JP4894293B2 - 導電性セラミックス焼結体及びスパッタリングターゲット並びにその製造方法 - Google Patents
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Description
厚さ方向の密度差(%)={(密度が最大の部位の密度)−(密度が最小の部位の密度)}/(密度が最大の部位の密度)×100
本発明の導電性セラミックス焼結体の焼結体全体の平均焼結密度は相対密度で98%以上であることが好ましい。相対密度が98%未満であるとアーキングが多くなる傾向がある。焼結密度が高いほどアーキング低減効果が得られるため、焼結体の相対密度は99%以上、さらには99.5%以上であることが好ましい。特に、被スパッタ面に平行な面を板面とする薄い(例えば2mm)板状の試料片を用いて測定した焼結密度が相対密度で97%未満になると、アーキングが顕著になることから、相対密度が97%未満の部分を有さない焼結体であることが好ましい。そのような導電性セラミックス焼結体であるためには、少なくとも、焼結体全体の平均焼結密度が相対密度で98%以上であり、かつ、厚さ方向の密度差が1%以内であることが好ましい。なお、相対密度(D)とは、例えば、ITO焼結体の場合、In2O3とSnO2の真密度の相加平均から求められる理論密度(dITO)に対する相対値を示している。相加平均から求められる理論密度(d)とは、ターゲット組成において、In2O3とSnO2粉末の混合量をa(g)とb(g)とした時、それぞれの真密度7.18(g/cm3)、6.95(g/cm3)を用いて、d=(a+b)/((a/7.18)+(b/6.95))により求められる。焼結体の測定密度をd1とすると、その相対密度Dは、D=d1/dITO×100(%)で求められる。
(1)焼結体密度:アルキメデス法により測定した。
(2)厚さ方向の密度差:焼結体を厚み方向に上部、中央部、下部に3等分し、それぞれの焼結体密度をアルキメデス法で測定する。そして、以下に示す式より算出した。
・厚さ方向の密度差(%)={(密度が最大の部位の密度)−(密度が最小の部位の密度)}/(密度が最大の部位の密度)×100
(3)焼結粒径:SEM写真からコード法によりコード径を算出した。測定した焼結粒子の個数は300個以上とした。
(4)バルク抵抗:焼結体のバルク抵抗は四探針法により測定した。
(5)放電評価:以下の条件にて、60時間連続放電した際の積算アーキング発生回数を測定した。評価条件を同一にするため、得られた焼結体の上下の部分をほぼ同量研削除去して厚みを9mmとした。焼結体の上下の部分を除去することで、もっとも密度が低い部分にて放電評価することとなり、放電特性の良好なサンプルほど厚みが増した時も特性が良好で、寿命が長いことになる。
(スパッタリング条件)DC電力:300W、ガス圧:7.0mTorr、スパッタリングガス:Ar+酸素、スパッタリングガス中の酸素ガス濃度(O2/Ar):0.05%、放電時間:60時間、ここで、酸素ガス濃度は、得られる薄膜の抵抗率が最も低下する値に設定した。
平均粒径0.5μmの酸化インジウム粉末90重量部と平均粒径0.5μmの酸化スズ粉末10重量部とをポリエチレン製のポットに入れ、乾式ボールミルにより20時間混合し、混合粉末を調製した。前記混合粉末のタップ密度を測定したところ2.1g/cm3であった。
(焼結条件)昇温速度:200℃/時間、焼結温度:1300℃、焼結時間:1時間、雰囲気:昇温時の室温から降温時の100℃まで純酸素ガスを炉内に、(仕込重量/酸素流量)=0.8で導入、降温速度:焼成温度から1200℃までは、200℃/時間、以降100℃/時間。
昇温速度を300℃/h、焼成温度を1400℃とした以外は実施例1と同様の方法で焼結体を得た。得られた焼結体の密度、厚み方向の密度差、焼結粒径、バルク抵抗を測定した。結果を表1に示す。焼結体の厚み方向の密度差の小さな高密度な焼結体が得られた。
実施例1と同様にして、厚さ9mmのターゲット用焼結体を作製してターゲットを得、連続放電試験を実施した。結果を表1に示す。積算アーキング発生回数は僅かであった。
昇温速度を600℃/h、焼成温度を1500℃、保持時間を0.25時間とした以外は実施例1と同様の方法で、焼結体を得た。得られた焼結体の密度、厚み方向の密度差、焼結粒径、バルク抵抗を測定した。結果を表1に示す。焼結体の厚み方向の密度差の小さな高密度な焼結体が得られた。
