JPWO2003082769A1 - 一酸化珪素焼結体及びこれからなるスパッタリングターゲット - Google Patents

Abstract

質量％で、ボロン、リンまたはアンチモンをドープした珪素粉末を２０〜８０％含有させ、残部は一酸化珪素からなる原料粉末、または残部は一酸化珪素または一酸化珪素と二酸化珪素の混合物からなり、この混合物中の一酸化珪素の含有量が２０％以上である原料粉末を成形した一酸化珪素焼結体、およびこれを用いたスパッタリングターゲットである。この焼結体によれば、成膜速度を確保するとともに、成膜される膜特性の安定化を図ることができる。このため、光学用保護膜として透明プラスチックのガス透過防止、ガラスのＮａ溶出防止、またはレンズ表面の保護膜として用いられる酸化珪素系薄膜の成膜用として、広く適用することができる。

Description

技術分野
本発明は、一酸化珪素焼結体及びこれからなるスパッタリングターゲットに関し、さらに詳しくは、光学用保護膜として透明プラスチックのガス透過防止、ガラスのＮａ溶出防止、またはレンズ表面の保護膜などに用いられる一酸化珪素焼結体及びこれからなるスパッタリングターゲットに関するものである。
背景技術
ＳｉＯ_２膜またはＳｉＯ_Ｘ（１＜Ｘ＜２）膜などの酸化珪素系の薄膜は、電気絶縁性に優れ、機械的強度も高いので、各種の光学用部品のバリア膜として使用されるとともに、透明であり、またガスに対する遮断性にも優れることから、透明プラスチックのガス透過防止の保護膜としても利用されている。このようなＳｉＯ_２膜またはＳｉＯ_Ｘ膜を基体材料に成膜する場合には、珪素（Ｓｉ）、一酸化珪素（ＳｉＯ）及び二酸化珪素（ＳｉＯ_２）をスパッタリングターゲットとして反応性スパッタリング法が行われる。
この反応性スパッタリング法には、２極直流反応性スパッタリング法及び高周波反応性スパッタリング法が代表的な方法として用いられている。まず、２極直流反応性スパッタリング法によって薄膜を形成するには、減圧条件下、Ａｒ等の不活性ガスにＮ_２やＯ_２等を混合して導入し、電極間に直流高圧を印加して放電（グロー放電）させる。
このような放電により不活性ガスはイオン化して、陰極側へ高速で衝突し、陰極上へ配置された物質（ターゲット）を飛び出させる。そして、その飛び出した物質が窒化物あるいは酸化物となって基体の表面上へ堆積して薄膜が形成される。
これに対し、高周波反応性スパッタリング法は、上記２極直流反応性スパッタリング法において印加される直流高圧に替えて、５０ｋＨｚ以上の高周波電圧を印加して高周波グロー放電を起こし、上記と同様に基体の表面上に薄膜を形成する方法である。
上述の２極直流反応性スパッタリング法は、装置及び操作が簡便であり、成膜速度が速いという利点を有しているが、高抵抗物質や絶縁体をターゲットとすると、ターゲットが正イオンによって帯電してスパッタリングが不可能になる。
一方、上述の高周波反応性スパッタリング法は、高周波放電を利用しているので、絶縁体等をターゲットとした場合でもグロー放電が維持されることから、薄膜形成が可能である。しかし、高周波反応性スパッタリング法では、成膜速度が２極直流反応性スパッタリング法に比べて遅く、さらに、その電源構成が複雑であることから、装置制作費が高価となり、また、電源の信頼性やメンテナンス性に不安がある。このため、この方法では、安定して高周波電流を得るのが困難であるという問題が存在する。
このような問題に対応するため、従来では高周波反応性スパッタリング法で成膜されていた絶縁性の基体材料に対し、直流反応性スパッタリング法によって成膜する試みがなされるようになる。例えば、主となる材料（ＰＬＺＴ・ＰＺＴ系）の一部（酸素成分）を欠損させて、低抵抗化することにより、直流反応性スパッタリングを行う方法が知られている。
