KR20020079422A

KR20020079422A - Ｉｔｏ 스퍼터링 타겟 및 이의 제조 방법

Info

Publication number: KR20020079422A
Application number: KR1020020018055A
Authority: KR
Inventors: 우츠미켄타로우; 나가사키유이치; 데라오카히데키; 쿠로사와사토시
Original assignee: 토소가부시키가이샤
Priority date: 2001-04-06
Filing date: 2002-04-02
Publication date: 2002-10-19
Also published as: JP2002302761A; TWI254083B; JP4918738B2

Abstract

중간화합물상이 원인이 되는 아킹의 발생빈도를 억제하는 구조를 가지는 ITO 스퍼터링 타겟 및 그 제조방법을 제공한다.

상대밀도≥99%, 입방정계 In₂Ｏ₃으로 이루어진 모상 및 In₂Ｏ₃과 ＳｎＯ₂의 중간화합물상으로 이루어진 ITO 소결체를 사용한 타겟에 있어서, 소결체의 임의단면을 SEM으로 관찰했을 때의 중간화합물입자의 타원장단축비≥2.1, 또는 중간화합물입자수의 80%이상이 凹면을 포함한 다각형상인 ITO 타겟으로, In₂Ｏ₃과 ＳｎＯ₂의 분말을 혼합, 성형하여, 1550℃이상 1650℃미만의 순산소기류중에서 소결한 후, 소결유지온도에서 적어도 1300℃까지 200℃/시간 이상의 강온속도로 강하함으로써 얻어진다.

Description

ＩＴＯ 스퍼터링 타겟 및 이의 제조 방법 {ITO sputtering target and the method for manufacturing thereof}

투명도전막인 ITO(Indium Tin Oxide) 박막의 제조방법은, 스프레이 열분해법, CVD법등의 화학적성막법과 전자 빔 증착법, 스퍼터링법등의 물리적 성막법으로 크게 나눌 수 있다. 이 중에서 ITO 타겟을 사용한 스퍼터링법은 대면적화(大面積化)가 용이하며, 얻어지는 막의 저항치 및 투과율의 경시변화가 적으며, 또한 성막조건의 콘트롤이 용이하기 때문에 다양한 분야에서 사용되어 지고 있다.

ITO 박막은 고도전성과 고투과율이 특징이며, 아울러 미세가공도 용이하게 실행할 수 있으므로, 플랫패널 디스플레이(flat panel display)용 표지전극, 태양전지용 창재(窓材), 대전방지막등의 광범위한 분야에 걸쳐 두루 쓰여지고 있다. 특히 액정표시장치를 비롯한 플랫패널 디스플레이 분야에서는 최근 대형화 및 고정세화(高精細化)가 발전하고 있어, 이의 표시용 전극인 ITO 박막에 대한 저(低) 파티클(particle)화의 요구가 높아 가고 있는 실정이다.

기판의 파티클 흡착량은 스퍼터링중의 아킹(arcing)의 발생빈도와 밀접한 관계에 있으며, 파티클의 저감에서는 아킹을 저감시키는 것이 유효하다.

아킹의 저감에는 스퍼터링 타겟에 사용하는 ITO 소결체의 밀도향상이 유효하며, 밀도향상의 방법으로서는, 예를 들어, 특개평 3-207858호등과 같이 산소 가압 소결을 행하는 방법이나, 특개평 8-096399호등과 같이 미세 산화 주석 분말을 이용하는 방법등이 알려져 있다.

또한, 고밀도화시킨 후에 소결체 중의 중간화합물상(산화 인듐과 산화 주석과의 복합산화물상이며, 주석이 고용(固溶)된 산화 인듐상과는 상이)을 저감시키는 방법도 개시되어 있다. 예를 들면, 특개평 06-158308호 공보 및 특개평 07-166341호 공보에는 상대밀도가 90%이상인 단상구조(SnO₂상 및 중간화합물상이 면적비로 10%이하)를 가지고 있으며, 비저항을 1 ×10^-3Ωㆍ㎝이하로 한 ITO 스퍼터링 타겟이 개시되어 있다.

이러한 타겟은, 아킹에 의한 막특성의 균일성 악화의 방지와 아킹이 원인이되어 형성되는 타겟 표면의 흑화(黑化)에 의한 박막저항의 증가방지를 목적으로 하고 있으며, 주석량을 2∼6중량%로 저감하여 평균 입경 0.1㎛이하의 산화 인듐-산화 주석 복합분말을 프레스 성형한 후, 1∼10 기압의 가압산소 분위기중 1500∼1700℃에서 소결함으로써 얻을 수 있다.

