JP2002050231A - 透明導電膜およびその製造方法並びにその用途 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 膜表面が平坦で抵抗率の低い結晶質の酸化イ
ンジウム系透明導電膜を提供する。 【解決手段】 実質的にＩｎ、Ｇｅ及びＯからなり、抵
抗率が２５０μΩ・ｃｍ以下、かつＺ−ｍａｘ／ｔが１
０％以下（但し、Ｚ−ｍａｘ：表面凹凸の最大高低差、
ｔ：膜厚）の透明導電膜であり、Ｇｅ／（Ｉｎ＋Ｇｅ）
は原子比で４．０〜９．０％が好ましく、このような導
電膜は、焼結密度９０％以上のＩｎ−Ｇｅ−Ｏスパッタ
リングターゲットを用い、ｄｃにｒｆを重畳させた電力
を印加してスパッタリングすることにより得ることがで
きる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、表面平坦性が改善
された低抵抗透明導電膜に関し、特に結晶化した透明導
電膜に関する。

【０００２】

【従来の技術】ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉ
ｄｅ）に代表される透明導電膜はその高導電性、高透過
率といった特徴から、フラットパネルディスプレイ用表
示電極、抵抗膜方式のタッチパネル、太陽電池用窓材、
帯電防止膜、電磁波防止膜、防曇膜、センサ等の広範囲
な分野に渡って用いられている。このような透明導電膜
の製造方法はスプレー熱分解法、ＣＶＤ法等の化学的成
膜法と電子ビーム蒸着法、イオンプレーティング法、ス
パッタリング法等の物理的成膜法に大別することができ
る。これら中でもスパッタリング法は、大面積への均一
成膜が容易でかつ高性能の膜が得られる成膜法であるこ
とから、様々な分野で使用されている。

【０００３】一方、近年の情報化社会の発展にともな
い、前記フラットパネルディスプレイ等に要求される技
術レベルが高まっている。無機Ｅｌｅｃｔｒｏ Ｌｕｍ
ｉｎｅｓｃｅｎｃｅ（ＥＬ）パネルは、図１に示すよう
な絶縁層２によって挟持された発光層３に透明電極１と
金属製の背面電極４を通して１０⁸Ｖ／ｃｍという強電
界を発光層に印加して発光させる構造となっている。自
発光のため視認性が高く、全固体であるため振動に強い
といった優れた特徴を有している。パネル構造は、帯状
の直交させた透明電極と背面電極からなるＸ−Ｙのマト
リクス構造となっている。このため、パネルの大型化お
よび高精細化にともない、特に透明電極に使用される透
明導電膜の低抵抗率化が要求されている。

【０００４】また、発光層を発光させる際に１０⁸Ｖ／
ｃｍという強電界が印加されることから、透明電極１の
表面に大きな凸凹の部分があると、この部分で電界集中
が起こり、絶縁破壊を発生しやすくなる。絶縁破壊が生
じると当該画素部での表示が不可能となりディスプレイ
としての表示品質の劣化を招くため、電極の表面の凸凹
を低下させる必要がある。

【０００５】ところで、ＩＴＯ薄膜を室温で成膜する
と、特別な条件を除きアモルファスな膜が得られる。し
かし、薄膜の抵抗率を低下させるには、薄膜を結晶化さ
せることが好ましい。ＩＴＯの結晶化温度は１５０℃前
後（成膜条件により異なる）であり、結晶化膜を得るに
はこの温度以上の成膜温度で成膜する必要がある。しか
し、スパッタリング法を用いて結晶性ＩＴＯ薄膜を形成
した場合、ＩＴＯ薄膜に特徴的な膜の突起およびドメイ
ン構造が形成される。

【０００６】一般にＩＴＯ膜をスパッタリング法で形成
する場合には、スパッタリングガスとしてアルゴンと酸
素が用いられる。ガス中の酸素量を変化させることによ
り得られる薄膜の抵抗率は変化し、ある酸素分圧値で最
小の値を示す。そして、このような薄膜の抵抗率が最小
の値を示すような酸素分圧値で形成した場合、上述の薄
膜表面の突起およびドメイン構造が顕著となり、平坦性
の悪い表面状態となる。このような膜の場合、膜厚２０
０ｎｍでの表面凹凸の最大高低差（Ｚ−ｍａｘ）は、１
００ｎｍにも達する場合がある。

