JP2019039070A - ＳｉＣスパッタリングターゲット - Google Patents

Abstract

【課題】炭化ケイ素の含有量が高く、導電性と熱伝導性に優れ、スパッタリング時の異常放電が発生しにくいＳｉＣスパッタリングターゲットを提供する。【解決手段】ＹとＯとを含み、残部がＳｉＣ及び不可避不純物からなるＳｉＣスパッタリングターゲットであって、前記Ｙと前記Ｏとの含有量比Ｙ／Ｏが質量比で３．８以上４．６以下の範囲にあり、前記Ｙの含有量が０．８０質量％以上４．８２質量％以下の範囲にあることを特徴とするＳｉＣスパッタリングターゲット。【選択図】図１

Description

本発明は、ＳｉＣ（炭化ケイ素）のスパッタリングターゲットに関する。

ＳｉＣは硬度が高く、化学的な安定性が高いという特性を有する。このため、ＳｉＣ膜は、ガラス、セラミックス、金属、有機物などの各種材料からなる基板の保護膜として利用することが検討されている。

ＳｉＣ膜をスパッタリングによって成膜することができるＳｉＣスパッタリングターゲットとして、特許文献１には、炭化ケイ素の体積比率（％）＝炭化ケイ素の全体積／（炭化ケイ素の全体積＋ケイ素の全体積）×１００とした場合に、炭化ケイ素を５０〜７０％含むターゲットが開示されている。この特許文献１によると、上記のＳｉＣスパッタリングターゲットは導電性があるため直流電源（ＤＣ）装置を用いてスパッタリングを行うことができるとされている。

特許第４６１９１１８号公報

ＳｉＣ膜を成膜するためのＳｉＣスパッタリングターゲットは、純度が高いＳｉＣ膜を安定してＤＣ（直流）スパッタリングによって成膜できるように、導電性に優れていること、すなわち抵抗率が低く、そのばらつきが小さいことが要求される。また、スパッタリングによる成膜時において、熱による破損が生じないように熱伝導性に優れること、すなわち熱伝導度が高いことが要求される。さらに、連続的に安定してスパッタリングによる成膜が可能なように異常放電が発生しにくいことが要求される。

しかしながら、特許文献１に記載されているＳｉＣスパッタリングターゲットは、炭化ケイ素の体積比率が５０〜７０％の範囲とされている。このため、純度の高いＳｉＣ膜を成膜するのは困難であるという問題があった。また、Ｓｉは一般に抵抗が高く、ＳｉＣと比較して熱導電率が低いため、Ｓｉを多く含むと、導電性と熱伝導性が低くなるおそれがあった。

この発明は、前述した事情に鑑みてなされたものであって、炭化ケイ素の含有量が高く、導電性と熱伝導性に優れ、スパッタリング時の異常放電が発生しにくいＳｉＣスパッタリングターゲットを提供することを目的とする。

上記の課題を解決するために、本発明のＳｉＣスパッタリングターゲットは、ＹとＯとを含み、残部がＳｉＣ及び不可避不純物からなるＳｉＣスパッタリングターゲットであって、前記Ｙと前記Ｏとの含有量比Ｙ／Ｏが質量比で３．８以上４．６以下の範囲にあり、前記Ｙの含有量が０．８０質量％以上４．８２質量％以下の範囲にあることを特徴としている。

この構成のＳｉＣスパッタリングターゲットは、前記Ｙと前記Ｏとの含有量比Ｙ／Ｏが質量比で３．８以上とされているので、導電性と熱伝導性が向上する。また、前記Ｙと前記Ｏとの含有量比Ｙ／Ｏが質量比で４．６以下とされているので、スパッタリング時の異常放電が発生しにくくなる。
さらに、この構成のＳｉＣスパッタリングターゲットは、Ｙの含有量が０．８０質量％以上４．８２質量％以下の範囲とされているので、導電性と熱伝導性が確実に向上し、スパッタリング時の異常放電が確実に発生しにくくなる。またさらに、ＹとＯ以外の残部は、ＳｉＣ及び不可避不純物とされているので、炭化ケイ素の含有量が高くなる。

