JP6110224B2 - ターゲットアセンブリ及びその製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、複数のターゲット片がバッキングプレート上に配列されたターゲットアセンブリ及びその製造方法に関する。

近年における基板サイズの大型化に伴い、スパッタ成膜用のターゲットも大型基板への対応が迫られている。例えば下記特許文献１には、バッキングプレート上に複数のターゲット部材を低融点ハンダにより接合して形成された分割スパッタリングターゲットが記載されている。

特許文献１に記載のスパッタリングターゲットにおいては、バッキングプレートの構成材料がスパッタリングされることを防止するために、ターゲット部材間に形成される隙間に沿ってバッキングプレートに保護体が設けられている。

特許第４９６１５１４号公報

しかしながら特許文献１に記載のスパッタリングターゲットにおいては、バッキングプレートへのターゲット部材のボンディング時にターゲット部材間の隙間に接合材（低融点ハンダ）が侵入するおそれがある。また、スパッタリング時の温度上昇によって接合材が溶融したときも同様に、ターゲット部材間の隙間に接合材が侵入するおそれがある。この状態でターゲットをスパッタすると、ターゲット部材間に侵入した接合材もスパッタされ、形成された薄膜の中に接合材が不純物として混入し、膜特性を悪化させる要因となる。

以上のような事情に鑑み、本発明の目的は、ターゲット部材間の隙間への接合材の侵入を防止することができるターゲットアセンブリ及びその製造方法を提供することにある。

上記目的を達成するため、本発明の一形態に係るターゲットアセンブリは、バッキングプレートと、複数のターゲット部材と、遮蔽部材と、接合材とを具備する。
上記バッキングプレートは、支持面を有する。
上記複数のターゲット部材は、上記支持面に接合される第１の主面と、上記第１の主面とは反対側の第２の主面とをそれぞれ有し、相互に第１の幅の隙間をあけて配列される。
上記遮蔽部材は、上記第１の主面に貼着される粘着面を有し、上記隙間を遮蔽する。
上記接合材は、上記支持面と、上記遮蔽部材が貼着された上記第１の主面とを相互に接合する。

本発明の一形態に係るターゲットアセンブリの製造方法は、複数のターゲット部材を相互に隙間をあけて配列することを含む。
上記複数のターゲット部材の少なくとも１つの主面に、上記隙間を遮蔽する遮蔽部材が上記隙間に沿って貼着される。
接合材が塗布されたバッキングプレートの支持面に、上記遮蔽部材が貼着された上記主面が接合される。

本発明の一実施形態に係るターゲットアセンブリを示す概略斜視図である。 本発明の一実施形態に係るターゲットアセンブリを示す概略平面図である。 図２における［Ａ］−［Ａ］線方向断面図である。 本発明の一実施形態における遮蔽部材の構成を示す要部の斜視図である。 本発明の一実施形態に係るターゲットアセンブリの製造方法を説明する概略工程図である。 本発明の一実施形態に係るターゲットアセンブリの製造方法を説明する概略工程図である。 上記遮蔽部材の構成の変形例を示す要部の斜視図である。 上記遮蔽部材の構成の他の変形例を示す要部の斜視図である。 本発明の実施例を説明する図である。 上記ターゲットアセンブリの構成の変形例を示す概略平面図である。

本発明の一実施形態に係るターゲットアセンブリは、バッキングプレートと、複数のターゲット部材と、遮蔽部材と、接合材とを具備する。
上記バッキングプレートは、支持面を有する。
上記複数のターゲット部材は、上記支持面に接合される第１の主面と、上記第１の主面とは反対側の第２の主面とをそれぞれ有し、相互に第１の幅の隙間をあけて配列される。
上記遮蔽部材は、上記第１の主面に貼着される粘着面を有し、上記隙間を遮蔽する。
上記接合材は、上記支持面と、上記遮蔽部材が貼着された上記第１の主面とを相互に接合する。

