JP3825475B2 - 電子部品の製造方法 - Google Patents

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acoustic wave
surface acoustic
resin
wiring board
wiring
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修 古川
仁 千代間
和久 薮川
健一 土沼
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株式会社 東芝
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    • H01L2224/45117—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 400°C and less than 950°C
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Description

技術分野
本発明は、弾性表面波装置やＥＰＲＯＭ（Ｅｒａｓａｂｌｅ Ｐｒｏｇｒａｍｍａｂｌｅ Ｒｅａｄ−Ｏｎｌｙ Ｍｅｍｏｒｙ、消去プログラム可能読取り専用メモリ）ＣＣＤ（Ｃｈａｒｇｅ Ｃｏｕｐｌｅｄ Ｄｅｖｉｃｅ、荷電結合素子）、半導体レーザ、発光ダイオード等の電子部品の製造方法に係り、特に基板上にフェースダウンに素子を搭載する電子部品の製造方法に関する。
背景技術
弾性表面波素子は、その機能上、表面波の伝搬するトランスデューサ部表面に空隙部を必要としており、該表面に異物層が存在することにより、表面波の伝搬に悪影響を生じ、所望の特性が損なわれる。そこで、弾性表面波素子をパッケージに収納する手段が採られている。その場合、ＩＣなどで用いられている樹脂封止手段では、表面波を励起し伝搬するトランスデューサ部を樹脂が覆ってしまうため適用できず、通常はメタルパッケージあるいはセラミックパッケージを用いた気密性封止構造と呼ばれる封止手段が多用されている。
ところが、上記のメタルパッケージやセラミックパッケージを用いた気密性封止構造は生産性が悪く実装密度も上がらない。これに対して、日本国特開平４−５６５１０号や特開平５−５５３０３号に開示されているフェースダウン型の弾性表面波装置は、トランスデューサ部およびボンディングパッド部が形成された弾性表面波素子と、表面に前記素子のボンディングパッド部と対応する配線パターンを有する基板とを、前記素子のボンディングパッド部と前記基板の配線パターンとを一致させかつ前記トランスデューサ部と前記基板との間に空隙部を設けて、バンプ等の導電性物質を介して接合すると共に、樹脂により被覆固定された弾性表面波装置が提供されている。
しかしながら、このような弾性表面波装置を製造する場合の封止樹脂としては液状で熱硬化性のポッティング用エポキシ系樹脂等が用いられるが、その粘性が低いために、樹脂の硬化前にトランスデューサ部の表面が前記の液状樹脂で覆われてしまう。このため、前記素子上のトランスデューサ部により発生される弾性表面波の伝搬路を囲むように、枠状の絶縁部材もしくはダムを、樹脂により一体被覆固定する前に形成しておかねばならないものであった。
以下、従来の弾性表面波装置について、図４６を参照して説明する。図４６（ａ）は断面図を示し、図４６（ｂ）は図４６（ａ）図の線Ａ−Ａに沿って切断して示す図で、枠状絶縁部材が形成された配線基板の平面図を示す。図中、点線で示す２０１、２０２はそれぞれ弾性表面波素子２０３と導電性バンプ２０４の位置を示す。図４６（ａ）において、配線基板２０５は絶縁性基板の両表面および両表面に連続した端部面に導電性の配線パターン２０６が形成されている。弾性表面波素子２０３の主面にはくし歯型電極パターンからなるトランスデューサ部２０７と、このくし歯型電極パターンに電気的に接続されており信号を供給するための配線パターン２０８が形成されている。また、弾性表面波素子２０３のトランスデューサ部２０７と配線基板２０５とは空隙部２０９を形成して対向するように配設されている。配線パターン２０８と配線基板２０５上の配線パターン２０６とは、金（Au）や銀（Ag）等で構成された導電性のバンプ２０４により電気的に接続されている。導電性バンプ２０４による弾性表面波素子２０３と配線基板２０５との接続部および弾性表面波素子２０３は、エポキシ樹脂等の樹脂材料２１０で被覆されている。この場合の封止樹脂材料としては、液状で熱硬化性のエポキシ系樹脂等が用いられる。また、弾性表面波素子２０３を取り囲む形で樹脂２１０が硬化するまでにこの樹脂が空隙部２０９に流れてしまうことを防ぐためにポリイミド樹脂等で形成された枠状の絶縁部材もしくはダム２１１が設けられている。さらに、弾性表面波素子２０３のトランスデューサ部２０７の全部または一部が素子全体を覆う樹脂２１０が配線基板２０５の周縁部から外側へ流出しないように配線基板２０５上にポリイミド樹脂等で形成された枠状絶縁部材もしくはダム２１２が設けられている。図４６（ｂ）はこのように弾性表面波素子２３を配線基板に装着する前の枠状絶縁部材もしくはダム２１１および２１２を形成した配線基板２０５の平面図である。
従って、弾性表面波素子２０３の封止用の樹脂２１０は枠状絶縁部材もしくはダム２１１により阻まれて、樹脂２１０が硬化するまでに空隙部２０９内に流れ込むことはなくなり、このため、弾性表面波素子の表面波伝搬路に侵入することはなく、弾性表面波素子の表面は中空状に保持され、特性を損なうことがない。また、配線基板上の周縁部に設けたダム２１２により樹脂２１０は配線基板２０５の外側に流れ出ることはない。
しかしながら、これら枠状の絶縁部材やダムの形成は、例えば感光性ポリイミド樹脂等を用いたフォトリソグラフィー工程により行う必要があるが、工程が増えるため、生産コストが多大になり、弾性表面波装置の生産性が低いという問題点があった。
また、枠状の絶縁部材やダムを形成することによって必然的に弾性表面波素子の機能面であるトランスデューサ部の有効面積を小さく制限せねばならず、このため、例えば移動体通信用弾性表面波装置として小型化が強く望まれる中、弾性表面波装置としての特性・機能を十分に発揮させることが不充分であるという問題点があった。また、さらには、本発明者らの検討によれば、従来の液状封止樹脂を用い、かつ、枠状の絶縁部材やダムを形成したとしても、弾性表面波素子とこれら枠状絶縁部材やダムの間隙から毛細管現象によりわずかに樹脂がしみこみ、表面波伝搬路であるトランスデューサ部に達している場合があり、このため、生産時の良品歩留を低下させてしまうという問題点を新たに発見した。
発明の開示
本発明は、かかる事情に鑑みてなされたものである。
本発明の目的は、電子部品に搭載される素子の特性に悪影響を与えず、かつ容易に樹脂封止できる電子部品の製造方法を提供することにある。
本発明の目的は、小型化に適し、また高密度実装に適した電子部品の製造方法を提供することにある。
また本発明は、封止部材の弾性表面波素子のトランスデューサ部への浸入を防止する弾性表面波装置の製造方法を提供することを目的としている。
本発明は、搭載する機能素子と、配線基板との空隙部を有効に確保できる電子部品の製造方法を提供することを目的としている。
本発明は、封止部材の流れ込みを防止する枠状部材を必要とせず、設計の自由度の高い電子部品の製造方法を提供することを目的としている。
本発明は、封止部材の流れ込みを防止する枠状部材を必要とせず、機能素子の機能を十分に発現できる電子部品の製造方法を提供することを目的としている。
本発明に係る電子部品の製造方法は、複数個の配線基板の集合体に対し所定位置に複数の機能素子をフェースダウンボンディング方式により位置決めする工程と、前記機能素子と前記配線基板の集合体とを導電性接合部材を介して所定間隔を維持して組立てる工程と、前記配線基板および前記機能素子の集合体に対し加熱溶融型部材を配置する工程と、前記配線基板と前記機能素子との間に空隙部を残しつつ前記加熱溶融型部材を加熱溶融する工程と、前記複数個の配線基板の集合体を前記加熱溶融型部材とともに分割して個々の電子部品を得る工程とを具備することを特徴とする。
本発明においては、複数個の配線基板の集合体に対し所定位置に複数の機能素子が位置決めされ、前記機能素子と前記配線基板の集合体とは導電性接合部材を介して所定間隔を維持して組立てられる。次に、前記配線基板および前記機能素子の集合体に対し加熱溶融型部材が配置され、前記配線基板と前記機能素子との間に空隙部を残しつつ前記加熱溶融型部材を加熱溶融される。最後に、前記加熱溶融型部材とともに前記複数個の配線基板の集合体が分割されて個々の電子部品が一度に複数個得られる。
本発明は、ひとつの配線基板の集合体の上に一括して導電性接合部材と機能素子である弾性表面波素子を組立て、その後にひとつの加熱溶融型部材、例えば薄片状樹脂を載置し、封止する、いわゆる多数個取りであるため、生産性を向上させることができる。
本発明の電子部品の製造方法によれば、封止用の加熱溶融型部材が機能素子と配線基板とで形成される各々の空隙部に流れ込むのを防止する枠状絶縁部材を必ずしも必要としないため、従来必要とした枠状絶縁部材の形成工程を不要とすることができ、しかも簡易な構造の電子部品が一度に複数得られる利点を有する。また、封止用の加熱溶融型部材として成形した薄片状樹脂を用いて加熱溶融およびその硬化により接合することにより、特に各機能素子の空隙部に対向する表面に樹脂が流れ込むのを容易に防ぐことができ、各機能素子に悪影響を生じさせず、各機能素子と配線基板との間に空隙部を形成し樹脂封止した電子部品を容易に製造することができる。
配線基板の材質としては、アルミナ、マグネシア、炭化珪素などのセラミック、ガラス被覆セラミック、内部に導体や機能部分を内蔵したアルミナなどのセラミック多層基板、ＦＲ−４をはじめとするガラスエポキシ等の樹脂基板を用いることができる。また、配線基板には、分割に備えて分割範囲を規定するマーカーを備えることもできる。
また、機能素子としては、例えば、弾性表面波素子、水晶振動子、圧電振動子、一対の送光部と受光部を有するフォトカプラ、ＥＰＲＯＭ、ＣＣＤ、半導体レーザーあるいは発光ダイオードが挙げられる。
本発明の電子部品の製造方法によれば、複数の機能素子例えば弾性表面波素子や半導体素子をフェースダウンボンディング（ダイボンディングとワイヤボンディング工程なしにチップを裏返して直接パッケージにはり付ける技術、「科学大辞典」丸善株式会社昭和６０年３月５日発行第１１８９頁参照）方式により実装することができる。ここで、フェースダウンボンディングとは、具体的にはいわゆるフリップチップ方式、ビームリード方式、ＴＡＢ方式ペデステル方式等を含むものとする。本発明では、封止時の部材として、例えば熱硬化性薄片状樹脂を用い、加熱によって該樹脂表面もしくは全体を溶融し硬化させることにより、各機能素子と配線基板とを、配線基板と対向する各機能素子の主面と配線基板との間に空隙部を保持しながら封止できるようにしたものである。
本発明の電子部品の一部を構成することになる配線基板の各々には、実装方式の相違により、一主面のみに、または、一主面と他の主面の両面にわたって配線パターンを形成することができる。また、例えば、弾性表面波素子においては、空隙部を確保するために、ひとつの面にくし歯型電極パターンからなるトランスデューサ部とそのトランスデューサ部に電気的に接続する配線パターンを形成することが必要となる。
各機能素子と配線基板とは、接合部材を介することにより接合させることができ、このとき、本発明にて形成される空隙部の隙間は接合部材の形状により定まるが１０〜２００μｍ、好ましくは２０〜８０μｍ確保することが望ましい。
本発明において、接合部材とは、素子（機能素子）と配線基板とを電気的に接続し、かつ、両者を固定する手段として定義される。例えば、いわゆるバンプ、導電性樹脂が使われる。バンプは、ボールバンプやめっきバンプなどがあり、また、導電性樹脂には、導電性ペーストや異方性導電樹脂などが含まれる。
本発明においては、これらを単独で用いてもよく、また、併用してもよく、これらは本発明に包含される。
配線基板上の配線パターンと素子（機能素子）上の配線パターンとを電気的に接合する部材例えば導電性バンプには、導電性金属めっきした樹脂ボールや金（Ａｕ）や銀（Ａｇ）やはんだ（Ｓｎ系、Ｐｂ系、Ｉｎ系等）等からなる金属バンプ等がある。
これらの導電性バンプは、配線基板と素子（機能素子）とを所定の温度、圧力で接合することにより配線基板上の配線パターンと素子（機能素子）上の配線パターンとを電気的に接続するとともに、素子（機能素子）と配線基板との間に空隙部を形成し確保する役割を果たすことになる。一定の空隙部を確保するためには金や銀やはんだ等からなる金属バンプが導電性バンプとして特に好ましい。
本発明の電子部品の製造方法においては、接合された各機能素子と配線基板とを１つの熱硬化性樹脂により覆い固めることにより配線基板上に実装し、分割して電子部品を構成するが、この時に、例えば、熱硬化性樹脂として薄片状に成形されたエポキシ系樹脂を用い加熱によって該樹脂の表面もしくは全体を溶融し、かつ、硬化することにより各機能素子と配線基板を接合すると、樹脂の粘性を高く保持でき、硬化中に各機能素子の配線基板に対向する側に形成された空隙部に樹脂が流れ込むことを防ぐことができる。また、液状樹脂でないため枠状の絶縁性隔壁やダムを必ずしも必要としない。しかし、枠状の絶縁性隔壁を設けることにより、一層封止効果を上げることができ、本願発明に包含される。
従来の封止樹脂用材料として用いられる液状熱硬化性樹脂例えばエポキシ系ポッティング樹脂はその粘度が１５Ｐａ・ｓ程度と低く、１００〜２００℃に加熱してもすぐには粘度は高くならず、低い粘度のままであるため、枠状絶縁部材なしでは、機能素子および配線基板の空隙部に流れ込み空隙部を維持できず機能素子の機能を損なう欠点がある。
しかしながら、本発明の電子部品の製造方法によれば、例えば、薄片状に成形されたエポキシ系樹脂を用いることによって加熱により溶融が開始されるまでは高粘度の状態が保たれ溶融後も硬化を制御することにより、少なくとも５０Ｐａ・ｓ以上の粘度が得られる。このため、容易に各機能素子を包覆することができる。
このような薄片状樹脂は、例えば、エポキシ樹脂を原料とした粉末のものを必要な形状および重量に冷間圧縮成形して容易に形成できる。薄片状樹脂は、機能素子の空隙部を形成する主面ではない他の主面、例えば、各機能素子が弾性表面波素子の場合には、各弾性表面波素子の配線パターンが形成された主面でなく他の主面側に載置される。
この場合の薄片状樹脂の形状は、分割後の配線基板形状とほぼ等しいかやや小さい形状を用いることが好ましい。より好ましい薄片状樹脂の形状は、分割前の配線基板形状とほぼ等しいことである。
このようにすることにより、薄片状樹脂の各機能素子および分割前の配線基板に対する位置決めを確実にすることができる。ただし、この寸法の選択は各機能素子の合計の体積と薄片状樹脂の厚みにより適宜選択し得るものである。
空隙部と対向する面とは反対側の各機能素子の面上に載置された加熱溶融型部材である薄片状樹脂は、加熱溶融とその硬化によって少なくとも前記素子の他の主面に密着して前記素子を包覆し、配線基板とで機能素子を封止する。
この場合の加熱溶融、硬化条件は適度に制御することが必要であるが、本発明においては、薄片状樹脂の加熱溶融温度が１００〜２００℃、その硬化時間が２０時間〜２時間で実施される。より好ましくは、１１０℃〜１７０℃にて加熱溶融した後、硬化は１００℃〜１６０℃程度で３時間〜２０時間実施される。
本発明の電子部品、例えば弾性表面波装置を製造するにあたっては、加熱溶融型部材の一主面に該加熱溶融型部材形状より小さい形状の緩衝材シートを接着して該加熱溶融型部材の緩衝材シート面を配線パターンが形成された主面を有する各弾性表面波素子の他の主面上に対向して載置し、かつ加熱溶融とその硬化によって少なくとも前記各素子の他の主面と該緩衝材シートとが密着して前記各素子を包覆するとともに、配線基板とで前記各素子を封止することもできる。緩衝材シートとしては、例えば、ゴム弾性体シートのような弾力性に富んだ材料があげられる。もしくは、金属箔やパラフィン紙を２層としたものを配置してもよい。この場合、各々の層のシートの大きさは前記加熱溶融型部材形状より小さい形状であれば必ずしも同じ大きさである必要はなく、任意の形状のものであってよい。このような構成とすることにより、樹脂硬化の際の収縮や熱膨張差により生ずる樹脂の応力歪みを緩和することができる。さらに、封止用の樹脂部と各弾性表面波素子との間に緩衝材シートの位置決めを容易に行うことができるため、生産性・信頼性の向上につながる。