さらに、焼結体の低抵抗化を図るため、絶縁性物質に導電性物質を混合して、焼結させ導電性の高い焼結体を得て、直流反応性スパッタリングを施す方法が提案されている（特開２０００−２６４７３１号公報、特開２００１−５８７１号公報等）。
しかしながら、上述の方法のうち、酸素欠損により焼結体に導電性を具備させる方法では、この方法が適用できる物質が限られており、本発明が対象とする酸化珪素系の材料には適用できない。また、提案された絶縁物質と導電性物質とを混合焼結して導電性の高い焼結体を得る方法では、異種材料を混合した焼結体とするため、スパッタリングの際に異種材料が同時に成膜され、膜特性が変化する。さらに、混合焼結体であるため、スパッタリングターゲットの比抵抗が均一にならず、成膜が不安定になる等の問題も発生する。
発明の開示
前述の通り、酸化珪素系の薄膜を成膜するには、Ｓｉ、ＳｉＯ及びＳｉＯ_２をスパッタリングターゲットとして反応性スパッタリング法が行われる。ところが、Ｓｉは単結晶の育成段階において、ボロン（Ｂ）、リン（Ｐ）またはアンチモン（Ｓｂ）をドープすることによって、容易に低抵抗化を図ることが可能である。
このため、通常、ドープされたＳｉ粉末体を直流スパッタリング装置を用いて、酸素を導入しながら直流反応性スパッタリング法で成膜することができる。これに対し、ＳｉＯ、ＳｉＯ_２の焼結体をスパッタリングターゲットに用いる場合には、材料に導電性が無いため、高周波反応性スパッタリング法によって成膜される。
ドープされたＳｉを用いて直流反応性スパッタリング法で成膜する場合には、成膜速度が高くなるが、反応性スパッタリングの条件が変化し易く、その結果成膜された酸化珪素の膜特性がばらつくことになる。さらに、高出力投入時に、ドープされたＳｉが割れ易いなどの問題も発生する。
一方、ＳｉＯ_Ｘ（１＜Ｘ＜２）膜またはＳｉＯ_２膜を形成する場合には、膜組成に近いＳｉＯ、ＳｉＯ_２をターゲットとして用いれば、雰囲気への酸素導入量が少なくできるため、膜特性の均質化が可能になる。前述の通り、ＳｉＯ、ＳｉＯ_２は導電性が低く絶縁性物質であるため、高周波反応性スパッタリング装置を用いる必要がある。このため、直流反応性スパッタリング法に比べ、成膜速度が遅く、焼結体の大型化が困難であるとの問題がある。
本発明は、従来の酸化珪素系の薄膜を反応性スパッタリング法によって成膜する際の問題点に鑑みてなされたものであり、焼結体の抵抗率を下げて、直流反応性スパッタリング装置に適用できるようにし、成膜速度を確保するとともに、成膜される膜特性の安定化を図り、さらに異種材料の使用にはならず、単一組成の薄膜を成膜することが可能となる、一酸化珪素焼結体及びこれからなるスパッタリングターゲットを提供することを目的としている。
本発明者らは、上述の課題を解決するため、酸化珪素系薄膜の成膜方法について、種々の検討を加えた結果、導電性のある一酸化珪素の焼結体を製作できれば、これをスパッタリングターゲットとして利用することによって、直流電源を用いたスパッタリング装置を適用して、酸化珪素系薄膜を成膜することができることに着目した。
これにより、成膜される膜特性の安定性を確保できると同時に、成膜速度を高めて生産性の向上を図れ、良好なスパッタレート（成膜効率）が得られることになる。
上記の検討において、ドープしたＳｉ粉末とＳｉＯ粉末、またはＳｉＯとＳｉＯ_２との混合粉末とを混合して焼結する際に、ＳｉＯ粉末の内部または表面において「ＳｉＯ」の一部が「Ｓｉ＋ＳｉＯ_２」に熱分解することを知見した。
すなわち、絶縁体であるＳｉＯにヘビードープしたＳｉを導電体として混合、焼結することにより、熱分解したＳｉと混合したＳｉの相互作用によって良好な導電性が得られることになる。
