JP2003100154A - 透明導電膜およびその製造方法並びにその用途 - Google Patents
透明導電膜およびその製造方法並びにその用途Info
- Publication number
- JP2003100154A JP2003100154A JP2001294138A JP2001294138A JP2003100154A JP 2003100154 A JP2003100154 A JP 2003100154A JP 2001294138 A JP2001294138 A JP 2001294138A JP 2001294138 A JP2001294138 A JP 2001294138A JP 2003100154 A JP2003100154 A JP 2003100154A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- transparent conductive
- conductive film
- less
- atomic ratio
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Laminated Bodies (AREA)
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Non-Insulated Conductors (AREA)
- Manufacturing Of Electric Cables (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 有機ＥＬパネルに好適な、膜表面が平坦で抵
抗率が低く、仕事関数の大きな透明導電膜を提供し、ま
た、この透明導電膜を成膜するに際して有用なスパッタ
リングターゲットを提供する。 【解決手段】 抵抗率が２５０μΩ・ｃｍ以下、表面凹
凸の最大高低差（Ｚ−ｍａｘ）／膜厚（ｔ）が１０％以
下で仕事関数が４．９ｅＶ以上の特性を有する透明導電
膜であり、このような透明導電膜は、実質的にＩｎ，Ｓ
ｎ，Ｇｅ，Ｇａおよび酸素からなる焼結体であって、Ｇ
ｅとＧａの含有量の和（Ｇｅ／（Ｉｎ＋Ｓｎ＋Ｇｅ）の
原子比）＋（Ｇａ／（Ｉｎ＋Ｓｎ＋Ｇａ）の原子比）が
１〜６％以下であるスパッタリングターゲットをスパッ
タすることにより得られる。
抗率が低く、仕事関数の大きな透明導電膜を提供し、ま
た、この透明導電膜を成膜するに際して有用なスパッタ
リングターゲットを提供する。 【解決手段】 抵抗率が２５０μΩ・ｃｍ以下、表面凹
凸の最大高低差（Ｚ−ｍａｘ）／膜厚（ｔ）が１０％以
下で仕事関数が４．９ｅＶ以上の特性を有する透明導電
膜であり、このような透明導電膜は、実質的にＩｎ，Ｓ
ｎ，Ｇｅ，Ｇａおよび酸素からなる焼結体であって、Ｇ
ｅとＧａの含有量の和（Ｇｅ／（Ｉｎ＋Ｓｎ＋Ｇｅ）の
原子比）＋（Ｇａ／（Ｉｎ＋Ｓｎ＋Ｇａ）の原子比）が
１〜６％以下であるスパッタリングターゲットをスパッ
タすることにより得られる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、仕事関数が高く、
表面平坦性が改善された低抵抗透明導電膜、およびその
製造方法並びにその用途に関する。
表面平坦性が改善された低抵抗透明導電膜、およびその
製造方法並びにその用途に関する。
【０００２】
【従来の技術】ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉ
ｄｅ）薄膜は、高導電性、高透過率といった特徴を有
し、更に微細加工も容易に行えることから、フラットパ
ネルディスプレイ用表示電極、抵抗膜方式のタッチパネ
ル、太陽電池用窓材、帯電防止膜、電磁波防止膜、防曇
膜、センサ等の広範囲な分野に渡って用いられている。
ｄｅ）薄膜は、高導電性、高透過率といった特徴を有
し、更に微細加工も容易に行えることから、フラットパ
ネルディスプレイ用表示電極、抵抗膜方式のタッチパネ
ル、太陽電池用窓材、帯電防止膜、電磁波防止膜、防曇
膜、センサ等の広範囲な分野に渡って用いられている。
【０００３】このようなＩＴＯ薄膜の製造方法は、スプ
レー熱分解法、ＣＶＤ法等の化学的成膜法と電子ビーム
蒸着法、イオンプレーティング法、スパッタリング法等
の物理的成膜法に大別することができる。これら中でも
スパッタリング法は、大面積への均一成膜が容易でかつ
高性能の膜が得られる成膜法であることから、様々な分
野で使用されている。
レー熱分解法、ＣＶＤ法等の化学的成膜法と電子ビーム
蒸着法、イオンプレーティング法、スパッタリング法等
の物理的成膜法に大別することができる。これら中でも
スパッタリング法は、大面積への均一成膜が容易でかつ
高性能の膜が得られる成膜法であることから、様々な分
野で使用されている。
【０００４】スパッタリング法で薄膜を形成する際の放
電安定性を高めるため、またノジュール（ＩＴＯターゲ
ットをアルゴンガスと酸素ガスとの混合ガス雰囲気中で
連続してスパッタリングした時にターゲット表面に形成
される黒色の異物）発生量を低減させるために、ＩＴＯ
焼結体に第３元素を添加させる試みが行われてきた。例
えば、特開昭６２−２０２４１５号のようにＩＴＯ焼結
体に酸化珪素および／または酸化ゲルマニウムを含有さ
せる方法、特開平５−９８４３６号のようにＩＴＯ焼結
体に１〜１５ｗｔ％の酸化ゲルマニウムを含有させる方
法などが提案されている。
電安定性を高めるため、またノジュール（ＩＴＯターゲ
ットをアルゴンガスと酸素ガスとの混合ガス雰囲気中で
連続してスパッタリングした時にターゲット表面に形成
される黒色の異物）発生量を低減させるために、ＩＴＯ
焼結体に第３元素を添加させる試みが行われてきた。例
えば、特開昭６２−２０２４１５号のようにＩＴＯ焼結
体に酸化珪素および／または酸化ゲルマニウムを含有さ
せる方法、特開平５−９８４３６号のようにＩＴＯ焼結
体に１〜１５ｗｔ％の酸化ゲルマニウムを含有させる方
法などが提案されている。
【０００５】近年の情報化社会の発展にともない、前記
フラットパネルディスプレイ等に要求される技術レベル
が高まっている。有機Ｅｌｅｃｔｒｏ Ｌｕｍｉｎｅｓ
ｃｅｎｃｅ（ＥＬ）パネルの構造の一例を、図１に示
す。図１は模式断面図であり、有機ＥＬパネルは、ガラ
ス基板１の表面に透明導電膜の透明陽極２を積層し、順
次その上にホール輸送層３、発光層４、電子輸送層５お
よび金属陰極６を形成したものである。
フラットパネルディスプレイ等に要求される技術レベル
が高まっている。有機Ｅｌｅｃｔｒｏ Ｌｕｍｉｎｅｓ
ｃｅｎｃｅ（ＥＬ）パネルの構造の一例を、図１に示
す。図１は模式断面図であり、有機ＥＬパネルは、ガラ
