JPWO2005111261A1 - スパッタリングターゲット及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
Description
2 バッキングプレート
3 ボンディング材層
5 耐熱性一時スペーサーを離脱可能に配設する位置
6 耐熱性一時スペーサーを離脱可能に配設する位置
7 耐熱性一時スペーサー
8 耐熱性一時スペーサー
9 ジグ
1020)の場合には、10mm〜50mmとすることが望ましい。
実施例1
127mm×381mm×4.8mmの大きさの青板ガラスターゲット、150mm×440mm×6mmの大きさの無酸素銅製バッキングプレート、四フッ化エチレン樹脂(テフロン(登録商標))を基材とし、その片面に変性シリコーン系粘着材を塗布した幅3mm、厚さ約0.13mmの耐熱性粘着テープ、及びボンディング材としてのインジウム粉末を用意した。
四フッ化エチレン樹脂(テフロン(登録商標))を基材とし、その片面に変性シリコーン系粘着材を塗布した幅3mm、厚さ約0.66mmの耐熱性粘着テープを用いた以外は実施例1と同様にして10個のスパッタリングターゲットを作製した。各々のスパッタリングターゲットのボンディング材層の厚みは1.3mmでほぼ一定であった。
127mm×381mm×4.8mmの大きさの青板ガラスターゲット、150mm×440mm×6mmの大きさの無酸素銅製バッキングプレート、20mm×381mm×0.25mmの大きさの無酸素銅板(スペーサー)、及びボンディング材としてのインジウム粉末を用意した。
20mm×381mm×0.25mmの大きさの無酸素銅板(スペーサー)の代わりに20mm×381mm×1.3mmの大きさの無酸素銅板(スペーサー)を用いた以外は比較例1と同様にして10個のスパッタリングターゲットを作製した。各々のスパッタリングターゲットのボンディング材層の厚みは1.3mmでほぼ一定であった。
127mm×381mm×4.8mmの大きさの青板ガラスターゲット、150mm×440mm×6mmの大きさの無酸素銅製バッキングプレート、幅5mm×厚さ1.5mmの大きさの無酸素銅板(スペーサー)、及びボンディング材としてのインジウム粉末を用意した。
銅板製スペーサーを引き抜かないでそのまま残した以外は実施例3と同様にして10個のスパッタリングターゲットを作製した。各々のスパッタリングターゲットのボンディング材層の厚みは1.5mmでほぼ一定であった。
127mm×381mm×4.8mmの大きさの青板ガラスターゲット、150mm×440mm×6mmの大きさの無酸素銅製バッキングプレート、幅5mm×長さ21mm×厚さ2mmの大きさのSUS板(スペーサー)、及びボンディング材としてのインジウム粉末を用意した。
SUS板製スペーサーを引き抜かないでそのまま残した以外は実施例4と同様にして10個のスパッタリングターゲットを作製した。各々のスパッタリングターゲットのボンディング材層の厚みは2.0mmでほぼ一定であった。
幅5mm×長さ21mm×厚さ2mmの大きさのSUS板(スペーサー)の代わりに直径0.5mm×長さ21mmの銅製ワイヤー(スペーサー)を用いた以外は実施例4と同様にして10個のスパッタリングターゲットを作製した。各々のスパッタリングターゲットのボンディング材層の厚みは0.5mmでほぼ一定であった。
銅製ワイヤー(スペーサー)を引き抜かないでそのまま残した以外は実施例5と同様にして10個のスパッタリングターゲットを作製した。各々のスパッタリングターゲットのボンディング材層の厚みは0.5mmでほぼ一定であった。
幅5mm×長さ21mm×厚さ2mmの大きさのSUS板(スペーサー)の代わりに直径1.0mm×長さ21mmのSUS製ワイヤー(スペーサー)を用いた以外は実施例4と同様にして10個のスパッタリングターゲットを作製した。各々のスパッタリングターゲットのボンディング材層の厚みは1.0mmでほぼ一定であった。
SUS製ワイヤー(スペーサー)を引き抜かないでそのまま残した以外は実施例6と同様にして10個のスパッタリングターゲットを作製した。各々のスパッタリングターゲットのボンディング材層の厚みは1.0mmでほぼ一定であった。
幅5mm×長さ21mm×厚さ2mmの大きさのSUS板(スペーサー)の代わりに直径0.1mm×長さ21mmの銅製ワイヤー(スペーサー)を用いた以外は比較例4と同様にしてスパッタリングターゲットを作製した。各々のスパッタリングターゲットのボンディング材層の厚みは0.1mmでほぼ一定であった。しかしながら、銅製ワイヤー(スペーサー)が細すぎるため、引き抜こうとしても断線し、完全に取り除くことはできなかった。
幅5mm×長さ21mm×厚さ2mmの大きさのSUS板(スペーサー)の代わりに直径2.5mm×長さ21mmの銅製ワイヤー(スペーサー)を用いた以外は比較例4と同様にしてスパッタリングターゲットの作製を試みた。しかしながら、ターゲットとバッキングプレートとをボンディング材層を介して貼り合わせた時にボンディング材mp漏れ出しが生じた。
実施例1〜6及び比較例1〜6で作製した各々のスパッタリングターゲットの耐圧性を下記の方法で評価した。
図7に示すように、スパッタリングターゲットのバッキングプレート2をジグ9にネジ(図示していない)で固定し、バッキングプレートの裏面全体に等圧がかかるようにした。空間10中に窒素ガスを徐々に導入して割れが生じた時の圧力を測定した。それらの結果は第1表に示す通りであった。
Claims (7)
- ターゲットと、バッキングプレートと、それらを貼り合わせているボンディング材層とからなり、ボンディング材層中にはスペーサーが存在せず、ボンディング材層の厚みが0.25〜2mmの範囲内であり、且つターゲットの貼り合わせ面とバッキングプレートの貼り合わせ面とが実質的に平行に保たれていることを特徴とするスパッタリングターゲット。
- ターゲットと、バッキングプレートと、それらを貼り合わせているボンディング材層とからなり、ボンディング材層中にはスペーサーが存在せず、ボンディング材層の厚みが0.25〜2mmの範囲内であり、ターゲットの貼り合わせ面とバッキングプレートの貼り合わせ面とが実質的に平行に保たれており、且つターゲットの貼り合わせ面側表面の周辺の少なくとも一部とバッキングプレートとの間にはボンディング材が存在していないことを特徴とするスパッタリングターゲット。
- ボンディング材層に貼り合わせられるターゲット表面とボンディング材層に貼り合わせられるバッキングプレート表面とが実質的に平行に保たれるようにし得る配置で耐熱性一時スペーサーを(1)ターゲットの貼り合わせ面側表面の周辺に離脱可能に配設するか、(2)該ターゲットの表面上の耐熱性一時スペーサーの配設可能位置とは面対称となる配置でバッキングプレートの貼り合わせ面側表面上に離脱可能に配設するか、又は(3)その両方に離脱可能に配設し、この際に耐熱性一時スペーサーの合計厚さが0.25〜2mmの範囲内で実質的に一定値となるように調整し、該ターゲットの貼り合わせ面側表面上にボンディング材の溶融物を形成するか、該バッキングプレートの貼り合わせ面側表面上に該ターゲットの表面上のボンディング材溶融物の形成可能位置とは面対称となる配置でボンディング材の溶融物を形成するか、又はその両方にボンディング材の溶融物を形成し、次いで該ターゲットと該バッキングプレートとを該ボンディング材層を介して貼り合わせ、この際にその両方に耐熱性一時スペーサーが離脱可能に配設されている場合には該ターゲットと該バッキングプレートとを面対称になっている耐熱性一時スペーサーが合致するようにボンディング材層を介して貼り合わせ、冷却後それらの耐熱性一時スペーサーを取り除くことを特徴とするスパッタリングターゲットの製造方法。
- 耐熱性一時スペーサーを(1)ボンディング材層に貼り合わせられるターゲット表面の周辺の全周に離脱可能に配設するか、(2)該ターゲットの表面上の耐熱性一時スペーサーの配設可能位置とは面対称となる配置で、ボンディング材層に貼り合わせられるバッキングプレート表面に離脱可能に配設するか、又は(3)その両方に離脱可能に配設し、この際に耐熱性一時スペーサーの合計厚さが0.25〜2mmの範囲内で実質的に一定値となるように調整し、該ターゲットの表面上、該バッキングプレートの表面上、又はその両方の表面上の耐熱性一時スペーサーで囲まれた部分にボンディング材の溶融物を形成し、次いで該ターゲットと該バッキングプレートとを該ボンディング材層を介して貼り合わせ、この際にその両方に耐熱性一時スペーサーが離脱可能に配設されている場合には該ターゲットと該バッキングプレートとを面対称になっている耐熱性一時スペーサーが合致するようにボンディング材層を介して貼り合わせ、冷却後それらの耐熱性一時スペーサーを取り除くことを特徴とするスパッタリングターゲットの製造方法。
- 上記のボンディング材層を介して貼り合わせる上記のターゲット及び上記のバッキングプレートの各々の表面をボンディング材を溶融させるのに十分な温度に加熱し、該ターゲットの表面、該バッキングプレートの表面、又はその両方の表面にそれぞれボンディング材を塗布して溶融させることにより、該ターゲットの表面上、該バッキングプレートの表面上、又はその両方の表面上にボンディング材の溶融物を形成する請求項3又は4記載のスパッタリングターゲットの製造方法。
- 上記のターゲットの表面、上記のバッキングプレートの表面、又はその両方の表面にそれぞれボンディング材を塗布し、その後加熱することにより該ターゲットの表面上、該バッキングプレートの表面上、又はその両方の表面上にボンディング材の溶融物を形成する請求項3又は4記載のスパッタリングターゲットの製造方法。
- 耐熱性一時スペーサーがフッ素樹脂テープとその片面に塗布された変性シリコーン系粘着材とからなるものであるか、又はフッ素樹脂の層とその上の無機繊維クロスの層とその上のフッ素樹脂の層とその上の変性シリコーン系粘着材の層とからなるものであり、ボンディング材がインジウムを主成分とするボンディング材である請求項3、4、5又は6記載のスパッタリングターゲットの製造方法。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004148084 | 2004-05-18 | ||
JP2004148084 | 2004-05-18 | ||
PCT/JP2005/008965 WO2005111261A1 (ja) | 2004-05-18 | 2005-05-17 | スパッタリングターゲット及びその製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2005111261A1 true JPWO2005111261A1 (ja) | 2008-03-27 |
Family
ID=35394174
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006513606A Pending JPWO2005111261A1 (ja) | 2004-05-18 | 2005-05-17 | スパッタリングターゲット及びその製造方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPWO2005111261A1 (ja) |
KR (2) | KR100745437B1 (ja) |
CN (1) | CN1842613A (ja) |
TW (1) | TWI266809B (ja) |
WO (1) | WO2005111261A1 (ja) |
Families Citing this family (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7550055B2 (en) | 2005-05-31 | 2009-06-23 | Applied Materials, Inc. | Elastomer bonding of large area sputtering target |
JP5198925B2 (ja) * | 2008-04-10 | 2013-05-15 | 三井金属鉱業株式会社 | スパッタリングターゲット |
JP5289007B2 (ja) * | 2008-11-20 | 2013-09-11 | 日東電工株式会社 | マスキング用粘着シートおよびテープならびにスパッタリングターゲットの製造方法 |
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KR101312412B1 (ko) * | 2011-07-04 | 2013-09-27 | 삼성코닝정밀소재 주식회사 | 스퍼터링 타겟 제조방법 |
JP7118630B2 (ja) * | 2017-12-12 | 2022-08-16 | デクセリアルズ株式会社 | スパッタリングターゲットを製造する方法 |
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CN112063986A (zh) * | 2020-09-17 | 2020-12-11 | 福建阿石创新材料股份有限公司 | 一种靶材绑定的方法 |
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-
2005
- 2005-05-17 KR KR1020067003704A patent/KR100745437B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2005-05-17 WO PCT/JP2005/008965 patent/WO2005111261A1/ja active Application Filing
- 2005-05-17 CN CNA2005800010089A patent/CN1842613A/zh active Pending
- 2005-05-17 KR KR1020077012162A patent/KR20070063050A/ko not_active Application Discontinuation
- 2005-05-17 JP JP2006513606A patent/JPWO2005111261A1/ja active Pending
- 2005-05-18 TW TW094116043A patent/TWI266809B/zh active
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20070063050A (ko) | 2007-06-18 |
TW200602507A (en) | 2006-01-16 |
CN1842613A (zh) | 2006-10-04 |
WO2005111261A1 (ja) | 2005-11-24 |
KR20060057620A (ko) | 2006-05-26 |
KR100745437B1 (ko) | 2007-08-02 |
TWI266809B (en) | 2006-11-21 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20060406 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20070312 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100630 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100727 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110105 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20110525 |