さらに、これらを混合焼結した場合であっても、反応スパッタリングによってＳｉ、ＳｉＯ及びＳｉＯ_２粉末のいずれであっても、同一組成の酸化珪素膜を成膜するので、成膜される膜特性に影響を及ぼすことがない。これにより、従来の混合焼結で問題となっていた、膜特性の変化、さらにスパッタリングターゲットの比抵抗が不均一になることを解消することができる。
本発明は、上記の知見に基づいて完成したものであり、下記（１）〜（４）の一酸化珪素焼結体及び（５）の一酸化珪素焼結体からなるスパッタリングターゲットを要旨としている。
（１）ボロン、リンまたはアンチモンをドープした珪素粉末と一酸化珪素粉末を混合して原料粉末を成形したことを特徴とする一酸化珪素焼結体である。
（２）質量％で、ボロン（Ｂ）、リン（Ｐ）またはアンチモン（Ｓｂ）をドープした珪素粉末（Ｓｉ）を２０〜８０％含有させ、残部は一酸化珪素（ＳｉＯ）からなる原料粉末を成形したことを特徴とする一酸化珪素焼結体である。
（３）質量％で、ボロン（Ｂ）、リン（Ｐ）またはアンチモン（Ｓｂ）をドープした珪素粉末（Ｓｉ）を２０〜８０％含有させ、残部は一酸化珪素（ＳｉＯ）または一酸化珪素と二酸化珪素の混合物（ＳｉＯとＳｉＯ_２）からなり、この混合物中の一酸化珪素（ＳｉＯ）の含有量が２０％以上である原料粉末を成形したことを特徴とする一酸化珪素焼結体である。
上記（１）〜（３）の一酸化珪素焼結体は、焼結後の嵩密度９５％以上にするのが望ましい。
（４）比抵抗が８Ω・ｃｍ〜４×１０^−３Ω・ｃｍであることを特徴とする一酸化珪素焼結体である。
（５）上記（１）〜（４）の一酸化珪素焼結体からなることを特徴とするスパッタリングターゲットである。
発明を実施するための最良の形態
本発明の一酸化珪素焼結体は、質量％で、Ｂ、ＰまたはＳｂをドープしたＳｉ粉末を２０〜８０％含有させることを特徴としている。さらに望ましくは、その含有量を３０〜６０％にする。ドープしたＳｉ粉末を含有させることにより、この焼結体は導電性を有することから、直流電源のスパッタリング装置のターゲットとすることができる。
反応スパッタリングに際し、スパッタリング装置の陰極（ターゲット）として用いると、成膜された膜特性にバラツキが少なくなり、良好なスパッタレートを得ることができる。
ドープしたＳｉ粉末を含有させることにより、Ｓｉ粉末同士が接触して導電性を示す部分もあるが、混合焼結時にＳｉＯ粉末内部か表面において、ＳｉＯの一部が熱分解する。
このとき、熱分解したＳｉに導電性のＳｉ粉末中のドープ元素、Ｂ、ＰまたはＳｂが熱拡散することによって、さらに電気伝導性を向上させている。この点は、発明者らが行った実験によって、焼結温度を上げるにつれて焼結体の比抵抗が急激に低下する実験結果から確認することができる。
本発明の焼結体では、ドープしたＳｉ粉末の含有が２０％未満であると、高温で焼結しても焼結体の比抵抗が十分に下がらない。これはドープされたＳｉ粉末の粒子分布が「粗」になりすぎるためである。このため、ドープしたＳｉ粉末の含有の下限を２０％とし、望ましくは３０％とした。
一方、ドープしたＳｉ粉末の含有が８０％を超えると、ＳｉＯの特性が消失し、Ｓｉターゲットと同様に、成膜された膜の特性がバラツキ、高出力投入時に割れ易い等の欠点が発生する。このため、ドープしたＳｉ粉末の含有の上限を８０％とし、望ましくは６０％とした。
混合焼結に際し、ＳｉＯを混合させることなく、ドープしたＳｉ粉末とＳｉＯ_２粉末とを混合して焼結しても、ターゲット用として要求される嵩密度９５％を達成することができない。
しかしながら、ホットプレス時にＳｉＯ粉末を存在させれば、充分に嵩密度９５％以上を達成することができる。ＳｉＯは昇華温度が１２００℃程度と低いため、ホットプレスにともなってガラス状になることから、原料粉末にＳｉＯが混合していると、Ｓｉ粉末やＳｉＯ_２粉末の隙間にＳｉＯが浸透して、ガラス状焼結体が形成されるためであると推察される。