本発明の電子部品の製造方法によれば、配線基板と各機能素子との電気的接続部分となる導電性接合部材に接続される配線パターンの高さを配線基板材料厚みまたは配線パターンの導電材料厚みを部分的に変えることによって制御し、もしくは電気的接続部分となる導電性接合部材の高さ自体を制御することによって、各機能素子と配線基板との間の適正量の空隙部を有効に確保できるので、機能素子が、例えば、弾性表面波吸収材が配置された弾性表面波素子である場合にも、各弾性表面波素子と配線基板との間の接合強度を充分に保て、接続の信頼性を向上させることができる。
本発明の電子部品、例えば弾性表面波装置の製造方法においては、配線基板の配線パターンを形成する際に、配線パターンの少なくとも一部を導電ペーストを用いたスクリーン印刷法により複数回塗布し、焼き付けまたは同時焼成することもできる。この場合、複数回塗布した部分の焼成後の厚みは他の部分との差が５〜１００μｍの範囲にあることが好ましい。
また、本発明の電子部品の製造方法においては、配線基板の配線パターンを形成する際に、配線パターンの少なくとも一部を蒸着もしくはスパッタ等の成膜方法により該配線パターンの他の部分より厚く成膜することもできる。この差は、少なくとも０．５μｍ以上あることが好ましい。
また、本発明の電子部品の製造方法においては、配線基板を形成する際に、電気的接続部分となる接合部材に対向する部分およびその近傍の領域に相当するグリーンシートを付加して焼成し、その後該配線基板に配線パターンを形成することもできる。このグリーンシートを付加して焼成した部分の厚みと他の部分の厚みの差は、実質的に５〜５００μｍの範囲にあることが好ましい。
このような配線基板の製造方法を用いることによって、接合部材の厚みが小さくても、配線パターン部分の配線基板材料もしくは導電材料の厚みと加えあわせることができるため、各機能素子と配線基板との間の適正量の空隙部を有効に確保できるので、特に、弾性表面波吸収材が配置された弾性表面波素子の場合にも、弾性表面波素子と配線基板との間の接合強度を充分に保つことが可能になり、接合強度を上げ、接続の信頼性を上げることができる。
さらに、本発明の電子部品においては、適正量の空隙部を確保するために、電気的接続部分となる導電性接合部材としてほぼ同一位置に導電性バンプを複数個積み重ねたものを用いることもできる。この場合、複数個の導電性バンプの厚みの和は３０〜１５０μｍの範囲となることが好ましい。あるいは、また、電気的接続部分となる導電性接合部材として導電性ボールバンプを用い、かつ、該導電性ボールバンプの厚みを導電性細線の太さを変えることにより調整することができる。これらの場合、導電性バンプとして、実質的に金からなるボールバンプ、実質的に錫からなるボールバンプ、実質的に鉛からなるボールバンプ等がより好ましい。あるいは、また、各機能素子の少なくとも一主面もしくは他の主面の一部に機能性物質を塗布する際、具体的には、例えば、各弾性表面波素子の少なくとも一主面もしくは他の主面の一部に弾性表面波吸収材を塗布する際に、機能物質すなわち弾性表面波吸収材を導電性接合部材の厚みより薄く塗布することができる。
このように電気的接続部分となる導電性接合部材の厚みを制御することによっても、各機能素子と配線基板との間の適正量の空隙部を有効に確保できる。この場合、配線基板の基板材料厚みもしくは導電材料の厚みを部分的に変える必要がないため、複数の電子部品の製造がより簡単になる。
本発明に係る電子部品の製造方法は、配線基板に対し所定位置に機能素子をフェースダウンボンディング方式により位置決めする工程と、前記機能素子と前記配線基板とを導電性接合部材を介して所定間隔を維持して組み立てる工程と、前記配線基板に対し加熱溶融型部材を配置する工程と、前記配線基板と前記機能素子との間に空隙部を残しつつ前記加熱溶融型部材を加熱溶融する工程とを具備し、前記加熱溶融型部材が加熱溶融型薄片状樹脂であって、前記薄片状樹脂の加熱溶融、硬化に係る工程は少なくとも、（１）薄片状樹脂の加熱溶融により樹脂形状を決める段階、（２）樹脂形状を維持しながらゲル化状態に移行する段階、（３）樹脂の硬化を行う段階、を含み、かつ（２）の工程温度が（１）または（３）より低いことを特徴とする。
本発明において、機能素子は配線基板に対して所定に位置に配置される。次に、機能素子と前記配線基板とは導電性接合部材を介して所定間隔を維持して組み立てられ、配線基板に対して加熱溶融型薄片状樹脂が配置される。そして、加熱溶融型薄片状樹脂は前記配線基板と前記機能素子との間に空隙部を残しつつ加熱溶融・硬化される。このとき、加熱溶融・硬化の工程は、複数の温度条件、すなわち、（１）薄片状樹脂の加熱溶融により樹脂形状を決める段階、（２）樹脂形状を維持しながらゲル化状態に移行する段階、（３）樹脂の硬化を行う段階に少なくともさらされ、（２）の温度が最も低くなるように制御される。このように、加熱溶融・硬化の工程に複数の段階的な温度条件をもたらすことにより、樹脂が機能素子と配線基板とで形成される空隙部に流れ込むのを防ぎつつ機能素子と配線基板とを確実に封止することができる。
本発明の電子部品の製造方法によれば、一定粘度を有する封止用の樹脂が機能素子と配線基板とで形成される空隙部に流れ込むのを防止する枠状絶縁部材を必ずしも必要としないため、従来必要とした枠状絶縁部材の形成工程を不要とすることができ、しかも簡易な構造の電子部品が得られる利点を有する。また、封止用の樹脂として成形した薄片状樹脂を用いて加熱溶融およびその硬化により接合することにより、特に機能素子の空隙部に対向する表面に樹脂が流れ込むのを容易に防ぐことができ、機能素子に悪影響を生じさせず、機能素子と配線基板との間に空隙部を形成し樹脂封止した電子部品を容易に製造することができる。
配線基板の材質としては、アルミナ、マグネシア、炭化珪素などのセラミック、ガラス被覆セラミック、内部に導体や機能部分を内蔵したアルミナなどのセラミック多層基板、ＦＲ−４をはじめとするガラスエポキシ等の樹脂基板を用いることができる。
また、機能素子としては、例えば、弾性表面波素子、水晶振動子、圧電振動子、一対の送光部と受光部を有するフォトカプラ、ＥＰＲＯＭ、ＣＣＤ、半導体レーザーあるいは発光ダイオードが挙げられる。
本発明の電子部品の製造方法によれば、機能素子例えば弾性表面波素子や半導体素子をフェースダウンボンディング（ダイボンディングとワイヤボンディング工程なしにチップを裏返して直接パッケージにはり付ける技術「科学大辞典」丸善株式会社昭和６０年３月５日発行第１１８９頁参照）方式により実装することができる。ここで、フェースダウンボンディングとは、具体的にはいわゆるフリップチップ方式、ビームリード方式、ＴＡＢ方式ペデステル方式等を含むものとする。本発明では、封止時の部材として、粉末原料を冷間圧縮成形した加熱溶融型部材、例えば熱硬化性薄片状樹脂を用い、加熱によって該樹脂表面もしくは全体を溶融し硬化させることにより、機能素子と配線基板とを、配線基板と対向する機能素子の主面と配線基板との間に空隙部を保持しながら封止できるようにしたものである。
本発明の電子部品の一部を構成する配線基板は、実装方式の相違により、一主面のみに、または、一主面と他の主面の両面にわたって配線パターンを形成することができる。また、例えば、弾性表面波素子においては、空隙部を確保するために、ひとつの面にくし歯型電極パターンからなるトランスデューサ部とそのトランスデューサ部に電気的に接続する配線パターンを形成することが必要となる。
機能素子と配線基板とは、接合部材を介することにより接合させることができ、このとき、本発明にて形成される空隙部の隙間は接合部材の形状により定まるが１０〜２００μｍ、好ましくは２０〜８０μｍ確保することが望ましい。
本発明において、接合部材とは、素子（機能素子）と配線基板とを電気的に接続し、かつ、両者を固定する手段として定義される。例えば、いわゆるバンプ、導電性樹脂が使われる。バンプは、ボールバンプやめっきバンプなどがあり、また、導電性樹脂には、導電性ペーストや異方性導電樹脂などが含まれる。
本発明においては、これらを単独で用いてもよく、また、併用してもよく、これらは本発明に包含される。
配線基板上の配線パターンと素子（機能素子）上の配線パターンとを電気的に接合する部材例えば導電性バンプには、導電性金属めっきした樹脂ボールや金（Ａｕ）や銀（Ａｇ）やはんだ（Ｓｎ系、Ｐｂ系、Ｉｎ系等）等からなる金属バンプ等がある。
これらの導電性バンプは、配線基板と素子（機能素子）とを所定の温度、圧力で接合することにより配線基板上の配線パターンと素子（機能素子）上の配線パターンとを電気的に接続するとともに、素子（機能素子）と配線基板との間に空隙部を形成し確保する役割を果たすことになる。一定の空隙部を確保するためには金や銀やはんだ等からなる金属バンプが導電性バンプとして特に好ましい。
本発明の電子部品の製造方法においては、接合された機能素子と配線基板とを薄片状の例えば熱硬化性樹脂により覆い固めることにより配線基板上に実装し電子部品を構成するが、この時に、熱硬化性樹脂として薄片状に成形されたエポキシ系樹脂を用い加熱によって該樹脂の表面もしくは全体を溶融し、かつ、硬化することにより機能素子と配線基板を接合すると、樹脂の粘性を高く保持でき、硬化中に機能素子の配線基板に対向する側に形成された空隙部に樹脂が流れ込むことを防ぐことができる。また、液状樹脂でないため枠状の絶縁性隔壁やダムを必ずしも必要としない。しかし、枠状の絶縁性隔壁を設けることにより、一層封止効果を上げることができ、本願発明に包含される。
従来の封止樹脂用材料として用いられる液状熱硬化性樹脂例えばエポキシ系ポッティング樹脂はその粘度が１５Ｐａ・ｓ程度と低く、１００〜２００℃に加熱してもすぐには粘度は高くならず、低い粘度のままであるため、枠状絶縁部材なしでは、機能素子および配線基板の空隙部に流れ込み空隙部を維持できず機能素子の機能を損なう欠点がある。
しかしながら、本発明の電子部品の製造方法によれば、薄片状に成形された例えばエポキシ系樹脂を用いることによって加熱により溶融が開始されるまでは高粘度の状態が保たれ溶融後も硬化を制御することにより、少なくとも５０Ｐａ・ｓ以上の粘度が得られる。このため、容易に機能素子を包覆することができる。
このような薄片状樹脂は、例えば、エポキシ樹脂を原料とした粉末のものを必要な形状および重量に冷間圧縮成形して容易に形成できる。薄片状樹脂は、機能素子の空隙部を形成する主面ではない他の主面、例えば、機能素子が弾性表面波素子の場合には、弾性表面波素子の配線パターンが形成された主面でなく他の主面に載置される。
この場合の薄片状樹脂の形状は機能素子形状より大きく、かつ、配線基板形状とほぼ等しいかやや小さい形状を用いることが好ましい。より好ましい薄片状樹脂の形状は機能素子形状より大きく、かつ、配線基板形状とほぼ等しいことである。このようにすることにより、薄片状樹脂の機能素子および配線基板に対する位置決めを確実にすることができる。また、薄片状樹脂の形状を、その周囲を垂下した形とすると機能素子と配線基板との封止をより確実にできるので好ましい。
なお、例えば機能素子の形状が２ｍｍ×２ｍｍの寸法に対し、配線基板形状の寸法が４ｍｍ×４ｍｍの場合、薄片状樹脂の形状の寸法も４ｍｍ×４ｍｍの大きさが用いられる。ただし、この寸法の選択は機能素子の体積と薄片状樹脂の厚みにより適宜選択し得るものである。
空隙部と対向する面とは反対側の機能素子の面上に載置された薄片状樹脂は、加熱溶融とその硬化によって少なくとも前記素子の他の主面に密着して前記素子を包覆し、配線基板とで機能素子を封止する。
樹脂としては熱硬化性樹脂が好ましく、例えば、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、ウレタン樹脂等があげられる。好ましくは、エポキシ樹脂であり、さらにはフェノール系のエポキシ樹脂がより好ましい。特に、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂やフェノールノボラック型エポキシ樹脂は、本発明の電子部品の製造方法に適する。
機能素子の空隙部に面した面とは異なる面上に載置された薄片状樹脂は、加熱溶融とその硬化によって少なくとも前記素子の空隙部に面した面とは異なる面に密着して前記素子を包覆し、配線基板とで機能素子を封止する。本発明において、加熱溶融、硬化条件は適度に制御することが必要であるが、本発明においては、１１０℃〜１７０℃にて加熱溶融した後、ゲル化温度は９０℃〜１５０℃程度で例えば０．５時間実施され、硬化は１００℃〜１６０℃程度で３時間〜２０時間実施される。
本発明の電子部品、例えば弾性表面波装置を製造するにあたっては、加熱溶融型部材の一主面に該加熱溶融型部材形状より小さい形状の緩衝材シートを接着して該加熱溶融型部材の緩衝材シート面を配線パターンが形成された主面を有する弾性表面波素子の他の主面上に対向して載置し、かつ加熱溶融とその硬化によって少なくとも前記素子の他の主面と該緩衝材シートとが密着して前記素子を包覆するとともに、配線基板とで前記素子を封止することもできる。緩衝材シートとしては、例えば、ゴム弾性体シートのような弾力性に富んだ材料があげられる。もしくは、金属箔やパラフィン紙を２層としたものを配置してもよい。この場合、各々の層のシートの大きさは前記薄片状樹脂形状より小さい形状であれば必ずしも同じ大きさである必要はなく、任意の形状のものであってよい。このような構成とすることにより、樹脂硬化の際の収縮や熱膨張差により生ずる樹脂の応力歪みを緩和することができる。さらに、封止用の樹脂部と弾性表面波素子との間に緩衝材シートの位置決めを容易に行うことができるため、生産性・信頼性の向上につながる。
さらに、本発明の電子部品、例えば、弾性表面波装置を製造するにおいては、樹脂部の周辺端縁と配線基板の周辺端縁との間に配線基板の一主面からの配線パターンを露出し樹脂部が配線パターンを覆ってしまうことがないようにもでき、この場合には、配線パターンは配線基板の側部端面に形成された凹状配線パターンと連続する。
このため、弾性表面波装置を他の受動部品等とともに回路基板に面実装する際に、回路基板上の接続部と配線基板の側部端面に形成された凹状配線パターンとをはんだ等で容易に接続することができる。
本発明の電子部品の製造方法によれば、配線基板と機能素子との電気的接続部分となる導電性接合部材に接続される配線パターンの高さを配線基板材料厚みまたは配線パターンの導電材料厚みを部分的に変えることによって制御し、もしくは電気的接続部分となる導電性接合部材の高さ自体を制御することによって、機能素子と配線基板との間の適正量の空隙部を有効に確保できるので、機能素子が、例えば、弾性表面波吸収材が配置された弾性表面波素子である場合にも、弾性表面波素子と配線基板との間の接合強度を充分に保て、接続の信頼性を向上させることができる。
本発明の電子部品、例えば弾性表面波装置の製造方法においては、配線基板の配線パターンを形成する際に、配線パターンの少なくとも一部を導電ペーストを用いたスクリーン印刷法により複数回塗布し、焼き付けまたは同時焼成することもできる。この場合、複数回塗布した部分の焼成後の厚みは他の部分との差が５〜１００μｍの範囲にあることが好ましい。
また、本発明の電子部品の製造方法においては、配線基板の配線パターンを形成する際に、配線パターンの少なくとも一部を蒸着もしくはスパッタ等の成膜方法により該配線パターンの他の部分より厚く成膜することもできる。この差は、少なくとも０．５μｍ以上あることが好ましい。
また、本発明の電子部品の製造方法においては、配線基板を形成する際に、電気的接続部分となる接合部材に対向する部分およびその近傍の領域に相当するグリーンシートを付加して焼成し、その後該配線基板に配線パターンを形成することもできる。このグリーンシートを付加して焼成した部分の厚みと他の部分の厚みの差は、実質的に５〜５００μｍの範囲にあることが好ましい。
このような配線基板の製造方法を用いることによって、接合部材の厚みが小さくても、配線パターン部分の配線基板材料もしくは導電材料の厚みと加えあわせることができるため、機能素子と配線基板との間の適正量の空隙部を有効に確保できるので、特に、弾性表面波吸収材が配置された弾性表面波素子の場合にも、弾性表面波素子と配線基板との間の接合強度を充分に保つことが可能になり、接合強度を上げ、接続の信頼性を上げることができる。
さらに、本発明の電子部品においては、適正量の空隙部を確保するために、電気的接続部分となる導電性接合部材としてほぼ同一位置に導電性バンプを複数個積み重ねたものを用いることもできる。この場合、複数個の導電性バンプの厚みの和は３０〜１５０μｍの範囲となることが好ましい。あるいは、また、電気的接続部分となる導電性接合部材として導電性ボールバンプを用い、かつ、該導電性ボールバンプの厚みを導電性細線の太さを変えることにより調整することができる。これらの場合、導電性バンプとして、実質的に金からなるボールバンプ、実質的に錫からなるボールバンプ、実質的に鉛からなるボールバンプ等がより好ましい。あるいは、また、機能素子の少なくとも一主面もしくは他の主面の一部に機能性物質を塗布する際、具体的には、例えば、弾性表面波素子の少なくとも一主面もしくは他の主面の一部に弾性表面波吸収材を塗布する際に、機能物質すなわち弾性表面波吸収材を導電性接合部材の厚みより薄く塗布することができる。