ス基板１の表面に透明導電膜の透明陽極２を積層し、順
次その上にホール輸送層３、発光層４、電子輸送層５お
よび金属陰極６を形成したものである。
【０００６】そして３〜１５Ｖの直流電圧を印加するこ
とによりガラス基板１を通して発光が得られるものであ
る。 自発光のため視認性が高く、さらに視野角も広い
といった特徴を有している。 パネル構造は、帯状の直
交させた透明電極と背面電極からなるＸ−Ｙのマトリク
ス構造のもの（パッシブタイプ）と薄膜トランジスタ
（ＴＦＴ）を用いた構造のもの（アクティブタイプ）に
大別される。いずれの場合も、高精細化や高速応答化に
対応するため、透明陽極には低い抵抗率が求められてい
る。また、前記透明陽極の表面に大きな凹凸が存在した
場合、表示画面上に黒点を発生させ表示品質の劣化を招
くため、電極の表面の凸凹を低下させる必要がある。
とによりガラス基板１を通して発光が得られるものであ
る。 自発光のため視認性が高く、さらに視野角も広い
といった特徴を有している。 パネル構造は、帯状の直
交させた透明電極と背面電極からなるＸ−Ｙのマトリク
ス構造のもの（パッシブタイプ）と薄膜トランジスタ
（ＴＦＴ）を用いた構造のもの（アクティブタイプ）に
大別される。いずれの場合も、高精細化や高速応答化に
対応するため、透明陽極には低い抵抗率が求められてい
る。また、前記透明陽極の表面に大きな凹凸が存在した
場合、表示画面上に黒点を発生させ表示品質の劣化を招
くため、電極の表面の凸凹を低下させる必要がある。
【０００７】ところで、ＩＴＯ薄膜を室温で成膜する
と、特別な条件を除きアモルファスな膜が得られる。し
かし、薄膜の抵抗率を低下させるには、膜を結晶化させ
ることが好ましい。ＩＴＯの結晶化温度は１５０℃前後
（成膜条件により異なる）であり、結晶膜を得るにはこ
の温度以上の成膜温度で成膜する必要がある。しかし、
スパッタリング法を用いて結晶性ＩＴＯ薄膜を形成した
場合、ＩＴＯ薄膜に特徴的な膜の突起およびドメイン構
造が形成される。
と、特別な条件を除きアモルファスな膜が得られる。し
かし、薄膜の抵抗率を低下させるには、膜を結晶化させ
ることが好ましい。ＩＴＯの結晶化温度は１５０℃前後
（成膜条件により異なる）であり、結晶膜を得るにはこ
の温度以上の成膜温度で成膜する必要がある。しかし、
スパッタリング法を用いて結晶性ＩＴＯ薄膜を形成した
場合、ＩＴＯ薄膜に特徴的な膜の突起およびドメイン構
造が形成される。
【０００８】一般にＩＴＯ膜をスパッタリング法で形成
する場合には、スパッタリングガスとしてアルゴンと酸
素が用いられる。ガス中の酸素量を変化させることによ
り得られる薄膜の抵抗率は変化し、ある酸素分圧値で最
小の値を示す。そして、このような薄膜の抵抗率が最小
の値を示すような酸素分圧値で形成した場合、上述の薄
膜表面の突起およびドメイン構造が顕著となり、平坦性
の悪い表面状態となる。このような膜の場合、膜厚２０
０ｎｍでの表面凹凸の最大高低差（Ｚ−ｍａｘ）は、１
００ｎｍにも達する場合がある。
する場合には、スパッタリングガスとしてアルゴンと酸
素が用いられる。ガス中の酸素量を変化させることによ
り得られる薄膜の抵抗率は変化し、ある酸素分圧値で最
小の値を示す。そして、このような薄膜の抵抗率が最小
の値を示すような酸素分圧値で形成した場合、上述の薄
膜表面の突起およびドメイン構造が顕著となり、平坦性
の悪い表面状態となる。このような膜の場合、膜厚２０
０ｎｍでの表面凹凸の最大高低差（Ｚ−ｍａｘ）は、１
００ｎｍにも達する場合がある。
【０００９】一方、薄膜の平坦性を追求するには、上記
最適酸素分圧値からはずれたところで成膜するか、成膜
時の基板温度を低下させてアモルファス化する手法が考
えられる。しかし、いずれの手法を用いた場合において
も、薄膜の平坦性は確保されるものの抵抗率が増加して
しまう。このようなことから平坦性と低抵抗率との両特
性を満足する透明導電膜の開発が望まれていた。
最適酸素分圧値からはずれたところで成膜するか、成膜
時の基板温度を低下させてアモルファス化する手法が考
えられる。しかし、いずれの手法を用いた場合において
も、薄膜の平坦性は確保されるものの抵抗率が増加して
しまう。このようなことから平坦性と低抵抗率との両特
性を満足する透明導電膜の開発が望まれていた。
【００１０】さらに有機ＥＬ素子の発光効率を増加させ
るため、透明陽極の仕事関数を大きくして透明陽極から
ホール輸送層へのキャリアの注入効率を高めることが必
要とされている。
るため、透明陽極の仕事関数を大きくして透明陽極から
ホール輸送層へのキャリアの注入効率を高めることが必
要とされている。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】本発明の課題は、有機
ＥＬパネルに好適な、仕事関数が大きくかつ膜表面が平
坦で抵抗率の低い結晶性の透明導電膜を提供することに
ある。
ＥＬパネルに好適な、仕事関数が大きくかつ膜表面が平
坦で抵抗率の低い結晶性の透明導電膜を提供することに
ある。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明者らはＩＴＯに異
種元素をドープした導電性金属酸化物に関して鋭意検討
を重ねた結果、抵抗率を２５０μΩ・ｃｍ以下、かつ
（Ｚ−ｍａｘ）／ｔを１０％以下とすることにより、パ
ネルの大型化および高精細化に対応し強電界が印加され
る有機ＥＬパネルにおいても高い信頼性が得られる透明
導電膜が得られることを見いだした。また、このような
薄膜はゲルマニウムをドーパントとして含有するＩＴＯ
薄膜において達成できることを見いだした。そして、さ
らに研究を進め、上記薄膜にさらにガリウムを添加する
ことにより平坦製性と低抵抗性を併せ持ち、さらに有機
ＥＬ用透明陽極として好適な４．９ｅＶ以上の仕事関数
を有する薄膜を得るにいたり本発明を完成した。
種元素をドープした導電性金属酸化物に関して鋭意検討
を重ねた結果、抵抗率を２５０μΩ・ｃｍ以下、かつ
（Ｚ−ｍａｘ）／ｔを１０％以下とすることにより、パ
ネルの大型化および高精細化に対応し強電界が印加され
る有機ＥＬパネルにおいても高い信頼性が得られる透明
導電膜が得られることを見いだした。また、このような
薄膜はゲルマニウムをドーパントとして含有するＩＴＯ
薄膜において達成できることを見いだした。そして、さ
らに研究を進め、上記薄膜にさらにガリウムを添加する
ことにより平坦製性と低抵抗性を併せ持ち、さらに有機
ＥＬ用透明陽極として好適な４．９ｅＶ以上の仕事関数
を有する薄膜を得るにいたり本発明を完成した。
【００１３】即ち、本発明は抵抗率が２５０μΩ・ｃｍ
以下、かつ表面凹凸の最大高低差（Ｚ−ｍａｘ）／膜厚
