JP2021158334A - 静電チャック装置 - Google Patents

Abstract

【課題】吸着固定した基板を均一に冷却又は加熱することができる静電チャック装置を提供する。【解決手段】静電チャック装置は、静電チャック板と、静電チャック板の裏面に接合した接合剤を含む接合層と、接合層に接合した接合面３１を含み、接合面３１の中央部から外周部に向けて放射状に延びた複数の突起３２が形成された基台３０と、を備える。各突起３２の中央部側の端部は、間隔を空けて配置されてもよい。静電チャック装置は、静電チャック板の吸着面に、静電気力により、試料を吸着固定させる。【選択図】図３

Description

本発明は、静電チャック装置に関する。

静電チャック（Ｅｌｅｃｔｒｏｓｔａｔｉｃ Ｃｈｕｃｋ）装置は、ウェハ（Ｗａｆｅｒ）等の試料を静電気力により吸着する静電チャック板と、冷却機構を含む基台とを備える。静電チャック板を基台上に接合する接合剤に、インジウム（Ｉｎｄｉｕｍ）やアルミニウム（Ａｌｕｍｉｎｕｍ）を用いる場合には、接合層の厚さは、マスキングテープ（Ｍａｓｋｉｎｇ Ｔａｐｅ）やワイヤー（Ｗｉｒｅ）によって制御されている。もしくは、接合層の厚さは、そのような厚さを制御する部材を導入せずに、接合剤を塗布する膜厚によって制御される場合もある。

例えば、特許文献１には、インジウムを用いた接合において、接合層の厚さは、マスキングテープを用いて制御されることが記載されている。

また、特許文献２には、接合層の厚さは、接合剤を塗布する膜厚または箔によって制御されることが記載されている。

特開２０１９−１０４９６４号公報 特許第３４８５３９０号公報

しかしながら、特許文献１の手法では、マスキングテープの厚さバラつきがそのまま接合層の厚さバラつきに反映されるために、接合層の厚さの精度を維持することが困難である。

また、ワイヤーを配置して接合層の厚さを制御する手法では、ワイヤーを配置する位置の特定が困難である。例えば、ワイヤーの配置によって、基台と静電チャック板との接触熱伝達（Ｈｅａｔ Ｔｒａｎｓｆｅｒ）にバラつきが生じる。また、ワイヤーの配置によって、接合剤への異物の混入が起こりえる。これにより、局所的に接合剤の性質が変化し、応力集中の原因にもなる。

また、ワイヤーの配置によって、接合剤を分断してしまうことになり、熱膨張差による伸長や収縮の際に、接合剤の移動を阻害することもある。そのため、接合後の接合層の厚さにバラつきが生じ、接触熱伝達の不均一を生じやすい。また、熱膨張（Ｔｈｅｒｍａｌ Ｅｘｐａｎｓｉｏｎ）や熱収縮（Ｔｈｅｒｍａｌ Ｃｏｎｔｒａｃｔｉｏｎ）を伴う使用環境下では、接合剤の破損が生じやすい。ワイヤーの材質によって、接合時に必要な圧力を印加することができずに、接合層の厚さにバラつきが生じる場合もある。

このように、マスキングテープやワイヤーを用いる方法は、接合層の厚さを高精度で制御することが困難である。

特許文献２の手法では、接合層の厚さを調整するストッパーの役割を果たすものがないために、接合層の厚さバラつきを修正することが困難であり、結果として接合層の厚さを高精度で制御することができない。

その他、樹脂接着剤の場合には、樹脂接着剤の硬化体やセラミック板を用いて、接合層の厚さを制御する手法もある。しかしながら、硬化体の場合には荷重変形が起きてしまい、厚さ調整に必要な十分な荷重を印加することができない。セラミックス板を用いる場合には、ワイヤーと同様に応力集中が生じ、静電チャック板の破損に繋がることがある。

本発明は、上記問題に鑑みてなされたものであり、静電チャック板と基台との間の接合層の厚さを高精度で制御することができ、吸着固定した試料を均一に冷却又は加熱することができる静電チャック装置を提供する。

本発明に係る静電チャック装置は、静電チャック板と、前記静電チャック板の裏面に接合した接合剤を含む接合層と、前記接合層に接合した接合面を含み、前記接合面の中央部から外周部に向けて放射状に延びた複数の突起が形成された基台と、を備える。

上記静電チャック装置において、各突起の前記中央部側の端部は、間隔を空けて配置されてもよい。

上記静電チャック装置において、前記接合面は、前記中央部に前記端部に囲まれた平坦な中央平坦部を有してもよい。

上記静電チャック装置において、前記複数の前記突起は、前記突起が延びた方向の長さが第１長さの複数の第１突起と、前記第１長さよりも小さい第２長さの複数の第２突起と、を有し、前記第２突起の中央部側の端部を、前記第１突起の前記中央部側の端部よりも外周部側に配置されてもよい。

上記静電チャック装置において、前記第２突起の前記中央部側の端部の近傍には、前記接合面に穴が形成されてもよい。

上記静電チャック装置において、少なくとも２つの前記突起の前記中央部側の端部は、繋がってもよい。

上記静電チャック装置において、前記突起は、前記接合剤に埋設されてもよい。

上記静電チャック装置において、前記突起は、前記裏面に直接接触し、前記突起が前記裏面に接触した面積は、前記裏面の面積の６０％以下でもよい。

上記静電チャック装置において、前記基台は、冷媒が流れる流路を含んでもよい。

上記静電チャック装置において、前記基台のヤング率は、２００［ＧＰａ］以上であり、前記基台の熱膨張率と前記静電チャック板の熱膨張率との差は、１×１０^−６［／℃］以内であり、前記基台の熱伝導率は、５０［Ｗ／（ｍＫ）］以上でもよい。

上記静電チャック装置において、前記基台は、アルミニウム、金属基複合材料、炭化シリコン及びシリコン、酸化アルミニウム、窒化アルミニウムのうち、少なくともいずれかを含んでもよい。

上記静電チャック装置において、前記静電チャック板は、内部電極を含み、酸化イットリウム、炭化シリコン、酸化アルミニウム及び窒化アルミニウムのうち、少なくともいずれかを含んでもよい。

上記静電チャック装置において、前記接合剤は、インジウム、アルミニウム、銀及びスズのうちの少なくともいずれかを含むものか、インジウム、アルミニウム、銀及びスズのうちの少なくともいずれかを含む合金か、または、シリコーン樹脂、アクリル樹脂及びエポキシ樹脂のうちの少なくともいずれかを含むものでもよい。

前記接合剤は、加熱硬化型樹脂を含み、４．０［Ｗ／（ｍＫ）］以上の熱伝導率を有し、−１５０［℃］において、１［ＧＰａ］以下のヤング率を有してもよい。

前記接合剤において、２３［℃］から−１５０［℃］まで冷却した場合に、ヤング率の変化率は、５００［％］未満であり、２３［℃］から−１５０［℃］まで冷却した場合に、引張荷重は、１２．６［ｃｍ^２］の面積当たり１５倍以下でもよい。

