JP6520845B2 - 電子部品装置、回路基板への電子部品装置の実装方法、および、回路基板への電子部品装置の実装構造 - Google Patents

電子部品装置、回路基板への電子部品装置の実装方法、および、回路基板への電子部品装置の実装構造 Download PDF

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Description

本発明は電子部品装置に関し、さらに詳しくは、回路基板などに接続不良なく確実に実装することができる電子部品装置に関する。
また、本発明は回路基板への電子部品装置の実装方法に関し、さらに詳しくは、回路基板へ電子部品装置を接続不良なく確実に実装することができる回路基板への電子部品装置の実装方法に関する。
さらに、本発明は回路基板への電子部品装置の実装構造に関し、さらに詳しくは、回路基板へ電子部品装置が接続不良なく確実に実装される回路基板への電子部品装置の実装構造に関する。
実装基板上に基板部品を実装し、さらに、その上に封止樹脂層を形成した電子部品装置が、広く使用されている。
そのような電子部品装置が、特許文献１（特開２００７-２３５３０３号公報）が開示されている。図９に、特許文献１に開示された電子部品装置（電子部品）１０００を示す。電子部品装置１０００は、弾性表面波装置（弾性表面波デバイス）である。
電子部品装置１０００は、実装基板（配線基板）１０１を備える。実装基板１０１は、たとえばアルミナからなる。実装基板１０１の下側の主面に、外部電極（端子電極）１０２が形成されている。また、実装基板１０１の両主面間を貫通して、導電ビア（ビアホール）１０３が形成されている。さらに、実装基板１の上側の主面に、実装用電極（パターン電極）１０４が形成されている。そして、導電ビア１０３によって、外部電極１０２と実装用電極１０４とが接続されている。
電子部品装置１０００は、基板部品（機能素子）１０５を備える。基板部品１０５は、タンタル酸リチウムなどからなる圧電基板をベースに作製されている。圧電基板の下側の主面に、櫛型電極からなる機能部１０６が形成されている。また、圧電基板の下側の主面には、端子電極（図示せず）も形成されている。
電子部品装置１０００は、基板部品１０５の端子電極と実装基板１０１の実装用電極１０４とを接合部材（導電性バンプ）１０７によって接合することにより、基板部品１０５が実装基板１０１にフェイスダウン方式で実装されている。
電子部品装置１０００は、さらに、基板部品１０５が実装された実装基板１０１上に、封止樹脂層１０８が形成されている。なお、封止樹脂層１０８は、実装基板１０１と基板部品１０５との間には形成されておらず、空間が形成されている。圧電基板に形成された機能部１０６は、形成された空間内に配置されている。
電子部品装置１０００は、たとえば、図１０（Ａ）〜（Ｄ）に示す方法で、回路基板などに実装して使用される。なお、図１０（Ａ）〜（Ｄ）は、説明のために本件出願人が作成したものであり、特許文献１に記載されたものではない。
まず、図１０（Ａ）に示すように、回路基板５０１を用意する。回路基板５０１の上側の主面には、複数の実装用電極５０２が形成されている。
次に、図１０（Ｂ）に示すように、実装用電極５０２上に、たとえば、接合部材としてクリームはんだ５０３を塗布する。
次に、図１０（Ｃ）に示すように、マウント用ノズルＭＮを使用して、クリームはんだ５０３が塗布された実装用電極５０２に外部電極１０２を当接させて、回路基板５０１に電子部品装置１０００を配置する。
最後に、加熱してクリームはんだ５０３を溶融させ、さらに冷却してクリームはんだを固化させ、図１０（Ｄ）に示すように、クリームはんだ５０３によって実装用電極５０２と外部電極１０２とを接合し、回路基板５０１への電子部品装置１０００の実装を完了する。
電子部品装置１０００のように、実装基板１０１上に基板部品１０５を実装し、さらに、その上に封止樹脂層１０８を形成した電子部品装置は、基板部品１０５に構成される電子回路を複雑、高度化したり、基板部品１０５の個数を増やしたりすることにより、全体として、非常に複雑で高度な電子回路を構成することができる。なお、構成される電子回路が複雑、高度になるのに伴って、電子部品装置１０００（実装基板１０１）の下側の主面に形成される外部電極１０２の個数が増加する傾向にある。
なお、外部電極１０２は、その機能から、信号ラインに接続される信号用外部電極と、接地のために使用されるグランド用外部電極とに分類することができる。
特開２００７-２３５３０３号公報
電子部品装置１０００には、下側の主面に形成される外部電極１０２の面積（形成密度）や、種類が不均衡であることにより、回路基板などに実装した際に、接続不良が発生する場合があった。
以下、図面を使って、外部電極１０２の面積（形成密度）や、種類が不均衡であることに起因して、回路基板などに実装した場合に、接続不良が発生する原理について説明する。なお、説明に使用する図１１（Ａ）、（Ｂ）、図１２（Ａ）、（Ｂ）は、本件出願人が説明のために作成したものであり、特許文献１に記載されたものではない。また、ここでは、説明の都合上、電子部品装置１０００ではなく、簡略化した電子部品装置１１００、１２００を示して説明する。
図１１（Ａ）に、電子部品装置１１００を示す。ただし、図１１（Ａ）は、電子部品装置１１００の平面図であり、透視して下側の主面に形成された外部電極１０２を併せて示している。
