圧），焼結
温度等を調節することによって可能である。
【００１９】D) タ−ゲットの製造条件（表面性状の調
整条件） セラミックススパッタリングタ−ゲットの表面性状（Ra
値，Sm値）を前記の如くに調整するためには、粉末冶金
法（焼結）によって製造されたセラミックススパッタリ
ングタ−ゲット素材の表面を平面研削した後、そのスパ
ッタ表面を“ある程度の硬度を有すると共に表面とのコ
ンタミネ−ションを起こすことのない特定粒径のブラス
ト材”でブラスト処理する必要がある。そして、このよ
うなブラスト材としては直径５００μｍ以下のガラスビ
−ズ，アルミナビ−ズ又はジルコニアビ−ズが好適であ
るが、ガラスビ−ズやアルミナビ−ズの場合には使用が
進むと破壊してタ−ゲットに突き刺さることが懸念され
るようになるので、耐久性の点からすればジルコニアビ
−ズを用いてブラスト処理することが好ましい。
整条件） セラミックススパッタリングタ−ゲットの表面性状（Ra
値，Sm値）を前記の如くに調整するためには、粉末冶金
法（焼結）によって製造されたセラミックススパッタリ
ングタ−ゲット素材の表面を平面研削した後、そのスパ
ッタ表面を“ある程度の硬度を有すると共に表面とのコ
ンタミネ−ションを起こすことのない特定粒径のブラス
ト材”でブラスト処理する必要がある。そして、このよ
うなブラスト材としては直径５００μｍ以下のガラスビ
−ズ，アルミナビ−ズ又はジルコニアビ−ズが好適であ
るが、ガラスビ−ズやアルミナビ−ズの場合には使用が
進むと破壊してタ−ゲットに突き刺さることが懸念され
るようになるので、耐久性の点からすればジルコニアビ
−ズを用いてブラスト処理することが好ましい。
【００２０】なお、使用するブラスト材の粒径が５００
μｍを超えると前記所望の表面性状を実現することは難
しい。従って、ブラスト材としては粒径が５００μｍ以
下のものを用いるが、通常は粒径が１００μｍ以下であ
って、平均粒径５０μｍ程度のものを用いれば良い。ま
た、ブラスト回数については、通常は１〜２０回程度で
良好な結果が得られる。
μｍを超えると前記所望の表面性状を実現することは難
しい。従って、ブラスト材としては粒径が５００μｍ以
下のものを用いるが、通常は粒径が１００μｍ以下であ
って、平均粒径５０μｍ程度のものを用いれば良い。ま
た、ブラスト回数については、通常は１〜２０回程度で
良好な結果が得られる。
【００２１】このようなブラスト処理を施すことによ
り、セラミックススパッタリングタ−ゲットの表面性状
（Ra値，Sm値）を前述の如くに調整することができ、優
れたノジュ−ル抑制効果、ひいては異常放電やパ−ティ
クルの発生を抑える効果を確保できるようになる。更
に、前記ブラスト処理はタ−ゲット表面の微細な凹凸の
間に残っていた平面研削の屑をクリ−ニングするように
も作用するので、上記効果はより際立つことになる。
り、セラミックススパッタリングタ−ゲットの表面性状
（Ra値，Sm値）を前述の如くに調整することができ、優
れたノジュ−ル抑制効果、ひいては異常放電やパ−ティ
クルの発生を抑える効果を確保できるようになる。更
に、前記ブラスト処理はタ−ゲット表面の微細な凹凸の
間に残っていた平面研削の屑をクリ−ニングするように
も作用するので、上記効果はより際立つことになる。
【００２２】次に、実施例により本発明を比較例と対比
しながら説明する。
しながら説明する。
〔実施例１〕まず、平均粒径が２μｍの酸化インジウム
粉と同じ粒度の酸化錫粉を重量比で９０：１０となるよ
うに均一に混合し、これに成形用バインダ−を加えてか
ら金型（１６５W ×５２０L ）へ均一に充填した。続い
て、金型に充填した前記原料混合粉を油圧プレスにて８
００kg/cm2の圧力で加圧した後、更に８０℃に加熱して
バインダ−中の水分を蒸発させ乾燥した。そして、引続
き、加圧焼結炉により１気圧（絶対圧）の純酸素ガス雰
囲気中にて１６６０℃で１０時間焼結した。
粉と同じ粒度の酸化錫粉を重量比で９０：１０となるよ