그러나, ITO박막에서 요구되는 성능은 나날이 높아지는 한편, 코스트 저감도 강하게 요구되어지므로, 더욱 개량이 필요 되어지고 있는 상황이다.

도 1은 실시예 1에서 얻어진 ITO 스퍼터링 타겟의 표면구조를 나타낸 도이다.

도 2는 도 1에서의 중간화합물입자에 상당하는 부분을 검게 나타낸 도이다.

도 3은 비교예 1에서 얻어진 ITO 스퍼터링 타겟의 표면구조를 나타내는 도이다.

도 4는 도 3에서의 중간화합물입자에 상당하는 부분을 검게 나타낸 도이다.

본 발명자들은, 상대밀도 99%이상의 소결체로 이루어진 ITO　스퍼터링 타겟의 아킹의 발생빈도의 저감책에 대하여 예의 검토를 행하여, 아킹 발생빈도는, 해당 중간화합물상의 현상과 밀접한 상관관계가 있어, 임의의 단면을 주사형전자현미경(SEM)으로 관찰되는 중간화합물입자의 타원장단축비를 2.1이상으로 함으로써, 또는 이의 형상이 凹면을 포함하는 다각형상으로 함으로써 발생빈도를 저감할 수 있다는 것을 발견하였다.

즉, 본 발명은, 산화 인듐 분말과 산화 주석 분말을 혼합, 성형, 소성(燒成)하여 얻어지는 ITO 소결체로 이루어진 스퍼터링 타겟에 있어서, 그 상대밀도가 99%이상으로, 소결체가 입방정계(立方晶系) 산화인듐으로 이루어진 모상(母相)과, 산화인듐과 산화주석의 중간화합물상과의 2상구조로 이루어지고, ①소결체의 임의의단면을 SEM으로 관찰되는 중간화합물입자의 타원장단축비가 2.1이상인 ITO 스퍼터링 타겟, 또는, ②소결체의 임의의 단면을 SEM을 이용하여 관찰되는 중간화합물입자의 80%이상이 凹면을 포함하는 다각형상인 ITO 스퍼터링 타겟, 및 ③산화인듐 분말과 산화 주석 분말을 혼합, 형성하여 1550℃이상, 1650℃미만의 순산소기류중에서 소결한 후, 소결유지온도로부터 적어도 1300℃까지의 강온속도를 200℃/시간 이상으로 하는 것을 특징으로 하는 ITO 스퍼터링 타겟의 제조방법에 관한 것이다.

이하, 본 발명을 상세하게 설명한다.

본 발명의 ITO 스퍼터링 타겟은, 예를 들면, 이하의 방법으로 제조할 수 있다. 우선, 산화인듐 분말과 산화주석 분말을 이상(所望)의 비율로 볼밀(ball mill)용 통(pot)에 투입하여, 건식 또는 습식 혼합하여 혼합분말을 조제한다. 사용하는 분말의 평균입경은 1.5㎛이하인 것이 바람직하며, 더욱 바람직하게는 0.1㎛이상, 1.5㎛이하이다. 이와 같은 분말을 사용함으로써, 소결체의 밀도 증가 효과를 얻을 수 있다.

본 발명에서는, 혼합분말중의 산화주석의 함유량은, SnO₂/(In₂O₃+SnO₂)로서, 8중량% 이상, 15중량% 미만으로 하는 것이 바람직하다. 이렇게 함으로써, 스퍼터링 법에 의해 제막한 때에 얻을 수 있는 박막의 저항률이 저하한다.

이렇게 하여 얻어진 분말을 프레스법 또는 주입법 등의 성형법으로 성형하여 ITO 성형체를 제조한다. 프레스 성형에 의해 성형체를 제조하는 경우에는 소정의 크기의 금형에 혼합분말을 충진한 후, 압축기를 이용하여 100∼300㎏/㎠의 압력으로 압을 가하여 성형체를 만든다. 이 때, 필요에 따라 PVA등의 바인더를 첨가해도좋다. 한편, 주입법으로 성형체를 제조하는 경우에는 혼합분말을 물과 바인더 및 분산제와 같이 혼합하여 슬러리화하고, 이와 같이 얻어진 50∼5000 센티포아즈(cP)의 점도를 가진 슬러리를 주입 성형용의 형에 주입하여 성형체를 제조한다.