説明の便宜のために、図１１（Ａ）に示すように、平面方向に見た電子部品装置１１００を、図において、左上、左下、右上、右下の４つの領域に区分した。各領域を、四角での枠で囲って示す。また、左上の領域と左下の領域を合わせて左の領域とした。同様に、右上の領域と右下の領域を合わせて右の領域とした。左上の領域と右上の領域を合わせて上の領域とした。左下の領域と右下の領域を合わせて下の領域とした。以下、本出願書類において、同様の領域区分を用いる場合がある。
電子部品装置１１００は、上の領域に３個の外部電極１０２が形成され、下の領域に合計３個の外部電極１０２が形成され、両者は均衡している。
これに対し、電子部品装置１１００は、左の領域には４個の外部電極１０２が形成され、右の領域には２個の外部電極１０２が形成され、両者は不均衡になっている。
このような外部電極１０２の配置において、電子部品装置１１００を回路基板５０１に実装すると、図１１（Ｂ）に示すように、接続不良が発生する場合があった。すなわち、加熱してクリームはんだを溶融させると、個数の多い左の領域の外部電極１０２が、溶融したクリームはんだ５０３の粘着力によって実装用電極５０２側に引っ張られ、右の領域が浮き上がってしまう場合があった。そして、右の領域に形成された外部電極１０２と、実装用電極５０２とが、クリームはんだ５０３によって接合されず、接合不良になってしまう場合があった。すなわち、領域ごとの外部電極１０２の面積（形成密度）の不均衡によって、接合不良が発生してしまう場合があった。
次に、外部電極１０２の種類の配置上の不均衡に起因する接続不良について説明する。
図１２（Ａ）に、電子部品装置１２００を示す。ただし、図１２（Ａ）は、電子部品装置１１００の平面図であり、透視して下側の主面に形成された外部電極１０２を併せて示している。
電子部品装置１２００には、８個の外部電極が形成されているが、その機能から、４個の信号用外部電極１０２Ｓと、４個のグランド用外部電極１０２Ｇとに分類することができる。上述したとおり、信号用外部電極１０２Ｓは信号ラインに接続される外部電極であり、グランド用外部電極１０２Ｇは接地のために使用される外部電極である。
電子部品装置１２００は、図１２（Ａ）に示すように、信号用外部電極１０２Ｓとグランド用外部電極１０２Ｇとが、偏在して形成されている。すなわち、左上の領域と左下の領域に、それぞれ信号用外部電極１０２Ｓが２個形成され、右上の領域と右下の領域とにそれぞれグランド用外部電極１０２Ｇが２個形成されている。
電子部品装置１２００は、外部電極の面積（形成密度）については均衡が取れている。すなわち、右上、右下、左上、左下の各領域に、それぞれ、２個の信号用外部電極１０２Ｓまたはグランド用外部電極１０２Ｇが形成されている。なお、信号用外部電極１０２Ｓとグランド用外部電極１０２Ｇとは同じ面積である。したがって、外部電極の面積（形成密度）は、上の領域と下の領域とで均衡が取れ、かつ、左の領域と右の領域とで均衡が取れている。
しかしながら、電子部品装置１２００において、信号用外部電極１０２Ｓとグランド用外部電極１０２Ｇの配置をみると、左の領域と右の領域とで不均衡になっている。すなわち、左の領域に４個の信号用外部電極１０２Ｓが形成されているのに対し、右の領域には４個のグランド用外部電極１０２Ｇが形成されている。
電子部品装置１２００が実装される回路基板５０１に形成される実装用電極も、信号用外部電極１０２Ｓが接続される信号用実装用電極５０２Ｓと、グランド用外部電極１０２Ｇが接続されるグランド用実装用電極５０２Ｇとに分類することができる。
信号用実装用電極５０２Ｓとグランド用実装用電極５０２Ｇとを比較した場合、一般に、信号用実装用電極５０２Ｓは放熱性が低く、グランド用実装用電極５０２Ｇは放熱性が高い。すなわち、信号用実装用電極５０２Ｓは、回路基板５０１内において、通常、所定の１個所にのみ接続されている。これに対し、グランド用実装用電極５０２Ｇは、回路基板５０１において、通常、他の多数のグランド用実装用電極や、グランド電極など、複数の個所と接続されている。そして、グランド電極には、非常に大きな面積を有するものが含まれている場合がある。この接続個所の多い少ないによって、一般に、信号用実装用電極５０２Ｓは放熱性が低くなっており、グランド用実装用電極５０２Ｇは放熱性が高くなっている。
この放熱性の差により、いわゆるリフロー加熱により、クリームはんだ５０３を溶融させた場合、信号用実装用電極５０２Ｓ上に塗布されたクリームはんだ５０３は早く溶け、かつ、高温になる。これに対し、グランド用実装用電極５０２Ｇ上に塗布されたクリームはんだ５０３は溶けるのに時間を要し、かつ、高温になり難い。
この結果、電子部品装置１２００を回路基板５０１に実装すると、図１２（Ｂ）に示すように、接続不良が発生する場合があった。すなわち、左の領域に形成された信号用実装用電極５０２Ｓ上に形成されたクリームはんだ５０３が、早く溶融し、かつ、高温になり、左の領域に形成された信号用外部電極１０２Ｓを引っ張り、右側の領域が浮き上がってしまう場合があった。そして、右の領域に形成されたグランド用外部電極１０２Ｇと、右の領域に形成されたグランド用実装用電極５０２Ｇとが、クリームはんだ５０３によって接合されず、接合不良になってしまう場合があった。すなわち、外部電極の種類の配置上の不均衡によって、接合不良が発生してしまう場合があった。
本発明は、上述した従来の問題を解決するためになされたものであり、その手段として本発明の一局面にかかる電子部品装置は、一方の主面に外部電極が形成され、他方の主面に実装用電極が形成された実装基板と、一方の主面に端子電極が形成され、端子電極を実装用電極に接合することにより、実装基板上に実装された、少なくとも１個の基板部品と、基板部品が実装された実装基板上に形成された封止樹脂層と、を備え、封止樹脂層に、厚みの大きな領域が設けられ、封止樹脂層の天面に傾斜が形成され、平面方向に透視した場合に、実装基板に、外部電極の形成密度が低い領域が設けられ、封止樹脂層の厚みの大きな領域と、実装基板の外部電極の形成密度の低い領域とが重なっているものとした。