（ｔ）が１０％以下、かつ仕事関数が４．９ｅＶ以上の
特性を有する透明導電膜に関し、前記特性を有する実質
的にインジウム、スズ、ゲルマニウム、ガリウムおよび
酸素からなる透明導電膜、該薄膜を含んでなる機器、該
薄膜形成用スパッタリングターゲットおよび該薄膜の形
成方法に関するものである。ここで、「実質的に」と
は、「不可避不純物を除いて」との意味である。
以下、かつ表面凹凸の最大高低差（Ｚ−ｍａｘ）／膜厚
（ｔ）が１０％以下、かつ仕事関数が４．９ｅＶ以上の
特性を有する透明導電膜に関し、前記特性を有する実質
的にインジウム、スズ、ゲルマニウム、ガリウムおよび
酸素からなる透明導電膜、該薄膜を含んでなる機器、該
薄膜形成用スパッタリングターゲットおよび該薄膜の形
成方法に関するものである。ここで、「実質的に」と
は、「不可避不純物を除いて」との意味である。
【００１４】本発明でいうＺ−ｍａｘとは、物質表面の
凹凸の度合いを数値的に表すパラメ-タであり、表面の
あるエリア内で最も高い山の頂上と最も低い谷の底との
高さの差を意味する。その測定方法としては、原子間力
顕微鏡（ＡＦＭ：Ａｔｏｍｉｃ Ｆｏｒｃｅ Ｍｉｃｒ
ｏｓｃｏｐｅ）による測定が一般的である。原子間力顕
微鏡は微小なてこを物質表面に近づけ、縦横方向にある
エリア内で走査し、その際生じるてこのたわみを試料面
垂直方向の高さに換算して表面の凹凸を測定する装置で
ある。本発明では、セイコ−電子工業株式会社製の原子
間力顕微鏡（商品名「ＳＰＩ３７００」）を用いて、て
こを３μｍ×３μｍのエリア内を走査させて測定した。
また、抵抗率は四探針法により測定した。
凹凸の度合いを数値的に表すパラメ-タであり、表面の
あるエリア内で最も高い山の頂上と最も低い谷の底との
高さの差を意味する。その測定方法としては、原子間力
顕微鏡（ＡＦＭ：Ａｔｏｍｉｃ Ｆｏｒｃｅ Ｍｉｃｒ
ｏｓｃｏｐｅ）による測定が一般的である。原子間力顕
微鏡は微小なてこを物質表面に近づけ、縦横方向にある
エリア内で走査し、その際生じるてこのたわみを試料面
垂直方向の高さに換算して表面の凹凸を測定する装置で
ある。本発明では、セイコ−電子工業株式会社製の原子
間力顕微鏡（商品名「ＳＰＩ３７００」）を用いて、て
こを３μｍ×３μｍのエリア内を走査させて測定した。
また、抵抗率は四探針法により測定した。
【００１５】なお、本発明でいう仕事関数とは、電子を
物質表面から放出させるのに必要な最低のエネルギーを
意味し、理研計器製光電子分光装置を用いて測定した。
物質表面から放出させるのに必要な最低のエネルギーを
意味し、理研計器製光電子分光装置を用いて測定した。
【００１６】
【発明の実施の形態】以下、本発明を詳細に説明する。
【００１７】本発明に関わる薄膜およびこの薄膜を含ん
でなる機器は、例えば、以下の方法で製造する。
でなる機器は、例えば、以下の方法で製造する。
【００１８】始めに、薄膜形成用のスパッタリングター
ゲットを製造する。スパッタリングターゲットに用いる
ための焼結体としては、得られる焼結体の焼結密度が９
５％以上であることが好ましく、より好ましくは９８％
以上である。
ゲットを製造する。スパッタリングターゲットに用いる
ための焼結体としては、得られる焼結体の焼結密度が９
５％以上であることが好ましく、より好ましくは９８％
以上である。
【００１９】焼結密度が上記密度未満となると、スパッ
タリング中に異常放電が発生しやすくなり、この時発生
するスプラッツを核とした異常成長粒子が形成されるた
め、平坦な膜を得にくくなるからである。
タリング中に異常放電が発生しやすくなり、この時発生
するスプラッツを核とした異常成長粒子が形成されるた
め、平坦な膜を得にくくなるからである。
【００２０】なお、本発明でいう相対密度（Ｄ）とは、
Ｉｎ2Ｏ3、ＳｎＯ2、ＧｅＯ2およびＧａ2Ｏ3の真密度の
相加平均から求められる理論密度（ｄ）に対する相対値
を示している。相加平均から求められる理論密度（ｄ）
とは、ターゲット組成において、Ｉｎ2Ｏ3、ＳｎＯ2、
ＧｅＯ2およびＧａ2Ｏ3粉末の混合量をそれぞれａ，
ｂ，ｃおよびｄ（ｇ）、とした時、それぞれの真密度
７．１８，６．９５，６．２４，５．９５（ｇ／ｃ
ｍ3）を用いて、ｄ＝（ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ）／（（ａ／
７．１８）＋（ｂ／６．９５）＋（ｃ／６．２４）＋
（ｄ／５．９５））により求められる。焼結体の測定密
度をｄ１とすると、その相対密度は、式：Ｄ＝ｄ１／ｄ
×１００（％）で求められる。
Ｉｎ2Ｏ3、ＳｎＯ2、ＧｅＯ2およびＧａ2Ｏ3の真密度の
相加平均から求められる理論密度（ｄ）に対する相対値
を示している。相加平均から求められる理論密度（ｄ）
とは、ターゲット組成において、Ｉｎ2Ｏ3、ＳｎＯ2、
ＧｅＯ2およびＧａ2Ｏ3粉末の混合量をそれぞれａ，
ｂ，ｃおよびｄ（ｇ）、とした時、それぞれの真密度
７．１８，６．９５，６．２４，５．９５（ｇ／ｃ
ｍ3）を用いて、ｄ＝（ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ）／（（ａ／
７．１８）＋（ｂ／６．９５）＋（ｃ／６．２４）＋
（ｄ／５．９５））により求められる。焼結体の測定密
度をｄ１とすると、その相対密度は、式：Ｄ＝ｄ１／ｄ
×１００（％）で求められる。
【００２１】焼結密度が９５％以上となるような焼結体
は、例えば、以下のような方法で製造することができ
る。
は、例えば、以下のような方法で製造することができ
る。
【００２２】原料粉末としては、例えば、酸化インジウ
ム粉末、酸化スズ粉末、酸化ゲルマニウム粉末および酸
化ガリウム粉末とを混合する。 この際、使用する粉末
の平均粒径が大きいと焼結後の密度が充分に上がらず相
対密度９５％以上の焼結体を得難くなることがあるの
で、使用する粉末の平均粒径は１．５μｍ以下であるこ
とが望ましく、更に好ましくは０．１〜１．３μｍであ
る。粉末の混合は、ボールミルなどにより乾式混合ある
いは湿式混合して行えばよい。
ム粉末、酸化スズ粉末、酸化ゲルマニウム粉末および酸
化ガリウム粉末とを混合する。 この際、使用する粉末
の平均粒径が大きいと焼結後の密度が充分に上がらず相
対密度９５％以上の焼結体を得難くなることがあるの
で、使用する粉末の平均粒径は１．５μｍ以下であるこ
とが望ましく、更に好ましくは０．１〜１．３μｍであ
る。粉末の混合は、ボールミルなどにより乾式混合ある
いは湿式混合して行えばよい。
【００２３】ここで、酸化スズの混合量は、Ｓｎ／（Ｓ
ｎ＋Ｉｎ）の原子比で３〜２０％とすることが好まし
い。 より好ましくは５〜１７％、さらに好ましくは７
