JP2004201285A - 圧電部品の製造方法および圧電部品 - Google Patents

圧電部品の製造方法および圧電部品 Download PDF

Info

Publication number
JP2004201285A
JP2004201285A JP2003378190A JP2003378190A JP2004201285A JP 2004201285 A JP2004201285 A JP 2004201285A JP 2003378190 A JP2003378190 A JP 2003378190A JP 2003378190 A JP2003378190 A JP 2003378190A JP 2004201285 A JP2004201285 A JP 2004201285A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
piezoelectric
resin film
acoustic wave
surface acoustic
resin
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2003378190A
Other languages
English (en)
Inventor
Masato Higuchi
真人 日口
Nobunari Araki
信成 荒木
Hideki Shinkai
秀樹 新開
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Murata Manufacturing Co Ltd
Original Assignee
Murata Manufacturing Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Murata Manufacturing Co Ltd filed Critical Murata Manufacturing Co Ltd
Priority to JP2003378190A priority Critical patent/JP2004201285A/ja
Priority to KR20030087568A priority patent/KR100561319B1/ko
Priority to US10/728,540 priority patent/US7261792B2/en
Priority to AT03293044T priority patent/ATE403237T1/de
Priority to CNB2003101201160A priority patent/CN1323487C/zh
Priority to DE60322496T priority patent/DE60322496D1/de
Priority to EP20030293044 priority patent/EP1427032B1/en
Publication of JP2004201285A publication Critical patent/JP2004201285A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03HIMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/02Details
    • H03H9/05Holders; Supports
    • H03H9/10Mounting in enclosures
    • H03H9/1064Mounting in enclosures for surface acoustic wave [SAW] devices
    • H03H9/1085Mounting in enclosures for surface acoustic wave [SAW] devices the enclosure being defined by a non-uniform sealing mass covering the non-active sides of the BAW device
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03HIMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H3/00Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators
    • H03H3/007Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks
    • H03H3/08Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks for the manufacture of resonators or networks using surface acoustic waves
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/93Batch processes
    • H01L24/95Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
    • H01L24/97Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips the devices being connected to a common substrate, e.g. interposer, said common substrate being separable into individual assemblies after connecting
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03HIMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/02Details
    • H03H9/05Holders; Supports
    • H03H9/058Holders; Supports for surface acoustic wave devices
    • H03H9/059Holders; Supports for surface acoustic wave devices consisting of mounting pads or bumps
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10NELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N30/00Piezoelectric or electrostrictive devices
    • H10N30/01Manufacture or treatment
    • H10N30/07Forming of piezoelectric or electrostrictive parts or bodies on an electrical element or another base
    • H10N30/072Forming of piezoelectric or electrostrictive parts or bodies on an electrical element or another base by laminating or bonding of piezoelectric or electrostrictive bodies
    • H10N30/073Forming of piezoelectric or electrostrictive parts or bodies on an electrical element or another base by laminating or bonding of piezoelectric or electrostrictive bodies by fusion of metals or by adhesives
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/15Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L2224/16Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/15Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L2224/16Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/161Disposition
    • H01L2224/16151Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/16221Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/16225Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/93Batch processes
    • H01L2224/95Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
    • H01L2224/97Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips the devices being connected to a common substrate, e.g. interposer, said common substrate being separable into individual assemblies after connecting
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01004Beryllium [Be]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01005Boron [B]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01006Carbon [C]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01013Aluminum [Al]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01023Vanadium [V]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01024Chromium [Cr]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01029Copper [Cu]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/0103Zinc [Zn]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01033Arsenic [As]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01039Yttrium [Y]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01047Silver [Ag]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01075Rhenium [Re]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01078Platinum [Pt]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01079Gold [Au]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/095Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00 with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials provided in the groups H01L2924/013 - H01L2924/0715
    • H01L2924/097Glass-ceramics, e.g. devitrified glass
    • H01L2924/09701Low temperature co-fired ceramic [LTCC]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11Device type
    • H01L2924/12Passive devices, e.g. 2 terminal devices
    • H01L2924/1204Optical Diode
    • H01L2924/12042LASER
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/151Die mounting substrate
    • H01L2924/156Material
    • H01L2924/15786Material with a principal constituent of the material being a non metallic, non metalloid inorganic material
    • H01L2924/15787Ceramics, e.g. crystalline carbides, nitrides or oxides
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181Encapsulation
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T156/00Adhesive bonding and miscellaneous chemical manufacture
    • Y10T156/10Methods of surface bonding and/or assembly therefor
    • Y10T156/1052Methods of surface bonding and/or assembly therefor with cutting, punching, tearing or severing
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T156/00Adhesive bonding and miscellaneous chemical manufacture
    • Y10T156/10Methods of surface bonding and/or assembly therefor
    • Y10T156/1089Methods of surface bonding and/or assembly therefor of discrete laminae to single face of additional lamina
    • Y10T156/1092All laminae planar and face to face
    • Y10T156/1093All laminae planar and face to face with covering of discrete laminae with additional lamina

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Acoustics & Sound (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
  • Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
  • Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
  • Transition And Organic Metals Composition Catalysts For Addition Polymerization (AREA)

Abstract

【課題】樹脂フィルムにより実装基板および弾性表面波素子を確実に封止することにより、信頼性が高く、小型化でき、なおかつ安価に製造することができる弾性表面波装置の製造方法、および弾性表面波装置を提供する。
【解決手段】外部端子7を有する実装基板1上に、弾性表面波素子2をバンプ3を介してフリップチップボンディング実装した後、前記弾性表面波素子2を樹脂フィルム10で覆い、前記実装基板1上に実装された弾性表面波素子2の周囲を前記樹脂フィルム10の一部にて覆うことにより弾性表面波素子2を封止する。そして、前記樹脂フィルム10を硬化させて、弾性表面波装置を得る。
【選択図】 図1

Description

本発明は、携帯電話器といった移動体通信機器等の電子機器のフィルタに好適な圧電部品およびその製造方法に関するものである。
近年、自動車電話機や携帯電話機といった移動体通信機器の小型化、軽量化、高周波化に伴い、これらの移動体通信機器に搭載されるフィルタとして、小型で軽量な弾性表面波装置(圧電部品)が多用されている。特に携帯電話機は、小型で軽量であることが強く要求されるため、搭載される電子部品においても同様に小型で軽量であることが要求されている。
弾性表面波装置においては、圧電基板上を伝搬する弾性表面波を利用するため、この弾性表面波が伝搬する表面部分(機能部分)を水分や埃などから保護する必要がある。よって、従来の弾性表面波装置のパッケージ方法は、アルミナなどからなる箱型のパッケージに、ワイヤボンディングもしくはフリップチップボンディングで弾性表面波素子(圧電素子)を実装し、金属製もしくはセラミック製のフタ(リッド)を溶接、ロウ付、ガラス等によって気密封止する構造が主流であった。
しかし、上記のような構造では、微細配線の技術の高度化によって弾性表面波素子を小型化したとしても、弾性表面波素子を搭載する箱型パッケージが小型化されない限り、弾性表面波装置の小型化・低背化を図ることができないと共に、小型の箱型パッケージにかかるコストが高いという問題があった。そこで、現在、半導体部品の分野で用いられているフリップチップボンディングを用いたチップサイズパッケージを応用した弾性表面波装置が開発されている。
例えば、チップサイズパッケージの弾性表面波装置において、フリップチップボンディングで実装基板に実装した複数個の弾性表面波素子を樹脂で封止した後に、個々のチップにダイシングする方法が開示されている(例えば、特許文献1、特許文献2参照)。これらの方法では、液状の樹脂が弾性表面波素子の弾性表面波伝搬部分(機能部分)に侵入することによる不良が発生する。
そこで、弾性表面波素子あるいは実装基板にダムを設けるという対策が開示されているものがある(例えば、特許文献3参照)。しかしながら、この方法では、液状の樹脂を流し込む速度や圧力のばらつきにより、液状の樹脂を流し込む速度が速くなったり、流し込む圧力が高くなったりすると、上記の対策では対応できない。そのため、液状の樹脂が、弾性表面波素子の弾性表面波伝搬部分(振動部、機能部分)に侵入することによる不良が発生すると共に、液状の樹脂中に気泡が入ってボイドが発生することによる封止不良も発生していた。また、従来のダムを形成する方法では、ダムとバンプの高さのばらつきによって、バンプの密着強度が弱くなったり、ダムを形成する分、弾性表面波素子が大型化したりしてしまうという問題があった。
一方、フリップチップボンディングで実装した弾性表面波素子を樹脂からなるフィルムを貼り付けることで封止した後に、個々のチップにダイシングする方法も開示されている(例えば、特許文献4〜10参照)。これらの方法は、樹脂フィルムの柔軟性により、弾性表面波素子全体に樹脂フィルムを密着させて弾性表面波装置を製造している。
特開平8−204497号公報(公開日1996年8月9日) 特開平7−321583号公報(公開日1995年12月8日) 特開平10−321666号公報(公開日1998年12月4日) 特開平10−125825号公報(公開日1998年5月15日) 国際公開番号WO97/02596号公報(公開日1997年1月23日) 特開2002−217221号公報(公開日2002年8月2日) 特開2002−217523号公報(公開日2002年8月2日) 特開2000−4139号公報(公開日2000年1月7日) 特開2002−217219号公報(公開日2002年8月2日) 特開2002−217220号公報(公開日2002年8月2日)
しかしながら、上記の従来技術では、必然的に薄く柔らかい樹脂フィルムを使用せざるをえない。したがって、完成品では、外部からの衝撃が直接弾性表面波素子に加わりやすくなる。この結果、ユーザー基板への搭載時の衝撃で弾性表面波素子が欠けたり、バンプが外れたりするおそれがある。また、樹脂フィルムを接着する方法が様々に開示されているが、それぞれに問題がある。
特許文献4では、図28に示すように樹脂フィルムを接着剤等で実装基板に接着しており、また、特許文献5では、樹脂フィルムを加熱して変形させることでフィルムを実装基板に接着している。しかしながら、これらの方法では、熱溶融する樹脂フィルムを上から被せるために、樹脂フィルムに気泡を巻き込む可能性がある。また、溶融時にうまくコントロールしないと、樹脂フィルムが液状に近くなり、振動空間に樹脂が流れ込む危険性がある。
また、特許文献6、7では、治具によって樹脂フィルムを加熱すると共に加圧することで、樹脂フィルムを実装基板に接着している。しかしながら、これらの方法では、治具が実装基板と樹脂フィルムとを接着するために加熱、加圧する部分の面積が広く必要であるため、得られる弾性表面波装置の小型化が困難である。さらに、これらの方法にて得られた弾性表面波装置は、薄い樹脂フィルムだけで封止されているから、気密性が不十分である。
そこで、特許文献8では、樹脂フィルムの上からさらに樹脂で封止している。しかしながら、この方法では、樹脂フィルムの厚みだけではなく、樹脂の厚みが加わるため、低背化に不利である。
また、特許文献9では、樹脂フィルムを真空に引くことを行い、また、特許文献10では、予備成形するなどして、気泡を生じないように樹脂フィルムを接着している。しかしながら、これらの方法では、専用の装置や工数が増大し、コストがかかるという問題がある。
上記のような各問題は、開口部もしくは凹部を有するSi基板と、該開口部もしくは凹部上に形成されている少なくとも1層以上の圧電薄膜(例えば、ZnOやAlNからなる)の上下面を少なくとも一対の上部電極および下部電極を対向させて挟む構造の振動部とを有する圧電共振子や、該圧電共振子をラダー型に構成してなる圧電フィルタといった圧電部品においても同様に生じる問題である。
本発明は、上記の問題点に鑑みなされたものであり、その目的は、樹脂フィルムにより実装基板および弾性表面波素子(圧電素子)を確実に封止することにより、信頼性が高く、小型化でき、なおかつ安価に製造することができる圧電部品の製造方法、および圧電部品を提供することにある。
本発明の圧電部品の製造方法は、上記の課題を解決するために、基板に振動部及びバンプを有する圧電素子を形成する工程と、外部端子を有する実装基板上に、複数の前記圧電素子を、前記振動部が実装基板と対向するように、バンプを介してフリップチップボンディング実装する実装工程と、前記圧電素子が実装された実装基板上に樹脂フィルムを配置する配置工程と、前記実装基板上に実装された互いに隣り合う圧電素子間に、前記樹脂フィルムを埋め込ませることにより、前記圧電素子を封止する封止工程と、前記樹脂フィルムを硬化させる硬化工程と、前記実装基板をダイシングして、個々の圧電部品を取り出す分割工程とを有し、上記封止工程が、ローラーを用いて、樹脂フィルムを加熱して軟化させると共に加圧する熱圧着工程を有することを特徴としている。
上記の構成によれば、外部端子を有する実装基板に、圧電素子をフリップチップボンディングで実装した後、樹脂で圧電素子を封止するチップサイズパッケージの圧電部品において、圧電素子を封止する樹脂に、樹脂フィルムを用い、樹脂フィルムをローラーによって加熱・加圧することで樹脂フィルムを変形させ、圧電素子を埋め込んで(介在させ)封止することができる。
この構成では、液状樹脂を用いることなく、樹脂フィルムを用いて圧電素子を封止するため、樹脂が圧電素子の振動部への流入を起こりにくくすることができる。これにより、ダム等の部材が不要となり、圧電部品の小型化が可能になる。また、液状樹脂を用いていないので、ボイド(穴、空孔)が発生しにくい。さらには、樹脂フィルムを用いて圧電素子を封止する封止工程が、ローラーによって加熱・加圧を同時に行えばよいので、樹脂フィルムを実装基板に貼り付ける工程に比べて容易である。また、圧電素子全体を堅固な樹脂でしっかり覆うことができるので、圧電素子を保護することができる。
本発明の圧電部品の製造方法は、上記の方法に加えて、上記熱圧着工程は、前記圧電素子が実装された実装基板を、2本のローラー間を通過させて行ってもよい。さらに、前記熱圧着工程を、前記圧電素子が実装された実装基板を平面の台に固定して行ってもよい。このとき、上記実装基板を2本のローラーで挟み込んで加熱・加圧しても、実装基板を平面に置いた状態でローラーをかけても樹脂フィルムを実装基板に熱圧着することができる。
上記の方法によれば、ローラーを用いて樹脂フィルムを加熱・加圧するので、容易に圧電部品を製造することができる。また、実装基板の端からローラーをかけていくことにより、実装基板と樹脂フィルムとの間に存在する空気を効率よく逃がすことができる。これにより、樹脂フィルムからの封止する樹脂中でのボイドの発生を防止することができる。
上記圧電部品の製造方法では、上記封止工程は、上記熱圧着工程の後、枠を用いて、樹脂フィルムの上方から加圧する加圧工程を行ってもよい。上記圧電部品の製造方法においては、上記封止工程は、枠を用いて、樹脂フィルムの上方から加圧する加圧工程の後、上記熱圧着工程を行ってもよい。
上記の方法によれば、枠を用いた加圧(プレス)工程を用いることで、樹脂フィルムの基板への密着力をさらに高めることができる。
上記圧電部品の製造方法では、上記封止工程は、上記熱圧着工程の後、再度上記熱圧着工程を行ってもよい。
上記圧電部品の製造方法においては、上記封止工程は、枠を用いて、樹脂フィルムの上方から加圧する加圧工程の後、上記熱圧着工程、加圧工程を順に行ってもよい。
上記圧電部品の製造方法では、上記封止工程は、上記熱圧着工程の後、再度上記熱圧着工程を行ない、その後、枠を用いて、樹脂フィルムの上方から加圧する加圧工程を行うものであってもよい。
ところで、前記実装基板上に実装された互いに隣り合う圧電素子間に、前記樹脂フィルムを1回で埋め込むと、埋め込むときに加える圧力が強いと実装基板が割れたり、埋め込むときに加える圧力が弱いと樹脂フィルムの埋め込みが不十分になったりという不都合を生じる。
しかしながら、上記の方法によれば、複数の工程に分けて埋め込むことで、上記のような不都合を防止できる。
上記圧電部品の製造方法では、さらに、上記配置工程の後に、前記実装基板の端部に樹脂流出防止枠を設ける工程を備えてもよい。
上記の方法によれば、樹脂フィルムをローラーで加熱・加圧する際に、加熱により軟化した樹脂が特定の方向に流出することを樹脂流出防止枠により防止でき、かつ樹脂の厚みを均一にすることができる。特に、テトラフルオロエチレン等のフッ素樹脂によって表面をコーティングした外枠を用いると、後の工程で軟化してくっついた樹脂を外枠よりはがしやすくなる。
さらに、前記実装基板に実装された互いに隣り合う圧電素子の間に、封止補助部材を形成することが好ましい。この封止補助部材の形成は、前記実装工程の前でも後でもよい。
また、封止補助部材を、複数の開口部を有するシートを前記実装基板に接着することで形成してもよい。シートにより封止補助部材を形成する場合、圧電素子は、上記複数の開口部を介して実装基板に実装される。
また、前記封止補助部材の高さは、前記バンプの高さ以上であり、フリップチップボンディング実装された圧電素子の高さ以下であることが好ましい。
上記の方法によれば、樹脂フィルムと封止補助部材との距離が短く、樹脂フィルムがあまりたわまなくてもよいので、樹脂フィルムと封止補助部材との間に隙間もあきにくく、密着度が増すので、樹脂フィルムと封止補助部材との固着強度を向上させることができる。つまり、樹脂フィルムと実装基板との固着強度を向上させることができる。
また、前記実装工程の前または後に、前記実装基板に対して、プラズマ照射、紫外光照射、コロナ放電、エキシマレーザー照射、サンドブラスト処理等の表面改質処理を行うことが好ましい。
上記の方法によれば、実装基板の表面改質処理を行うので、樹脂フィルムと実装基板との密着性を向上させることができる。
また、前記実装基板にバンプを介してフリップチップボンディング実装された圧電素子と、前記実装基板との間隔が10μm〜50μmであることが好ましい。これにより、実装基板と圧電素子との間に樹脂が流入することを防止することができる。
また、前記実装基板に実装された複数の圧電素子の間隔Dと、前記バンプを含む圧電素子の厚みtとが、D/t>2の関係を満たすことが好ましい。これにより、圧電素子と圧電素子との間での、ボイドの発生を回避しながら樹脂を充填することができる。
また、圧電部品の高さd、前記バンプおよび実装基板との隙間を含む圧電素子の体積V、前記実装基板上の単位面積当たりの圧電素子数n、前記樹脂フィルムの厚みt1、前記実装基板の平均厚み(基板断面積/長さ)t2が、0.8<d/(nV+t1+t2)<1.1の関係を満たすことが好ましい。これにより、樹脂フィルムの破れや巻き込みを防止しながら、圧電素子を樹脂により封止することができる。
本発明の圧電部品の製造方法は、上記の方法において、前記樹脂フィルムの体積抵抗率が1010Ω・m以下であることが好ましい。
上記の方法によれば、圧電素子から生じた電荷が速やかに上記樹脂フィルムに移動され、該電荷を中和する(逃がす)ことができる。したがって、発生した電荷による放電を抑制することができ、圧電素子が上記放電により破壊されることを回避できて、圧電部品を安定に製造することができる。
また、本発明の圧電部品の製造方法は、上記の方法に加えて、前記実装工程の後に、圧電素子の裏面に導電層を形成する裏面導電層形成工程を備えていてもよい。
上記の方法によれば、圧電素子から生じた電荷が速やかに上記導電層に移動され、該電荷を中和する(逃がす)ことができる。したがって、発生した電荷による放電を抑制することができ、圧電素子が上記放電によって破壊されることを回避できて、圧電部品を安定に製造することができる。
また、本発明の圧電部品の製造方法は、前記硬化工程の後に、硬化した樹脂フィルム上に導電層を形成する表面導電層成工程を備えてもよい。
上記の方法によれば、圧電素子から生じた電荷が速やかに上記導電層に移動され、該電荷を中和する(逃がす)ことができる。したがって、発生した電荷による放電を抑制することができ、圧電素子が上記放電により破壊されることを回避できて圧電部品を歩留り良く製造することができる。
上記圧電部品の製造方法では、前記圧電素子は、圧電基板の表面に、少なくとも1つのくし型電極部を有する弾性表面波素子であってもよい。
上記圧電部品の製造方法においては、前記圧電素子は、開口部若しくは凹部を有する基板と、該開口部若しくは凹部上に形成されている少なくとも1層以上の圧電薄膜の上下面を少なくとも一対の上部電極および下部電極を対向させて挟む構造の振動部とを有する圧電薄膜素子であってもよい。
本発明の圧電部品は、前記課題を解決するために、上記の各製造方法のいずれかを用いて製造されたものであることを特徴としている。これにより、上記構成では、信頼性が高く、小型化でき、なおかつ安価に製造できる圧電部品を提供することができる。
本発明の他の圧電部品は、前記課題を解決するために、基板の表面に振動部を有する圧電素子と、外部端子を有し、かつ、前記圧電素子が前記振動部の形成された面を対向させた状態でバンプを介してフリップチップボンディング実装される実装基板と、前記実装基板に実装された圧電素子を封止する樹脂とを有し、前記樹脂の体積抵抗率が、1010Ω・m以下であることを特徴としている。
上記の構成によれば、樹脂の体積抵抗率を、1010Ω・m以下とすることで、圧電素子から生じた電荷が速やかに上記樹脂に移動され、該電荷を中和する(逃がす)ことができる。したがって、発生した電荷による放電を抑制することができ、圧電素子が上記放電により破壊されることを回避できる圧電部品を提供することができる。
本発明のさらに他の圧電部品は、基板の表面に振動部を有する圧電素子と、外部端子を有し、かつ、前記圧電素子が前記振動部の形成された面を対向させた状態でバンプを介してフリップチップボンディング実装される実装基板と、前記実装基板に実装された圧電素子を封止する樹脂とを有し、前記圧電素子の裏面には、裏面導電層を備えていることを特徴としている。
上記の構成によれば、圧電素子から生じた電荷が速やかに上記裏面導電層に移動され、該電荷を中和する(逃がす)ことができる。したがって、発生した電荷による放電を抑制することができ、圧電素子が上記放電によって破壊されることを回避できる圧電部品を提供することができる。
本発明のさらに他の圧電部品は、基板の表面に振動部を有する圧電素子と、外部端子とを有し、かつ、前記圧電素子が前記振動部の形成された面を対向させた状態でバンプを介してフリップチップボンディング実装される実装基板と、前記実装基板に実装された圧電素子を封止する樹脂とを有し、前記樹脂上に表面導電層が形成されていることを特徴としている。
上記の構成によれば、圧電素子から生じた電荷が速やかに上記表面導電層に移動させ、該電荷を中和する(逃がす)ことができる。したがって、発生した電荷による放電を抑制することができ、圧電素子が上記放電により破壊されることを回避できる圧電部品を提供することができる。
上記圧電部品では、前記裏面導電層もしくは表面導電層の少なくとも一方の面積抵抗率が1010Ω・□以下であることが好ましい。
上記圧電部品においては、前記樹脂の体積抵抗率が1010Ω・m以下であることが望ましい。上記圧電部品では、前記裏面導電層もしくは表面導電層が、前記実装基板の外部端子のアース端子に接続されていてもよい。
上記の構成によれば、発生した電荷による放電をより一層抑制することができ、圧電素子が上記放電によって破壊されることを回避できる圧電部品を提供することができる。
以上のように、本発明の圧電部品の製造方法は、基板の表面に振動部及びバンプを有する圧電素子を、複数、外部端子を有する実装基板上に、振動部が実装基板と対向するように、バンプを介してフリップチップボンディング実装する実装工程と、前記圧電素子が実装された実装基板上に樹脂フィルムを配置する配置工程と、前記実装基板上に実装された互いに隣り合う圧電素子間に、前記樹脂フィルムを埋め込ませることにより、前記圧電素子を封止する封止工程とを備え、上記封止工程が、ローラーを用いて、樹脂フィルムを加熱して軟化させると共に加圧する熱圧着工程を有する方法である。
この方法では、液状樹脂を用いることなく、樹脂フィルムを用いて圧電素子を封止するため、樹脂が圧電素子の機能部分への流入を起こりにくくすることができる。これにより、ダム等の部材が不要となり、圧電部品の小型化できる。また、液状樹脂を用いていないので、ボイド(穴、空孔)の発生を抑制できる。
さらには、樹脂フィルムを用いて圧電素子を封止する封止工程では、ローラーによって加熱・加圧を同時に行えばよいので、樹脂フィルムを実装基板に貼り付ける工程に比べて容易である。また、圧電素子全体を堅固な樹脂でしっかり覆うことができるので、圧電素子を保護することができる。つまり、上記の方法によれば、信頼性が高く、小型化でき、なおかつ安価に圧電部品を製造することができるという効果を奏する。
〔実施の形態1〕
本発明の実施の一形態について図1ないし図6、および図21ないし図23に基づいて説明すれば、以下の通りである。
図1は、本実施の形態にかかる圧電部品としての弾性表面波装置の断面図である。本実施の形態にかかる弾性表面波装置は、実装基板1上に弾性表面波素子(圧電素子)2がフリップチップボンディングにより実装されている構成である。上記実装基板1は、例えば、アルミナ、ガラスエポキシなど、セラミックや樹脂等から構成されている。また、上記弾性表面波素子2は、圧電基板上に少なくとも1つのくし型電極部および複数のバンプを有する構成である。弾性表面波素子2において圧電基板のくし型電極部が形成されている面を実装面とする。
上記実装基板1と弾性表面波素子2とは、弾性表面波素子2に形成されているバンプ3と実装基板1に形成されているランド4とが接合されることにより接続されている。上記実装基板1には、上記ランド4とビアホール30とを介して電気的に接続されている外部端子7が設けられている。
また、くし型電極部は弾性表面波素子2の上記実装基板1と対向する面に形成されている。なお、弾性表面波素子2における上記くし型電極部が形成されており、弾性表面波を伝搬する領域を機能部(振動部)6と称することとする。
また、上記バンプ3は、はんだ、金、導電樹脂等からなっている。このバンプ3は、上記のように、弾性表面波素子2と実装基板1とを電気的に接続するものであっても、実装基板1への機械的な固着するためのものであってもよい。また、上記バンプ3は、実装基板1と弾性表面波素子2との間隔を保つために形成されているものであってもよい。
上記弾性表面波装置では、上記弾性表面波素子2は、封止樹脂5(樹脂フィルム10)に覆われて、封止されている。上記機能部6と、実装基板1との間には、隙間(空間)8が形成されており、弾性表面波を伝搬することができるようになっている。
次いで、本実施の形態にかかる弾性表面波装置の製造方法について図2ないし図6に基づいて説明する。
本実施の形態にかかる弾性表面波装置の製造方法は、図2に示すように、工程1〜3から構成される。工程1では、まず、集合基板41に複数の弾性表面波素子2を実装する(実装工程)。集合基板41は、後工程において、表面方向に互いに分割されて実装基板1となるものである。つまり、弾性表面波素子2に形成されているバンプ3を、集合基板41に形成されているランド(図示せず)に接合し、フリップチップボンディングにより実装する。このとき、バンプ3によって、集合基板41と弾性表面波素子2との間に10μm以上の隙間(空間)を設けるようにする。
上記隙間が、10μm未満であると、集合基板41の反りや凹凸等により弾性表面波素子2と集合基板41とが接触する可能性が高い。弾性表面波素子2と集合基板41とが接触した場合、製造された弾性表面波装置は所望の特性が得られず不良品となる。なお、上記バンプ3とランドとの接合は、例えば、Au−Au接合、はんだ接合、メッキバンプ接合、熱圧着接合、超音波接合等から適当なものを選択すればよい。また、上記弾性表面波素子2は、圧電基板に、少なくとも1つのくし型電極部および複数のバンプを形成することにより製造すればよい。
次に、樹脂フィルム(樹脂シート)10を、弾性表面波素子2を実装した集合基板41の弾性表面波素子2上に配置する(配置工程)。つまり、上記弾性表面波素子2を樹脂フィルム10で覆うようにする。上記樹脂フィルム10は、例えば、エポキシ系樹脂組成物、ポリイミド系樹脂組成物、ポリオレフィン系樹脂組成物等の熱軟化性・接着性を有する材料からなっており、特に、エポキシ系樹脂組成物であることが好ましい。
また、上記樹脂フィルム10の弾性率は、0.05MPa〜2MPaであることが好ましい。樹脂フィルム10が柔らかすぎると、弾性表面波素子2の機能部へ付着する可能性が高くなり、また、逆に樹脂フィルム10が硬すぎると弾性表面波素子2の間に樹脂を埋め込むことができないという問題が生じる。
そして、あらかじめ所定の温度とギャップとに設定した2つのローラー(治具)11・11の間に、上記樹脂フィルム10を配置した集合基板41を通過させて、樹脂フィルム10を弾性表面波素子2および集合基板41に熱圧着して封止する(封止工程)。
この通過においては、上記樹脂フィルム10を、ローラー11・11により加熱して軟化させると共に、弾性表面波素子2の周辺(弾性表面波素子2と弾性表面波素子2との間)に、樹脂フィルム10を弾性表面素子2・2間に埋め込み、樹脂フィルム10を集合基板41に熱圧着する。これにより、樹脂フィルム10と集合基板41とによって上記弾性表面波素子2を、樹脂フィルム10からなる封止樹脂5内に封止することができる。なお、上記樹脂フィルム10の弾性表面波素子2上への供給は、1枚ずつのシート供給であっても、連続したロール供給であってもよい。以上の一連の工程をラミネート工程とする。
上記ラミネート工程では、上記樹脂フィルム10は、ローラー11・11に加熱されて軟化した場合、完全な液状ではなく、粘弾性体として振舞う。そのため、上記軟化した樹脂フィルム10は、弾性表面波素子2の端面付近までしか侵入しにくい。したがって、上記のラミネート工程では、液状樹脂を使用して上記弾性表面波素子2を封止した場合と比べて、弾性表面波素子2の機能部と集合基板41との間の隙間に樹脂が侵入しにくい。
ところで、弾性表面波素子2の機能部と集合基板41との間の隙間に樹脂が侵入すると、図3(a)(b)に示すように、機能部において樹脂に覆われる部分が生じる。そのため、弾性表面波素子2の機能が損なわれ、製造された弾性表面波素子が不良品となる。
そこで、弾性表面波素子2と集合基板41との間の隙間の大きさと、上記隙間への樹脂流入不良発生率との関係を調査した結果を図4に示す。図4より、弾性表面波素子2と集合基板41との間の隙間が、50μmを超えると、軟化した樹脂フィルム10が上記隙間に侵入する可能性が高くなることがわかる。つまり、弾性表面波素子2と集合基板41との間の隙間は、50μm以下が好ましく、40μm以下であることがより好ましい。上記樹脂流入不良とは、樹脂が上記隙間にまで侵入し、弾性表面波素子2の機能部に付着し、弾性表面波装置の特性を劣化させた状態をいう。
また、上記ラミネート工程では、後述する分割工程後も、弾性表面波素子2の封止性を保つように弾性表面波素子2を封止する必要がある。よって、軟化した樹脂フィルム10を、弾性表面波素子2と弾性表面波素子2との間にボイドなく入り込ませる必要がある。このボイドが発生すると、樹脂フィルム10と集合基板41との密着性が低下して弾性表面波素子2の封止性を維持することができず、製造された弾性表面波装置が不良品となる可能性がある。つまり、上記ラミネート工程において、樹脂フィルム10を集合基板41に置いた状態における、樹脂フィルム10と集合基板41との間の空間にある空気を巻き込むことによる、ボイドの発生を抑制する必要がある。
ボイドの発生を抑制するためには、弾性表面波素子2と弾性表面波素子2との間の間隔と、バンプ高さを含む弾性表面波素子2の高さ(厚み)が重要となる。また、樹脂フィルム10を軟化させる温度(ローラー11・11の温度)と樹脂フィルム10を押し込む圧力も同様に重要となる。なお、高さとは、集合基板41の表面からの高さのことを指すこととする。
まず、弾性表面波素子2と弾性表面波素子2との間の間隔(素子間間隔)Dとバンプ3の高さを含む弾性表面波素子2の高さ(厚み)tとが樹脂の侵入状態に与える影響について検討した結果を図5に示す。図5は、D/tに対するボイド発生率のグラフである。ボイド発生とは、弾性表面波素子と弾性表面波素子との間にボイドができ、外観上著しい欠損がある場合、もしくはボイドによって弾性表面波素子下部の空間がカット(ダイシング)後に外部が開放され、封止不良となった場合のいずれかの状態になったときのことをいう。図5より、以下の関係
D/t>2 …式(1)
を満たせば、弾性表面波素子2と弾性表面波素子2との間に、ボイドの発生なく、樹脂の充填を確実に行えることができることがわかった。
また、樹脂フィルム10では単位面積当たりに供給する樹脂量を樹脂フィルム10の厚みによって制御することが容易にできる。そこで、弾性表面波装置(製品)の厚み(高さ)d、バンプ3および集合基板41との隙間を含む弾性表面波素子2の体積V、集合基板41上の単位面積当たりの弾性表面波素子数n、樹脂フィルム10の厚みt1、集合基板41の平均厚み(集合基板断面積/長さ)t2の各設計パラメーターと、樹脂流入不良発生率およびボイド発生率との関係について検討した。その結果を図6に示す。図6より、以下の関係
0.8<d/(nV+t1+t2)<1.1 …式(2)
を満たせば、過剰な樹脂の隙間へ侵入して、機能部へ樹脂が付着することを防止でき、かつ弾性表面波素子周辺部にボイドを生じることなる封止できることがわかった。上記d/(nV+t1+t2)という式は、弾性表面波装置の厚みと、各部材の平均高さ厚みの和との比を示す。なお、nVは、集合基板41全体に均一の厚みで弾性表面波素子2があると仮定した場合における弾性表面波素子2の平均高さ(厚み)を表す。
上記ラミネート工程において上記樹脂フィルム10への圧力は、ローラー11・11間を一定の固定ギャップに設定することによりかかる。上記圧力は、ローラー11・11の回転による集合基板41の送り速度、樹脂フィルム10の厚み、上記ギャップの値により変化する。なお、余剰の樹脂は、横に広がり、周囲にはみ出すので特に問題はない。
そこで、集合基板41の送り速度は、速すぎると集合基板41と樹脂フィルム10との間で十分な密着強度を得ることができないので、下限値が0.1m/min以上が好ましく、上限値が0.5m/min以下、より好ましくは0.3m/min以下に制限することが好ましい。
また、ローラー11・11の回転スピードを調節することにより、樹脂フィルム10を適切に軟化させ、集合基板41や弾性表面波素子2への大きな負荷を低減することができる。また、樹脂フィルム10の厚みと、上記ギャップの値とは、上記樹脂フィルム10に適切な圧力がかかる範囲で適宜調節すればよい。上記圧力が高すぎると、弾性表面波素子2の機能部へ樹脂が侵入、バンプの破損、弾性表面波素子2の破損等により、製造された弾性表面波装置が不良品となる可能性がある。
また、ローラー11・11の温度は、樹脂フィルム10の溶融温度未満に設定する必要がある。これは、上記温度を樹脂フィルム10の溶融温度以上にすると、樹脂フィルム10が液状となるために流動性が急激に上昇し、上記機能部まで樹脂が流入する原因となるからである。
さらに、弾性表面波素子2は、一般に焦電性を有するが、温度が急激に上昇すると、弾性表面波素子2に電荷が蓄積・放電し、破壊される可能性がある。このため、不用意に温度を上げることはできない。そこで、上記温度は、上限値が90℃であり、下限値が30℃であることが好ましい。
さらに、上記ラミネート工程では、集合基板41を端からローラー11・11間を通過させることが好ましい。これにより、上記空間にある空気が押し出されるため、ボイドの発生を抑制することができる。
上記ラミネート工程の後、工程2に示すように、所定の温度にて熱処理を行い、樹脂を完全に硬化させる(硬化工程)。これにより、上記樹脂フィルム10が硬化されて、図1に示す封止樹脂5となる。
このとき、従来であれば、弾性表面波素子2と集合基板41との間にある空気が膨張し、弾性表面波素子2と弾性表面波素子2との間にボイドが形成される場合があるが、本実施の形態では、弾性表面波素子2と集合基板41との間の隙間が50μm以下と小さく設定しているので、ボイドが形成されにくい。
最後に、工程3に示すように、ダイサー等の切断部材12により、カット・ブレイクなど適当な方法で各個片に切り出して、弾性表面波装置を取り出す(分割工程)。これら各工程1ないし3により、弾性表面波装置を製造することができる。
以上のように、本実施の形態の弾性表面波装置の製造方法では、樹脂フィルム10を加熱し、粘弾性体にして、弾性表面波素子2を封止している。このため、実装基板1となる集合基板41の反り、集合基板41への弾性表面波素子2の実装状態等にほぼ影響されることなく、弾性表面波素子2を封止することができると共に、弾性表面波素子2の機能部6への樹脂の付着を防止することができる。また、樹脂の弾性表面波素子2と実装基板1との間への侵入を防止するためにダム等を設ける必要がなく、小型化が可能である。
また、樹脂フィルム10を使用しているので、液状樹脂に比べて樹脂の量を均一にすることができる。これにより、品質の安定した弾性表面波装置を製造することができる。
また、弾性表面波素子2と実装基板1となる集合基板41との間の隙間が、50μm以下と小さいため、弾性表面波素子2と実装基板1との間にある空気量を少なくすることができる。このため、樹脂を硬化させるときのボイドの発生を抑制することができる。
また、必要以上に温度や圧力を上げる必要がないため、弾性表面波素子2の焦電破壊やバンプの導通不良、弾性表面波素子2の破損(欠け等)を防止することができる。
また、上記の弾性表面波装置の製造方法では、ローラー11・11間にかかる圧力は、ローラー11・11間のギャップを一定にすることによりかけているが、これに限らず、常に一定の圧力をかけるようにしてもよい。この場合、ローラー11・11による圧力が高すぎると弾性表面波素子2を破壊してしまうので、ローラー11・11間にかかる圧力は、50N以下であることが好ましい。また、ローラー11・11は、樹脂フィルム10に接するローラー11のみを加熱するようにしてもよい。
また、上記の弾性表面波装置の製造方法では、2つのローラー11・11を用いてラミネート工程を行っているが、これに代えて、集合基板41を平面の台に載置し、樹脂フィルム10側からのみローラーを用いてラミネート工程を行ってもよい。
ところで、2つのローラー11・11を用いた場合では、集合基板41のローラー11と接している部分に負荷がかかりやすく、特にセラミック基板を集合基板41に用いた場合、工程中に集合基板41が破損する場合がある。
しかしながら、上記の構成・方法によれば、集合基板41を平面の台に載置しているので、集合基板41に印加された応力は上記台にて支持されて、集合基板41において力が集中しにくくなり、集合基板41の破損を防止することができる。
また、上記では、治具としてローラーを用いているが、これに限らず、多段ローラー、ベルトローラー等を用いてもよい。さらに、ローラーでの埋め込みは、上下ともローラーであっても、上側がローラー、下側が台(ステージ)であってもよい。
さらに、本発明に係る、弾性表面波装置の製造方法においては、図21に示すように、集合基板41上にバンプ3を介して複数実装した各弾性表面波素子2上に樹脂フィルム10を載置したラミネート前部材14を平板60上に載せ、その平板60と共にラミネート前部材14を2つのローラー11・11間に搬送して、前記ラミネート工程を行ってもよい。
また、上記では、2つのローラー11・11を用いて、各弾性表面波素子2間に樹脂フィルム10を弾性表面波素子2の形状に沿って埋め込む方法を示したが、樹脂フィルム10を埋め込む方法は、弾性表面波素子2の周囲の空気を外に押し出しながら埋め込むことができればよい。
例えば、図22に示すように、ラミネート前部材14を、プレス機61の下側台61b上の載置台61c上に載置し、上側プレス61aの下面に取り付けられたプレス枠61dといった治具により、樹脂フィルム10を上側プレス61aを下降させて上方からプレスすることにより、樹脂フィルム10の埋め込む方法であってもよい。このようにプレス工程を用いることで、樹脂フィルム10の集合基板41への密着力を高めることができる。
ところで、プレス機を用いてプレスをかける方法としては、単純に平面で加圧した場合、多数の弾性表面波素子2が載った集合基板41の内側にある弾性表面波素子2は、隣り合う弾性表面波素子2が弾性表面波素子2下の空気の熱膨張によって樹脂フィルム10が広がろうとする時の壁となり、ボイドの発生を防ぐが、集合基板41の最外周部の弾性表面波素子2の側面には、壁となるものがないので、弾性表面波素子2下の空気の熱膨張によって大きなボイドが発生する。
よって、最外周部のボイドの発生を回避するためにプレス機61の金型に枠61dを有するものを用い、最外周部付近のみを枠61で押さえ、壁を作り空気の熱膨張で膨らんだ樹脂フィルム10を押し返すことによってボイドの発生を防止できる。
また、加圧力が大きい場合は、熱で粘性が下がった樹脂フィルム10が強制的に弾性表面波素子2下の機能部6に流れ込む恐れがあるので、加圧力は弾性表面波素子2下の空気の熱膨張による圧力を打ち消す程度の加圧力で良い。その加圧力はプレス温度によって決まり、例えばプレス温度が150℃の場合は0.005kgf/mm2程度である。また、枠61dによって加圧時に余分な樹脂は外側に流れ出すことになり、製品は一定の形状を保つことができ、更に加圧しながら硬化を行っているので、十分な密着力が得られることになる。この時、枠61dは、凹型の一体ものでも、中央部分をくり貫いた形状のもののプレス面で樹脂フィルム10を直接抑えるタイプでもよい。
次に、図23に示すように、枠61dの先端形状、つまり枠61dの内側開口端の角度(開口端の先端面と内壁面との角度θ)について、角度θを90°(図23(a))、角度θを90°未満、例えば45°(図23(b))、角度θを90°を超える、例えば135°(図23(c))にそれぞれ設定した、各枠61d〜61fを作製し、それらを用いて前記のプレス工程を評価数50個にてそれぞれ行い、得られた弾性表面波装置におけるボイド発生数を測定した。枠の形状以外は上記実施の形態1と同じとした。また、比較のために、枠なしでのプレス工程を施した場合の、ボイド発生数も同様に測定した。それらの結果を表1に示した。
Figure 2004201285
この表1の結果から、枠61d、61eのように、角度θは90°以下に設定することが好ましいことが分かる。角度θは90°以下に設定することで、本実施の形態1に記載のプレス工程での効果を発揮しながら、さらに枠付きプレス工程時の余分な樹脂の逃げを逃げやすくすることができて、ボイド発生を防止できることが分かる。
さらに、本発明により、従来十分な封止と固着強度が得られなかったところを、前記のローラー工程での埋め込みを行い、続いて、形状や加圧状態を微調整できる枠付きのプレス工程での埋め込みを行うことによって、ボイドの発生をより一層防ぎ、加圧硬化によって密着力をより一層上げることによって、十分な封止と固着強度が得られ、その結果、高い信頼性を満足することができて、良品率を上げることができる。
また、上記では、ローラー工程での埋め込みを行い、続いて、プレス工程での埋め込みを行う方法を挙げたが、先に、プレス工程での埋め込みを行った後、ローラー工程での埋め込みを行ってもよく、ローラー工程での埋め込みを行った後にローラー工程での埋め込みをさらに行ってもよい。
さらに、上記のローラー工程と、プレス工程との組み合わせに関しては、プレス工程での埋め込み、ローラー工程での埋め込み、プレス工程での埋め込みを、順次施したり、ローラー工程での埋め込み、ローラー工程での埋め込み、プレス工程での埋め込みを、順次施したりしてもよい。
ところで、一回で樹脂フィルム10を埋め込むと、埋め込むときに加える圧力が強いと接合基板が割れたり、埋め込むときに加える圧力が弱いと樹脂フィルムの埋め込みが不十分になったりするという不都合を生じることがある。
しかしながら、このようにローラー工程と、プレス工程とを組み合わせることにより、埋め込みを複数回に分け、最初にある程度樹脂フィルム10を埋め込んでやってから、その埋め込みを微調整できて、埋め込みをより精度良く行え、かつ、弾性表面波素子2や集合基板41への損傷を回避できて、上記不都合の発生を防止できる。
また、樹脂フィルム10を埋め込んだ後は、その形状を保ちながら樹脂フィルム10を硬化させる工程がある。樹脂を硬化させる際に注意しなければいけない点は、弾性表面波素子2下の空気の熱膨張によるボイドの発生で、これを防ぐためには強制的に加圧し、ボイドを防ぎながら硬化させる方法がよい。加圧させる方法としては治具で固定し、そのままオーブンに入れて硬化してもよいが、治具へのワークのセットに時間がかかるので、前記プレス工程で短時間の加圧硬化後に、オーブンで十分な硬化(無加圧)をさせる方法でもよい。
〔実施の形態2〕
本発明の他の実施の形態について図7ないし図10に基づいて説明すれば、以下の通りである。なお、説明の便宜上、前記実施の形態1にて示した各部材と同一の機能を有する部材には、同一の符号を付記し、その説明を省略する。
本実施の形態では、図7に示すように、集合基板41に、実装される弾性表面波素子2と弾性表面波素子2との間に段差(封止補助部材)20が設けられている構成である。上記段差20は、弾性表面波素子2を集合基板41にフリップチップボンディングにより実装した後に、封止樹脂5となる樹脂フィルムの密着性を上げるために設けられるものである。
ここで、本実施の形態にかかる弾性表面波装置の製造方法について、図8に基づいて説明する。本実施の形態にかかる弾性表面波装置の製造方法は、実施の形態1の工程1において、段差20を設ける工程を追加したものである。つまり、実施の形態1の工程1を、工程1a〜1cに代えた構成である。
まず、工程1aにおいて、集合基板41における、後に実装する弾性表面波素子2と弾性表面波素子2との間に位置に、段差20を形成する。段差20は、例えば、金、アルミニウムなどの金属、ポリイミド、ガラスエポキシなどの樹脂、あるいはセラミック等の材料から形成される。中でも、段差20の好ましい材料としては、樹脂フィルム10との密着性を考慮して、固体の表面張力の値が大きいものほど好ましく、具体的には金属またはセラミックが好ましい。この段差20の形成方法としては、特に限定されるものではないが、蒸着法、スパッタ法、フォトリソグラフィー法等が挙げられる。さらに、段差20自体の形状は、段差20自体の樹脂フィルム10との接着面積が設計の許す限り広い形状が好ましく、たとえば、テーパーの少ない形状であり、かつ幅の広いものが好ましい。段差20における粗さについては、特に限定されるわけではないが、樹脂フィルム10との密着性を考慮すれば多少粗さがある程度がよい。
次いで、工程1bにおいて、弾性表面波素子2を実装基板にフリップチップボンディングにより実装する。
次いで、工程1cにおいて、実施の形態1の工程1と同様に、樹脂フィルム10を弾性表面波素子2上に配置し、ローラー等の治具により上記樹脂フィルム10を加熱・加圧して、弾性表面波素子2の間に埋め込む。
そして、工程2において樹脂フィルム10を硬化させて封止樹脂とする。最後に、工程3において、ダイサー等の切断部材により、カット・ブレイクなど適当な方法で各個片に切り出して、弾性表面波装置を製造する。
本実施の形態にかかる弾性表面波装置の製造方法によれば、集合基板41に段差20を形成しているので、樹脂フィルム10を熱圧着した場合、樹脂フィルム10はあまりたわまなくてもよいので、樹脂フィルム10と段差20との間に隙間が開きにくくなり密着強度があがるため、樹脂フィルム10を段差20に密着させることができる。
これにより、樹脂フィルム10の十分な固着強度を得られる。したがって、この樹脂フィルム10を硬化させることにより、弾性表面波素子2を確実に封止することができる。
また、集合基板41に段差20を設けることにより、段差20が障害となるため、樹脂フィルム10を硬化した後のブリードの侵入を防止することができる。また、水分の侵入経路が狭くなり耐湿性の高い構造になる。さらに、段差20により製造された弾性表面波装置の剛性が上がるという効果がある。その結果、製造された弾性表面波装置の信頼性を向上させ、良品率を向上させることができる。なお、ブリードとは、樹脂フィルムにおける低分子成分(未硬化分)が染み出てくる現象をいう。
また、上記の方法では、段差20は、弾性表面波素子2を集合基板41に実装する前に形成しているが、これに限らず、弾性表面波素子2を集合基板41に実装した後に形成してもよい。
また、上記工程1cにおいては、段差20と弾性表面波素子2との間の間隔が狭くなるので、段差20と弾性表面波素子2との間には樹脂が入り込みにくくなっている。しかしながら、樹脂フィルム10が段差20に密着させれば、樹脂フィルム10と段差20との十分な密着強度を得られるため、段差20と弾性表面波素子2との間に樹脂が入り込む必要はない。
また、段差20の高さについては、図9に示す、弾性表面波素子2の高さ(厚み)から段差の高さを差し引いた距離(h)と、樹脂フィルム10を熱圧着し、硬化させた後の封止樹脂の固着強度との関係よりバンプより高いことが好ましいことがわかった。また、ダイシングの容易さから考慮すると、段差20の高さは、弾性表面波素子2の高さ(厚み)以下であることが好ましい。ただし、図9では、弾性表面波素子2の高さ(厚み)350μm、バンプの高さ20μmの場合である。なお、上記固着強度は、封止樹脂(樹脂フィルム)の側面を押して強度を測定したものである(せん断試験)。段差20が高い場合には、封止樹脂の側面の面積が小さく押せないので、封止樹脂天面側(集合基板41を下側として)を接着剤等により固定し、周囲の段差20の側面を押して強度を測定する。
また、上記工程1aの段差20を設ける工程の変形例としては、集合基板41上に、複数の開口部を有するシートを貼り付けることにより段差を形成することができる。つまり、上記シートが段差となる。これにより、段差20を容易に形成することができる。そして、上記開口部に弾性表面波素子を実装し、樹脂フィルム10を熱圧着して硬化させ、ダイシングすることにより、弾性表面波装置を製造することができる。このシートは、弾性表面波素子2の集合基板41への実装の前でも後でもよい。
さらに、図10に示すように、樹脂フィルム10を集合基板41に熱圧着する前に、集合基板41の周囲に外枠21を設けてもよい。また、外枠21に集合基板41をセットしてもよい。この外枠21を設けた後、樹脂フィルム10を集合基板41にローラーで熱圧着する場合、外枠21が樹脂フィルム10の流出(はみ出し)を防止することができるため、集合基板41上に樹脂を均一に供給することができる。これにより、より外観の欠損が少ない弾性表面波素子を製造することができる。また、上記外枠21は、樹脂フィルム10の熱圧着後に集合基板41から除去しやすいように、ポリテトラフルオロエチレン等のフッ素樹脂といった貼りついた樹脂が剥がれやすい材料で、表面が平滑な膜状にコーティングされていることが好ましい。
〔実施の形態3〕
本発明のさらに他の実施の形態について図11ないし図15に基づいて説明すれば、以下の通りである。なお、説明の便宜上、前記実施の形態1および実施の形態2にて示した各部材と同一の機能を有する部材には、同一の符号を付記し、その説明を省略する。
本実施の形態にかかる弾性表面波装置の製造方法では、実施の形態1または2において、集合基板41に弾性表面波素子2と実装する前あるいは後に、集合基板41の表面改質処理を行う構成である。これにより、上記集合基板41への樹脂フィルム10の密着性を向上させることができるため、集合基板41と樹脂フィルム10との十分な固着強度を得ることができる。したがって、製造される弾性表面波装置の高い信頼性が得られ、良品率を上げることができる。さらに、集合基板41と樹脂フィルム10との接触している面積を小さくしても、十分な固着強度を得ることができるため、より小型化した弾性表面波装置を製造することができる。
上記の表面改質処理としては、例えば、プラズマ処理、紫外線処理、コロナ放電処理、マキシマレーザー処理等が挙げられ、集合基板41の表面の汚れが除去されて固着しやすくなる、表面を荒らして表面に凹凸をつけることにより固着しやすくなる、固着強度に寄与するOH基を表面に増やすことにより固着しやすくなるという効果がある。また、表面改質処理の処理時間は数秒と短くてすむ。
ここで、図11を参照して集合基板41に弾性表面波素子2を実装した後、プラズマ処理にて集合基板41の表面を改質する例を説明する。本実施の形態の製造方法は、実施の形態1の工程1を、工程1d、工程eに代えた構成である。
この弾性表面波装置の製造方法では、まず、工程1dにおいて、集合基板41に、弾性表面波素子2をフリップチップボンディングにより実装する。そしてその集合基板41の弾性表面波素子2を実装した面を、プラズマ40によりプラズマ処理する。
次いで、工程1eにおいて、樹脂フィルム10を配置する。次に、工程2において、ローラー等の治具にて上記樹脂フィルム10を集合基板41に圧着する。次に、工程3にて上記樹脂フィルム10を硬化させ、ダイシングすることにより、弾性表面波装置を製造することができる。
ここで、上記プラズマ40の照射時間に対する、集合基板41と樹脂フィルム10との固着強度の関係を図13に示す。また、集合基板41のプラズマ処理の有無による固着強度の比較を図14に示す。図13、14から、プラズマ40で集合基板41の表面を処理することにより、固着強度が向上していることが明らかである。
また、上記固着強度の指標として、集合基板41における固体の表面張力を用いることができる。この固体の表面張力は、図5に示すように、表面改質処理前を1倍とした場合、表面改質処理後の固体の表面張力が1.2倍以上では、固着強度が向上している。つまり、表面改質処理後には、固体の表面張力が1.2倍以上になることが好ましい。
さらに、本実施の形態の弾性表面波装置の製造方法の変形例としては、図12に示すように、上記工程1dに代えて、集合基板41に弾性表面波素子2を実装する前に表面改質処理を行う工程1fと、表面改質処理後の実装基板に弾性表面波素子2を実装する工程1gを行う構成である。
この変形例では、集合基板41に弾性表面波素子2が実装されていないために弾性表面波素子2を破損することがないので、上記の処理以外にも、サンドブラスト処理、プライマー処理を行うことができる。これにより、集合基板41への弾性表面波素子2の実装強度(バンプの基板との接合具合)を向上させることができる。
なお、上記の実施の各形態では、生産性向上のために集合基板41を用いた例を挙げたが、実装基板1毎に弾性表面波素子2を実装し、樹脂フィルム10で弾性表面波素子2を封止することも可能である。
〔実施の形態4〕
本発明の他の実施の形態について図16ないし図20に基づいて説明すれば、以下の通りである。なお、説明の便宜上、前記実施の形態1にて示した各部材と同一の機能を有する部材には、同一の符号を付記し、その説明を省略する。
弾性表面波装置は、ヒートショック(HS)試験、およびリフロー時等には、急激な温度変化に晒される。このような温度変化が生じた場合、弾性表面波装置における弾性表面波素子では、該弾性表面波素子の圧電基板の焦電性に起因して電荷が発生する。この電荷の発生に伴い該弾性表面波素子のくし型電極部で放電が発生する可能性があり、その結果、該弾性表面波素子が破壊される可能性がある。上記HS試験とは、温度の異なる2つの槽の間を、一定時間で製品を往復させ、熱衝撃をかける試験である。弾性表面波装置では、上記HS試験を、例えば、−55℃と85℃との間を30分間隔で移動させて行う。このHS試験は、必ず実施されるユーザーの仕様にもある試験である。
そこで、本実施の形態では、図16に示すように、実施の形態1の配置工程において使用する樹脂フィルムに代えて導電性を有する樹脂フィルム(導電性樹脂フィルム)を用いて封止樹脂50を形成する構成を採用している。
さらに、該導電性樹脂フィルムの体積抵抗率に対する、製造された弾性表面波装置における弾性表面波素子の放電破壊による不良率(放電破壊不良率)を調査すると、図17に示すグラフのようになる。このグラフより、上記導電性樹脂フィルムの特性としては、体積抵抗率が1010Ω・m以下であることが好ましいことがわかる。上記放電破壊は、弾性表面波装置の特性の異常値(波形上にリップルがのる)を見た後、最終的に該弾性表面波装置を分解し、その弾性表面波素子に形成されている薄膜電極(くし型電極部)が放電により部分的に破壊されているかどうかを確認して判断している(放電すると、その時のスパークで薄膜電極の一部が焼けとぶ)。
上記の構成によれば、弾性表面波素子の圧電基板から生じた電荷が速やかに上記樹脂フィルムに移動し、該電荷を中和する(逃がす)ことができる。そのため、本実施の形態にかかる方法で製造された弾性表面波装置では、上記の放電を抑制することができ、弾性表面波素子が破壊されることを回避することができる。
上記導電性樹脂フィルムとしては、例えば、エポキシ樹脂組成物に、シート化剤(熱可塑性の樹脂)、無機フィラー(シリカゲル+ガラスバルーン)を加え、導電性のカーボンブラックを3%〜7%添加し、混練・圧延して、200μm〜500μmの厚さにシート化したものが挙げられる。また、熱硬化性のポリイミドに同じく導電性のカーボンブラックを3〜7%添加し、200μm〜500μmの厚さのシートにしたものであってもよい。
つまり、導電性樹脂フィルムとしては、ベース樹脂に、導電性樹脂、導電性材料を配合した樹脂組成物をフィルム状にしたものであればよい。上記ベース樹脂としては、熱軟化性・接着性を有する材料であればよく、例えば、エポキシ系樹脂、ポリイミド系樹脂、ポリオレフィン系樹脂、フェノール樹脂およびシリコン樹脂から選択される少なくとも1つの熱硬化性樹脂組成物が挙げられる。
また、上記導電性樹脂としては、例えば、ポリピロール、ポリチオフェン系樹脂、ポリアセチレン系樹脂、ポリアニリン系樹脂およびポリフェニレンビニレン系樹脂等から選択される少なくとも1つの樹脂が挙げられる。
上記導電材料としては、例えば、カーボンブラック並びにAg、AuおよびNi等の金属粉などから選択される少なくとも1つの導電性を有する材料であればよい。なかでも、カーボンブラックが導電性材料として特に好ましい。
さらに、上記導電性樹脂フィルムは、弾性表面波素子2上で硬化された後には、実装基板1のアース端子(図示せず)に接続されていることが好ましい。これにより、弾性表面波素子2で発生した電荷をより効率的に上記アース端子に逃がすことができる。上記アース端子は、例えば、実装基板1の弾性表面波素子2を実装していない面(裏面)に形成すればよい。図16に示すように、上記導電性樹脂フィルムから形成された封止樹脂50を上記アース端子に接続するためには、例えば、実装基板1の側面に形成した側面電極51、実装基板1に形成したビアホール52、または実装基板1に形成したスルーホール53等が挙げられる。
また、上記樹脂フィルムに導電性樹脂フィルムを用いる代わりに、図18に示すように、パッケージ内の弾性表面波素子2の天面(弾性表面波素子2における実装面と反対側の面(裏面))をメタライズすることにより、導電層(裏面導電層)54を設けていてもよい(裏面導電層形成工程)。上記メタライズは、例えば、スパッタ、蒸着などのドライメッキ法、電解液を用いた湿式メッキ法、あるいは導電性樹脂、導電性ペースト等などをコート(印刷)することにより行うことができる。
上記メタライズする材料としては、例えば、Au、Ag、Al、Ni、Ti、Cu、Cr、In23、ZnO等が挙げられる。この導電層54は、上記実施の形態1における実装工程の後に行うことが好ましい。また、導電層54は、上記封止樹脂50と同様に、アース端子に接続することが好ましい。アース端子に接続するためには、上記導電性樹脂フィルムを用いた封止樹脂50の場合と同様に、例えば、実装基板1の側面に形成した側面電極51a、実装基板1および封止樹脂5に形成したビアホール52a、または実装基板1に形成したスルーホール53a等が挙げられる。
上記の構成によれば、導電層54を、電荷が発生する弾性表面波素子2の圧電基板に直接設けているので、耐電防止効果が高い。この導電層54により、弾性表面波素子2から生じた電荷は速やかに中和され、放電破壊を抑制することができる。さらに,導電層54をアース端子と接続すれば、放電破壊防止効果は確実なものとなる。また、メタライズする面積は弾性表面波素子2の天面だけであり、メタライズする面積が狭いため、コスト面で有利となる。さらに、導電層54は封止樹脂5に覆われているので、後に印字の必要なパッケージの天面には出ることはないので、色や材質に制限はない。
さらに、弾性表面波素子2の裏面に代えて、図19に示すように、封止樹脂5天面側(樹脂表面)にメタライズすることにより、導電層(表面導電層)55を設けてもよい。この導電層55も、導電層54と同様の方法で形成することができる。
また、導電層55は、上記封止樹脂50と同様に、アース端子に接続することが好ましい。アース端子に接続するためには、上記導電性樹脂フィルムを用いた封止樹脂50の場合と同様に、実装基板1の側面に形成した側面電極51b、実装基板1および封止樹脂5に形成したビアホール52b、または実装基板1に形成したスルーホール53b等が挙げられる。この導電層55により、弾性表面波素子2から生じた電荷は速やかに中和され、放電破壊を抑制することができる。さらに、上記導電層55をアース端子に接続すれば、放電破壊防止効果は確実なものとなる。
また、上記導電層54・55の面積抵抗率に対する、製造された弾性表面波装置における弾性表面波素子2の放電破壊不良率を調査すると、図20に示すグラフのようになる。このグラフより上記導電層54・55の特性としては、面積抵抗率が1010Ω・□以下が好ましいことがわかる。
なお、上記の実施の各形態では、弾性表面波装置を圧電部品として用いた例を挙げたが、圧電部品としては上記に限定されることはなく、図24および図25に示すように、圧電共振子71〜74をラダー型に配置した圧電フィルタを用いることができる。
上記圧電共振子71〜74の内、代表としての圧電共振子72、74は、図26に示すように、シリコンからなる支持基板82の開口部84上に絶縁膜83を備え、その絶縁膜83上における開口部84に面する位置に圧電薄膜86をその上下(圧電薄膜86の厚さ)方向からそれぞれ挟むように下部電極85および上部電極87を形成して有するものである。
よって、上記圧電共振子72、74では、下部電極85および上部電極87にて挟まれた位置の圧電薄膜86、絶縁膜83により振動部が構成されるダイヤフラム構造88を形成できる。開口部84は支持基板82をその厚さ方向に貫通するように形成されている。絶縁膜83は、二酸化珪素(SiO2)83a、アルミナ(Al23)83bまたはそれらの多層構造からなるものである。圧電薄膜86は、酸化亜鉛(ZnO)や窒化アルミニウム(AlN)などからなるものである。
なお、上記開口部84に代えて、図27に示すように、圧電共振子72aは、ダイヤフラム構造に面した位置に開口し、支持基板82をその厚さ方向に貫通しない凹部84aを支持基板82に形成したものであってもよい。
本発明は上述した各実施形態に限定されるものではなく、請求項に示した範囲で種々の変更が可能であり、異なる実施形態にそれぞれ開示された技術的手段を適宜組み合わせて得られる実施形態についても本発明の技術的範囲に含まれる。
本発明に係る圧電部品およびその製造方法は、信頼性が高く、小型化でき、なおかつ安価にできるから、携帯電話などの通信機におけるフィルタとして好適に使用できて、通信分野での利用に好適なものである。
本実施の一形態にかかる圧電部品としての弾性表面波装置の概略の断面図である。 上記弾性表面波装置の製造工程を示す概略の断面図である。 (a)は上記弾性表面波装置における樹脂流入不良が生じた状態を示す断面図であり、(b)はそのX−Y線断面図である。 上記弾性表面波装置における弾性表面波素子と実装基板との間の隙間と樹脂流入不良率との関係を示すグラフである。 上記弾性表面波装置における弾性表面波素子間の間隔および弾性表面波素子の厚みとボイド発生率との関係を示すグラフである。 上記弾性表面波装置における設計パラメーターと、樹脂流入不良率およびボイド発生率との関係を示すグラフである。 本実施の他の形態にかかる弾性表面波装置の一工程における概略の断面図である。 本発明の他の形態にかかる弾性表面波装置の製造工程を示す概略の断面図である。 上記弾性表面波装置における、段差の高さと樹脂フィルムの固着強度との関係と示すグラフである。 上記弾性表面波装置の製造工程の一変形例を示す断面図である。 本発明のさらに他の形態にかかる弾性表面波装置の製造工程を示す概略の断面図である。 上記弾性表面波装置の製造工程の一変形例を示す概略の断面図である。 図11の製造工程における、プラズマ照射時間と固着強度との関係を示すグラフである。 プラズマ処理の有無による固着強度の比較を示すグラフである。 実装基板における固体の表面張力変化に対する、固着強度の変化を示すグラフである。 上記弾性表面波装置に係る本実施の他の形態の概略の断面図である。 上記弾性表面波装置における、樹脂フィルムの体積抵抗率に対する、弾性表面波素子の放電破壊不良率を示すグラフである。 図16の弾性表面波装置における変形例を示す概略の断面図である。 図16の弾性表面波装置における他の変形例を示す概略の断面図である。 上記弾性表面波装置における、樹脂フィルムの面積抵抗率に対する、弾性表面波素子の放電破壊不良率を示すグラフである。 上記弾性表面波装置の製造方法における、ローラー工程の一変形例を示す正面図である。 上記弾性表面波装置の製造方法における、プレス工程を示す正面図である。 上記プレス工程に用いる枠の各例を示し、(a)は枠の先端形状を示し角度θが90°の場合を示し、(b)は角度θが45°の場合を示し、(c)は角度θが135°の場合を示す。 本発明の圧電部品としての圧電フィルタの回路ブロック図である。 上記圧電フィルタの平面図である。 上記圧電フィルタにおける、図25のI−I矢視断面図である。 上記圧電フィルタに用いる圧電共振子の一変形例である。 従来の樹脂フィルムの実装基板への接着方法を示す断面図である。
符号の説明
1 実装基板
2 弾性表面波素子(圧電素子)
3 バンプ
4 ランド
5 封止樹脂
6 機能部(振動部)
10 樹脂フィルム
11 ローラー(治具)
20 段差(封止補助部材)
21 外枠
50 封止樹脂
54 導電層(裏面導電層)
55 導電層(表面導電層)

Claims (32)

  1. 基板に振動部及びバンプを有する圧電素子を形成する工程と、
    外部端子を有する実装基板上に、複数の前記圧電素子を、前記振動部が実装基板と対向するように、バンプを介してフリップチップボンディング実装する実装工程と、
    前記圧電素子が実装された実装基板上に樹脂フィルムを配置する配置工程と、
    前記実装基板上に実装された互いに隣り合う圧電素子間に、前記樹脂フィルムを埋め込ませることにより、前記圧電素子を封止する封止工程と、
    前記樹脂フィルムを硬化させる硬化工程と、
    前記実装基板をダイシングして個々の圧電部品を取り出す分割工程とを有し、
    上記封止工程が、ローラーを用いて、樹脂フィルムを加熱して軟化させると共に加圧する熱圧着工程を有することを特徴とする、圧電部品の製造方法。
  2. 上記熱圧着工程は、前記圧電素子が実装された実装基板を、2本のローラー間を通過させて行うことを特徴とする、請求項1に記載の圧電部品の製造方法。
  3. 上記熱圧着工程を、前記圧電素子が実装された実装基板を平面の台に固定して行うことを特徴とする、請求項1に記載の圧電部品の製造方法。
  4. 上記封止工程は、上記熱圧着工程の後、枠を用いて、樹脂フィルムの上方から加圧する加圧工程を行うことを特徴とする、請求項1ないし3のいずれか1項に記載の圧電部品の製造方法。
  5. 上記封止工程は、枠を用いて、樹脂フィルムの上方から加圧する加圧工程の後、上記熱圧着工程を行うことを特徴とする、請求項1ないし3のいずれか1項に記載の圧電部品の製造方法。
  6. 上記封止工程は、上記熱圧着工程の後、再度上記熱圧着工程を行うことを特徴とする、請求項1ないし3のいずれか1項に記載の圧電部品の製造方法。
  7. 上記封止工程は、枠を用いて、樹脂フィルムの上方から加圧する加圧工程の後、上記熱圧着工程、加圧工程を順に行うことを特徴とする、請求項1ないし3のいずれか1項に記載の圧電部品の製造方法。
  8. 上記封止工程は、上記熱圧着工程の後、再度上記熱圧着工程を行ない、その後、枠を用いて、樹脂フィルムの上方から加圧する加圧工程を行うことを特徴とする、請求項1ないし3のいずれか1項に記載の圧電部品の製造方法。
  9. 上記配置工程の後に、前記実装基板の端部に樹脂流出防止枠を設ける工程を備えることを特徴とする、請求項1ないし8のいずれか1項に記載の圧電部品の製造方法。
  10. 前記実装工程の後、前記実装基板に実装された互いに隣り合う圧電素子の間に、封止補助部材を形成することを特徴とする、請求項1ないし9のいずれか1項に記載の圧電部品の製造方法。
  11. 前記封止補助部材を、複数の開口部を有するシートを前記実装基板に接着することで形成することを特徴とする、請求項10に記載の圧電部品の製造方法。
  12. 前記実装工程の前に、前記実装基板に実装された圧電素子と圧電素子との間に、封止補助部材を形成することを特徴とする、請求項1ないし9のいずれか1項に記載の圧電部品の製造方法。
  13. 前記封止補助部材を、複数の開口部を有するシートを前記実装基板に接着することで形成した後、該開口部に圧電素子を実装することを特徴とする、請求項12に記載の圧電部品の製造方法。
  14. 前記封止補助部材の高さは、前記バンプの高さ以上であり、フリップチップボンディング実装された圧電素子の高さ以下であることを特徴とする、請求項10ないし13のいずれか1項に記載の圧電部品の製造方法。
  15. 前記実装工程の前に、前記実装基板に対して表面改質処理を行うことを特徴とする、請求項1ないし14のいずれか1項に記載の圧電部品の製造方法。
  16. 前記実装工程の後に、前記実装基板に対して表面改質処理を行うことを特徴とする、請求項1ないし15のいずれか1項に記載の圧電部品の製造方法。
  17. 前記表面改質処理が、プラズマ照射、紫外光照射、コロナ放電、エキシマレーザー照射、サンドブラスト処理のいずれかであることを特徴とする、請求項15または16に記載の圧電部品の製造方法。
  18. 前記実装基板にバンプを介してフリップチップボンディング実装された圧電素子と、前記実装基板との間隔が10μm〜50μmであることを特徴とする、請求項1ないし17のいずれか1項に記載の圧電部品の製造方法。
  19. 前記実装基板に実装された複数の圧電素子の間隔Dと、前記バンプを含む圧電素子の厚みtとが、D/t>2の関係を満たすことを特徴とする、請求項1ないし18のいずれか1項に記載の圧電部品の製造方法。
  20. 圧電部品の高さd、前記バンプおよび実装基板との隙間を含む圧電素子の体積V、前記実装基板上の単位面積当たりの圧電素子数n、前記樹脂フィルムの厚みt1、前記実装基板の平均厚み(基板断面積/長さ)t2が、0.8<d/(nV+t1+t2)<1.1の関係を満たすことを特徴とする、請求項1ないし19のいずれか1項に記載の圧電部品の製造方法。
  21. 前記樹脂フィルムの体積抵抗率が1010Ω・m以下であることを特徴とする、請求項1ないし20のいずれか1項に記載の圧電部品の製造方法。
  22. 前記実装工程の後に、圧電素子の裏面に導電層を形成する裏面導電層形成工程を備えることを特徴とする、請求項1ないし21のいずれか1項に記載の圧電部品の製造方法。
  23. 前記硬化工程の後に、硬化した樹脂フィルム上に導電層を形成する表面導電層成工程を備えることを特徴とする、請求項1ないし22のいずれか1項に記載の圧電部品の製造方法。
  24. 前記圧電素子は、圧電基板の表面に、少なくとも1つのくし型電極部を有する弾性表面波素子であることを特徴とする、請求項1ないし23のいずれか1項に記載の圧電部品の製造方法。
  25. 前記圧電素子は、開口部若しくは凹部を有する基板と、該開口部若しくは凹部上に形成されている少なくとも1層以上の圧電薄膜の上下面を少なくとも一対の上部電極および下部電極を対向させて挟む構造の振動部とを有する圧電薄膜素子であることを特徴とする、請求項1ないし23のいずれか1項に記載の圧電部品の製造方法。
  26. 請求項1ないし25のいずれか1項に記載の製造方法を用いて製造されたことを特徴とする、圧電部品。
  27. 基板の表面に振動部を有する圧電素子と、
    外部端子を有し、かつ、前記圧電素子が前記振動部の形成された面を対向させた状態でバンプを介してフリップチップボンディング実装される実装基板と、
    前記実装基板に実装された圧電素子を封止する樹脂とを有し、
    前記樹脂の体積抵抗率が、1010Ω・m以下であることを特徴とする、圧電部品。
  28. 基板の表面に振動部を有する圧電素子と、
    外部端子を有し、かつ、前記圧電素子が前記振動部の形成された面を対向させた状態でバンプを介してフリップチップボンディング実装される実装基板と、
    前記実装基板に実装された圧電素子を封止する樹脂とを有し、
    前記圧電素子の裏面には、裏面導電層を備えていることを特徴とする、圧電部品。
  29. 基板の表面に振動部を有する圧電素子と、
    外部端子とを有し、かつ、前記圧電素子が前記振動部の形成された面を対向させた状態でバンプを介してフリップチップボンディング実装される実装基板と、
    前記実装基板に実装された圧電素子を封止する樹脂とを有し、
    前記樹脂上に表面導電層が形成されていることを特徴とする、圧電部品。
  30. 前記裏面導電層もしくは表面導電層の少なくとも一方の面積抵抗率が1010Ω・□以下であることを特徴とする、請求項28または29に記載の圧電部品。
  31. 前記樹脂の体積抵抗率が1010Ω・m以下であることを特徴とする、請求項28ないし30のいずれか1項に記載の圧電部品。
  32. 前記裏面導電層もしくは表面導電層が、前記実装基板の外部端子のアース端子に接続されていることを特徴とする、請求項28ないし31のいずれか1項に記載の圧電部品。

