JPH10130828A - ＭｇＯターゲット及びその製造方法 - Google Patents
ＭｇＯターゲット及びその製造方法Info
- Publication number
- JPH10130828A JPH10130828A JP8289857A JP28985796A JPH10130828A JP H10130828 A JPH10130828 A JP H10130828A JP 8289857 A JP8289857 A JP 8289857A JP 28985796 A JP28985796 A JP 28985796A JP H10130828 A JPH10130828 A JP H10130828A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- mgo
- density
- powder
- film
- obtd
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 スパッタ法により速い成膜速度で均一な膜厚
を有したＭｇＯ膜を成膜可能な、ＡＣ型ＰＤＰのＭｇＯ
保護膜の成膜に好適なＭｇＯターゲットを提供する。 【解決手段】 Ａｒ又はＡｒ＋Ｏ2 雰囲気中で、スパッ
タ法により５００Å／ｍｉｎ以上の成膜速度が得られる
高密度ＭｇＯターゲット。平均粒径０．１〜２μｍの高
純度ＭｇＯ粉末を、３ｔ／ｃｍ2 以上の圧力でＣＩＰ成
形後、１４５０℃以上の温度で焼結する。 【効果】 高純度ＭｇＯ粉末を高圧でＣＩＰ成形するた
め、高密度成形体を得ることができ、これを焼結するこ
とにより、焼結助剤を用いることなく著しく緻密な高密
度・高純度ＭｇＯターゲットを得ることができる。高い
成膜速度で成膜することができる上に、高密度化による
強度、耐パワー性の向上で、大出力成膜により、より一
層の高速化が可能である。
を有したＭｇＯ膜を成膜可能な、ＡＣ型ＰＤＰのＭｇＯ
保護膜の成膜に好適なＭｇＯターゲットを提供する。 【解決手段】 Ａｒ又はＡｒ＋Ｏ2 雰囲気中で、スパッ
タ法により５００Å／ｍｉｎ以上の成膜速度が得られる
高密度ＭｇＯターゲット。平均粒径０．１〜２μｍの高
純度ＭｇＯ粉末を、３ｔ／ｃｍ2 以上の圧力でＣＩＰ成
形後、１４５０℃以上の温度で焼結する。 【効果】 高純度ＭｇＯ粉末を高圧でＣＩＰ成形するた
め、高密度成形体を得ることができ、これを焼結するこ
とにより、焼結助剤を用いることなく著しく緻密な高密
度・高純度ＭｇＯターゲットを得ることができる。高い
成膜速度で成膜することができる上に、高密度化による
強度、耐パワー性の向上で、大出力成膜により、より一
層の高速化が可能である。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はＭｇＯターゲット及
びその製造方法に関わり、詳しくは、ＡＣ型ＰＤＰ(Pla
sma Display Panel)のＭｇＯ保護膜のスパッタ成膜にお
いて、高成膜速度で大面積への均一成膜を可能とするＭ
ｇＯターゲット及びその製造方法に関する。
びその製造方法に関わり、詳しくは、ＡＣ型ＰＤＰ(Pla
sma Display Panel)のＭｇＯ保護膜のスパッタ成膜にお
いて、高成膜速度で大面積への均一成膜を可能とするＭ
ｇＯターゲット及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、液晶(Liquid Crystal Disply：Ｌ
ＣＤ）をはじめとして、各種の平面ディスプレイに関す
る研究開発と実用化はめざましく、その生産量も急増し
ている。
ＣＤ）をはじめとして、各種の平面ディスプレイに関す
る研究開発と実用化はめざましく、その生産量も急増し
ている。
【０００３】カラープラズマディスプレイパネル（ＰＤ
Ｐ）についても、最近になって、その開発と実用化の動
きが活発になってきている。ＰＤＰは大型化しやすく、
ハイビジョン用大画面壁掛けテレビの最短距離にあり、
既に対角４０インチクラスのＰＤＰの試作が進められて
いる。
Ｐ）についても、最近になって、その開発と実用化の動
きが活発になってきている。ＰＤＰは大型化しやすく、
ハイビジョン用大画面壁掛けテレビの最短距離にあり、
