JPH07243036A - Ｉｔｏスパッタリングタ−ゲット - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 スパッタリング時におけるノジュ−ルや異常
放電の発生等をより安定・確実に防止し、良好な成膜作
業下で一層優れたスパッタリング性能が達成されるＩＴ
Ｏ焼結タ−ゲットを提供する。 【構成】 “酸化インジウムと酸化錫を主成分とした原
料から粉末冶金法にて製造されたＩＴＯタ−ゲット”
を、平均結晶粒径が４μｍ未満であり、かつ単位面積当
りに存在する平均直径３〜８μｍのボイド数が９００個
/mm²以下に調整されて成るか、又は表面粗さＲa が0.5
μｍ以下に調整されて成るか、あるいはこの両者を満足
し、必要に応じて更に密度Ｄ(g/cm³）とバルク抵抗値ρ
(mΩcm）が a) 6.20 ≦ Ｄ ≦ 7.23 ， b) −0.0676Ｄ＋0.887 ≧ ρ ≧ −0.0761Ｄ＋0.66
6 ， なる関係式をも同時に満たして成る構成とする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】この発明は、スパッタリングによ
ってＩＴＯ膜（Indium-Tin Oxide膜) を形成させる際に
使用するタ−ゲットに関するものである。

【０００２】

【従来技術とその課題】"ＩＴＯ膜" と呼ばれる「ｎ型
導電性の半導体特性」を示す In₂Ｏ₃ ，SnＯ₂酸化物膜
は、非常に高い導電性の他に可視光透過性（透明性）を
も有していることから、最近では液晶表示装置，放射線
検出素子，端末機器の透明タブレット，窓ガラスの結露
防止用発熱膜，帯電防止膜或いは太陽光集熱器用選択透
過膜等、多岐にわたる用途に供されている。そして、こ
のＩＴＯ膜の形成手段としては化合物の熱分解を利用し
たスプレイ法やＣＶＤ法等の化学的成膜法、あるいは真
空蒸着法やスパッタリング法等の物理的成膜法等が知ら
れているが、中でも、「大面積で成膜することが可能で
かつ低抵抗膜を再現性良く形成できる」との利点が着目
されて“スパッタリング法”の採用が広まってきてい
る。

【０００３】ところで、スパッタリング法にてＩＴＯ膜
を形成する場合には酸化インジウムと酸化錫から成るス
パッタリングタ−ゲット（以降“ＩＴＯタ−ゲット”と
略称する）が使用されるが、このＩＴＯタ−ゲットとし
ては、酸化インジウムと酸化錫の粉末混合体、あるいは
これにド−パントを添加した粉末混合体を常温でプレス
成形し、この成形体を大気中にて１２５０〜１７００℃
で焼結してから更に機械加工を施したものが一般に用い
られてきた。

【０００４】但し、上記方法 (コ−ルドプレス・大気焼
結後に機械加工を施す方法) で製造されたＩＴＯタ−ゲ
ットには(A) スパッタリングの際、タ−ゲット表面にノ
ジュ−ル（針状の突起物）が発生しやすい，(B) スパッ
タリングの際にア−キングと呼ばれる異常放電が発生
し、成膜操作の安定性が害される頻度が高い，(C) スパ
ッタリング装置のリ−クに伴う「タ−ゲット表面へのガ
ス吸着量」が多く、これが膜質を低下させる，等の不都
合が指摘されており、従ってより一層優れたスパッタリ
ング作業性やＩＴＯ膜品質を確保できる安価なＩＴＯタ
−ゲットが強く望まれていた。