【０００７】一方、薄膜の平坦性を追求するには、上記
最適酸素分圧値からはずれたところで成膜するか、成膜
時の基板温度を低下させてアモルファス化する手法が考
えられる。しかし、いずれの手法を用いた場合において
も、薄膜の平坦性は確保されるものの抵抗率が増加して
しまう。

【０００８】これまでに透明導電膜の抵抗率、透過率の
改善を目的として、例えば、特開昭６２−２０２４２５
号公報には、酸化スズを含んでいてもよい酸化インジウ
ム透明導電膜に酸化ゲルマニウムを含有する低抵抗率の
酸化インジウム系透明導電膜が開示されている。特開平
１１−３２２３３３号公報には、インジウムの酸化物を
主成分とする透明導電膜にゲルマニウムを含有させる方
法が提案され、５００〜７００［μΩ・ｃｍ］の抵抗率
をもつ透明導電膜が開示されている。また、エッチング
特性の向上を目的として、例えば、特開平１１−３２３
５３１号のようにインジウムの酸化物が主成分であっ
て、ゲルマニウムを含有させた非晶質な膜構造を得る方
法が提案され、表面平坦性が良好であり、３７０［μΩ
・ｃｍ］の抵抗率をもつ透明導電膜が開示されている。

【０００９】しかしながら、大型ＥＬパネル用の透明導
電膜としては、更に良好な平坦性と低抵抗率の両特性を
満足する結晶質透明導電膜の開発が望まれていた。

【００１０】

【発明が解決しようとする課題】本発明の課題は、大型
高精細ＥＬパネルに好適な、膜表面が平坦で抵抗率の低
い結晶質の透明導電膜を提供することにある。

【００１１】

【課題を解決するための手段】本発明者らはＩＴＯに異
種元素をドープした導電性金属酸化物に関して鋭意検討
を重ねた結果、抵抗率を２５０μΩ・ｃｍ以下、かつＺ
−ｍａｘ／ｔを１０％以下とすることにより、パネルの
大型化および高精細化に対応し強電界が印加されるＥＬ
パネルにおいても高い信頼性が得られる透明導電膜が得
られることを見いだした。また、このような薄膜はゲル
マニウムをドーパントとして含有する酸化インジウム系
薄膜において達成できることを見いだし、本発明を完成
した。

【００１２】即ち、本発明は、抵抗率が２５０μΩ・ｃ
ｍ以下、かつＺ−ｍａｘ／ｔが１０％以下（但し、Ｚ−
ｍａｘ：表面凹凸の最大高低差、ｔ：膜厚）を満足する
透明導電膜に関し、実質的にインジウム、ゲルマニウム
および酸素からなる透明導電膜により達成される。ここ
で、「実質的に」とは、「不可避不純物を除いて」との
意味であり、この不可避不純物は一般的には１００ｐｐ
ｍ以下とされるのが好ましい。

【００１３】本発明で言うＺ−ｍａｘとは、物質表面の
凹凸の度合いを数値的に表すパラメ−タであり、表面の
あるエリア内で最も高い山の頂上と最も低い谷の底との
高さの差を意味する。その測定方法としては、原子間力
顕微鏡（ＡＦＭ：Ａｔｏｍｉｃ Ｆｏｒｃｅ Ｍｉｃｒ
ｏｓｃｏｐｙ）による測定が一般的である。原子間顕微
鏡は微小なてこを物質表面に近づけ、縦横方向にあるエ
リア内で走査し、その際生じるてこのたわみを試料面垂
直方向の高さに換算して表面の凹凸を測定する装置であ
る。本発明では、セイコ−電子工業株式会社製の原子間
力顕微鏡（商品名「ＳＰＩ３７００」を用いて、てこを
３μｍ×３μｍのエリア内を走査させて測定した。

【００１４】以下、本発明を詳細に説明する。

【００１５】本発明に関する薄膜およびこの薄膜を含ん
でなる機器は、例えば、以下の方法で製造することがで
きる。

【００１６】始めに、薄膜形成用の、実質的にインジウ
ム、ゲルマニウムおよび酸素からなるスパッタリングタ
ーゲット、例えば、酸化インジウム−酸化ゲルマニウム
系複合酸化物（Ｉｎ−Ｇｅ−Ｏ系）スパッタリングター
ゲットを製造する。スパッタリングターゲットに用いる
ための焼結体としては、得られる焼結体の焼結密度が９
０％以上、好ましくは、９１％以上であることが好まし
い。焼結密度が上記密度未満となると、スパッタリング
中に異常放電が発生しやすくなり、この時発生するスプ
ラッツを核とした異常成長粒子が形成されるため、平坦
な膜を得にくくなるからである。

