TWI766121B - 氧化物燒結體及濺鍍靶 - Google Patents
氧化物燒結體及濺鍍靶 Download PDFInfo
- Publication number
- TWI766121B TWI766121B TW107138377A TW107138377A TWI766121B TW I766121 B TWI766121 B TW I766121B TW 107138377 A TW107138377 A TW 107138377A TW 107138377 A TW107138377 A TW 107138377A TW I766121 B TWI766121 B TW I766121B
- Authority
- TW
- Taiwan
- Prior art keywords
- oxide
- sintered body
- oxide sintered
- sno
- gallium
- Prior art date
Links
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/01—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics
- C04B35/453—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on zinc, tin, or bismuth oxides or solid solutions thereof with other oxides, e.g. zincates, stannates or bismuthates
- C04B35/457—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on zinc, tin, or bismuth oxides or solid solutions thereof with other oxides, e.g. zincates, stannates or bismuthates based on tin oxides or stannates
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
Abstract
關於本發明實施形態之一樣態的氧化物燒結體，係含有氧化錫與氧化鎵之氧化物燒結體，其中，氧化鎵之含量為20mol%<Ga2O3≦90mol%，比電阻為1×103Ω‧cm以下。
Description
本發明揭示之實施形態係有關氧化物燒結體及濺鍍靶。
以往，就成膜為氧化物半導體薄膜之濺鍍靶而言，已知有包含氧化錫(SnO2)與氧化鎵(Ga2O3)之GTO(鎵錫氧化物，Gallium Tin Oxide)靶(例如參照專利文獻1)。
專利文獻1：日本專利公開公報日本特開2013-40394號公報
然而，以往的GTO靶在氧化鎵的濃度高於20mol%時，會有靶的比電阻變大而無法進行使用DC(直流)電源的濺鍍(以下，亦呼稱為DC濺鍍)之問題。
有鑑於前述問題，實施形態之一態樣之目的在於提供一種即便氧化鎵之濃度高於20mol%時亦可進行DC濺鍍之GTO濺鍍靶用氧化物燒結體。
有關於實施形態之一態樣之氧化物燒結體，係含有氧化錫與氧化鎵之氧化物燒結體，氧化鎵之含量為20mol%<Ga2O3≦90mol%，比電阻為1×103Ω‧cm以下。
依據實施形態之一態樣，可提供一種GTO濺鍍靶用氧化物燒結體，係即便氧化鎵之濃度高於20mol%時亦可進行DC濺鍍者。
1‧‧‧氧化物燒結體
1a‧‧‧中央部
1b‧‧‧外周部
第1圖係實施例4之氧化物燒結體的SEM觀察照片。
第2圖係表示氧化物燒結體之體電阻之測定處的示意圖。
第3圖係實施例4至8之氧化物燒結體之X射線繞射圖譜。