【０００５】そこで、上述のような視点に立って鋭意研
究を行った本発明者等は、先に、 a) ＩＴＯ焼結タ−ゲットの製造に当って“常温で圧縮
成形した酸化物粉末混合体の焼結”を酸素雰囲気中ある
いは１気圧以上の高い酸素分圧雰囲気中で実施し（以降
“コ−ルドプレス・酸素焼結法”と称する）、これを常
法に従って機械加工に付すと、酸化物粉末混合体の圧縮
成形に上述のようなコ−ルドプレス法を適用した場合で
あっても、単位面積当りに存在する平均直径３〜８μｍ
のボイド数が非常に少ない、また表面粗さＲa の非常に
細かいＩＴＯ焼結タ−ゲットが得られ、スパッタリング
時のノジュ−ルや異常放電の発生が軽減され、ガスの吸
着も少なくなる， b) 上述のようにＩＴＯタ−ゲットの焼結を酸素雰囲気
中あるいは高い酸素分圧雰囲気中で実施した場合には、
得られるＩＴＯ焼結タ−ゲットの密度を7g/cm³を超える
程度（理論密度の９７〜９９％程度）にまで高めること
もでき（従来のコ−ルドプレス・大気焼結法では密度が
4.2〜5.8 g/cm³ と理論密度の精々６０〜８０％程度の
ものしか得られない）、そのため広い密度範囲のＩＴＯ
焼結タ−ゲットが実現される上に、上記のような高密度
品とすることによってＩＴＯ焼結タ−ゲットに望まれる
前記特性の更なる改善も可能である， c) スパッタリング時のノジュ−ルや異常放電の発生あ
るいはガス吸着等の抑制効果には、ＩＴＯ焼結タ−ゲッ
トのボイド分布密度や表面粗さは勿論のこと、材料その
ものの密度も深く係わっていることは言うまでもない
が、バルク抵抗値も密接に関連しており、材料の密度と
バルク抵抗値が特定の領域に調整されると成膜操作の安
定性が一段と改善され、高性能ＩＴＯ膜の形成性はより
一層向上する， との知見を得て、これを基に「前記コ−ルドプレス・酸
素焼結法を適用することによって得られるところの、 単
位面積当りに存在する平均直径３〜８μｍのボイド数を
特定の値以下に抑えるか、 あるいは表面粗さＲa を特定
の値以下に調整するかし、 必要により更に密度Ｄ(g/c
m³）とバルク抵抗値ρ(mΩcm）が 6.20 ≦ Ｄ ≦ 7.23 ， −0.0676Ｄ＋0.887 ≧ ρ ≧ −0.0761Ｄ＋0.666 ， なる関係式を同時に満たして成るところのＩＴＯ焼結タ
−ゲット」を提案した。

【０００６】そして、これにより、従来材に指摘された
スパッタリング時のノジュ−ルや異常放電の発生がある
程度軽減され、ガスの吸着も少なく、そのため良好な成
膜作業下で品質の高いＩＴＯ膜を得ることのできるＩＴ
Ｏ焼結タ−ゲットが提供されるようになった。

【０００７】しかしながら、その後も続けられた詳細な
検討によって、「従来材よりも飛躍的に特性改善がなさ
れた上記提案になるＩＴＯ焼結タ−ゲットにおいても、
将来を見据えた厳しい観点に立った場合には、 軽減され
たといってもやはりノジュ−ルの発生及びこれに伴う異
常放電の発生，基板への異物付着が膜質低下の原因にな
るという前述した問題点は依然として残っており、 その
ためタ−ゲット表面をクリ−ニングする頻度が少なくな
い」との結論に達することとなった。

【０００８】このようなことから、本発明の目的は、ス
パッタリング時におけるノジュ−ルや異常放電の発生等
をより安定・確実に防止し、良好な成膜作業下で一層優
れたスパッタリング性能が達成されるＩＴＯ焼結タ−ゲ
ットを提供することに置かれた。

【０００９】

【課題を解決するための手段】本発明者等は、上記目的
を達成すべく更に実験・研究を重ねたところ、以下に示
すような新しい知見を得ることができた。第１に、ＩＴ
Ｏ焼結タ−ゲットの特性に影響を及ぼす要因は前述した
如く多岐にわたって存在することがこれまでの研究によ
り明らかとなっているものの、これらの要因と絡み合っ
て“タ−ゲットの結晶粒径”が重要な影響因子となって
おり、その平均結晶粒径を特に“４μｍ未満”にまで微
細化すると、タ−ゲット表面でのノジュ−ル発生やスパ
ッタリング後期の異常放電が激減すると同時にガス吸着
量も一層少なくなって、形成される膜質が更に改善され
ることを見出したのである。しかしながら、次の段階と
して、このような微細結晶粒を持つＩＴＯ焼結タ−ゲッ
トを工業的に量産する手段という点で大きな壁に突き当
たることとなった。