다음은, 이와 같이 얻어진 성형체는, 필요에 따라 냉간등방압 프레스(CIP)에 의한 처리한다. 이 때, CIP의 압력은 충분한 압밀효과를 얻기 위해 1ton/㎠이상, 바람직하게는 2∼5ton/㎠인 것이 바람직하다.

성형을 주입법에 의해 실행한 경우에는, CIP후의 성형체중에 잔존하는 수분 및 바인더등의 유기물을 제거하기 위하여 300∼500℃의 온도에서 5∼20시간정도 건조처리 및 탈(脫)바인더처리를 실시하는 것이 바람직하다. 또한, 성형을 프레스법에 의해 처리했을 경우에도, 성형할 때에 바인더를 사용했을 때에는, 위와같은 탈바인더 처리를 하는 것이 바람직하다.

다음, 이와 같이 얻어진 성형체를 소결을 행한다. 승온속도에 대해서는 특별한 제한은 없지만, 소결시간의 단축과 균열방지의 관점에서, 10∼400℃/시간으로 하는 것이 바람직하다.

본 발명에 있어서는, 이후의 온도 프로화일이 중요하다.

소결 유지온도는, 1550℃ 이상, 1650℃ 미만, 바람직하게는 1580℃이상 1620℃이하로 한다. 이렇게 함으로써, 산화인듐 격자중에의 산화주석의 고용(固溶)이, 저온에서의 고용한계를 초과하여 촉진된다.

유지시간은 5시간이상, 바람직하게는 5∼30 시간인 것이 바람직하다. 이와같이 함으로써, 고밀도의 소결체가 얻어지기 쉽게 된다.

강온(降溫)은, 적어도 1300℃까지는 200℃/시간 이상의 강온속도로 강온한다. 바람직하게는 250℃/시간이상, 더욱 바람직하게는 300℃/시간 이상으로 한다. 또한, 여기에서의 강온속도는, 소결시의 로의 온도패턴의 설정치가 아니라, 소결로내의 온도를 말한다. 강온온도의 상한치에 대해서는 특히 규정되어 있지 않지만, 소결체의 균열방지를 고려하면, 500℃/시간 이하가 바람직하다. 고온영역에서 저온에서의 고용 한계 이상으로 고용되어 있던 산화주석은 이 강온과정에서 석출되어 중간화합물을 형성하지만, 상기와 같은 강온속도로 설정함으로써 석출량을 저감시킬 수 있음과 동시에, 임의의 단면을 SEM에서 관찰했을 때에 관찰되는 중간화합물상입자의 타원장단축비가 2.1이상으로 凹면을 포함하는 다각형상으로 된다.

본 발명의 ITO 스퍼터링 타겟의 표면구조를 SEM에 의해 조사한 결과를 도 1에, 이 SEM 상에서 중간화합물입자에 상당하는 부분을 검게 표시해 놓은 것을 도 2에 나타내었다. 본 발명에서의 凹면을 포함하는 입자라는 것은, 도 1 및 도 2에 나타난 바와같이, 입자의 윤곽선의 적어도 일부분에 凹면을 포함하고 있는 것을 의미한다. 또한, 본 발명의 凹면을 포함하는 다각형상인 ITO 스퍼터링 타겟이라는 함은, 중간화합물입자 중 80%(개수환산)이상이 凹면을 포함하고 있는 것을 의미한다.

중간화합물상을 이러한 형상으로 하는 것에 의하여, 효과적으로 스퍼터링중의 아킹을 억제할 수 있다. 이러같은 현상의 메카니즘에 대해서는 명백히 밝혀진 바가 없으나, 상기와 같이 고온에서 소성한 후, 급격하게 냉각하여 상기와 같이 형상의 중간화합물상을 형성함으로써 재현성이 좋게 아킹을 억제할 수 있는 것이 가능하게 된다.

1550℃이상에서 소결을 하지 않을 경우에는, SEM에 의해 관찰되어지는 중간화합물의 형상은, 원형에 가깝고 凹면을 가지고 있지 않은 것이 주를 이루게 되며, 타원장단축비도 2.1보다 작은 수치로 된다. 또한, 200℃/시간 이상급냉을 하지 않았을 경우에는, 타원장단축비가 2.1이상으로 凹면을 갖는 중간화합물이 그 주가 되지 못하고, 또한 중간화합물상의 석출량이 많아짐과 동시에 중간화합물입자의 평균단면적이 5 ㎛²을 초과해 버리기 때문에, 아킹의 저감효과를 얻을 수 없다.