第4圖係比較例1之氧化物燒結體之X射線繞射圖譜。
以下，參考附件的圖式，對本案揭示之氧化物燒結體及濺鍍靶的實施形態進行說明。另外，本案發 明並不侷限於以下所示之實施形態。
實施形態之氧化物燒結體1(參照第2圖)係含有氧化錫與氧化鎵，且可使用作為濺鍍靶。實施形態之氧化物燒結體1係例如包含氧化錫、氧化鎵與不可避免之雜質所成，且可使用作為GTO靶。另外，實施形態之GTO靶在無損於實施形態之有利功效的範圍內，可容許含有少量的其他元素。
實施形態之氧化物燒結體1的氧化鎵之含量為20mol%<Ga2O3≦90mol%，比電阻為1×103Ω‧cm以下。
就實施形態之氧化物燒結體1而言，較佳係氧化鎵之含量超過20mol%(典型為20.5mol%以上)、且為90mol%以下。氧化鎵之含量為90mol%以下時，則對相較於SnO2為比電阻大的Ga2O3之助益變小，故濺鍍靶之比電阻變低，因而較佳。由此觀點來看，氧化鎵之含量較佳為85mol%以下，更佳為75mol%以下，再更佳為65mol%以下，又再更佳為50mol%以下。並且，當氧化鎵之含量為50mol%以下，氧化鎵之含量較佳為45mol%以下，更佳為40mol%以下。
並且，實施形態之氧化物燒結體1之比電阻為1×103Ω‧cm以下。藉此，使用該氧化物燒結體1作為濺鍍靶時，變得可使用便宜的DC電源來進行濺鍍，可提升成膜速率。
另外，實施形態之氧化物燒結體1較佳係 比電阻為5×102Ω‧cm以下，再更佳係比電阻為1×102Ω‧cm以下。
實施形態之氧化物燒結體1較佳為盡可能地不生成錫酸鎵化合物(Ga4SnO8)。雖然未確定不生成錫酸鎵化合物(Ga4SnO8)是否為使得比電阻變低的理由，但咸認有可能是因為錫酸鎵化合物(Ga4SnO8)之比電阻較高之原故。
由此觀點來看，實施形態之氧化物燒結體1於X射線繞射測定中，相對於氧化錫(SnO2)相之(110)面之譜峰的錫酸鎵化合物(Ga4SnO8)相之(111)面之譜峰的強度比I係以0.15以下為較佳。亦即，實施形態之氧化物燒結體1中，相對於氧化錫(SnO2)相之錫酸鎵化合物(Ga4SnO8)相之比例，較佳為比上述譜峰強度比I所規定之既定比例更小。
藉此，可形成比電阻小之氧化物燒結體1。因此，依據實施形態，在使用該氧化物燒結體1作為濺鍍靶時，變得容易進行DC濺鍍。
另外，實施形態之氧化物燒結體1以上述譜峰強度比I係0.10以下為較佳，更佳為0.05以下，再更佳為0.03以下，又再更佳為0.01以下。
實施形態之氧化物燒結體1以相對密度係90%以上為較佳。藉此，使用該氧化物燒結體1作為濺鍍靶時，可使DC濺鍍之放電狀態安定。由此觀點來看，實施形態之氧化物燒結體1之相對密度以95%以上為再更 佳。
當相對密度為90%以上，在使用該氧化物燒結體1作為濺鍍靶時，可使濺鍍靶中之空隙變少，而容易防止攝入大氣中的氣體成分。而且，變得不易產生以該空隙作為起點之異常放電、濺鍍靶破裂的現象等。
實施形態之氧化物燒結體1例如可藉由以下所示之方法來製造。首先，混合原料粉末。以Ga2O3粉末以及SnO2粉末作為原料粉末。各原料粉末之平均粒徑較佳為2μm以下。各原料粉末之平均粒徑若為2μm以下，則變得即便燒結溫度降低也容易得到高密度的燒結體。由此觀點來看，各原料粉末之平均粒徑更佳為1.5μm以下，再更佳為1μm以下。各原料粉末之平均粒徑之下限值雖無特定，但從防止原料凝集的觀點來看，較佳為0.1μm以上。另外，原料粉末平均粒徑係於利用雷射繞射散射式粒度分布測定法所得的累積體積50容量%之體積累積粒徑D50。
原料粉末之混合可使用多種混合手段。例如可使用：珠磨機、砂磨機、磨碎機(Attritor，註冊商標)以及球磨機等媒質攪拌型磨機等。並且，可將所得之混合粉末進行篩分。
其次對所得之混合粉末進行燒結。實施形態之氧化物燒結體1較佳係以火花電漿燒結(Spark Plasma Sintering：SPS)法或熱沖壓(Hot Press：HP)法進行燒結。以SPS法或HP法進行燒結時，係將混合粉末填充至具有既定形狀的成形凹部之燒結模具內。燒結模具例可使用如 石墨製者。若於燒結模具填充了混合粉末的話，就能以SPS法或HP法進行燒結。
實施形態之氧化物燒結體1較佳係在1200℃以下的較低溫被燒結。藉由在1200℃以下低溫進行燒結，可抑制錫酸鎵化合物(Ga4SnO8)之生成，且可降低氧化物燒結體1之比電阻。
由此觀點來看，實施形態之燒結溫度較佳為1100℃以下，更佳為1000℃以下，再更佳為950℃以下。以充分進行燒結的觀點來看，燒製溫度的下限值較佳為500℃以上。
〔實施例1〕
將平均粒徑(體積累積粒徑D50)為1μm之Ga2O3粉末、與平均粒徑(體積累積粒徑D50)為0.5μm之SnO2粉末，以成為Ga2O3：SnO2=21.1：78.9(mol%)之方式秤量。其次，使用球磨機混合24小時，得到混合粉末。
其次，將該混合粉末以網目710μm之篩子進行篩分，得到平均粒徑(體積累積粒徑D50)為0.8μm之混合粉末。
其次，將經篩分之混合粉末填充至內徑120mm之石墨製燒結模具中。然後，將填充有混合粉末之燒結模具以火花電漿燒結(SPS)裝置進行燒結，製作燒結體。該藉由SPS裝置之燒結，係在真空中(15Pa以下)，以加壓壓力20MPa、燒結溫度600℃、昇溫速度20℃/分鐘、 燒結溫度的保持時間為30分鐘、降溫為自然爐冷卻之方式來進行。
其次，對所得之燒結體進行切削加工，得到直徑101.6mm、厚度6mm之氧化物燒結體1。
另外，於實施例所使用之製造方法中，SnO2粉末與Ga2O3粉末之混合粉末所含之各氧化物之比率(mol%)可視同為最終所得之氧化物燒結體1所含有之各氧化物之比率(mol%)。
〔實施例2〕
使用與實施例1相同的方法，得到氧化物燒結體1。另外，實施例2係以在秤量混合粉末之際成為Ga2O3：SnO2=30.0：70.0(mol%)之方式來秤量各原料粉末。
〔實施例3〕
使用與實施例1相同的方法，得到氧化物燒結體1。另外，實施例3係以在秤量混合粉末之際成為Ga2O3：SnO2=35.0：65.0(mol%)之方式來秤量各原料粉末。
〔實施例4〕
將平均粒徑(體積累積粒徑D50)為1μm之Ga2O3粉末與平均粒徑(體積累積粒徑D50)為0.5μm之SnO2粉末，以成為Ga2O3：SnO2=21.1：78.9(mol%)之方式來秤量。其次，使用球磨機混合24小時，得到混合粉末。
其次，將該混合粉末以網目710μm之篩子進行篩分，得到平均粒徑(體積累積粒徑D50)為0.8μm之混合粉末。
其次，將經篩分之混合粉末填充至內徑120mm之石墨製燒結模具。然後，將填充有混合粉末之燒結模具以熱壓(HP)裝置進行燒結，製作燒結體。該藉由HP裝置進行之燒結，係在氬氣體環境中，以加壓壓力17MPa、燒結溫度920℃、昇溫速度60℃/分鐘、燒結溫度之保持時間為180分鐘、降溫係自然爐冷卻來進行。
其次，對所得之燒結體進行切削加工，得到直徑101.6mm、厚度6mm之氧化物燒結體1。
〔實施例5〕
使用與實施例4相同的方法，得到氧化物燒結體1。另外，實施例5係以在秤量混合粉末之際成為Ga2O3：SnO2=30.0：70.0(mol%)之方式來秤量各原料粉末。
〔實施例6〕
使用與實施例4相同的方法，得到氧化物燒結體1。另外，實施例6係以在秤量混合粉末之際成為Ga2o3：SnO2=35.0：65.0(mol%)之方式來秤量各原料粉末。
〔實施例7〕
使用與實施例4相同的方法，得到氧化物燒結體1。另外，實施例7係以在秤量混合粉末之際成為Ga2O3：SnO2=70.0：30.0(mol%)之方式來秤量各原料粉末。
〔實施例8〕
使用與實施例4相同的方法，得到氧化物燒結體1。另外，實施例8係以在秤量混合粉末之際成為Ga2O3：SnO2=80.0：20.0(mol%)之方式來秤量各原料粉末。
〔比較例1〕
將平均粒徑(體積累積粒徑D50)為1μm之Ga2O3粉末與平均粒徑(體積累積粒徑D50)為0.5μm之SnO2粉末，以成為Ga2O3：SnO2=30.0：70.0(mol%之方式秤量。其次，使用球磨機混合24小時，得到混合粉末。
其次，將該混合粉末以網目710μm之篩子進行篩分，得到平均粒徑(體積累積粒徑D50)為0.8μm之混合粉末。
其次，於所得之混合粉末中，添加相對於混合粉末為6質量%之經稀釋成4質量%的聚乙烯基醇，並使用研缽將聚乙烯基醇與粉末充分混勻。然後，將所得之粉末以200kg/cm2之條件暫時沖壓，將所得之暫時成形體以研缽粉碎，得到粉碎粉。其次，將所得之粉碎粉填充至沖壓用的模具，於沖壓壓力1t/cm2以60秒成形，得到成形體。
其次，將所得之成形體置入燒結爐，於爐內流通1L/小時之氧，以氧流氣體環境作為燒結氣體環境，以昇溫速度為5.83℃/分鐘(350℃/小時)、燒結溫度為1500℃、燒結溫度之保持時間為540分鐘(9h)來進行燒結。之後，將所得之燒結體以降溫速度100℃/小時進行冷卻。
其次，對冷卻之燒結體進行切削加工，得到直徑101.6mm、厚度6mm之氧化物燒結體1。
〔比較例2〕
使用與實施例4相同的方法，得到氧化物燒結體1。 另外，比較例2係以在秤量混合粉末之際成為Ga2O3：SnO2=95.0：5.0(mol%)之方式來秤量各原料粉末。
接著，對上述所得之實施例1至8以及比較例1、2之氧化物燒結體1進行相對密度之測定。該相對密度係依阿基米德法測定。
具體而言，係將氧化物燒結體1之空中質量除以體積(燒結體之於水中質量/測量溫度之水比重)，而以相對於理論密度ρ(g/cm3)之百分率之值作為相對密度(單位：%)。
並且，該理論密度ρ(g/cm3)係由氧化物燒結體1之製造中使用之原料粉末的質量%以及密度所算出。具體而言，係藉由下述之算式所算出。
ρ={(C1/100)/ρ1+(C2/100)/ρ2}-1
另外，上述式中之C1、C2以及ρ1、ρ2，係分別表示以下之值。
‧C1：氧化物燒結體1之製造中所使用之SnO2粉末的質量%
‧ρ1：SnO2之密度(6.95g/cm3)
‧C2：氧化物燒結體1之製造中所使用之Ga2O3粉末之質量%
‧ρ2：Ga2O3之密度(5.95g/cm3)
接著，將上述所得之實施例1至8之氧化物燒結體1之表面使用掃描型電子顯微鏡(SEM：Scanning Electron Microscope)進行觀察，同時對於所觀察到之表面 之各相之細節進行調查。該觀察結果係如以下所示。
第1圖係實施例4之氧化物燒結體1之SEM觀察照片。如第1圖所示，得知實施例1至8之氧化物燒結體1係在顏色淡的氧化錫(SnO2)相中分散有顏色深之氧化鎵(Ga2O3)相。並且，於SEM觀察中，在實施例1至8之氧化物燒結體1並未觀察到屬於氧化錫與氧化鎵的化合物之錫酸鎵化合物(Ga4SnO8)相。
接著，針對在上述所得之實施例1至8以及比較例1、2之氧化物燒結體1，進行各別所含有之Zr雜質之濃度測定。具體而言，係使用Agilent Technologies公司製之ICP發光分光分析裝置720 ICP-OES，以酸分解ICP-OES法進行測定。其結果係所有的氧化物燒結體1之Zr濃度均未達50ppm。
接著，針對在上述所得之實施例1至8以及比較例1、2之氧化物燒結體1分別進行比電阻(體電阻)之測定。
具體而言，係使用三菱化學公司製LORESTA(註冊商標)HP MCP-T410(直列4探針的探針式ESP)，將探針抵於加工後之氧化物燒結體1之表面，而以AUTO RANGE模式進行測定。測定處係如第2圖所示，係均等地設於氧化物燒結體1之中央部1a，以及在外周部1b的4處，共計5處，將各測定值之平均值作為該氧化物燒結體1之體電阻值。第2圖係表示氧化物燒結體1之體電阻之測定處的示意圖。
其結果係：實施例1至8任一者的比電阻(體電阻)均為1×103Ω‧cm以下，為可測定比電阻；相對於此，比較例1係成為絶緣體(亦即，比電阻大於1×107Ω‧cm)，為無法測定比電阻(體電阻)。比較例2之比電阻為2.4×103Ω‧cm，相較於實施例1至8為較高。咸認此係因為負擔導電性之氧化錫的比例減少，於靶中變得不易形成導電通路所致。
接著，由在上述所得之實施例1至8以及比較例1、2之氧化物燒結體1來製作實施例1至8以及比較例1、2之濺鍍靶。該濺鍍靶係使用屬於低融點焊料之銦作為接合材，將在上述所得之氧化物燒結體1接合至銅製之基材而製作。
接著，使用所製作之實施例1至8以及比較例1、2的濺鍍靶，以下述的條件嘗試使用DC電源之濺鍍，評估可否由製作之濺鍍靶進行DC濺鍍。
‧成膜裝置：DC磁控濺鍍(DC magnetron sputtering)裝置
‧排氣系統：低溫泵(cryopump)，迴轉式泵(rotary pump)
‧濺鍍電力：150W(1.85W/cm2)
‧到達真空度：1.0×10-4Pa
‧濺鍍壓力：0.4Pa
‧氧分壓：O2 2.0%
另外，該可否進行DC濺鍍之評估基準係如 下所述。
A(良)：可良好地進行DC濺鍍
B(可)：可進行DC濺鍍
C(不可)：無法進行DC濺鍍
在此，針對上述之實施例1至8以及比較例1、2，係於表1中顯示氧化物燒結體1之製造條件、與關於氧化物燒結體1之各種特性之評估結果。
藉由使用SPS法或HP法，將在1200℃以下之較低溫燒結之實施例1至8與在較1200℃高的溫度燒結之比較例1進行比較，得知藉由在較低溫燒結，可使比電阻減低至1×103Ω‧cm以下。
藉由將氧化鎵之含量為90mol%以下之實施例1至8以及氧化鎵之含量為95mol%以上之比較例2進行比較，得知藉由使氧化鎵之含量為90mol%以下，可使比電阻減低至1×103Ω‧cm以下。
然後，藉由將比電阻為1×103Ω‧cm以下之實施例1至8與比電阻為1×103Ω‧cm以上之比較例1、2進行比較，得知藉由使比電阻減低至1×103Ω‧cm以下，可實現能進行DC濺鍍之濺鍍靶。
並且，藉由使相對密度為90%以上，可使DC濺鍍之放電狀態安定。進一步地，藉由比較相對密度為未達95%之實施例4至8與相對密度為95%以上之實施例1至3，得知藉由相對密度成為95%以上，可使DC濺鍍之放電狀態更為安定。
接著，針對在上述所得之實施例1至8以及比較例1、2之氧化物燒結體1分別進行X射線繞射(X-Ray Diffraction：XRD)之測定，得到X射線繞射圖譜。然後，從所得之X射線繞射圖譜鑑定實施例1至8及比較例1、2之氧化物燒結體1的構造。
具體的測定條件如以下所示。
‧裝置：SmartLab(Rigaku股份有限公司製)
‧線源：CuKα線
‧管電壓：40kV
‧管電流：30mA
‧掃描速度：5deg/分鐘
‧步進：0.02deg
‧掃描範圍：2θ=20度至80度
第3圖係實施例4至8之氧化物燒結體1之X射線繞射圖譜。另外，於第3圖，X射線繞射圖譜中亦顯示有起因於各氧化物中所存在之各式各樣的面而顯現之譜峰的位置。
如第3圖所示，實施例4至8之X射線繞射圖譜中顯示有起因於氧化錫(SnO2)相之譜峰以及起因於氧化鎵(Ga2O3)相之譜峰。另一方面，實施例4至8之X射線繞射圖譜幾乎未顯示起因於錫酸鎵化合物(Ga4SnO8)相之譜峰。
在此，基於第3圖所示之實施例4至8之X射線繞射圖譜，鑑定相對於氧化錫(SnO2)相之(110)面之譜峰強度的錫酸鎵化合物(Ga4SnO8)相之(111)面之譜峰強度之譜峰強度比I。
另外，如第3圖所示，氧化錫(SnO2)相之(110)面之譜峰係氧化錫(SnO2)相之主譜峰，為繞射角(2θ)在26.58°處顯現之譜峰。並且，錫酸鎵化合物(Ga4SnO8)相之(111)面之譜峰係錫酸鎵化合物(Ga4SnO8)相之主譜峰，為繞射角(2θ)在34.81°處顯現之譜峰。
其結果係，在實施例4之譜峰強度比I為0.03，在實施例5之譜峰強度比I為0.03，在實施例6之譜峰強度比I為0.04，在實施例7之譜峰強度比I為0.09，在實施例8之譜峰強度比I為0.13。另外，於第3圖雖未顯示，但在實施例1之譜峰強度比I為0.01，在實施例2之譜峰強度比I為0.01，在實施例3之譜峰強度比I為0.01。
第4圖係比較例1之氧化物燒結體1之X射線繞射圖譜。另外，第4圖亦與第3圖相同地於X射線繞射圖譜中顯示有起因於各氧化物中所存在之各式各樣的面而顯現之譜峰的位置。
如第4圖所示，比較例1之X射線繞射圖譜係顯示起因於氧化錫(SnO2)相之譜峰，以及起因於錫酸鎵化合物(Ga4SnO8)相之譜峰。
在此，基於第4圖所示之比較例1之X射線繞射圖譜，鑑定相對於氧化錫(SnO2)相之(110)面之譜峰強度的錫酸鎵化合物(Ga4SnO8)相之(111)面之譜峰強度之譜峰強度比I。其結果係在比較例1之譜峰強度比I為0.16。另外，第4圖中雖未顯示，但在比較例2之譜峰強度比I為0.21。
藉由使用SPS法或HP法，將在1200℃以下之較低溫燒結之實施例1至6以及在較1200℃高的溫度燒結之比較例1進行比較，藉由在較低溫燒結時，可將譜峰強度比I減低至0.05以下。亦即，於實施形態中，可以 藉由在較低溫度進行燒結而抑制錫酸鎵化合物(Ga4SnO8)相的生成。
在此，咸認氧化錫(SnO2)相以及氧化鎵(Ga2O3)相可藉由缺少氧以減小比電阻，而錫酸鎵化合物(Ga4SnO8)相具有高的比電阻。亦即，依據實施形態，藉由在低溫燒結來抑制錫酸鎵化合物(Ga4SnO8)相之生成，可使比電阻減低至1×103(Ω‧cm)以下。
以上係針對本發明之實施形態進行說明，但本發明並不侷限於上述之實施形態，在未超出其要旨之情形下可進行各種變更。例如，於實施形態中，就可在1200℃以下之較低溫度進行燒結之手法而言，係顯示使用SPS法以及HP法之例子，但低溫燒結手法並不侷限於SPS法以及HP法。
而且，實施形態中雖然係顯示使用圓板狀之氧化物燒結體1來製作濺鍍靶之例，但氧化物燒結體1之形狀並不限於圓板狀，而可為圓筒狀等任何的形狀。
進一步的功效與變化例係可容易地由發明所屬技術領域中具有通常知識者導出。因此，本發明之更廣範的態樣並不侷限於以上所顯示以及記述之特定細節以及代表性的實施形態。因此，本發明可在未超出所附申請專利範圍以及其等同物所定義之總體性的發明概念之精神或範圍內進行各種的變化。
Claims (9)
- 一種氧化物燒結體，係含有氧化錫(SnO2)相與氧化鎵(Ga2O3)相之氧化物燒結體，其中，氧化鎵之含量為20mol%<Ga2O3≦90mol%，比電阻為1×103Ω‧cm以下，於X射線繞射測定中，相對於前述氧化錫(SnO2)相之(110)面之譜峰的錫酸鎵化合物(Ga4SnO8)相之(111)面之譜峰之強度比為0.15以下。
- 如申請專利範圍第1項所述之氧化物燒結體，其中，氧化鎵之含量為20mol%<Ga2O3≦85mol%。
- 如申請專利範圍第1項所述之氧化物燒結體，其中，氧化鎵之含量為20mol%<Ga2O3≦75mol%。
- 如申請專利範圍第1項所述之氧化物燒結體，其中，氧化鎵之含量為20mol%<Ga2O3≦65mol%。
- 如申請專利範圍第1項所述之氧化物燒結體，其中，氧化鎵之含量為20mol%<Ga2O3≦50mol%。
- 如申請專利範圍第1或2項所述之氧化物燒結體，係含有氧化錫(SnO2)相與氧化鎵(Ga2O3)相之氧化物燒結體，其中，於X射線繞射測定中，相對於前述氧化錫(SnO2)相之(110)面之譜峰的錫酸鎵化合物(Ga4SnO8)相之(111)面之譜峰之強度比為0.10以下。
- 如申請專利範圍第1或2項所述之氧化物燒結體，係含有氧化錫(SnO2)相與氧化鎵(Ga2O3)相之氧化物燒結體，其中， 於X射線繞射測定中，相對於前述氧化錫(SnO2)相之(110)面之譜峰的錫酸鎵化合物(Ga4SnO8)相之(111)面之譜峰之強度比為0.05以下。
- 如申請專利範圍第1或2項所述之氧化物燒結體，其中，相對密度為90%以上。
- 一種濺鍍靶，係使用申請專利範圍第1或2項所述之氧化物燒結體作為靶材。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2017220306 | 2017-11-15 | ||
| JP2017-220306 | 2017-11-15 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TW201922672A TW201922672A (zh) | 2019-06-16 |
| TWI766121B true TWI766121B (zh) | 2022-06-01 |
Family
ID=66540182
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| TW107138377A TWI766121B (zh) | 2017-11-15 | 2018-10-30 | 氧化物燒結體及濺鍍靶 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| TW (1) | TWI766121B (zh) |
| WO (1) | WO2019097959A1 (zh) |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3806521B2 (ja) * | 1998-08-27 | 2006-08-09 | 旭硝子セラミックス株式会社 | 透明導電膜、スパッタリングターゲットおよび透明導電膜付き基体 |
| TW201006781A (en) * | 2008-08-11 | 2010-02-16 | Idemitsu Kosan Co | Gallium oxide-tin oxide based oxide sintered body and oxide film |
| TW201546018A (zh) * | 2014-02-14 | 2015-12-16 | Kobelco Res Inst Inc | 氧化物燒結體及濺鍍靶 |
| JP2016098396A (ja) * | 2014-11-20 | 2016-05-30 | Tdk株式会社 | スパッタリングターゲット、透明導電性酸化物薄膜、及び導電性フィルム |
-
2018
- 2018-10-22 WO PCT/JP2018/039241 patent/WO2019097959A1/ja active Application Filing
- 2018-10-30 TW TW107138377A patent/TWI766121B/zh active
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3806521B2 (ja) * | 1998-08-27 | 2006-08-09 | 旭硝子セラミックス株式会社 | 透明導電膜、スパッタリングターゲットおよび透明導電膜付き基体 |
| TW201006781A (en) * | 2008-08-11 | 2010-02-16 | Idemitsu Kosan Co | Gallium oxide-tin oxide based oxide sintered body and oxide film |
| TW201546018A (zh) * | 2014-02-14 | 2015-12-16 | Kobelco Res Inst Inc | 氧化物燒結體及濺鍍靶 |
| JP2016098396A (ja) * | 2014-11-20 | 2016-05-30 | Tdk株式会社 | スパッタリングターゲット、透明導電性酸化物薄膜、及び導電性フィルム |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| WO2019097959A1 (ja) | 2019-05-23 |
| TW201922672A (zh) | 2019-06-16 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP5024226B2 (ja) | 酸化物焼結体およびその製造方法、スパッタリングターゲット、半導体薄膜 | |
| JP5205696B2 (ja) | 酸化ガリウム系焼結体およびその製造方法 | |
| JP4926977B2 (ja) | 酸化ガリウム−酸化亜鉛系焼結体スパッタリングターゲット | |
| TWI761664B (zh) | 氧化物濺鍍靶及其製造方法、以及使用該氧化物濺鍍靶成膜之氧化物薄膜 | |
| US9346715B2 (en) | Lanthanum hexaboride sintered body, target and lanthanum hexaboride film each comprising same, and process for production of the sintered body | |
| JP2010047829A (ja) | スパッタリングターゲットおよびその製造方法 | |
| TWI565679B (zh) | Oxide sintered body and sputtering target | |
| WO2013137020A1 (ja) | スパッタリングターゲット及び高抵抗透明膜並びにその製造方法 | |
| JP2010120803A (ja) | 複合酸化物焼結体 | |
| TWI669283B (zh) | 氧化物燒結體及濺鍍靶材以及它們的製造方法 | |
| JP5583771B2 (ja) | ＺｎＯ−ＭｇＯ系スパッタリングターゲット用焼結体 | |
| JP2011074479A (ja) | 透明導電性酸化亜鉛系薄膜製造用のイオンプレーティング用ターゲット、および透明導電性酸化亜鉛系薄膜 | |
| JP6677058B2 (ja) | Ｓｎ−Ｚｎ−Ｏ系酸化物焼結体とその製造方法 | |
| TWI766121B (zh) | 氧化物燒結體及濺鍍靶 | |
| JP2010202450A (ja) | 透明薄膜形成用の複合酸化物焼結体及び透明薄膜形成用材料 | |
| WO2015068564A1 (ja) | スパッタリングターゲット | |
| JP2016223012A (ja) | スパッタリングターゲット | |
| JP7203088B2 (ja) | 酸化物焼結体、スパッタリングターゲットおよび透明導電膜 | |
| JP2019039070A (ja) | ＳｉＣスパッタリングターゲット | |
| WO2019202909A1 (ja) | Ｓｎ－Ｚｎ－Ｏ系酸化物焼結体とその製造方法 | |
| JP6459830B2 (ja) | 酸化物焼結体及びその製造方法、並びに酸化物膜の製造方法 | |
| JP6396837B2 (ja) | ＺｎＯ−ＭｇＯ系スパッタリングターゲット用焼結体及びその製造方法 | |
| TWI748971B (zh) | Ｓｎ-Ｚｎ-Ｏ系氧化物燒結體及其製造方法 | |
| WO2015068535A1 (ja) | スパッタリングターゲットおよびその製造方法 | |
| JP2017160103A (ja) | Ｓｎ−Ｚｎ−Ｏ系酸化物焼結体とその製造方法 |