【００１０】即ち、平均結晶粒径が上述の如くに微細化
されたＩＴＯ焼結タ−ゲットを量産する方法としては、
まず“ホットプレス法”が考えられる。つまり、ホット
プレス・機械加工を経て得られるＩＴＯ焼結タ−ゲット
は、焼結温度が低いこともあって微細化が容易で、前述
した従来タ−ゲットに指摘される問題はある程度解決す
ることができるからである。ただ、ホットプレス法では
タ−ゲットの結晶粒を微細化することが容易な反面、原
料粉末を最適化する等の方法を講じたとしても高密度化
が困難であり、そのためボイド数の低減，バルク抵抗値
ρの低減あるいは表面粗さＲa の低減をも達成して所期
する良好な膜質を安定確保するためには更なる改善が必
要である。その上、ホットプレス法には、ア ) 設備のイニシャルコストが高く、また設備の大型化
が困難である，イ ) 金型等も高価なものを必要とするので、ランニング
コストが高くなる，ウ ) 一操業に要する時間が長くなるため量産性に劣る， 等の問題があり、これらが結局はタ−ゲット価格に影響
することから好ましい方法とは言えなかった。

【００１１】そこで、これに変わるものとして前記の
“コ−ルドプレス・酸素焼結法”が考えられる。この方
法では、前述したようにＩＴＯタ−ゲットの密度を７g/
cm³ を超える程度にまで高めることもできるため、広い
密度範囲でＩＴＯタ−ゲットに望まれる前記特性の更な
る改善も可能である。しかしながら、高密度が比較的容
易に達成でき、ボイドの数，バルク抵抗値ρあるいは粗
さＲa を低く抑えることが容易であって高品質のＩＴＯ
焼結タ−ゲットの有効な量産プロセスと考えられた“コ
−ルドプレス・酸素焼結法”は、焼結温度が高いことも
あって結晶粒の微細化が困難であるという問題があっ
た。

【００１２】本発明者等はこのような問題の解決に対し
ても果敢に挑戦し、微細かつ高密度のＩＴＯ焼結タ−ゲ
ットを工業的規模で安定生産できる手段について鋭意検
討した結果、“ホットプレス法”であれ“コ−ルドプレ
ス・酸素焼結法”であれ、圧縮成形に供する酸化物原料
粉末の特性を最適化すると共に、従来の技術常識に捕ら
われない非常に短い焼結時間でもってＩＴＯの焼結を行
い、これを常法に従って機械加工に付しタ−ゲット材を
形成する方法によると、平均結晶粒径が４μｍ未満の高
性能タ−ゲットを安定して量産できることが明らかとな
った。

【００１３】本発明は上記知見に基づいて完成されたも
のであり、「平均結晶粒径が４μｍ未満であり、 かつ単
位面積当りに存在する平均直径３〜８μｍのボイド数が
９００個/mm²以下に調整されて成るか、 又は表面粗さＲ
a が0.5 μｍ以下に調整されて成るか、 あるいはこの両
者を満足し、 必要に応じて更に密度Ｄ(g/cm³）とバルク
抵抗値ρ(mΩcm）が a) 6.20 ≦ Ｄ ≦ 7.23 ， b) −0.0676Ｄ＋0.887 ≧ ρ ≧ −0.0761Ｄ＋0.66
6 ， なる関係式をも同時に満たして成るところの“酸化イン
ジウムと酸化錫を主成分とした原料から粉末冶金法にて
製造されたＩＴＯタ−ゲット”を提供し、 スパッタリン
グ時におけるノジュ−ルや異常放電の発生、 ガス吸着等
を極力抑制して優れた成膜操作安定性並びに膜特性を確
保できるようにした点」に大きな特徴を有している。

【００１４】なお、本発明において、ＩＴＯ焼結タ−ゲ
ットの“平均結晶粒径",“ボイドの状態", "密度Ｄ”及
び“バルク抵抗値ρ”を前記の如き範囲に限定した理由
は次の通りである。