ここで、本発明のＳｉＣスパッタリングターゲットにおいては、密度比が、９５％以上であることが好ましい。
この場合、密度比が９５％以上と高く、ＳｉＣスパッタリングターゲットが緻密となるので、導電性と熱伝導性がより向上し、スパッタリング時の異常放電がより発生しにくくなる。

さらに、本発明のＳｉＣスパッタリングターゲットにおいては、前記Ｙと前記Ｏとの含有量比が質量比で４．０以上であることが好ましい。
この場合、ＹとＯとの含有量比が質量比で４．０以上と高いので、導電性と熱伝導性がさらに向上する。

またさらに、本発明のＳｉＣスパッタリングターゲットにおいては、前記Ｙの含有量が１．０質量％以上であることが好ましい。
この場合、Ｙの含有量が１．０質量％以上と多いので、導電性と熱伝導性がさらに向上し、スパッタリング時の異常放電がさらに発生しにくくなる。

本発明によれば、炭化ケイ素の含有量が高く、導電性と熱伝導性に優れ、スパッタリング時の異常放電が発生しにくいＳｉＣスパッタリングターゲットを提供することが可能となる。

本発明の一実施形態に係るＳｉＣスパッタリングターゲットのＳＥＭ写真である。

以下に、本発明の一実施形態に係るＳｉＣスパッタリングターゲット及びその製造方法について説明する。
本実施形態であるＳｉＣスパッタリングターゲットは、例えば、ＤＣスパッタリングによって、ＳｉＣ膜を成膜する際に用いられるものである。

本実施形態のＳｉＣスパッタリングターゲットは、ＹとＯとを含み、残部がＳｉＣ及び不可避不純物からなるＳｉＣスパッタリングターゲットであって、前記Ｙと前記Ｏとの含有量比Ｙ／Ｏが質量比で３．８以上４．６以下の範囲にあり、前記Ｙの含有量が０．８０質量％以上４．８２質量％以下の範囲とされている。さらに、本実施形態のＳｉＣスパッタリングターゲットは、密度比が９５％以上とされている。

図１は、本発明の一実施形態に係るＳｉＣスパッタリングターゲットのＳＥＭ（走査型電子顕微鏡）写真である。
図１に示すＳＥＭ写真から、本実施形態のＳｉＣ焼結体では、黒く見える結晶の粒界に３次元の網目状に白色物質が存在していることわかる。ＥＰＭＡ（電子線マイクロアナライザ）により黒く見える結晶に対して元素分析を行うとＳｉとＣが検出され、白色物質に対して元素分析を行うとＹとＯが検出される。すなわち、本実施形態のＳｉＣ焼結体では、ＳｉＣ結晶の粒界にＹ酸化物が３次元の網目状に存在している。

本実施形態のＳｉＣスパッタリングターゲットでは、ＹとＯとの含有量比Ｙ／Ｏは質量比で３．８以上とされており、Ｙ酸化物として最も安定的なＹ_２Ｏ_３（Ｙ／Ｏ＝３．７）と比較してＹ／Ｏが高いことから、ＹとＯとが酸素欠損を有するＹ酸化物を形成していると考えられる。すなわち、本実施形態のＳｉＣスパッタリングターゲットでは、酸素欠損を有するＹ酸化物がＳｉＣ結晶の粒界に３次元の網目状に存在していると考えられる。 酸素欠損を有するＹ酸化物は、Ｙ_２Ｏ_３と比較して金属Ｙに近い物性を示し、導電性と熱伝導性が高くなる。このため、本実施形態のＳｉＣスパッタリングターゲットは、導電性と熱伝導性が向上する。