なお、本出願書類において、封止樹脂層の厚みは、封止樹脂層に内蔵された基板部品の厚みも含めた厚みを指している。また、本出願書類において、傾斜とは、垂直以外の形状で高さが変化している部分を指している。
たとえば、平面方向に透視した場合に、実装基板に、外部電極の形成密度が低い領域が設けられ、封止樹脂層の厚みの大きな領域と、実装基板の外部電極の形成密度の低い領域とが重なったものとすることができる。上述したように、外部電極の形成密度が低い領域は、リフロー後に浮かび上がりやすいが、その領域の封止樹脂層の厚みを大きくしておくことにより、リフロー前のマウント用ノズルなどを使った仮配置の際に、浮かび上がりやすい領域を実装相手先である回路基板などの方向に深く押し込んでおくことができ、リフロー後の浮かび上がりを抑制することができる。そして、浮かび上がりによる実装不良を防止することができる。
また、本発明の別の一局面にかかる電子部品装置は、一方の主面に外部電極が形成され、他方の主面に実装用電極が形成された実装基板と、一方の主面に端子電極が形成され、端子電極を実装用電極に接合することにより、実装基板上に実装された、少なくとも１個の基板部品と、基板部品が実装された実装基板上に形成された封止樹脂層と、を備え、封止樹脂層に、厚みの大きな領域が設けられ、封止樹脂層の天面に傾斜が形成され、外部電極が、信号用外部電極と、グランド用外部電極とに分類され、平面方向に透視した場合に、実装基板に、グランド用外部電極の形成密度が高い領域が設けられ、封止樹脂層の厚みの大きな領域と、実装基板のグランド用外部電極の形成密度が高い領域とが重なったものとすることができる。上述したように、グランド用外部電極の形成密度が高い領域は、リフロー後に浮かび上がりやすいが、その領域の封止樹脂層の厚みを大きくしておくことにより、リフロー前のマウント用ノズルなどを使った仮配置の際に、浮かび上がりやすい領域を実装相手先である回路基板などの方向に深く押し込んでおくことができ、リフロー後の浮かび上がりを抑制することができる。そして、浮かび上がりによる実装不良を防止することができる。
封止樹脂層の厚みの大きな領域は、たとえば、当該領域に、基板部品を実装することによって設けることができる。
あるいは、封止樹脂層の厚みの大きな領域は、当該領域に、他の基板部品に比べて、厚みの大きな基板部品を実装することによって設けることができる。
あるいは、封止樹脂層の形成が金型を使用したモールドによっておこなわれる場合は、封止樹脂層の厚みの大きな領域を、金型の間隔を当該領域において大きくすることによって設けることができる。
あるいは、封止樹脂層の天面に設けられた傾斜は、封止樹脂層の天面を切削することによって設けることができる。
また、上述した課題を解決するために、本発明の回路基板への電子部品装置の実装方法は、主面に実装用電極が形成された回路基板を準備する工程と、一方の主面に外部電極が形成された実装基板と、実装基板の他方の主面上に実装された少なくとも１個の基板部品と、基板部品が実装された実装基板上に形成された封止樹脂層と、を備え、封止樹脂層に厚みの大きな領域が設けられた電子部品装置を準備する工程と、回路基板の実装用電極上に、軟性を有する接合部材を設ける工程と、接合部材上に外部電極を当接させて、電子部品装置を回路基板上に配置し、続いて、電子部品装置を回路基板方向に押圧することにより、外部電極を接合部材に押込み、封止樹脂層の厚みの大きな領域において、電子部品装置と回路基板との間隔が最も小さくなるようにして、電子部品装置を回路基板上に仮配置する工程と、加熱して接合部材を溶融させ、さらに冷却して接合部材を固化させ、接合部材により、実装用電極と外部電極とを接合する工程と、を備えたものとした。
さらに、上述した課題を解決するために、本発明の回路基板への電子部品装置の実装構造は、回路基板は、一方の主面に実装用電極が形成され、電子部品装置は、上述した本発明の一局面にかかる電子部品装置、または、上述した本発明の別の一局面にかかる電子部品装置であり、接合部材により、回路基板に形成された実装用電極と、電子部品装置の実装基板に形成された外部電極とが接合され、実装後の電子部品装置は、封止樹脂層の厚みの大きな領域において、高さが最も大きくなるようにした。
本発明の電子部品装置は、実装後に浮かび上がりやすい領域の封止樹脂層の厚みを予め大きくしておくことにより、回路基板などに接続不良なく確実に実装することができる。
また、本発明の回路基板への電子部品装置の実装方法も、実装後に浮かび上がりやすい領域の封止樹脂層の厚みを予め大きくしておくことにより、回路基板へ電子部品装置を接続不良なく確実に実装することができる。
さらに、本発明の回路基板への電子部品装置の実装構造も、実装後に浮かび上がりやすい領域の封止樹脂層の厚みを予め大きくしておくことにより、回路基板へ電子部品装置を接続不良なく確実に実装することができる。
図１（Ａ）は、第１実施形態にかかる電子部品装置１００を示す断面図である。図１（Ａ）、（Ｂ）は、それぞれ電子部品装置１００の平面図である。 図２（Ａ）〜（Ｄ）は、それぞれ、電子部品装置１００の実装方法の一例において実施される工程を示す断面図である。 図３（Ａ）は、第２実施形態にかかる電子部品装置２００を示す断面図である。図３（Ａ）、（Ｂ）は、それぞれ電子部品装置２００の平面図である。 第３実施形態にかかる電子部品装置３００を示す断面図である。 図５（Ａ）〜（Ｃ）は、それぞれ、第４実施形態にかかる電子部品装置４００の製造方法の一例において実施される工程を示す断面図である。なお、図５（Ｃ）は、完成した電子部品装置４００の断面図でもある。 図６（Ａ）〜（Ｃ）は、それぞれ、第５実施形態にかかる電子部品装置５００の製造方法の一例において実施される工程を示す断面図である。なお、図６（Ｃ）は、完成した電子部品装置５００の断面図でもある。 図７（Ａ）は、第６実施形態にかかる電子部品装置６００を示す断面図である。図７（Ｂ）は、電子部品装置６００の平面図である。 図８（Ａ）は、第７実施形態にかかる電子部品装置７００を示す断面図である。図８（Ｂ）は、電子部品装置７００の平面図である。 特許文献１に開示された電子部品装置１０００を示す断面図である。 図１０（Ａ）〜（Ｄ）は、それぞれ、電子部品装置１０００の実装方法の一例において実施される工程を示す断面図である。 図１１（Ａ）は、従来の電子部品装置１１００を示す平面図である。図１１（Ｂ）は、電子部品装置１１００に実装不良（接合不良）が発生した状態を示す正面図である。 図１２（Ａ）は、従来の電子部品装置１２００を示す平面図である。図１２（Ｂ）は、電子部品装置１２００に実装不良（接合不良）が発生した状態を示す正面図である。
以下、図面とともに、本発明を実施するための形態について説明する。
なお、各実施形態は、本発明の実施の形態を例示的に示したものであり、本発明が実施形態の内容に限定されることはない。また、異なる実施形態に記載された内容を組合せて実施することも可能であり、その場合の実施内容も本発明に含まれる。また、図面は、実施形態の理解を助けるためのものであり、必ずしも厳密に描画されていない場合がある。たとえば、描画された構成要素ないし構成要素間の寸法の比率が、明細書に記載されたそれらの寸法の比率と一致していない場合がある。また、明細書に記載されている構成要素が、図面において省略されている場合や、個数を省略して描画されている場合などがある。
［第１実施形態］
図１（Ａ）〜（Ｃ）に、第１実施形態にかかる電子部品装置１００を示す。ただし、図１（Ａ）は、電子部品装置１００の断面図である。図１（Ｂ）は、電子部品装置１００の平面図であり、透視して内蔵された基板部品６を併せて示している。図１（Ｃ）も、電子部品装置１００の平面図であり、透視して下側の主面に形成された外部電極２を併せて示している。なお、図１（Ａ）の断面図は、図１（Ｂ）および（Ｃ）の一点鎖線Ｘ-Ｘ部分を示している。
電子部品装置１００は、弾性表面波装置である。
電子部品装置１００は、実装基板１を備える。実装基板１は、たとえば、アルミナなどのセラミックにより作製されている。ただし、実装基板１の材質は任意であり、セラミックに代えて、ガラスセラミックや樹脂などにより作製されていても良い。
実装基板１の下側の主面に、外部電極２が形成されている。また、実装基板１の内部に、ビア導体３、層間導体４が形成されている。さらに、実装基板１の上側の主面に、実装用電極５が形成されている。そして、外部電極２と実装用電極５とが、ビア導体３、層間導体４を経由して接続されている。
本実施形態においては、図１（Ｃ）に示すように、左の領域と右の領域とで、外部電極２の個数が異なっている。すなわち、左の領域には４個の外部電極２が形成され、右の領域には２個の外部電極２が形成され、両者の外部電極の形成密度は不均衡になっている。なお、上の領域には３個の外部電極２が形成され、下の領域にも３個の外部電極２が形成され、両者の外部電極の形成密度は均衡している。
電子部品装置１００は、２個の基板部品６を備える。本実施形態においては、基板部品６は、ＬｉＮｂＯ３基板、ＬｉＴａＯ３基板、水晶基板などからなる圧電基板をベースにして形成されている。
基板部品６の下側の主面に、櫛歯電極などからなる機能部７が形成されている。また、基板部品６の下側の主面には、端子電極８が形成されている。
端子電極８を実装用電極５へ接合部材９（たとえばＡｕなどかならる導電性バンプ）で接合することにより、基板部品６が実装基板１にフリップチップ実装されている。
本実施形態においては、２個の基板部品６は、右の領域に偏在させて実装されている。すなわち、２個の基板部品６は、外部電極２の形成密度が低い領域に偏在させて実装されている。
基板部品６が実装された実装基板１上に、封止樹脂層１０が形成されている。封止樹脂層１０の材質は任意であるが、たとえばエポキシ樹脂を用いることができる。
図１（Ａ）に示すように、封止樹脂層１０は、基板部品６を偏在させて実装した右の領域が、基板部品６が実装されていない左の領域に比べて、厚みの大きな領域ＴＡになっている。そして、封止樹脂層１０に厚みの大きな領域ＴＡを設けたことにより、封止樹脂層１０の天面に傾斜Ｓが形成されている。
なお、封止樹脂層１０は、実装基板１と基板部品６との隙間には設けられていない。すなわち、実装基板１と基板部品６との隙間は小さいので、この部分に封止樹脂層１０は入り込まず、空間が形成されている。基板部品６に形成された機能部７は、この空間内に配置されている。なお、この部分に確実に空間を形成するために、実装基板１および基板部品６の少なくとも一方に、樹脂流入を防止するための環状の突起（ダム）を形成しても良い。
以上の構造からなる第１実施形態にかかる電子部品装置１００は、外部電極２の形成密度が低い右側の領域に、基板部品６を偏在させて実装しているため、右側の領域に封止樹脂層１０の厚みの大きな領域ＴＡが形成されている。
第１実施形態にかかる電子部品装置１００は、たとえば、次の方法で製造することができる。なお、通常は、多数の電子部品装置１００が、マザー基板を使って一括して製造されるが、ここでは便宜上、１個の電子部品装置１００を製造する場合について説明する。
まず、櫛歯電極などからなる機能部７と、端子電極８とが形成された基板部品６を準備する。併せて、外部電極２と、ビア導体３と、層間導体４と、実装用電極５とが形成された実装基板１を準備する。これらの基板部品６や実装基板１は、広く汎用されているものを使用することができる。
次に、基板部品６の端子電極８に、たとえばスタッドバンプ法により、接合部材９として導電性バンプを形成する。
次に、接合部材９により、端子電極８と実装用電極５とを接合して、基板部品６を実装基板１にフリップチップ実装する。より具体的には、基板部品６を実装基板１上に配置したうえ、加熱し、基板部品６を実装基板１の方向に加圧し、かつ超音波を印加して、接合部材９により、端子電極８と実装用電極５とを接合する。
次に、基板部品６が実装された実装基板１上に、半溶融状態の樹脂シートを被せる。続いて、真空引きをおこない、周囲の環境を真空状態にする。さらに、加熱して、半溶融状態であった樹脂シートを硬化させて、基板部品６が実装された実装基板１上に、封止樹脂層１０を形成する。
以上により、電子部品装置１００が完成する。
第１実施形態にかかる電子部品装置１００は、たとえば、図２（Ａ）〜（Ｄ）に示す方法で、回路基板５０１などに実装される。
まず、図２（Ａ）に示すように、実装用電極５０２が形成された回路基板５０１を用意し、実装用電極５０２上に、たとえば、接合部材としてクリームはんだ５０３を塗布する。
次に、図２（Ｂ）に示すように、マウント用ノズルＭＮで電子部品装置１００を吸着し、電子部品装置１００を回路基板５０１上の所定の実装位置に移動させる。このとき、電子部品装置１００は、右側の領域に封止樹脂層１０の厚みの大きな領域ＴＡが形成されているため、右側の領域が下方向に傾いた状態でマウント用ノズルＭＮに吸着される。
続いて、マウント用ノズルＭＮにより、電子部品装置１００を回路基板５０１方向に押圧すると、図２（Ｃ）に示すように、電子部品装置１００は、右側の領域が下方向に傾いた状態で、回路基板５０１上の実装位置に仮配置される。すなわち、電子部品装置１００の右側の領域に形成された外部電極２が、回路基板５０１の実装用電極５０２上に塗布されたクリームはんだ（接合部材）５０３に深く押し込まれた状態で、電子部品装置１００が仮配置される。言い換えれば、封止樹脂層１０の厚みの大きな領域ＴＡにおいて、電子部品装置１００と回路基板５０１との間隔が最も小さくなるようにして、電子部品装置１００が仮配置される。
次に、加熱してクリームはんだ５０３を溶融させ、さらに冷却してクリームはんだ５０３を固化させる。クリームはんだ５０３を溶融させたとき、外部電極２の形成密度が高い左の領域が、外部電極２の形成密度が低い右の領域よりも、より回路基板５０１方向に引っ張られるが、予め右の領域を回路基板５０１方向に押し込んで仮配置しているため、クリームはんだ５０３を固化させたときには、図２（Ｄ）に示すように、電子部品装置１００の下側の主面と回路基板５０１とがほぼ平行になった状態で、電子部品装置１００が回路基板５０１に実装される。なお、この結果、封止樹脂層１０の厚みの大きな領域ＴＡ部分の高さが、最も大きくなる。
電子部品装置１００の下側の主面と回路基板５０１とがほぼ平行になった状態で、電子部品装置１００が回路基板５０１に実装されるため、左側の領域に形成された外部電極２も、左側の領域に形成された外部電極２も、良好な状態で実装用電極５０２に接合される。
以上のように、第１実施形態にかかる電子部品装置１００は、外部電極２の形成密度が低く、実装時に浮き上がりやすい領域に、封止樹脂層１０の厚みの大きな領域ＴＡを形成しているため、回路基板などに接続不良なく確実に実装することができる。
［第２実施形態］
図３（Ａ）〜（Ｃ）に、第２実施形態にかかる電子部品装置２００を示す。ただし、図３（Ａ）は、電子部品装置２００の断面図である。図３（Ｂ）は、電子部品装置２００の平面図であり、透視して内蔵された基板部品６を併せて示している。図３（Ｃ）も、電子部品装置１００の平面図であり、透視して下側の主面に形成された信号用外部電極２Ｓ、グランド用外部電極２Ｇを併せて示している。なお、図３（Ａ）の断面図は、図３（Ｂ）および（Ｃ）の一点鎖線Ｘ-Ｘ部分を示している。
電子部品装置２００は、弾性表面波装置である。
電子部品装置２００は、実装基板１を備える。
実装基板１の下側の主面に、信号用外部電極２Ｓ、グランド用外部電極２Ｇが形成されている。また、実装基板１の内部に、ビア導体３、層間導体４が形成されている。さらに、実装基板１の上側の主面に、実装用電極５が形成されている。
本実施形態においては、図１（Ｃ）に示すように、左の領域に４個の信号用外部電極２Ｓが形成され、右の領域に４個のグランド用外部電極２Ｇが形成有れている。すなわち、電子部品装置２００は、外部電極の種類ごとの形成密度が、左の領域と右の領域で不均衡になっている。
一方、電子部品装置２００は、種類を問わない外部電極の形成密度については均衡が取れている。すなわち、右上、右下、左上、左下の各領域に、それぞれ、２個の信号用外部電極１０２Ｓまたはグランド用外部電極１０２Ｇが形成されおり、外部電極の形成密度は、上の領域と下の領域とで均衡が取れ、かつ、左の領域と右の領域とで均衡が取れている。
電子部品装置２００は、２個の基板部品６を備える。本実施形態においては、基板部品６は、ＬｉＮｂＯ３基板、ＬｉＴａＯ３基板、水晶基板などからなる圧電基板をベースにして形成されている。
基板部品６の下側の主面に、櫛歯電極などからなる機能部７が形成されている。また、基板部品６の下側の主面には、端子電極８が形成されている。
端子電極８を実装用電極５へ接合部材９（たとえばＡｕなどかならる導電性バンプ）で接合することにより、基板部品６が実装基板１にフリップチップ実装されている。
本実施形態においては、２個の基板部品６は、右の領域に偏在させて実装されている。すなわち、２個の基板部品６は、グランド用外部電極２Ｇの形成密度が高い領域に偏在させて実装されている。
基板部品６が実装された実装基板１上に、封止樹脂層１０が形成されている。封止樹脂層１０の材質は任意であるが、たとえばエポキシ樹脂を用いることができる。
図３（Ａ）に示すように、封止樹脂層１０は、基板部品６を偏在させて実装した右の領域が、基板部品６が実装されていない左の領域に比べて、厚みの大きな領域ＴＡになっている。そして、封止樹脂層１０に厚みの大きな領域ＴＡを設けたことにより、封止樹脂層１０の天面に傾斜Ｓが形成されている。
なお、封止樹脂層１０は、実装基板１と基板部品６との隙間には設けられていない。すなわち、実装基板１と基板部品６との隙間は小さいので、この部分に封止樹脂層１０は入り込まず、空間が形成されている。基板部品６に形成された機能部７は、この空間内に配置されている。なお、この部分に確実に空間を形成するために、実装基板１および基板部品６の少なくとも一方に、樹脂流入を防止するための環状の突起（ダム）を形成しても良い。
以上の構造からなる第２実施形態にかかる電子部品装置２００は、グランド用外部電極２Ｇの形成密度が高く、実装時に浮き上がりやすい領域に、封止樹脂層１０の厚みの大きな領域ＴＡを形成しているため、回路基板などに接続不良なく確実に実装することができる。
［第３実施形態］
図４に、第３実施形態にかかる電子部品装置３００を示す。ただし、図４は、電子部品装置３００の断面図である。
電子部品装置３００は、第１実施形態にかかる電子部品装置１００、または、第２実施形態にかかる電子部品装置２００に変更を加えた。
すなわち、電子部品装置１００、２００は、それぞれ、封止樹脂層１０内に、２個の同じ高さの基板部品６が内蔵されていた。電子部品装置３００では、これに代えて、封止樹脂層１０内に、高さの大きい２個の基板部品６Ｈと、高さの小さい２個の基板部品６Ｌとを内蔵させた。ただし、図４は、高さの大きい基板部品６Ｈと、高さの小さい基板部品６Ｌとが、それぞれ１ずつ現れた断面である。電子部品装置３００の他の構成は、電子部品装置１００または２００と同じにした。
電子部品装置３００においては、高さの大きい基板部品６Ｈが実装された領域が、封止樹脂層１０の厚みの大きな領域ＴＡになる。電子部品装置３００も、実装時に浮き上がりやすい領域に、封止樹脂層１０の厚みの大きな領域ＴＡを形成しているため、回路基板などに接続不良なく確実に実装することができる。
［第４実施形態］
図５（Ｃ）に、第４実施形態にかかる電子部品装置４００を示す。ただし、図５（Ｃ）は、電子部品装置４００の断面図である。
電子部品装置４００は、第１実施形態にかかる電子部品装置１００、または、第２実施形態にかかる電子部品装置２００に変更を加えた。
電子部品装置４００は、図５（Ｃ）に示すように、封止樹脂層２０の天面が、平面状の傾斜Ｓになっている。そして、図面において右方向の、傾斜Ｓの高い領域が、封止樹脂層２０の厚みの大きな領域ＴＡになっている。電子部品装置４００の他の構成は、電子部品装置１００または２００と同じにした。
電子部品装置４００は、次の方法によって、封止樹脂層２０の天面の傾斜Ｓ、および、封止樹脂層２０の厚みの大きな領域ＴＡを形成した。
まず、実装基板１に基板部品６を実装する。
次に、図５（Ａ）に示すように、基板部品６が実装された実装基板１を、下金型Ｄ１と、上金型Ｄ２との間に収容する。下金型Ｄ１と上金型Ｄ２は、封止樹脂層２０の厚みの大きな領域ＴＡを形成する部分の間隔が、大きく形成されている。また、上金型Ｄ２の内天面が、平面状の傾斜に形成されている。
次に、図５（Ｂ）に示すように、下金型Ｄ１と上金型Ｄ２との間に樹脂をインサートモールドして、封止樹脂層２０を形成する。
下金型Ｄ１と上金型Ｄ２との間から取出すことにより、図５（Ｃ）に示す、完成した電子部品装置４００を得ることができる。
第４実施形態にかかる電子部品装置４００も、実装時に浮き上がりやすい領域に、封止樹脂層２０の厚みの大きな領域ＴＡを形成しているため、回路基板などに接続不良なく確実に実装することができる。
［第５実施形態］
図６（Ｃ）に、第５実施形態にかかる電子部品装置５００を示す。ただし、図６（Ｃ）は、電子部品装置５００の断面図である。
電子部品装置５００は、第１実施形態にかかる電子部品装置１００、または、第２実施形態にかかる電子部品装置２００に変更を加えた。
電子部品装置５００は、図６（Ｃ）に示すように、封止樹脂層３０の天面が、平面状の傾斜Ｓになっている。そして、図面において右方向の、傾斜Ｓの高い領域が、封止樹脂層３０の厚みの大きな領域ＴＡになっている。電子部品装置５００の他の構成は、電子部品装置１００または２００と同じにした。
電子部品装置５００は、次の方法によって、封止樹脂層３０の天面の傾斜Ｓ、および、封止樹脂層３０の厚みの大きな領域ＴＡを形成した。
まず、実装基板１に基板部品６を実装する。
次に、図６（Ａ）に示すように、基板部品６が実装された実装基板１上に、厚みの均一な封止樹脂層３５を形成する。厚みの均一な封止樹脂層３５は、たとえば、次の方法で形成することができる。まず、基板部品６が実装された実装基板１上に、半溶融状態の樹脂シートを被せる。続いて、上下両側から、平板な１対の板部材で挟み込み、かつ、圧力を加える。さらに、真空引きをおこない、周囲の環境を真空状態にする。続いて、加熱して、半溶融状態であった樹脂シートを硬化させて、厚みの均一な封止樹脂層３５を形成する。
次に、図６（Ｂ）に示すように、厚みの均一な封止樹脂層３５を一点鎖線Ｙ-Ｙで示す部分まで切削し、天面に傾斜Ｓを有し、かつ、厚みの大きな領域ＴＡを有する封止樹脂層３０を形成する。