うに均一に混合し、これに成形用バインダ−を加えてか
ら金型（１６５W ×５２０L ）へ均一に充填した。続い
て、金型に充填した前記原料混合粉を油圧プレスにて８
００kg/cm2の圧力で加圧した後、更に８０℃に加熱して
バインダ−中の水分を蒸発させ乾燥した。そして、引続
き、加圧焼結炉により１気圧（絶対圧）の純酸素ガス雰
囲気中にて１６６０℃で１０時間焼結した。
【００２３】次いで、得られた焼結体のスパッタ表面を
平面研削盤で研削し、更に側辺をダイヤモンドカッタ−
で切断してＩＴＯタ−ゲット素材とした。このようにし
て得られたＩＴＯタ−ゲット素材の密度は6.80g/cm3
で、バルク抵抗値は0.15 mΩcmであった。
平面研削盤で研削し、更に側辺をダイヤモンドカッタ−
で切断してＩＴＯタ−ゲット素材とした。このようにし
て得られたＩＴＯタ−ゲット素材の密度は6.80g/cm3
で、バルク抵抗値は0.15 mΩcmであった。
【００２４】次に、このＩＴＯタ−ゲット素材のスパッ
タ表面に直径が１０〜１００μｍの範囲内で平均粒径が
５０μｍのジルコニアビ−ズをブラスト材としたブラス
ト処理を４回施して表面の調整を行い、本発明に係るＩ
ＴＯスパッタリングタ−ゲット（本発明品１）を得た。
なお、得られた“本発明品１”のスパッタ表面は、中心
線平均表面粗さRaが1.8 μｍで、表面粗さ曲線の平均山
間隔（Sm値）は２０７μｍであった。
タ表面に直径が１０〜１００μｍの範囲内で平均粒径が
５０μｍのジルコニアビ−ズをブラスト材としたブラス
ト処理を４回施して表面の調整を行い、本発明に係るＩ
ＴＯスパッタリングタ−ゲット（本発明品１）を得た。
なお、得られた“本発明品１”のスパッタ表面は、中心
線平均表面粗さRaが1.8 μｍで、表面粗さ曲線の平均山
間隔（Sm値）は２０７μｍであった。
【００２５】また、これとは別に、同様条件で製造した
表面研削済のＩＴＯタ−ゲット素材（密度：6.80g/cm
3 ，バルク抵抗値：0.15 mΩcm）を準備して、超音波洗
浄を行い、これを比較ＩＴＯスパッタリングタ−ゲット
（比較品１）とした。この“比較品１”のスパッタ表面
は、中心線平均表面粗さRaが 1.2μｍで、表面粗さ曲線
の平均山間隔（Sm値）は１２４μｍであった。
表面研削済のＩＴＯタ−ゲット素材（密度：6.80g/cm
3 ，バルク抵抗値：0.15 mΩcm）を準備して、超音波洗
浄を行い、これを比較ＩＴＯスパッタリングタ−ゲット
（比較品１）とした。この“比較品１”のスパッタ表面
は、中心線平均表面粗さRaが 1.2μｍで、表面粗さ曲線
の平均山間隔（Sm値）は１２４μｍであった。
【００２６】さて、上述のように製造された各ＩＴＯス
パッタリングタ−ゲットにつき、スパッタ時の特性経時
変化試験を実施した。この特性経時変化試験としては、
前記“本発明品１”と“比較品１”をタ−ゲットとして
用いると共に スパッタガス圧力 ：0.5Pa ， スパッタガス流量 ：３００SCCM， 酸素濃度 ：１％， 漏洩磁束密度 ：４００Gauss ， 成膜速度 ：63.4〜75.3Å/min， 基板温度 ：２００℃ なる条件で積算電力量にて連続２０ＷHr/cm2のスパッタ
を実施し、これを１バッチとして、バッチ毎に成膜状況
を調査すると共にタ−ゲット表面の観察を行うことを６
バッチまで繰り返す方法を実施した。ここで、途中での
タ−ゲットのクリ−ニングは行わなかった。なお、タ−
ゲットを使い込むにつれて成膜速度が低下するが、この
成膜速度が低下する分だけスパッタの投入パワ−を徐々
に上昇させて行った。
パッタリングタ−ゲットにつき、スパッタ時の特性経時
変化試験を実施した。この特性経時変化試験としては、
前記“本発明品１”と“比較品１”をタ−ゲットとして
用いると共に スパッタガス圧力 ：0.5Pa ， スパッタガス流量 ：３００SCCM， 酸素濃度 ：１％， 漏洩磁束密度 ：４００Gauss ， 成膜速度 ：63.4〜75.3Å/min， 基板温度 ：２００℃ なる条件で積算電力量にて連続２０ＷHr/cm2のスパッタ