【００１７】一般に、セラミックスの焼結密度を高めよ
うとした場合、焼結温度を高くすることが有効である。
しかし、酸化インジウム−酸化ゲルマニウム複合酸化物
の焼結体を１４００℃を超える温度で焼結させた場合、
焼結体に「膨れ」が発生し、焼結体内部に空洞ができて
しまう。このような膨れを形成させないためには、焼結
条件を適切に設定する必要がある。

【００１８】以下に、焼結密度９０％以上の酸化インジ
ウム−酸化ゲルマニウム複合酸化物の焼結体の製造方法
の一例を示すが、本発明はこれらに限定されるものでは
ない。

【００１９】始めに、酸化インジウム粉末と酸化ゲルマ
ニウム粉末とを混合する。この際、使用する粉末の平均
粒径が大きいと焼結後の密度が充分に上昇しない場合が
あるので、使用する粉末の平均粒径は、酸化インジウム
粉末、酸化ゲルマニウム粉末共に１．５μｍ以下とす
る。好ましくは０．１〜１．５μｍ、更に好ましくは、
０．３〜１．０μｍとすればよい。こうすることによ
り、より焼結密度の高い焼結体を得ることが可能とな
る。また、酸化ゲルマニウムの混合量は、Ｇｅ／（Ｉｎ
＋Ｇｅ）の原子比で４．０〜９．０％とすることが好ま
しい。より好ましくは、５．０〜７．０％、更に好まし
くは、５．５〜６．５％である。

【００２０】酸化ゲルマニウムの添加量が前記範囲より
少ないと、薄膜の平坦化の効果が薄れ凸凹の大きな膜と
なり、また前記範囲を超えると、抵抗率が高くなりすぎ
るため適切でない。粉末の混合は、ボールミルなどによ
り乾式混合あるいは湿式混合して行えばよい。

【００２１】次に、得られた酸化インジウムと酸化ゲル
マニウムとの混合粉末にバインダー等を加え、プレス法
或いは鋳込法等の成形方法により成形して成形体を製造
する。プレス法により成形体を製造する場合には、所定
の金型に混合粉末を充填した後、粉末プレス機を用いて
１００〜１０００ｋｇ／ｃｍ²の圧力でプレスを行う。
好ましくは、２００〜５００ｋｇ／ｃｍ²である。粉末
の成形性が悪い場合には、必要に応じてパラフィンやポ
リビニルアルコール等のバインダーを添加してもよい。

【００２２】鋳込法により成形体を製造する場合には、
混合粉末にバインダー、分散剤、イオン交換水を添加
し、ボールミル等により混合することにより鋳込成形体
製造用スラリーを製造する。続いて、得られたスラリー
を用いて鋳込を行う。鋳型にスラリーを注入する前に、
スラリーの脱泡を行うことが好ましい。脱泡は、例えば
ポリアルキレングリコール系の消泡剤をスラリーに添加
して真空中で脱泡処理を行えばよい。続いて、鋳込み成
形体の乾燥処理を行う。

【００２３】次に、得られた成形体を必要に応じて、冷
間静水圧プレス（ＣＩＰ）処理を行う。この際、ＣＩＰ
圧力は充分な圧密効果を得るため１ｔｏｎ／ｃｍ²以
上、好ましくは２〜５ｔｏｎ／ｃｍ²であることが望ま
しい。ここで始めの成形を鋳込法により行った場合に
は、ＣＩＰ後の成形体中に残存する水分およびバインダ
ー等の有機物を除去する目的で脱バインダー処理を施し
てもよい。また、始めの成形をプレス法により行った場
合でも、成形時にバインダーを使用したときには、同様
の脱バインダー処理を行うことが望ましい。

【００２４】このようにして得られた成形体を焼結炉内
に投入して焼結を行う。焼結時の温度制御と雰囲気制御
が、焼結時に発生する焼結体の膨れによる空洞の形成防
止に対して重要となる。