既に対角４０インチクラスのＰＤＰの試作が進められて
いる。
【０００４】ＰＤＰは、電極構造の点で金属電極が誘電
体材料で覆われているＡＣ型と、放電空間に金属電極が
露出しているＤＣ型とに分類され、現在はＡＣ型が主流
となっている。
体材料で覆われているＡＣ型と、放電空間に金属電極が
露出しているＤＣ型とに分類され、現在はＡＣ型が主流
となっている。
【０００５】ＡＣ型では、この誘電体層の上には更に保
護層が形成されている。ＡＣ型ＰＤＰ開発の当初は、こ
の保護層は採用されていなかったために、誘電体層が直
接放電にさらされ、イオン衝撃のスパッタリングにより
誘電体層表面が変質して、放電開始電圧が上昇してい
た。従って、この問題を解決するために、高い昇華熱を
持つ種々の酸化物で保護層を形成する試みがなされ、現
在のＡＣ型ＰＤＰは、誘電体層上に保護層が形成された
構造となっている。
護層が形成されている。ＡＣ型ＰＤＰ開発の当初は、こ
の保護層は採用されていなかったために、誘電体層が直
接放電にさらされ、イオン衝撃のスパッタリングにより
誘電体層表面が変質して、放電開始電圧が上昇してい
た。従って、この問題を解決するために、高い昇華熱を
持つ種々の酸化物で保護層を形成する試みがなされ、現
在のＡＣ型ＰＤＰは、誘電体層上に保護層が形成された
構造となっている。
【０００６】ＡＣ型ＰＤＰにおいて、保護層は直接ガス
と接しているため、重要な役割を持っている。この保護
層に求められる特性は、 （ａ）低い放電電圧 （ｂ）耐スパッタ性 （ｃ）速い放電の応答性 （ｄ）絶縁性 である。この条件を満たす保護層材料として、従来、一
般に、ＭｇＯが用いられている。ＭｇＯ保護膜は、誘電
体層表面をスパッタリングの衝撃から守り、ＰＤＰの長
寿命化に重要な働きをしている。
と接しているため、重要な役割を持っている。この保護
層に求められる特性は、 （ａ）低い放電電圧 （ｂ）耐スパッタ性 （ｃ）速い放電の応答性 （ｄ）絶縁性 である。この条件を満たす保護層材料として、従来、一
般に、ＭｇＯが用いられている。ＭｇＯ保護膜は、誘電
体層表面をスパッタリングの衝撃から守り、ＰＤＰの長
寿命化に重要な働きをしている。
【０００７】現在、このＭｇＯ保護膜の成膜には、粒径
１〜５ｍｍ程度の塊状ＭｇＯ粒子を成膜材としたＥＢ蒸
着法が用いられている。
１〜５ｍｍ程度の塊状ＭｇＯ粒子を成膜材としたＥＢ蒸
着法が用いられている。
【０００８】しかし、ＥＢ蒸着法は、成膜速度が高い反
面、成膜材が塊状粒子であるため成膜時に粒子の飛散
（スプラッシュ）が生じる；成膜材を局所的に励起して
成膜するために膜厚分布を生じやすい等の欠点を有す
る。特に、ＰＤＰは、大画面表示が可能な点が大きな特
徴であり、大型化に際しては大型基板への均一成膜が不
可欠な技術となるため、膜厚分布の生じやすいＥＢ蒸着
法ではＰＤＰのＭｇＯ保護膜への適用に問題があり、Ｅ
Ｂ蒸着法に替わる成膜技術が望まれている。
面、成膜材が塊状粒子であるため成膜時に粒子の飛散
（スプラッシュ）が生じる；成膜材を局所的に励起して
成膜するために膜厚分布を生じやすい等の欠点を有す
る。特に、ＰＤＰは、大画面表示が可能な点が大きな特
徴であり、大型化に際しては大型基板への均一成膜が不
可欠な技術となるため、膜厚分布の生じやすいＥＢ蒸着
法ではＰＤＰのＭｇＯ保護膜への適用に問題があり、Ｅ
Ｂ蒸着法に替わる成膜技術が望まれている。
【０００９】このようなＥＢ蒸着法の問題を解決する成
膜方法としては、スパッタ法が挙げられる。即ち、スパ
ッタ法は成膜材が焼結体であるため飛散の問題はなく、
成膜材全体を励起して成膜することから、得られる膜に
厚さ分布が生じにくい。このため、このようなスパッタ
法の長所をＰＤＰ用ＭｇＯ保護膜の成膜に応用するべ
く、各所で試験的にスパッタ法によるＭｇＯ膜の成膜が
検討されている。
膜方法としては、スパッタ法が挙げられる。即ち、スパ
ッタ法は成膜材が焼結体であるため飛散の問題はなく、
成膜材全体を励起して成膜することから、得られる膜に
厚さ分布が生じにくい。このため、このようなスパッタ
法の長所をＰＤＰ用ＭｇＯ保護膜の成膜に応用するべ
く、各所で試験的にスパッタ法によるＭｇＯ膜の成膜が