【００１５】(A) 平均結晶粒径 ＩＴＯ焼結タ−ゲットの平均結晶粒径が４μｍ以上で
は、スパッタリング時のノジュ−ル発生量を満足できる
程に抑えることができずに異常放電も十分に抑制され
ず、所望の成膜操業，膜質を確保することができない。
なお、平均結晶粒径が４μｍ以上のＩＴＯ焼結タ−ゲッ
トを仔細に調査すると、タ−ゲット中に存在する平均直
径１０μｍ以上のボイドが多いようにも認められる。こ
れに対して、ＩＴＯ焼結タ−ゲットの平均結晶粒径を特
に４μｍ未満にまで微細化した場合には、タ−ゲット表
面でのノジュ−ル発生や異常放電が激減すると同時にガ
ス吸着量も極めて少なく、成膜操業性や形成される膜質
が顕著に改善される。従って、ＩＴＯ焼結タ−ゲットの
平均結晶粒径を“４μｍ未満”と限定した。

【００１６】なお、一般的な原料を用い従来の考え方に
従って「焼結時間は長いほど良い」として１０時間以上
にも及ぶ焼結を施したのでは、粒成長が起きて焼結後に
平均結晶粒径が４μｍ未満を達成することができない
が、平均粒径のより小さい原料を用い保持時間を“２時
間以下程度”あるいは“０”に設定して焼結を行うこと
で平均結晶粒径が４μｍ未満（この時の最大結晶粒径は
８μｍ止まりである）を達成することが可能になる。

【００１７】(B) ボイドの状態 単位面積当りに存在する平均直径３〜８μｍのボイド数
が９００個/mm²を超えると、スパッタリング時における
ノジュ−ルや異常放電の発生が顕著になり始める上、ス
パッタリング装置のリ−クに起因してタ−ゲット表面に
吸着するガスの量も多くなり、高性能ＩＴＯ膜の安定形
成が困難となるので、好ましくは平均直径３〜８μｍの
ボイド数が９００個/mm²以下となるように調整する。

【００１８】(C) 表面粗さ 表面粗さＲa( JISＢ０６０１で定義される中心線平均粗
さ）が 0.5μｍを超えると、スパッタリング時における
異常放電やノジュ−ルの発生を十分に抑制できなくなる
上、スパッタリング装置のリ−クに起因してタ−ゲット
表面に吸着するガスの量も多くなり、高性能ＩＴＯ膜の
安定形成が困難となるので、好ましくは表面粗さＲa が
0.5μｍ以下となるように調整する。

【００１９】(D) 密度Ｄ及びバルク抵抗値ρ ＩＴＯ焼結タ−ゲットの密度Ｄもスパッタリング時のノ
ジュ−ル，異常放電の発生、更にはタ−ゲット表面のガ
ス吸着量に少なからぬ影響を及ぼすが、そのほか成膜速
度，成膜速度安定性，バルク抵抗値ρとも密接に関連す
るので適正に調整するのが望ましい。そして、タ−ゲッ
トの密度Ｄが6.20g/cm³ を下回ると上記特性への悪影響
が生じ始め、一方、7.23g/cm³ を上回る領域にまでＩＴ
Ｏ焼結タ−ゲットの密度Ｄを上昇させるのは「コ−ルド
プレス・酸素焼結法」によっても非常に困難であって、
コスト的な不利を招く。このため、ＩＴＯ焼結タ−ゲッ
トの密度Ｄは6.20〜7.23g/cm³ に調整するのが良く、よ
り好ましくは6.70g/cm³ 以上とする。