上記複数のターゲット部材において、第１の主面は、バッキングプレートに接合される接合面に相当し、第２の主面は、被スパッタ面に相当する。上記ターゲットアセンブリにおいて、第１の主面にはターゲット部材間の隙間を遮蔽する遮蔽部材が貼着されているため、バッキングプレートへのボンディング時に、接合材が上記隙間に侵入することを防止することができる。これによりターゲット部材間の隙間に接合材が存在しない大型のターゲットアセンブリを得ることができる。

複数のターゲット部材は、典型的には金属酸化物等の焼結体で構成されるが、金属等の鋳塊で構成されてもよい。各ターゲット部材は、各々同一の材料で構成されるが、二種以上のターゲット部材で構成されてもよい。各ターゲット部材の形状、大きさは特に限定されず、典型的には、同一の大きさ、形状、厚みを有する矩形状のターゲット部材を用いることができる。

上記遮蔽部材は、単一の層で構成されてもよいし、２層以上の積層体で構成されてもよい。一実施形態として、上記遮蔽部材は、第１の遮蔽層と、第２の遮蔽層とを有する。
上記第１の遮蔽層は、第１の幅よりも大きい第２の幅の粘着面を有し、上記粘着面を介して上記第１の主面に貼着される。上記第２の遮蔽層は、上記第１の幅よりも大きく上記第２の幅よりも小さい第３の幅で形成され、上記粘着面上に配置され、上記隙間に対向する。
上記構成によれば、ターゲット部材間の隙間に対向する上記粘着面を第２の遮蔽層で遮蔽することができるため、当該粘着面がスパッタされることを阻止することができる。
また第２の遮蔽層の幅（第３の幅）が上記第１の幅よりも大きく上記第２の幅よりも小さいため、ターゲット部材間の隙間を被覆しつつ、第１の遮蔽層を第１の主面に貼着することができる。

上記遮蔽部材の構成材料は特に限定されず、典型的には、上記接合材の溶融温度に対する耐熱性を有する材料、例えばポリイミドやフッ素樹脂等の樹脂材料、あるいは金属材料で構成される。上記遮蔽部材には、これらの材料で構成された粘着テープを用いることができる。

上記第１の遮蔽層は、金属材料で構成され、上記第２の遮蔽層は、上記複数のターゲット部材を構成する材料で構成されてもよい。
これにより耐熱性を確保しつつ、スパッタ時の異種材料の混入を防止することができる。

上記複数のターゲット部材は、少なくとも、インジウム及び亜鉛を含む酸化物材料で構成され、上記接合材は、インジウムで構成されてもよい。
このような構成においても、ターゲット部材間の隙間内において接合材が遮蔽部材で被覆されるため、上記酸化物材料で形成された薄膜のインジウム濃度の変動が防止される。これにより目的とする膜質を有するＩｎＺｎＯ系薄膜を安定して形成することができる。

本発明の一実施形態に係るターゲットアセンブリの製造方法は、複数のターゲット部材を相互に隙間をあけて配列することを含む。
上記複数のターゲット部材の少なくとも１つの主面に、上記隙間を遮蔽する遮蔽部材が上記隙間に沿って貼着される。
接合材が塗布されたバッキングプレートの支持面に、上記遮蔽部材が貼着された上記主面が接合される。

上記ターゲットアセンブリの製造方法においては、バッキングプレートへのボンディング時におけるターゲット部材間の隙間内への接合材の侵入を防止することができる。これによりターゲット部材間の隙間に接合材が存在しない大型のターゲットアセンブリを製造することができる。

上記遮蔽部材を貼着する工程では、上記遮蔽部材は、上記隙間に沿って上記複数のターゲット部材の全周にわたって貼着されてもよい。
これによりボンディング時における接合材の回り込みによる上記隙間内への接合材の侵入を効果的に防止できるとともに、遮蔽部材によるターゲット部材間の一体性が高まり、ハンドリングが容易となる。