第５実施形態にかかる電子部品装置５００も、実装時に浮き上がりやすい領域に、封止樹脂層３０の厚みの大きな領域ＴＡを形成しているため、回路基板などに接続不良なく確実に実装することができる。
［第６実施形態］
図７（Ａ）、（Ｂ）に、第６実施形態にかかる電子部品装置６００を示す。ただし、図７（Ａ）は、電子部品装置６００の断面図である。図７（Ｂ）は、電子部品装置６００の平面図であり、透視して下側の主面に形成された外部電極１２、２２を併せて示している。なお、図７（Ａ）の断面図は、図７（Ｂ）の一点鎖線Ｘ-Ｘ部分を示している。
電子部品装置６００は、第１実施形態にかかる電子部品装置１００に変更を加えた。
すなわち、電子部品装置１００では、実装基板１の下側の主面に、同じ面積の外部電極２が６個形成されていた。電子部品装置６００では、これに代えて。図７（Ｂ）に示すように、実装基板１の下側の主面に、小さな面積の外部電極１２を７個形成し、大きな面積の外部電極２２を１個形成した。なお、外部電極２２の面積は、外部電極１２の面積の２倍とした。電子部品装置６００の他の構成は、電子部品装置１００と同じにした。
外部電極１２、外部電極２２の具体的な配置は、図７（Ｂ）に示すとおりである。
すなわち、電子部品装置６００は、左上の領域に、外部電極１２が２．５個分の面積の外部電極が形成されている。また、左下の領域にも、外部電極１２が２．５個分の面積の外部電極が形成されている。これに対し、右上の領域には、外部電極１２が２．０個分の面積の外部電極が形成されている。また、右下の領域にも、外部電極１２が２．０個分の面積の外部電極が形成されている。
また、上の領域には外部電極１２が４．５個分の面積の外部電極が形成され、下の領域にも外部電極１２が４．５個分の面積の外部電極が形成され、両者は均衡している。
これに対し、左の領域には外部電極１２が５．０個分の面積の外部電極が形成され、右の領域には外部電極１２が４．０個分の面積の外部電極が形成され、両者は不均衡になっている。そこで、電子部品装置６００においても、図７（Ａ）に示すように、外部電極の形成密度の低い右の領域に、封止樹脂層４０の厚みの大きな領域ＴＡを設けた。
第６実施形態にかかる電子部品装置６００も、実装時に浮き上がりやすい領域に、封止樹脂層４０の厚みの大きな領域ＴＡを形成しているため、回路基板などに接続不良なく確実に実装することができる。
［第７実施形態］
図８（Ａ）、（Ｂ）に、第７実施形態にかかる電子部品装置７００を示す。ただし、図８（Ａ）は、電子部品装置７００の断面図である。図８（Ｂ）は、電子部品装置７００の平面図であり、透視して下側の主面に形成された信号用外部電極３２Ｓ、グランド用外部電極３２Ｇを併せて示している。なお、図７（Ａ）の断面図は、図７（Ｂ）の一点鎖線Ｘ-Ｘ部分を示している。
電子部品装置７００は、第２実施形態にかかる電子部品装置２００に変更を加えた。
すなわち、電子部品装置２００では、実装基板１の下側の主面に、４個の信号用外部電極２Ｓと、４個のグランド用外部電極２Ｇが形成されていた。電子部品装置７００では、これに代えて。図８（Ｂ）に示すように、実装基板１の下側の主面に、４個の信号用外部電極３２Ｓと、５個のグランド用外部電極３２Ｇを形成した。なお、信号用外部電極３２Ｓとグランド用外部電極３２Ｇとは、同じ面積からなる。電子部品装置７００の他の構成は、電子部品装置２００と同じにした。
信号用外部電極３２Ｓ、グランド用外部電極３２Ｇの具体的な配置は、図８（Ｂ）に示すとおりである。
電子部品装置７００の、種類を問わない外部電極の形成密度については均衡が取れている。すなわち、右上、右下、左上、左下の各領域に、それぞれ、２．２５個分の信号用外部電極１０２Ｓまたはグランド用外部電極３２Ｇが形成されている。したがって、外部電極の形成密度は、上の領域と下の領域とで均衡が取れ、かつ、左の領域と右の領域とで均衡が取れている。
これに対し、グランド用外部電極１０２Ｇの形成密度は、領域によって異なっている。具体的には、左上の領域に、０．７５個分のグランド用外部電極３２Ｇが形成されている。また、左下の領域に、１．２５個分のグランド用外部電極３２Ｇが形成されている。また、右上の領域に、１．７５個分のグランド用外部電極３２Ｇが形成されている。また、左下の領域に、１．２５個分のグランド用外部電極３２Ｇが形成されている。
この結果、上の領域には２．５０個分のグランド用外部電極３２Ｇが形成され、下の領域にも２．５０個分のグランド用外部電極３２Ｇが形成され、両者は均衡している。
これに対し、左の領域には２．００個分のグランド用外部電極３２Ｇが形成され、右の領域には３．００個分のグランド用外部電極３２Ｇが形成され、両者は不均衡になっている。そこで、電子部品装置７００においては、図８（Ａ）に示すように、グランド用外部電極３２Ｇの形成密度の高い右の領域に、封止樹脂層５０の厚みの大きな領域ＴＡを設けた。
第７実施形態にかかる電子部品装置７００も、実装時に浮き上がりやすい領域に、封止樹脂層５０の厚みの大きな領域ＴＡを形成しているため、回路基板などに接続不良なく確実に実装することができる。
以上、第１実施形態〜第７実施形態にかかる電子部品装置１００〜７００について説明した。しかしながら、本発明が上述した内容に限定されることはなく、発明の趣旨に沿って、種々の変更をなすことができる。
たとえば、電子部品装置１００〜７００では、いずれも、平面方向に見た場合に、１つの辺から対向するもう１つの辺に向かって傾斜Ｓが設けられているが、これに代えて、１つの頂点から対向するもう１つの頂点に向かって傾斜Ｓを設けても良い。たとえば、右上の領域の外部電極の形成密度が低い、あるいは、右上の領域のグランド用外部電極の形成密度が高い場合には、右上に封止樹脂層の厚みの大きな領域ＴＡを設け、右上の頂点から左下の頂点に向かって傾斜Ｓを設けるようにしても良い。
また、電子部品装置１００〜７００は、いずれも、弾性表面波装置であったが、電子部品装置の種類は弾性表面波装置には限定されず、他の種類の電子部品装置であっても良い。
また、電子部品装置に形成される封止樹脂層の天面の形状についても任意であり、種々の変更を適用することができる。たとえば、天面の外周部に、テーパーが形成されていても良く、あるいは、天面に、部分的な突起が形成されていても良く、当該突起が封止樹脂層の厚みの大きな部分であっても良い。また、天面に、テーパーと突起の両方が形成されていても良い。
さらに、封止樹脂層の外面に金属層が形成されていても良い。さらに、当該金属層がグランド電位に接続され、シールドされていても良い。
１・・・実装基板
２、１２、２２・・・外部電極
２Ｓ、３２Ｓ・・・信号用外部電極
２Ｇ、３２Ｇ・・・グランド用外部電極
３・・・導電ビア
４・・・層間導体
５・・・実装用電極
６・・・基板部品
６Ｈ・・・高さの大きい基板部品
６Ｌ・・・高さの小さい基板部品
７・・・機能部
８・・・端子電極
９・・・接合部材（バンプ）
１０、２０、３０、４０、５０・・・封止樹脂層
１００、２００、３００、４００、５００、６００、７００・・・電子部品装置（弾性表面波装置）

Claims (8)

  1. 一方の主面に外部電極が形成され、他方の主面に実装用電極が形成された実装基板と、
    一方の主面に端子電極が形成され、前記端子電極を前記実装用電極に接合することにより、前記実装基板上に実装された、少なくとも１個の基板部品と、
    前記基板部品が実装された前記実装基板上に形成された封止樹脂層と、を備えた電子部品装置であって、
    前記封止樹脂層に、厚みの大きな領域が設けられ、前記封止樹脂層の天面に傾斜が形成され、
    平面方向に透視した場合に、
    前記実装基板に、前記外部電極の形成密度が低い領域が設けられ、
    前記封止樹脂層の前記厚みの大きな領域と、前記実装基板の前記外部電極の前記形成密度の低い領域とが重なっている電子部品装置。
  2. 一方の主面に外部電極が形成され、他方の主面に実装用電極が形成された実装基板と、
    一方の主面に端子電極が形成され、前記端子電極を前記実装用電極に接合することにより、前記実装基板上に実装された、少なくとも１個の基板部品と、
    前記基板部品が実装された前記実装基板上に形成された封止樹脂層と、を備えた電子部品装置であって、
    前記封止樹脂層に、厚みの大きな領域が設けられ、前記封止樹脂層の天面に傾斜が形成され、
    前記外部電極が、信号用外部電極と、グランド用外部電極とに分類され、
    平面方向に透視した場合に、
    前記実装基板に、前記グランド用外部電極の形成密度が高い領域が設けられ、
    前記封止樹脂層の前記厚みの大きな領域と、前記実装基板の前記グランド用外部電極の前記形成密度が高い領域とが重なっている電子部品装置。
  3. 前記封止樹脂層の前記厚みの大きな領域が、当該領域に、前記基板部品が実装されたことによって設けられた、請求項１または２に記載された電子部品装置。
  4. 前記封止樹脂層の前記厚みの大きな領域が、当該領域に、他の前記基板部品に比べて、厚みの大きな前記基板部品が実装されたことによって設けられた、請求項１または２に記載された電子部品装置。
  5. 前記封止樹脂層の形成が金型を使用したモールドによっておこなわれ、前記封止樹脂層の前記厚みの大きな領域が、前記金型の間隔を当該領域において大きくすることによって設けられた、請求項１または２に記載された電子部品装置。
  6. 前記封止樹脂層の天面に設けられた前記傾斜が、前記封止樹脂層の天面を切削することによって設けられた、請求項１または２に記載された電子部品装置。
  7. 一方の主面に実装用電極が形成された回路基板を準備する工程と、
    一方の主面に外部電極が形成された実装基板と、前記実装基板の他方の主面上に実装された少なくとも１個の基板部品と、前記基板部品が実装された前記実装基板上に形成された封止樹脂層と、を備え、前記封止樹脂層に厚みの大きな領域が設けられた電子部品装置を準備する工程と、
    前記回路基板の前記実装用電極上に、軟性を有する接合部材を設ける工程と、
    前記接合部材上に前記外部電極を当接させて、前記電子部品装置を前記回路基板上に配置し、続いて、前記電子部品装置を前記回路基板方向に押圧することにより、前記外部電極を前記接合部材に押込み、前記封止樹脂層の前記厚みの大きな領域において、前記電子部品装置と前記回路基板との間隔が最も小さくなるようにして、前記電子部品装置を前記回路基板上に仮配置する工程と、
    加熱して前記接合部材を溶融させ、さらに冷却して前記接合部材を固化させ、前記接合部材により、前記実装用電極と前記外部電極とを接合する工程と、を備えた、回路基板への電子部品装置の実装方法。
  8. 回路基板への電子部品装置の実装構造であって、
    前記回路基板は、一方の主面に実装用電極が形成され、
    前記電子部品装置は、請求項１または２に記載された電子部品装置であり、
    接合部材により、前記回路基板に形成された前記実装用電極と、前記電子部品装置の前記実装基板に形成された前記外部電極とが接合され、
    実装後の前記電子部品装置は、前記封止樹脂層の厚みの大きな領域において、高さが最も大きい、回路基板への電子部品装置の実装構造。
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