【００２０】また、ＩＴＯ焼結タ−ゲットのバルク抵抗
値ρは、その密度Ｄに大きく依存する傾向があり、例え
ば図１に示されるように密度が高くなると急激に低下す
る傾向を示す。そして、このバルク抵抗値ρが低い程ス
パッタ時におけるア−キングの発生が少ないので好まし
いが、密度6.20〜7.23g/cm³ の領域で ρ ＜ −0.0761Ｄ＋0.666 を達成することは、「コ−ルドプレス・酸素焼結法」に
よっても非常に困難である。一方、ＩＴＯ焼結タ−ゲッ
トのバルク抵抗値ρが ρ ＞ −0.0676Ｄ＋0.887 の領域になるとスパッタ時における異常放電の発生が多
くなって成膜操作の安定性が損なわれるばかりか、成膜
速度も不安定となってスパッタの進行に伴い成膜速度が
低下する現象が著しくなる。従って、ＩＴＯ焼結タ−ゲ
ットのバルク抵抗値ρは −0.0676Ｄ＋0.887 ≧ ρ ≧−0.0761Ｄ＋0.666 の範囲に調整するのが望ましい。なお、本発明係わる
“ＩＴＯ焼結タ−ゲット”の“密度”と“バルク抵抗
値”との関係をグラフで表わすと図２のようになる。

【００２１】なお、本発明に係わるＩＴＯ焼結タ−ゲッ
トの結晶粒径，ボイド状態，表面粗さ，密度並びにバル
ク抵抗値の調整は、先にも一部触れたが、原料粉の特
性，原料粉をプレス成形する際のプレス圧，焼結時の雰
囲気，焼結温度等を調節することによって可能である。

【００２２】ところで、既に述べたように、本発明に係
わるＩＴＯ焼結タ−ゲットは、常法の如く酸化インジウ
ムと酸化錫を主成分とする粉末混合体をプレス成形し焼
結してＩＴＯタ−ゲットを製造する際に、ホットプレス
法やコ−ルドプレス・酸素焼結法を採用すると共に、原
料酸化物粉末（酸化インジウムと酸化錫）の特性を適正
化しかつ結晶粒成長が抑えられる焼結条件を選ぶことに
より得られる。但し、到達密度を始め、種々の点で有利
な“コ−ルドプレス・酸素焼結法”を採用するのが好ま
しいと言える。

【００２３】しかし、コ−ルドプレス・酸素焼結法によ
って高品質のＩＴＯ焼結タ−ゲットが得られる理由は現
在のところ未だ明確ではない。ただ、「焼結をＮ₂ やAr
の如き不活性なガスの雰囲気中で実施した場合にはＩＴ
Ｏの分解が生じて焼結体のボイド数が増加すると共に密
度や性能が低下する」との事実と、大気中であってもＩ
ＴＯは高温に加熱されると酸素を解離し易い性質を有す
ることから、焼結時に酸素加圧することで高温加熱によ
るＩＴＯの解離が効果的に防止されると共に、酸素が焼
結助剤的な働きをしてボイド数の増加抑制，密度向上，
バルク抵抗の低下等に寄与しているのではないかと推測
される。また、加圧酸素雰囲気中での焼結温度は従来の
大気中焼結の場合と同様に１６００〜１７００℃程度が
適当であり、焼結時間は目標とする結晶粒径に応じて適
宜選択される（焼結時間は長いほど結晶粒径は大きくな
るので注意を要する）。

【００２４】次いで、本発明を実施例により比較例と対
比しながら更に具体的に説明する。

【実施例】まず、平均粒径が１μｍの酸化インジウム粉
と同じ粒度の酸化錫粉を重量比で９０：１０もしくは９
５：５となるように均一に混合し、これに成形用バイン
ダ−を加えてから、コ−ルドプレスの場合は金型（１７
２^W ×５５０^L ）へ、ホットプレスの場合はグラファイ
ト型（２３０φ）へそれぞれ均一に充填した。続いて、
次の各工程に従い 「本発明品」, 「比較品１」 及び 「比較
品２」 なるＩＴＯ焼結タ−ゲットを得た。