検討されている。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】従来において、ＭｇＯ
ターゲットは、高純度ＭｇＯ粉末に緻密化のために種々
の焼結助剤を添加して製造されており、このため不純物
を含有している。また、焼結助剤を用いていても、十分
に高密度のＭｇＯ焼結体は得られていない。
ターゲットは、高純度ＭｇＯ粉末に緻密化のために種々
の焼結助剤を添加して製造されており、このため不純物
を含有している。また、焼結助剤を用いていても、十分
に高密度のＭｇＯ焼結体は得られていない。
【００１１】このような従来のＭｇＯターゲットを用い
てスパッタ法でＭｇＯ膜を成膜する場合、成膜速度がＥ
Ｂ蒸着法の場合の１／１０程度と遅く、このため成膜コ
ストが高くつくという問題があった。また、形成される
ＭｇＯ膜の結晶性も良くないという欠点もあった。
てスパッタ法でＭｇＯ膜を成膜する場合、成膜速度がＥ
Ｂ蒸着法の場合の１／１０程度と遅く、このため成膜コ
ストが高くつくという問題があった。また、形成される
ＭｇＯ膜の結晶性も良くないという欠点もあった。
【００１２】スパッタ法によるＭｇＯ膜の成膜におい
て、高い成膜速度が得られず、また、得られるＭｇＯ膜
の結晶性が劣る要因としては、電源容量の不足、成膜条
件の選定等の問題が挙げられるが、最も大きな因子は前
述したように、低密度で不純物を含有したＭｇＯターゲ
ットを用いることにある。
て、高い成膜速度が得られず、また、得られるＭｇＯ膜
の結晶性が劣る要因としては、電源容量の不足、成膜条
件の選定等の問題が挙げられるが、最も大きな因子は前
述したように、低密度で不純物を含有したＭｇＯターゲ
ットを用いることにある。
【００１３】即ち、一般にスパッタ法による成膜では、
ターゲットが高密度なほど高い成膜速度が得られるが、
従来のＭｇＯターゲットは密度が十分に高くないため
に、高い成膜速度が得られない。また、従来のＭｇＯタ
ーゲットは低密度のため強度的にも問題があり、大出力
での成膜は不可能であり、大電力での高速成膜で結晶性
の良好なＭｇＯ膜を成膜できない。
ターゲットが高密度なほど高い成膜速度が得られるが、
従来のＭｇＯターゲットは密度が十分に高くないため
に、高い成膜速度が得られない。また、従来のＭｇＯタ
ーゲットは低密度のため強度的にも問題があり、大出力
での成膜は不可能であり、大電力での高速成膜で結晶性
の良好なＭｇＯ膜を成膜できない。
【００１４】本発明は、上記従来の問題点を解決し、ス
パッタ法により速い成膜速度で均一な膜厚を有したＭｇ
Ｏ膜を成膜することができる、ＡＣ型ＰＤＰのＭｇＯ保
護膜の成膜に好適なＭｇＯターゲット及びその製造方法
を提供することを目的とする。
パッタ法により速い成膜速度で均一な膜厚を有したＭｇ
Ｏ膜を成膜することができる、ＡＣ型ＰＤＰのＭｇＯ保
護膜の成膜に好適なＭｇＯターゲット及びその製造方法
を提供することを目的とする。
【００１５】
【課題を解決するための手段】本発明のＭｇＯターゲッ
トは、相対密度９９％以上のＭｇＯ焼結体よりなり、Ａ
ｒ雰囲気或いはＡｒ−Ｏ2 混合雰囲気中でのスパッタ成
膜において５００Å／ｍｉｎ以上の成膜速度が得られる
ことを特徴とする。
トは、相対密度９９％以上のＭｇＯ焼結体よりなり、Ａ
ｒ雰囲気或いはＡｒ−Ｏ2 混合雰囲気中でのスパッタ成
膜において５００Å／ｍｉｎ以上の成膜速度が得られる
ことを特徴とする。
【００１６】このような本発明のＭｇＯターゲットは、
平均粒径０．１〜２μｍの高純度ＭｇＯ粉末を３ｔ／ｃ
ｍ2 以上の圧力でＣＩＰ成形し、得られた成形体を１４
５０℃以上の温度で焼結することを特徴とする本発明の
ＭｇＯターゲットの製造方法により製造することができ
る。
平均粒径０．１〜２μｍの高純度ＭｇＯ粉末を３ｔ／ｃ
ｍ2 以上の圧力でＣＩＰ成形し、得られた成形体を１４
５０℃以上の温度で焼結することを特徴とする本発明の
ＭｇＯターゲットの製造方法により製造することができ
る。
【００１７】本発明では、高純度ＭｇＯ粉末を３ｔ／ｃ
ｍ2 以上の高圧でＣＩＰ成形するため、高純度で相対密
度６０％以上の高密度成形体を得ることができる。この
高密度成形体を１４５０℃以上で焼結することにより、
焼結助剤を用いることなく、従って、不純物の混入の問