このように電気的接続部分となる導電性接合部材の厚みを制御することによっても、機能素子と配線基板との間の適正量の空隙部を有効に確保できる。この場合、配線基板の基板材料厚みもしくは導電材料の厚みを部分的に変える必要がないため、電子部品の製造がより簡単になる。
本発明に係る電子部品の製造方法は、配線基板に対し所定位置に弾性表面波素子をフェースダウンボンディング方式により位置決めする工程と、前記弾性表面波素子と前記配線基板とを導電性接合部材を介して所定間隔を維持して組み立てる工程と、前記配線基板に対し加熱溶融型部材を配置する工程と、前記配線基板と前記弾性表面波素子との間に空隙部を残しつつ前記加熱溶融型部材を加熱溶融する工程とを具備し、前記弾性表面波素子を構成する圧電体から成るウェハーの一主面上にトランスデューサ部およびこのトランスデューサ部に電気的に接続する配線パターンを複数個形成し、該配線パターン上の一部に複数の接合部材を形成した後、切断して個々の弾性表面波素子を形成する際に、切断時のブレードの速さが毎秒１０ｍｍ以上５０ｍｍ以下であり、かつ切断時に使用する水の比抵抗が０．０１ＭΩｃｍ以上１００ＭΩｃｍ以下であることを特徴とする。
本発明においては、配線基板に対し所定位置に弾性表面波素子が位置決めされる。このとき、弾性表面波素子を構成する圧電体から成るウェハーの一主面上にトランスデューサ部およびこのトランスデューサ部に電気的に接続する配線パターンが複数個形成され、この配線パターンの一部には複数の接合部材が形成されている。次に、弾性表面波素子と配線基板とはこの接合部材を介して所定間隔を維持して組み立てられる。次いで、前記配線基板に対し加熱溶融型部材が配置され、前記配線基板と前記弾性表面波素子との間に空隙部を残しつつ前記加熱溶融型部材は加熱溶融される。最後に、複数個形成された配線パターンに対応して移動の速さが毎秒１０ｍｍ以上５０ｍｍ以下となるように調整されたブレードを用いると共に、比抵抗が０．０１ＭΩｃｍ以上１００ＭΩｃｍ以下となるように調整された水を用いて切断され、個々の弾性表面波装置が形成される。
こうしたブレードとしては、ダイヤモンドカッタのような切断部材を適当に用いることができる。
このような弾性表面波素子を作製する際の圧電体ウェハーの切断条件を最適に制御することにより、切断する際に生ずる静電気による障害を回避することができる。より、具体的には、弾性表面波素子のトランスデューサ部もしくは電極配線パターンの変質を防ぐことができる。
本発明は、ひとつの圧電体の上に複数のトランスデューサ部およびこのトランスデューサ部に電気的に接続する配線パターンを形成しておき、一括して導電性接合部材と弾性表面波素子を組立て、例えば薄片状樹脂を載置して封止した後、切断して複数の弾性表面波装置を得るものであるため、生産性を向上させることができる。
本発明の電子部品の製造方法によれば、封止用の加熱溶融型部材が弾性表面波素子と配線基板とで形成される各々の空隙部に流れ込むのを防止する枠状絶縁部材を必ずしも必要としないため、従来必要とした枠状絶縁部材の形成工程を不要とすることができ、しかも簡易な構造の電子部品が一度に複数得られる利点を有する。また、封止用の加熱溶融型部材として成形した薄片状樹脂を用いて加熱溶融およびその硬化により接合することにより、弾性表面波素子の空隙部に対向する表面に加熱溶融型部材が流れ込むのを容易に防ぐことができ、弾性表面波素子に悪影響を生じさせず、弾性表面波素子と配線基板との間に空隙部を形成し樹脂封止した弾性表面波装置を容易に製造することができる。
配線基板の材質としては、アルミナ、マグネシア、炭化珪素などのセラミック、ガラス被覆セラミック、内部に導体や機能部分を内蔵したアルミナなどのセラミック多層基板、ＦＲ−４をはじめとするガラスエポキシ等の樹脂基板を用いることができる。また、配線基板には、分割に備えて分割範囲を規定するマーカーを備えることもできる。
本発明の電子部品の製造方法によれば、弾性表面波素子をフェースダウンボンディング（ダイボンディングとワイヤボンディング工程なしにチップを裏返して直接パッケージにはり付ける技術、「科学大辞典」丸善株式会社昭和６０年３月５日発行第１１８９頁参照）方式により実装することができる。ここで、フェースダウンボンディングとは、具体的にはいわゆるフリップチップ方式、ビームリード方式、ＴＡＢ方式ペデステル方式等を含むものとする。本発明では、封止時の部材として、例えば熱硬化性薄片状樹脂を用い、加熱によって該樹脂表面もしくは全体を溶融し硬化させることにより、弾性表面波素子と配線基板とを、配線基板と対向する弾性表面波素子の主面と配線基板との間に空隙部を保持しながら封止できるようにしたものである。
本発明の電子部品の一部を構成することになる配線基板の各々には、実装方式の相違により、一主面のみに、または、一主面と他の主面の両面にわたって配線パターンを形成することができる。また、弾性表面波素子においては、空隙部を確保するために、ひとつの面にくし歯型電極パターンからなるトランスデューサ部とそのトランスデューサ部に電気的に接続する配線パターンを形成することが必要となる。
弾性表面波素子と配線基板とは、導電性接合部材を介することにより接合させることができ、このとき、本発明にて形成される空隙部の隙間は導電性接合部材の形状により定まるが１０〜２００μｍ、好ましくは２０〜８０μｍ確保することが望ましい。
本発明において、導電性接合部材とは、弾性表面波素子と配線基板とを電気的に接続し、かつ、両者を固定する手段として定義される。例えば、いわゆるバンプ、導電性樹脂が使われる。バンプは、ボールバンプやめっきバンプなどがあり、また、導電性樹脂には、導電性ペーストや異方性導電樹脂などが含まれる。
本発明においては、これらを単独で用いてもよく、また、併用してもよく、これらは本発明に包含される。
配線基板上の配線パターンと弾性表面波素子上の配線パターンとを電気的に接合する部材例えば導電性バンプには、導電性金属めっきした樹脂ボールや金（Ａｕ）や銀（Ａｇ）やはんだ（Ｓｎ系、Ｐｂ系、Ｉｎ系等）等からなる金属バンプ等がある。
これらの導電性バンプは、配線基板と弾性表面波素子とを所定の温度、圧力で接合することにより配線基板上の配線パターンと弾性表面波素子上の配線パターンとを電気的に接続するとともに、弾性表面波素子と配線基板との間に空隙部を形成し確保する役割を果たすことになる。一定の空隙部を確保するためには金や銀やはんだ等からなる金属バンプが導電性バンプとして特に好ましい。
本発明の電子部品の製造方法においては、接合された弾性表面波素子と配線基板とを加熱溶融型部材により覆い固めることにより配線基板上に実装し、分割して弾性表面波装置を構成するが、この時に、例えば、加熱溶融型部材として薄片状に成形されたエポキシ系樹脂を用い加熱によって該樹脂の表面もしくは全体を溶融し、かつ、硬化することにより弾性表面波素子と配線基板を接合すると、樹脂の粘性を高く保持でき、硬化中に弾性表面波素子の配線基板に対向する側に形成された空隙部に樹脂が流れ込むことを防ぐことができる。また、液状樹脂でないため枠状の絶縁性隔壁やダムを必ずしも必要としない。しかし、枠状の絶縁性隔壁を設けることにより、一層封止効果を上げることができ、本願発明に包含される。
従来の封止樹脂用材料として用いられる液状熱硬化性樹脂例えばエポキシ系ポッティング樹脂はその粘度が１５Ｐａ・ｓ程度と低く、１００〜２００℃に加熱してもすぐには粘度は高くならず、低い粘度のままであるため、枠状絶縁部材なしでは、機能素子および配線基板の空隙部に流れ込み空隙部を維持できず機能素子の機能を損なう欠点がある。
しかしながら、本発明の電子部品の製造方法によれば、例えば、薄片状に成形されたエポキシ系樹脂を用いることによって加熱により溶融が開始されるまでは高粘度の状態が保たれ溶融後も硬化を制御することにより、少なくとも５０Ｐａ・ｓ以上の粘度が得られる。このため、容易に弾性表面波素子を包覆することができる。
このような薄片状樹脂は、例えば、エポキシ樹脂を原料とした粉末のものを必要な形状および重量に冷間圧縮成形して容易に形成できる。薄片状樹脂は、弾性表面波素子の空隙部を形成する主面ではない他の主面、すなわち弾性表面波素子の配線パターンが形成された主面でなく他の主面側に載置される。
この場合の薄片状樹脂の形状は、分割後の配線基板形状とほぼ等しいかやや小さい形状を用いることが好ましい。より好ましい薄片状樹脂の形状は、分割前の配線基板形状とほぼ等しいことである。
このようにすることにより、薄片状樹脂の弾性表面波素子および分割前の配線基板に対する位置決めを確実にすることができる。ただし、この寸法の選択は弾性表面波素子の合計の体積と薄片状樹脂の厚みにより適宜選択し得るものである。
空隙部と対向する面とは反対側の弾性表面波素子の面上に載置された薄片状樹脂は、加熱溶融とその硬化によって少なくとも前記素子の他の主面に密着して前記素子を包覆し、配線基板とで弾性表面波素子を封止する。
この場合の加熱溶融、硬化条件は適度に制御することが必要であるが、本発明においては、薄片状樹脂の加熱溶融温度が１００〜２００℃、その硬化時間が２０時間〜２時間で実施される。より好ましくは、１１０℃〜１７０℃にて加熱溶融した後、硬化は１００℃〜１６０℃程度で３時間〜２０時間実施される。
本発明の電子部品、弾性表面波装置を製造するにあたっては、加熱溶融型部材の一主面に該加熱溶融型部材形状より小さい形状の緩衝材シートを接着して該加熱溶融型部材の緩衝材シート面を配線パターンが形成された主面を有する弾性表面波素子の他の主面上に対向して載置し、かつ加熱溶融とその硬化によって少なくとも前記各素子の他の主面と該緩衝材シートとが密着して弾性表面波素子を包覆するとともに、配線基板とで弾性表面波素子を封止することもできる。緩衝材シートとしては、例えば、ゴム弾性体シートのような弾力性に富んだ材料があげられる。もしくは、金属箔やパラフィン紙を２層としたものを配置してもよい。この場合、各々の層のシートの大きさは前記薄片状樹脂形状より小さい形状であれば必ずしも同じ大きさである必要はなく、任意の形状のものであってよい。このような構成とすることにより、樹脂硬化の際の収縮や熱膨張差により生ずる樹脂の応力歪みを緩和することができる。さらに、封止用の樹脂部と弾性表面波素子との間に緩衝材シートの位置決めを容易に行うことができるため、生産性・信頼性の向上につながる。
本発明の電子部品の製造方法によれば、配線基板と弾性表面波素子との電気的接続部分となる導電性接合部材に接続される配線パターンの高さを配線基板材料厚みまたは配線パターンの導電材料厚みを部分的に変えることによって制御し、もしくは電気的接続部分となる導電性接合部材の高さ自体を制御することによって、弾性表面波素子と配線基板との間の適正量の空隙部を有効に確保できるので、弾性表面波吸収材が配置された弾性表面波素子である場合にも、弾性表面波素子と配線基板との間の接合強度を充分に保て、接続の信頼性を向上させることができる。
本発明の電子部品、弾性表面波装置の製造方法においては、配線基板の配線パターンを形成する際に、配線パターンの少なくとも一部を導電ペーストを用いたスクリーン印刷法により複数回塗布し、焼き付けまたは同時焼成することもできる。この場合、複数回塗布した部分の焼成後の厚みは他の部分との差が５〜１００μｍの範囲にあることが好ましい。
また、本発明の電子部品の製造方法においては、配線基板の配線パターンを形成する際に、配線パターンの少なくとも一部を蒸着もしくはスパッタ等の成膜方法により該配線パターンの他の部分より厚く成膜することもできる。この差は、少なくとも０．５μｍ以上あることが好ましい。
また、本発明の電子部品の製造方法においては、配線基板を形成する際に、電気的接続部分となる接合部材に対向する部分およびその近傍の領域に相当するグリーンシートを付加して焼成し、その後該配線基板に配線パターンを形成することもできる。このグリーンシートを付加して焼成した部分の厚みと他の部分の厚みの差は、実質的に５〜５００μｍの範囲にあることが好ましい。
このような配線基板の製造方法を用いることによって、接合部材の厚みが小さくても、配線パターン部分の配線基板材料もしくは導電材料の厚みと加えあわせることができるため、弾性表面波素子と配線基板との間の適正量の空隙部を有効に確保できるので、特に、弾性表面波吸収材が配置された弾性表面波素子の場合にも、弾性表面波素子と配線基板との間の接合強度を充分に保つことが可能になり、接合強度を上げ、接続の信頼性を上げることができる。
さらに、本発明の電子部品においては、適正量の空隙部を確保するために、電気的接続部分となる導電性接合部材としてほぼ同一位置に導電性バンプを複数個積み重ねたものを用いることもできる。この場合、複数個の導電性バンプの厚みの和は３０〜１５０μｍの範囲となることが好ましい。あるいは、また、電気的接続部分となる導電性接合部材として導電性ボールバンプを用い、かつ、該導電性ボールバンプの厚みを導電性細線の太さを変えることにより調整することができる。これらの場合、導電性バンプとして、実質的に金からなるボールバンプ、実質的に錫からなるボールバンプ、実質的に鉛からなるボールバンプ等がより好ましい。あるいは、弾性表面波素子の少なくとも一主面もしくは他の主面の一部に弾性表面波吸収材を塗布する際に、機能物質すなわち弾性表面波吸収材を導電性接合部材の厚みより薄く塗布することができる。
このように電気的接続部分となる導電性接合部材の厚みを制御することによっても、弾性表面波素子と配線基板との間の適正量の空隙部を有効に確保できる。この場合、配線基板の基板材料厚みもしくは導電材料の厚みを部分的に変える必要がないため、複数の電子部品の製造がより簡単になる。
【図面の簡単な説明】
図１は参考例１に係る弾性表面波装置の断面図およびその部分平面図である。
図２は参考例１に係る弾性表面波装置の部分的斜視図である。
図３は参考例２に係る弾性表面波装置の平面図である。
図４は参考例２に係る弾性表面波装置の部分的斜視図である。
図５は参考例３に係る弾性表面波装置の分解斜視図である。
図６は参考例３に係る弾性表面波装置の製造工程図である。
図７は参考例４に係る弾性表面波装置の断面図である。
図８は参考例５に係る弾性表面波装置の断面図、その部分平面図および分部的斜視図である。
図９は参考例６に係る弾性表面波装置の断面図、その部分平面図および分解断面図である。
図１０は参考例７に係る弾性表面波装置の断面図である。
図１１は参考例８〜１０に係る弾性表面波装置の断面図である。
図１２は参考例１１に係る弾性表面波装置の断面図である。
図１３は参考例１２〜１３に係る弾性表面波装置の断面図およびその部分斜視図である。
図１４は本発明の実施例１に係る弾性表面波装置の製造方法を示す図である。
図１５は本発明の実施例２に係る弾性表面波装置の製造時の加熱条件を示す図である。
図１６は参考例１５に係る弾性表面波装置の断面図およびその部分平面図である。
図１７は参考例１６に係る弾性表面波装置の断面図およびその部分平面図である。
図１８は参考例１７に係る弾性表面波装置の断面図およびその部分平面図である。
図１９は参考例１７に係る弾性表面波素子の平面図である。
図２０は従来の弾性表面波素子の平面図である。
図２１は従来の弾性表面波素子の平面図である。
図２２は参考例１８に係る弾性表面波装置の平面図である。
図２３は参考例１８に係る弾性表面波素子の平面図である。
図２４は参考例１９に係る弾性表面波装置の断面図である。
図２５は参考例２０に係る弾性表面波装置の断面図である。
図２６は参考例２１〜２３に係る弾性表面波装置の断面図およびその部分断面図である。
図２７は参考例２４に係る弾性表面波装置の断面図およびその部分断面である。
図２８は参考例２５に係る弾性表面波装置の断面図およびその部分平面図である。
図２９は参考例２５に係る弾性表面波装置の製造工程を示す図である。
図３０は参考例２６に係る弾性表面波装置の断面図、その部分平面図および部分的斜視図である。
図３１は参考例２７に係る弾性表面波装置の断面図およびその部分平面図である。
図３２は参考例２８〜２９に係る弾性表面波装置の断面図およびその部分斜視図である。
図３３は参考例３１に係る弾性表面波装置の断面図である。
図３４は参考例３２に係る弾性表面波装置の断面図である。
図３５は参考例３３に係る水晶振動装置の断面図である。
図３６は参考例３４に係る圧電振動装置の断面図である。
図３７は参考例３５に係るフォトカプラの断面図および部分的斜視図である。
図３８は参考例３６に係るＥＰＲＯＭの断面図およびその部分平面図である。
図３９は参考例３７に係るＣＣＤの断面図である。
図４０は参考例３８に係る半導体レーザの断面図である。