【００２５】まず、３００℃／時間以下の昇温速度で昇
温する。好ましくは５０〜１００℃／時間である。３０
０℃／時間を越える昇温速度とした場合、焼結体に割れ
が発生しやすくなる場合がある。次に、１２００℃〜１
４００℃で保持する。１２００℃未満の温度の場合、焼
結密度が増加しにくくなり、得られる焼結体がスパッタ
リングターゲットしては不適当なものとなることがあ
る。また、１４００℃を越える温度した場合、焼結体の
膨れによる空洞が発生するおそれがある。好ましくは、
１３００〜１４００℃、さらに好ましくは１３５０〜１
４００℃である。保持時間は、３時間〜２０時間とする
のが好ましい。こうすることにより、焼結体の膨れを防
止しながら焼結密度の増加を達成することが可能とな
る。

【００２６】次に、降温速度としては、５０〜３００℃
／時間とするのが好ましい。こうすることにより、焼結
体の割れを効果的に防止することが可能となる。好まし
くは、５０〜１００℃／時間である。

【００２７】また、焼結時の雰囲気は、少なくとも昇温
時の８００℃に達した時点から焼結温度での保持時間が
終了するまでの間の雰囲気が、実質的に純酸素ガス雰囲
気とし、この時焼結炉内に導入する酸素流量（Ｌ／ｍｉ
ｎ）と成形体仕込量（ｋｇ）の比（仕込重量／酸素流
量）を、１．０以下とする。こうすることにより、焼結
体の膨れを防止しながら焼結密度の増加を達成すること
が可能となるからである。

【００２８】このようにして、焼結密度９０％以上の酸
化インジウム−酸化ゲルマニウム複合酸化物系（Ｉｎ−
Ｇｅ−Ｏ系）焼結体を製造することができる。

【００２９】なお、本発明でいう焼結密度（Ｄ）とは、
Ｉｎ₂Ｏ₃とＧｅＯ₂の真密度の相加平均から求められる
理論密度（ｄ）に対する相対値を示している。相加平均
から求められる理論密度（ｄ）とは、ターゲット組成に
おいて、Ｉｎ₂Ｏ₃とＧｅＯ₂粉末の混合量をａ，ｂ
（ｇ）、とした時、それぞれの真密度７．１８，６．２
４（ｇ／ｃｍ³）を用いて、 ｄ＝（ａ＋ｂ）／（（ａ／７．１８）＋（ｂ／６．２
４）） により求められる。焼結体の測定密度をｄ１とすると、
その焼結密度は、 式：Ｄ＝ｄ１／ｄ×１００（％） で求められる。

【００３０】次に、得られた焼結体を所望の形状に加工
し、必要に応じて無酸素銅からなるバッキングプレート
にインジウム半だ等を用いて接合することにより、本願
発明の焼結密度９０％以上のＩｎ−Ｇｅ−Ｏ系スパッタ
リングターゲットが製造される。

【００３１】得られたスパッタリングターゲットを用い
て、ガラス基板やフィルム基板等の基板上に本発明の透
明導電性薄膜を製膜する。製膜手段としては、薄膜の低
抵抗率化および平坦化のためには、ｄｃにｒｆを重畳さ
せたスパッタリング法等をあげることができるが、薄膜
の低抵抗率化および平坦化のためには、ｄｃにｒｆを重
畳させた、５０〜５００Ｗの電力（但し、カソードのサ
イズにより異なる）を使用したスパッタリング法を採用
することが好ましい。この際、ｄｃに重畳させるｒｆの
割合は、印加電力のｒｆ／ｄｃで５０〜１００％とする
ことが好ましい。また、ｒｆとしては１３．５６ＭＨｚ
±０．０５％の高周波が好ましい。

【００３２】成膜時の基板温度は、薄膜を結晶化させる
ため２００℃以上とすることが好ましく、より好ましく
は３００℃以上である。

【００３３】また、酸化インジウムおよび酸化ゲルマニ
ウムの２種類のターゲットを用いて、２元同時スパッタ
リングにより成膜しても良い。さらに、個々のスパッタ
リングターゲットの一部あるいは全部を金属ターゲット
に置き換えても良い。

【００３４】成膜時は、スパッタリングガスとしてアル
ゴンと酸素とを真空装置内に導入してスパッタリングを
行う。膜の低抵抗率化を達成するためには、これら導入
ガスの流量を制御して抵抗率が低下する値に適宜設定す
る。