題もなく、相対密度９９％以上の著しく緻密な高密度か
つ高純度なＭｇＯターゲットを得ることができる。
ｍ2 以上の高圧でＣＩＰ成形するため、高純度で相対密
度６０％以上の高密度成形体を得ることができる。この
高密度成形体を１４５０℃以上で焼結することにより、
焼結助剤を用いることなく、従って、不純物の混入の問
題もなく、相対密度９９％以上の著しく緻密な高密度か
つ高純度なＭｇＯターゲットを得ることができる。
【００１８】本発明の高密度ＭｇＯターゲットであれ
ば、スパッタ法により高い成膜速度で成膜することがで
きるが、特に、本発明のＭｇＯターゲットでは高密度化
により強度、耐パワー性が向上しており、大出力での成
膜が可能である。このため、本発明のＭｇＯターゲット
では、通常の出力で従来よりも高い成膜速度が得られ、
また、大出力での成膜も可能であるため、大出力成膜で
より一層成膜を高速化できる。
ば、スパッタ法により高い成膜速度で成膜することがで
きるが、特に、本発明のＭｇＯターゲットでは高密度化
により強度、耐パワー性が向上しており、大出力での成
膜が可能である。このため、本発明のＭｇＯターゲット
では、通常の出力で従来よりも高い成膜速度が得られ、
また、大出力での成膜も可能であるため、大出力成膜で
より一層成膜を高速化できる。
【００１９】
【発明の実施の形態】以下に本発明の実施の形態を詳細
に説明する。
に説明する。
【００２０】本発明のＭｇＯターゲットは、平均粒径
０．１〜２μｍの高純度ＭｇＯ粉末を用い、３ｔ／ｃｍ
2 以上でＣＩＰ成形し、１４５０℃以上で焼結すること
により得られる、相対密度９９％以上に緻密化された高
密度・高純度ＭｇＯ焼結体よりなり、このようなＭｇＯ
ターゲットでスパッタ成膜することにより、５００Å／
ｍｉｎという従来よりも著しく高い成膜速度で、結晶性
が良く均一な膜厚のＭｇＯ膜を成膜することができる。
０．１〜２μｍの高純度ＭｇＯ粉末を用い、３ｔ／ｃｍ
2 以上でＣＩＰ成形し、１４５０℃以上で焼結すること
により得られる、相対密度９９％以上に緻密化された高
密度・高純度ＭｇＯ焼結体よりなり、このようなＭｇＯ
ターゲットでスパッタ成膜することにより、５００Å／
ｍｉｎという従来よりも著しく高い成膜速度で、結晶性
が良く均一な膜厚のＭｇＯ膜を成膜することができる。
【００２１】次に、このような本発明のＭｇＯターゲッ
トを製造する本発明のＭｇＯターゲットの製造方法の好
適例について説明する。
トを製造する本発明のＭｇＯターゲットの製造方法の好
適例について説明する。
【００２２】まず、平均粒径０．１〜２μｍの高純度Ｍ
ｇＯ粉末に、バインダーを所定割合で混合し、エタノー
ル等の分散媒を用いて濃度６０％以上、好ましくは７０
〜７５％のスラリーを調製し、常法に従ってスプレード
ライヤで造粒する。そして、得られた造粒粉を３ｔ／ｃ
ｍ2 以上の圧力でＣＩＰ成形し、得られた成形体を、大
気中、真空中、又は不活性雰囲気中、１４５０℃以上の
温度で焼結する。
ｇＯ粉末に、バインダーを所定割合で混合し、エタノー
ル等の分散媒を用いて濃度６０％以上、好ましくは７０
〜７５％のスラリーを調製し、常法に従ってスプレード
ライヤで造粒する。そして、得られた造粒粉を３ｔ／ｃ
ｍ2 以上の圧力でＣＩＰ成形し、得られた成形体を、大
気中、真空中、又は不活性雰囲気中、１４５０℃以上の
温度で焼結する。
【００２３】原料の高純度ＭｇＯ粉末としては、ＭｇＯ
純度９９．５％以上、特に９９．９％以上の高純度Ｍｇ
Ｏ粉末を用いるのが好ましい。この高純度ＭｇＯ粉末の
平均粒径が０．１μｍ未満であると、粉末のハンドリン
グが悪く、高濃度（７０％以上）スラリーの調製が困難
であり、良好な造粒粉が製造できず、結果として、高密
度の成形体及び焼結体が得られない。特に、大型品を製
造する場合には、密度の問題の他に反りが大きくなり、
後加工に時間がかかる。また、高純度ＭｇＯ粉末の平均
粒径が２μｍを超えると、微構造の制御が難しく、緻密
な焼結体が得られない。
純度９９．５％以上、特に９９．９％以上の高純度Ｍｇ
Ｏ粉末を用いるのが好ましい。この高純度ＭｇＯ粉末の
平均粒径が０．１μｍ未満であると、粉末のハンドリン
グが悪く、高濃度（７０％以上）スラリーの調製が困難