を実施し、これを１バッチとして、バッチ毎に成膜状況
を調査すると共にタ−ゲット表面の観察を行うことを６
バッチまで繰り返す方法を実施した。ここで、途中での
タ−ゲットのクリ−ニングは行わなかった。なお、タ−
ゲットを使い込むにつれて成膜速度が低下するが、この
成膜速度が低下する分だけスパッタの投入パワ−を徐々
に上昇させて行った。
【００２７】図１及び図２は成膜状況の調査結果を整理
して示すもので、図１は積算電力量と投入パワ−の関係
を、また図２は積算電力量と放電電圧の関係をそれぞれ
示している。この図１及び図２に示される結果からも、
本発明品は比較品に比べて投入パワ−が小さくて済み、
また放電電圧が低いことを確認することができる。即
ち、本発明品は低電圧スパッタを行うことが可能である
ことが分かる。
して示すもので、図１は積算電力量と投入パワ−の関係
を、また図２は積算電力量と放電電圧の関係をそれぞれ
示している。この図１及び図２に示される結果からも、
本発明品は比較品に比べて投入パワ−が小さくて済み、
また放電電圧が低いことを確認することができる。即
ち、本発明品は低電圧スパッタを行うことが可能である
ことが分かる。
【００２８】一方、積算電力量で２０，４０，６０，８
０，１００及び１２０ＷHr/cm2におけるタ−ゲットの外
観観察では、何れの時点でもノジュ−ルの発生量は“本
発明品”の方が“比較品”に比べて大幅に少なく、その
差は積算電力量が多くなるにつれてより顕著化すること
が確認されたが、次に示す“表１”並びに図３，図４は
これの裏付けとなるデ−タを整理したものである。
０，１００及び１２０ＷHr/cm2におけるタ−ゲットの外
観観察では、何れの時点でもノジュ−ルの発生量は“本
発明品”の方が“比較品”に比べて大幅に少なく、その
差は積算電力量が多くなるにつれてより顕著化すること
が確認されたが、次に示す“表１”並びに図３，図４は
これの裏付けとなるデ−タを整理したものである。
【００２９】
【表１】
【００３０】なお、上記表１は「積算電力量とノジュ−
ル被覆率，異常放電発生回数との関係」を示したもので
あるが、ここで言う“ノジュ−ル被覆率”とはスパッタ
リングタ−ゲット表面における「黒化物面積／エロ−ジ
ョン部面積」の比率を％表示したものであり、また“異
常放電発生回数”は１バッチ２０時間の間に発生した異
常放電の回数を意味していて、何れも数値が大なほどノ
ジュ−ルの発生量が多かったことになる。そして、図３
は表１に示される「積算電力量とノジュ−ル被覆率との
関係」をグラフ化したものであり、図４は表１に示され
る「積算電力量と異常放電発生回数との関係」をグラフ
化したものである。
ル被覆率，異常放電発生回数との関係」を示したもので
あるが、ここで言う“ノジュ−ル被覆率”とはスパッタ
リングタ−ゲット表面における「黒化物面積／エロ−ジ
ョン部面積」の比率を％表示したものであり、また“異
常放電発生回数”は１バッチ２０時間の間に発生した異
常放電の回数を意味していて、何れも数値が大なほどノ
ジュ−ルの発生量が多かったことになる。そして、図３
は表１に示される「積算電力量とノジュ−ル被覆率との
関係」をグラフ化したものであり、図４は表１に示され
る「積算電力量と異常放電発生回数との関係」をグラフ
化したものである。
【００３１】〔実施例２〕実施例１の場合と同様条件で
製造した表面研削済のＩＴＯタ−ゲット素材（密度:6.8
0g/cm3，バルク抵抗値:0.15mΩcm）を複数準備し、これ
に単なる超音波洗浄を施したり、あるいは種々条件の
“ジルコニアビ−ズをブラスト材としたブラスト処理”
を施して表面調整を行うことで、それぞれ“中心線平均
表面粗さRa”及び“表面粗さ曲線の平均山間隔（Sm
値）”が異なる「本発明に係るＩＴＯスパッタリングタ
−ゲット（本発明品２〜４）」並びに「比較ＩＴＯスパ
ッタリングタ−ゲット（比較品２及び３）を得た。
製造した表面研削済のＩＴＯタ−ゲット素材（密度:6.8