【００３５】また、形成する膜の厚さは１００〜５００
ｎｍとするのが好ましい。

【００３６】このようにして得られた薄膜は、抵抗率が
２５０μΩ・ｃｍ以下、好ましくは２００μΩ・ｃｍ以
下であり、かつＺ−ｍａｘ／ｔが１０％以下、好ましく
は８％以下、更に好ましくは７％以下となり、極めて平
坦で低抵抗率となる。

【００３７】また、基板上に形成された薄膜は、必要に
応じて所望のパターンにエッチングされた後、本願請求
項４の発明である機器、例えば、無機ＥＬパネル、有機
ＥＬパネル等を構成することができる。

【００３８】本発明による薄膜にエッチング特性、耐熱
性、耐湿性等の向上を目的として第３の元素を添加して
も有効である。第３元素としては、例えば、Ｍｇ，Ａ
ｌ，Ｓｉ，Ｔｉ，Ｚｎ，Ｇａ，Ｙ，Ｚｒ，Ｎｂ，Ｈｆ，
Ｔａ等を例示することができる。これら元素の添加量
は、特に限定されるものではないが、本発明による薄膜
の優れた電気特性および平坦性を劣化させないため、
（第３元素の酸化物の総和）／（Ｉｎ₂Ｏ₃＋ＧｅＯ₂＋
第３元素の酸化物の総和）／１００で０％を超え２０％
以下（重量比）とすることが好ましい。

【００３９】

【実施例】以下、本発明を実施例をもって更に詳細に説
明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。

【００４０】（実施例１）平均粒径０．５μｍの酸化イ
ンジウムおよび酸化ゲルマニウム粉末を所定量ポリエチ
レン製のポットに入れ、乾式ボールミルにより７２時間
混合し、混合粉末を製造した。

【００４１】この粉末を金型に入れ、３００ｋｇ／ｃｍ
²の圧力でプレスして成形体とした。この成形体を３ｔ
ｏｎ／ｃｍ²の圧力でＣＩＰによる緻密化処理を行っ
た。次にこの成形体を純酸素雰囲気焼結炉内に設置し
て、以下の条件で焼結した。 （焼結条件） 焼結温度：１４００℃、昇温速度：１００℃／時間、焼
結時間：６時間、降温速度：１００℃／時間、雰囲気：
昇温時８００℃から降温時４００℃まで純酸素ガスを炉
内に、（仕込重量／酸素流量）＝０．８で導入 得られた焼結体の密度をアルキメデス法により測定し
た。結果を表１に示す。

【００４２】

【表１】

【００４３】この焼結体を湿式加工法により直径４イン
チ厚さ６ｍｍの焼結体に加工し、インジウム半田を用い
て無酸素銅製のバッキングプレートにボンディングして
ターゲットとした。

【００４４】このターゲットを以下のスパッタリング条
件でスパッタリングして薄膜の評価を行った。 （スパッタリング条件） 基板：ガラス基板、印加電力：ｄｃ１５０Ｗ＋ｒｆ１０
０Ｗ、ガス圧：１．１ｍＴｏｒｒ、スパッタリングガ
ス：Ａｒ＋Ｏ₂、Ｏ₂／Ａｒ：Ｘ％（抵抗率が最小となる
値に制御）、基板温度：２００℃、膜厚：２００ｎｍ。

【００４５】得られた膜の組成をＥＰＭＡ（Ｅｌｅｃｔ
ｒｏｎ Ｐｒｏｂｅ ＭｉｃｒｏＡｎａｌｙｓｉｓ）で
分析するとともに、薄膜の抵抗率およびＺ−ｍａｘ／ｔ
を測定した。得られた結果を図２に示す。Ｇｅ／（Ｉｎ
＋Ｇｅ）含有量４〜９％で良好な結果が得られた。

【００４６】Ｇｅ／（Ｉｎ＋Ｇｅ）が６％の時の薄膜の
結晶性をＸＲＤを用いて調べた。結果を図３に示す。
（１００）面に配向した膜であった。

【００４７】（実施例２）実施例１で製造したターゲッ
トの内、薄膜のＧｅ組成が６原子％となったターゲット
を用いて、下記膜厚となるようにスパッタリング時間を
変えた以外は実施例１と同じ条件でスパッタリングを行
い、膜厚５００ｎｍの薄膜を製造した。得られた膜の抵
抗率およびＺ−ｍａｘ／ｔを測定したところ、抵抗率＝
１７５μΩ・ｃｍ、Ｚ−ｍａｘ／ｔ＝８．８％であっ
た。

