JP2016064444A - 半田チップ、半田チップを用いた端子付きガラス基板の製造方法 - Google Patents

半田チップ、半田チップを用いた端子付きガラス基板の製造方法 Download PDF

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Abstract

【課題】接合の歩留まりを改善できる、半田チップの提供。
【解決手段】ガラス基板20に形成される導電膜30と端子40との接合に用いられる半田チップ10であって、前記導電膜30における前記端子40との対向面と面接触し、収容凹部13に対応するダミー凹部14が形成されている第1面11と、前記端子40における前記導電膜30との対向面と面接触し、前記端子40における前記導電膜30との対向面に形成される突起42を収容する収容凹部13が形成されている第2面12とを有する、半田チップ10。
【選択図】図2

Description

本発明は、半田チップ、半田チップを用いた端子付きガラス基板の製造方法に関する。
ガラス基板に形成される導電膜と、端子とを半田によって接合させる接合装置が知られている(例えば特許文献1参照)。この接合装置は、端子に対し半田とは反対側から押し付けられる電極棒を複数有する。複数の電極棒によって端子を通電加熱することで、半田を加熱することができる。
米国特許第6335514号明細書
従来、半田は、導電膜と端子との間に挟む前に、導電膜における端子との対向面、または端子における導電膜との対向面に半球状に盛られていた。そのため、電極棒などの加熱装置を端子に対し半田とは反対側から押し付けると、バランスが崩れることがあり、接合不良が生じることがあった。
本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであって、接合の歩留まりを改善できる、半田チップの提供を主な目的とする。
上記課題を解決するため、本発明の一態様によれば、
ガラス基板に形成される導電膜と、端子との接合に用いられる半田チップであって、
前記導電膜における前記端子との対向面と面接触する第1面と、
前記端子における前記導電膜との対向面と面接触する第2面とを有する、半田チップが提供される。
本発明の一態様によれば、接合の歩留まりを改善できる、半田チップが提供される。
一実施形態による半田チップおよび半田チップを用いて接合する部材を示す断面図である。 図1の一部拡大図である。 一実施形態による端子付きガラス基板を示す断面図である。 図3の一部拡大図である。 第1変形例による半田チップおよび半田チップを用いて接合する部材を示す断面図である。 第2変形例による半田チップおよび半田チップを用いて接合する部材を示す断面図である。
以下、本発明を実施するための形態について図面を参照して説明する。各図面において、同一の又は対応する構成には、同一の又は対応する符号を付して説明を省略する。
図1は、一実施形態による半田チップおよび半田チップを用いて接合する部材を示す断面図である。図2は、図1の一部拡大図である。図3は、一実施形態による端子付きガラス基板を示す断面図である。図4は、図3の一部拡大図である。
図1〜図2に示すように、半田チップ10は、ガラス基板20に形成される導電膜30と端子40との間に挟まれ、導電膜30と端子40との接合に用いられる。以下、ガラス基板20、導電膜30、端子40、および半田チップ10についてこの順で説明する。
ガラス基板20は、フロート法またはフュージョン法などにより成形される。ガラス基板20のガラスは、特に限定されないが、例えばソーダライムガラス、無アルカリガラスなどである。ガラス基板20は、未強化ガラス、強化ガラスのいずれでもよい。強化ガラスは、熱強化ガラス、化学強化ガラスのいずれでもよい。ガラス基板20は、他のガラス基板と積層されてもよく、例えば合わせガラスの一部でもよい。ガラス基板20の用途は、特に限定されないが、例えば自動車用の窓ガラス、鉄道車両用の窓ガラスなどである。
導電膜30は、ガラス基板20に形成される。導電膜30は、例えば金属膜であってよい。金属膜は、蒸着、スパッタリング、金属ペーストの焼成などにより成膜される。金属膜は、成膜後に所望のパターンに加工されてもよいし、成膜時に所望のパターンに形成されてもよい。前者のパターン加工にはフォトリソグラフィ法やエッチング法などが用いられ、後者のパタ−ン形成にはマスキングテープまたはスクリーン印刷などが用いられる。導電膜30は、例えば発熱回路、アンテナ回路などの電気回路を形成する。発熱回路は、窓ガラスに付いた氷や雪の融解、結露による窓ガラスの曇りの除去などに用いられる。アンテナ回路は、外部からの電波の受信に用いられる。
端子40は、不図示の電子部品と導電膜30とを電気的に接続する。端子40は、銅または銅合金、銀メッキされたステンレスなどの金属で形成されてよい。端子40の種類は、特に限定されないが、例えば半田による接合部が複数個所あるもの、端子の一部が樹脂で形成されているものなどである。
半田チップ10は、上述の如く、ガラス基板20に形成される導電膜30と端子40との間に挟まれ、導電膜30と端子40との接合に用いられる。半田チップ10は、鉛含有半田で形成されてもよいが、環境負荷低減の観点から、好ましくは鉛フリー半田で形成される。鉛フリー半田は、銀を含まないものでもよいが、銀を含まない場合、一般的に銀を含む導電膜30上で用いた場合、半田合金中の金属と導電膜30中の銀とが化合物を形成し導電膜30が浸食されるため、好ましくは銀を含むものであってよい。
半田チップ10は、導電膜30と端子40との間に挟んだ状態で加熱装置50によって溶融させられ、その後、固化させられることで、図3に示すように接合層60を形成する。接合層60は、導電膜30と端子40との間に形成され、導電膜30と端子40とを接合する。接合層60の外側には、フィレット61が形成される。
ところで、加熱装置50は、端子40に対し半田チップ10とは反対側から押し付けられ、半田チップ10を加熱する。例えば、加熱装置50は、端子40に対し半田チップ10とは反対側から押し付けられる電極棒51を複数有し、複数の電極棒51によって端子40を通電加熱することで、半田チップ10を加熱する。尚、図3では、電極棒51の数は2つであるが、3つ以上でもよい。尚、加熱装置50は、端子40に押し付けられ、半田チップ10を加熱するものであれば、特に限定されない。