〜１４％である。 これは、本発明のターゲットを用い
て透明導電膜を製造した際に、膜の抵抗率が最も低下す
る組成であるからである。
ｎ＋Ｉｎ）の原子比で３〜２０％とすることが好まし
い。 より好ましくは５〜１７％、さらに好ましくは７
〜１４％である。 これは、本発明のターゲットを用い
て透明導電膜を製造した際に、膜の抵抗率が最も低下す
る組成であるからである。
【００２４】酸化ゲルマニウムの混合量は、Ｇｅ／（Ｉ
ｎ＋Ｓｎ＋Ｇｅ）の原子比で０．５〜５％が好ましい。
より好ましくは１〜４％、特に好ましくは１〜３％であ
る。酸化ゲルマニウムの添加量が前記範囲より少ない
と、薄膜の平坦化の効果が薄れ凸凹の大きな膜となるこ
とがあり、また前記範囲を超えると、抵抗率が高くなり
すぎる場合がある。
ｎ＋Ｓｎ＋Ｇｅ）の原子比で０．５〜５％が好ましい。
より好ましくは１〜４％、特に好ましくは１〜３％であ
る。酸化ゲルマニウムの添加量が前記範囲より少ない
と、薄膜の平坦化の効果が薄れ凸凹の大きな膜となるこ
とがあり、また前記範囲を超えると、抵抗率が高くなり
すぎる場合がある。
【００２５】酸化ガリウムの混合量は、Ｇａ／（Ｉｎ＋
Ｓｎ＋Ｇａ）の原子比で０．５〜５％が好ましい。より
好ましくは１〜４％、特に好ましくは１〜３％である。
酸化ガリウムの添加量が前記範囲より少ないと、仕事関
数増加の効果が得られにくくなり、また前記範囲を超え
ると、抵抗率が高くなりすぎる場合がある。
Ｓｎ＋Ｇａ）の原子比で０．５〜５％が好ましい。より
好ましくは１〜４％、特に好ましくは１〜３％である。
酸化ガリウムの添加量が前記範囲より少ないと、仕事関
数増加の効果が得られにくくなり、また前記範囲を超え
ると、抵抗率が高くなりすぎる場合がある。
【００２６】また、酸化ゲルマニウムと酸化ガリウムの
総量（Ｇｅ／（Ｉｎ＋Ｓｎ＋Ｇｅ）の原子比＋Ｇａ／
（Ｉｎ＋Ｓｎ＋Ｇａ）の原子比）で１％以上６％以下と
するのが好ましい。６％を超えると、抵抗率が高くなり
すぎるからである。
総量（Ｇｅ／（Ｉｎ＋Ｓｎ＋Ｇｅ）の原子比＋Ｇａ／
（Ｉｎ＋Ｓｎ＋Ｇａ）の原子比）で１％以上６％以下と
するのが好ましい。６％を超えると、抵抗率が高くなり
すぎるからである。
【００２７】前述のようにして得られた混合粉末にバイ
ンダー等を加え、プレス法或いは鋳込法等の成形方法に
より成形して成形体を製造する。プレス法により成形体
を製造する場合には、所定の金型に混合粉末を充填した
後、粉末プレス機を用いて９．８〜２９．４ＭＰａ（１
００〜３００ｋｇ／ｃｍ2）の圧力でプレスを行う。粉
末の成形性が悪い場合には、必要に応じてパラフィンや
ポリビニルアルコール等のバインダーを添加してもよ
い。
ンダー等を加え、プレス法或いは鋳込法等の成形方法に
より成形して成形体を製造する。プレス法により成形体
を製造する場合には、所定の金型に混合粉末を充填した
後、粉末プレス機を用いて９．８〜２９．４ＭＰａ（１
００〜３００ｋｇ／ｃｍ2）の圧力でプレスを行う。粉
末の成形性が悪い場合には、必要に応じてパラフィンや
ポリビニルアルコール等のバインダーを添加してもよ
い。
【００２８】鋳込法により成形体を製造する場合には、
混合粉末にバインダー、分散剤、イオン交換水を添加
し、ボールミル等により混合することにより鋳込成形体
製造用スラリーを作製する。続いて、得られたスラリー
を用いて鋳込を行う。鋳型にスラリーを注入する前に、
スラリーの脱泡を行うことが好ましい。脱泡は、例えば
ポリアルキレングリコール系の消泡剤をスラリーに添加
して真空中で脱泡処理を行えばよい。 続いて、鋳込み
成形体の乾燥処理を行う。
混合粉末にバインダー、分散剤、イオン交換水を添加
し、ボールミル等により混合することにより鋳込成形体
製造用スラリーを作製する。続いて、得られたスラリー
を用いて鋳込を行う。鋳型にスラリーを注入する前に、
スラリーの脱泡を行うことが好ましい。脱泡は、例えば
ポリアルキレングリコール系の消泡剤をスラリーに添加
して真空中で脱泡処理を行えばよい。 続いて、鋳込み
成形体の乾燥処理を行う。
【００２９】次に、得られた成形体に必要に応じて、冷
間静水圧プレス（ＣＩＰ）等の圧密化処理を行う。この
際ＣＩＰ圧力は充分な圧密効果を得るため９８ＭＰａ
（１ｔｏｎ／ｃｍ2）以上、好ましくは１９６〜４９０
ＭＰａ（２〜５ｔｏｎ／ｃｍ2）であることが望まし
い。ここで始めの成形を鋳込法により行った場合には、
ＣＩＰ後の成形体中に残存する水分およびバインダー等
の有機物を除去する目的で脱バインダー処理を施しても
よい。また、始めの成形をプレス法により行った場合で
も、バインダーを使用したときには、同様の脱バインダ
ー処理を行うことが望ましい。
間静水圧プレス（ＣＩＰ）等の圧密化処理を行う。この
際ＣＩＰ圧力は充分な圧密効果を得るため９８ＭＰａ
（１ｔｏｎ／ｃｍ2）以上、好ましくは１９６〜４９０
ＭＰａ（２〜５ｔｏｎ／ｃｍ2）であることが望まし
い。ここで始めの成形を鋳込法により行った場合には、
ＣＩＰ後の成形体中に残存する水分およびバインダー等
の有機物を除去する目的で脱バインダー処理を施しても
よい。また、始めの成形をプレス法により行った場合で
も、バインダーを使用したときには、同様の脱バインダ
ー処理を行うことが望ましい。
【００３０】このようにして得られた成形体を焼結炉内
に投入して焼結を行う。焼結方法としては、いかなる方
法でも適応可能であるが、生産設備のコスト等を考慮す
ると大気中焼結が望ましい。しかしこの他ホットプレス
（ＨＰ）法、熱間静水圧プレス（ＨＩＰ）法および酸素
加圧焼結法等の従来知られている他の焼結法を用いるこ
とができることは言うまでもない。
に投入して焼結を行う。焼結方法としては、いかなる方
法でも適応可能であるが、生産設備のコスト等を考慮す
ると大気中焼結が望ましい。しかしこの他ホットプレス
（ＨＰ）法、熱間静水圧プレス（ＨＩＰ）法および酸素
加圧焼結法等の従来知られている他の焼結法を用いるこ
とができることは言うまでもない。
【００３１】また焼結条件についても適宜選択すること
ができるが、充分な密度上昇効果を得るため、また酸化
スズの蒸発を抑制するため、焼結温度が１４５０〜１６
５０℃であることが望ましい。また焼結時の雰囲気とし
ては大気或いは純酸素雰囲気であることが好ましい。ま
た焼結時間についても充分な密度上昇効果を得るために
５時間以上、好ましくは５〜３０時間であることが望ま
しい。 このようにしてゲルマニウムおよびガリウムを
含有したＩＴＯ焼結体を製造することができる。
ができるが、充分な密度上昇効果を得るため、また酸化
スズの蒸発を抑制するため、焼結温度が１４５０〜１６
５０℃であることが望ましい。また焼結時の雰囲気とし
ては大気或いは純酸素雰囲気であることが好ましい。ま