【００２５】〈本発明品〉金型に充填した原料混合粉
（酸化錫粉：１０wt％）を油圧プレスにて７５０kg/cm²
の圧力で加圧してからこれを８０℃に加熱してバインダ
−中の水分を蒸発させて乾燥し、次いで加圧焼結炉によ
り５気圧（絶対圧）の純酸素ガス雰囲気中にて１６５０
℃で０時間焼結する（即ち、 １６５０℃まで昇温し保持
時間０ですぐに降温する）。次に、得られた焼結体の表
面を平面研削盤で削り、更に側辺をダイヤモンドカッタ
−で切断してタ−ゲット製品とした。このようにして得
られたＩＴＯ焼結タ−ゲット製品は、平均粒径が 3.4μ
ｍ、ボイドの平均直径が２μｍでその数は８００個/mm²
以下、表面粗さＲa については 0.3μｍで、密度は6.86
g/cm³ 、バルク抵抗値は0.16 mΩcmであった。

【００２６】〈比較品１〉金型に充填した原料混合粉
（酸化錫粉：１０wt％）を油圧プレスにて７５０kg/cm²
の圧力で加圧してから、これを８０℃に加熱してバイン
ダ−中の水分を蒸発させて乾燥し、次いで加圧焼結炉に
より５気圧（絶対圧）の純酸素ガス雰囲気中にて１６５
０℃で７時間焼結する。次に、得られた焼結体の表面を
平面研削盤で削り、更に側辺をダイヤモンドカッタ−で
切断してタ−ゲット製品とした。このようにして得られ
たＩＴＯ焼結タ−ゲット製品は、平均粒径が16.1μｍ、
ボイドの平均直径が４μｍでその数は１１００個/mm²、
表面粗さＲa が0.36μｍで、密度は6.95g/cm³ 、バルク
抵抗値は0.18 mΩcmであった。

【００２７】〈比較品２〉金型に充填した原料混合粉
（酸化錫粉：５wt％）を油圧プレスによって７５０kg/c
m²の圧力で加圧してから、これを８０℃に加熱してバイ
ンダ−中の水分を蒸発させて乾燥し、次いで加圧焼結炉
により５気圧（絶対圧）の純酸素ガス雰囲気中にて１６
５０℃で７時間焼結する。次に、得られた焼結体の表面
を平面研削盤で削り、更に側辺をダイヤモンドカッタ−
で切断してタ−ゲット製品とした。このようにして得ら
れたＩＴＯ焼結タ−ゲット製品は、平均粒径が28.0μ
ｍ、ボイドの平均直径が８μｍでその数は８５０個/m
m²、表面粗さＲa が0.42μｍ、密度は6.82g/cm³ 、バル
ク抵抗値は0.28 mΩcmであった。

【００２８】次に、これらのタ−ゲットを用い、バッチ
式スパッタリングマシンによって下記条件でＩＴＯ膜形
成試験を実施し、その際の成膜状況を調査した。 スパッタパワ−： 1.2Ｗ/cm²， ガス圧：５×10^-3Torr， Ｏ₂ 濃度：１％ 。 上記試験結果を表１にまとめて示す。

【００２９】

【表１】

【００３０】また、以下のスパッタリング条件で２５時
間連続放電を行い、３バッチ繰り返して各タ−ゲット表
面におけるノジュ−ルの発生状況を比較した。 漏洩磁束密度：４００Gauss ， スパッタガス圧力：0.5 Ｐa ， Ｏ₂ 濃度：0.67％， スパッタパワ−：0.8 Ｗ／ｃm²。 そして、上記試験を行った結果得られた「積算電力量と
各タ−ゲット表面のノジュ−ル被覆率との関係」を整理
して図３に示したが、この図３からも本発明品は比較品
に比べてノジュ−ルの発生量が約 ¹/₂以下に減少するこ
とが分かる。

【００３１】更に、前記表１及び図３に示される結果か
らは、「比較品」を使用した場合に比べ、「本発明品」
を使用した場合には良好な成膜作業性下で高品質のＩＴ
Ｏ膜を形成できることが明らかである。