0g/cm3，バルク抵抗値:0.15mΩcm）を複数準備し、これ
に単なる超音波洗浄を施したり、あるいは種々条件の
“ジルコニアビ−ズをブラスト材としたブラスト処理”
を施して表面調整を行うことで、それぞれ“中心線平均
表面粗さRa”及び“表面粗さ曲線の平均山間隔（Sm
値）”が異なる「本発明に係るＩＴＯスパッタリングタ
−ゲット（本発明品２〜４）」並びに「比較ＩＴＯスパ
ッタリングタ−ゲット（比較品２及び３）を得た。
【００３２】次に、これら各スパッタリングタ−ゲット
を用いると共に スパッタガス圧力 ：0.5Pa ， スパッタガス流量 ：３００SCCM， 酸素濃度 ：１％， 漏洩磁束密度 ：４００Gauss ， 成膜速度 ：63.4〜75.3Å/min， 基板温度 ：２００℃ なる条件で積算電力量にて連続１００ＷHr/cm2のスパッ
タを実施した後、各タ−ゲットにつき外観観察を行って
ノジュ−ルの発生量（ノジュ−ル被覆率）を調査した。
この結果を整理し、実施例１における本発明品１及び比
較品１の調査結果と共に表２に示した。
を用いると共に スパッタガス圧力 ：0.5Pa ， スパッタガス流量 ：３００SCCM， 酸素濃度 ：１％， 漏洩磁束密度 ：４００Gauss ， 成膜速度 ：63.4〜75.3Å/min， 基板温度 ：２００℃ なる条件で積算電力量にて連続１００ＷHr/cm2のスパッ
タを実施した後、各タ−ゲットにつき外観観察を行って
ノジュ−ルの発生量（ノジュ−ル被覆率）を調査した。
この結果を整理し、実施例１における本発明品１及び比
較品１の調査結果と共に表２に示した。
【００３３】
【表２】
【００３４】表２に示される結果からも、 「表面の中心
線平均粗さRa及び表面粗さ曲線の平均山間隔（Sm値) が
本発明の規定条件を満たす本発明品」 は 「RaあるいはSm
値が本発明の規定条件から外れている比較品」 に比べて
ノジュ−ルの発生量が大幅に少ないことが分かる。
線平均粗さRa及び表面粗さ曲線の平均山間隔（Sm値) が
本発明の規定条件を満たす本発明品」 は 「RaあるいはSm
値が本発明の規定条件から外れている比較品」 に比べて
ノジュ−ルの発生量が大幅に少ないことが分かる。
【００３５】ところで、これら実施例ではＩＴＯスパッ
タリングタ−ゲットに関する結果のみを示したが、本発
明に従えばＩＴＯスパッタリングタ−ゲットに限らずセ
ラミックススパッタリングタ−ゲット一般（例えばZnＯ
・ Al2Ｏ3 等）にも同様の効果が得られることは確認済
である。
タリングタ−ゲットに関する結果のみを示したが、本発
明に従えばＩＴＯスパッタリングタ−ゲットに限らずセ
ラミックススパッタリングタ−ゲット一般（例えばZnＯ
・ Al2Ｏ3 等）にも同様の効果が得られることは確認済
である。
【００３６】
【効果の総括】以上に説明した如く、この発明によれ
ば、スパッタ時のノジュ−ル発生量が少なくて異常放電
やパ−ティクル発生も極力抑えられたスパッタ性能の優
れたセラミックススパッタリングタ−ゲットを提供する
ことが可能となり、該タ−ゲットを用いれば基板上に品
質の優れたセラミックス薄膜を作業性良く安定形成する
ことができるなど、産業上極めて有用な効果がもたらさ
れる。
ば、スパッタ時のノジュ−ル発生量が少なくて異常放電
やパ−ティクル発生も極力抑えられたスパッタ性能の優
れたセラミックススパッタリングタ−ゲットを提供する
ことが可能となり、該タ−ゲットを用いれば基板上に品
質の優れたセラミックス薄膜を作業性良く安定形成する
ことができるなど、産業上極めて有用な効果がもたらさ
れる。
【図１】積算電力量と投入パワ−の関係を“本発明ＩＴ
Ｏスパッタリングタ−ゲット”と“比較ＩＴＯスパッタ
リングタ−ゲット”とで対比したグラフである。
Ｏスパッタリングタ−ゲット”と“比較ＩＴＯスパッタ
リングタ−ゲット”とで対比したグラフである。
【図２】積算電力量と放電電圧の関係を“本発明ＩＴＯ
スパッタリングタ−ゲット”と“比較ＩＴＯスパッタリ
ングタ−ゲット”とで対比したグラフである。