上述のことから、本発明の焼結体では、原料粉末としてドープしたＳｉ粉末とＳｉＯ粉末の混合が必須である。しかし、ターゲットの酸素濃度を調節するために、ドープしたＳｉ粉末とＳｉＯ粉末の混合原料にＳｉＯ_２粉末を混合させるのも有効である。この場合であっても、ＳｉＯの特性を消失させることなく、ターゲットの膜特性の均一化を図るため、ＳｉＯ粉末の含有量は２０％以上にする必要がある。望ましくは、３０％以上である。
また、この一酸化珪素焼結体は、焼結性の向上、導電特性の均一化及び膜組成の均一化の観点から、原料粉末の平均粒径を細かくするのが望ましい。一方、原料粉末が微細になりすぎると、混合不良の問題が発生する。したがって、原料粉末の平均粒径は、１〜２０μｍの範囲にするのが望ましい。
本発明の一酸化珪素焼結体に含有される、ドープされたＳｉ粉末の比抵坑は、０．０１Ω・ｃｍ（高抵抗率）〜０．０００１Ω・ｃｍ（低抵抗率）を目標にするのが望ましい。高抵抗になりすぎると、十分な導電特性が確保できず、低抵抗になりすぎると、材料費が高価になりすぎるからである。
Ｂ、ＰまたはＳｂによるドープ方法は、特に限定するものではなく、通常、シリコン単結晶の育成段階で採用されている方法であればよい。Ｂ、ＰまたはＳｂのドープ量は、育成されたＳｉ単結晶が上記の比抵抗を満足するように添加される。
本発明の一酸化珪素焼結体は、ＳｉＯを主成分とした粉末、すなわち、ＳｉＯ粉末、またはＳｉＯとＳｉＯ_２との混合粉末にドープしたＳｉ粉末を２０〜８０％含有させて、充分に混合し、得られた粉体を１００ｋｇ／ｃｍ^２以上の圧力で加圧しながら、望ましくは１２５０〜１４００℃の温度で加圧焼成して製造する。
焼結温度が高すぎると、Ｓｉ粉末の溶解が発生し良好な焼結体が得られず、一方、焼結温度が低すぎると、焼結が不十分であり、Ｂ、Ｐのドープ元素の熱拡散が充分に行われなくなる。このため、本発明の一酸化珪素焼結体の製造では、焼結温度は１２５０〜１４００℃にするのが望ましく、１３００〜１４００℃にするのがさらに望ましい。
（実施例）
本発明の一酸化珪素焼結体を用いることによる効果を、具体的な実施例に基づいて説明する。
実施例では、Ｂでドープすることにより、比抵抗を０．０００４Ω・ｃｍに調整したＳｉ粉末を用いた。Ｓｉ粉末及びＳｉＯ粉末ともに、平均粒径が１０μｍ以下になるまで微粉砕した。このＳｉ粉末をＳｉＯ粉末中に１０〜９０％の範囲で含有させ、得られた粉体を９．８ＭＰａ（１００ｋｇｆ／ｃｍ^２）の圧力をかけながら、１４００℃で２時間加圧焼結させた後、φ６インチ×ｔ５ｍｍに機械加工して、スパッタリングターゲットとした。
上記条件で得られた各焼結体の表面抵抗率及び密度比を測定し、さらに、この焼結体をターゲットに利用して、直流電源を用いた反応性スパッタリングを行って一酸化珪素膜（ＳｉＯ膜）を形成し、単位時間当たりの成膜厚みのスパッタレートを測定するとともに、膜特性のバラツキを観察した。
表面抵抗率の測定は４端子法にて行い、また、密度比は（嵩密度／理論密度）×１００％で示している。膜特性のバラツキは、透過率及び屈折率等の測定結果より観察している。上記の測定結果及び観察結果は、表１に示す。

表１の結果より、本発明で規定するように、ドープしたＳｉ粉末をＳｉＯ粉末中に２０〜８０％の範囲で含有させることによって、スパッタレートとともに、膜特性のバラツキ状況も良好であることが分かる。
さらに、参考試験として、上記と同一条件でＳｉＯ_２粉末を用いて焼結体を製作し、得られた焼結体を機械加工して、スパッタリングターゲットとし、ＳｉＯ_２薄膜を形成させた。このとき、同様の測定及び観察を行ったが、焼結体の表面抵抗率は１０^７Ω・ｃｍ以上で、スパッタレートは不良であり、表１中の試験Ｎｏ．１の場合と同様であることを確認している。
上述の通り、本発明の一酸化珪素焼結体によれば、焼結体の抵抗率を下げて直流反応性スパッタリング装置に適用でき、成膜速度を確保するとともに、安定した膜特性を確保することができる。