【００３２】なお、この実施例において作成した本発明
ＩＴＯ焼結タ−ゲット製品は、平均粒径が４μｍ未満で
あることは勿論、平均直径３〜８μｍのボイド数が９０
０個/mm²以下、表面粗さＲa が 0.5μｍ以下、及び密度
Ｄ（ｇ/cm³）とバルク抵抗値ρ(mΩcm）が 6.20 ≦ Ｄ ≦ 7.23 ， −0.0676Ｄ＋0.887 ≧ ρ ≧ −0.0761Ｄ＋0.666 の何れをも満足するものであったが、「平均粒径とボイ
ド数」あるいは「平均粒径と表面粗さ」の組み合わせで
の条件が本発明の規定を満たすものであれば、その他の
条件（表面粗さ，ボイド数，密度及びバルク抵抗値）が
本発明の規定範囲を外れていても一応満足できる結果と
なることも確認済である。

【００３３】

【効果の総括】以上に説明した如く、この発明によれ
ば、スパッタリング時のノジュ−ル発生や異常放電が少
ない等の優れた特性を有する価格の安いＩＴＯ焼結タ−
ゲットを提供することが可能となり、該タ−ゲットを用
いれば基板上に品質の優れたＩＴＯ膜を作業性良く安定
形成することができるなど、産業上極めて有用な効果が
もたらされる。

【図面の簡単な説明】

【図１】ＩＴＯ焼結タ−ゲットの密度に対するバルク抵
抗の変化傾向を示すグラフである。

【図２】本発明に係わるＩＴＯ焼結タ−ゲットの密度と
バルク抵抗との関係を示したグラフである。

【図３】実施例にて試作したＩＴＯ焼結タ−ゲットの
「使用積算電力量とノジュ−ル被覆率の関係」を比較し
て示したグラフである。

Claims (6)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 酸化インジウムと酸化錫を主成分とした
   原料から粉末冶金法により製造されたＩＴＯスパッタリ
   ングタ−ゲットであって、平均結晶粒径が４μｍ未満で
   あり、かつ単位面積当りに存在する平均直径３〜８μｍ
   のボイド数が９００個/mm²以下に調整されて成ることを
   特徴とする、ＩＴＯスパッタリングタ−ゲット。
2. 【請求項２】 密度Ｄ（ｇ/cm³）とバルク抵抗値ρ(mΩ
   cm）が下記関係式を同時に満たして成ることを特徴とす
   る、請求項１に記載のＩＴＯスパッタリングタ−ゲッ
   ト。 a) 6.20 ≦ Ｄ ≦ 7.23 ， b) −0.0676Ｄ＋0.887 ≧ ρ ≧ −0.0761Ｄ＋0.66
   6 。
3. 【請求項３】 酸化インジウムと酸化錫を主成分とした
   原料から粉末冶金法により製造されたＩＴＯスパッタリ
   ングタ−ゲットであって、平均結晶粒径が４μｍ未満で
   あり、かつ表面粗さＲa が 0.5μｍ以下に調整されて成
   ることを特徴とする、ＩＴＯスパッタリングタ−ゲッ
   ト。
4. 【請求項４】 密度Ｄ（ｇ/cm³）とバルク抵抗値ρ(mΩ
   cm）が下記関係式を同時に満たして成ることを特徴とす
   る、請求項３に記載のＩＴＯスパッタリングタ−ゲッ
   ト。 a) 6.20 ≦ Ｄ ≦ 7.23 ， b) −0.0676Ｄ＋0.887 ≧ ρ ≧ −0.0761Ｄ＋0.66
   6 。
5. 【請求項５】 酸化インジウムと酸化錫を主成分とした
   原料から粉末冶金法により製造されたＩＴＯスパッタリ
   ングタ−ゲットであって、平均結晶粒径が４μｍ未満で
   あり、かつ単位面積当りに存在する平均直径３〜８μｍ
   のボイド数が９００個/mm²以下で、表面粗さＲa が 0.5
   μｍ以下に調整されて成ることを特徴とする、ＩＴＯス
   パッタリングタ−ゲット。
6. 【請求項６】 密度Ｄ（ｇ/cm³）とバルク抵抗値ρ(mΩ
   cm）が下記関係式を同時に満たして成ることを特徴とす
   る、請求項５に記載のＩＴＯスパッタリングタ−ゲッ
   ト。 a) 6.20 ≦ Ｄ ≦ 7.23 ， b) −0.0676Ｄ＋0.887 ≧ ρ ≧ −0.0761Ｄ＋0.66
   6 。