た焼結時間についても充分な密度上昇効果を得るために
５時間以上、好ましくは５〜３０時間であることが望ま
しい。 このようにしてゲルマニウムおよびガリウムを
含有したＩＴＯ焼結体を製造することができる。
【００３２】次に、得られた焼結体を所望の形状に加工
した後、必要に応じて無酸素銅からなるバッキングプレ
ートにインジウム半田等を用いて接合することにより、
スパッタリングターゲットが製造される。
した後、必要に応じて無酸素銅からなるバッキングプレ
ートにインジウム半田等を用いて接合することにより、
スパッタリングターゲットが製造される。
【００３３】得られたスパッタリングターゲットを用い
て、ガラス基板やフィルム基板等の基板上に本発明の透
明導電性薄膜を得ることができる。成膜手段としては、
薄膜の低抵抗率化および平坦化のために、ｄｃにｒｆを
重畳させた、５０〜５００Ｗの電力（但し、カソードの
サイズによっても異なる）を使用したスパッタリング方
を採用することが好ましい。この際、ｄｃに重畳させる
ｒｆの割合は、印加電力でｒｆ／ｄｃで２５〜２００％
とすることが好ましい。また、ｒｆとしては、１３．５
６ＭＨｚ±０．０５％の高周波が好ましい。
て、ガラス基板やフィルム基板等の基板上に本発明の透
明導電性薄膜を得ることができる。成膜手段としては、
薄膜の低抵抗率化および平坦化のために、ｄｃにｒｆを
重畳させた、５０〜５００Ｗの電力（但し、カソードの
サイズによっても異なる）を使用したスパッタリング方
を採用することが好ましい。この際、ｄｃに重畳させる
ｒｆの割合は、印加電力でｒｆ／ｄｃで２５〜２００％
とすることが好ましい。また、ｒｆとしては、１３．５
６ＭＨｚ±０．０５％の高周波が好ましい。
【００３４】成膜時の基板温度としては、薄膜を結晶化
させるために、２００℃以上とすることが好ましく、よ
り好ましくは３００℃以上である。
させるために、２００℃以上とすることが好ましく、よ
り好ましくは３００℃以上である。
【００３５】また、酸化インジウム、酸化スズ、酸化ゲ
ルマニウムおよび酸化ガリウムの４種類、あるいは前記
の４種の内の３種の混合酸化物と残りの酸化物の２種類
のスパッタリングターゲットを用いて多元同時スパッタ
リングにより成膜してもよいし、前記の４種の内の２種
の混合酸化物と残りの酸化物の２種類のスパッタリング
ターゲットを用いて多元同時スパッタリングにより成膜
してもよい。さらに、個々のスパッタリングターゲット
の一部あるいは全部を金属あるいは合金に置き換えて用
いてもよい。
ルマニウムおよび酸化ガリウムの４種類、あるいは前記
の４種の内の３種の混合酸化物と残りの酸化物の２種類
のスパッタリングターゲットを用いて多元同時スパッタ
リングにより成膜してもよいし、前記の４種の内の２種
の混合酸化物と残りの酸化物の２種類のスパッタリング
ターゲットを用いて多元同時スパッタリングにより成膜
してもよい。さらに、個々のスパッタリングターゲット
の一部あるいは全部を金属あるいは合金に置き換えて用
いてもよい。
【００３６】成膜時は、スパッタリングガスとしてアル
ゴンと酸素を真空装置内に導入してスパッタリングを行
う。膜の低抵抗率化を達成するためには、これら導入ガ
スの流量を制御して抵抗率が低下する値に適宜設定す
る。
ゴンと酸素を真空装置内に導入してスパッタリングを行
う。膜の低抵抗率化を達成するためには、これら導入ガ
スの流量を制御して抵抗率が低下する値に適宜設定す
る。
【００３７】このようにして得られた薄膜は、仕事関数
が４．９ｅＶ以上、好ましくは４．９５〜５．３ｅＶ、
抵抗率が２５０μΩ・ｃｍ以下、好ましくは、２４０μ
Ω・ｃｍ以下であり、かつＺ−ｍａｘ／ｔが１０％以
下、好ましくは、８％以下となる。また、形成する膜の
厚さは１００〜５００ｎｍとするのが好ましい。
が４．９ｅＶ以上、好ましくは４．９５〜５．３ｅＶ、
抵抗率が２５０μΩ・ｃｍ以下、好ましくは、２４０μ
Ω・ｃｍ以下であり、かつＺ−ｍａｘ／ｔが１０％以
下、好ましくは、８％以下となる。また、形成する膜の
厚さは１００〜５００ｎｍとするのが好ましい。
【００３８】また、基板上に形成された薄膜は、必要に
応じて所望のパターンにエッチングされた後、有機ＥＬ
ディスプレイ等の機器を構成することができる。
応じて所望のパターンにエッチングされた後、有機ＥＬ
ディスプレイ等の機器を構成することができる。
【００３９】なお、本発明でいう仕事関数とは成膜直後
の値を意味する。具体的には成膜後のチャンバー内や、
チャンバーから取り出した後に、表面酸化処理やＵＶ処
理などの仕事関数を増大させる処理を施していない状態
で測定した値を意味する。
の値を意味する。具体的には成膜後のチャンバー内や、
チャンバーから取り出した後に、表面酸化処理やＵＶ処
理などの仕事関数を増大させる処理を施していない状態
で測定した値を意味する。
【００４０】
【実施例】以下、本発明を実施例をもって更に詳細に説
明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
【００４１】実施例１〜６、比較例１〜７
酸化インジウム粉末４５０ｇ、酸化スズ粉末５０ｇ、お
よび表１に準じて所定量の酸化ゲルマニウム、所定量の
酸化ガリウム粉末をポリエチレン製のポットに入れ、乾
式ボールミルにより７２時間混合し、混合粉末を製造し
た。
よび表１に準じて所定量の酸化ゲルマニウム、所定量の
酸化ガリウム粉末をポリエチレン製のポットに入れ、乾
式ボールミルにより７２時間混合し、混合粉末を製造し
た。
【００４２】この粉末を金型に入れ、２９．４ＭＰａ
（３００ｋｇ／ｃｍ2）の圧力でプレスして成形体とし
た。この成形体を２９４ＭＰａ（３ｔｏｎ／ｃｍ2）の
圧力でＣＩＰによる緻密化処理を行った。次にこの成形
体を純酸素雰囲気焼結炉内に設置して、以下の条件で焼
結した。 （焼結条件） 焼結温度：１５００℃、昇温速度：２５℃／時間、焼結
時間：６時間、酸素圧：４９０Ｐａ（５０ｍｍＨ2Ｏ、
ゲージ圧）、酸素線速：２．７ｃｍ／分 得られた焼結体の密度をアルキメデス法により測定し
た。結果を表１に記す。この焼結体を湿式加工法により
直径４インチ厚さ６ｍｍの焼結体に加工し、インジウム
半田を用いて無酸素銅製のバッキングプレートにボンデ
ィングしてターゲットとした。
（３００ｋｇ／ｃｍ2）の圧力でプレスして成形体とし
た。この成形体を２９４ＭＰａ（３ｔｏｎ／ｃｍ2）の
圧力でＣＩＰによる緻密化処理を行った。次にこの成形
体を純酸素雰囲気焼結炉内に設置して、以下の条件で焼
結した。 （焼結条件） 焼結温度：１５００℃、昇温速度：２５℃／時間、焼結
時間：６時間、酸素圧：４９０Ｐａ（５０ｍｍＨ2Ｏ、