スパッタリングタ−ゲット”と“比較ＩＴＯスパッタリ
ングタ−ゲット”とで対比したグラフである。
【図３】積算電力量とノジュ−ル被覆率との関係を示す
グラフである。
グラフである。
【図４】積算電力量と異常放電発生回数との関係を示す
グラフである。
グラフである。
Claims (6)
- 【請求項１】 粉末冶金法により製造されたセラミック
ススパッタリングタ−ゲットであって、スパッタ表面の
中心線平均粗さRaが 0.1〜 3.0μｍで、表面粗さ曲線の
平均山間隔（Sm値）が１５０μｍ以上であることを特徴
とするスパッタリングタ−ゲット。 - 【請求項２】 粉末冶金法により製造されたセラミック
ススパッタリングタ−ゲットであって、前記セラミック
スがＩＴＯであり、かつスパッタ表面の中心線平均粗さ
Raが 0.1〜 3.0μｍで、表面粗さ曲線の平均山間隔（Sm
値）が１５０μｍ以上であることを特徴とするスパッタ
リングタ−ゲット。 - 【請求項３】 粉末冶金法により製造されたセラミック
ススパッタリングタ−ゲットであって、該セラミックス
がＩＴＯであり、かつスパッタ表面の中心線平均粗さRa
が 0.1〜 3.0μｍ、表面粗さ曲線の平均山間隔（Sm値）
が１５０μｍ以上で、しかも密度Ｄ(g/cm3) とバルク抵
抗値ρ(mΩcm) が下記２つの式を同時に満たして成るこ
とを特徴とするスパッタリングタ−ゲット。 a) 6.20 ≦Ｄ≦ 7.23 b) −0.0676Ｄ＋0.887 ≧ρ≧−0.0761Ｄ＋0.666 - 【請求項４】 粉末冶金法により製造されたセラミック
スタ−ゲット素材のスパッタ表面に直径５００μｍ以下
のガラスビ−ズ，アルミナビ−ズ又はジルコニアビ−ズ
をブラスト材とするブラスト処理を施し、該スパッタ表
面の中心線平均表面粗さRaを 0.1〜 3.0μｍに、また表
面粗さ曲線の平均山間隔（Sm値）を１５０μｍ以上の範
囲に調整することを特徴とする、セラミックススパッタ
リングタ−ゲットの製造方法。 - 【請求項５】 粉末冶金法により製造されたＩＴＯタ−
ゲット素材のスパッタ表面に直径５００μｍ以下のガラ
スビ−ズ，アルミナビ−ズ又はジルコニアビ−ズをブラ
スト材とするブラスト処理を施し、該スパッタ表面の中
心線平均表面粗さRaを 0.1〜 3.0μｍに、また表面粗さ
曲線の平均山間隔（Sm値）を１５０μｍ以上の範囲に調
整することを特徴とする、セラミックススパッタリング
タ−ゲットの製造方法。 - 【請求項６】 粉末冶金法により製造された密度Ｄ(g/c
m3) とバルク抵抗値ρ(mΩcm) が下記２つの式を同時に
満たして成るＩＴＯタ−ゲット素材のスパッタ表面に直
径５００μｍ以下のガラスビ−ズ，アルミナビ−ズ又は
ジルコニアビ−ズをブラスト材とするブラスト処理を施
し、該スパッタ表面の中心線平均表面粗さRaを 0.1〜
3.0μｍに、また表面粗さ曲線の平均山間隔（Sm値）を
１５０μｍ以上の範囲に調整することを特徴とする、セ
ラミックススパッタリングタ−ゲットの製造方法。 a) 6.20 ≦Ｄ≦ 7.23 b) −0.0676Ｄ＋0.887 ≧ρ≧−0.0761Ｄ＋0.666
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8153342A JPH09104973A (ja) | 1995-05-30 | 1996-05-24 | スパッタリングタ−ゲット及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15535395 | 1995-05-30 | ||
| JP7-155353 | 1995-05-30 | ||
| JP8153342A JPH09104973A (ja) | 1995-05-30 | 1996-05-24 | スパッタリングタ−ゲット及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09104973A true JPH09104973A (ja) | 1997-04-22 |