産業上の利用の可能性
本発明の一酸化ケイ素の焼結体を用いれば、焼結体の抵抗率を下げて直流反応性スパッタリング装置にも適用できるので、成膜速度を確保するとともに、成膜される膜特性の安定化を図り、さらに異種材料の使用にはならず、単一組成の薄膜を成膜することができる。このため、この一酸化珪素焼結体からなるスパッタリングターゲットを用いれば、良好なスパッタレートと膜特性のバラツキが少ないスパッタリング反応が保証される。これにより、光学用保護膜として透明プラスチックのガス透過防止、ガラスのＮａ溶出防止、またはレンズ表面の保護膜として用いられる酸化珪素系薄膜の成膜用として、広く適用することができる。

【０００５】
さらに、これらを混合焼結した場合であっても、反応スパッタリングによってＳｉ、ＳｉＯ及びＳｉＯ_２粉末のいずれであっても、同一組成の酸化珪素膜を成膜するので、成膜される膜特性に影響を及ぼすことがない。これにより、従来の混合焼結で問題となっていた、膜特性の変化、さらにスパッタリングターゲットの比抵抗が不均一になることを解消することができる。
本発明は、上記の知見に基づいて完成したものであり、下記（１）〜（４）の一酸化珪素焼結体及び（５）の一酸化珪素焼結体からなるスパッタリングターゲットを要旨としている。
（１）ボロン、リンまたはアンチモンをドープした珪素粉末と一酸化珪素粉末を混合した原料粉末を成形したことを特徴とする一酸化珪素焼結体である。
（２）質量％で、ボロン（Ｂ）、リン（Ｐ）またはアンチモン（Ｓｂ）をドープした珪素粉末（Ｓｉ）を２０〜８０％含有させ、残部は一酸化珪素（ＳｉＯ）からなる原料粉末を成形したことを特徴とする一酸化珪素焼結体である。
（３）質量％で、ボロン（Ｂ）、リン（Ｐ）またはアンチモン（Ｓｂ）をドープした珪素粉末（Ｓｉ）を２０〜８０％含有させ、残部は一酸化珪素（ＳｉＯ）または一酸化珪素と二酸化珪素の混合物（ＳｉＯとＳｉＯ_２）からなり、この混合物中の一酸化珪素（ＳｉＯ）の含有量が２０％以上である原料粉末を成形したことを特徴とする一酸化珪素焼結体である。
上記（１）〜（３）の一酸化珪素焼結体は、焼結後の嵩密度９５％以上にするのが望ましい。
（４）比抵抗が８Ω・ｃｍ〜４×１０^−３Ω・ｃｍであることを特徴とする一酸化珪素焼結体である。
（５）上記（１）〜（４）の一酸化珪素焼結体からなることを特徴とす

Claims (10)

1. ボロン、リンまたはアンチモンをドープした珪素粉末と一酸化珪素粉末を混合して原料粉末を成形したことを特徴とする一酸化珪素焼結体。
2. 焼結後の嵩密度９５％以上であることを特徴とする請求項１に記載の一酸化珪素焼結体。
3. 上記原料粉末の平均粒径が１〜２０μｍであることを特徴とする請求項１に記載の一酸化珪素焼結体。
4. 質量％で、ボロン、リンまたはアンチモンをドープした珪素粉末を２０〜８０％含有させ、残部は一酸化珪素からなる原料粉末を成形したことを特徴とする一酸化珪素焼結体。
5. 焼結後の嵩密度９５％以上であることを特徴とする請求項４に記載の一酸化珪素焼結体。
6. 質量％で、ボロン、リンまたはアンチモンをドープした珪素粉末を２０〜８０％含有させ、残部は一酸化珪素または一酸化珪素と二酸化珪素の混合物からなり、この混合物中の一酸化珪素の含有量が２０％以上である原料粉末を成形したことを特徴とする一酸化珪素焼結体。
7. 焼結後の嵩密度９５％以上であることを特徴とする請求項６に記載の一酸化珪素焼結体。
8. 比抵抗が８Ω・ｃｍ〜４×１０^−３Ω・ｃｍであることを特徴とする一酸化珪素焼結体。
9. 請求項１〜８のいずれかに記載の一酸化珪素焼結体からなることを特徴とするスパッタリングターゲット。
10. 直流電源を用いた反応性スパッタリングに用いられることを特徴とする請求項９に記載のスパッタリングターゲット。