JP3917671B2 - Ito焼結体およびスパッタリングターゲット - Google Patents
Ito焼結体およびスパッタリングターゲット Download PDFInfo
- Publication number
- JP3917671B2 JP3917671B2 JP00153994A JP153994A JP3917671B2 JP 3917671 B2 JP3917671 B2 JP 3917671B2 JP 00153994 A JP00153994 A JP 00153994A JP 153994 A JP153994 A JP 153994A JP 3917671 B2 JP3917671 B2 JP 3917671B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- hardness
- sintered body
- powder
- ito
- sputtering
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Landscapes
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Description
【産業上の利用分野】
本発明は、透明導電膜製造の際に使用されるITOスパッタリングターゲットに関するものである。
【0002】
【従来の技術】
ITO(Indium Tin Oxide)薄膜は高導電性、高透過率といった特徴を有し、更に微細加工も容易に行えることから、フラットパネルディスプレイ用表示電極、太陽電池用窓材、帯電防止膜等の広範囲な分野に渡って広く用いられている。特に液晶表示装置を始めとしたフラットパネルディスプレイ分野では近年大型化および高精細化が進んでおり、その表示用電極であるITO薄膜に対する需要もまた急速に高まっている。このようなITO薄膜の製造方法はスプレー熱分解法、CVD法等の化学的成膜法と電子ビーム蒸着法、スパッタリング法等の物理的成膜法に大別することができる。中でもスパッタリング法は大面積化が容易で且つ高性能の膜が得られる成膜法であることから、様々な分野で使用されている。
【0003】
スパッタリング法によりITO薄膜を製造する場合、スパッタリングターゲットとしては金属インジウムおよび金属スズからなる合金ターゲット(以降ITターゲットと略する)あるいは酸化インジウムと酸化スズからなる複合酸化物ターゲット(以降ITOターゲットと略する)が用いられる。このうち、ITOターゲットを用いる方法は、ITターゲットを用いる方法と比較して得られた膜の抵抗値および透過率の経時変化が少なく成膜条件のコントロールが容易であるため、ITO薄膜製造法の主流となっている。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
ITOターゲットをアルゴンガスと酸素ガスとの混合ガス雰囲気中で連続してスパッタリングした場合、積算スパッタリング時間の増加と共にターゲット表面にはノジュールと呼ばれる黒色の付着物が析出する。インジウムの低級酸化物と考えられているこの黒色の付着物は、ターゲットのエロージョン部の周囲に析出するため、スパッタリング時の異常放電の原因となりやすく、またそれ自身がパーテイクルの発生源となることが知られている。その結果、連続してスパッタリングを行うと、形成された薄膜中に異物欠陥が発生し、これが液晶表示装置等のフラットパネルディスプレイの製造歩留まり低下の原因となっていた。特に近年フラットパネルディスプレイの分野では高精細化が進んでおり、このような薄膜中の異物欠陥は素子の動作不良を引き起こすため、特に解決すべき重要な課題となっていた。
【0005】
従来のITO薄膜の生産においては、このような薄膜中の欠陥の発生を防ぐために定期的にターゲット表面のノジュールを除去するといった対策が取られていた。しかしこのようなターゲットクリーニング作業は重大な生産性の低下を引き起こすため、ノジュールの発生の起こりにくいITOターゲットの開発が強く望まれていた。
【0006】
本発明の課題は、フラットパネルディスプレイの透明電極等に用いられるITO薄膜のスパッタリングにおいて、膜中欠陥の発生原因となるターゲット表面のノジュールの析出しにくいITOスパッタリングターゲットを提供することにある。
【0007】
【課題を解決するための手段】
本発明者らは上述のような現状に鑑み、ノジュールの発生したターゲットについて鋭意検討を重ねた結果、ITO焼結体の硬度が高いターゲットほど、ノジュールの発生量が減少することを見出し、本発明を完成するに至った。