次に、本実施形態であるＳｉＣスパッタリングターゲットにおいて、ＹとＯの含有量比、Ｙの含有量および密度比を上述のように規定した理由について説明する。

（ＹとＯの含有量比Ｙ／Ｏ：質量比で３．８以上４．６以下）
本実施形態のＳｉＣスパッタリングターゲットにおいて、Ｙ／Ｏが３．８未満の場合は、Ｙ酸化物の酸素欠損が少なくなりすぎて、ＳｉＣスパッタリングターゲットの導電性と熱伝導性が低下するおそれがある。一方、Ｙ／Ｏが４．６を超える場合は、スパッタリング時の異常放電が発生し易くなるおそれがある。これは、Ｙ酸化物の酸素欠損が多くなりすぎることによってＹ酸化物の抵抗値がＳｉＣより低下し、スパッタリング時にＹ酸化物が選択的に消耗することによって、スパッタ面に亀裂や空隙が生じ、この亀裂や空隙を起点として異常放電が発生するためであると考えられる。
このような理由から、本実施形態のＳｉＣスパッタリングターゲットにおいては、ＹとＯの含有量比Ｙ／Ｏを質量比で３．８以上４．６以下の範囲に設定している。なお、ＳｉＣスパッタリングターゲットの導電性と熱伝導性をより向上させるためには、Ｙ／Ｏを４．０以上とすることが好ましい。また、スパッタリング時の異常放電をより抑えるためには、Ｙ／Ｏを４．５以下とすることが好ましい。

本実施形態のＳｉＣスパッタリングターゲットにおいて、酸素欠損を有するＹ酸化物は、下記の式（Ｉ）で表される酸化物であることが好ましい。
Ｙ_２Ｏ_３−ｘ ・・・（Ｉ）
式（Ｉ）中、ｘは、０．０８以上０．５８以下の範囲、好ましくは０．２２以上０．５３以下の範囲である。

（Ｙの含有量：０．８０質量％以上４．８２質量％以下）
本実施形態のＳｉＣスパッタリングターゲットにおいて、Ｙの含有量が０．８０質量％未満の場合は、ＳｉＣ結晶の粒界に３次元の網目状に存在するＹ酸化物の量が少なくなりすぎて、ＳｉＣスパッタリングターゲットの導電性が低下するおそれがある。また、密度比が低くなるおそれがある。一方、Ｙの含有量が４．８２質量％を超える場合は、ＳｉＣスパッタリングターゲットの熱伝導性が低下するおそれがある。
このような理由から、本実施形態のＳｉＣスパッタリングターゲットにおいては、Ｙの含有量を０．８０質量％以上４．８２質量％以下の範囲と設定している。なお、ＳｉＣスパッタリングターゲットの導電性と熱伝導性をより向上させるためには、Ｙの含有量を１．０質量％以上とすることが好ましい。また、ＳｉＣスパッタリングターゲットの熱伝導性が低下するのをより抑えるためには、Ｙの含有量を４．５質量％以下とすることが好ましい。

（密度比：９５％以上）
本実施形態のＳｉＣスパッタリングターゲットにおいて、密度比が９５％未満となる場合は、ＳｉＣ結晶とＹ酸化物との間に形成される空隙が多くなりすぎて、その空隙を起点として、スパッタリング時の異常放電が発生し易くなるおそれがある。
このため、本実施形態のＳｉＣスパッタリングターゲットにおいては、密度比を９５％以上に設定している。ＳｉＣスパッタリングターゲットの導電性と熱伝導性をより向上させ、スパッタリング時の異常放電の発生をより抑えるためには、密度比を９７％以上とすることが好ましい。