上記ターゲットアセンブリの製造方法は、上記支持面に前記第１の面を接合した後、上記主面以外の各面に貼着された上記遮蔽部材を除去する工程をさらに有してもよい。
これにより各ターゲット部材の被スパッタ面及びこれに隣接する端面に残留する遮蔽部材に起因するスパッタ時の悪影響を排除することができる。

以下、図面を参照しながら、本発明の実施形態を説明する。

図１は本発明の一実施形態に係るターゲットアセンブリを示す概略斜視図、図２はその概略平面図である。図３は、図２における［Ａ］−［Ａ］線方向の断面図である。各図においてＸ軸、Ｙ軸及びＺ軸は、相互に直交する３軸方向を示している。

［ターゲットアセンブリ］
本実施形態のターゲットアセンブリ１００は、バッキングプレート１０と、ターゲット層２０と、接合材３０とを有する。

バッキングプレート１０は、ＸＹ平面に平行な支持面１０ａを有する平板状の金属板で構成される。バッキングプレート１０は、典型的には、熱伝導性に優れた銅（Ｃｕ）で構成され、内部には冷却水循環用の通路が形成される。バッキングプレート１０の大きさは特に限定されず、典型的には、成膜すべき基板のサイズよりも大きく形成される。バッキングプレート１０の平面形状も特に限定されず、基板やターゲットの形状等に応じて決定することができ、本実施形態では略矩形とされるが、円形その他の幾何学形状であってもよい。

ターゲット層２０は、複数のターゲット部材２１で構成された分割構造を有する。本実施形態ではバッキングプレート１０の支持面１０ａ上に配置された３枚のターゲット部材２１でターゲット層２０が構成される。ターゲット層２０は上記の例に限られず、２枚あるいは４枚以上のターゲット部材２１で構成されてもよい。

複数のターゲット部材２１はそれぞれ同一の平面形状、大きさ、厚みで形成され、本実施形態ではＸ軸方向に平行な一対の短辺とＹ軸方向に平行な一対の長辺とを有する矩形のターゲット片で構成される。本実施形態では、ターゲット部材２１は、Ｘ軸方向に沿った幅寸法が例えば１００ｍｍ〜４５０ｍｍ、Ｙ軸方向に沿った長さ寸法が例えば４５０ｍｍ〜１５００ｍｍ、Ｚ軸方向に沿った厚み寸法が例えば３ｍｍ〜１０ｍｍで形成される。

各々のターゲット部材２１は、焼結体ターゲット片で構成される。焼結体の組成は特に限定されず、本実施形態ではＩｎ（インジウム）及びＺｎ（亜鉛）を少なくとも含むＩｎＺｎＯ系金属酸化物材料で構成される。ＩｎＺｎＯ系酸化物には、さらに、酸化ガリウム（Ｇａ₂Ｏ₃）、酸化アルミニウム（Ａｌ₂Ｏ₃）、酸化チタン（ＴｉＯ₂）、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）、酸化ケイ素（ＳｉＯ₂）等のうち一種類以上の金属酸化物材料が混合されてもよい。すなわち上記ＩｎＺｎＯ系金属酸化物材料には、ＩＺＯだけでなく、ＩＧＺＯ、ＩＺＯ−Ａｌ、ＩＺＯ−Ｔｉ、ＩＺＯ−Ｍｇ、ＩＺＯ−Ｓｉ等が含まれる。

各々のターゲット部材２１は、第１の主面２１ａと、第１の主面２１ａとは反対側の第２の主面２１ｂとを有する（図３参照）。第１の主面２１ａは、接合材３０を介してバッキングプレート１０に接合される接合面に相当し、第２の主面２１ｂは、被スパッタ面に相当する。

各ターゲット部材２１は、バッキングプレート１０の支持面１０ａ上に隙間ＧをあけてＸ軸方向に配列されている。このとき各ターゲット部材２１は、各々の短辺がＸ軸方向に整列するように支持面１０ａ上に配置される。

Ｘ軸方向に沿った隙間Ｇの幅Ｗ１（第１の幅）は特に限定されず、スパッタリング中におけるターゲット部材２１の熱膨張によって相互に接触しない程度の大きさに設定され、ターゲット部材２１を構成する材料の種類や長さ等に応じて例えば０．１ｍｍ〜１ｍｍに設定される。