図４１は参考例３９に係る弾性表面波装置の製造方法を示す図である。
図４２は参考例４０に係る弾性表面波装置の製造方法を示す図である。
図４３は参考例４１に係るＣＣＤカメラの断面図である。
図４４は参考例４２に係る移動体通信装置のブロック図である。
図４５は参考例４３に係る発振回路の回路図である。
図４６は従来の弾性表面波装置の断面図およびその部分平面図である。
図４７は他の参考例に係る弾性表面波装置の製造方法を示す図である。
図４８は他の参考例に係る弾性表面波装置の製造方法を示す図である。
図４９は他の参考実施例に係る弾性表面波装置の製造方法を示す図である。
発明を実施するための最良の形態
以下、本発明の実施形態を実施例により説明する。
参考例１
図１（ａ）は、参考例１の弾性表面波装置の断面図である。
図１において、配線基板１は絶縁性基板例えばセラミック、ガラス被覆セラミックおよびガラスエポキシ等の樹脂基板の両表面上に導電性の配線パターン２が形成されている。また、弾性表面波素子３の一主面にはくし歯型電極パターンからなるトランスデューサ部４と、このトランスデューサ部に電気的に接続する配線パターン５が形成されている。また、トランスデューサ部４および配線パターン５の面は、配線基板１に形成された配線パターン２と対向して配設されている。そして、対向した上記両配線パターン２，５を電気的に接続しかつ、弾性表面波素子３と配線基板１との間に空隙部１０を形成するため、フェースダウンボンディングにより複数の導電性接合部材例えば金属からなるバンプ６を介して組み立てられる。このバンプは、金（Ａｕ）や銀（Ａｇ）あるいははんだ（Ｓｎ系、Ｐｂ系、Ｉｎ系等）等で構成されている。さらに、導電性バンプ６による弾性表面波素子３と配線基板１との接続部および弾性表面波素子３は、エポキシ等の樹脂部１１で包覆されている。
図１（ｂ）は、図１（ａ）のＡ−Ａに沿って切断して示す平面図であり、図中導電性バンプ６および弾性表面波素子３は点線で示した位置に配置される。そして、配線パターン２の端部位置において弾性表面波素子側との間で導電性バンプ６が介挿され、弾性表面波素子３と配線基板１とはフェースダウンボンディングにより導電性バンプ６を介して電気的に接続される。
図２は、参考例１における一態様を説明する配線基板１を示す斜視図である。すなわち、図示しない樹脂部の周辺端縁と配線基板１の周辺端縁との間に配線基板の一主面からの配線パターン２が露出しておりこの配線パターン２が配線基板１の側壁端面に形成された凹状配線パターン１２と連続している。このため、配線基板と弾性表面波素子の各配線パターンをはんだにより電気的接続を行う際、配線基板の配線パターンが露出し、かつはんだ面積が大となるため、はんだ付け作業が容易となり、かつ確実に電気的接続が行われる。
参考例２
図３において、点線で示す１３は複数の導電性バンプ１３で形成される軌跡１３を示している。軌跡１３の各バンプ内側１４および各バンプ外側１５に沿って環状の絶縁性隔壁が形成される位置を示している。この絶縁性隔壁を設けたことにより、樹脂部１１の粘性が多少低下しても封止が確実に行える利点がある。図４に、この絶縁性隔壁１７の概略的斜視図を示す。この絶縁性隔壁１７は、バンプ内側１４またはバンプ外側１５のうち一方に設けられるものであってもよい。
参考例３
図５は本参考例の弾性表面波装置を組立てる前の樹脂部１１、弾性表面波素子３、配線基板１の各々の位置関係を示している概略図であり、図６（ａ）〜図６（ｃ）は工程を順に示すものである。
すなわち、図６（ａ）では配線基板１に弾性表面波素子３に設けた複数の導電性バンプを介して弾性表面波素子３を接合した状態を示し、図６（ｂ）のように弾性表面波素子３上に、成形した薄片状樹脂１６を載置する。この後、１５０℃で１分間前後加熱することにより、薄片状樹脂１６が高い粘性を保ちながらほぼ全体が溶融し、図６（ｃ）に示すように弾性表面波素子３を包覆するまでに変形し周囲は配線基板１と接合し、その後、引続く加熱により樹脂は硬化によって樹脂形状が定まることとなる。引続く加熱は、例えば１２５℃で３時間加熱し、さらに１５０℃で３時間加熱することにより硬化が完了する。ここで加熱とは直接的加熱、間接的加熱を問わず、封止部材を溶融させ、あるいは硬化させるのに必要な熱量を加えられればよい。例えば、高周波による加熱、電磁波による加熱、超音波による加熱、光の照射による加熱等の加熱手法を用いるようにしてもよい。このことは特に述べない場合にも同様である。
なお、樹脂１６は充分チキソ性が高く、粘性も高いため、弾性表面波素子のトランスデューサー部表面に流れ込むことはない。
本発明によれば、一定粘度を有する封止用の樹脂が例えば弾性表面波素子のトランスデューサ部側の主面と配線基板とで形成される空隙部に流れ込むのを枠状絶縁部材を必ずしも必要とせず防止でき、簡易な構造の弾性表面波装置が得られる利点を有する。このように本発明の電子部品は枠状絶縁部材ないしは囲繞部材を要しない分、電子部品を小型化することができる。したがって、高密度実装に適した電子部品を提供することができる。また、本発明の電子部品の製造方法によれば枠状絶縁部材ないしは囲繞部材を要せずに機能素子を配線基板上に搭載することができ、従来よりも小型化した電子部品を製造することができる。また、高密度実装に適した電子部品を製造することができる。
また、配線基板１に弾性表面波素子３を予め、有機性接着剤で仮止めしておけば、有機性接着剤の飛散物質が弾性表面波素子３のくし型電極に付着することなく弾性表面波素子３の機能を低下させることもなく量産による封止組立てもより確実にでき、歩留まりも向上させることができる。
なお、上記のような薄片状樹脂は、エポキシ系樹脂例えばエポキシ樹脂を原料とした粉末のものを必要な形状および重量に冷間圧縮成形して容易に形成でき、例えば日東電工（株）製の封止用エポキシペレットＥＰ等が適する。
また、エポキシ樹脂を原料とした粉末を補強用シート（フィルム）に一体含浸させ、冷間にて必要な形状に打ち抜きしたものを用いてもよい。また、薄片状樹脂の加熱溶融、硬化条件は適度に制御することが必要であるが、薄片状樹脂の加熱溶融、硬化温度が１００〜２００℃、その硬化時間が２０時間〜２時間で実施されることが適切である。なお、より好ましくは、１１０℃〜１７０℃にて１分前後加熱溶融した後、硬化は１００℃〜１６０℃程度で３時間加熱するというように段階を経由してもよく本発明に包含される。
参考例４
参考例４に係る弾性表面波装置の製造方法を図７に示す。
すなわち、薄片状樹脂の形状として、予め周辺部を垂下させた形状のものを図６と同様に位置決めし、弾性表面波素子のトランスデューサ部およびその配線パターンが形成されていない面上に載置し、加熱溶融、硬化させる方法である。この方法によれば弾性表面波素子の裏面に密着して包覆し、配線基板と封止させる上で、組み立て時間を短縮することができる。
この応用例に係る弾性表面波装置の製造方法を図４７（ａ）に示す。すなわち、参考例３に示した弾性表面波素子の製造方法において、薄片状樹脂１６の弾性表面波素子３に対する位置決め手段例えば薄片状樹脂１６の弾性表面波素子３側の表面の一部に凹部を設ける。この凹部は弾性表面波素子３の外形より若干大きめの凹部を設ける。こうすることにより、弾性表面波素子３上に薄片状樹脂１６を手動または自動的に配置する際、便利になる。特に、オートマウンタ（自動搬送装置）により薄片状樹脂１６をバキュームチェックで素子３上に配置する際、確実に位置決めが可能となり、生産性も向上する。この凹部の底部に若干の隙間を設け素子３上と樹脂１６との間に空隙を形成し、空気部を若干形成することも可能であり、素子３のそり（変形）による弾性表面波の特性を損なうこともない。また、図４７（ｂ）に示すように、樹脂１６に形成する凹部１６ａの形状として二段に凹部を形成し、狭い凹部に空隙部をあらかじめ設けておき、そして加熱溶融すると、素子３との間に空隙ができやすく、緩衝材（気体による）の効果も発揮する。
なお、このような凹部は図４７（ｃ）、（ｄ）に示すように参考例４にも応用することができる。
参考例５
図８（ａ）は、参考例５に係る弾性表面波装置の断面図である。図において、配線基板１は絶縁性基板例えばセラミック、ガラス被覆セラミックおよびガラスエポキシ等の樹脂基板の両表面上に導電性の配線パターン２が形成されている。また、弾性表面波素子３の一主面にはくし歯型電極パターンからなるトランスデューサ部４と、このトランスデューサ部に電気的に接続する配線パターン５が形成されている。また、弾性表面波素子３の他の主面には、図８（ｃ）に示すように、ほぼ全面にわたってアルミニウムを蒸着した導電性膜３１が形成されている。また、トランスデューサ部４および配線パターン５の面は、配線基板１に形成された配線パターン２とフェースダウンボンディングにより複数の導電性接合部材例えば金属からなるバンプ６を介して組み立てられる。そして、対向した上記両配線パターン２，５を電気的に接続し、かつ、弾性表面波素子３と配線基板１との間に空隙部１０が形成されている。上記バンプは、金（Ａｕ）や銀（Ａｇ）あるいははんだ（Ｓｎ系、Ｐｂ系、Ｉｎ系等）等で構成されている。さらに、弾性表面波素子３の他の主面の導電性膜３１と配線基板１の配線パターン２の一部とは、導電性物質３２によって電気的に接続されている。さらに、導電性バンプ６による弾性表面波素子３と配線基板１との接続部および弾性表面波素子３は、加熱溶融型部材である熱硬化性ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂を主体とする樹脂部１１で包覆されている。
図８（ｂ）は、樹脂部１１により包覆する前の配線基板１の平面図の一例を示したものであり、弾性表面波素子３の他の主面に形成された導電性膜３１は、配線基板１の配線パターン２の一部、例えば接地パターンに、導電性物質３２を介して電気的に接続されている。
前記導電性物質３２としては、例えば、Ａｕ線やＡｌ線やＣｕ線等のボンディングワイヤ、Ａｇを含むエポキシ系導電性ペースト、異方性導電樹脂（ＡＣＦ）等が含まれる。また、前記、導電性膜３１としては、例えば、蒸着またはスパッタ等により製膜したＡｌ膜、Ａｕ膜等が含まれる。
この場合、外来の電気的ノイズ等に対する、いわゆる電磁遮蔽効果（シールド効果）を有する。
参考例６
図９（ａ）は、参考例６に係る弾性表面波装置の断面図である。図において、配線基板１は絶縁性基板例えばセラミック、ガラス被覆セラミックおよびガラスエポキシ等の樹脂基板の両表面上に導電性の配線パターン２が形成されている。また、弾性表面波素子３の一主面にはくし歯型電極パターンからなるトランスデューサ部４と、このトランスデューサ部に電気的に接続する配線パターン５が形成されている。また、トランスデューサ部４および配線パターン５の面は、配線基板１に形成された配線パターン２とフェースダウンボンディングにより複数の導電性接合部材例えば金属からなるバンプ６を介して組み立てられる。そして、対向した上記両配線パターン２，５を電気的に接続しかつ、弾性表面波素子３と配線基板１との間に空隙部１０が形成されている。上記バンプは、金（Ａｕ）や銀（Ａｇ）あるいははんだ（Ｓｎ系、Ｐｂ系、Ｉｎ系等）等で構成されている。さらに、弾性表面波素子３の他の主面と樹脂部１１との間隙の少なくとも一部に、金属性箔３３が設置されており、この金属性箔３３の端部３４が配線基板１の配線パターン２の少なくとも一部に接触し電気的に接続されている。さらに、導電性バンプ６による弾性表面波素子３と配線基板１との接続部および弾性表面波素子３は、熱硬化性エポキシ樹脂の樹脂部１１で包覆されている。
図９（ｂ）は、樹脂部１１により包覆する前の配線基板１の平面図の一例を示したものであり、弾性表面波素子３の他の主面上に載置された金属性箔３３の端部３４が配線基板１の配線パターン２の一部、例えば接地パターンに接触し、電気的に接続されている。
このような金属性箔３３は、アルミホイルなどのよく知られた安価なアルミニウム箔を使用することができる。また、銅箔、ニッケル箔、亜鉛箔、錫箔などでもよい。特に、銅箔は、比抵抗が小さいため、より高い周波数のノイズに対して有利である。
図９（ｃ）は弾性表面波装置の製造方法の一例を示したものであり、金属性箔３３を加熱溶融型薄片状樹脂１６からなる樹脂部１１側に予め接着した後に、薄片状樹脂を加熱溶融硬化させてもよい。この場合は、さらに位置合わせ精度を向上させることができる。加熱については直接的加熱、間接的加熱を問わず、封止部材を溶融させ、あるいは硬化させるのに必要な熱量を加えられればよい。例えば、高周波による加熱、電磁波による加熱、超音波による加熱、光の照射による加熱等の加熱手法を用いるようにしてもよい。
この場合、外来の電気的ノイズ等に対する、いわゆる電磁遮蔽効果（シールド効果）を有する。
参考７
図１０は、参考例７に係る弾性表面波装置の断面図である。図において、配線基板１は絶縁性基板例えばセラミック、ガラス被覆セラミックおよびガラスエポキシ等の樹脂基板の両表面上に導電性の配線パターン２が形成されている。また、弾性表面波素子３の一主面にはくし歯型電極パターンからなるトランスデューサ部４と、このトランスデューサ部に電気的に接続する配線パターン５が形成されている。また、弾性表面波素子３の他の主面には、ほぼ全面にわたってアルミニウムを蒸着した導電性膜３１が形成されている。また、トランスデューサ部４および配線パターン５の面は、配線基板１に形成された配線パターン２とフェースダウンボンディングにより複数の導電性接合部材例えば金属からなるバンプ６を介して組み立てられる。そして、対向した上記両配線パターン２，５を電気的に接続しかつ、弾性表面波素子３と配線基板１との間に空隙部１０が形成されている。上記バンプは、金（Ａｕ）や銀（Ａｇ）あるいははんだ（Ｓｎ系、Ｐｂ系、Ｉｎ系等）等で構成されている。さらに、弾性表面波素子３の他の主面の導電性膜３１と配線基板１の配線パターン２の一部とは、Ｎｉ，ＦｅもしくはＣｏを主成分とするフェライトからなる磁性体を分散させた樹脂３５によって接続されている。さらに、導電性バンプ６による弾性表面波素子３と配線基板１との接続部および弾性表面波素子３は、熱硬化性エポキシ樹脂の樹脂部１１で包覆されている。
この場合、磁性体は主として１ＧＨｚ以上の高周波数領域で電気的に導通状態として作用するため、外来のノイズが誘起されても導電膜でこれを受け、磁性体を分散させた樹脂を介し、さらに配線基板上の配線パターンを通じて接地することができる。
また、熱硬化性エポキシ樹脂の樹脂部１１のかわりに、ＰｂＯ７５％，Ｂ2Ｏ3５％，ＳｉＯ2１％，そのほかＺｎＯ，Ａｌ2Ｏ3，ＴｉＯ2，Ｂｉ2Ｏ3，ＰｂＦ2，ＣｕＯを少量含む低融点ガラスのフリットを成形した加熱溶融型部材を用いることができ、同様な効果が得られる。
参考例８〜１０
図１１は、参考例８〜１０に係る弾性表面波装置の断面図である。図において、配線基板１は絶縁性基板例えばセラミック、ガラス被覆セラミックおよびガラスエポキシ等の樹脂基板の両表面上に導電性の配線パターン２が形成されている。また、弾性表面波素子３の一主面にはくし歯型電極パターンからなるトランスデューサ部４と、このトランスデューサ部に電気的に接続する配線パターン５が形成されている。また、トランスデューサ部４および配線パターン５の面は、配線基板１に形成された配線パターン２とフェースダウンボンディングにより複数の導電性接合部材例えば金属からなるバンプ６を介して組み立てられる。そして、対向した上記両配線パターン２，５を電気的に接続しかつ、弾性表面波素子３と配線基板１との間に空隙部１０が形成されている。上記バンプは、金（Ａｕ）や銀（Ａｇ）あるいははんだ（Ｓｎ系、Ｐｂ系、Ｉｎ系等）等で構成されている。
参考例８においては、さらに、導電性バンプ６による弾性表面波素子３と配線基板１との接続部および弾性表面波素子３は、例えばエポキシ系樹脂等に金属粉末を分散させた樹脂３６からなる樹脂部で包覆されている。この場合、高周波数領域においては金属粉末を分散させた樹脂は抵抗率が小さくなり、電気的に導通状態に近くなるため、外来のノイズが入ってきても樹脂から配線基板上の配線バターンに流れていき、接地することができる。
参考例９においては、さらに、導電性バンプ６による弾性表面波素子３と配線基板１との接続部および弾性表面波素子３は、Ｆｅ，ＣｏもしくはＮｉを主成分とするフェライトからなる磁性体粉末を分散させた樹脂３６からなる樹脂部で包覆されている。この場合、磁性体は主として１ＧＨｚ以上の高周波数領域で電気的に導通状態として作用するため、外来のノイズが誘起されても、磁性体粉末を分散させた樹脂を介し、さらに配線基板上の配線パターンを通じて接地することができる。
参考例１０においては、さらに、導電性バンプ６による弾性表面波素子３と配線基板１との接続部および弾性表面波素子３は、電波吸収体材料を分散させた樹脂３６からなる樹脂部で包覆されている。電波吸収体材料としては、カーボン、フェライトもしくは両者の混合体等が有効である。この場合、外来の電気的ノイズは電波吸収体によりそのエネルギーを吸収されてしまうため、弾性表面波素子へのノイズの影響を軽減することができる。