本実施形態のＳｉＣスパッタリングターゲットにおいて、ＳｉＣの結晶構造については特に制限はない。α−ＳｉＣ、β−ＳｉＣのいずれであってもよい。本実施形態のＳｉＣスパッタリングターゲットでは、酸素欠損を有するＹ酸化物がＳｉＣ結晶の粒界に３次元の網目状に存在させることによって導電性と熱伝導性を向上させるので、相対的に熱伝導率が低いβ−ＳｉＣを用いることができる。なお、β−ＳｉＣを用いることで、抵抗値を下げやすくなる。

本実施形態のＳｉＣスパッタリングターゲットは、抵抗率が０．５Ω・ｃｍ以下であることが好ましく、０．１Ω・ｃｍ以下であることがさらに好ましい。抵抗率のばらつきは、ＳｉＣスパッタリングターゲットのスパッタ面の５箇所で測定した抵抗率のばらつきとして０．０５Ω・ｃｍ以下であることが好ましい。抵抗率のばらつきが０．０５Ω・ｃｍ以下であると、スパッタリングによる成膜時の成膜レートを安定させることができ、組成や膜厚が均一なＳｉＣ膜を安定に成膜することができる。なお、上述の抵抗率のばらつきは、０．０２Ω・ｃｍ以下であることがさらに好ましい。
また、ＳｉＣスパッタリングターゲットの熱伝導率は１５０Ｗ／ｍ・Ｋ以上であることが好ましい。熱伝導率は１５０Ｗ／ｍ・Ｋ以上であると、スパッタリング時の熱による破損が生じにくくなる。なお、上述の熱伝導率は、２００Ｗ／ｍ・Ｋ以上であることがさらに好ましい。

次に、本実施形態のＳｉＣスパッタリングターゲットの製造方法について説明する。 本実施形態のＳｉＣスパッタリングターゲットは、例えば、原料粉末を混合して原料粉末混合物を得る混合工程と、原料粉末混合物を焼成して焼結体を得る焼結工程と、得られた焼結体を機械加工する機械加工工程とを備える方法によって製造することができる。以下に、各工程について説明する。

（混合工程）
混合工程では、まず、原料粉末としてＳｉＣ粉末とＹ酸化物粉末とを用意する。
ＳｉＣ粉末としては、α−ＳｉＣ粉末を用いてもよいし、β−ＳｉＣ粉末を用いてもよい。ＳｉＣ粉末は、Ｄ５０（メジアン径）が０．２μｍ以上０．４μｍ以下であることが好ましい。また、ＳｉＣ粉末は、純度が９９．９質量％以上９９．９９９質量％以下の範囲にあることが好ましい。

Ｙ酸化物粉末としては、Ｙ_２Ｏ_３粉末を用いてもよいし、前記式（１）で表される酸素欠損を有するＹ酸化物の粉末を用いてもよい。Ｙ_２Ｏ_３粉末は、Ｄ５０が３μｍ以上４μｍ以下であることが好ましい。また、Ｙ_２Ｏ_３粉末は、純度が９９．９質量％以上９９．９９９質量％以下の範囲にあることが好ましい。

ＳｉＣ粉末とＹ酸化物粉末とは、粉砕機能を有する混合装置を用いて混合することが好ましい。粉砕機能を有する混合装置としては、ボールミル装置を用いることができる。ボールミル装置のボールとしては、Ｓｉ_３Ｎ_４製ボール、ＳｉＣ製ボールまたはＳｉＣより硬度が高い材質からなるボールを用いることが好ましい。ボールミル装置の容器としては金属成分を含まない樹脂製容器を用いることが好ましい。

（焼結工程）
焼結工程において、焼結体を作製する方法としては、ホットプレス法を用いることができる。具体的には、上記の混合工程で得られた原料粉末混合物を、所定形状のモールド内に充填し、ホットプレス装置を用いて加圧焼成して焼結体を作製する。

ホットプレス装置内の雰囲気は、Ｙ酸化物粉末としてＹ_２Ｏ_３粉末を用いた場合は還元ガス雰囲気とする。還元ガスとしては、炭化ガスや水素ガスを用いることができる。Ｙ酸化物粉末として酸素欠損を有するＹ酸化物粉末を用いた場合は真空雰囲気もしくは不活性ガス雰囲気とする。不活性ガスとしては、アルゴンガス、窒素ガスを用いることができる。

ここで、焼成時間を調整することにより、ＹとＯとの含有量比Ｙ／Ｏを制御することが可能となる。焼成時間は、２時間以上６時間以下の範囲内とすることが好ましい。なお、焼成時間の下限は３時間以上であることがさらに好ましい。焼成時間の上限は５時間以下であることがさらに好ましい。
焼成温度は、１９００℃以上２１００℃以下の範囲にあることが好ましい。なお、焼成温度の下限は１９５０℃以上とすることがさらに好ましい。焼成温度の上限は２０５０℃以下とすることがさらに好ましい。
焼成時の圧力は、２０ＭＰａ以上４０ＭＰａ以下の範囲にあることが好ましい。なお、 焼成時の圧力の下限は、２５ＭＰａ以上とすることがさらに好ましい。焼結時の圧力の上限は、３５ＭＰａ以下とすることがさらに好ましい。

なお、Ｙ酸化物粉末としてＹ_２Ｏ_３粉末を用いた場合、焼結工程の前に、原料粉末混合物を還元雰囲気中にて焼成し、原料粉末混合物中のＹ_２Ｏ_３粉末を還元して、酸素欠損を有するＹ酸化物粉末を生成させてもよい。この場合は、ホットプレス焼結の際の雰囲気は、真空雰囲気もしくは不活性ガス雰囲気とすることができる。

（機械加工工程）
機械加工工程では、上記の焼結工程で得られた焼結体に対して切削加工又は研削加工を施すことにより、所定形状のＳｉＣスパッタリングターゲットに加工する。

以上のような構成とされた本実施形態に係るＳｉＣスパッタリングターゲットは、ＹとＯとの含有量比Ｙ／Ｏが質量比で３．８以上とされており、ＳｉＣ結晶の粒界に存在するＹ酸化物が酸素欠損を有するので、導電性と熱伝導性が向上する。また、ＹとＯとの含有量比Ｙ／Ｏが質量比で４．６以下とされているので、スパッタリング時の異常放電が発生しにくくなる。さらに、本実施形態のＳｉＣスパッタリングターゲットは、Ｙの含有量が０．８０質量％以上４．８２質量％以下の範囲とされているので、導電性と熱伝導性が確実に向上し、スパッタリング時の異常放電が確実に発生しにくくなる。またさらに、ＹとＯ以外の残部は、ＳｉＣ及び不可避不純物とされているので、炭化ケイ素の含有量が高くなる。

さらにまた、本実施形態のＳｉＣスパッタリングターゲットにおいては、密度比が９５％以上と高く、緻密となるので、導電性と熱伝導性がより向上し、スパッタリング時の異常放電がより発生しにくくなる。

以下に、本発明の作用効果を確認するために行った評価試験の結果について説明する。

［本発明例１〜５および比較例１〜４］
原料粉末として、ＳｉＣ粉末（純度：９９．９質量％、平均粒子径：０．４μｍ）とＹ_２Ｏ_３粉末（純度：９９．９質量％、平均粒子径：３．５μｍ）とを用意した。

ＳｉＣ粉末とＹ_２Ｏ_３粉末とを、下記表１に示す配合割合となるように秤量し、ボールミル装置の容器にボールと共に投入し、１６時間混合した。ボールミル装置の容器は、樹脂製容器を用い、ボールはＳｉ_３Ｎ_４製ボールを用いた。

得られた原料粉末混合物を、グラファイト製のモールドに充填し、次いで真空ホットプレス装置を用いて加圧焼成して焼結体を作製した。その際の焼成温度は１９５０℃とし、焼成時の圧力は３４．３ＭＰａとして、モールドなどのグラファイト製部材から発生する炭化ガスにより還元雰囲気とした。焼成時間は下記の表１に示す焼成時間とした。

得られた焼結体を、砥石を用いた研削加工により所定の形状に加工し、金属製のバッキングプレートにはんだ付けした後、ＳｉＣスパッタリングターゲット（直径１２５ｍｍ×厚さ５ｍｍの円板状ターゲット）を作製した。

＜元素分布＞
本発明例１〜５で作製したＳｉＣスパッタリングターゲットについて、ＥＰＭＡを用いて元素分布を測定した。その結果、ＳｉＣスパッタリングターゲットはいずれも、ＹとＯとがＳｉＣ結晶の粒界に存在していることが確認された。

＜組成分析＞
組成分析は、焼結体をＳｉＣスパッタリングターゲットの形状に切削加工する際に発生した粉末を回収し、回収した粉末中のＹとＯの含有量を測定することにより行った。Ｙの含有量は高周波アルゴンプラズマ発光分光分析装置を用いて測定した。Ｏの含有量は、不活性ガス融解赤外吸収法により測定した。その結果を、Ｙ／Ｏ比［質量比］と共に、下記の表２に示す。

＜密度比＞
作製したＳｉＣスパッタリングターゲットの密度を、アルキメデス法により測定した。密度比は、測定した密度を理論密度で割ることで算出した。なお、理論密度ρは、原料粉末混合物中のＳｉＣ粉末とＹ_２Ｏ_３粉末の配合比率と、ＳｉＣとＹ_２Ｏ_３の理論密度に基づいて下記の式より算出した値とした。なお、下記の式中、Ｃ_１はＳｉＣ粉末の配合比率（質量％）、ρ_１はＳｉＣの理論密度（３．２１ｇ／ｃｍ^３）、Ｃ_２はＹ_２Ｏ_３粉末の配合比率（質量％）、ρ_２はＹ_２Ｏ_３の理論密度（５．０１ｇ／ｃｍ^３）である。その結果を、下記の表２に示す。

＜抵抗率＞
作製したＳｉＣスパッタリングターゲットのスパッタ面（円）の中心の１点と、その中心で互いに直交する２本の直線のそれぞれ両端部分の４点の合計５点で、抵抗値を、四探針法により測定し、その平均値をＳｉＣスパッタリングターゲットの抵抗率とした。その結果を、下記の表２に示す。

＜抵抗率のばらつき＞
四探針法により測定した５点の抵抗値における最大値と最小値の差を抵抗率の面内ばらつきの値として評価した。その結果を、下記の表２に示す。

＜熱伝導率＞
作製したＳｉＣスパッタリングターゲットを所定の形状（１０ｍｍ×１０ｍｍ×２ｍｍ）に加工した試験片をレーザーフラッシュ法により熱定数測定装置を用いて室温での熱伝導率を測定した。その結果を、下記の表２に示す。

＜異常放電回数＞
作製したＳｉＣスパッタリングターゲットについて、スパッタリング時の異常放電回数を以下の手順で測定した。
スパッタリング中の異常放電の評価は、前準備として下記の条件においてプレスパッタを３０分間行いターゲット表面の加工による影響を除去したのち、スパッタリングは以下の成膜条件により、成膜試験を行った。

（成膜条件）
電源：ＤＣ８００Ｗ（ＤＣスパッタリングが行えなかった場合は、ＲＦスパッタ）
全圧０．４Ｐａ
スパッタガス：Ａｒ＝５０ｓｃｃｍ
ターゲット−基板距離：７０ｍｍ

上記成膜条件において１時間のＤＣスパッタリングを行い、マイクロ・アーク異常放電の発生回数をスパッタ電源装置に付属したアーキングカウンターにて自動測定した。その結果を、下記の表２に示す。なお、ＤＣスパッタリングが行えなかったものについては、下記の表２のＤＣスパッタ可否の欄に「否」と記載し、ＲＦスパッタリングを行った際の異常放電回数を記載した。

焼成時間を２時間とし、Ｙ／Ｏが３．８未満である比較例１は、ＤＣスパッタが否で、かつ異常放電回数が多くなった。ＤＣスパッタが否となったのは、抵抗率が高くなりすぎたためであると考えられる。異常放電回数が多くなったのは、熱伝導率が低くなりすぎたため、スパッタリング時においてスパッタ面に熱による破損が生じ、その破損部を起点して異常放電が発生したためであると考えられる。また、抵抗率が高く、熱伝導率が低くなったのは、Ｙ酸化物が酸素欠損を有しないＹ_２Ｏ_３として存在しているためであると推察される。
焼成時間を６時間とし、Ｙ／Ｏが４．６を超える比較例２は、異常放電回数が多くなった。これは、Ｙ酸化物の酸素欠損が多くなりすぎてＹ酸化物の抵抗値がＳｉＣより低下し、スパッタリング時においてＹ酸化物が選択に消耗することによって、スパッタ面に亀裂や空隙が生じ、この亀裂や空隙を起点として異常放電が発生したためであると考えられる。

Ｙ含有量が０．８０質量％未満の比較例３は、ＤＣスパッタが否で、かつ異常放電回数が多くなった。ＤＣスパッタが否となったのは、抵抗率が高くなりすぎたためであると考えられる。また、異常放電回数が多くなったのは、密度比が低く、スパッタ面に微細な空隙が多数存在し、この空孔を起点として異常放電が発生したためと考えられる。抵抗率が高く、密度比が低くなったのは、ＳｉＣ結晶の粒界に３次元の網目状に存在するＹ酸化物の量が少なくなりすぎたためであると推察される。
Ｙ含有量が４．８２質量％を超える比較例４は、異常放電回数が多くなった。これは、ＳｉＣと比較して熱伝導率が低いＹ酸化物の含有量が多くなりすぎて、熱伝導率が低下し、スパッタリング時においてスパッタ面に熱による破損が生じ、その破損部を起点して異常放電が発生し易くなったためであると考えられる。

これに対して、ＹとＯとの含有量比Ｙ／ＯとＹ含有量が本発明の範囲内とされた本発明例１〜５においては、抵抗率が低く（導電性が高い）、抵抗率のばらつきが小さくなった。また、熱伝導率が高く、異常放電数が低減した。
特に、Ｙ／Ｏが４．０以上とされている本発明例２〜５においては、熱伝導性が向上した。また、密度比が９５％以上で、Ｙの含有量が１．０質量％以上されている本発明例１〜３、５においては、異常放電回数が低減した。

以上の結果から、本発明例によれば、炭化ケイ素の含有量が高く、導電性と熱伝導性に優れ、スパッタリング時の異常放電が発生しにくいＳｉＣスパッタリングターゲットを提供するＳｉＣスパッタリングターゲットを提供することが可能となることが確認された。

Claims (4)

1. ＹとＯとを含み、残部がＳｉＣ及び不可避不純物からなるＳｉＣスパッタリングターゲットであって、
   前記Ｙと前記Ｏとの含有量比Ｙ／Ｏが質量比で３．８以上４．６以下の範囲にあり、前記Ｙの含有量が０．８０質量％以上４．８２質量％以下の範囲にあることを特徴とするＳｉＣスパッタリングターゲット。
2. 密度比が９５％以上であることを特徴とする請求項１に記載のＳｉＣスパッタリングターゲット。
3. 前記Ｙと前記Ｏとの含有量比が質量比で４．０以上であることを特徴とする請求項１または２に記載のＳｉＣスパッタリングターゲット。
4. 前記Ｙの含有量が１．０質量％以上であることを特徴とする請求項１から３のいずれか一項に記載のＳｉＣスパッタリングターゲット。