1300℃미만으로 된 후의 강온속도는, 소결체의 균열 방지를 위하여, 100℃/시간 이하로 하는 것이 바람직하다. 1200℃이하로 된 후에 강온속도를 늦추면 보다 바람직하다. 강온속도를 늦추는 온도 설정 및 강온속도의 선택은 소결로의 용량, 소결체 사이즈 및 형상, 균열정도등을 고려하여 결정하면 좋다.

소결시의 분위기는, 산소기류중으로 하고, 소결시 로 내에서 산소를 도입할 때의 산소유량(L/min)과 성형체사입량(㎏)의 비(사입중량/산소유량)을 1.0이하로 한다. 이렇게 함으로써 고밀도의 소결체를 얻기 쉽게 된다.

본 발명에 관련된 중간화합물입자의 타원장단축비, 형상 및 평균단면적의 측정방법은, 예를 들면, 다음과 같이 실행하면 좋다. 우선, ITO 소결체를 적당한 크기로 절단한 후, 표면연마를 행한다. FE(Field Emission)-SEM등을 사용하여 소결체 표면의 사진을 찍는 것과 동시에, 하나하나의 입자의 정량 분석을 하여, Sn이 고용한 산화 인듐상과 중간화합물상으로 분류한다.

다음, 결정상의 분류되어진 SEM상을 컴퓨터에 입력하여 화상 해석을 행한다. 본 발명에서는, Media Cybernetics사 제조, Image-Pro Plus 소프트를 이용하여 측정했다.

중간화합물상의 타원장단축비는, 측정대칭입자의 상당타원(대칭입자와 동면적이면서 물리학에서 말하는 1차 및 2차 모멘트가 동일한 타원)의 장축장과 단축장의 비율(장축/단축)로 구했다.

凹면을 포함하는 다각형상에 대해서는, 정량분석의 결과, 중간화합물과 동정된 입자의 형상을 SEM사진상에서 눈으로 직접 관찰했다.

평균단면적은, 정량분석의 결과, 중간화합물과 동정된 입자의 면적의 합계(S)를 입자의 수(n)로 나누어 구했다.

본 발명에서는 상대밀도가 높을수록 아킹의 저감효과를 얻을 수 있기 때문에, 99.5%이상이 바람직하다. 더욱 바람직하게는 99.7%이며, 특히 바람직하게는 99.8%이상이다.

또한, 본 발명에서 말하는 상대밀도 (D)란, In₂Ｏ₃과 ＳｎＯ₂의 진밀도(眞密度)의 상가(相加)평균으로 구할 수 있는 이론밀도(d)에 대한 상대치이다. 상가평균으로 이론밀도(d)는, 타겟 조성에 있어서 In₂Ｏ₃과 ＳｎＯ₂분말의 혼합량을 ａ，ｂ（ｇ）라고 했을 때, 각각의 진밀도 7.18, 6.95(ｇ／㎤）를 이용하여,

ｄ＝ (a+b) / ( (a / 7.18) + (b / 6.95) )

에 의하여 구할 수 있다. 소결체의 측정밀도를 d1이라고 할 때, 그 상대밀도는,

식:D = d1 / d × 100 (%)

로 구할 수 있다.

다음은, 얻어진 소결체를 원하는 형상으로 연삭가공을 한 후, 필요에 따라 무산소구리 등으로 이루어진 백킹 플레이트에 인듐 반전(半田)등을 사용하여 접합함으로써 본 발명의 ITO 스퍼터링 타겟을 얻을 수 있다.

얻어진 타겟을 스퍼터링 장치내에 설치하여, 아르곤 등의 불활성가스와 필요에 따라 산소가스를 스퍼터링 가스로서 사용하여, dc 또는 rf 전계를 인가하여 스퍼터링를 실행함으로써 원하는 기판 상에 ITO 박막을 형성할 수 있으며, 그 때 아킹의 발생량이 저감된다는 본 발명의 효과가 나타난다.

<실시예>

(실시예 1)

평균입경 0.5㎛의 산화 인듐 분말 90중량부와 평균입경 0.5㎛의 산화 주석 분말 10중량부를 폴리에틸렌제의 통에 넣어, 건식 볼밀에 의해 72시간 혼합하여, 혼합분말을 조제했다. 상기 혼합분말의 탭 밀도를 측정한 바 2.0g/㎤였다.