ゲージ圧）、酸素線速：２．７ｃｍ／分 得られた焼結体の密度をアルキメデス法により測定し
た。結果を表１に記す。この焼結体を湿式加工法により
直径４インチ厚さ６ｍｍの焼結体に加工し、インジウム
半田を用いて無酸素銅製のバッキングプレートにボンデ
ィングしてターゲットとした。
【００４３】このターゲットを以下のスパッタリング条
件でスパッタリングして薄膜の評価を行った。 （スパッタリング条件） 基板：ガラス基板、印加電力：ｄｃ１５０Ｗ＋ｒｆ１０
０Ｗ、ガス圧：１．１ｍＴｏｒｒ、スパッタリングガ
ス：Ａｒ＋Ｏ2、Ｏ2／Ａｒ：抵抗率が最小となる値に制
御、基板温度：２００℃、膜厚：２００ｎｍ。
件でスパッタリングして薄膜の評価を行った。 （スパッタリング条件） 基板：ガラス基板、印加電力：ｄｃ１５０Ｗ＋ｒｆ１０
０Ｗ、ガス圧：１．１ｍＴｏｒｒ、スパッタリングガ
ス：Ａｒ＋Ｏ2、Ｏ2／Ａｒ：抵抗率が最小となる値に制
御、基板温度：２００℃、膜厚：２００ｎｍ。
【００４４】得られた膜の組成をＥＰＭＡ（Ｅｌｅｃｔ
ｒｏｎ Ｐｒｏｖｅ ＭｉｃｒｏＡｎａｌｙｓｉｓ）で
分析するとともに、薄膜の抵抗率、Ｚ−ｍａｘ／ｔおよ
び仕事関数を測定した。得られた結果を表１にまとめ
る。Ｇｅ１〜５原子％、Ｇａ１〜５原子％において低抵
抗かつ平坦で仕事関数の大きな膜が得られている。
ｒｏｎ Ｐｒｏｖｅ ＭｉｃｒｏＡｎａｌｙｓｉｓ）で
分析するとともに、薄膜の抵抗率、Ｚ−ｍａｘ／ｔおよ
び仕事関数を測定した。得られた結果を表１にまとめ
る。Ｇｅ１〜５原子％、Ｇａ１〜５原子％において低抵
抗かつ平坦で仕事関数の大きな膜が得られている。
【００４５】得られた膜の結晶性をＸＲＤを用いて調べ
たところ、全ての膜が結晶化していた。
たところ、全ての膜が結晶化していた。
【００４６】
【表１】
【００４７】実施例１〜６の膜は、低抵抗率（２５０μ
Ω・ｃｍ以下）、良好な表面状態（Ｚｍａｘ／ｔが１０
％以下）、高仕事関数（４．９ｅＶ以上）の全てを満足
したものであったのに対し、比較例１〜７の膜は、抵抗
率、表面状態、仕事関数の評価項目のうち、１つあるい
は２つは満足できるものの、３つ全てを満足できる膜を
得ることはできなかった。
Ω・ｃｍ以下）、良好な表面状態（Ｚｍａｘ／ｔが１０
％以下）、高仕事関数（４．９ｅＶ以上）の全てを満足
したものであったのに対し、比較例１〜７の膜は、抵抗
率、表面状態、仕事関数の評価項目のうち、１つあるい
は２つは満足できるものの、３つ全てを満足できる膜を
得ることはできなかった。
【００４８】
【発明の効果】本発明により、有機ＥＬパネルに好適
な、膜表面が平坦で抵抗率の低く、仕事関数の大きな透
明導電膜を得ることが可能となる。
な、膜表面が平坦で抵抗率の低く、仕事関数の大きな透
明導電膜を得ることが可能となる。
【図１】有機ＥＬパネルの構造の一例を示した模式断面
図である。
図である。
１ ガラス基板
２ 透明陽極
３ ホール輸送層
４ 発光層
５ 電子輸送層
６ 金属陰極
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考）
Ｃ２３Ｃ 14/34 Ｈ０１Ｂ 13/00 ５０３Ｂ ５Ｇ３２３
Ｈ０１Ｂ 13/00 ５０３ Ｈ０５Ｂ 33/14 Ａ
Ｈ０５Ｂ 33/14 33/28
33/28 Ｃ０４Ｂ 35/00 Ｒ
(72)発明者 内海 健太郎
神奈川県大和市中央林間５−７−８
(72)発明者 長崎 裕一
神奈川県横浜市神奈川区六角橋５−21−33
(72)発明者 黒澤 聡
神奈川県厚木市長谷1540−21
Ｆターム(参考） 3K007 AB00 AB05 AB17 CA01 CB01
DA00 DB03 EB00 FA01 FA03
4F100 AA17B AA26B AA28B AG00A
AR00B AT00A BA02 BA07
DD01B EH662 GB41 JG01
JG01B JG04 JG04B JN01
YY00B
4G030 AA34 AA39 BA02 BA14 BA15
BA16 GA09
4K029 BA45 BA50 BC09 BD00 CA05
DC05 DC09 DC34 DC35
5G307 FA00 FA01 FB01 FC10
5G323 BA02 BB05
Claims (8)
- 【請求項１】 抵抗率が２５０μΩ・ｃｍ以下、かつ表
面凹凸の最大高低差（Ｚ−ｍａｘ）／膜厚（ｔ）が１０
％以下、かつ仕事関数が４．９ｅＶ以上の特性を有する
ことを特徴とする透明導電膜。 - 【請求項２】 実質的にインジウム、スズ、ゲルマニウ
ム、ガリウムおよび酸素からなる請求項１に記載の透明
導電膜。 - 【請求項３】 ゲルマニウムとガリウムの含有量の和
が、（Ｇｅ／（Ｉｎ＋Ｓｎ＋Ｇｅ）の原子比）＋（Ｇａ
／（Ｉｎ＋Ｓｎ＋Ｇａ）の原子比）で１％以上６％以下
であることを特徴とする請求項２に記載の透明導電膜。 - 【請求項４】 請求項１〜３のいずれか１項に記載の透
明導電膜を含んでなる機器。 - 【請求項５】 前記機器が有機ＥＬパネルであることを
特徴とする請求項４に記載の機器。 - 【請求項６】 実質的にインジウム、スズ、ゲルマニウ
ム、ガリウムおよび酸素からなる焼結体であって、ゲル
マニウムとガリウムの含有量の和（Ｇｅ／（Ｉｎ＋Ｓｎ
＋Ｇｅ）の原子比）＋（Ｇａ／（Ｉｎ＋Ｓｎ＋Ｇａ）の
原子比）が１％以上６％以下であることを特徴とするス
パッタリングターゲット。 - 【請求項７】 前記焼結体の相対密度が９５％以上であ
ることを特徴とする請求項５に記載のスパッタリングタ
ーゲット。 - 【請求項８】 実質的にインジウム、スズ、ゲルマニウ
ム、ガリウムおよび酸素からなる焼結体であって、ゲル
マニウムとガリウムの含有量の和（Ｇｅ／（Ｉｎ＋Ｓｎ
＋Ｇｅ）の原子比）＋（Ｇａ／（Ｉｎ＋Ｓｎ＋Ｇａ）の
原子比）が１％以上６％以下であるスパッタリングター
ゲットを、ｄｃにｒｆを重畳した電力でスパッタリング
することを特徴とする透明導電膜の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001294138A JP4917725B2 (ja) | 2001-09-26 | 2001-09-26 | 透明導電膜およびその製造方法並びにその用途 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001294138A JP4917725B2 (ja) | 2001-09-26 | 2001-09-26 | 透明導電膜およびその製造方法並びにその用途 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003100154A true JP2003100154A (ja) | 2003-04-04 |