であり、良好な造粒粉が製造できず、結果として、高密
度の成形体及び焼結体が得られない。特に、大型品を製
造する場合には、密度の問題の他に反りが大きくなり、
後加工に時間がかかる。また、高純度ＭｇＯ粉末の平均
粒径が２μｍを超えると、微構造の制御が難しく、緻密
な焼結体が得られない。
【００２４】なお、バインダーとしては、非水系用バイ
ンダーを用いることができ、その添加量は、高純度Ｍｇ
Ｏ粉末に対して０．５〜３．０重量％とするのが好まし
い。
ンダーを用いることができ、その添加量は、高純度Ｍｇ
Ｏ粉末に対して０．５〜３．０重量％とするのが好まし
い。
【００２５】ＣＩＰ成形に当り、成形圧力が３ｔ／ｃｍ
2 未満では、十分に密度の高い成形体を得ることはでき
ず、結果として、得られる焼結体の相対密度が９９％よ
りも低いものとなる。３ｔ／ｃｍ2 以上の圧力でＣＩＰ
成形することにより、密度６０％以上の成形体を得るこ
とができ、この成形体によれば、相対密度９９％以上の
焼結体を得ることが可能となる。
2 未満では、十分に密度の高い成形体を得ることはでき
ず、結果として、得られる焼結体の相対密度が９９％よ
りも低いものとなる。３ｔ／ｃｍ2 以上の圧力でＣＩＰ
成形することにより、密度６０％以上の成形体を得るこ
とができ、この成形体によれば、相対密度９９％以上の
焼結体を得ることが可能となる。
【００２６】焼結温度が１４５０℃未満では、十分に緻
密化することができず、焼結温度１４５０℃以上であれ
ば、相対密度９９％以上の高密度焼結体を得ることが可
能となる。焼結温度は特に１５００〜１６００℃とする
のが好ましい。
密化することができず、焼結温度１４５０℃以上であれ
ば、相対密度９９％以上の高密度焼結体を得ることが可
能となる。焼結温度は特に１５００〜１６００℃とする
のが好ましい。
【００２７】なお、本発明において、ＭｇＯ粉末からの
原料調製は、前記のようにスプレードライ造粒でなく、
仮焼粉によるものでも構わない。
原料調製は、前記のようにスプレードライ造粒でなく、
仮焼粉によるものでも構わない。
【００２８】
【実施例】以下に実施例及び比較例を挙げて本発明を具
体的に説明するが、本発明はその要旨を超えない限り、
以下の実施例に限定されるものではない。
体的に説明するが、本発明はその要旨を超えない限り、
以下の実施例に限定されるものではない。
【００２９】実施例１〜４、比較例１〜４ 原料に宇部化学社製高純度ＭｇＯ粉末（ＭｇＯ純度９
９．９％、平均粒径０．２μｍ）を用い、この粉末にバ
インダー（三洋化成社製「ＰＥＧ−２００」）を３重量
％添加し、エタノールを分散媒としてボールミルにより
２４時間湿式混合して造粒用スラリーを調製した。得ら
れたスラリーをスプレードライ造粒（乾燥塔温度７０
℃）し、平均粒径８０μｍの造粒粉末を得た。この造粒
粉末を表１に示す圧力でＣＩＰ成形し、直径１６５ｍｍ
で厚さ１０ｍｍの成形体を作製した。この成形体の密度
は表１に示す通りである。この成形体を表１に示す温度
で大気中にて３時間焼結して焼結体を得た。得られた焼
結体について、密度及び曲げ強度を測定した。曲げ強度
の測定方法は、ＪＩＳ Ｒ １６０１に準拠した。
９．９％、平均粒径０．２μｍ）を用い、この粉末にバ
インダー（三洋化成社製「ＰＥＧ−２００」）を３重量
％添加し、エタノールを分散媒としてボールミルにより
２４時間湿式混合して造粒用スラリーを調製した。得ら
れたスラリーをスプレードライ造粒（乾燥塔温度７０
℃）し、平均粒径８０μｍの造粒粉末を得た。この造粒
粉末を表１に示す圧力でＣＩＰ成形し、直径１６５ｍｍ
で厚さ１０ｍｍの成形体を作製した。この成形体の密度
は表１に示す通りである。この成形体を表１に示す温度
で大気中にて３時間焼結して焼結体を得た。得られた焼
結体について、密度及び曲げ強度を測定した。曲げ強度
の測定方法は、ＪＩＳ Ｒ １６０１に準拠した。
【００３０】表１に焼結体密度と曲げ強度の測定結果を
示す。
示す。
【００３１】
【表１】
【００３２】表１から明らかなように、３ｔ／ｃｍ2 以
上でＣＩＰ成形した成形体を焼結温度１４５０℃以上で
焼結することにより、相対密度９９％以上のほぼ理論密
度に達した緻密な焼結体が得られる。また、これらの焼
結体のうち最も高い密度を有した実施例４の１６５０℃
焼結体は、従来のＭｇＯ焼結体の２〜３倍の曲げ強度を
示した。
上でＣＩＰ成形した成形体を焼結温度１４５０℃以上で
焼結することにより、相対密度９９％以上のほぼ理論密
度に達した緻密な焼結体が得られる。また、これらの焼
結体のうち最も高い密度を有した実施例４の１６５０℃
焼結体は、従来のＭｇＯ焼結体の２〜３倍の曲げ強度を
示した。
【００３３】この実施例４の１６５０℃焼結体を研削加
工で直径１２５ｍｍ、厚さ５ｍｍのサイズとし、表面を
＃４００に仕上げた後、Ｃｕ製バックプレートをボンデ
ィングして成膜評価を行った。
工で直径１２５ｍｍ、厚さ５ｍｍのサイズとし、表面を
＃４００に仕上げた後、Ｃｕ製バックプレートをボンデ
ィングして成膜評価を行った。
【００３４】成膜条件はＲＦスパッタ１５００Ｗ、Ｔ／
Ｓ５ｃｍ、基板温度３００℃、ガス圧１０ｍｍＴｏｒｒ
とし、雰囲気はＡｒ又はＡｒ＋Ｏ2 （混合比１：１）の
２種類とした。得られた膜はＨｅ−Ｘｅレーザ（６３２
８Å）のエリプソにより膜厚測定を行い、成膜速度を求
めた。また同時に吸収係数を求めた。比較のため比較例
２で得られた焼結体についてもＡｒ雰囲気で同様に成膜
評価を行った。結果を表２に示す。
Ｓ５ｃｍ、基板温度３００℃、ガス圧１０ｍｍＴｏｒｒ
とし、雰囲気はＡｒ又はＡｒ＋Ｏ2 （混合比１：１）の
２種類とした。得られた膜はＨｅ−Ｘｅレーザ（６３２
８Å）のエリプソにより膜厚測定を行い、成膜速度を求
めた。また同時に吸収係数を求めた。比較のため比較例
２で得られた焼結体についてもＡｒ雰囲気で同様に成膜
評価を行った。結果を表２に示す。
【００３５】
【表２】
【００３６】表２より明らかなように、本発明のＭｇＯ
ターゲットの成膜速度は、いずれの雰囲気でも５００Å
／ｍｉｎ以上であり、従来のＭｇＯターゲットの５〜７
倍の高い成膜速度となっている。また、得られたＭｇＯ
膜の吸収係数から、いずれの雰囲気で得られた膜も結晶
性は極めて良いことがわかる。
ターゲットの成膜速度は、いずれの雰囲気でも５００Å
／ｍｉｎ以上であり、従来のＭｇＯターゲットの５〜７
倍の高い成膜速度となっている。また、得られたＭｇＯ
膜の吸収係数から、いずれの雰囲気で得られた膜も結晶
性は極めて良いことがわかる。
【００３７】
【発明の効果】以上詳述した通り、本発明によれば、不
純物が少なく、高密度であることにより、スパッタ成膜
で従来の５倍以上の高速成膜で良好な膜質のＭｇＯ膜を
成膜可能なＭｇＯターゲットが提供される。
純物が少なく、高密度であることにより、スパッタ成膜
で従来の５倍以上の高速成膜で良好な膜質のＭｇＯ膜を
成膜可能なＭｇＯターゲットが提供される。
【００３８】スパッタ法はＥＢ蒸着法に比べて大面積へ
の均一成膜が容易であることから、本発明は、ＰＤＰの
大型化に対応可能な基板成膜技術として工業的に極めて
有用である。
の均一成膜が容易であることから、本発明は、ＰＤＰの
大型化に対応可能な基板成膜技術として工業的に極めて
有用である。
Claims (2)
- 【請求項１】 相対密度９９％以上のＭｇＯ焼結体より
なり、Ａｒ雰囲気或いはＡｒ−Ｏ2 混合雰囲気中でのス
パッタ成膜において５００Å／ｍｉｎ以上の成膜速度が
得られることを特徴とするＭｇＯターゲット。 - 【請求項２】 請求項１に記載のＭｇＯターゲットを製
造する方法であって、平均粒径０．１〜２μｍの高純度
ＭｇＯ粉末を３ｔ／ｃｍ2 以上の圧力でＣＩＰ成形し、
得られた成形体を１４５０℃以上の温度で焼結すること
を特徴とするＭｇＯターゲットの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8289857A JPH10130828A (ja) | 1996-10-31 | 1996-10-31 | ＭｇＯターゲット及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8289857A JPH10130828A (ja) | 1996-10-31 | 1996-10-31 | ＭｇＯターゲット及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10130828A true JPH10130828A (ja) | 1998-05-19 |