【００４８】（実施例３）実施例１で製造したターゲッ
トの内、薄膜のＧｅ組成が６原子％となったターゲット
を用いて、基板温度を３００℃とした以外は実施例１と
同じ条件でスパッタリングを行い、膜厚２００ｎｍの薄
膜を製造した。得られた膜の抵抗率およびＺ−ｍａｘ／
ｔを測定したところ、抵抗率＝１７３μΩ・ｃｍ、Ｚ−
ｍａｘ／ｔ＝８．７％であった。

【００４９】（比較例１）実施例１で製造したターゲッ
トの内、薄膜のＧｅ組成が６原子％となったターゲット
を用いて、以下のスパッタリング条件でスパッタリング
して薄膜の評価を行った。 （スパッタリング条件） 基板：ガラス基板、印加電力：ｄｃ２００Ｗ、ガス圧：
１．１ｍＴｏｒｒ、スパッタリングガス：Ａｒ＋Ｏ₂、
Ｏ₂／Ａｒ：Ｘ％（抵抗率が最小となる値に制御）、基
板温度：２００℃、膜厚：２００ｎｍ。

【００５０】得られた膜の抵抗室およびＺ−ｍａｘ／ｔ
を測定したところ、抵抗率＝２３６μΩ・ｃｍ、Ｚ−ｍ
ａｘ／ｔ＝２２．５％であった。

【００５１】（実施例４）図１に示すような構造の薄膜
無機ＥＬ素子を作製した。パネル仕様は以下の通りであ
る。 （パネル仕様） 基板サイズ：２３６ｍｍ×１６６ｍｍ、画素数：６４０
×４００（２５６０００）、ライン幅：２２０μｍ、ス
ペース幅８０：μｍガラス基板上に、以下の製膜条件で
Ｉｎ−Ｇｅ−Ｏ系透明電極１を形成した。 （成膜条件） ターゲット：Ｉｎ−Ｇｅ−Ｏ（実施例１でＧｅ／（Ｉｎ
＋Ｇｅ）＝６％のターゲットを使用）、印加電力：ｄｃ
１５０Ｗ＋ｒｆ１００Ｗ、ガス圧：１．１ｍＴｏｒｒ、
スパッタリングガス：Ａｒ＋Ｏ₂、基板温度：２００
℃、膜厚：１４０ｎｍ 得られた膜の抵抗率は、１９１μΩ・ｃｍで、Ｚ−ｍａ
ｘ／ｔは、７．０％であった。

【００５２】得られた膜に対し、通常行われているウエ
ットエッチング法により、上記のラインアンドスペース
に透明電極のパターニングを行った。

【００５３】次に、ｒｆスパッタリング法によりＡｌ₂
Ｏ₃からなる絶縁層２を２００ｎｍ、真空蒸着法により
ＺｎＳ：Ｍｎ（５ｗｔ．％）からなる発光層７００ｎｍ
を形成した後、Ａｒ雰囲気中、５８０℃で１時間熱処理
を行った。その後、ｒｆスパッタリング法によりＡｌ₂
Ｏ₃からなる絶縁層２を２００ｎｍを形成した。

【００５４】その後、Ａｌ背面電極を形成し、上記のラ
インアンドスペースにパターニングを行い薄膜ＥＬ素子
を完成させた。

【００５５】得られたパネルに対して、下記条件で連続
発光試験を実施した。 （試験条件） 試験波：４０μｓｅｃ−１００Ｈｚ−パルス波、印加電
圧：２１０Ｖ（０−ｐ）、試験温度：室温、試験雰囲
気：窒素気流中、試験時間：５０時間 試験後の画素破壊状況を目視にて調べた。画素破壊点は
０個で、ライン破壊数も０本であり、極めて良好な結果
が得られた。

【００５６】（比較例２）透明電極の形成方法を以下の
ように変更した以外は、実施例４と同じ方法でＥＬパネ
ルを作製した。 （成膜条件） ターゲット：Ｉｎ−Ｇｅ−Ｏ（実施例４と同じ）、印加
電力：ｄｃ２００Ｗ、ガス圧：１．１ｍＴｏｒｒ、スパ
ッタリングガス：Ａｒ＋Ｏ₂、基板温度：２００℃、膜
厚：１４０ｎｍ 得られた膜の抵抗率は、２３０μΩ・ｃｍで、Ｚ−ｍａ
ｘ／ｔは、２２．５％であった。

