JP2010111560A - 酸化亜鉛焼結体及びそれを用いたスパッタリングターゲット - Google Patents
酸化亜鉛焼結体及びそれを用いたスパッタリングターゲット Download PDFInfo
- Publication number
- JP2010111560A JP2010111560A JP2008288258A JP2008288258A JP2010111560A JP 2010111560 A JP2010111560 A JP 2010111560A JP 2008288258 A JP2008288258 A JP 2008288258A JP 2008288258 A JP2008288258 A JP 2008288258A JP 2010111560 A JP2010111560 A JP 2010111560A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- zinc oxide
- zno
- sintered body
- znal
- oxide sintered
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
【解決手段】ZnOを主体とし、ZnOの粒界及び粒子内に存在するAl2O3と、ZnOとAl2O3の反応により生成し、ZnOの粒界及び粒子内に存在するZnAl2O4とからなり、ZnOの平均粒径D1とZnAl2O4の平均粒径D2との比D1/D2が0.1〜60であることを特徴とする酸化亜鉛焼結体。ZnOの粒界に存在するZnAl2O4粒子の個数と、粒内に存在するZnAl2O4粒子の個数の比が粒内/粒界で0.15〜0.35である。
【選択図】なし
Description
ZnOを主体とし、ZnOの粒界及び粒子内に存在するAl2O3と、ZnOとAl2O3の反応により生成し、ZnOの粒界及び粒子内に存在するZnAl2O4とからなり、ZnOの平均粒径D1とZnAl2O4の平均粒径D2との比D1/D2が0.1〜60であることを特徴とする酸化亜鉛焼結体を提供する。
Claims (5)
- ZnOを主体とし、
ZnOの粒界及び粒子内に存在するAl2O3と、
ZnOとAl2O3の反応により生成し、ZnOの粒界及び粒子内に存在するZnAl2O4とからなり、
ZnOの平均粒径D1とZnAl2O4の平均粒径D2との比D1/D2が0.1〜60であることを特徴とする酸化亜鉛焼結体。 - ZnOの粒界に存在するZnAl2O4粒子の個数と、粒内に存在するZnAl2O4粒子の個数の比が粒内/粒界で0.15〜0.35である請求項1記載の酸化亜鉛焼結体。
- 焼結体密度が5.3〜5.5g/cm3である請求項1または2記載の酸化亜鉛焼結体。
- ヤング率と曲げ強度の比E/σが300〜1500である請求項1〜3に記載の酸化亜鉛焼結体。
- 請求項1〜4に記載の酸化亜鉛焼結体をターゲット材とするスパッタリングターゲット。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008288258A JP2010111560A (ja) | 2008-11-10 | 2008-11-10 | 酸化亜鉛焼結体及びそれを用いたスパッタリングターゲット |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008288258A JP2010111560A (ja) | 2008-11-10 | 2008-11-10 | 酸化亜鉛焼結体及びそれを用いたスパッタリングターゲット |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2010111560A true JP2010111560A (ja) | 2010-05-20 |
Family
ID=42300434
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008288258A Pending JP2010111560A (ja) | 2008-11-10 | 2008-11-10 | 酸化亜鉛焼結体及びそれを用いたスパッタリングターゲット |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2010111560A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013112833A (ja) * | 2011-11-25 | 2013-06-10 | Taiheiyo Cement Corp | スパッタリングターゲット材およびその製造方法 |
US9824869B2 (en) | 2013-03-25 | 2017-11-21 | Ngk Insulators, Ltd. | Zinc oxide sputtering target |
CN114127029A (zh) * | 2019-10-23 | 2022-03-01 | 三菱综合材料株式会社 | 氧化物溅射靶 |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007223852A (ja) * | 2006-02-24 | 2007-09-06 | Tosoh Corp | 導電性セラミックス焼結体及びスパッタリングターゲット並びにその製造方法 |
-
2008
- 2008-11-10 JP JP2008288258A patent/JP2010111560A/ja active Pending
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007223852A (ja) * | 2006-02-24 | 2007-09-06 | Tosoh Corp | 導電性セラミックス焼結体及びスパッタリングターゲット並びにその製造方法 |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013112833A (ja) * | 2011-11-25 | 2013-06-10 | Taiheiyo Cement Corp | スパッタリングターゲット材およびその製造方法 |
US9824869B2 (en) | 2013-03-25 | 2017-11-21 | Ngk Insulators, Ltd. | Zinc oxide sputtering target |
CN114127029A (zh) * | 2019-10-23 | 2022-03-01 | 三菱综合材料株式会社 | 氧化物溅射靶 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR102322184B1 (ko) | 산화인듐-산화아연계 (izo) 스퍼터링 타깃 및 그 제조 방법 | |
JP5205696B2 (ja) | 酸化ガリウム系焼結体およびその製造方法 | |
JP2013507526A (ja) | 酸化スズセラミックスパッタリングターゲットおよびその製造方法 | |
JP6291593B2 (ja) | Itoスパッタリングターゲット及びその製造方法並びにito透明導電膜の製造方法 | |
JP2013147368A (ja) | セラミックス円筒形スパッタリングターゲット材およびその製造方法 | |
TWI570090B (zh) | Composite ceramic and semiconductor manufacturing device components | |
JP2011168472A (ja) | アルミナ焼結体、その製法及び半導体製造装置部材 | |
JP2004018296A (ja) | アルミナ質焼結体及びその製造方法 | |
TWI421357B (zh) | Ito濺鍍靶及其製造方法 | |
JP2011179056A (ja) | スパッタリングターゲット | |
TWI580663B (zh) | 氧化鋅系燒結體與其製造方法以及濺鍍靶與透明導電膜 | |
JP5292130B2 (ja) | スパッタリングターゲット | |
JP2010111560A (ja) | 酸化亜鉛焼結体及びそれを用いたスパッタリングターゲット | |
JP2010254493A (ja) | 導電性ジルコニア焼結体 | |
JP5324889B2 (ja) | スパッタリングターゲット及びその製造方法 | |
JP6044552B2 (ja) | 酸化スズ質耐火物およびその製造方法 | |
JP2007290875A (ja) | 酸化チタン系焼結体およびその製造方法 | |
JP2014125422A (ja) | 酸化物焼結体、酸化物焼結体スパッタリングターゲットおよびその製造方法 | |
JP2010285321A (ja) | スパッタリングターゲット用酸化亜鉛系焼結体の製造方法 | |
KR20190023485A (ko) | 질화알루미늄 소결체 및 이의 제조방법 | |
JP6722736B2 (ja) | 焼結体および、スパッタリングターゲット | |
JP5809542B2 (ja) | スパッタリングターゲット材およびその製造方法 | |
JP7203088B2 (ja) | 酸化物焼結体、スパッタリングターゲットおよび透明導電膜 | |
JP2011179055A (ja) | スパッタリングターゲット | |
WO2013100071A1 (ja) | 酸化スズ質耐火物 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20100810 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20111014 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20120611 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120619 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20121016 |