【0008】
すなわち本発明は、インジウム、スズおよび酸素からなるITO焼結体であって、その焼結体の硬度がビッカース硬度(Hv)で450以上、またはロックウエル硬度(HRA)で75.0以上であることを特徴とするITO焼結体およびこの焼結体を用いたITOスパッタリングターゲットに関する。
【0009】
以下、本発明を詳細に説明する。
【0010】
本発明に関わる焼結体硬度がビッカース硬度(Hv)で450以上或いはロックウエル硬度(HRA)で75.0以上であるITO焼結体は、例えば以下のような手段で製造することができる。
【0011】
初めに所定量の酸化インジウムと酸化スズ粉末とをボールミル等の方法により混合して混合粉末を製造する。この際、原料粉末としては、上記混合粉末の他にも共沈法またはインジウム/スズ合金を酸化させて製造した所定量の酸化スズを含むITO粉末も使用することができる。混合粉末またはITO粉末中の酸化スズの混合割合は、スパッタリングを実施する条件等によって異なるものの、一般的には成膜したITO薄膜の抵抗値が最も低下する5〜15wt%程度とすることが好ましい。また原料粉末の混合方法としては乾式法或いは湿式法等の方法が適宜使用可能である。
【0012】
このような方法により製造した原料粉末を、次にプレス成形または鋳込成形により成形して所望の大きさの成形体を得る。プレス成形を行う場合には所定の大きさの金型に原料粉末を充填した後、プレス機を用いて成形体を製造する。このようにして得られた成形体の成形体密度を更に上昇させるため、必要に応じて、3ton/cm2程度の圧力で冷間静水圧プレス(CIP)処理を一回以上施すことが好ましい。一方、鋳込成形により成形体を製造する場合には、原料粉末を水、バインダーおよび分散剤と共に混合してスラリー化させ、こうして得られたスラリーを鋳込成形用の型の中へ注入して成形体を製造する。鋳込成形により得られた成形体中には、水分、バインダーおよび分散剤が含まれているので、これらを除去するために乾燥処理および脱バインダー処理を適宜行う必要がある。このようにして得られた成形体に、プレス成形体の場合と同様に必要に応じてCIP処理を一回以上行い密度の高い成形体とすることが好ましい。成形体の製造方法としては、複雑な形状の成形体を比較的容易に成形できる鋳込成形の方がより望ましい。
【0013】
次にこのようにして得られたITO成形体を焼結炉中にセットして焼結を行う。この際、成形体の表面全体を、酸化インジウム粉末、酸化インジウム粉末と酸化スズ粉末とからなる混合粉末、またはITO粉末で被覆する。このとき、埋め込みに使用する粉末の平均粒径としては0.1〜30μm、好ましくは0.5〜20μmであることが望ましい。平均粒径が0.1μmより小さい粉末を用いると焼結後に焼結体周囲の粉末が固化し始めることがある。一方、平均粒径が30μmよりも大きくなると十分な焼結体硬度が得られないことがある。
【0014】
ITO粉末を使用する場合には、例えば、酸化インジウム粉末と酸化スズ粉末とを予め1450℃以上の温度で焼成して酸化スズを酸化インジウム中に固溶させたものや共沈法により得られた粉末等を使用することが出来る。酸化スズの混合割合としては1〜50wt%が好ましい。
【0015】
成形体表面の被覆方法は、成形体全体が酸化インジウム粉末、酸化インジウム粉末と酸化スズ粉末とからなる混合粉末またはITO粉末で覆うことができればいかなる方法でも良いが、その一例を図1に示す。
【0016】
アルミナ製等の耐熱性の容器1の中に酸化インジウム粉末、酸化インジウム粉末と酸化スズ粉末とからなる混合粉末又はITO粉末2を充填し、その中に成形体3を埋め込む。この際、成形体の周囲が粉末により5mm以上の厚さで覆われていることが望ましい。ここで使用する成形体表面の被覆に用いる粉末および耐熱性容器は、成形体の焼結を行う前に予め焼結温度よりも50℃程度高い温度で一度空焼きをすることが望ましい。空焼きを行う際の雰囲気は、大気中又は酸素雰囲気中であることが望ましい。この処理を行うことにより、粉末および耐熱性容器中に存在する不純物を除去することができるからである。このように空焼き処理を行った後の粉末および耐熱性容器は繰り返し焼結に使用することが可能である。
【0017】