接合材３０は、バッキングプレート１０とターゲット層２０との間に設けられ、バッキングプレート１０の支持面１０ａと各ターゲット部材２１の接合面２１ａとを相互に接合する。接合材３０の構成材料は特に限定されず、典型的には、Ｉｎ（インジウム）やＳｎ（錫）等のロー材（低融点ハンダ）が用いられる。

ここで、分割構造のスパッタリングターゲットにおいては、バッキングプレートへのボンディング時に、ターゲット部材間の隙間に接合材が侵入するおそれがある。また、スパッタリング時の温度上昇によって接合材が溶融したときも同様に、ターゲット部材間の隙間に接合材が侵入するおそれがある。この状態でターゲットをスパッタすると、ターゲット部材間に侵入した接合材もスパッタされ、形成された薄膜の中に接合材が不純物として混入し、膜特性を悪化させる要因となる。

このような問題を解決するため、本実施形態のターゲットアセンブリ１００は、複数のターゲット部材２１間の隙間Ｇへの接合材３０の侵入を防止するための遮蔽部材４０を有する。

遮蔽部材４０は、ターゲット部材２１間の隙間Ｇにそれぞれ貼着される。遮蔽部材４０は、複数のターゲット部材２１間の隙間Ｇを遮蔽するように、各々の第１の主面２１ａに貼着される。遮蔽部材４０は、第１の主面２１ａに貼着される粘着面４１ａを有し、当該粘着面４１ａの粘着力によりターゲット部材２１に保持される。

遮蔽部材４０は、第１の遮蔽層４１と第２の遮蔽層４２との積層構造を有する。図４は、遮蔽部材４０の構成を示す要部の斜視図である。

第１の遮蔽層４１は、隙間Ｇの幅Ｗ１よりも大きい幅Ｗ２（第２の幅）の粘着面４１ａを有し、粘着面４１ａを介してターゲット部材２１の第１の主面２１ａに貼着される。第１の遮蔽層４１は、Ｙ軸方向に延在する粘着テープで構成され、第１の主面２１ａから露出する各隙間Ｇをそれらの全域にわたって被覆するように各ターゲット部材２１に貼着される。

第２の遮蔽層４２は、隙間Ｇの幅Ｗ１よりも大きく第１の遮蔽層４１の幅Ｗ２よりも小さい幅Ｗ３（第３の幅）で形成され、第１の遮蔽層４１の粘着面４１ａ上に配置される。本実施形態において第２の遮蔽層４２は、図３及び図４に示すように第１の遮蔽層４１の幅方向中央部に配置される。これにより隙間Ｇを確実に遮蔽しつつ、第１の遮蔽層４１と各ターゲット部材２１との間の安定した粘着を確保することができる。また隙間Ｇを介して粘着面４１ａがスパッタされることを阻止することができる。

第２の遮蔽層４２は、Ｙ軸方向に延在するテープフィルムで構成され、第１の主面２１ａから露出する隙間Ｇをそれらの全域にわたって被覆するように、第１の遮蔽層４１と各ターゲット部材２１との間に配置される。第２の遮蔽層４２は、第１の遮蔽層４１と同様に粘着テープで構成されてもよく、この場合は当該粘着面を第１の遮蔽層４１の粘着面４１ａに向けて貼着される。

第１の遮蔽層４１及び第２の遮蔽層４２のトータル厚みは、接合材３０の厚み以下もしくは同等とし、例えば０．０１ｍｍ〜１ｍｍとすることができる。第１の遮蔽層４１及び第２の遮蔽層４２はそれぞれ同一の厚みで構成されてもよいし、異なる厚みで構成されてもよい。本実施形態では、遮蔽部材４０が第１の遮蔽層４１と第２の遮蔽層４２との積層構造を有するため、スパッタリング時においてターゲット部材２１間の隙間Ｇに入射するイオンに対する耐久性が高まり、接合材３０の遮蔽性が確保される。