ITO焼結体で作成したセッタの上に成形体を設置し、昇温速度を400℃/h、焼成温度を1600℃、保持時間を0.25時間とした以外は実施例1と同様の方法で、焼結体を得た。得られた焼結体の密度、厚み方向の密度差、焼結粒径、バルク抵抗を測定した。結果を表1に示す。焼結体の厚み方向の密度差の小さな高密度な焼結体が得られた。
実施例1と同様にして、厚さ9mmのターゲット用焼結体を作製してターゲットを得、連続放電試験を実施した。結果を表1に示す。積算アーキング発生回数は僅かであった。
実施例1と同様にして得られた成形体をミリ波焼成炉(周波数=28GHz)に設置して、昇温速度を300℃/h、焼成温度を1250℃、保持時間を2時間とした以外は実施例1と同様の方法で、焼結体を得た。得られた焼結体の密度、厚み方向の密度差、焼結粒径、バルク抵抗を測定した。結果を表1に示す。焼結体の厚み方向の密度差の小さな高密度な焼結体が得られた。
実施例1と同様にして得られた成形体をミリ波焼成炉(周波数=28GHz)に設置して、昇温速度を300℃/h、焼成温度を1500℃、保持時間を0.25時間とした以外は実施例1と同様の方法で、焼結体を得た。得られた焼結体の密度、厚み方向の密度差、焼結粒径、バルク抵抗を測定した。結果を表1に示す。焼結体の厚み方向の密度差の小さな高密度な焼結体が得られた。焼結体の厚み方向の密度差の小さな高密度な焼結体が得られた。
平均粒径0.8μmの酸化亜鉛粉末98重量部と平均粒径0.3μmの酸化アルミニウム粉末2重量部とをポリエチレン製のポットに入れ、乾式ボールミルにより24時間混合し、混合粉末を調製した。この混合粉末を金型に入れ、300kg/cm2の圧力でプレスして成形体とした。この成形体を3ton/cm2の圧力でCIPによる処理を行った。
(焼結条件)昇温速度:300℃/時間、焼結温度:1400℃、焼結時間:1時間、雰囲気:昇温時の室温から降温時の100℃まで純窒素ガスを炉内に、(仕込重量/窒素流量)=0.8で導入、降温速度:100℃/時間。
焼結体厚みで15mmとなるITO成形体を用意し、発熱体としてモリブデンシリサイドを使用する外部加熱型焼成炉に設置して、昇温速度を300℃/h、焼成温度を1400℃、保持時間を1時間とした以外は実施例1と同様の方法で焼結体を得た。得られた焼結体の密度、厚み方向の密度差、焼結粒径を測定した。結果を表1に示す。得られた焼結体の厚み方向の密度差は1.2%と大きなものであった。
ITO成形体として、焼結体厚みで8mmと15mmの2種類を用意し、発熱体としてモリブデンシリサイドを使用する外部加熱型焼成炉に設置して、昇温速度を室温から800℃までは100℃/h、800℃から25℃/h、焼成温度を1600℃、保持時間を5時間とした以外は実施例1と同様の方法で焼結体を得た。得られた焼結体の密度、厚み方向の密度差、焼結粒径を測定した。結果を表1に示す。得られた焼結体の厚み方向の密度差は8mm、15mm厚みの焼結体ともに小さかったが、焼結粒径がともに大きくなった。
Claims (7)
- 原料粉末の成形体を電磁波加熱によって焼結することを特徴とする、厚さが10mm以上、焼結粒径が0.5μm以上2μm以下であり、焼結体全体の平均焼結密度が相対密度で99%以上であるITO又はAZO焼結体の製造方法。
- 原料粉末の成形体を電磁波加熱によって焼結することを特徴とする、焼結粒径が0.5μm以上2μm以下であり、厚さが10mm以上であり、かつ、厚さ方向の焼結密度の密度差が1%以下であるITO又はAZO焼結体の製造方法。
- 焼結体全体の平均焼結密度が相対密度で99%以上であることを特徴とする請求項2に記載のITO又はAZO焼結体の製造方法。
- バルク抵抗が1×10−2Ω・cm以下であることを特徴とする請求項1〜3のいずれか1項に記載のITO又はAZO焼結体の製造方法。
- 周波数2.45GHzのマイクロ波焼成炉又は周波数28GHzのミリ波焼成炉を用いて電磁波加熱を行うことを特徴とする請求項1〜4いずれかに記載のITO又はAZO焼結体の製造方法。
- 作成されるITO又はAZO焼結体と同一組成の焼結体をセッタとして使用することを特徴とする請求項1〜5いずれかに記載のITO又はAZO焼結体の製造方法。
- 作成されるITO又はAZO焼結体と同一組成の焼結体を等温断熱壁として使用することを特徴とする請求項1〜6いずれかに記載のITO又はAZO焼結体の製造方法。
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