이 혼합분말을 금형에 넣어, 300㎏/㎠의 압력으로 프레스하여 성형체로 만들었다. 이 성형체를 3ton/㎠의 압력에서 CIP에 의한 처리를 행하였다. 다음, 이 성형체를 순산소분위기 소결로내에 설치하여, 이하의 조건으로 소결하였다.

(소결 조건)

승온 속도 : 100℃/시간, 소결 온도 : 1600℃, 소결 시간 : 6시간, 분위기 : 승온시 800℃에서 강온시 400℃까지 순산소가스를 로 내에, (사입중량 / 산소유량) = 0.8로 도입, 강온온도 : 1600℃에서 1200℃까지는 400℃/시간, 이후 50℃/시간으로 하여 얻어진 소결체의 밀도를 아르키메데스 법으로 측정했다. 결과를 표 1에 나타내었다.

이 소결체에서 습식가공에 의해 5 ×7인치 두께 6㎜의 타겟용 소결체와 SEM분석용의 샘플을 추출하였다.

이 샘플의 표면구조를 SEM으로 측정한 결과를 도 1에, 도 1에 있어서의 중간화합물부분이 검게 나타난 부분을 도 2에 나타내었다. 또한, 밀도, 중간화합물입자의 타원장단축비, 형상 및 평균단면적을 측정한 결과를 표1에 나타내었다.

한편, 타겟용 소결체를 인듐 반전을 이용하여 무산소구리제의 백킹 플레이트에 본딩하여 타겟을 만들었다. 이 타겟을 이하의 스퍼터링 조건에서 연속방전시켜 아킹의 발생량을 조사하였다.

(스퍼터링조건)

DC전력:300W, 가스압:7.0mTorr, 스퍼터링가스:Ar+산소, 스퍼터링가스중의 산소가스농도(O₂/Ar):0.05%, 방전시간:66시간(타겟의 잔후(殘厚)는 약1㎜) 여기에서, 산소가스농도는, 얻어질 수 있는 박막의 저항률이 가장 저하하는 수치로 설정하였다.

66시간 연속방전할 때의 적산 아킹의 발생회수를 표 1에 나타내었다. 적산 아킹의 발생회수는 근소하였다.

(실시예 2)

1600℃에서 1200℃까지의 강온속도를, 350℃/시간으로 한 이외에는, 실시예 1과 동일한 방법으로 ITO 타겟과 분석용 샘플을 제작하였다.

밀도, 중간화합물입자의 타원장단축비, 형상 및 평균단면적을 측정한 결과를표 1에 나타내었다.

또한, 실시예 1과 같은 연속방전시험을 실시한 결과를 표 1에 나타내었다. 적산 아킹의 발생회수는 근소하였다.

(실시예3)

1600℃에서 1200℃까지의 강온온도를, 300℃/시간으로 한 이외에는, 실시예 1과 같은 방법으로 ITO 타겟과 분석용 샘플을 제작하였다.

밀도와 중간화합물입자의 타원장단축비, 형상 및 평균단면적을 측정한 결과를 표1에 나타내었다.

또한, 실시예 1과 같은 방법으로 연속방전시험을 실시한 결과를 표1에 나타내었다. 적산 아킹의 발생회수는 근소하였다.

(실시예4)

1600℃에서 1200℃까지의 강온온도를, 200℃/시간으로 한 이외에는, 실시예 1과 같은 방법으로 ITO 타겟과 분석용 샘플을 제작하였다.

밀도, 중간화합물입자의 타원장단축비, 형상 및 평균단면적을 측정한 결과를 표 1에 나타내었다.

또한, 실시예 1과 같은 방법으로 연속방전시험을 실시한 결과를 표 1에 나타내었다. 적산 아킹의 발생회수는 근소하였다.

(실시예5)

1600℃에서 1300℃까지의 강온온도를, 400℃/시간, 이후 50℃/시간으로 한 이외에는, 실시예 1과 같은 방법으로 ITO 타겟과 분석용 샘플을 제작하였다.

(비교예1)

소결온도를 1500℃, 1500℃에서 1200℃까지의 강온온도를 400℃/시간으로 한 이외에는, 실시예 1과 같은 방법으로 ITO 타겟과 분석용 샘플을 제작하였다.

이 분석용 샘플의 표면구조를 SEM으로 측정한 결과를 도 3에, 도 3에 서의 중간화합물부분이 검게 나타난 것을 도 4에 나타내었다. 또한, 밀도, 중간화합물입자의 타원장단축비, 형상 및 평균단면적을 측정한 결과를 표 1에 나타내었다. 또한, 실시예 1과 같은 방법으로 연속방전시험을 실시한 결과를 표 1에 나타내었다. 다량의 아킹이 발생하였다.

(비교예2)

1600℃에서 1200℃까지의 강온온도를 100℃/시간으로 한 이외에는, 실시예 1과 같은 방법으로 ITO 타겟과 분석용 샘플을 제작하였다.

밀도, 중간화합물입자의 타원장단축비, 형상 및 평균단면적을 측정한 결과를 표1에 나타내었다. 또한, 실시예 1과 같은 방법으로 연속방전시험을 실시한 결과를 표 1에 나타내었다. 다량의 아킹이 발생하였다.

(비교예3)

소결온도를 1500℃, 1500℃에서 1200℃까지의 강온온도를 100℃/시간으로 한이외에는, 실시예 1과 같은 방법으로 ITO 타겟과 분석용 샘플을 제작하였다.

	밀도(%)	타원장단축비	凹면존재비	평균단면적(μm²)	적산아킹(회)
실시예 1	99.7	2.17	87	3.72	121
실시예 2	99.7	2.16	86	3.85	133
실시예 3	99.8	2.15	85	4.03	155
실시예 4	99.8	2.12	83	4.88	192
실시예 5	99.8	2.16	86	3.81	131
비교예 1	99.7	1.7	70	6.21	375
비교예 2	99.8	2.02	78	7.15	398
비교예 3	99.8	1.6	69	5.01	366

본 발명에 의하여, 아킹의 발생이 적게 되고, 기판상에 파티클의 부착을 줄일 수 있는 ITO 스퍼터링 타겟을 제공할 수 있다.

Claims

산화　인듐　분말과 산화　주석　분말을 혼합, 성형, 소성하여 얻어지는 ITO소결체로 이루어지는 스퍼터링 타겟에 있어서, 그 상대밀도가 99% 이상으로, 소결체가 입방정계 산화 인듐으로 이루어지는 모상과, 산화 인듐과 산화 주석과의 중간화합물상과의 2상 구조오 이루어지고, 결정체의 임의의 단면을 주사형 전자현미경을 사용하여 관찰되는 상기 중간화합물상 입자의 타원장단축비가 2.1이상인 것을 특징으로 하는 ITO 스퍼터링 타겟.
산화 인듐 분말과 산화 주석 분말을 혼합, 성형, 소성하여 얻어지는 ITO 소결체로 이루어지는 스퍼터링 타겟에 있어서, 그 상대밀도가 99% 이상으로, 소결체가 입방정계 산화 인듐으로 이루어지는 모상과, 산화인듐과 산화주석과의 중간화합물상과의 2상 구조로 이루어지고, 결정체의 임의의 단면을 주사형 전자현미경을 사용하여 관찰되는 상기 중간화합물상 입자 개수의 80% 이상이, 凹면을 포함하는 다각형상인 것을 특징으로 하는 ITO 스퍼터링 타겟.
제 1항 또는 제 2항에 있어서, 상기 중간화합물상입자의 평균단면적이 5㎛²이하인 것을 특징으로 ITO 스퍼터링 타겟.
제 1항 내지 제 3항의 어느 하나의 항에 있어서, 소결체 중의 주석 함유량이 Sn / (In + Sn) ×100% 로서, 7.7 중량%이상 14.4 중량%미만인 것을 특징으로 하는 스퍼터링 타겟.
산화 인듐 분말과 산화 주석 분말을 혼합, 성형하여 1550℃ 이상 1650℃ 미만의 순산소 기류중에서 소결한 후, 소결유지온도에서 적어도 1300℃ 까지 강온속도를 200℃/시간 이상으로 하는 것을 특징으로 하는 ITO 스퍼터링 타겟의 제조방법.
제 5항에 있어서, 산화인듐 분말과 산화주석 분말을, 산화물 환산으로 산화주석이 8 중량% 이상 15 중량% 미만으로 하는 비율로 혼합하는 것을 특징으로 하는 ITO 스퍼터링 타겟의 제조방법.
제 5항 또는 제 6항에 있어서, 소결시에 로 내에서 산소를 도입할 때의 산소유량(L/min)과 성형체 사입량(㎏)의 비(사입중량/산소유량)가 1.0 이하인 것을 특징으로 하는 ITO 스퍼터링 타겟의 제조방법.