次に、成形体を埋め込んだ耐熱性容器を焼結炉内に設置して焼結を行う。焼結時の雰囲気としては大気又は酸素雰囲気であることが望ましい。酸素雰囲気としては純酸素雰囲気の他に酸素ガスと不活性ガスからなる混合ガス雰囲気も好適に用いることができる。焼結温度としては1300〜1700℃、好ましくは1400〜1600℃である。焼結温度が1300℃未満になると得られる焼結体の硬度が十分に上昇しなくなるため、本発明に関わるような焼結体を得にくくなる。逆に焼結温度が1700℃を越えると成形体中或いは容器内に充填された粉末中の酸化スズの蒸気が耐熱性容器の材質と反応して容器そのものを破損する恐れがある。昇温速度としては、90℃/Hr以下が好ましい。昇温速度が90℃/Hrを越えると熱衝撃により焼結体が破損することがある。焼結時間としては、焼結体の硬度を十分に上昇させるために3時間以上とすることが望ましい。また焼結は1気圧(ゲージ圧で0気圧)以上の圧力で行うことが望ましい。以上のような方法により製造された焼結体はその焼結体硬度がビッカース硬度(Hv)で450以上或いはロックウエル硬度(HRA)で75.0以上のものとなる。
【0018】
しかしながら、本発明は上述の製造方法に限定されるものではなく、焼結体硬度がビッカース硬度(Hv)で450以上或いはロックウエル硬度(HRA)で75.0以上となるような方法であればいかなる方法を用いてもよく、更に好ましくは、ノジュ−ル抑制の点でビッカース硬度(Hv)で450以上、かつロックウエル硬度(HRA)で75.0以上の焼結体が得られる製造方法がよい。
【0019】
続いて本発明において実施したビッカース硬度測定法およびロックウエル硬度測定法について述べる。
【0020】
ビッカース硬度測定法とは、対面角α=136°のダイヤモンド四角錐圧子をサンプル表面に一定荷重P(kgf)で押し付けた後、サンプル表面に形成された永久くぼみの対角線の長さd(mm)を測定することにより、次式を使ってサンプルの硬度を求める方法である。
【0021】
ビッカース硬度(Hv)=(2Psin(α/2))/d2
本発明においては、予めITO焼結体に対して様々な測定荷重でビッカース硬度を測定した所、荷重20kgfで硬度測定を行うことにより再現性の良い測定値を得られることが明らかとなった為、測定荷重を20kgfに設定してビッカース硬度の測定を行った。
【0022】
ロックウエル硬度測定法とは、サンプル表面に設置された所定の圧子にまず基準荷重を加えてくぼみを形成した後、次に荷重を増して試験荷重とし、その後再び基準荷重に戻し、これら前後二回の基準荷重におけるくぼみの深さの差h(mm)を求めその値からサンプルの硬度を求める方法である。またロックウエル硬度測定法では、その試験条件がスケール毎に規定されている。
【0023】
本発明においては、予めITO焼結体に対して様々なスケールでロックウエル硬度を測定した所、以下に示すAスケールの試験条件を用いて測定を行うことにより再現性の良い測定値を得られることが明らかとなった為、Aスケールの試験条件によりロックウエル硬度の測定を行った。
【0024】
(Aスケールの試験条件)
圧子 : 頂角120°、先端半径0.2mmのダイヤモンドコーン
基準荷重 : 10kgf
試験荷重 : 60kgf
計算式 : ロックウエル硬度(HRA)=100−500h
(hは単位mmで表される前後二回の基準荷重におけるくぼみの深さの差)
これまで述べてきたように、上記の製造方法により製造したITO焼結体では、その焼結体硬度がビッカース硬度(Hv)で450以上或いはロックウエル硬度(HRA)で75.0以上となるが、その詳細なメカニズムは明らかではない。しかし、本発明者等が上記の製造方法により製造した高硬度ITO焼結体の表面の組成分析を行ったところ、これらの高硬度焼結体では、従来の製法により製造した低硬度焼結体に比べて表面近傍での酸化スズの濃度が高く焼結体表面から内部にかけて酸化スズの濃度勾配が少ないことが認められた。このため、このような焼結体中の組成の均一性が焼結体の硬度に何等かの影響を及していることが予想される。
【0025】
【実施例】
以下、本発明を実施例をもって更に詳細に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
【0026】
実施例1
酸化インジウム粉末540g(純度99.99%)と酸化スズ粉末60g(純度99.99%)を容量5Lのボールミル用ポットに入れ、これに直径10mmのナイロンボール2kgを加え、回転数50rpmで5時間乾式ボールミル混合を行った。次に得られた混合粉末600gを直径130mmのプレス用金型の中へ入れ、プレス圧力400kg/cm2でプレスして直径130mmで厚さ10mmの成形体を製造した。次にこの成形体に3ton/cm2の圧力でCIP処理を施した。
【0027】