JP2003378190A 2002-12-06 2003-11-07 圧電部品の製造方法および圧電部品 Pending JP2004201285A (ja)

Priority Applications (7)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2003378190A JP2004201285A (ja) 2002-12-06 2003-11-07 圧電部品の製造方法および圧電部品
KR20030087568A KR100561319B1 (ko) 2002-12-06 2003-12-04 압전 부품의 제조 방법 및 압전 부품
US10/728,540 US7261792B2 (en) 2002-12-06 2003-12-05 Method of producing piezoelectric component and piezoelectric component
AT03293044T ATE403237T1 (de) 2002-12-06 2003-12-05 Methode zur herstellung eines piezoelektrischen bauteils
CNB2003101201160A CN1323487C (zh) 2002-12-06 2003-12-05 压电部件的制造方法及压电部件
DE60322496T DE60322496D1 (de) 2002-12-06 2003-12-05 Methode zur Herstellung eines piezoelektrischen Bauteils
EP20030293044 EP1427032B1 (en) 2002-12-06 2003-12-05 Method of producing a piezoelectric part

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2002354712 2002-12-06
JP2003378190A JP2004201285A (ja) 2002-12-06 2003-11-07 圧電部品の製造方法および圧電部品

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2004201285A true JP2004201285A (ja) 2004-07-15

Family

ID=32314128

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2003378190A Pending JP2004201285A (ja) 2002-12-06 2003-11-07 圧電部品の製造方法および圧電部品

Country Status (7)

Country Link
US (1) US7261792B2 (ja)
EP (1) EP1427032B1 (ja)
JP (1) JP2004201285A (ja)
KR (1) KR100561319B1 (ja)
CN (1) CN1323487C (ja)
AT (1) ATE403237T1 (ja)
DE (1) DE60322496D1 (ja)

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005094257A (ja) * 2003-09-16 2005-04-07 Toyo Commun Equip Co Ltd 弾性表面波デバイスの製造方法
JP2006043847A (ja) * 2004-08-06 2006-02-16 Sony Corp 微小構造体、微小構造体の封止方法、微小電気機械素子とその製造方法、及び電子機器
JP2009010942A (ja) * 2007-05-29 2009-01-15 Nippon Dempa Kogyo Co Ltd 圧電部品及びその製造方法
JP2009272975A (ja) * 2008-05-09 2009-11-19 Nippon Dempa Kogyo Co Ltd 圧電部品の製造方法
JP2012010054A (ja) * 2010-06-24 2012-01-12 Ngk Insulators Ltd 複合基板及びそれを用いた弾性波デバイス
JP2018113292A (ja) * 2017-01-10 2018-07-19 三菱電機株式会社 電力用半導体装置
CN113452336A (zh) * 2020-03-25 2021-09-28 三安日本科技株式会社 弹性波器件封装与包含弹性波器件的模块
US11764752B2 (en) 2018-01-12 2023-09-19 Murata Manufacturing Co., Ltd. Elastic wave device
JP7508083B2 (ja) 2020-03-25 2024-07-01 三安ジャパンテクノロジー株式会社 弾性波デバイスパッケージ、及び、弾性波デバイスを含むモジュール

Families Citing this family (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN100477513C (zh) * 2004-06-28 2009-04-08 京瓷株式会社 声表面波装置的制造方法以及无线通信设备
US7506813B2 (en) * 2005-01-06 2009-03-24 Quad/Graphics, Inc. Resonator use in the print field
US7651879B2 (en) * 2005-12-07 2010-01-26 Honeywell International Inc. Surface acoustic wave pressure sensors
JP2007208568A (ja) * 2006-01-31 2007-08-16 Nippon Dempa Kogyo Co Ltd 表面実装水晶発振器
US7331236B2 (en) * 2006-03-21 2008-02-19 Radi Medical Systems Ab Pressure sensor
JP4324811B2 (ja) * 2007-06-28 2009-09-02 エプソントヨコム株式会社 圧電振動子及びその製造方法
JP4843012B2 (ja) * 2008-11-17 2011-12-21 日本電波工業株式会社 圧電デバイスとその製造方法
TWI485825B (zh) * 2009-07-28 2015-05-21 Xintec Inc 晶片封裝體及其形成方法
DE102010026843A1 (de) 2010-07-12 2012-01-12 Epcos Ag Modul-Package und Herstellungsverfahren
CN102097340A (zh) * 2010-12-14 2011-06-15 沈阳中光电子有限公司 用cob灌胶封装制作smd的方法
WO2012111061A1 (ja) * 2011-02-16 2012-08-23 パナソニック株式会社 電池および電池の製造方法
WO2013174418A1 (de) * 2012-05-22 2013-11-28 Würth Elektronik GmbH & Co. KG Verfahren zum herstellen einer elektronischen baugruppe
JP6166265B2 (ja) * 2012-09-10 2017-07-19 株式会社メイコー 部品内蔵基板及びその製造方法
JP2014083281A (ja) * 2012-10-25 2014-05-12 Seiko Epson Corp 超音波測定装置、ヘッドユニット、プローブ及び診断装置
JP6205704B2 (ja) 2012-10-25 2017-10-04 セイコーエプソン株式会社 超音波測定装置、ヘッドユニット、プローブ及び診断装置
JP2017011592A (ja) * 2015-06-24 2017-01-12 株式会社ディスコ Sawデバイスの製造方法
JP2018085705A (ja) * 2016-11-25 2018-05-31 太陽誘電株式会社 電子部品およびその製造方法
CN108598254A (zh) * 2018-04-19 2018-09-28 嘉盛半导体(苏州)有限公司 滤波器封装方法及封装结构
JP7180555B2 (ja) * 2019-07-02 2022-11-30 株式会社村田製作所 電子部品の製造方法および電子部品製造装置
CN111327226B (zh) * 2020-03-11 2021-09-21 中国科学院兰州化学物理研究所 一种提高超声电机能量转换效率的方法
WO2021215108A1 (ja) * 2020-04-24 2021-10-28 株式会社村田製作所 高周波モジュール及び通信装置
KR102459794B1 (ko) * 2020-05-25 2022-10-28 이주호 반도체 패키지의 전자파 차폐막 형성 방법
CN112583375A (zh) * 2020-12-15 2021-03-30 北京航天微电科技有限公司 一种对薄膜体声波滤波器进行封装的方法和封装器件
CN113436980A (zh) * 2021-06-23 2021-09-24 南昌黑鲨科技有限公司 一种器件封装方法以及应用该封装方法封装的封装结构
US11729915B1 (en) * 2022-03-22 2023-08-15 Tactotek Oy Method for manufacturing a number of electrical nodes, electrical node module, electrical node, and multilayer structure

Family Cites Families (36)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11857A (en) * 1854-10-31 Apparatus for tempering and flattening saws
JPS5179342A (ja) * 1974-12-26 1976-07-10 Fuji Photo Film Co Ltd
JPS61295025A (ja) * 1985-06-25 1986-12-25 Mitsubishi Petrochem Co Ltd 薄膜フイルムの接着方法
EP0500292B1 (en) * 1991-02-21 1995-01-11 MITSUI TOATSU CHEMICALS, Inc. Heat-resistant polyimide adhesive
JP3207222B2 (ja) * 1991-08-29 2001-09-10 株式会社東芝 電子部品装置
JPH07176565A (ja) * 1993-12-16 1995-07-14 Casio Comput Co Ltd 配線基板およびその製造方法
JPH07321583A (ja) 1994-05-20 1995-12-08 Kokusai Electric Co Ltd 弾性表面波装置及びその製造方法
JPH08204497A (ja) 1995-01-26 1996-08-09 Murata Mfg Co Ltd 弾性表面波装置
US6262513B1 (en) * 1995-06-30 2001-07-17 Kabushiki Kaisha Toshiba Electronic component and method of production thereof
JPH10125825A (ja) 1996-10-23 1998-05-15 Nec Corp チップ型デバイスの封止構造およびその封止方法
US6228688B1 (en) * 1997-02-03 2001-05-08 Kabushiki Kaisha Toshiba Flip-chip resin-encapsulated semiconductor device
JP2943764B2 (ja) 1997-05-16 1999-08-30 日本電気株式会社 フリップチップ実装型半導体素子の樹脂封止構造
DE19806818C1 (de) * 1998-02-18 1999-11-04 Siemens Matsushita Components Verfahren zur Herstellung eines elektronischen Bauelements, insbesondere eines mit akustischen Oberflächenwllen arbeitenden OFW-Bauelements
JPH11239037A (ja) * 1998-02-20 1999-08-31 Nec Corp 弾性表面波装置
JP2000004139A (ja) 1998-06-16 2000-01-07 Oki Electric Ind Co Ltd 弾性表面波デバイスの封止構造及びその封止方法
JP2000058593A (ja) 1998-08-03 2000-02-25 Nec Corp 表面弾性波素子の実装構造及びその実装方法
JP3303791B2 (ja) * 1998-09-02 2002-07-22 株式会社村田製作所 電子部品の製造方法
JP2000114918A (ja) 1998-10-05 2000-04-21 Mitsubishi Electric Corp 表面弾性波装置及びその製造方法
KR100502222B1 (ko) 1999-01-29 2005-07-18 마츠시타 덴끼 산교 가부시키가이샤 전자부품의 실장방법 및 그 장치
JP2001110946A (ja) * 1999-10-05 2001-04-20 Toshiba Corp 電子デバイスおよびその製造方法
FR2799883B1 (fr) * 1999-10-15 2003-05-30 Thomson Csf Procede d'encapsulation de composants electroniques
TW569424B (en) * 2000-03-17 2004-01-01 Matsushita Electric Ind Co Ltd Module with embedded electric elements and the manufacturing method thereof
JP3376994B2 (ja) * 2000-06-27 2003-02-17 株式会社村田製作所 弾性表面波装置及びその製造方法
JP4049239B2 (ja) * 2000-08-30 2008-02-20 Tdk株式会社 表面弾性波素子を含む高周波モジュール部品の製造方法
JP2002217221A (ja) * 2001-01-23 2002-08-02 Tdk Corp 電子装置の製造方法
JP2002217220A (ja) * 2001-01-23 2002-08-02 Tdk Corp 電子装置の製造方法
JP2002217523A (ja) 2001-01-23 2002-08-02 Tdk Corp 電子装置の製造方法
JP2002217219A (ja) 2001-01-23 2002-08-02 Tdk Corp 電子装置の製造方法
JP2002330049A (ja) * 2001-04-27 2002-11-15 Tdk Corp 弾性表面波装置およびその製造方法
JP2003032061A (ja) * 2001-07-16 2003-01-31 Toshiba Corp 弾性表面波装置の製造方法
JP2003283295A (ja) * 2002-03-25 2003-10-03 Toshiba Corp 弾性表面波装置及びその製造方法
JP4166997B2 (ja) * 2002-03-29 2008-10-15 富士通メディアデバイス株式会社 弾性表面波素子の実装方法及び樹脂封止された弾性表面波素子を有する弾性表面波装置
JP3702961B2 (ja) * 2002-10-04 2005-10-05 東洋通信機株式会社 表面実装型sawデバイスの製造方法
JP4173024B2 (ja) * 2003-02-14 2008-10-29 富士通メディアデバイス株式会社 電子部品の製造方法及びそのベース基板
JP2004253839A (ja) * 2003-02-17 2004-09-09 Toyo Commun Equip Co Ltd 表面実装型sawデバイスの製造方法及び表面実装型sawデバイス
JP3689414B2 (ja) * 2003-06-03 2005-08-31 東洋通信機株式会社 弾性表面波デバイスの製造方法

Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005094257A (ja) * 2003-09-16 2005-04-07 Toyo Commun Equip Co Ltd 弾性表面波デバイスの製造方法
JP2006043847A (ja) * 2004-08-06 2006-02-16 Sony Corp 微小構造体、微小構造体の封止方法、微小電気機械素子とその製造方法、及び電子機器
JP4608993B2 (ja) * 2004-08-06 2011-01-12 ソニー株式会社 微小電気機械素子とその製造方法、及び電子機器
JP2009010942A (ja) * 2007-05-29 2009-01-15 Nippon Dempa Kogyo Co Ltd 圧電部品及びその製造方法
JP2009272975A (ja) * 2008-05-09 2009-11-19 Nippon Dempa Kogyo Co Ltd 圧電部品の製造方法
JP2012010054A (ja) * 2010-06-24 2012-01-12 Ngk Insulators Ltd 複合基板及びそれを用いた弾性波デバイス
JP2018113292A (ja) * 2017-01-10 2018-07-19 三菱電機株式会社 電力用半導体装置
US11764752B2 (en) 2018-01-12 2023-09-19 Murata Manufacturing Co., Ltd. Elastic wave device
CN113452336A (zh) * 2020-03-25 2021-09-28 三安日本科技株式会社 弹性波器件封装与包含弹性波器件的模块
JP7508083B2 (ja) 2020-03-25 2024-07-01 三安ジャパンテクノロジー株式会社 弾性波デバイスパッケージ、及び、弾性波デバイスを含むモジュール

Also Published As

Publication number Publication date
CN1323487C (zh) 2007-06-27
DE60322496D1 (de) 2008-09-11
US20040169444A1 (en) 2004-09-02
EP1427032B1 (en) 2008-07-30
KR20040049800A (ko) 2004-06-12
ATE403237T1 (de) 2008-08-15
CN1507150A (zh) 2004-06-23
KR100561319B1 (ko) 2006-03-16
EP1427032A3 (en) 2006-01-11
US7261792B2 (en) 2007-08-28
EP1427032A2 (en) 2004-06-09

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2004201285A (ja) 圧電部品の製造方法および圧電部品
US7486160B2 (en) Electronic component and manufacturing method thereof
JP3702961B2 (ja) 表面実装型sawデバイスの製造方法
US7154206B2 (en) Surface acoustic wave device and method for manufacturing same
US7816794B2 (en) Electronic device and method of fabricating the same
US20040100164A1 (en) Manufacturing method of electronic device
US6460591B1 (en) Ultrasonic bonding method and ultrasonic bonding apparatus
EP1432123A2 (en) Electronic component and method of producing the same
JP5113627B2 (ja) 電子部品及びその製造方法
US9978929B2 (en) Electronic component and method for manufacturing the same
JP2006135264A (ja) 電子部品の製造方法及びそれを用いた電子部品
US20060033200A1 (en) Ceramic package, assembled substrate, and manufacturing method therefor
JP3721559B2 (ja) チップ実装方法
US6320739B1 (en) Electronic part and manufacturing method therefor
JP2004007051A (ja) 封止用部材およびこれを用いた表面弾性波装置の製造方法
CN113992174A (zh) 声学装置封装结构
JP2007526641A (ja) Wlp法で製造可能なパッケージング電気部品およびその製造方法
JP2003092306A (ja) 半導体装置及びその製造方法
JP2004129193A (ja) 弾性表面波装置
JP2003264442A (ja) 弾性表面波装置の製造方法及び多面取りベース基板
JP2008042430A (ja) Sawデバイス、及びその製造方法
JP2004104087A (ja) 電子デバイスの製造方法
JP4384443B2 (ja) 電子部品装置
JP2003168942A (ja) 弾性表面波デバイスの製造方法
JP2003234363A (ja) 電子デバイス

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20050719

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20071220

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20080108

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20080507