Family
ID=26481990
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8153342A Pending JPH09104973A (ja) | 1995-05-30 | 1996-05-24 | スパッタリングタ−ゲット及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09104973A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6074279A (en) * | 1997-02-28 | 2000-06-13 | Tosoh Corporation | Process for producing sputtering target |
| WO2000040769A1 (fr) * | 1998-12-28 | 2000-07-13 | Japan Energy Corporation | Cible de pulverisation cathodique |
| US6106681A (en) * | 1997-10-13 | 2000-08-22 | Japan Energy Corporation | ITO sputtering target and its cleaning method |
| JP2011127189A (ja) * | 2009-12-18 | 2011-06-30 | Kobe Steel Ltd | Ａｌ基合金スパッタリングターゲット |
| US9279178B2 (en) | 2007-04-27 | 2016-03-08 | Honeywell International Inc. | Manufacturing design and processing methods and apparatus for sputtering targets |
-
1996
- 1996-05-24 JP JP8153342A patent/JPH09104973A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6074279A (en) * | 1997-02-28 | 2000-06-13 | Tosoh Corporation | Process for producing sputtering target |
| US6106681A (en) * | 1997-10-13 | 2000-08-22 | Japan Energy Corporation | ITO sputtering target and its cleaning method |
| DE19847191C2 (de) * | 1997-10-13 | 2002-06-20 | Japan Energy Corp | ITO-Zerstäubungs-Target und sein Reinigungsverfahren |
| WO2000040769A1 (fr) * | 1998-12-28 | 2000-07-13 | Japan Energy Corporation | Cible de pulverisation cathodique |
| US9279178B2 (en) | 2007-04-27 | 2016-03-08 | Honeywell International Inc. | Manufacturing design and processing methods and apparatus for sputtering targets |
| JP2011127189A (ja) * | 2009-12-18 | 2011-06-30 | Kobe Steel Ltd | Ａｌ基合金スパッタリングターゲット |
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