Family
ID=17748667
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8289857A Pending JPH10130828A (ja) | 1996-10-31 | 1996-10-31 | ＭｇＯターゲット及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10130828A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20020053010A (ko) * | 2000-12-26 | 2002-07-04 | 마츠시타 덴끼 산교 가부시키가이샤 | 박막형성방법 및 장치 |
| SG145671A1 (en) * | 2007-03-01 | 2008-09-29 | Heraeus Inc | High density ceramic and cermet sputtering targets by microwave sintering |
| WO2013065564A1 (ja) * | 2011-11-04 | 2013-05-10 | 株式会社フェローテックセラミックス | スパッタリングターゲットおよびその製造方法 |
| WO2013099832A1 (ja) * | 2011-12-27 | 2013-07-04 | Jx日鉱日石金属株式会社 | スパッタリング用焼結体酸化マグネシウムターゲット及びその製造方法 |
| CN106893976A (zh) * | 2017-01-18 | 2017-06-27 | 东莞市佳乾新材料科技有限公司 | 一种以高纯致密氧化镁为靶材制备MgO薄膜的方法 |
| JP2017172041A (ja) * | 2016-03-22 | 2017-09-28 | Tdk株式会社 | 誘電体薄膜及び電子部品 |
-
1996
- 1996-10-31 JP JP8289857A patent/JPH10130828A/ja active Pending
Cited By (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20020053010A (ko) * | 2000-12-26 | 2002-07-04 | 마츠시타 덴끼 산교 가부시키가이샤 | 박막형성방법 및 장치 |
| SG145671A1 (en) * | 2007-03-01 | 2008-09-29 | Heraeus Inc | High density ceramic and cermet sputtering targets by microwave sintering |
| WO2013065564A1 (ja) * | 2011-11-04 | 2013-05-10 | 株式会社フェローテックセラミックス | スパッタリングターゲットおよびその製造方法 |
| US9824868B2 (en) | 2011-11-04 | 2017-11-21 | Ferrotec Ceramics Corporation | Sputtering target and method for producing the same |
| JPWO2013065564A1 (ja) * | 2011-11-04 | 2015-04-27 | 株式会社フェローテックセラミックス | スパッタリングターゲットおよびその製造方法 |
| CN103917687A (zh) * | 2011-11-04 | 2014-07-09 | 飞罗得陶瓷股份有限公司 | 溅射靶材及其制造方法 |
| JP5654119B2 (ja) * | 2011-12-27 | 2015-01-14 | Jx日鉱日石金属株式会社 | スパッタリング用焼結体酸化マグネシウムターゲット及びその製造方法 |
| CN103814152A (zh) * | 2011-12-27 | 2014-05-21 | 吉坤日矿日石金属株式会社 | 溅射用烧结体氧化镁靶及其制造方法 |