本実施形態の半田チップ10は、導電膜30における端子40との対向面31に面接触する第1面11と、端子40における導電膜30との対向面41に面接触する第2面12とを有する。つまり、半田チップ10は、導電膜30と端子40の両方に面接触する。よって、加熱装置50を端子40に押し付けた際にバランスが崩れにくい。その結果、接合不良が低減でき、歩留まりが改善できる。また、半田チップ10と端子40とが面接触しているので、半田チップ10と端子40とが点接触している場合に比べて、端子40から半田チップ10に熱が伝わりやすく、半田チップ10の加熱効率が良い。
ところで、図2および図4に示すように、端子40における導電膜30との対向面41には突起42が形成されることがある。突起42は、突起42の周囲を削ることで形成されてもよいし、突起42を付加することで形成されてもよい。突起42が形成されることで、突起42の高さ以上の厚さの接合層60が形成できる。接合層60の厚さが一定になるように、突起42は間隔をおいて複数形成されてもよい。
突起42が形成される場合、半田チップ10の第2面12には、半田チップ10と端子40とが面接触できるように、突起42を収容する収容凹部13が形成されてよい。収容凹部13は、研削、エッチングなどにより形成される。収容凹部13は、突起42の高さよりも深く形成され、突起42の大きさよりも大きく形成される。収容凹部13は、間隔をおいて複数形成されてもよい。
一方、半田チップ10の第1面11には、収容凹部13に対応するダミー凹部14が形成されてもよい。ダミー凹部14は、収容凹部13と同一の形状、同一の寸法を有する。これにより、半田チップ10の第1面11と、半田チップ10の第2面12との入れ替えが可能になり、半田チップ10の裏表の管理が不要になる。
尚、本実施形態の突起42は、端子40における導電膜30との対向面41に形成されるが、導電膜30における端子40との対向面31に形成されてもよい。この場合、収容凹部13とダミー凹部14の配置が逆とされる。つまり、収容凹部13が半田チップ10の第1面11に形成され、ダミー凹部14が半田チップ10の第2面12に形成される。尚、突起42は、端子40と導電膜30の両方に形成されてもよい。
半田チップ10の第1面11および半田チップ10の第2面12は、互いに平行な平面であってよい。加熱装置50を端子40に押し付けた際に、半田チップ10に均一に荷重がかかるため、バランスが崩れにくい。
尚、本実施形態の第1面11および第2面12は互いに平行な平面であるが、本発明はこれに限定されない。例えば、端子40における導電膜30との対向面41が断面視V字状に形成される場合、半田チップ10の第2面12も断面視V字状に形成されてもよい。半田チップ10が導電膜30と端子40の両方に面接触すればよい。
半田チップ10の第1面11および半田チップ10の第2面12は、共に26mm以上の面積を有していてもよい。これにより、接合層60の接合強度が強固となる。
次に、半田チップ10を用いた端子付きガラス基板の製造方法について説明する。端子付きガラス基板の製造方法は、下記(1)〜(3)の工程を有する。(1)の工程では、導電膜30と端子40との間に半田チップ10を挟み、端子40に対し半田チップ10とは反対側から加熱装置50を押し付ける。(2)の工程では、加熱装置50によって半田チップ10を溶融させる。(3)の工程では、溶融させた半田チップ10を固化させることで、接合層60を形成する。これにより、端子付きガラス基板が得られる。端子付きガラス基板は、図4に示すように、ガラス基板20と、導電膜30と、端子40と、接合層60などを有する。
以上、半田チップの実施形態などについて説明したが、本発明は上記実施形態などに限定されず、特許請求の範囲に記載された本発明の要旨の範囲内において、種々の変形、改良が可能である。
図5は、第1変形例による半田チップおよび半田チップを用いて接合する部材を示す断面図である。第1変形例による半田チップ10Aは、加熱装置50(図3参照)による加熱温度よりも高い融点のスペーサ15Aと、スペーサ15Aを内部に含む半田層16Aとを有する。スペーサ15Aは、図5では端子40に接しているが、導電膜30に接していてもよいし、端子40および導電膜30の両方に接していなくてもよい。加熱装置50によって半田層16Aが溶融させられるとき、スペーサ15Aはほとんど溶融しない。よって、スペーサ15Aの厚さ以上の厚さの接合層が得られる。スペーサ15Aは、銅やニッケルなどの金属、セラミックなどで形成される。尚、スペーサ15Aは、図3に示す突起42と共に用いられてもよい。
図6は、第2変形例による半田チップおよび半田チップを用いて接合する部材を示す断面図である。第2変形例による半田チップ10Bは、導電膜30に面接触する第1半田層17Bと、端子40に面接触する第2半田層18Bと、加熱装置50(図3参照)よる加熱温度よりも高い融点の中間半田層19Bとを有する。第1半田層17Bと第2半田層18Bは、加熱装置50による加熱温度よりも低い融点の材料で形成される。第1半田層17Bと第2半田層18Bとは、異なる材料で形成されてもよいが、好ましくは同じ材料で形成される。中間半田層19Bは、第1半田層17Bと第2半田層18Bとの間に配設される。加熱装置50によって第1半田層17Bや第2半田層18Bが溶融させられるとき、中間半田層19Bはほとんど溶融しない。よって、中間半田層19Bの厚さよりも厚い接合層が得られる。尚、中間半田層19Bと第1半田層17Bとの間に、拡散を抑制するバリア層が形成されてもよい。また、中間半田層19Bと第2半田層18Bとの間に、拡散を抑制するバリア層が形成されてもよい。バリア層は、例えば銅やニッケルなどで形成される。
尚、接合層の厚さを確保するため、半田チップを加熱する際に導電膜30と端子40との間隔を維持する装置が用いられてもよい。
10 半田チップ
11 第1面
12 第2面
13 収容凹部
14 ダミー凹部
20 ガラス基板
30 導電膜
31 導電膜における端子との対向面
40 端子
41 端子における導電膜との対向面
42 突起
50 加熱装置
51 電極棒

Claims (8)

  1. ガラス基板に形成される導電膜と端子との接合に用いられる半田チップであって、
    前記導電膜における前記端子との対向面と面接触する第1面と、
    前記端子における前記導電膜との対向面と面接触する第2面とを有する、半田チップ。
  2. 前記第2面には、前記端子における前記導電膜との対向面に形成される突起を収容する収容凹部が形成されている、請求項1に記載の半田チップ。
  3. 前記第1面には、前記収容凹部に対応するダミー凹部が形成されている、請求項2に記載の半田チップ。
  4. 前記第1面および前記第2面は、互いに平行な平面とされる、請求項1〜3のいずれか1項に記載の半田チップ。
  5. 前記第1面の面積および前記第2面の面積がそれぞれ26mm以上である、請求項4に記載の半田チップ。
  6. 前記半田チップは、鉛フリー半田で形成される、請求項1〜5のいずれか1項に記載の半田チップ。
  7. 前記鉛フリー半田は、銀を含む、請求項6に記載の半田チップ。
  8. 請求項1〜7のいずれか1項に記載の半田チップを前記導電膜と前記端子との間に挟み、前記端子に対し前記半田チップとは反対側から加熱装置を押し付ける工程と、
    前記加熱装置によって前記半田チップを溶融させる工程と、
    溶融させた前記半田チップを固化させることで、前記導電膜と前記端子とを接合する接合層を形成する工程とを有する、端子付きガラス基板の製造方法。
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