次に、この成形体を予め1550℃で5時間空焼きを施した、酸化インジウム粉末(純度99.99%、平均粒径10μm)と酸化スズ粉末(純度99.99%平均粒径5μm)とを9:1の割合で混合した混合粉末を充填した150mm角で深さ50mmのアルミナ製容器の中へ埋め込んだ。この容器を焼結炉内に設置して、焼結温度:1500℃、昇温速度:50℃/Hr、焼結時間:10時間、および雰囲気ガス:大気という条件で焼結を行った。
【0028】
上記の条件により製造した焼結体の硬度をビッカース硬度計により測定したところ、その硬度は510であった。同様にこの焼結体の硬度をロックウエル硬度を測定したところ、その硬度は75.1であった。
【0029】
続いて、この焼結体から直径75mmで厚さ6mmのスパッタリングターゲットを製造し、スパッタリング方式:DCマグネトロンスパッタ、DC電力:90W(2.0W/cm2)、Ar流量:50SCCM(standard cubic centimeter per minute)、O2流量:1SCCM、ガス圧:10mTorrの条件でスパッタリングを実施した。
【0030】
上記条件によりスパッタリングを行ったところ、ノジュールの発生はスパッタリング開始後、40時間まで認められなかった。またスパッタリング開始後、70時間においてもノジュールの発生はターゲットのエロージョンエリアの周囲に認められるだけであった。
【0031】
実施例2
酸化インジウム粉末555g(純度99.99%)と酸化スズ粉末45g(純度99.99%)を容量5Lのボールミル用ポットに入れ、これに直径10mmのナイロンボール2kgを加え、回転数50rpmで5時間乾式ボールミル混合を行った。
【0032】
次に得られた混合粉末600gを直径130mmのプレス用金型の中へ入れ、プレス圧力400kg/cm2でプレスして直径130mmで厚さ10mmの成形体を製造した。次にこの成形体に3ton/cm2の圧力でCIP処理を施した。
【0033】
次にこの成形体を、予め1600℃で5時間空焼きを施した酸化インジウム粉末(純度99.99%、平均粒径10μm)を充填した150mm角で深さ50mmのアルミナ製容器の中へ埋め込んだ。この容器を焼結炉内に設置して、焼結温度:1550℃、昇温速度:50℃/Hr、焼結時間:20時間、雰囲気ガス:酸素という条件で焼結を行った。
【0034】
上記の条件により製造した焼結体の硬度をビッカース硬度計により測定したところ、その硬度は621であった。同様にこの焼結体の硬度をロックウエル硬度を測定したところ、その硬度は76.1であった。
【0035】
次にこの焼結体から直径75mmで厚さ6mmのスパッタリングターゲットを製造し、実施例1と同様の条件でスパッタリングを実施した。
【0036】
上記条件によりスパッタリングを行ったところ、ノジュールの発生は、スパッタリング開始後、45時間まで認められなかった。またスパッタリング開始後、70時間においてもノジュールの発生はターゲットのエロージョンエリアの周囲に僅かに認められるだけであった。
【0037】
実施例3
酸化インジウム粉末540g(純度99.99%)と酸化スズ粉末60g(純度99.99%)を容量5Lのボールミル用ポットに入れ、これに直径10mmのナイロンボール2kgを加え、回転数50rpmで5時間乾式ボールミル混合を行った。
【0038】
次に得られた混合粉末600gを水、分散剤およびバインダーと共に混合してスラリー化し、これを直径130mmで高さ10.5mmの内部容積を持つ鋳込み用の樹脂型の中へ注入して直径130mmで厚さ10.5mmの成形体を製造した。
【0039】
次にこの成形体を乾燥炉内に設置し、450℃で10時間加熱して成形体中に残存する水分およびバインダー等の有機物を除去した。次にこの成形体に3ton/cm2の圧力でCIP処理を施した。
【0040】
続いてこの成形体を、予め1600℃で5時間空焼きを施した酸化インジウム粉末中に酸化スズを10wt%固溶させたITO粉末(平均粒径25μm)充填した150mm角で深さ50mmのアルミナ製容器の中へ埋め込んだ。この容器を焼結炉内に設置して、焼結温度:1550℃、昇温速度:25℃/Hr、焼結時間:10時間、雰囲気ガス:酸素という条件で焼結を行った。
【0041】
上記の条件により製造した焼結体の硬度をビッカース硬度計により測定したところ、その硬度は546であった。同様にこの焼結体の硬度をロックウエル硬度を測定したところ、その硬度は75.8であった。
【0042】
次にこの焼結体から直径75mmで厚さ6mmのスパッタリングターゲットを製造し、実施例1と同様の条件でスパッタリングを実施した。
【0043】
上記条件によりスパッタリングを行ったところ、ノジュールの発生はスパッタリング開始後、40時間まで認められなかった。またスパッタリング開始後、70時間においてもノジュールの発生はターゲットのエロージョンエリアの周囲に認められるだけであった。
【0044】
比較例
実施例1と同様の方法で直径130mmで厚さ10mmの成形体を製造した。次にこの成形体を表面の露出した状態で焼結炉内に設置して、焼結温度:1500℃、昇温速度:50℃/Hr、焼結時間:10時間、雰囲気ガス:酸素という条件で焼結を行った。
【0045】
上記の条件により製造した焼結体の硬度をビッカース硬度計により測定したところ、その硬度は424であった。同様にこの焼結体の硬度をロックウエル硬度を測定したところ、その硬度は73.0であった。
【0046】
次にこの焼結体から直径75mmで厚さ6mmのスパッタリングターゲットを製造し、実施例1と同様の条件でスパッタリングを実施したところ、ノジュールの発生はスパッタリング開始後、20時間で認められた。またスパッタリング開始後、70時間においてはターゲットのほぼ全面にノジュールが発生していることが認められた。
【0047】
【発明の効果】
本発明によれば、ITO焼結体の硬度を、ビッカース硬度で450以上或いはロックウエル硬度(HRA)で75.0以上とすることにより、スパッタリング時に発生するノジュールを効果的に抑制することができる。その結果、スパッタリング中に発生する膜中の異物欠陥の発生をおさえることができ、また、従来必要とされていたターゲット表面に発生したノジュールのクリーニングを行うことなくITO膜を生産性よく得ることが可能となった。
【図面の簡単な説明】
【図1】 成形体の被覆状態の一例を模式的に示した図である。
【符号の説明】
1 : 容器
2 : 粉末
3 : 成形体
Claims (4)
- インジウム、スズおよび酸素からなるITO焼結体であって、その焼結体の硬度がビッカース硬度(HV)で621以上であることを特徴とするITO焼結体。
- インジウム、スズおよび酸素からなるITO焼結体であって、その焼結体の硬度がロックウエル硬度(HRA)で76.1以上であることを特徴とするITO焼結体。
- 請求項1に記載の焼結体からなるスパッタリングターゲット。
- 請求項2に記載の焼結体からなるスパッタリングターゲット。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP00153994A JP3917671B2 (ja) | 1994-01-12 | 1994-01-12 | Ito焼結体およびスパッタリングターゲット |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP00153994A JP3917671B2 (ja) | 1994-01-12 | 1994-01-12 | Ito焼結体およびスパッタリングターゲット |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH07207435A JPH07207435A (ja) | 1995-08-08 |
JP3917671B2 true JP3917671B2 (ja) | 2007-05-23 |
Family
ID=11504336
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP00153994A Expired - Fee Related JP3917671B2 (ja) | 1994-01-12 | 1994-01-12 | Ito焼結体およびスパッタリングターゲット |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3917671B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3576364B2 (ja) * | 1997-10-13 | 2004-10-13 | 株式会社日鉱マテリアルズ | Itoスパッタリングターゲットのクリーニング方法 |
JP2008115025A (ja) * | 2006-11-01 | 2008-05-22 | Idemitsu Kosan Co Ltd | 省インジウム系ito微粒子及びその製造方法 |
-
1994
- 1994-01-12 JP JP00153994A patent/JP3917671B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH07207435A (ja) | 1995-08-08 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4022676B2 (ja) | 高密度ito焼結体およびその製造方法並びにスパッタリングターゲット | |
JP3215392B2 (ja) | 金属酸化物焼結体およびその用途 | |
JP4918738B2 (ja) | Itoスパッタリングターゲットおよびその製造方法 | |
JP3917671B2 (ja) | Ito焼結体およびスパッタリングターゲット | |
JP2002302762A (ja) | Itoスパッタリングターゲット | |
JP4813182B2 (ja) | Itoスパッタリングターゲット | |
JP2001098359A (ja) | Mg含有ITOスパッタリングターゲットおよびMg含有ITO蒸着材の製造方法 | |
JP2000233969A (ja) | Itoスパッタリングターゲットおよび透明導電膜の製造方法 | |
JP5249560B2 (ja) | SnO2系スパッタリングターゲット | |
JP2002338354A (ja) | 酸化ニオブ焼結体とその製造方法及びこれを用いたスパッタリングターゲット | |
JP2000129432A (ja) | 導電性金属酸化物焼結体およびその用途 | |
JP2002030429A (ja) | Itoスパッタリングターゲットおよびその製造方法 | |
JP2003100154A (ja) | 透明導電膜およびその製造方法並びにその用途 | |
JP2007231381A (ja) | Itoスパッタリングターゲットおよびその製造方法 | |
JP3632781B2 (ja) | 酸化物焼結体 | |
JP3870446B2 (ja) | Ito焼結体の製造方法およびスパッタリングターゲット | |
JP4934926B2 (ja) | Itoスパッタリングターゲットおよびその製造方法 | |
JP4918737B2 (ja) | 酸化物焼結体およびスパッタリングターゲット | |
JP2007254282A (ja) | Ito焼結体の製造法 | |
KR100628542B1 (ko) | 금속산화물 소결체 및 그 용도 | |
JP4997665B2 (ja) | 透明導電性膜の製造方法 | |
JPH0794046A (ja) | Ito焼結体の製造方法 | |
JP2003002749A (ja) | 酸化インジウム粉末およびitoスパッタリングターゲットの製造方法 | |
JP2000169219A (ja) | 金属酸化物焼結体およびその用途 | |
JP4923358B2 (ja) | Itoターゲットおよびその製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20031224 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20040223 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20040329 |
|
A072 | Dismissal of procedure |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A072 Effective date: 20040615 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20040629 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20070209 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100216 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110216 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120216 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120216 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130216 Year of fee payment: 6 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |