JP5418572B2 - Itoターゲット - Google Patents
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Description
d=(a+b)/((a/7.18)+(b/6.95))
により求められる。そして、焼結体のアルキメデス法によって求められた測定密度をd1とすると、その焼結密度は、
D=d1/d×100(%)
で求められる。
平均粒径0.5μmの酸化インジウム粉末90重量部と平均粒径0.5μmの酸化スズ粉末10重量部とをポリエチレン製のポットに入れ、乾式ボールミルにより72時間混合し、混合粉末を調製した。得られた粉末に、水、分散剤およびバインダを添加してスラリー化した。得られたスラリーの粘度は1000cpであった。次に得られたスラリーに対してホモジナイザーを用いて20kHz600Wの超音波を印加した。スラリー作製から10分後、このスラリーを鋳込み成形用の鋳型に鋳込んで厚さ14mmの成形体を作製した。この成形体を3ton/cm2の圧力でCIPによる処理を行った。次にこの成形体を純酸素雰囲気焼結炉内に設置して、以下の条件で焼結した。
昇温速度:100℃/時間、
焼結温度:1600℃、
焼結時間:6時間、
焼結時の雰囲気:昇温時800℃から降温時400℃まで純酸素ガスを炉内に、
(仕込重量(kg)/酸素流量(L/min))=0.8で導入、
降温速度:1600℃から1200℃までは、100℃/時間、以降50℃/時間
得られた焼結体の板厚は10.4mmであり、アルキメデス法により測定した密度を表1に示した。
DC電力:300W、
ガス圧:7.0mTorr、
スパッタリングガス:Ar+酸素、
スパッタリングガス中の酸素ガス濃度(O2/Ar):0.05%、
放電時間:120時間(ターゲットの残厚は約1mm)
ここで、酸素ガス濃度は、得られる薄膜の抵抗率が最も低下する値に設定した。
実施例1と同じ方法で超音波処理済みのスラリーを作製した。スラリー作製から10分後、このスラリーをスプレードライヤーで乾燥してプレス成形用粉末を調製した。
超音波による処理を行わなかった以外は、実施例1と同じ方法でITO焼結体を作製した。得られた焼結体の板厚は10.5mmであった。アルキメデス法により測定した密度を表1に示す。
超音波による処理を行わなかった以外は、実施例2と同じ方法でITO焼結体を作製した。得られた焼結体の板厚は10.5mmであった。アルキメデス法により測定した密度を表1に示す。
Claims (1)
- 直径10μm以上の酸化スズの凝集粒子数が0.27mm2あたり1個以下であり、かつ厚さが10mm以上である、実質的にインジウム、スズおよび酸素からなる、焼結密度が99.0%以上である焼結体を有するスパッタリングターゲット。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2011246470A JP5418572B2 (ja) | 2011-11-10 | 2011-11-10 | Itoターゲット |
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Publications (2)
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH07188912A (ja) * | 1993-12-27 | 1995-07-25 | Tosoh Corp | Ito粉末、ito焼結体およびその製造方法 |
US6033620A (en) * | 1995-04-18 | 2000-03-07 | Tosoh Corporation | Process of preparing high-density sintered ITO compact and sputtering target |
JP2001099789A (ja) * | 1999-10-04 | 2001-04-13 | Tosoh Corp | 焼結体の観察法、ito焼結体、itoスパッタリングターゲット及びito焼結体の製造法 |
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2011
- 2011-11-10 JP JP2011246470A patent/JP5418572B2/ja not_active Expired - Lifetime
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JP2012026042A (ja) | 2012-02-09 |
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