【００５７】得られたパネルに対して、実施例４と同じ
連続発光試験を実施した。

【００５８】試験後の画素破壊状況を目視にて調べたと
ころ、１５個の画素破壊点と３本のライン破壊が観察さ
れた。

【００５９】（比較例３）透明電極の形成方法を以下の
ように変更した以外は、実施例４と同じ方法でＥＬパネ
ルを作製した。 （成膜条件） ターゲット：ＩＴＯ（ＳｎＯ₂＝１０ｗｔ．％）、印加
電力：ｄｃ１５０Ｗ＋ｒｆ１００Ｗ、ガス圧：１．１ｍ
Ｔｏｒｒ、スパッタリングガス：Ａｒ＋Ｏ₂、基板温
度：２００℃、膜厚：１４０ｎｍ 得られた膜の抵抗率は、１５２μΩ・ｃｍで、Ｚ−ｍａ
ｘ／ｔは、２１．８％であった。

【００６０】得られたパネルに対して、実施例４と同じ
連続発光試験を実施した。

【００６１】試験後の画素破壊状況を目視にて調べたと
ころ、１４個の画素破壊点と２本のライン破壊が観察さ
れた。

【００６２】

【発明の効果】本発明により、大型高精細ＥＬパネルに
好適な、膜表面が平坦で抵抗率の低い透明導電膜を得る
ことが可能となる。

【図面の簡単な説明】

【図１】ＥＬパネルの構造の一例を示す図である。

【図２】実施例１で得られた薄膜の抵抗率およびＺ−ｍ
ａｘ／ｔの値を示す図である。

【図３】実施例１で得られた薄膜のＸ線粉末回折スペク
トルを示す図である。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 内海 健太郎 神奈川県大和市中央林間５―７―８ (72)発明者 長崎 裕一 神奈川県横浜市神奈川区六角橋５−21−33 (72)発明者 黒澤 聡 神奈川県厚木市長谷1540−21 Ｆターム(参考） 4G030 AA34 AA38 BA16 CA01 CA08 4K029 AA09 BA50 BB07 BC05 BC09 BD00 CA05 DC05 DC09 5G307 FA01 FA02 FB01 FC10 5G323 BA02 BB05

Claims (6)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 実質的にインジウム、ゲルマニウムおよ
   び酸素からなり、抵抗率が２５０μΩ・ｃｍ以下、かつ
   Ｚ−ｍａｘ／ｔが１０％以下（但し、Ｚ−ｍａｘ：表面
   凹凸の最大高低差、ｔ：膜厚）であることを特徴とする
   透明導電膜。
2. 【請求項２】 実質的にインジウム、ゲルマニウムおよ
   び酸素からなり、ゲルマニウムがＧｅ／（Ｉｎ＋Ｇｅ）
   の原子比で４．０％〜９．０％の割合で含有されている
   ことを特徴とする請求項１に記載の透明導電膜。
3. 【請求項３】 透明導電膜が結晶膜であることを特徴と
   する請求項１または請求項２に記載の透明導電膜。
4. 【請求項４】 請求項第１〜３項のいずれか１項に記載
   の透明導電性膜を含んでなる機器。
5. 【請求項５】 実質的にインジウム、ゲルマニウムおよ
   び酸素からなる透明導電膜をスパッタリング法により製
   造する方法において、スパッタリングターゲットとして
   実質的にインジウム、ゲルマニウムおよび酸素からなる
   焼結密度９０％以上のスパッタリングターゲットを用
   い、ｄｃにｒｆを重畳させた電力を印加してスパッタリ
   ングすることを特徴とする、抵抗率が２５０μΩ・ｃｍ
   以下、かつＺ−ｍａｘ／ｔが１０％以下である透明導電
   膜の製造方法。
6. 【請求項６】 透明導電膜中に、ゲルマニウムがＧｅ／
   （Ｉｎ＋Ｇｅ）の原子比で４．０％〜９．０％の割合で
   含有されていることを特徴とする請求項５に記載の透明
   導電膜の製造方法。