なお、図１１に示すように、弾性表面波素子３とこれを包覆する樹脂３６との間に、敢えて所定の空隙を設けるようにしてもよい。この樹脂３６は、図１に示した樹脂部１１であってもよいし、他の封止部材であってもよい。この空隙は、封止部材である加熱溶融部材の加熱溶融後の硬化の工程において、弾性表面波素子３の反りを防止するものである。すなわち、弾性表面波素子３と樹脂部との間に空隙がなく弾性表面波素子３と樹脂部とが密着していると、樹脂部である加熱溶融部材の硬化時の縮みに伴って弾性表面波素子３が反ることになるが、この空隙によりこのような反りは防止される。
参考例１１
図１２は、参考例１１に係る弾性表面波装置の断面図である。図において、配線基板１は絶縁性基板例えばセラミック、ガラス被覆セラミックおよびガラスエポキシ等の樹脂基板の両表面上に導電性の配線パターン２が形成されている。また、弾性表面波素子３の一主面にはくし歯型電極パターンからなるトランスデューサ部４と、このトランスデューサ部に電気的に接続する配線パターン５が形成されている。また、トランスデューサ部４および配線パターン５の面は、配線基板１に形成された配線パターン２とフェースダウンボンディングにより複数の導電性接合部材例えば金属からなるバンプ６を介して組み立てられる。そして、対向した上記両配線パターン２，５を電気的に接続しかつ、弾性表面波素子３と配線基板１との間に空隙部１０が形成されている。上記バンプは、金（Ａｕ）や銀（Ａｇ）あるいははんだ（Ｓｎ系、Ｐｂ系、Ｉｎ系等）等で構成されている。さらに、導電性バンプ６による弾性表面波素子３と配線基板１との接続部および弾性表面波素子３は、例えばカーボンからなる導電性フィラーを含有する樹脂４０からなる樹脂部で包覆されている。この場合、高周波数領域においては導電性フィラーを含有させた樹脂は抵抗率が小さくなり、電気的に導通状態に近くなるため、外来のノイズが入ってきても樹脂から配線基板上の配線パターンに流れていき、接地することができる。すなわち、外来の電気的ノイズ等に対する、いわゆる電磁遮蔽効果（シールド効果）を有する。
参考例１２〜１３
図１３（ａ）は、参考例１２に係る弾性表面波装置の断面図である。図において、配線基板１は絶縁性基板例えばセラミック、ガラス被覆セラミックおよびガラスエポキシ等の樹脂基板の両表面上に導電性の配線パターン２が形成されている。また、弾性表面波素子３の一主面にはくし歯型電極パターンからなるトランスデューサ部４と、このトランスデューサ部に電気的に接続する配線パターン５が形成されている。また、トランスデューサ部４および配線パターン５の面は、配線基板１に形成された配線パターン２とフェースダウンボンディングにより複数の導電性接合部材例えば金属からなるバンプ６を介して組み立てられる。そして、対向した上記両配線パターン２，５を電気的に接続しかつ、弾性表面波素子３と配線基板１との間に空隙部１０が形成されている。上記バンプは、金（Ａｕ）や銀（Ａｇ）あるいははんだ（Ｓｎ系、Ｐｂ系、Ｉｎ系等）等で構成されている。さらに、導電性バンプ６による弾性表面波素子３と配線基板１との接続部および弾性表面波素子３は、樹脂部１１で包覆されている。さらに、配線基板１の少なくとも２個所の側部端面に凹部４２が形成されており、かつ、端部に凸部４３が形成された金属板が前記樹脂部１１の少なくとも一部を被覆するように設置され、さらに配線基板１の側部端面に形成された凹部４２と該金属板の端部に形成された凸部４３が噛み合うことにより金属板４１と配線基板１とが一体化されている。
このような構造にすることにより、容易に金属板に平坦部を形成することができ、金属板の平坦部に、例えばスタンプ等の方法によりマーキングを容易に形成することができる。
さらに、金属板４１自体を例えば接触接続等の方法により、配線基板１の配線パターン２の一部、すなわち接地パターンに電気的に接続し接地することにより、マーキングの容易性とともに電磁遮蔽効果をもたせることができ、外来ノイズに対する耐性を上げることができる。
図１３（ｂ）は、参考例１３に係る弾性表面波装置の断面図であり、図１３（ｃ）は斜視図を示したものである。図において、配線基板１は絶縁性基板例えばセラミック、ガラス被覆セラミックおよびガラスエポキシ等の樹脂基板の両表面上に導電性の配線パターン２が形成されている。また、弾性表面波素子３の一主面にはくし歯型電極パターンからなるトランスデューサ部４と、このトランスデューサ部に電気的に接続する配線パターン５が形成されている。また、トランスデューサ部４および配線パターン５の面は、配線基板１に形成された配線パターン２とフェースダウンボンディングにより複数の導電性接合部材例えば金属からなるバンプ６を介して組み立てられる。そして、対向した上記両配線パターン２，５を電気的に接続しかつ、弾性表面波素子３と配線基板１との間に空隙部１０が形成されている。上記バンプは、金（Ａｕ）や銀（Ａｇ）あるいははんだ（Ｓｎ系、Ｐｂ系、Ｉｎ系等）等で構成されている。さらに、導電性バンプ６による弾性表面波素子３と配線基板１との接続部および弾性表面波素子３は、樹脂部１１で包覆されている。さらに、配線基板１の少なくとも２個所の側部端面に切り欠き部４４が形成されており、かつ、端部に突出部４５が形成された金属板４１が前記樹脂部１１の少なくとも一部を被覆するように設置され、さらに配線基板１の側部端面に形成された切り欠き部４４と該金属板の端部に形成された突出部４５が噛み合うことにより金属板４１と配線基板１とが一体化されている。
このような構造とすることにより、金属板を配線基板により精度よく固定でき、金属板の平坦部に例えばスタンプ等の方法によりマーキングを容易に形成することができる。
さらに、金属板４１自体を例えば接触接続等の方法により、配線基板１の配線パターン２の一部、すなわち接地パターンに電気的に接続し接地することにより、マーキングの容易性とともに電磁遮蔽効果をもたせることができ、外来ノイズに対する耐性を上げることができる。
配線基板１の側部端面への凹部４２もしくは切り欠き部４４の形成方法としては、例えば、配線基板を製造する際にグリーンシートを２層ないし３層等の構造にして重ね合わせることにより、製造できる。または、機械的にこれらを形成してもよい。
実施例１
図１４は、実施例１に係る弾性表面波装置の製造方法を説明するための斜視図である。図１４（ａ）において、複数個の配線基板の集合体５０が設置され、分割が容易であるようにまた分割後に個々の配線基板１となるように機械的に溝もしくはミシン目５２が形成されている。
この複数個の配線基板の集合体に対し、それぞれの所定位置に弾性表面波素子を複数個位置決めし、前記素子３と配線基板の集合体５０とを電気的接続部分（図示せず）を介して所定間隔を維持して組立てを行う。
さらに、前記配線基板の集合体５０に対し加熱溶融型薄片状樹脂５１を位置決めし、加熱溶融を行い硬化させる。
この後、図１４（ｂ）のように、複数個の配線基板の集合体５０を前記薄片状樹脂５１とともに溝もしくはミシン目５２に沿って分割して個々の弾性表面波装置を得る。
この場合、ひとつの配線基板の集合体の上に一括して接合部材と弾性表面波素子を組立て、その後にひとつの薄片状樹脂を載置し、封止する、いわゆる多数個取りであるため、生産性を向上させることができる。
実施例２
実施例２として、４ｍｍ×４ｍｍ×０．５ｍｍの形状の配線基板に、バンプ数６、形状２ｍｍ×２ｍｍの弾性表面波素子（中心周波数１．５ＧＨｚ）を３０μｍの空隙を介して接合し電気的に接続したものに、薄片状樹脂（形状４ｍｍ×４ｍｍ×０．４ｍｍ）を載置し、加熱溶融および硬化の条件を変えて封止性能を評価した実施例について説明する。
図１５は、評価で用いた加熱溶融および硬化の時間に対する温度プロファイルを示したものである。また、表１には評価基準となる硬化状態、封止気密性、弾性表面波素子の周波数特性についてそれぞれ１０個ずつ評価した結果を示す。なお、この場合の評価は、硬化状態は目視、封止気密性は不活性液体中への浸積による泡が無いこと、周波数特性は最小挿入損失が３ｄＢ以内であることを良としている。樹脂材料ＡおよびＢは、本発明の薄片状樹脂（熱硬化性エポキシ樹脂）の場合であり、Ａはガラス転移温度１６２℃のビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、Ｂは１３５℃のフェノールノボラック型結晶性エポキシ樹脂を用いたものである。比較例として、従来のポッティング用液状樹脂（ガラス転移温度１３０℃）による場合をＣとして示してある。
【表１】
Figure 0003825475
表１から明らかなように、薄片状樹脂の加熱溶融、硬化に係る工程を３段階、すなわち、（１）薄片状樹脂の加熱溶融により樹脂形状を決める段階、（２）樹脂形状を維持しながらゲル化状態に移行する段階、（３）樹脂の硬化を行う段階、とし、かつ（２〉の工程温度を（１）または（３）より低くすることによって、封止性を向上できる。
しかしながら、（１）の工程温度をガラス転移温度に対して高すぎたり、低すぎたりする場合には、比較例から明らかなようによい封止性は得られない。
実施例３
実施例３に係る弾性表面波装置の製造方法として、圧電体から成るウェハーの一主面上にトランスデューサ部およびこのトランスデューサ部に電気的に接続する配線パターンを複数個形成し、該配線パターン上の一部に複数の接合部材としてAuバンプを形成した後、切断して個々の弾性表面波素子を形成する際に、切断時のブレードの速さおよび切断時に使用する水の比抵抗を変えて、切断状態を評価した実施例について説明する。圧電体ウェハーとして、焦電係数が２．３×１０-5Ｃ／（ｄｅｇ・ｍ2）である３６°ＹカットＬｉＴａＯ3の３インチウェハーを用い、所定のくし歯型電極パターンからなるトランスデューサー部とこれに電気的に接続され信号を供給するための配線パターンとをＡｌ膜にてＰＥＰ等の方法により形成した。この配線パターンの一部にＡｕバンプを形成した後、このウェハーを２ｍｍ×２ｍｍの大きさの個々の弾性表面波素子に切断し、切断後の弾性表面波素子５０個について切断状態を評価した結果を表２に示す。また、比較例として、本発明の範囲外の切断条件による結果を示す。
【表２】
Figure 0003825475
表２から明らかなように、圧電体から成るウェハーの一主面上にトランスデューサ部およびこのトランスデューサ部に電気的に接続する配線パターンを複数個形成し、該配線パターン上の一部に複数の接合部材を形成した後、切断して個々の弾性表面波素子を形成する際に、切断時のスピードを毎秒１０ｍｍ以上５０ｍｍ以下とし、かつ、切断時に使用する水の比抵抗を０．０１ＭΩｃｍ以上１００ＭΩｃｍ以下とし、切断条件を制御することにより、切断する際に生ずる静電気による障害を回避することができる。より、具体的には、弾性表面波素子のトランスデューサ部もしくは電極配線パターンの破壊・変質を防ぐことができる。
なお、圧電体ウェハーとして、３６°ＹカットＬｉＴａＯ3を用いたが、他のウェハーでも同様な結果が得られた。
参考例１４
参考例１４の弾性表面波装置の製造方法について説明する。
まず、電気的接続部分となる接合部材を配線基板の少なくとも一主面に形成された配線パターン上に形成した。配線基板の配線パターン上にはＡｕめっきを施してある。この場合の接合部材として、Ａｕバンプを用いた。その後、配線基板に対し所定位置に弾性表面波素子を位置決めし、弾性表面波素子と配線基板とを電気的接続部分を介して所定間隔を維持して組み立てた。この際に、素子を加熱するとともに超音波を併用して接合を行った。その後、配線基板に対し加熱溶融型薄片状樹脂を位置決めし、前記薄片状樹脂を加熱溶融して、前記基板と前記素子との間に空隙部を残した構造の弾性表面波装置を得た。
比較のため、電気的接合部分である接合部材を、弾性表面波素子を形成するウェハーの一主面上にトランスデューサ部およびこのトランスデューサ部に電気的に接続する配線パターンを複数個形成した後、該配線パターン上の一部に超音波併用加熱により形成し、切断して得た個々の弾性表面波素子を用い、その後、配線基板に対し所定位置に弾性表面波素子を位置決めし、弾性表面波素子と配線基板とを電気的接続部分を介して所定間隔を維持して組み立てた。この際に、素子を加熱するとともに超音波を併用して接合を行った。その後、配線基板に対し加熱溶融型薄片状樹脂を位置決めし、前記薄片状樹脂を加熱溶融して、前記基板と前記素子との間に空隙部を残した構造の、比較例の弾性表面波装置を得た。
これらに対して２００℃の条件で高温放置試験を１００時間課してその後に特性が劣化した弾性表面波装置の数を比較した。特性劣化は最小挿入損失の変化が１ｄＢ以上の場合と判定した。結果は、本発明の弾性表面波装置の製造方法である接合部材を先に配線基板の配線パターン上に形成した場合には、特性劣化が１／５０であったのに対して、接合部材を先にウェハーの配線パターン上に形成した比較例の場合には、特性劣化が１０／５０であった。
この結果から明らかなように、電気的接続部分である導電性接合部材を前記配線基板の少なくとも一主面に形成された配線パターン上に形成した後、前記素子と配線基板とを該導電性接合部材を介して所定間隔を維持して組み立てることにより、弾性表面波素子と電気的接続部分である導電性接合部材との接合の界面に対する工程中の熱履歴をより少なくできるため、接合強度を向上でき、さらに信頼性の向上をはかることができる。
以上の参考例５〜１３における各弾性表面波装置を実際に作成しノイズレベル等を測定した結果を表３に示す。
【表３】
Figure 0003825475
参考例１５
図１６（ａ）は、参考例１５に係る弾性表面波装置の断面図である。図において、配線基板１は絶縁性基板例えばセラミック、ガラス被覆セラミックおよびガラスエポキシ等の樹脂基板の両表面上に導電性の配線パターン２が形成されている。また、弾性表面波素子３の一主面にはくし歯型電極パターンからなるトランスデューサ部４と、このトランスデューサ部に電気的に接続する配線パターン５が形成されている。また、トランスデューサ部４および配線パターン５の面は、配線基板１に形成された配線パターン２とフェースダウンボンディングにより複数の導電性接合部材例えば金属からなるバンプ６を介して組み立てられる。そして、対向した上記両配線パターン２，５を電気的に接続しかつ、弾性表面波素子３と配線基板１との間に空隙部１０が形成されている。上記バンプは、金（Ａｕ）や銀（Ａｇ）あるいははんだ（Ｓｎ系、Ｐｂ系、Ｉｎ系等）等で構成されている。さらに、弾性表面波素子３の他の主面と樹脂部１１の間の少なくとも一部に緩衝材６０が配置されている。さらに、導電性バンプ６による弾性表面波素子３と配線基板１との接続部および弾性表面波素子３は、加熱溶融型部材である熱硬化性ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂を主体とする樹脂部１１で包覆されている。
図１６（ｂ）は、樹脂部１１により包覆する前の配線基板１の平面図の一例を示したものであり、弾性表面波素子３の他の主面には緩衝材６０が載置されている。
緩衝材としては、例えばゴム弾性体シートのような弾力性に富んだ材料があげられる。もしくは、金属箔やパラフィン紙を２層としたものを配置してもよい。このような構成とすることにより、樹脂の硬化時における収縮に伴う応力歪みを緩和することができる。このような緩衝材は、弾性表面波素子３の他の主面の全面を覆うように配置してもよいし、一部を覆うように配置してもよい。
なお、このような緩衝材は、次のような製造工程によって形成してもよい。
すなわち、図４８（ａ）に示すように凹状の樹脂部１１の底部に液状シリコーン３００を塗布する。次に、弾性表面波素子３を覆うように凹状の樹脂部１１を載せる。そして、凹状の樹脂部１１を加熱溶融して弾性表面波素子３を封止する。その際、図４８（ｂ）に示すように、前記の液状シリコーン３００はゴム状になり、これが緩衝材となる。この場合、液状シリコーン３００は、加熱溶融後は緩衝材の機能をもつが、その前段階においていわば糊のような役割を果たし、加熱溶融型部材を位置決めすることになる。
また、緩衝材としていくつかの材料を挙げたが、樹脂部１１と素子３との間に空隙部（気体）を設けてもよい。すなわち、図４９（ａ）に示すように、樹脂６０の材料としてエポキシ樹脂の充填密度は小さくし、すなわち冷間圧縮成形の成形密度を第１実施例のものより小さくし、樹脂中に気泡を残し、加熱溶融後も上記空隙が残るようにしてもよい。また、図４９（ｂ）に示すように、充填材の密度の異なるつまり気泡の密度の異なる２層の樹脂材料を用いてもよい。すなわち、素子３に面する側には低充填密度（流動性小なる材料）のエポキシ樹脂６０ｂ、他の層には第１の参考例に用いられたような高充填密度（流動性大なる材料）の樹脂６０ａを用いることにより、実現可能とする。なお、ここで用いる材料の流動性は硬化剤またはフィラー材の量を変えることによって制御が可能である。
とになる。
参考例１６
図１７（ａ）は、参考例１６に係る弾性表面波装置の断面図である。図において、配線基板１は絶縁性基板例えばセラミック、ガラス被覆セラミックおよびガラスエポキシ等の樹脂基板の両表面上に導電性の配線パターン２が形成されている。また、弾性表面波素子３の一主面にはくし歯型電極パターンからなるトランスデューサ部４と、このトランスデューサ部に電気的に接続する配線パターン５が形成されている。また、トランスデューサ部４および配線パターン５の面は、配線基板１に形成された配線パターン２とフェースダウンボンディングにより複数の導電性接合部材例えば金属からなるバンプ６を介して組み立てられる。そして、対向した上記両配線パターン２，５を電気的に接続しかつ、弾性表面波素子３と配線基板１との間に空隙部１０が形成されている。上記バンプは、金（Ａｕ）や銀（Ａｇ）あるいははんだ（Ｓｎ系、Ｐｂ系、Ｉｎ系等）等で構成されている。さらに、導電性バンプ６による弾性表面波素子３と配線基板１との接続部および弾性表面波素子３は、ガラスフィラーを含有する樹脂６１からなる熱硬化性エポキシ樹脂の樹脂部１１で包覆されている。
図１７（ｂ）は、前記ガラスフィラーを含有する樹脂６１からなる樹脂部１１により包覆する前の配線基板１の平面図の一例を示したものである。
ガラスフィラーとしては、例えば、溶融シリカや、無定形シリカ、結晶性シリカもしくは、ＰｂＯ−Ｂ2Ｏ3系やＳｉＯ2、Ａｌ2Ｏ3、ＰｂＦ2等を含んだ低融点ガラス等があげられる。ここでは溶融シリカの破砕品を使用した。その形状は、平均粒径が０．５μｍから５μｍの大きさの範囲で分散していた。このような構造とすることにより、樹脂部の熱膨張率を小さくでき、弾性表面波素子や配線基板の熱膨張率に近づけることができるため、応力歪みを緩和し、熱衝撃性等の信頼性を向上させることができ、機械的強度を向上させることができる。
参考例１７
図１８（ａ）は、参考例１７に係る弾性表面波装置の断面図を示したもので、加熱溶融型部材１１を省いた状態を示すものである。図において、配線基板１は絶縁性基板例えばセラミック、ガラス被覆セラミックおよびガラスエポキシ等の樹脂基板の両表面上に導電性の配線パターン２が形成されている。また、弾性表面波素子３の一主面にはくし歯型電極パターンからなるトランスデューサ部４と、このトランスデューサ部に電気的に接続する配線パターン５が形成されている。また、トランスデューサ部４および配線パターン５の面は、配線基板１に形成された配線パターン２とフェースダウンボンディングにより複数の導電性接合部材例えば金属からなるバンプ６を介して組み立てられる。そして、対向した上記両配線パターン２，５を電気的に接続しかつ、弾性表面波素子３と配線基板１との間に空隙部１０が形成されている。上記バンプは、金（Ａｕ）や銀（Ａｇ）あるいははんだ（Ｓｎ系、Ｐｂ系、Ｉｎ系等）等で構成されている。さらに、導電性バンプ６による弾性表面波素子３と配線基板１との接続部および弾性表面波素子３は、熱硬化性エポキシ樹脂の樹脂部（図示しない）で包覆されている。
図１８（ｂ）は、さらに弾性表面波素子３を省いた状態の平面図を示すものである。ここで、接合部材６が配置されるべき位置６６は、弾性表面波素子３の長辺ｗａに対して中央部近傍領域ｗｂに配置されている。より好ましい形態は、ｗｂ／ｗａが０．７５より小さいことである。
図１９はこの参考例の弾性表面波素子３の平面図である。
同図に示すように、比較的細長い矩形の圧電性基板１００上には、複数対の櫛歯状電極１０２が形成されている。また、圧電性基板１００上には、櫛歯状電極１０２を挟むように吸音剤１０４が形成されている。さらに、圧電性基板１００上のほぼ中央の両側には、複数の外部接続端子１０１が集中して設けられている。そして、このほぼ中央に設けられた外部接続端子１０１とこれに接続される比較的外側の櫛歯状電極１０２とは、外部接続端子１０１を延在することで電気的に接続されている。
因みにこの種の従来の弾性表面波素子の構成を図２０に示す。従来の弾性表面波素子の外部接続端子１０１は、各電極に最も近くなる、つまり延在部が生じないような位置に配置されている。
さらに、弾性表面波素子としてそれほど細長くない形状のものを図２１に示す。なお、符号１０３は反射器部である。この形状の弾性表面波素子は、本発明に係る弾性表面波装置に適用することができる。
このように、複数の接合部材を前記素子の中央部近傍領域に対向した位置に集中して配置することによって、各構成要素の熱膨張率の差による応力歪みの集中を緩和することができる。これは、特に細長い形状の弾性表面波素子３を用いる場合には非常に有効である。また、いうまでもなく、接合部材６は、配線基板１側に先に形成するか、弾性表面波素子３側に先に形成するかは、任意であり、いずれの場合も本発明の範囲に含まれる。
参考例１８
図２２は、参考例１８に係る弾性表面波装置を示したものであり、加熱溶融型部材１１および弾性表面波素子３を省いた状態の平面図を示すものである。図において、配線基板１は絶縁性基板例えばセラミック、ガラス被覆セラミックおよびガラスエポキシ等の樹脂基板の両表面上に導電性の配線パターン２が形成されている。また、弾性表面波素子（図示しない）の一主面にはくし歯型電極パターンからなるトランスデューサ部と、このトランスデューサ部に電気的に接続する配線パターン５が形成されている。また、トランスデューサ部および配線パターンの面は、配線基板１に形成された配線パターン２とフェースダウンボンディングにより複数の導電性接合部材例えば金属からなるバンプ６を介して組み立てられる。弾性表面波素子３が配置されるべき位置６３は配線基板１のほぼ中央部にある。また、対向した上記両配線パターン２，５を電気的に接続しかつ、弾性表面波素子３と配線基板１との間に空隙部（図示しない）が形成されている。上記バンプは、金（Ａｕ）や銀（Ａｇ）あるいははんだ（Ｓｎ系、Ｐｂ系、Ｉｎ系等）等で構成されている。さらに、導電性バンプ６による弾性表面波素子３と配線基板１との接続部および弾性表面波素子３は、熱硬化性エポキシ樹脂の樹脂部（図示しない）で包覆されている。ここで、前記の電気的接続に預かる複数の接合部材６７は弾性表面波素子の中央部近傍領域に対向した位置に集中して配置されている。さらに、電気的接続に預からない複数の接合部材６８は弾性表面波素子の周辺部領域に対向した位置に配置されている。
図２３はこの参考例の弾性表面波素子３の平面図である。
同図に示すように、比較的細長い矩形の圧電性基板１００上のほぼ中央には、一対の櫛歯状電極１０２が形成されている。また、圧電性基板１００上には、櫛歯状電極１０２を挟むように反射部１０３が形成されている。さらに、圧電性基板１００上のほぼ中央の両側には、複数の外部接続端子１０１が集中して設けられている。そして、圧電性基板１００上の比較的外側には、電気的接続に預からないボンディングパット部１０５が設けられている。
このようにすると、弾性表面波素子３と配線基板１との接続をより確実にできるとともに、弾性表面波素子３の周辺部領域に対向した位置に配置された複数の接合部材６８が前記薄片状樹脂の弾性表面波素子のトランスデューサ部への浸入を防止する。また、この効果は、特に細長い形状の弾性表面波素子を用いる場合に有効である。また、いうまでもなく、接合部材６は、配線基板１側に先に形成するか、弾性表面波素子３側に先に形成するかは、任意であり、いずれの場合も本発明の範囲に含まれる。
参考例１９
図２４は、参考例１９に係る弾性表面波装置の断面図である。図において、配線基板１は絶縁性基板例えばセラミック、ガラス被覆セラミックおよびガラスエポキシ等の樹脂基板の両表面上に導電性の配線パターン２が形成されている。前記導電性の配線パターン２の一部は、その導電材料の厚みが他の部分より厚い配線パターン７１となっている。また、弾性表面波素子３の一主面にはくし歯型電極パターンからなるトランスデューサ部４と、このトランスデューサ部に電気的に接続する配線パターン５が形成されている。さらに、弾性表面波素子３の一主面には弾性表面波吸収材７０が配置されている。また、トランスデューサ部４および配線パターン５の面は、配線基板１に形成された導電材料の厚みが厚い配線パターン７１とフェースダウンボンディングにより複数の導電性接合部材例えば金属からなるバンプ６を介して組み立てられる。そして、対向した上記両配線パターン７１と５を電気的に接続しかつ、弾性表面波素子３と配線基板１との間に空隙部１０が形成されている。上記バンプは、金（Ａｕ）や銀（Ａｇ）あるいははんだ（Ｓｎ系、Ｐｂ系、Ｉｎ系等）等で構成されている。さらに、導電性バンプ６による弾性表面波素子３と配線基板１との接続部および弾性表面波素子３は、加熱溶融型部材である熱硬化性エポキシ樹脂を主体とする樹脂部１１で包覆されている。
このような構造にすると、導電性接合部材６の厚みが小さくても、導電材料の厚みと加えあわせることができるため、弾性表面波素子３と配線基板１との間の適正量の空隙部を有効に確保できる。導電材料の厚みが厚いパターン７１と通常の配線パターンの厚みの差は実質的に５〜１００μｍの範囲となるようにする。
このような構造を得るためには、配線基板の配線パターンを形成する際に、次の方法を任意に選択することができる。
Ａｌ2Ｏ3やガラスセラミック（いわゆる低温焼成基板）等のセラミックを配線基板として用いる場合には、配線基板を焼成する前の生の状態のシートの配線パターンを形成すべき部分に、導電性ペースト、例えばタングステンのペーストをスクリーン印刷法により塗布し、乾燥させた後、セラミックと導電性ペーストを同時焼成する。こうして配線基板上に配線パターン２が形成される。このとき、配線パターンの少なくとも一部の必要な個所にスクリーン印刷法を複数回繰り返すことにより、その部分の導電性ペーストの厚みは他の部分より厚く形成できる。したがって、同時焼成後の配線基板には、導電材料の厚みが厚い配線パターンの部分７１が容易に形成できる。
セラミックまたはガラスエポキシなどを配線基板として用いる場合には、これに替えて、焼成後のセラミックもしくは型成形後のガラスエポキシに対して、配線パターンの少なくとも一部を導電ペーストを用いたスクリーン印刷法により複数回塗布し、焼き付けることにより、導電材料の厚みが厚い配線パターン７１を形成することができる。
また、さらに、配線基板の配線パターンを形成する際に、導電性金属の蒸着もしくはスパッタ等の真空成膜法を単独で用いることも上記のスクリーン印刷法と併せて用いることもできる。この場合、厚みを必要とする部分以外の領域をマスクする等の方法により、配線パターンの必要とする部分を蒸着もしくはスパッタ等の成膜方法により他の部分より厚く成膜することができる。
参考例２０
図２５は、参考例２０に係る弾性表面波装置の断面図である。図において、配線基板１は絶縁性基板例えばセラミック、ガラス被覆セラミックおよびガラスエポキシ等の樹脂基板の両表面上に導電性の配線パターン２が形成されている。また、配線基板１の配線パターン２の一部は、配線基板材料の厚みが他の部分より厚い領域７２に形成されている。また、弾性表面波素子３の一主面にはくし歯型電極パターンからなるトランスデューサ部４と、このトランスデューサ部に電気的に接続する配線パターン５が形成されている。さらに、弾性表面波素子３の一主面には弾性表面波吸収材７０が配置されている。また、トランスデューサ部４および配線パターン５の面は、配線基板１に形成された配線基板材料の厚みが他の部分より厚い領域７２の配線パターン２とフェースダウンボンディングにより複数の導電性接合部材例えば金属からなるバンプ６を介して組み立てられる。そして、対向した上記両配線パターン２，５を電気的に接続しかつ、弾性表面波素子３と配線基板１との間に空隙部１０が形成されている。上記バンプは、金（Ａｕ）や銀（Ａｇ）あるいははんだ（Ｓｎ系、Ｐｂ系、Ｉｎ系等）等で構成されている。さらに、導電性バンプ６による弾性表面波素子３と配線基板１との接続部および弾性表面波素子３は、熱硬化性エポキシ樹脂の樹脂部１１で包覆されている。
このような構造とすることによって、導電性接合部材の厚みが小さくても、配線基板材料の厚みと加えあわせることができるため、弾性表面波素子と配線基板との間の適正量の空隙部を有効に確保できる。配線基板材料の厚みの差は５〜１００μｍの範囲にあることが好ましい。
このような構造を得るためには、配線基板を形成する際に、次の方法を任意に選択することができる。
例えば、Ａｌ2Ｏ3やガラスセラミック等のセラミックを用いて配線基板を形成する際に、焼成前のセラミックグリーンシートに対し電気的接続部分となる接合部材に対向する部分およびその近傍の領域に相当する部分のグリーンシートを付加して焼成することによって、配線基板材料の厚みが他の部分より厚い領域７２を容易に形成することができる。この厚みの差は実質的に５〜５００μｍ、より好ましくは５〜１００μｍである。
また、ガラスエポキシやベークライト等の配線基板の場合には、必要とする配線基板の領域のみを複数枚はりあわせることにより、配線基板材料の厚みが他の部分より厚い領域７２を容易に形成できる。
参考例２１〜２３
図２６（ａ）は、参考例２１に係る弾性表面波装置の断面図である。図において、配線基板１は絶縁性基板例えばセラミック、ガラス被覆セラミックおよびガラスエポキシ等の樹脂基板の両表面上に導電性の配線パターン２が形成されている。また、弾性表面波素子３の一主面にはくし歯型電極パターンからなるトランスデューサ部４と、このトランスデューサ部に電気的に接続する配線パターン５が形成されている。さらに、弾性表面波素子３の一主面には弾性表面波吸収材７０が配置されている。また、トランスデューサ部４および配線パターン５の面は、配線基板１に形成された配線パターン２とフェースダウンボンディングにより複数の導電性金属バンプ６を複数個ずつほぼ同一位置に積み重ねた接合部材７５を介して組み立てられる。そして、対向した上記両配線パターン２，５を電気的に接続しかつ、弾性表面波素子３と配線基板１との間に空隙部１０が形成されている。上記バンプは、金（Ａｕ）や銀（Ａｇ）あるいははんだ（Ｓｎ系、Ｐｂ系、Ｉｎ系等）等で構成されている。さらに、導電性バンプ６による弾性表面波素子３と配線基板１との接続部および弾性表面波素子３は、熱硬化性エポキシ樹脂の樹脂部１１で包覆されている。
図２６（ｂ）は、図２６（ａ）の部分拡大図を示したもので、弾性表面波吸収材７０の厚みｗａは、ほぼ同一位置に積み重ねられた導電性接合部材７５の高さ（配線パターンの厚みを含める）ｗｂよりも小さい。ｗｂは実質的に３０〜１５０μｍの範囲にあることが好ましい。
このように電気的接続部分となる導電性接合部材の厚みを制御することによっても、弾性表面波素子と配線基板との間の適正量の空隙部を有効に確保できる。
この場合、配線基板の基板材料厚みもしくは導電材料の厚みを部分的に変える必要がないため、製造がより簡単になる。
図２６（ｃ）は、参考例２２に係る弾性表面波装置の断面図を示したものである。この例においては、弾性表面波素子３の一主面には弾性表面波吸収材７０が配置されている。また、さらに、弾性表面波素子３の他の主面には弾性表面波吸収材７０ｂが配置されている。
図２６（ｄ）は、参考例２３に係る弾性表面波装置の断面図を示したものである。この例においては、樹脂部１１と弾性表面波素子３の他の主面に配置された弾性表面波吸収材７０ｂとの間に金属箔７６が設置され、その一部が配線基板１上の配線パターン２ｂに接触接続されている。このため、外来のノイズが誘起されても金属箔が存在することにより、電磁的に遮蔽できるいわゆるシールド効果を持たせることができる。
参考例２４
図２７（ａ）は、参考例２４に係る弾性表面波装置の断面図を示したものである。図において、配線基板１は絶縁性基板例えばセラミック、ガラス被覆セラミックおよびガラスエポキシ等の樹脂基板の両表面上に導電性の配線パターン２が形成されている。また、弾性表面波素子３の一主面にはくし歯型電極パターンからなるトランスデューサ部４と、このトランスデューサ部に電気的に接続する配線パターン５が形成されている。さらに、弾性表面波素子３の一主面には弾性表面波吸収材７０が配置されている。また、トランスデューサ部４および配線パターン５の面は、配線基板１に形成された配線パターン２とフェースダウンボンディングにより複数の導電性接合部材例えば金属バンプ６を介して組み立てられる。そして、対向した上記両配線パターン２，５を電気的に接続しかつ、弾性表面波素子３と配線基板１との間に空隙部１０が形成されている。上記バンプは、金（Ａｕ）や銀（Ａｇ）あるいははんだ（Ｓｎ系、Ｐｂ系、Ｉｎ系等）等で構成されている。さらに、導電性バンプ６による弾性表面波素子３と配線基板１との接続部および弾性表面波素子３は、熱硬化性エポキシ樹脂の樹脂部１１で包覆されている。
図２７（ｂ）は、図２７（ａ）の部分拡大図を示したもので、弾性表面波吸収材７０の厚みｗａは、複数の導電性接合部材６の高さ（配線パターンの厚みを含める）ｗｂよりも小さくなっている。