| WO2013099832A1 (ja) * | 2011-12-27 | 2013-07-04 | Jx日鉱日石金属株式会社 | スパッタリング用焼結体酸化マグネシウムターゲット及びその製造方法 |
| US9988709B2 (en) | 2011-12-27 | 2018-06-05 | Jx Nippon Mining & Metals Corporation | Sintered compact magnesium oxide target for sputtering, and method for producing same |
| US10066290B1 (en) | 2011-12-27 | 2018-09-04 | Jx Nippon Mining & Metals Corporation | Sintered compact magnesium oxide target for sputtering, and method for producing same |
| JP2017172041A (ja) * | 2016-03-22 | 2017-09-28 | Tdk株式会社 | 誘電体薄膜及び電子部品 |
| CN106893976A (zh) * | 2017-01-18 | 2017-06-27 | 东莞市佳乾新材料科技有限公司 | 一种以高纯致密氧化镁为靶材制备MgO薄膜的方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3314728B2 (ja) | 多結晶ＭｇＯ蒸着材 | |
| JP3893793B2 (ja) | ＭｇＯ蒸着材及びその製造方法 | |
| JP3470633B2 (ja) | ＭｇＯを主成分とする蒸着材及びその製造方法 | |
| JP5418751B2 (ja) | ＺｎＯ蒸着材とその製造方法、およびそのＺｎＯ膜形成方法 | |
| JPH10130827A (ja) | ＭｇＯターゲット及びその製造方法 | |
| JPH10291854A (ja) | 多結晶ＭｇＯ蒸着材及びその製造方法 | |
| JP5418752B2 (ja) | ＺｎＯ蒸着材とその製造方法、およびそのＺｎＯ膜形成方法 | |
| JP3331584B2 (ja) | 多結晶ＭｇＯ蒸着材 | |
| JP5418747B2 (ja) | ＺｎＯ蒸着材とその製造方法、およびそのＺｎＯ膜形成方法 | |
| JPH10297955A (ja) | ＭｇＯ蒸着材及びその製造方法 | |
| JPH10130828A (ja) | ＭｇＯターゲット及びその製造方法 | |
| JP5499453B2 (ja) | ＺｎＯ蒸着材とその製造方法、およびそのＺｎＯ膜形成方法 | |
| JP5516838B2 (ja) | ＺｎＯ蒸着材の製造方法 | |
| JP5418748B2 (ja) | ＺｎＯ蒸着材とその製造方法、およびそのＺｎＯ膜形成方法 | |
| JP5418749B2 (ja) | ＺｎＯ蒸着材とその製造方法、およびそのＺｎＯ膜形成方法 | |
| KR20120104642A (ko) | ＺｎＯ 증착재와 그 제조 방법, 및 ＺｎＯ 막 | |
| JP3359268B2 (ja) | 真空成膜用ペレット、ＭｇＯ焼結体の製造方法およびＭｇＯ薄膜の真空成膜方法 | |
| JP5418750B2 (ja) | ＺｎＯ蒸着材とその製造方法、およびそのＺｎＯ膜形成方法 | |
| JP4917725B2 (ja) | 透明導電膜およびその製造方法並びにその用途 | |
| KR20070041440A (ko) | 단결정 산화마그네슘 소결체, 그 제조 방법 및 플라즈마디스플레이 패널용 보호막 | |
| JPH10158826A (ja) | ＭｇＯターゲット及びその製造方法 | |
| JP2004043955A (ja) | ＭｇＯ蒸着材およびその製造方法、ＭｇＯ膜の製造方法 | |
| JPH1129355A (ja) | 多結晶ＭｇＯ蒸着材とその製造方法 | |
| JP4823475B2 (ja) | 蒸着材、ＭｇＯ蒸着材およびその製造方法、成膜方法 | |
| JPH11335824A (ja) | ＭｇＯを主成分とするタ−ゲット材料およびその製造方法 |