第２の遮蔽層４２は、第１の遮蔽層４１を構成する材料（粘着面を除く基材の材料）と同一の材料で構成されてもよいし、それとは異なる材料で構成されてもよい。本実施形態では、第１の遮蔽層４１は、ポリイミドテープで構成され、第２の遮蔽層４２は、ポリイミドフィルムで構成される。これによりバッキングプレート１０とターゲット部材２１とのボンディング温度に対して十分な耐熱性を得ることができる。

なお、ポリイミド以外にも、例えばＰＴＦＥ（ポリテトラフルオロエチレン）に代表されるフッ素樹脂等の他の耐熱性樹脂が用いられてもよい。

ターゲット部材２１がバッキングプレート１０に接合された状態において、遮蔽部材４０は、接合材３０を挟んでバッキングプレート１０の支持面１０ａに対向するが、これに限られず、遮蔽部材４０は支持面１０ａに接触してもよい。

以上のように構成される本実施形態のターゲットアセンブリ１００においては、ターゲット部材２１の第１の主面２１ａにターゲット部材２１間の隙間Ｇを遮蔽する遮蔽部材４０が貼着されているため、バッキングプレート１０への接合時に、接合材３０が隙間Ｇに侵入することを防止することができる。これにより隙間Ｇに接合材３０が存在しない大型のターゲットアセンブリを得ることができるため、スパッタリング時に接合材３０の構成材料が、形成される薄膜に混入することを防止することができる。

特に本実施形態では、ターゲット部材２１がＩｎを含む酸化物材料で構成されているため、接合材３０の構成元素（例えばＩｎ）が膜中に混入すると、成膜したＴＦＴ特性が大きく劣化する。本実施形態によれば、このような問題を解消することができるため、所望の膜特性を有するＩｎＺｎＯ系薄膜を安定して形成することができる。

［ターゲットアセンブリの製造方法］
次に、本実施形態のターゲットアセンブリ１００の製造方法について説明する。図５及び図６は、ターゲットアセンブリ１００の製造方法を説明する概略工程図である。

まず図５Ａに示すように、複数のターゲット部材２１が相互に隙間Ｇをあけて配列される。本実施形態では上記構成の３枚のターゲット部材２１が第１の主面２１ａを上に向けて図示しない作業台上に配列される。

続いて図５Ｂに示すように、ターゲット部材２１間の隙間Ｇを被覆するように、テープ状の遮蔽部材４０が各ターゲット部材２１の第１の主面２１ａに隙間Ｇに沿って貼着される。本実施形態では、各ターゲット部材２１の短辺側の一方の端面から第１の主面２１ａにわたって遮蔽部材４０が各々貼着される。このとき、第２の遮蔽層４２が隙間Ｇと対向して配置され、隙間Ｇを挟んで対向する２つのターゲット部材２１を跨ぐように第１の遮蔽層４１の粘着面４１ａが貼着される。

次に図５Ｃ，Ｄに示すように、各ターゲット部材２１が反転され、各ターゲット部材２１の短辺側の他方の端面から第２の主面２１ｂにわたって遮蔽部材４０が各々貼着される。これにより各隙間Ｇに沿って複数のターゲット部材２１の全周にわたって遮蔽部材４０がそれぞれ貼着される。

以上のようにして、複数のターゲット部材２１が遮蔽部材４０で一体化されたターゲット集合体２２が準備される。ターゲット部材２１の反転方法は特に限定されず、例えば吸着装置を用いて各ターゲット部材２１が同時に反転される。遮蔽部材４０の貼着工程は、手作業で行われてもよいし、適宜の貼着装置が用いられてもよい。

一方、図６Ａに示すように、あらかじめ所定温度に加熱されたバッキングプレート１０の支持面１０ａに、溶融した接合材３０が塗布される。接合材３０には、Ｉｎロー材が用いられる。

続いて図６Ｂに示すように、接合材３０が塗布されたバッキングプレート１０の支持面１０ａに、遮蔽部材４０が貼着されたターゲット部材２１の第１の主面２１ａが接合される。

本実施形態では、あらかじめ所定温度に加熱されたターゲット集合体２２が第１の主面２１ａを支持面１０ａ側に向けてバッキングプレート１０上に載置される。接合材３０は、バッキングプレート１０とターゲット集合体２２との間に濡れ広がり、バッキングプレート１０及びターゲット集合体２２の温度下降に伴って凝固する。

本実施形態によれば、ターゲット部材２１の接合面（第１の主面２１ａ）に隙間Ｇを遮蔽する遮蔽部材４０が貼着されているため、バッキングプレート１０へのターゲット集合体２２のボンディング時に接合材３０が隙間Ｇへ侵入することを防止することができる。

また本実施形態によれば、遮蔽部材４０が隙間Ｇに沿ってターゲット部材２１の全周にわたって貼着されているため、ボンディング時における接合材３０の回り込みによる隙間Ｇ内への接合材３０の侵入を効果的に防止することができる。また、遮蔽部材４０によるターゲット部材２１間の一体性が高まり、ハンドリングが容易となる。

バッキングプレート１０の支持面１０ａに各ターゲット部材２１の接合面（第１の主面２１ａ）を接合した後、図６Ｃに示すように、各ターゲット部材２１の第１の主面２１ａ以外の各面に貼着された遮蔽部材４０が除去される。これにより、各ターゲット部材２１の被スパッタ面（第２の主面２１ｂ）及びこれに隣接する端面に残留する遮蔽部材４０に起因するスパッタ時の悪影響を排除することができる。

以上のようにして、ターゲットアセンブリ１００が作製される。本実施形態によれば、バッキングプレート１０へのボンディング時におけるターゲット部材２１間の隙間Ｇ内への接合材３０の侵入を防止することができる。これによりターゲット部材２１間の隙間Ｇに接合材３０が存在しない大型のターゲットアセンブリを製造することができる。

遮蔽部材４０は、上述の樹脂材料以外の材料で構成されてもよい。遮蔽部材４０の構成の変形例を図７及び図８に示す。

図７に示す遮蔽部材４０１は、ポリイミド粘着テープからなる第１の遮蔽層４１０と、金属層４２１とセラミックス層４２２との積層体からなる第２の遮蔽層４２０との積層構造を有する。

セラミックス層４２２を構成するセラミックス材料は特に限定されないが、形成される薄膜中への異種材料防止の観点から、ターゲット部材２１と同種の材料で構成されるのが好ましい。この場合、セラミックス層は、溶射法によって金属層４２１の表面に成膜される。このとき金属層４２１表面をブラスト処理等で粗面化することで、溶射膜との密着性を高めることができる。

金属層４２１を構成する金属材料は特に限定されないが、セラミックス層４２２を構成するセラミックス材料と同等の熱膨張係数を有する金属材料（例えばＴｉ）が用いられることで、金属層４２１及びセラミックス層４２２間の剥離を防止することができる。第２の遮蔽層４２０は、金属層４２１側を第１の遮蔽層４１０の粘着面４１０ａに向けて貼着される。

図８に示す遮蔽部材４０２は、単一の遮蔽層４１０で構成される。遮蔽層４１０には例えばポリイミド製の粘着テープを用いることができる。この場合、粘着面４１０ａは、図示するように遮蔽層４１０表面の周辺領域にのみ設けるようにすれば、ターゲット部材２１間の隙間からの粘着面の露出を阻止することができる。

原料として、一次粒子の平均粒子径が１．１μｍであるＩｎ₂Ｏ₃粉末と、平均粒子径が０．５μｍのＺｎＯ粉末と、平均粒子径が１．３μｍであるＧａ₂Ｏ₃粉末を酸化物のモル比で１：１：２となるように秤量した。これらの混合粉末を湿式ボールミルにて粉砕・混合した。粉砕メディアとしてφ１０ｍｍのジルコニアボールを使用した。粉砕混合したスラリーをスプレードライヤで乾燥造粒し、造粒粉を得た。得られた造粒粉を幅２６０ｍｍ、長さ１０００ｍｍの型に充填し、冷間静水圧プレス機にて加圧成形を行った。その後、大気炉にて１４００℃で５時間焼成を行い、ＩＧＺＯの焼成体を得た。得られた焼成体を機械加工して、幅２２０ｍｍ、長さ７９０ｍｍ、厚さ６ｍｍのターゲット部材を作製した。同様のターゲット部材を計４枚製作し、図９Ａに示すように、４枚のターゲット部材２５で、幅（Ｗ）７９０ｍｍ、長さ（Ｌ）８８０ｍｍ、厚み（Ｔ）６ｍｍのＩＧＺＯ分割ターゲットを構成した。

上述のようにして製作された４分割ターゲットには３箇所の分割隙間が生じる。分割部をそれぞれ隙間Ｇ１、隙間Ｇ２、隙間Ｇ３と表記する。図９Ｂに示すように、隙間Ｇ１〜Ｇ３に下記構成の遮蔽部材Ｓ１〜Ｓ３をそれぞれ貼着した。

隙間Ｇ１には、厚さ０．０６ｍｍ、幅１５ｍｍのポリイミド粘着テープ（商品名「カプトンＲ」）の中央に、厚さ０．０２５ｍｍ、幅５ｍｍのポリイミドフィルムを貼付した遮蔽部材Ｓ１を貼着した。隙間Ｇ１の大きさ（幅）は、ボンディング後に０．３ｍｍとなるように調節した。

隙間Ｇ２には、厚さ０．０６ｍｍ、幅１５ｍｍのポリイミド粘着テープ（商品名「カプトンＲ」）の中央に、厚さ０．１ｍｍ、幅５ｍｍのポリイミドフィルムを貼付した遮蔽部材Ｓ２を貼着した。隙間Ｇ２の大きさ（幅）は、ボンディング後に０．３ｍｍとなるように調節した。

隙間Ｇ３には、厚さ０．０６ｍｍ、幅１５ｍｍのポリイミド粘着テープ（商品名「カプトンＲ」）の中央に、ＴｉシートとＩＧＺＯ膜との積層体を貼付した遮蔽部材Ｓ３を貼着した。上記積層体として、厚さ０．１ｍｍ、幅２０ｍｍのＴｉシートの表面に、厚み０．７μｍのＩＧＺＯ膜をプラズマ溶射にて形成した。Ｔｉシートの表面は、ブラスト処理にて表面粗さＲａ１．５μｍ以上に粗面化した。ＩＧＺＯ膜の原料には、酸化物のモル比で１：１：２に秤量したＩｎ₂Ｏ₃粉末、ＺｎＯ粉末及びＧａ₂Ｏ₃粉末の仮焼粉末を用いた。隙間Ｇ３の大きさ（幅）は、ボンディング後に０．３ｍｍとなるように調節した。

遮蔽部材Ｓ１〜Ｓ３が貼着されたターゲット部材２５の集合体をバッキングプレート上のボンディングロー材に載せ、４分割ＩＧＺＯターゲットアセンブリを作製した。隙間Ｇ１〜Ｇ３をマイクロスコープで観察した結果、隙間Ｇ１〜Ｇ３内へのボンディングロー材の侵入は認められなかった。

さらに上記４分割ＩＧＺＯターゲットアセンブリをスパッタ装置に組み込み、基板上にＩＧＺＯ膜からなるＴＦＴ（薄膜トランジスタ）用の活性層をスパッタ成膜した。そして当該ＴＦＴのＯＮ／ＯＦＦ特性を評価したところ、目的とする特性が得られたことを確認した。

一方、上記遮蔽部材Ｓ１〜Ｓ３を用いずに４分割ＩＧＺＯターゲットアセンブリを作製して分割隙間内をマイクロスコープで確認したところ、バッキングプレート表面が露出した部位とボンディングロー材が露出した部位とが混在していた。また当該ターゲットアセンブリを用いてＴＦＴの活性層を成膜したところ、ＴＦＴのＯＮ／ＯＦＦ特性が低下したことが確認された。これは、ターゲットの隙間に侵入したボンディングロー材（Ｉｎ）がスパッタされてＩＧＺＯ膜中に混入したことが原因であると推察される。

以上のように本実施例によれば、酸化物半導体用の分割スパッタリングターゲットを用いて成膜する際に、ボンディングロー材の混入による薄膜の半導体特性の劣化を効果的に抑制することができる。

以上、本発明の実施形態について説明したが、本発明は上述の実施形態にのみ限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内において種々変更を加え得ることは勿論である。

例えば以上の実施形態では、バッキングプレート１０上に３枚のターゲット部材２１がＸ軸方向に配列された例を説明したが、配列形態は上記の例に限られない。例えば図１０Ａ，Ｂに示すように、バッキングプレート１０上に複数枚のターゲット部材２１がＸ軸方向及びＹ軸方向にそれぞれ配列されてもよい。

また以上の実施形態では、ターゲット部材が酸化物半導体材料で構成されたが、これ以外のセラミックス材料、例えば窒化物、ＰＺＴ等の他の材料で構成されてもよい。また、セラミックス材料に限られず、金属材料や合成樹脂等でターゲット部材が構成されてもよい。

１０…バッキングプレート
１０ａ…支持面
２０…ターゲット層
２１，２５…ターゲット部材
２２…ターゲット集合体
３０…接合材
４０，４０１，４０２，Ｓ，Ｓ１〜Ｓ３…遮蔽部材
４１…第１の遮蔽層
４１ａ…粘着面
４２…第２の遮蔽層
１００…ターゲットアセンブリ
Ｇ，Ｇ１〜Ｇ３…隙間

Claims (4)

1. 支持面を有するバッキングプレートと、
   前記支持面に接合される第１の主面と、前記第１の主面とは反対側の第２の主面とをそれぞれ有し、相互に第１の幅の隙間をあけて前記バッキングプレート上に配列された複数のターゲット部材と、
   前記第１の主面に貼着される粘着面を有し、前記隙間を遮蔽する遮蔽部材と、
   前記支持面と、前記遮蔽部材が貼着された前記第１の主面とを相互に接合する接合材と
   を具備し、
   前記遮蔽部材は、
   前記第１の幅よりも大きい第２の幅の粘着面を有し、前記粘着面介して前記第１の主面に貼着される第１の遮蔽層と、
   前記第１の幅よりも大きく前記第２の幅よりも小さい第３の幅で形成され、前記粘着面上に配置され、前記隙間に対向する第２の遮蔽層と、を有し、
   前記第１の遮蔽層は、金属材料で構成され、
   前記第２の遮蔽層は、前記複数のターゲット部材を構成する材料で構成される
   ターゲットアセンブリ。
2. 請求項１に記載のターゲットアセンブリであって、
   前記複数のターゲット部材は、少なくとも、インジウム及び亜鉛を含む酸化物材料で構成され、
   前記接合材は、インジウムで構成される
   ターゲットアセンブリ。
3. 複数のターゲット部材を相互に隙間をあけて配列し、
   前記複数のターゲット部材の少なくとも１つの主面に、前記隙間を遮蔽する遮蔽部材を前記隙間に沿って貼着し、
   接合材が塗布されたバッキングプレートの支持面に、前記遮蔽部材が貼着された前記主面を接合し、
   前記遮蔽部材を貼着する工程は、前記遮蔽部材を、前記隙間に沿って前記複数のターゲット部材の全周にわたって貼着する
   ターゲットアセンブリの製造方法。
4. 請求項３に記載のターゲットアセンブリの製造方法であって、さらに、
   前記支持面に前記主面を接合した後、前記主面以外の各面に貼着された前記遮蔽部材を除去する
   ターゲットアセンブリの製造方法。

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