このような構造は、導電性接合部材として、導電性のボールバンプ、例えばAuバンプもしくははんだバンプを用い、ボールバンプを形成する際の導電性細線（ワイヤ）の太さもしくは径をかえることにより、ボールの大きさを変えることができるため、ボールバンプを弾性表面波素子３側か配線基板１側かいずれに形成するかにかかわらず容易に形成できる。上記の太さもしくは径をかえる方法としては、バンプ自体の大きさをかえる他、バンプ形成時にバンプに対する圧力を弱くする等の方法がある。
また、弾性表面波吸収材７０を配置する際の方法として、有機溶剤などの希釈剤で弾性表面波吸収材を薄め、塗布してもよい。この場合、有機溶剤としては、テルピネオール、石油ナフサ等を用いることができる。弾性表面波吸収材の乾燥工程でこれらの有機溶剤は揮発するため、その結果、弾性表面波吸収材７０の厚みｗａを薄く形成することができ、ｗｂより小さくすることができる。また、いうまでもなく、導電性接合部材６は、配線基板１側に先に形成するか、弾性表面波素子３側に先に形成するかは、任意であり、いずれの場合も本発明の範囲に含まれる。
参考例２５
図２８（ａ）は、参考例２５に係る弾性表面波装置の断面図である。
図において、配線基板１は絶縁性基板例えばセラミック、ガラス被覆セラミックおよびガラスエポキシ等の樹脂基板の両表面上に導電性の配線パターン２が形成されている。また、弾性表面波素子３の一主面にはくし歯型電極パターンからなるトランスデューサ部４と、このトランスデューサ部に電気的に接続する配線パターン５が形成されている。また、トランスデューサ部４および配線パターン５の面は、配線基板１に形成された配線パターン２フェースダウンボンディングにより複数の導電性接合部材例えば金属からなるバンプ６を介して組み立てられる。そして、対向した上記両配線パターン２，５を電気的に接続しかつ、弾性表面波素子３と配線基板１との間に空隙部１０が形成されている。上記バンプは、金（Ａｕ）や銀（Ａｇ）あるいははんだ（Ｓｎ系、Ｐｂ系、Ｉｎ系等）等で構成されている。さらに、導電性バンプ６による弾性表面波素子３と配線基板１との接続部および弾性表面波素子３はエポキシ等の樹脂またはガラス１１で包覆されている。
図２８（ｂ）は、図２８（ａ）の線Ａ−Ａに沿って切断して示す平面図であり、図中、バンプ６及び弾性表面波素子３は２点鎖線で想像線を示している。そして、配線パターン２の端部位置には弾性表面波素子側に設けられた導電性バンプ６との電気的接続位置を示しており、弾性表面波素子３と配線基板１とはフェースダウンボンディングにより導電性バンプ６を介して電気的に接続される。
図２９は、図２８の弾性表面波装置の製造方法を説明する図であり、（ａ）〜（ｃ）は工程を順に示すものである。
すなわち、図２９（ａ）では配線基板１に弾性表面波素子３に設けた複数の導電性バンプ６を介して弾性表面波素子３を接合した状態を示し、さらに、配線基板１が１５０℃〜２００℃程度の温度に加熱されており、またエポキシ系の液状樹脂８０が用意されている。この場合の粘性は低く調整されている。続いて、図２９（ｂ）のように、液状樹脂８０を弾性表面波素子３の他の主面上に滴下させると、該素子３の側部に樹脂が回り込み、さらに加熱されているため液状樹脂の粘度が上がり、滴下された樹脂８３がその形状に保持される。さらに、図２９（ｃ）に示すように、液状樹脂８０をその量を制御しながら滴下することによって、高い粘性を保ちながら弾性表面波素子３を包覆するまでに変形し、周囲は配線基板１と接合し、その後引き続く加熱により樹脂１１は硬化し樹脂形状が定まることになる。引き続く加熱は、例えば１２５℃で３時間加熱し、さらに１５０℃で６時間程度加熱することにより硬化が完了する。
なお、樹脂１１または８３は充分、粘性を高くすることによって、弾性表面波素子３のトランスデューサ部表面に流れ込むことはない。したがって、弾性表面波装置の機能に障害となることはない。
また、樹脂のかわりにＰｂＯ ７５％，Ｂ2Ｏ3 ５％，ＳｉＯ2 １％を含有する硼珪酸鉛ガラスを用い、同様に行っても、滴下された液状ガラスが冷却して固化し、同じ効果が得られた。
参考例２６
図３０（ａ）は、参考例２６に係る弾性表面波装置の断面図である。
図において、配線基板１は絶縁性基板例えばセラミック、ガラス被覆セラミックおよびガラスエポキシ等の樹脂基板の両表面上に導電性の配線パターン２が形成されている。また、弾性表面波素子３の一主面にはくし歯型電極パターンからなるトランスデューサ部４と、このトランスデューサ部に電気的に接続する配線パターン５が形成されている。
また、弾性表面波素子３の他の主面には、図３０（ｃ）に示すように、ほぼ全面にわたって導電性膜３１が形成されている。
また、トランスデューサ部４および配線パターン５の面は、配線基板１に形成された配線パターン２とフェースダウンボンディングにより複数の導電性接合部材例えば金属からなるバンプ６を介して組み立てられる。そして、対向した上記両配線パターン２，５を電気的に接続しかつ、弾性表面波素子３と配線基板１との間に空隙部１０が形成されている。上記バンプは、金（Ａｕ）や銀（Ａｇ）あるいははんだ（Ｓｎ系、Ｐｂ系、Ｉｎ系等）等で構成されている。さらに、弾性表面波素子３の他の主面の導電性膜３１と配線基板１の配線パターン２の一部とは、導電性物質３２によって電気的に接続されている。
さらに、導電性バンプ６による弾性表面波素子３と配線基板１との接続部および弾性表面波素子３は、上記した滴下によりエポキシ等の樹脂またはガラス１１で包覆されている。
図３０（ｂ）は、樹脂１１により包覆する前の配線基板１の平面図の一例を示したものであり、弾性表面波素子３の他の主面に形成された導電性膜３１は、配線基板１の配線パターン２の一部、例えば接地パターンに、導電性物質３２を介して電気的に接続されている。
前記導電性物質３２としては、例えば、Ａｕ線やＡｌ線等のボンディングワイヤ、Ａｇを含むエポキシ系導電性ペースト、異方性導電樹脂（ＡＣＦ）等が含まれる。また、前記導電性膜３１としては、例えば、蒸着またはスパッタ等により成膜したＡｌ膜、Ａｕ膜等が含まれる。
この場合、外来の電気的ノイズ等に対する、いわゆる電磁遮蔽効果（シールド効果）を有する。
また、導電性物質３２の代わりに、フェライト等の磁性体を分散させた樹脂によって接続することもできる。この場合、磁性体は主として１ＧＨｚ以上の高周波数領域で電気的に導通状態として作用するため、外来のノイズが誘起されても導電膜でこれを受け、磁性体を分散させた樹脂を介し、さらに配線基板上の配線パターンを通じて接地することができる。
参考例２７
図３１（ａ）は、参考例２７に係る弾性表面波装置の断面図である。
図において、配線基板１は絶縁性基板例えばセラミック、ガラス被覆セラミックおよびガラスエポキシ等の樹脂基板の両表面上に導電性の配線パターン２が形成されている。また、弾性表面波素子３の一主面にはくし歯型電極パターンからなるトランスデューサ部４と、このトランスデューサ部に電気的に接続する配線パターン５が形成されている。
また、トランスデューサ部４および配線パターン５の面は、配線基板１に形成された配線パターン２とフェースダウンボンディングにより複数の導電性接合部材例えば金属からなるバンプ６を介して組み立てられる。そして、対向した上記両配線パターン２，５を電気的に接続しかつ、弾性表面波素子３と配線基板１との間に空隙部１０が形成されている。上記バンプは、金（Ａｕ）や銀（Ａｇ）あるいははんだ（Ｓｎ系、Ｐｂ系、Ｉｎ系等）等で構成されている。さらに、弾性表面波素子３の他の主面と樹脂部１１との間隙の少なくとも一部に、金属性箔３３が設置されており、この金属性箔３３の端部３４が配線基板１の配線パターン２の少なくとも一部に接触し電気的に接続されている。
さらに、導電性バンプ６による弾性表面波素子３と配線基板１との接続部および弾性表面波素子３は、例えばエポキシ等の樹脂またはガラス１１などを滴下したり流し込んだりして硬化させた封止部材により包覆されている。
図３１（ｂ）は、樹脂１１を滴下したり流し込んだりして硬化させて包覆する前の配線基板１の平面図の一例を示したものであり、弾性表面波素子３の他の主面上に載置された金属性箔３３の端部３４が配線基板１の配線パターン２の一部、例えば接地パターンに接触し、電気的に接続されている。
このような金属性箔３３は、アルミホイルや銅箔などのよく知られた安価なものを使用することができる。したがって、外来の電気的ノイズ等に対する、いわゆる電磁遮蔽効果（シールド効果）を有する。
参考例２８、２９
図３２（ａ）は、参考例２８に係る弾性表面波装置の断面図である。
図において、配線基板１は絶縁性基板例えばセラミック、ガラス被覆セラミックおよびガラスエポキシ等の樹脂基板の両表面上に導電性の配線パターン２が形成されている。また、弾性表面波素子３の一主面にはくし歯型電極パターンからなるトランスデューサ部４と、このトランスデューサ部に電気的に接続する配線パターン５が形成されている。また、トランスデューサ部４および配線パターン５の面は、配線基板１に形成された配線パターン２とフェースダウンボンディングにより複数の導電性接合部材例えば金属からなるバンプ６を介して組み立てられる。そして、対向した上記両配線パターン２，５を電気的に接続しかつ、弾性表面波素子３と配線基板１との間に空隙部１０が形成されている。上記バンプは、金（Ａｕ）や銀（Ａｇ）あるいははんだ（Ｓｎ系、Ｐｂ系、Ｉｎ系等）等で構成されている。さらに、導電性バンプ６による弾性表面波素子３と配線基板１との接続部および弾性表面波素子３は、上記した滴下により樹脂またはガラス１１で包覆されている。
さらに、配線基板１の少なくとも２個所の側部端面に凹部４２が形成されており、かつ、端部に凸部４３が形成された金属板が前記樹脂１１の少なくとも一部を被覆するように設置され、さらに配線基板１の側部端面に形成された凹部４２と該金属板の端部に形成された凸部４３が噛み合うことにより金属板４１と配線基板１とが一体化されている。
このような構造にすることにより、容易に金属板に平坦部を形成することができ、金属板の平坦部に、例えばスタンプ等の方法によりマーキングを容易に形成することができる。
さらに、金属板４１自体を例えば接触接続等の方法により、配線基板１の配線パターン２の一部、すなわち接地パターンに電気的に接続し接地することにより、マーキングの容易性とともに電磁遮蔽効果をもたせることができ、外来ノイズに対する耐性を上げることができる。
図３２（ｂ）は、参考例２９に係る弾性表面波装置の断面図であり、（ｃ）は斜視図を示したものである。
図において、配線基板１は絶縁性基板例えばセラミック、ガラス被覆セラミックおよびガラスエポキシ等の樹脂基板の両表面上に導電性の配線パターン２が形成されている。また、弾性表面波素子３の一主面にはくし歯型電極パターンからなるトランスデューサ部４と、このトランスデューサ部に電気的に接続する配線パターン５が形成されている。また、トランスデューサ部４および配線パターン５の面は、配線基板１に形成された配線パターン２とフェースダウンボンディングにより複数の導電性接合部材例えば金属からなるバンプ６を介して組み立てられる。そして、対向した上記両配線パターン２，５を電気的に接続しかつ、弾性表面波素子３と配線基板１との間に空隙部１０が形成されている。上記バンプは、金（Ａｕ）や銀（Ａｇ）あるいははんだ（Ｓｎ系、Ｐｂ系、Ｉｎ系等）等で構成されている。さらに、導電性バンプ６による弾性表面波素子３と配線基板１との接続部および弾性表面波素子３は、上記した滴下により樹脂またはガラス１１で包覆されている。さらに、配線基板１の少なくとも２個所の側部端面に切り欠き部４４が形成されており、かつ、端部に突出部４５が形成された金属板４１が前記樹脂１１の少なくとも一部を被覆するように設置され、さらに配線基板１の側部端面に形成された切り欠き部４４と該金属板の端部に形成された突出部４５が噛み合うことにより金属板４１と配線基板１とが一体化されている。
このような構造とすることにより、金属板を配線基板により精度よく固定でき、金属板の平坦部に例えばスタンプ等の方法によりマーキングを容易に形成することができる。
さらに、金属板４１自体を例えば接触接続等の方法により、配線基板１の配線パターン２の一部、すなわち接地パターンに電気的に接続し接地することにより、マーキングの容易性とともに電磁遮蔽効果をもたせることができ、外来ノイズに対する耐性を上げることができる。
配線基板１の側部端面への凹部４２もしくは切り欠き部４４の形成方法としては、例えば、配線基板を製造する際にグリーンシートを２層ないし３層等の構造にして重ね合わせることにより、製造できる。または、機械的にこれらを形成してもよい。
参考例３０
参考例３０に係る弾性表面波装置について説明する。
まず、電気的接続部分となる導電性接合部材を配線基板の少なくとも一主面に形成された配線パターン上に形成した。配線基板の配線パターン上にはＡｕめっきを施してある。この場合の接合部材として、Ａｕバンプを用いた。その後、配線基板に対し所定位置に弾性表面波素子を位置決めし、弾性表面波素子と配線基板とを電気的接続部分を介して所定間隔を維持して組み立てた。この際に、素子を加熱するとともに超音波を併用して接合を行った。その後、パッケージと弾性表面波素子を１５０℃〜２００℃に加熱しながら液状樹脂を弾性表面波素子の上に滴下して粘性を上げ、弾性表面波素子の側面に回り込ませて弾性表面波吸収材としての効果を持たせ、さらに、配線基板にまで達した後に硬化させることによって弾性表面波素子を包覆し、弾性表面波素子と配線基板とを弾性表面波素子に設けられたトランスデューサ部と配線基板との間に空隙部を残した構造の弾性表面波装置を得た。
比較のため、電気的接合部分である導電性接合部材を、弾性表面波素子を形成するウェハーの一主面上にトランスデューサ部およびこのトランスデューサ部に電気的に接続する配線パターンを複数個形成した後、該配線パターン上の一部に超音波併用加熱により形成し、切断して得た個々の弾性表面波素子を用い、その後、配線基板に対し所定位置に弾性表面波素子を位置決めし、弾性表面波素子と配線基板とを電気的接続部分を介して所定間隔を維持して組み立てた。この際に、素子を加熱するとともに超音波を併用して接合を行った。その後、バッケージと弾性表面波素子を加熱しながら液状樹脂を弾性表面波素子の上に滴下して粘性を上げ、弾性表面波素子の側面に回り込ませて弾性表面波吸収材としての効果を持たせ、さらに、配線基板にまで達した後に硬化させることによって弾性表面波素子を包覆し、弾性表面波素子と配線基板とを弾性表面波素子に設けられたトランスデューサ部と配線基板との間に空隙部を残した構造の弾性表面波装置を得た。
これらに対して２００℃の条件で高温放置試験を１００時間課してその後に特性が劣化した弾性表面波装置の数を比較した。特性劣化は最小挿入損失の変化が１ｄＢ以上の場合と判定した。結果は、本発明の弾性表面波装置の製造方法である接合部材を先に配線基板の配線パターン上に形成した場合には、特性劣化が１／５０であったのに対して、接合部材を先にウェハーの配線パターン上に形成した比較例の場合には、特性劣化が１４／５０であった。
この結果から明らかなように、電気的接続部分である導電性接合部材を前記配線基板の少なくとも一主面に形成された配線パターン上に形成した後、前記素子と配線基板とを該電気的接続部分を介して所定間隔を維持して組み立てることにより、弾性表面波素子と電気的接続部分である接合部材との接合の界面に対する工程中の熱履歴をより少なくできるため、接合強度を向上でき、さらに信頼性の向上をはかることができる。
参考例３１、３２
図３３は参考例３１に係る弾性表面波装置の断面図である。図において、配線基板１は絶縁性基板例えばセラミック、ガラス被覆セラミックおよびガラスエポキシ等の樹脂基板の両表面上に導電性の配線パターン２が形成されている。また、弾性表面波素子３の一主面にはくし歯型電極パターンからなるトランスデューサ部４と、このトランスデューサ部に電気的に接続する配線パターン５が形成されている。また、トランスデューサ部４および配線パターン５の面は、配線基板１に形成された配線パターン２とフェースダウンボンディングにより複数の導電性接合部材例えば金属からなるバンプ６を介して組み立てられる。そして、対向した上記両配線パターン２，５を電気的に接続し、かつ、弾性表面波素子３と配線基板１との間に空隙部１０が形成されている。上記バンプは、金（Ａｕ）や銀（Ａｇ）あるいははんだ（Ｓｎ系、Ｐｂ系、Ｉｎ系等）等で構成されている。さらに、導電性バンプ６による弾性表面波素子３と配線基板１との接続部および弾性表面波素子３は、加熱溶融型部材である熱硬化性ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂を主体とする樹脂部１１で包覆されている。弾性表面波素子３の他の主面の全面は、樹脂部１１が包覆されずに露出されている。なお、図３４の参考例３２の如く弾性表面波素子３の他の主面の一部の面だけを、樹脂部１１が包覆されずに露出されないように構成してもよい。その場合、たとえば弾性表面波素子３の他の主面に他の配線パターン電極４’を設けたり、これらと配線基板１の配線パターンとをワイヤボンディング６’により接続するようにしてもよい。その場合、ワイヤボンディング６’については、樹脂部１１に包覆されるように構成してもよい。これによりワイヤボンディング６’の機械的強度を高めることができる。しかし、ワイヤボンディング６’を露出することも可能である。
参考例３３
図３５は参考例３３に係る水晶振動装置の断面図である。図において、配線基板１は絶縁性基板例えばセラミック、ガラス被覆セラミックおよびガラスエポキシ等の樹脂基板の両表面上に導電性の配線パターン２が形成されている。また、水晶振動子９０の両面にはそれぞれ電極９１、９２が形成されている。電極９１の面はワイヤボンディング９４によって配線基板１上の配線パターン２に接続されている。また、電極９２の面は、配線基板１に形成された配線パターン２とフェースダウンボンディングにより複数の導電性接合部材例えば金属からなるバンプ６を介して組み立てられる。そして、水晶振動子９０と配線基板１との間に空隙部１０が形成されている。上記バンプは、金（Ａｕ）や銀（Ａｇ）あるいははんだ（Ｓｎ系、Ｐｂ系、Ｉｎ系等）等で構成されている。さらに、導電性バンプ６による弾性表面波素子３と配線基板１との接続部および弾性表面波素子３は、加熱溶融型部材である熱硬化性ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂を主体とする樹脂部１１で包覆されている。
参考例３４
図３６は参考例３４に係る圧電振動装置の断面図である。図において、配線基板１は絶縁性基板例えばセラミック、ガラス被覆セラミックおよびガラスエポキシ等の樹脂基板の両表面上に導電性の配線パターン２が形成されている。また、圧電素子９５の両面にはそれぞれ電極９６、９７が形成されている。電極９６の面はワイヤボンディング９４によって配線基板１上の配線パターン２に接続されている。また、電極９７の面は、配線基板１に形成された配線パターン２とフェースダウンボンディングにより複数の導電性接合部材例えば金属からなるバンプ６を介して組み立てられる。上記バンプは、金（Ａｕ）や銀（Ａｇ）あるいははんだ（Ｓｎ系、Ｐｂ系、Ｉｎ系等）等で構成されている。さらに、圧電素子９５の上部には緩衝材９８が載置されている。さらに、導電性バンプ６による圧電素子９５と配線基板１との接続部は、加熱溶融型部材である熱硬化性ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂を主体とする樹脂部１１で包覆されている。
このような構成を採用することによって、圧電素子から発生する波と配線基板１により反射された波との干渉を低減することができるという効果がある。
参考例３５
図３７（ａ）は参考例３５に係るフォトカプラの断面図である。図において、配線基板１は絶縁性基板例えばセラミック、ガラス被覆セラミックおよびガラスエポキシ等の樹脂基板の両表面上に導電性の配線パターン２が形成されている。この配線パターン上にフォトカプラの送光部９９および受光部１００が導電性接合部材例えば導電性バンプ６を介して載置され接合されている。上記バンプは、金（Ａｕ）や銀（Ａｇ）あるいははんだ（Ｓｎ系、Ｐｂ系、Ｉｎ系等）等で構成されている。図３７（ｂ）に示すように、送光部９９および受光部１００の上部にはコの字状の絶縁性部材１０１が配置されている。さらに、導電性バンプ６によるフォトカプラの送光部９９および受光部１００さらに絶縁性材料１０１と配線基板１との接続部は、加熱溶融型部材である熱硬化性ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂を主体とする樹脂部１１で包覆されている。
このような構成を採用することによって、実装型フォトカプラを容易に作成することができる。
参考例３６
図３８（ａ）は参考例３６に係るＥＰＲＯＭの断面図、（ｂ）はその平面図である。図において、少なくとも紫外線を透過する基板（フィルタが形成されているものも含む。）例えばガラス基板１１０の両表面上には、導電性の配線パターン１１１が形成され、一方のガラス基板１１０上には、ＥＰＲＯＭ１１４が対向して配置される。そして、対向したガラス基板１１０とＥＰＲＯＭ１１４を電気的に接続しかつ、ガラス基板１１０とＥＰＲＯＭ１１４との間に空隙部１１３を形成するため、フェースダウンボンディングにより複数の導電性接合部材例えば金属からなるバンプ１１２を介して組み立てられる。このバンプは、金（Ａｕ）や銀（Ａｇ）あるいははんだ（Ｓｎ系、Ｐｂ系、Ｉｎ系等）等で構成されている。さらに、導電性バンプ６によるガラス基板１１０とＥＰＲＯＭ１１４との接続部およびＥＰＲＯＭ１１４は、エポキシ等の樹脂部１１５で包覆されている。上記ＥＰＲＯＭ１１４は紫外線により初期化される。ＥＰＲＯＭ１１４の紫外線受光面とガラス基板１１０とは対向するように配置されている。つまり、ＥＰＲＯＭ１１４は、ガラス基板１１０の裏面より透過した紫外線により初期化される。
このような構成を採用することによって、実装型ＥＰＲＯＭを容易に作成することができる。
参考例３７
図３９は参考例３７に係るＣＣＤの断面図である。図において、少なくとも可視光を透過する基板（フィルタが形成されているものも含む。）例えばガラス基板（オプティカルフラットな特性を有することが好ましい。）１１６の両表面上には、導電性の配線パターン１１１が形成され、一方のガラス基板１１６上には、ＣＣＤ素子１１７が対向して配置される。そして、対向したガラス基板１１６とＣＣＤ素子１１７を電気的に接続しかつ、ガラス基板１１６とＣＣＤ素子１１７との間に空隙部１１３を形成するため、フェースダウンボンディングにより複数の導電性接合部材例えば金属からなるバンプ１１２を介して組み立てられる。このバンプは、金（Ａｕ）や銀（Ａｇ）あるいははんだ（Ｓｎ系、Ｐｂ系、Ｉｎ系等）等で構成されている。さらに、導電性バンプ６によるガラス基板１１６とＣＣＤ１１７との接続部およびＣＣＤ１１７は、エポキシ等の樹脂部１１５で包覆されている。そして、上記ＣＣＤ１１７の撮像面とガラス基板１１６とは対向するように配置されている。つまり、ＣＣＤ素子１１７は、ガラス基板１１６の裏面より撮像光を受光する。
このような構成を採用することによって、実装型ＣＣＤを容易に作成することができる。
このような基板はカメラや密着型センサ等にも用いることができる。
参考例３８
図４０は参考例３８に係る半導体レーザの断面図である。図において、少なくともレーザ光を透過する基板（フィルタが形成されているものも含む。）例えばガラス基板１１８の両表面上には、導電性の配線パターン１１１が形成され、ガラス基板１１６の一方の面には、半導体レーザ素子１１９が対向して配置される。そして、対向したガラス基板１１８と半導体レーザ素子１１９を電気的に接続しかつ、ガラス基板１１８と半導体レーザ素子１１９との間に空隙部１１３を形成するため、フェースダウンボンディングにより複数の導電性接合部材例えば金属からなるバンプ１１２を介して組み立てられる。このバンプは、金（Ａｕ）や銀（Ａｇ）あるいははんだ（Ｓｎ系、Ｐｂ系、Ｉｎ系等）等で構成されている。さらに、導電性バンプ６によるガラス基板１１８と半導体レーザ素子１１９との接続部および半導体レーザ素子１１９は、エポキシ等の樹脂部１１５で包覆されている。そして、上記半導体レーザ素子１１９の発光面とガラス基板１１８とは対向するように配置されている。つまり、半導体レーザ素子１１９より発光されたレーザ光は、ガラス基板１１８を透過して外部に出力される。
このような構成を採用することによって、実装型半導体レーザを容易に作成することができる。このような基板は半導体レーザに代えて発光ダイオードにも用いることができる。
参考例３９
図４１は参考例３９に係る弾性表面波装置の製造方法を説明するための図である。図において、加圧ヘッド１２０にはバンプ１２１が形成された機能素子例えば弾性表面波素子１２２が真空吸着などの手段により把持される。その下方では基板例えば配線基板１２３が受け台１２４上に準備される。１２５は赤外線源で、１２６は反射板である。赤外線源１２５としてはハロゲンランプなどを用いる。ハロゲンランプは強烈な赤外線を発するため、反射板１２６の表面は金メッキなどにより酸化が進行しないよう工夫しておく。この状態で赤外線源１２５から発したエネルギーを弾性表面波素子１２２及び配線基板１２３の接合面に照射しフェースダウンボンディングに必要な温度まで加熱する。この加熱温度と加熱時間は機能素子や基板の材質、形状、及びバンプの材質などにより異なるが、例えば錫を主体としたバンプの場合は５秒程度でフェースダウンボンディングに必要な２５０℃程度まで昇温させることも可能である。赤外線によりフェースダウンボンディングが可能な温度になったか否かについては放射温度計などで測定し、管理するとよい。所定の温度になった時点で加圧ヘッド１２０を下降させ、バンプを介して弾性表面波素子１２２を配線基板１２３に加圧すれば、赤外線により加熱され溶融したバンプ１２１が配線基板１２３にも結合し、フェースダウンボンディングが完了する。通常、フェースダウンボンディングに必要な温度は数百℃だが、ハロゲンランプを用いれば、最高温度としては８００度程度まで昇温させることができるため、超音波振動などによる加熱方法を取る必要はない。
従って、弾性表面波素子や配線基板に無理な力や振動を与える必要がなく、弾性表面波素子等の機能素子の発生は極めて少ない。
参考例４０
図４２は参考例４０を説明するための図である。この参考例は、参考例３９の変形例である。この方法では、受け台１２４に、予め、配線基板１２３とバンプ１２１形成された機能素子例えば弾性表面波素子１２２を位置決め設定しておき、上方に設けた赤外線源１２５から弾性表面波素子１２２の背後に赤外線を照射し、弾性表面波素子１２２を伝わった熱でバンプ１２１を溶融させてフェースダウンボンディングを行う。この場合は弾性表面波素子１２２等の機能素子の、赤外線源側の表面温度がかなり高くなるため、機能素子の材質などによっては電気的特性が劣化する可能性もあるので、温度管理を十分に行う必要がある。
参考例４１
図４３は参考例４１に係る撮像装置の断面図である。図に示すように、円筒状の筐体１２７内の一方の端部には、撮像光を取り込むための光学系１２８が配置されている。光学系１２８の背後には、ＣＣＤ素子１２９が配置されている。このＣＣＤ素子１２９は、例えば参考例３７におけるＣＣＤが使われる。ＣＣＤ素子１２９は、その背後に配置された配線基板１３０に接続されている。配線基板１３０は、その背後に配置されたカメラケーブル部１３１に接続されている。カメラケーブル部１３１を介し筐体１２７の他方の端部より、ケーブル１３２が引き出されている。
参考例４２
図４４は参考例４２に係る移動体通信装置の構成を示すブロック図である。移動体通信装置としては、例えば自動車電話や携帯電話等がある。図に示すように、アンテナ１３３を介して受信した受信波は、アンテナ共用器１３４により受信系に分離される。分離された受信信号は、アンプ１３５により増幅された後、受信用バンドパスフィルタ１３６により所望の帯域が抽出され、ミキサ１３７に入力される。ミキサ１３７には、ＰＬＬ発振器１３８により発振された局発信号が局発フィルタ１３９を介して入力されている。ミキサ１３７の出力は、IFフィルタ１４０、ＦＭ復調器１４１を介してスピーカ１４２より受信音として出力される。一方、マイク１４３より入力された送話音は、ＦＭ変調器１４５を介してミキサ１４５に入力される。ミキサ１４５には、ＰＬＬ発振器１４６により発振された局発信号が入力されている。ミキサ１４５の出力は、送信用バンドパスフィルタ１４７、パワーアンプ１４８およびアンテナ共用器１３５を介してアンテナ１３３より送信波として出力される。
本発明に係る各弾性表面波装置は、この移動体装置の各部に使用することができる。例えば送信用バンドパスフィルタ１４７、受信用バンドパスフィルタ１３６、局発フィルタ１３９およびアンテナ共用器１３４には、本発明に係る弾性表面波装置がＲＦ段のフィルタとして使われる。ＩＦフィルタ１４０には、本発明に係る弾性表面波装置がチャネル選局に不可欠な狭帯域のＩＦ段のフィルタとして使われる。ＦＭ変調器１４４には、本発明に係る弾性表面波装置が音声のＦＭ変調における弾性表面波共振子として使われる。
参考例４３
図４５は参考例４３に係るＶＴＲやＣＡＴＶに用いられるＲＦモジュレータの発振回路の回路図である。図に示す共振子として本発明に係る弾性表面波装置を用いることができる。また、同様に共振子として本発明に係る水晶振動装置（参考例３３参照）を用いることができる。
以上幾つかの実施例につき説明したが、本発明は上述した実施例に限定されない。たとえば各実施例に記載された事項の組み合わせによる電子部品の製造方法は当然本出願の開示の範囲であるし、本発明の範囲に含まれる。
産業上の利用可能性
本発明の電子部品の製造方法によれば、成形された薄片状樹脂を用い、加熱によって溶融し、更に硬化させることにより、電子部品を包覆するとともに配線基板とで、電子部品を封止するものであるため、電子部品を簡易構造とできるほか、電子部品の電気的特性に悪影響を生じさせず、かつ容易に樹脂封止でき、従来の液状樹脂と比べて、作業時の取扱いも簡単となり、生産性向上に寄与することができ、工業的価値は大である。
さらに、電気的なノイズにも強く、マーキングも容易であり、電子部品の電気的特性に悪影響を生じさせず、かつ容易に樹脂封止でき、従来の液状樹脂と比べて、作業時の取扱いも簡単となり、生産性向上に寄与することができ、工業的価値は大である。

Claims (7)

  1. 複数個の配線基板の集合体に対し所定位置に複数の機能素子をフェースダウンボンディング方式により位置決めする工程と、
    前記機能素子と前記配線基板の集合体とを導電性接合部材を介して所定間隔を維持して組み立てる工程と、
    前記配線基板および前記機能素子の集合体に対し加熱溶融型部材を配置する工程と、
    前記配線基板と前記機能素子との間に空隙部を残しつつ前記加熱溶融型部材を加熱溶融する工程と、
    前記複数個の配線基板の集合体を前記加熱溶融型部材とともに分割して個々の電子部品を得る工程と
    を具備することを特徴とする電子部品の製造方法。
  2. 配線基板に対し所定位置に機能素子をフェースダウンボンディング方式により位置決めする工程と、
    前記機能素子と前記配線基板とを導電性接合部材を介して所定間隔を維持して組み立てる工程と、
    前記配線基板に対し加熱溶融型部材を配置する工程と、
    前記配線基板と前記機能素子との間に空隙部を残しつつ前記加熱溶融型部材を加熱溶融する工程とを具備し、
    前記加熱溶融型部材が加熱溶融型薄片状樹脂であって、
    前記薄片状樹脂の加熱溶融、硬化に係る工程は少なくとも、
    (１)薄片状樹脂の加熱溶融により樹脂形状を決める段階、
    (２)樹脂形状を維持しながらゲル化状態に移行する段階、
    (３)樹脂の硬化を行う段階、を含み、
    かつ(２)の工程温度が(１)または(３)より低いことを特徴とする電子部品の製造方法。
  3. 配線基板に対し所定位置に弾性表面波素子をフェースダウンボンディング方式により位置決めする工程と、
    前記弾性表面波素子と前記配線基板とを導電性接合部材を介して所定間隔を維持して組み立てる工程と、
    前記配線基板に対し加熱溶融型部材を配置する工程と、
    前記配線基板と前記弾性表面波素子との間に空隙部を残しつつ前記加熱溶融型部材を加熱溶融する工程とを具備し、
    前記弾性表面波素子を構成する圧電体から成るウェハーの一主面上にトランスデューサ部およびこのトランスデューサ部に電気的に接続する配線パターンを複数個形成し、該配線パターン上の一部に複数の接合部材を形成した後、切断して個々の弾性表面波素子を形成する際に、切断時のブレードの速さが毎秒１０ｍｍ以上５０ｍｍ以下であり、かつ切断時に使用する水の比抵抗が０．０１ＭΩｃｍ以上１００ＭΩｃｍ以下であることを特徴とする電子部品の製造方法。
  4. 前記加熱溶融型部材は樹脂であることを特徴とする請求項１または請求項３記載の電子部品の製造方法。
  5. 前記加熱溶融型部材は熱硬化性樹脂であることを特徴とする請求項１ないし請求項３のいずれか１項記載の電子部品の製造方法。
  6. 前記加熱溶融型部材がエポキシ樹脂であることを特徴とする請求項１ないし請求項３のいずれか１項記載の電子部品の製造方法。
  7. 前記加熱溶融型部材がフェノール系のエポキシ樹脂であることを特徴とする請求項１ないし請求項３のいずれか１項記載の電子部品の製造方法。
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