前記接合剤は、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、アクリル樹脂のうち、少なくともいずれかを含み、２６０［℃］以上の分解温度を有してもよい。

前記接合剤は、熱伝導性フィラーを３５［％］〜４５［％］含み、前記熱伝導性フィラーは、粒径Ｄ９０で２５［μｍ］以下であり、粒径Ｄ５０で１０［μｍ］未満であり、前記接合剤の粘度は、１０［Ｐａ・ｓ］以下でもよい。

前記接合剤の加熱硬化前の分解温度は、３００［℃］以上であり、前記接合剤は、熱伝導性フィラーを含み、前記熱伝導性フィラーは、粒径Ｄ９０で２５［μｍ］以下であり、粒径Ｄ５０で１０［μｍ］未満でもよい。

前記接合剤に含まれる熱伝導性フィラーは、窒化アルミニウム、窒化シリコン、窒化ホウ素、炭化シリコンのうち、少なくともいずれかを含んでもよい。

前記静電チャック板及び前記基台はともに、アルミニウム、酸化イットリウム、炭化シリコン、酸化アルミニウム、窒化アルミニウムのうち、少なくともいずれかを含んでもよい。

前記静電チャック板及び前記基台の熱膨張差は、２３［℃］から−１００［℃］までの各温度において、１×１０^−６［／℃］以内でもよい。

本発明により、吸着固定した試料を均一に冷却又は加熱することができる静電チャック装置を提供することができる。

実施形態１に係る静電チャック装置を例示した断面図である。 実施形態１に係る静電チャック装置において、基台の接合面を例示した平面図である。 実施形態１に係る静電チャック装置において、基台の接合面を例示した斜視図である。 実施形態１に係る静電チャック装置において、基台の接合面を例示した拡大図であり、図３のＩＶ領域を拡大して示す。 実施形態１に係る静電チャック装置において、基台の突起を例示した断面斜視図である。 実施形態１に係る静電チャック装置において、冷却中の接合剤の熱収縮過程を例示した平面図である。 実施形態１に係る静電チャック装置において、冷却中の接合剤の熱収縮過程を例示した断面図であり、図６のＶＩＩ−ＶＩＩ線の断面を示す。 実施形態１に係る静電チャック装置において、突起の間に配置された接合剤に生じる応力を算出するモデルを例示した図である。 実施形態１に係る静電チャック装置の製造方法を例示したフローチャート図である。 実施形態１の変形例に係る静電チャック装置において、基台の接合面を例示した斜視図である。 実施形態１の変形例に係る静電チャック装置において、冷却中の接合剤の熱収縮過程を例示した平面図である。 実施形態１の変形例に係る静電チャック装置において、冷却中の接合剤の熱収縮過程を例示した断面図であり、図１１のＸＩＩ−ＸＩＩ線の断面を示す。 実施形態１の変形例に係る静電チャック装置において、冷却中の接合剤の熱収縮過程を例示した断面図であり、図１１のＸＩＩ−ＸＩＩ線の断面を示す。 比較例に係る静電チャック装置において、基台の接合面を例示した斜視図である。

説明の明確化のため、以下の記載及び図面は、適宜、省略、及び簡略化がなされている。また、各図面において、同一の要素には同一の符号が付されており、必要に応じて重複説明は省略されている。

（実施形態１）
以下、実施形態１に係る静電チャック装置を説明する。まず、＜静電チャック装置の構成＞を説明する。その後、静電チャック装置を構成する＜静電チャック板＞、＜接合層＞及び＜基台＞の各構成を説明する。そして、＜静電チャック装置の製造方法＞を説明する。次に、実施形態１を変形させた＜変形例＞、及び、実施形態１との比較のために、＜比較例＞を説明する。その後、実施形態１、変形例及び比較例についての＜静電チャック装置の評価＞を、＜実施例１−１＞〜＜実施例１−４＞として説明する。

＜静電チャック装置の構成＞
図１は、実施形態１に係る静電チャック装置を例示した断面図である。図１に示すように、静電チャック装置１は、静電チャック板１０と、接合層２０と、基台３０と、を備えている。静電チャック装置１は、静電チャック板１０の吸着面１１に、静電気力により、試料を吸着固定させる。試料は、例えば、板状のウェハ、スパッタリングターゲット等である。なお、試料は、吸着面１１に吸着されるものであれば、ウェハ、スパッタリングターゲット等に限らない。

ここで、静電チャック装置１の説明の便宜のために、ＸＹＺ直交座標軸系を導入する。静電チャック板１０の吸着面１１に直交する方向をＺ軸方向とする。静電チャック板１０の吸着面１１に平行な面をＸＹ平面とする。例えば、静電チャック板１０の吸着面１１側を上方とし、＋Ｚ軸方向とする。静電チャック板１０の裏面１２側を下方とし、−Ｚ軸方向とする。なお、上方及び下方は、静電チャック装置１の説明の便宜上のものであり、実際の静電チャック装置１の使用時に配置される向きを示したものではない。

＜静電チャック板＞
静電チャック板１０は、板状であり、試料を静電気力により吸着させる吸着面１１、及び、吸着面１１の反対側の裏面１２を有している。静電チャック板１０は、例えば、円板状である。なお、静電チャック板１０は、円板状に限らず、矩形の板状等、形状にはこだわらない。

静電チャック板１０は、内部に図示しない内部電極を含んでいる。静電チャック板１０は、内部電極に電圧を印加し、試料を静電気力によって吸着面１１に吸着固定させる。

静電チャック板１０は、材料として、例えば、セラミックス（Ｃｅｒａｍｉｃｓ）を含んでいる。静電チャック板１０は、例えば、酸化アルミニウム（Ａｌ_２Ｏ_３）及び窒化アルミニウム（ＡｌＮ）のうち、少なくともいずれかを含むものでもよい。

表１は、材料特性の比較を例示した表である。下記の表１には、酸化アルミニウム（Ａｌ_２Ｏ_３）、金属基複合材料（Ｍｅｔａｌ Ｍａｔｒｉｘ Ｃｏｍｐｏｓｉｔｅｓ、以下、ＭＭＣと呼ぶ。）、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、炭化シリコン（ＳｉＣ）、インジウム（Ｉｎｄｉｕｍｕ）及びシリコーン樹脂（Ｓｉｌｉｃｏｎｅ）における密度［ｋｇ／ｍ^３］、熱膨張率［１０^−６／℃］、ヤング率［ＧＰａ］、ポワソン比及び熱伝導率［Ｗ／（ｍＫ）］を示す。

表１に示すように、静電チャック板１０の材料を、酸化アルミニウム（Ａｌ_２Ｏ_３）とし、基台３０の材料を金属基複合材料（ＭＭＣ）とした場合には、静電チャック板１０と基台３０との熱膨張率の差を１×１０^−６［／℃］以下にすることができる。また、静電チャック板１０の材料を、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）とし、基台３０の材料を炭化シリコン（ＳｉＣ）とした場合には、静電チャック板１０と基台３０との熱膨張率の差を１×１０^−６［／℃］以下にすることができる。このような材料を用いることにより、静電チャック板１０と基台３０との間に発生する応力を緩和することができる。

＜接合層＞
接合層２０は、静電チャック板１０と、基台３０との間に配置されている。接合層２０は、静電チャック板１０の裏面１２及び基台３０の接合面３１に接合した接合剤を含んでいる。接合剤は、例えば、インジウム、アルミニウム、銀及びスズのうち、少なくともいずれかを含むものでもよい。また、接合剤は、インジウム、アルミニウム、銀及びスズのうち、少なくともいずれかを含む合金でもよい。さらに、接合剤は、シリコーン樹脂、アクリル樹脂及びエポキシ樹脂のうち、少なくともいずれかを含むものでもよい。

例えば、表１に示すように、接合剤を、インジウムまたはシリコーン樹脂とした場合には、静電チャック板１０及び基台３０と、接合剤との間で、熱膨張率が大きく異なるが、本実施形態の静電チャック装置１では、以下で示す基台３０の突起３２によって、熱膨張率の差の影響を低減することができる。

接合層２０を構成する接合剤の気孔の含有率を気孔率とすると、接合剤の気孔率は、５％以下が望ましい。これにより、静電チャック板１０と基台３０との間で、熱伝導率及び熱伝達率を向上させ、熱膨張及び熱収縮による破損を抑制することができる。

＜基台＞
基台３０は、静電チャック板１０の裏面１２に接合層２０を介して接合されている。基台３０において、接合層２０に接合した面を接合面３１と呼ぶ。よって、基台３０は、接合層２０に接合した接合面３１を含む。

基台３０は、剛性を有する材料を含むものが好ましい。例えば、基台３０は、材料として、アルミニウム（Ａｌ）、金属基複合材料（ＭＭＣ）、炭化シリコン（ＳｉＣ）及びシリコン（Ｓｉ）のうち、少なくともいずれかを含んでもよい。表１を用いて、前述したように、適宜、材料を選択することにより、静電チャック板１０と基台３０との熱膨張率の差を１×１０^−６［／℃］以下にすることができる。

基台３０は、ヤング率が２００［ＧＰａ］以上の材料を含むことが望ましい。ヤング率を２００［ＧＰａ］以上とすることにより、基台３０の材料に剛性を持たせることができる。よって、任意の圧力で静電チャック板１０を、接合層２０を介して接合面３１にしっかりと押すことができる。これにより、接合面３１に形成させた突起３２を利用して、静電チャック板１０と基台３０との間の接合剤を含む接合層２０の厚さを高精度で制御することができる。

また、基台３０の熱伝導率は、５０［Ｗ／（ｍＫ）］以上であることが好ましい。これにより、基台３０から接合層２０を介して静電チャック板１０への熱伝達を向上させることができる。

図２は、実施形態１に係る静電チャック装置１において、基台３０の接合面３１を例示した平面図である。図３は、実施形態１に係る静電チャック装置１において、基台３０の接合面３１を例示した斜視図である。図４は、実施形態１に係る静電チャック装置１において、基台３０の接合面３１を例示した拡大図であり、図３のＩＶ領域を拡大して示す。図５は、実施形態１に係る静電チャック装置１において、基台３０の突起３２を例示した断面斜視図である。なお、図が煩雑にならないように、いくつかの突起３２及び穴３６にのみ符号を付し、いくつかの突起３２及び穴３６の符号を省略している。

図２〜図５に示すように、基台３０の接合面３１には、複数の突起３２が形成されている。複数の突起３２は、接合面３１の中央部から外周部に向けて放射状に延びている。各突起３２の中央部側の端部は、隣り合う突起３２の中央部側の端部と、間隔を空けて配置されている。よって、接合面３１は、中央部に、各突起３２の中央部側の端部に囲まれた平坦な中央平坦部３３を有している。

基台３０の接合面３１は、中央部に形成された平坦な中央平坦部３３と、中央平坦部３３を囲むように環状に形成された突起配置部３４と、突起配置部３４を囲むように環状に形成された外周部３５と、を有している。複数の突起３２は、突起配置部３４に形成されている。

図５に示すように、突起３２の幅３２ｗは、例えば、５〜１０［ｍｍ］である。突起３２の高さ３２ｈは、例えば、５０［μｍ］〜１［ｍｍ］であり、好ましくは、１００［μｍ］である。なお、突起３２の幅３２ｗ及び高さ３２ｈは、これらの値に限らず、適宜変更してもよい。

図２及び図３に示すように、複数の突起３２は、突起３２が延びた方向の長さが異なる複数の突起３２ｐ及び複数の突起３２ｑを有してもよい。突起３２ｑの長さは、突起３２ｐの長さよりも小さい（突起３２ｐの長さ＞突起３２ｑの長さ）。そして、突起３２ｑの中央平坦部３３側の端部を、突起３２ｐの中央平坦部３３側の端部よりも外周部３５側に配置させている。なお、突起３２ｐ及び突起３２ｑを総称して、突起３２と呼ぶ。

突起３２ｐの中央平坦部３３側の端部は、中央平坦部３３と突起配置部３４との境界に位置している。突起３２ｑの中央平坦部３３側の端部は、中央平坦部３３と突起配置部３４との境界よりも突起配置部３４側に位置している。突起３２ｐ及び突起３２ｑの外周部３５側の端部は、突起配置部３４と外周部３５との境界に位置している。中央平坦部３３の直径は、例えば、直径３００［ｍｍ］の接合面３１の場合において、５０［ｍｍ］以上が好ましい。

突起３２は、接合層２０において、接合剤に埋設されてもよい。突起３２は、静電チャック板１０の裏面１２に直接接触してもよい。そして、突起３２が静電チャック板１０の裏面１２に接触した面積は、裏面１２の面積の６０％以下であることが好ましい。これにより、静電チャック板１０と基台３０との間で、熱伝達率を向上させることができる。また、接合剤の熱膨張及び熱収縮による破損を抑制することができる。

基台３０は、冷媒が流れる図示しない流路を含んでもよい。例えば、基台３０は、流路を内蔵している。基台３０の接合面３１には、穴３６が形成されてもよい。穴３６には、例えば、静電チャック板１０の内部電極の配線等を通してもよい。穴３６を形成する場合には、突起３２ｑの中央部側の端部の近傍に形成することが好ましい。これにより、中央平坦部３３の面積を大きくすることができ、接合剤の熱膨張及び熱収縮による破損を抑制することができる。

図６は、実施形態１に係る静電チャック装置１において、冷却中の接合剤の熱収縮過程を例示した平面図である。図７は、実施形態１に係る静電チャック装置１において、冷却中の接合剤の熱収縮過程を例示した断面図であり、図６のＶＩＩ−ＶＩＩ線の断面を示す。

図６及び図７に示すように、基台３０の接合面３１には、放射状に延びた複数の突起３２が形成されている。接合剤は、冷却中において熱収縮する。接合剤が熱収縮する方向２１は、接合面３１において、半径方向である。よって、突起３２が延びる方向と、接合剤の熱収縮の方向２１があっているので、静電チャック板１０及び基台３０と、接合層２０との間に発生する応力を緩和することができる。なお、このような応力緩和は、静電チャック装置１の製造過程における冷却時だけでなく、静電チャック装置１の使用時における昇温時の熱膨張及び降温時の熱収縮にも有効である。

また、基台３０の接合面３１には中央平坦部３３が形成されている。中央平坦部３３において、接合剤の伸びや縮みを調整することができる。よって、製造過程における冷却時の熱収縮、使用時における昇温時の熱膨張及び降温時の熱収縮の際に、接合剤は自由に変形することができる。これにより、接合層２０の熱膨張又は熱収縮によるひけや欠陥を抑制することができる。

接合層２０の厚さによって、突起３２の配置のピッチを最適化することが好ましい。例えば、接合層２０の厚さが小さい場合には、突起３２のピッチを大きくする。そうすると、水平方向に平べったい接合剤を含む接合層２０となる。一方、接合層２０の厚さが大きい場合には、突起３２のピッチを小さくする。そうすると、鉛直方向に細長い接合剤を含む接合層２０となる。両者の接合層２０に含まれる接合剤は同量とすることができる。

図８は、実施形態１に係る静電チャック装置１において、突起３２の間に配置された接合剤に生じる応力を算出するモデルを例示した図である。基台３０の熱膨張率が小さいので、図８に示すように、温度Ｔ［℃］から温度Ｔ＋ΔＴ［℃］に変化した場合において、接合剤の応力σ及び接合剤に生じる力Ｆは、以下の（１）式及び（２）式で算出される。ここで、αは熱膨張率を示し、ΔＴは温度差を示し、Ｅはヤング率を示し、Ａは接合剤の断面積を示す。断面積Ａは、突起３２の間の接合剤の高さＨ及び幅Ｗより算出される。

σ＝−αΔＴＥ （１）
Ｆ＝−αΔＴＥＡ （２）

表２は、接合剤をインジウムとして、応力σを算出するパラメータを例示したものである。

ここで、表２に示すように、熱膨張率α＝３０×１０^−６［／℃］、ヤング率Ｅ＝１１．５［ＧＰａ］、温度差ΔＴ＝−２５０［℃］とすると、応力σ＝８６．２５［ＭＰａ］と算出される。応力σが正の値の場合には引張応力を示し、応力σが負の場合には圧縮応力を示す。また、力Ｆが正の値の場合には引張荷重を示し、力Ｆが負の場合には圧縮荷重を示す。

表３は、実施形態１に係る静電チャック装置１において、突起３２の間に配置された接合剤の断面積Ａ及び生じる力Ｆを例示したものである。

表３に示すように、接合剤の断面積Ａが大きくなるほど、接合剤に生じる力Ｆが大きくなる。例えば、接合剤の高さＨを一定にした場合には、接合剤の幅Ｗが大きいほど、力Ｆが大きくなる。また、接合剤の幅Ｗを一定にした場合には、接合剤の高さＨが大きいほど、力Ｆが大きくなる。したがって、接合層２０に生じる力を均一にするためには、接合剤の断面積Ａを一定にすることが好ましい。

本実施形態では、複数の突起３２は、接合面３１において放射状に延びている。よって、隣り合う突起３２の間隔は、外周部３５側ほど広くなる。すなわち、外周部５０側ほど接合剤の幅Ｗが大きくなる。そこで、複数の突起３２は、複数の突起３２ｐと、突起３２ｐの長さよりも小さい長さの複数の突起３２ｑと、を有するようにしている。そして、突起３２ｑの中央平坦部３３側の端部を、突起３２ｐの中央平坦部３３側の端部よりも外周部３５側に配置させている。これにより、接合剤の外周部３５側の幅Ｗを小さくすることができるので、接合剤に生じる力Ｆを均一化することができる。

＜静電チャック装置の製造方法＞
次に、静電チャック装置１の製造方法を説明する。図９は、実施形態１に係る静電チャック装置１の製造方法を例示したフローチャート図である。図９のステップＳ１１に示すように、基台３０に流路を形成する。例えば、基台３０の下部を構成する下部部材に機械加工を施して流路となる溝を形成する。そして、溝を形成した下部部材に、基台３０の上部を構成する上部部材をＡｌロウ材で接合する。これにより、流路を内包する。こうして、基台３０に流路を形成する。

次に、ステップＳ１２に示すように、突起３２を形成する。例えば、上部部材及び下部部材を接合後に、再度、基台３０に機械加工を施して、必要な形状に加工する。その後、基台３０の接合面３１に、サンドブラスト加工等で突起３２を形成する。

突起３２は、静電チャック板１０の裏面１２に形成させてもよいと考えられるかもしれない。しかしながら、静電チャック板１０は、薄く、接合時に変形しやすい。よって、十分な厚さを有し、変形しにくい基台３０の接合面３１に形成することが好ましい。

突起３２の配置は、接合層２０の厚さに合わせて可変である。例えば、接合層２０の接合力に影響しない程度に、突起３２のピッチを、５〜５０［ｍｍ］の範囲で変化させてもよい。突起３２のピッチは、接合層２０が厚い場合には狭く、薄い場合には広くすることが好ましい。

なお、基台３０の絶縁化処理のために、酸化アルミニウム（Ａｌ_２Ｏ_３）材を溶射法で基台３０表面に成膜してもよい。その場合には、成膜した溶射膜に同様の突起３２を形成してもよい。

次に、ステップＳ１３に示すように、静電チャック板１０と基台３０とを接合層を介して接合する。例えば、内部電極を含む静電チャック板１０の裏面１２と、基台３０の接合面３１とに、インジウム材を載置し、２００［℃］に加熱する。インジウム材料が溶けたところで、基台３０の接合面３１に静電チャック板１０の裏面１２を貼り合わせる。そして、静電チャック板１０側から荷重を印加する。荷重は、例えば、３［ｋＰａ］である。なお、荷重はなくてもよいが、精密に厚さを制御するためには、１［ｋＰａ］以上の荷重を印加することが好ましい。荷重を印加したまま、例えば、３０［ｍｉｎ］加熱する。その後、加熱を停止し、室温まで冷却する。インジウムが固化したことを確認する。このようにして、静電チャック装置１を製造することができる。

＜変形例＞
次に、本実施形態の変形例に係る静電チャック装置を説明する。本変形例の静電チャック装置は、複数の突起３２の形状が実施形態１と異なる。具体的には、変形例の複数の突起３２は、中央部で繋がっている。

図１０は、実施形態１の変形例に係る静電チャック装置において、基台３０ａの接合面３１ａを例示した斜視図である。図１０に示すように、本変形例の静電チャック装置において、複数の突起３２ａは、接合面３１ａにおいて、中央部から外周部に向けて放射状に延びていること、複数の突起３２ａは、複数の突起３２ｐａと、突起３２ｐａの長さよりも小さい長さの複数の突起３２ｑａを有することは、実施形態１と同様である。しかしながら、変形例の基台３０ａの接合面３１ａには、中央平坦部３３が形成されていない。複数の突起３２ｐａの中央部側の端部は、中央において相互に繋がっている。

図１１は、実施形態１の変形例に係る静電チャック装置において、冷却中の接合剤の熱収縮過程を例示した平面図である。図１２及び図１３は、実施形態１の変形例に係る静電チャック装置において、冷却中の接合剤の熱収縮過程を例示した断面図であり、図１１のＸＩＩ−ＸＩＩ線の断面を示す。

図１１に示すように、本変形例でも、突起３２ａの延びる方向と、接合剤の熱収縮の方向２１とが合っているので、静電チャック板１０及び基台３０ａと、接合層２０との間に発生する応力を緩和することができる。

一方、本変形例では、基台３０ａの接合面３１ａには中央平坦部３３が形成されていない。突起３２ａの中央部側の端部は、中央において繋がっている。よって、硬化後の熱収縮により、接合面３１ａの中央における突起３２ａの交点近傍において、欠陥が発生する。例えば、中央部の突起３２ａを繋げた部分から接合剤が剥離する。

具体的には、図１２に示すように、変形例の静電チャック装置１ａにおいて、硬化処理中は、接合剤は、静電チャック板１０と基台３０ａとの間に充填される。その後、図１３に示すように、硬化後の収縮で中央近傍の接合剤は剥離する。このように、本変形例では、静電チャック板１０及び基台３０ａと、接合剤とで熱膨張率が異なるために、中央部の突起３２ａの側面において、接合剤の伸長と収縮が生じる。よって、中央部の接合層２０において、ストレス耐性が低減し、中央部の突起３２ａ周辺から、接合剤の剥離が起きやすい。

＜比較例＞
次に、比較例に係る静電チャック装置を説明する。図１４は、比較例に係る静電チャック装置において、基台１３０の接合面１３１を例示した斜視図である。図１４に示すように、比較例の静電チャック装置においては、基台１３０の接合面１３１上に、同心円状の複数の突起１３２が形成されている。突起１３２は、例えば、任意の直径の複数のワイヤーを同心円状に配置することによって形成される。それ以外の構成は、実施形態１と同様である。

＜静電チャック装置の評価＞
次に、実施形態１、変形例及び比較例に係る静電チャック装置の評価について説明する。静電チャック装置の評価項目は、１．接合層２０の厚さ、２．接合層２０の欠陥、３．温度サイクル試験、及び、４．ウェハを試料として加熱したときの温度バラツキである。

１．接合層２０の厚さは、三次元測定装置を使用して、静電チャック装置全体の厚さから接合層２０の厚さを算出する。２．接合層２０の欠陥は、静電チャック装置の静電チャック板１０側から超音波探傷装置で欠陥検査を実施する。３．温度サイクル試験は、静電チャック装置に、−１００［℃］〜１００［℃］の温度サイクル試験を３０回実施し、試験後に再度、超音波探傷装置で欠陥検査を実施する。４．ウェハを試料として加熱したときの温度バラツキは、静電チャック板１０にウェハ基板を吸着固定させた状態で、３［ｋＷ］の入熱を与えたときのウェハ基板の温度バラつきを測定する。

＜実施例１−１＞
実施例１−１の静電チャック装置は、前述の（実施形態１）において説明した静電チャック装置に基づいており、基台３０の中央部に突起３２が形成されていない中央平坦部を有する構成である。基台３０の材料は、炭化シリコン−アルミニウム（ＳｉＣ−Ａｌ）複合材料であり、静電チャック板１０の材料は、酸化アルミニウム（Ａｌ_２Ｏ_３）であり、接合層２０の材料は、インジウムである。また、基台３０の接合面３１は、図２〜図５で示した形状の複数の突起３２を有し、突起３２の高さは、１００［μｍ］である。

１．接合層２０の厚さ
実施例１−１の静電チャック装置では、接合層２０の厚さが、１００±２５［μｍ］の範囲内であり、合格である。

２．接合層２０の欠陥
実施例１−１の静電チャック装置では、接合層２０に大きな欠陥がなく、接合面積が９９［％］以上で合格である。

３．温度サイクル試験
実施例１−１の静電チャック装置では、温度サイクル試験の前後で欠陥検査の結果に変化なく、合格である。

４．ウェハを試料として加熱したときの温度バラツキ
実施例１−１の静電チャック装置では、ウェハ基板の温度バラツキは、±３［℃］以内であり、合格である。

＜実施例１−２＞
実施例１−２の静電チャック装置は、前述の（実施形態１）において説明した静電チャック装置に基づいており、基台３０の中央部に突起３２が形成されていない中央平坦部を有する構成である。基台３０の材料は、炭化シリコン（ＳｉＣ）に、酸化アルミニウム（Ａｌ_２Ｏ_３）の溶射膜を形成したものであり、静電チャック板１０の材料は、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）である。また、基台３０の接合面３１は、図２〜図５で示した形状の複数の突起３２を有し、突起３２の高さは、１００［μｍ］である。

１．接合層２０の厚さ
実施例１−２の静電チャック装置では、接合層２０の厚さが、１００±２５［μｍ］の範囲内であり、合格である。

２．接合層２０の欠陥
実施例１−２の静電チャック装置では、接合層２０に大きな欠陥がなく、接合面積が９９［％］以上で合格である。

３．温度サイクル試験
実施例１−２の静電チャック装置では、温度サイクル試験の前後で欠陥検査の結果に変化なく、合格である。

４．ウェハを試料として加熱したときの温度バラツキ
実施例１−２の静電チャック装置では、ウェハ基板の温度バラツキは、±３［℃］以内であり、合格である。

＜実施例１−３＞
実施例１−３の静電チャック装置は、前述の＜変形例＞において説明した静電チャック装置に基づいており、基台３０の中央部において突起３２が繋がっている構成である。基台３０の材料は、炭化シリコン−アルミニウム（ＳｉＣ−Ａｌ）複合材料に、酸化アルミニウム（Ａｌ_２Ｏ_３）の溶射膜を形成したものであり、静電チャック板１０の材料は、酸化アルミニウム（Ａｌ_２Ｏ_３）であり、接合層２０の材料は、インジウムである。また、基台３０ａの接合面３１ａは、図１０で示した形状の複数の突起３２ａを有し、突起３２ａの高さは、１００［μｍ］である。

１．接合層２０の厚さ
実施例１−３の静電チャック装置では、接合層２０の厚さが、１００±２５［μｍ］の範囲内であり、合格である。

２．接合層２０の欠陥
実施例１−３の静電チャック装置では、中央部の突起３２を繋げた部分から接合剤が剥離していることが確認された。

３．温度サイクル試験
実施例１−３の静電チャック装置では、中央部の突起３２を繋げた部分から接合剤が剥離していることが確認された。

４．ウェハを試料として加熱したときの温度バラツキ
実施例１−３の静電チャック装置では、ウェハ基板の中央部が異常に冷却されていることが確認された。

＜実施例１−４＞
実施例１−４の静電チャック装置は、前述の＜比較例＞において説明した静電チャック装置に基づいており、同心円状の突起１３２が形成された構成である。基台３０の材料は、炭化シリコン−アルミニウム（ＳｉＣ−Ａｌ）複合材料であり、静電チャック板１０の材料は、酸化アルミニウム（Ａｌ_２Ｏ_３）であり、接合層２０の材料は、インジウムである。また、基台３０の接合面３１上には、図１４で示すように、任意の直径の複数の突起１３２が同心円状に配置されている。突起３２の高さは、１００［μｍ］である。

１．接合層２０の厚さ
実施例１−４の静電チャック装置では、接合層２０の厚さのバラツキが、１００±５０［μｍ］であり、不合格である。

４．ウェハを試料として加熱したときの温度バラツキ
実施例１−４の静電チャック装置では、ウェハ基板の面内の温度バラツキが、±７［℃］であり、不合格である。

次に、本実施形態及び変形例の静電チャック装置の効果を説明する。本実施形態及び変形例の静電チャック装置１及び１ａは、基台３０及び３０ａ（以下、まとめて基台３０と呼ぶ。接合面３１ａ及び突起３２ａもそれぞれまとめて接合面３１及び突起３２と呼ぶ。）の接合面３１に放射状に延びた複数の突起３２を有している。よって、突起３２の延びる方向は、接合剤の熱膨張及び熱収縮の方向２１に沿っている。これにより、静電チャック板１０、接合層２０、基台３０の熱膨張率の差による応力を緩和することができ、接合層２０の厚さを均一化することができる。よって、熱伝達を均一化することができる。

一方、比較例の静電チャック装置では、突起１３２は同心円状の形状となっており、接合剤の熱膨張及び熱収縮の方向２１に沿っていない。よって、静電チャック板１０、接合層２０、基台１３０の熱膨張率の差による応力を緩和することができず、接合層２０の厚さを均一化することができない。

本実施形態及び変形例の静電チャック装置１及び１ａは、基台３０に剛性材料を用いているので、基台３０に静電チャック板１０を接合する際に、圧力を印加しても変形を抑制することができる。よって、突起３２により制御される接合層２０の厚さの精度を向上させることができる。また、突起３２は、接合剤に埋設されるように配置されている。これにより、接合剤に生じる応力を高精度で算出することができ、熱応力を緩和することができる。

基台３０の突起３２が静電チャック板１０の裏面１２に接触した面積は、裏面１２の面積の６０％以下である。よって、接合層２０は、応力に耐えられる接合力を有することができる。また、熱伝達を高精度で制御することができる。

また、静電チャック板１０及び基台３０と、熱膨張差が大きく異なる接合剤を使用して接合層２０を形成することができる。よって、接合剤の種類及び使用温度の範囲を広げることができ、使用用途の選択肢を広げることができる。

複数の突起３２は、複数の突起３２ｐと、突起３２ｐよりも長さが小さい複数の突起３２ｑと、を有する。そして、突起３２ｑの中央平坦部３３側の端部を、突起３２ｐの中央平坦部３３側の端部よりも外周部３５側に配置させている。これにより、接合剤に生じる力Ｆを均一化することができる。

本実施形態の静電チャック装置１では、基台３０の接合面３１に中央平坦部３３が形成されている。よって、接合層２０の熱膨張又は熱収縮によるひけや欠陥を抑制することができる。

静電チャック板１０の内部電極の配線等を通す穴を突起３２ｑの中央平坦部３３側の端部の近傍に形成しているので、接合剤に生じる力Ｆの均一化を阻害しない。また、中央平坦部３３の機能を阻害しない。

（実施形態２）
次に、実施形態２に係る静電チャック装置を説明する。前述のように、静電チャック装置における静電チャック板１０と、基台３０との間の接合技術においては、用途に応じて、樹脂製接合剤を用いてもよい。静電チャック板１０と基台３０との間の接合剤は、静電チャック板１０と基台３０との間の熱応力を緩和する機能、及び、静電チャック板１０に吸着固定された試料に流入する熱を基台３０にスムーズに伝達する機能を主に担う。

但し、樹脂性接合剤を用いる場合には、使用される樹脂（シリコーン、エポキシ、アクリル等）のガラス転移点及び分解点等により、静電チャック装置への使用可能温度が決定される。そのため、静電チャック装置への使用可能温度幅は狭くなることが多い。

また、樹脂は、そもそも熱伝導率が低く、静電チャック板１０に吸着された試料に流入した熱をスムーズに基台３０に伝達することを阻害してしまう。そのため、低熱伝導性を改善するために、高熱伝導性の材料をフィラーとして加えられる。例えば、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）や酸化アルミニウム（Ａｌ_２Ｏ_３）のフィラーを添加して熱伝導率を改善している。このフィラー添加の影響によって、特に、ヤング率（弾性率）の低いシリコーン接合剤では、硬化体のヤング率が上昇してしまい、熱応力の緩和能力が著しく低下してしまう。また、フィラーを多く添加しすぎると接合剤のハンドリング性が低下してしまい、作業効率を低下させてしまう。

そこで、本実施形態では、ガラス転移温度が低く、フィラーが添加されていても室温から極低温域におけるヤング率の上昇量が抑えられる樹脂製接合剤を用いる。樹脂は、熱膨張係数が大きいため、まずは、静電チャック板１０及び基台３０の熱膨張率を一致させることで、余計な熱応力が掛からない構成としている。その上で、フィラー入り接合剤の硬化条件を最適化することによって、室温域から極低温域の幅広い温度帯で使用することが可能な静電チャック装置を提供する。以下で、樹脂性接合剤を用いた＜実施例２−１＞〜＜実施例２−４＞を説明する。

＜実施例２−１＞
実施例２−１の静電チャック装置は、前述の実施形態１において説明した静電チャック装置に基づいた構成である。基台３０、静電チャック板１０、及び、接合剤に含まれる各材料は、以下のとおりである。

Ａ．材料
・基台 ：ＳｉＣ−Ａｌ複合材料
・静電チャック板：Ａｌ_２Ｏ_３
・接合剤 ：窒化物フィラー入りシリコーン接着剤（４．５［Ｗ／ｍＫ］）

Ｂ．製造方法
本実施形態の静電チャック装置の製造方法は、まず、前述の実施形態１の静電チャック装置の製造方法と同様に、図９のステップＳ１１及びステップＳ１２を行う。

次に、ステップＳ１３において、静電チャック板１０及び基台３０に接合剤を塗布し、真空中において５０［℃］で３０［ｍｉｎ］の脱泡処理を行う。そして、静電チャック板１０と基台３０とを貼り合わせ、６［ｋＰａ］の圧力を印加して、再度、真空中において５０［℃］で３０［ｍｉｎ］の脱泡処理を行う。

次に、大気圧に開放後、圧力を９［ｋＰａ］に増加させ、６０［ｍｉｎ］静置する。その後、そのままの状態で、９０［℃］に昇温し、２０［ｈ］静置して、硬化処理を実施する。そして、圧力を印加したまま、３０［℃］以下になるまで冷却する。室温まで冷却し、接合剤が硬化したことを確認する。

Ｃ．評価方法
次に、静電チャック装置の評価方法を説明する。三次元測定装置を使用して、静電チャック装置の全体の厚みから変形を算出する。本実施例２−１では、平面度は８０［μｍ］以下に入っており、合格であることを確認した。

静電チャック装置の静電チャック板１０側から超音波探傷装置で欠陥検査を実施する。接合層に大きな欠陥がなく、接合面積が９９［％］以上で合格とする。静電チャック装置を、−１５０［℃］〜１００［℃］の温度サイクル試験を３０回実施する。温度サイクル試験後に、再度、超音波探傷装置で欠陥検査を実施する。本実施例２−１では、温度サイクル試験前及び試験後ともに接合層に大きな欠陥がなく、合格であることを確認した。

静電チャック板１０にウェハ基板を吸着固定し、−１５０［℃］に冷却した状態で、５．５［ｋＷ］の入熱があったときのウェハ温度を測定する。本実施例２−１では、ウェハ温度は、−１３５［℃］であり、合格であることを確認した。

Ｄ．引張荷重評価
専用治具を機械加工で形成する。静電チャック装置の製造方法と同様の条件、作業内容で、静電チャック板１０の代わりに専用治具を接合させる。そして、サンプルを所定温度（２３［℃］、−１５０［℃］）に冷却させる。冷却されたサンプルを万能試験機に取り付けた後に、上下に引っ張る。接合された専用治具が接合層２０で破断した時の荷重を計測する。

＜実施例２−２＞
次に、実施例２−２を説明する。実施例２−２の静電チャック装置において、基台３０、静電チャック板１０、及び、接合剤に含まれる各材料は、以下のとおりである。

Ａ．材料
・基台 ：ＳｉＣ−Ａｌ複合材料
・静電チャック板：Ａｌ_２Ｏ_３
・接合剤 ：フィラー無しシリコーン接着剤（０．１５［Ｗ／ｍＫ］）

Ｂ．製造方法
実施例２−１と同様である。

Ｃ．評価方法
本実施例２−２では、平面度は８０［μｍ］以下に入っており、合格であることを確認した。本実施例２−２では、温度サイクル試験前及び試験後ともに接合層２０に変化がなく、合格であることを確認した。静電チャック板１０にウェハ基板を吸着固定し、−１５０［℃］に冷却した状態で、５．５［ｋＷ］の入熱があったときのウェハ温度は、−９５［℃］であり、合格であることを確認した。

＜実施例２−３＞
次に、実施例２−３を説明する。実施例２−３の静電チャック装置において、基台３０、静電チャック板１０、及び、接合剤に含まれる各材料は、以下のとおりである。

Ａ．材料
・基台 ：ＳｉＣ−Ａｌ複合材料
・静電チャック板：Ａｌ_２Ｏ_３
・接合剤 ：酸化物フィラー入りシリコーン接着剤（０．５［Ｗ／ｍＫ］）

Ｂ．製造方法
実施例２−１と同様である。

Ｃ．評価方法
本実施例２−３では、平面度は８０［μｍ］以下に入っており、合格であることを確認した。本実施例２−３では、温度サイクル試験前及び試験後ともに接合層２０に変化がなく、合格であることを確認した。静電チャック板１０にウェハ基板を吸着固定し、−１５０［℃］に冷却した状態で、５．５［ｋＷ］の入熱があったときのウェハ温度は、−１１０［℃］であり、合格であることを確認した。

＜実施例２−４＞
次に、実施例２−４を説明する。実施例２−４の静電チャック装置において、基台３０、静電チャック板１０、及び、接合剤に含まれる各材料は、以下のとおりである。

Ａ．材料
・基台 ：Ａｌ材料
・静電チャック板：Ａｌ_２Ｏ_３
・接合剤 ：窒化物フィラー入りシリコーン接着剤（４．５［Ｗ／ｍＫ］）

Ｂ．製造方法
実施例２−１と同様である。

Ｃ．評価方法
本実施例２−４では、平面度は９０〜１１０［μｍ］以下に入っており、合格であることを確認した。本実施例２−４では、温度サイクル試験前及び試験後ともに接合層２０に変化がなく、合格であることを確認した。静電チャック板１０にウェハ基板を吸着固定し、−１５０［℃］に冷却した状態で、５．５［ｋＷ］の入熱があったときのウェハ温度は、−１３５［℃］であり、合格であることを確認した。

このような実施例を踏まえれば、例えば、接合剤は、加熱硬化型樹脂を含み、４．０［Ｗ／（ｍＫ）］以上の熱伝導率を有するのが好ましい。窒化物フィラー入りシリコーン接着剤の場合には、実施例２−１及び実施例２−４に示すように、熱伝導率が４．５［Ｗ／ｍＫ］で、高評価を示す。

また、接合剤は、−１５０［℃］において、１［ＧＰａ］以下のヤング率を有するものが好ましい。また、接合剤において、２３［℃］から−１５０［℃］まで冷却した場合のヤング率の変化率は、５００［％］未満であることが好ましい。また、接合剤において、２３［℃］から−１５０［℃］まで冷却した場合の引張荷重は、１２．６［ｃｍ^２］の面積当たり１５倍以下であるものが好ましい。

接合剤は、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、アクリル樹脂のうち、少なくともいずれかを含むことが好ましい。また、接合剤は、２６０［℃］以上の分解温度を有するものが好ましい。すなわち、接合剤は、２６０［℃］未満で分解せずに使用可能である。

接合剤は、熱伝導性フィラーを３５［％］〜４５［％］含むことが好ましい。熱伝導性フィラーは、粒径Ｄ９０で２５［μｍ］以下であり、粒径Ｄ５０で１０［μｍ］未満であることが好ましい。熱伝導性フィラーの９０［％］が粒径２５［μｍ］以下であり、熱伝導性フィラーの５０［％］が粒径１０［μｍ］未満であることが好ましい。また、接合剤の粘度は、１０［Ｐａ・ｓ］以下であることが好ましい。

接合剤の加熱硬化前の分解温度は、３００［℃］以上であることが好ましい。接合剤に含まれる熱伝導性フィラーは、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、窒化シリコン（Ｓｉ_３Ｎ_４）、窒化ホウ素、炭化シリコン（ＳｉＣ）のうち、少なくともいずれかを含むことが好ましい。

静電チャック板１０及び基台３０はともに、アルミニウム（Ａｌ）、酸化イットリウム、炭化シリコン（ＳｉＣ）、酸化アルミニウム（Ａｌ_２Ｏ_３）、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）のうち、少なくともいずれかを含むことが好ましい。静電チャック板１０及び基台３０の熱膨張差は、２３［℃］から−１００［℃］までの各温度において、１×１０^−６［／℃］以下であることが好ましい。

次に、本実施形態の効果を説明する。本実施形態の静電チャック装置は、−１００［℃］程度の極低温域でも使用可能とすることができる。具体的には、静電チャック装置において、極低温域でも接合層２０のヤング率は上昇しない。よって、静電チャック装置の熱応力を緩和し続けることができる。また、熱応力を緩和することができるので、使用中の過度な変形を抑制することができる。さらに、試料を載置するステージの変形を少なくすることができるので、試料の温度を均一に制御することができる。また、高熱伝導性であることから接合層２０の熱の伝達を向上させることができる。これ以外の構成及び効果は、実施形態１の記載に含まれている。

本発明は上記実施の形態に限られたものではなく、趣旨を逸脱しない範囲で適宜変更することが可能である。例えば、実施形態１、２及び変形例の各構成は、相互に組み合わせることができる。

１、１ａ 静電チャック装置
１０ 静電チャック板
１１ 吸着面
１２ 裏面
２０ 接合層
２１ 方向
３０、３０ａ、１３０ 基台
３１、３１ａ、１３１ 接合面
３２、３２ａ、３２ｐ、３２ｐａ、３２ｑ、３２ｑａ、１３２ 突起
３２ｈ 高さ
３２ｗ 幅
３３ 中央平坦部
３４ 突起配置部
３５ 外周部
３６ 穴

Claims (21)

1. 静電チャック板と、
   前記静電チャック板の裏面に接合した接合剤を含む接合層と、
   前記接合層に接合した接合面を含み、前記接合面の中央部から外周部に向けて放射状に延びた複数の突起が形成された基台と、
   を備えた静電チャック装置。
2. 各突起の中央部側の端部は、間隔を空けて配置されている、
   請求項１に記載の静電チャック装置。
3. 前記接合面は、前記中央部に前記端部に囲まれた平坦な中央平坦部を有する、
   請求項２に記載の静電チャック装置。
4. 少なくとも２つの前記突起の中央部側の端部は、繋がっている、
   請求項１に記載の静電チャック装置。
5. 前記複数の前記突起は、
   前記突起が延びた方向の長さが第１長さの複数の第１突起と、
   前記第１長さよりも小さい第２長さの複数の第２突起と、
   を有し、
   前記第２突起の中央部側の端部を、前記第１突起の前記中央部側の端部よりも外周部側に配置された、
   請求項１〜４のいずれか１項に記載の静電チャック装置。
6. 前記第２突起の前記中央部側の端部の近傍には、前記接合面に穴が形成された、
   請求項５に記載の静電チャック装置。
7. 前記突起は、前記接合剤に埋設された、
   請求項１〜６のいずれか１項に記載の静電チャック装置。
8. 前記突起は、前記裏面に直接接触し、
   前記突起が前記裏面に接触した面積は、前記裏面の面積の６０％以下である、
   請求項１〜５のいずれか１項に記載の静電チャック装置。
9. 前記基台は、冷媒が流れる流路を含む、
   請求項１〜８のいずれか１項に記載の静電チャック装置。
10. 前記基台のヤング率は、２００［ＧＰａ］以上であり、
    前記基台の熱膨張率と前記静電チャック板の熱膨張率との差は、１×１０^−６［／℃］以内であり、
    前記基台の熱伝導率は、５０［Ｗ／（ｍＫ）］以上である、
    請求項１〜９のいずれか１項に記載の静電チャック装置。
11. 前記基台は、アルミニウム、金属基複合材料、炭化シリコン及びシリコン、酸化アルミニウム、窒化アルミニウムのうち、少なくともいずれかを含む、
    請求項１〜１０のいずれか１項に記載の静電チャック装置。
12. 前記静電チャック板は、
    内部電極を含み、
    酸化イットリウム、炭化シリコン、酸化アルミニウム、窒化アルミニウムのうち、少なくともいずれかを含む、
    請求項１〜１１のいずれか１項に記載の静電チャック装置。
13. 前記接合剤は、インジウム、アルミニウム、銀及びスズのうちの少なくともいずれかを含むものか、インジウム、アルミニウム、銀及びスズのうちの少なくともいずれかを含む合金か、または、シリコーン樹脂、アクリル樹脂及びエポキシ樹脂のうちの少なくともいずれかを含むものである、
    請求項１〜１２のいずれか１項に記載の静電チャック装置。
14. 前記接合剤は、加熱硬化型樹脂を含み、
    前記接合剤は、４．０［Ｗ／（ｍＫ）］以上の熱伝導率を有し、−１５０［℃］において、１［ＧＰａ］以下のヤング率を有する、
    請求項１〜１２のいずれか１項に記載の静電チャック装置。
15. 前記接合剤において、２３［℃］から−１５０［℃］まで冷却した場合のヤング率の変化率は、５００［％］未満であり、２３［℃］から−１５０［℃］まで冷却した場合の引張荷重は、１２．６［ｃｍ^２］の面積当たり１５倍以下である、
    請求項１４に記載の静電チャック装置。
16. 前記接合剤は、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、アクリル樹脂のうち、少なくともいずれかを含み、２６０［℃］以上の分解温度を有する、
    請求項１４または１５に記載の静電チャック装置。
17. 前記接合剤は、熱伝導性フィラーを３５［％］〜４５［％］含み、
    前記熱伝導性フィラーは、粒径Ｄ９０で２５［μｍ］以下であり、粒径Ｄ５０で１０［μｍ］未満であり、
    前記接合剤の粘度は、１０［Ｐａ・ｓ］以下である、
    請求項１４〜１６のいずれか１項に記載の静電チャック装置。
18. 前記接合剤の加熱硬化前の分解温度は、３００［℃］以上であり、
    前記接合剤は、熱伝導性フィラーを含み、
    前記熱伝導性フィラーは、粒径Ｄ９０で２５［μｍ］以下であり、粒径Ｄ５０で１０［μｍ］未満である、
    請求項１４〜１７のいずれか１項に記載の静電チャック装置。
19. 前記熱伝導性フィラーは、窒化アルミニウム、窒化シリコン、窒化ホウ素、炭化シリコンのうち、少なくともいずれかを含む、
    請求項１７または１８に記載の静電チャック装置。
20. 前記静電チャック板及び前記基台はともに、アルミニウム、酸化イットリウム、炭化シリコン、酸化アルミニウム、窒化アルミニウムのうち、少なくともいずれかを含む、
    請求項１４〜１９のいずれか１項に記載の静電チャック装置。
21. 前記静電チャック板及び前記基台の熱膨張差は、２３［℃］から−１００［℃］までの各温度において、１×１０^−６［／℃］以内である、
    請求項１４〜２０のいずれか１項に記載の静電チャック装置。

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