| JP4917725B2 JP4917725B2 (ja) | 2012-04-18 |
Family
ID=19115794
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001294138A Expired - Fee Related JP4917725B2 (ja) | 2001-09-26 | 2001-09-26 | 透明導電膜およびその製造方法並びにその用途 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4917725B2 (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004322628A (ja) * | 2003-04-11 | 2004-11-18 | Nippon Soda Co Ltd | 透明導電性積層体 |
| WO2005083722A1 (ja) * | 2004-02-27 | 2005-09-09 | Sumitomo Metal Mining Co., Ltd. | 透明導電膜及びそれを用いた透明導電性基材 |
| JP2006344584A (ja) * | 2005-05-13 | 2006-12-21 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 表示装置及び表示装置の作製方法 |
| JP2009143026A (ja) * | 2007-12-11 | 2009-07-02 | Tosoh Corp | 透明導電性フィルム |
| WO2010018707A1 (ja) * | 2008-08-11 | 2010-02-18 | 出光興産株式会社 | 酸化ガリウム－酸化スズ系酸化物焼結体及び酸化物膜 |
| JP2013067855A (ja) * | 2011-09-06 | 2013-04-18 | Idemitsu Kosan Co Ltd | スパッタリングターゲット |
| US8999836B2 (en) | 2005-05-13 | 2015-04-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing display device |
| CN112786819A (zh) * | 2020-12-30 | 2021-05-11 | 广东聚华印刷显示技术有限公司 | 功能层的制备方法、功能层、光电器件 |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000108244A (ja) * | 1998-10-05 | 2000-04-18 | Asahi Glass Co Ltd | 透明導電膜とその製造方法および透明導電膜付き基体 |
| JP2002047559A (ja) * | 2000-07-31 | 2002-02-15 | Sumitomo Heavy Ind Ltd | Ｉｔｏ膜及びその成膜方法 |
| JP2002083693A (ja) * | 2000-06-21 | 2002-03-22 | Nippon Sheet Glass Co Ltd | 透明導電膜付き基板及び該透明導電膜付き基板を使用した有機エレクトロルミネッセンス素子 |
| JP2002208479A (ja) * | 2001-01-05 | 2002-07-26 | Toppan Printing Co Ltd | 有機ｌｅｄ素子用中間抵抗膜付基板および有機ｌｅｄ素子 |
| WO2003014409A1 (fr) * | 2001-08-02 | 2003-02-20 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Cible de pulverisation, film conducteur transparent et leur procede de fabrication |
-
2001
- 2001-09-26 JP JP2001294138A patent/JP4917725B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000108244A (ja) * | 1998-10-05 | 2000-04-18 | Asahi Glass Co Ltd | 透明導電膜とその製造方法および透明導電膜付き基体 |
| JP2002083693A (ja) * | 2000-06-21 | 2002-03-22 | Nippon Sheet Glass Co Ltd | 透明導電膜付き基板及び該透明導電膜付き基板を使用した有機エレクトロルミネッセンス素子 |
| JP2002047559A (ja) * | 2000-07-31 | 2002-02-15 | Sumitomo Heavy Ind Ltd | Ｉｔｏ膜及びその成膜方法 |
| JP2002208479A (ja) * | 2001-01-05 | 2002-07-26 | Toppan Printing Co Ltd | 有機ｌｅｄ素子用中間抵抗膜付基板および有機ｌｅｄ素子 |
| WO2003014409A1 (fr) * | 2001-08-02 | 2003-02-20 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Cible de pulverisation, film conducteur transparent et leur procede de fabrication |
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004322628A (ja) * | 2003-04-11 | 2004-11-18 | Nippon Soda Co Ltd | 透明導電性積層体 |
| WO2005083722A1 (ja) * | 2004-02-27 | 2005-09-09 | Sumitomo Metal Mining Co., Ltd. | 透明導電膜及びそれを用いた透明導電性基材 |
| JPWO2005083722A1 (ja) * | 2004-02-27 | 2008-01-17 | 住友金属鉱山株式会社 | 透明導電膜及びそれを用いた透明導電性基材 |
| US7563514B2 (en) | 2004-02-27 | 2009-07-21 | Sumitomo Metal Mining Co., Ltd. | Transparent conductive film and transparent conductive base material utilizing the same |
| JP4730300B2 (ja) * | 2004-02-27 | 2011-07-20 | 住友金属鉱山株式会社 | 透明導電膜及びそれを用いた透明導電性基材 |
| JP2006344584A (ja) * | 2005-05-13 | 2006-12-21 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 表示装置及び表示装置の作製方法 |
| US8999836B2 (en) | 2005-05-13 | 2015-04-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing display device |
| US9419064B2 (en) | 2005-05-13 | 2016-08-16 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing display device |
| JP2009143026A (ja) * | 2007-12-11 | 2009-07-02 | Tosoh Corp | 透明導電性フィルム |
| WO2010018707A1 (ja) * | 2008-08-11 | 2010-02-18 | 出光興産株式会社 | 酸化ガリウム－酸化スズ系酸化物焼結体及び酸化物膜 |
| JP2013067855A (ja) * | 2011-09-06 | 2013-04-18 | Idemitsu Kosan Co Ltd | スパッタリングターゲット |
| CN112786819A (zh) * | 2020-12-30 | 2021-05-11 | 广东聚华印刷显示技术有限公司 | 功能层的制备方法、功能层、光电器件 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP4917725B2 (ja) | 2012-04-18 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP6015801B2 (ja) | 酸化物焼結体とその製造方法、ターゲット、および透明導電膜 | |
| CN101460425B (zh) | 氧化物烧结体、靶、用它制得的透明导电膜以及透明导电性基材 | |
| TWI402862B (zh) | 氧化物燒結體、其製法、使用它之透明導電膜之製法與所得到的透明導電膜 | |
| JP4730204B2 (ja) | 酸化物焼結体ターゲット、及びそれを用いた酸化物透明導電膜の製造方法 | |
| TW201006781A (en) | Gallium oxide-tin oxide based oxide sintered body and oxide film | |
| KR101331293B1 (ko) | 산화물 소결체 및 산화물 반도체 박막 | |
| JP3215392B2 (ja) | 金属酸化物焼結体およびその用途 | |
| JP2003100154A (ja) | 透明導電膜およびその製造方法並びにその用途 | |
| JP4403591B2 (ja) | 導電性金属酸化物焼結体およびその用途 | |
| JP5167575B2 (ja) | 酸化物焼結体、スパッタリングターゲットおよび透明導電膜 | |
| JP4625558B2 (ja) | 透明導電膜およびその製造方法並びにその用途 | |
| JP4211558B2 (ja) | スパッタリングターゲット材料、その製造方法、及びそれを用いた透明導電膜の製造方法 | |
| WO2011102425A1 (ja) | 酸化物焼結体、酸化物混合体、それらの製造方法およびそれらを用いたターゲット | |
| JP2002030429A (ja) | Ｉｔｏスパッタリングターゲットおよびその製造方法 | |
| JP2001307553A (ja) | 透明導電膜およびその製造方法並びにその用途 | |
| KR100628542B1 (ko) | 금속산화물 소결체 및 그 용도 | |
| JP2000169220A (ja) | 金属酸化物焼結体およびその用途 | |
| JP2000169219A (ja) | 金属酸化物焼結体およびその用途 | |
| JP2002050231A (ja) | 透明導電膜およびその製造方法並びにその用途 | |
| JP2003239063A (ja) | 透明導電性薄膜とその製造方法及びその製造に用いるスパッタリングターゲット | |
| JP2004339607A (ja) | 透明導電膜およびスパッタリングターゲット | |
| JP3603693B2 (ja) | Ｉｔｏスパッタリングターゲット | |
| JP2000185968A (ja) | 導電性金属酸化物焼結体およびその用途 | |
| JP2003301265A (ja) | スパイク状突起のないｉｔｏ薄膜及びその製法並びにそれに用いるターゲット | |
| JP2000256842A (ja) | Ｉｔｏスパッタリングターゲット、並びにｉｔｏ焼結体及び透明導電膜の製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20080604 |
|
| RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20080604 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20101224 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110111 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110221 |
|
| RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20110221 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20120110 |
|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20120127 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150203 Year of fee payment: 3 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |