JP7118630B2 - スパッタリングターゲットを製造する方法 - Google Patents
スパッタリングターゲットを製造する方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP7118630B2 JP7118630B2 JP2017237947A JP2017237947A JP7118630B2 JP 7118630 B2 JP7118630 B2 JP 7118630B2 JP 2017237947 A JP2017237947 A JP 2017237947A JP 2017237947 A JP2017237947 A JP 2017237947A JP 7118630 B2 JP7118630 B2 JP 7118630B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- backing plate
- target material
- bonding agent
- gap
- target
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Description
また、スパッタリングターゲットとしては、薄膜を形成しようとする材料からなるターゲット材を、導電性・熱伝導性に優れた材質からなるバッキングプレートに接合した構成のものが知られている(例えば、特許文献2参照)。スパッタリングターゲットとバッキングプレートとの接合には、熱伝導が良好な低融点ハンダによるメタルボンディングが用いられる。低融点ハンダとしては、例えばIn(インジウム)やIn合金等の金属により構成される。
本実施形態によるスパッタリングターゲットを製造する方法により製造されるスパッタリングターゲット100は、インジウムを含む接合剤3によりターゲット材2がバッキングプレート1に接合されることにより積層されて積層体が構成されている。
図1に示すように、ターゲット材2は、複数の小片20に分割されており、このように複数の小片20に分割されたターゲット材2の全体は、1000mm以上、より具体的には1900mm以上の長尺の矩形を有している。ターゲット材2の全体の幅は、127mm程度である。ターゲット材2は、例えば、脆弱材料であるITO(酸化インジウム)、Si、酸化物系ターゲットである。
バッキングプレート1は、ターゲット材2の全体よりも縦及び横の長さが長く面積が広い長尺の矩形を有している。バッキングプレート1は、例えば、無酸素銅製バッキングプレート1により構成されている。
接合剤3(図2等参照)は、In(インジウム)や、In合金等のIn系の一般的な組成の金属により構成される低融点ハンダにより構成される。マスキングテープ101、201は、例えば、主にテフロン(登録商標)材により構成され、一部カプトン材が使用されてもよい。バッキングプレート1の長手方向(図1における左右方向)に延びるマスキングテープ101、201の厚さ(図4B等における上下方向の厚さ)は、バッキングプレート1の幅方向(図1における上下方向)に延びるマスキングテープ101、201の厚さ(図4A等における上下方向の厚さ)よりも薄く構成されている。
図2は、本発明の一実施形態に係る接合剤を配置する工程を示す概略断面図である。
図5は、本発明の一実施形態に係る積層体からマスキングテープを除去する工程を示す概略断面図である。
分割されたターゲット材2の複数の小片20同士には、図5に示すようにスパッタリングターゲットの製造工程において間隙22が形成されるが、最終的に製造されるスパッタリングターゲットにおいては、後述のように、バッキングプレート1が収縮することにより、隣接する小片20同士は、互いに当接し合うことになる。また、ターゲット材2の小片20をそれぞれバッキングプレート1に接合している接合剤3は、接合剤3間に間隙32が形成された状態とされている。従って、スパッタリングターゲットの製造工程において生ずるターゲット材2の小片20間隙22、及び、接合剤3の間隙32には、接合剤3が存在していないため、接合剤3に含まれるInも存在しない。
スパッタリングターゲットを製造する方法においては、先ず、マスキングテープ101、201を配置させる工程を行う。マスキングテープ101、201を配置させる工程では、バッキングプレート1に対向する側であって複数の小片20の周縁部に対向する部分にマスキングテープ201を配置させる。
図3は、積層体とする工程を行い始めた状態を示す側方概略断面図である。図4Aは、積層体とする工程を示す概略断面図である。図4Bは、積層体とする工程において、接合剤3の表面酸化膜分301と余分な接合剤3とが流出した状態を示す側方概略断面図である。
本実施形態においては、複数の小片20に分割されたターゲット材2の間隙22を含むバッキングプレート1に対向するターゲット材2上の間隙周辺領域24と、ターゲット材2の間隙周辺領域24に対向するバッキングプレート1上の間隙周辺領域12と、複数の小片20に分割されたターゲット材2の全体の外周縁を含むバッキングプレート1に対向するターゲット材2の外周縁周辺領域25と、ターゲット材2上の外周縁周辺領域に対向するバッキングプレート1上の外周縁周辺領域15とに、マスキングテープ101、201を配置させる工程と、を有する。
例えば、本実施形態におけるターゲット材やバッキングプレート1やマスキングテープや接合剤等の材質や形状等の構成は、本実施形態におけるターゲット材2やバッキングプレート1やマスキングテープ101、201や接合剤3等の材質や形状等の構成に限定されない。
2…ターゲット材
3…接合剤
12…間隙周辺領域
15…外周縁周辺領域
20…小片
22…間隙
24…間隙周辺領域
25…外周縁周辺領域
100…スパッタリングターゲット
101、201…マスキングテープ
Claims (4)
- ターゲット材をバッキングプレートにインジウムを含む接合剤により接合することにより積層させてスパッタリングターゲットを製造する方法であって、
複数の小片に分割された前記ターゲット材の間隙を含む前記バッキングプレートに対向する前記ターゲット材上の間隙周辺領域と、前記ターゲット材上の間隙周辺領域に対向する前記バッキングプレート上の間隙周辺領域と、複数の小片に分割された前記ターゲット材の全体の外周縁を含む前記バッキングプレートに対向する前記ターゲット材上の外周縁周辺領域と、前記ターゲット材上の外周縁周辺領域に対向する前記バッキングプレート上の外周縁周辺領域とに、マスキングテープを配置させる工程と、
前記マスキングテープによってとり囲まれる前記バッキングプレート上の領域に前記接合剤を配置する工程と、
複数の小片に分割された前記ターゲット材を、前記ターゲット材上の外周縁周辺領域に配置された前記マスキングテープと前記バッキングプレート上の外周縁周辺領域に配置された前記マスキングテープとを重ね合わせるようにして、前記接合剤を介して前記バッキングプレートに接合し積層して、重ね合わせられた前記マスキングテープ間に前記接合剤が存在する間隙が形成された積層体とする工程と、
前記積層体の温度を低下させている途中で、前記積層体から前記マスキングテープを除去する工程と、を備え、
前記マスキングテープを配置させる工程では、前記ターゲット材上の前記間隙周辺領域及び前記外周縁周辺領域と、前記バッキングプレート上の前記間隙周辺領域及び前記外周縁周辺領域とを、複数の小片に分割された小片の各前記ターゲット材の外周縁から小片の各前記ターゲット材の中心側へ向って、前記スパッタリングターゲットの長手方向に対する幅方向の長さの2%以上4%以下の長さの位置に至るまで広げるスパッタリングターゲットを製造する方法。 - 複数の小片に分割された前記ターゲット材の全体は、1000mm以上の長尺の矩形を有し、
前記マスキングテープを除去する工程では、複数の小片に分割された前記ターゲット材の間隙と、前記ターゲット材上の前記間隙周辺領域と、前記ターゲット材上の前記外周縁周辺領域と、前記バッキングプレート上の前記間隙周辺領域と、前記バッキングプレート上の前記外周縁周辺領域と、において、前記接合剤が存在しない状態とする、請求項1に記載のスパッタリングターゲットを製造する方法。 - 前記接合剤を配置する工程では、前記マスキングテープによってとり囲まれる前記バッキングプレート上の領域において、前記積層体の積層方向における厚さを確保するための厚さ確保部材を用いずに、前記マスキングテープの厚さにより、前記接合剤の厚みを所定の厚さに確保する、請求項1~請求項2のいずれかに記載のスパッタリングターゲットを製造する方法。
- 前記接合剤を配置する工程では、前記積層体の積層方向における前記接合剤の厚みが、0.1mm以上0.5mm以下となるように、接合剤を配置する、請求項1~請求項3のいずれかに記載のスパッタリングターゲットを製造する方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2017237947A JP7118630B2 (ja) | 2017-12-12 | 2017-12-12 | スパッタリングターゲットを製造する方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2017237947A JP7118630B2 (ja) | 2017-12-12 | 2017-12-12 | スパッタリングターゲットを製造する方法 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2019104964A JP2019104964A (ja) | 2019-06-27 |
JP2019104964A5 JP2019104964A5 (ja) | 2021-01-21 |
JP7118630B2 true JP7118630B2 (ja) | 2022-08-16 |
Family
ID=67062332
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2017237947A Active JP7118630B2 (ja) | 2017-12-12 | 2017-12-12 | スパッタリングターゲットを製造する方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP7118630B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2021084838A1 (ja) * | 2019-11-01 | 2021-05-06 | 三井金属鉱業株式会社 | 隙間配置部材 |
JP2021158334A (ja) | 2020-03-26 | 2021-10-07 | 三星電子株式会社Samsung Electronics Co., Ltd. | 静電チャック装置 |
US11575335B2 (en) | 2020-03-26 | 2023-02-07 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Electrostatic chuck device |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2005111261A1 (ja) | 2004-05-18 | 2005-11-24 | Mitsui Mining & Smelting Co., Ltd. | スパッタリングターゲット及びその製造方法 |
US20130171771A1 (en) | 2010-09-15 | 2013-07-04 | Sharp Kabushiki Kaisha | Manufacturing method for semiconductor device |
-
2017
- 2017-12-12 JP JP2017237947A patent/JP7118630B2/ja active Active
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2005111261A1 (ja) | 2004-05-18 | 2005-11-24 | Mitsui Mining & Smelting Co., Ltd. | スパッタリングターゲット及びその製造方法 |
US20130171771A1 (en) | 2010-09-15 | 2013-07-04 | Sharp Kabushiki Kaisha | Manufacturing method for semiconductor device |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2019104964A (ja) | 2019-06-27 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP7118630B2 (ja) | スパッタリングターゲットを製造する方法 | |
JP6520845B2 (ja) | 電子部品装置、回路基板への電子部品装置の実装方法、および、回路基板への電子部品装置の実装構造 | |
TW569658B (en) | Wiring board, and electronic device with an electronic part mounted on a wiring board, as well as method of mounting an electronic part on a wiring board | |
JP5228245B2 (ja) | スパッタリングターゲット | |
JP6251715B2 (ja) | 基板アダプタを製造する方法、基板アダプタ、および半導体素子を接触させるための方法 | |
TW201205613A (en) | Electronic component | |
TW201145476A (en) | Semiconductor package substrate and manufacturing method of the same | |
JP2013074289A (ja) | 電子部品モジュール及びその製造方法 | |
JP5945563B2 (ja) | パッケージキャリアおよびその製造方法 | |
JP2015057838A (ja) | 電子部品 | |
JP2019016738A (ja) | 半導体装置 | |
JP6477975B2 (ja) | 半導体装置、その製造方法および半導体モジュール | |
JP6586970B2 (ja) | 半導体装置 | |
JP2013000792A5 (ja) | ||
JP2019104964A5 (ja) | ||
JP6110224B2 (ja) | ターゲットアセンブリ及びその製造方法 | |
JP2010192848A (ja) | 半導体パッケージ及びその製造方法 | |
JP2011054889A (ja) | 樹脂封止型半導体装置およびその製造方法 | |
WO2020003495A1 (ja) | 半導体装置 | |
JP2016064444A (ja) | 半田チップ、半田チップを用いた端子付きガラス基板の製造方法 | |
JP5278782B2 (ja) | 集合基板の製造方法 | |
CN114122049A (zh) | 驱动背板、显示面板及显示面板制备方法 | |
JP5664203B2 (ja) | 電子部品 | |
JP5686017B2 (ja) | スパッタリングターゲットの製造方法 | |
JP5841823B2 (ja) | ターゲットアッセンブリ及びスパッタリングターゲット |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20201201 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20201201 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20210813 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20210824 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20211020 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20220222 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20220419 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20220712 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20220803 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 7118630 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |