JPH08204497A - 弾性表面波装置 - Google Patents
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- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 全体の厚みが薄く、かつ経時による特性の劣
化等が生じ難い、信頼性に優れた小型のＳＡＷ装置を提
供する。 【構成】 アルミナよりなるベース２２の上面に半田バ
ンプ２３，２４を形成し、ＳＡＷ素子２５を表面波伝搬
面２５ａが下となるように半田バンプ２３，２４により
接合し、ＳＡＷ素子２５の周囲を外装樹脂層３１で被覆
してなるＳＡＷ装置２１。
化等が生じ難い、信頼性に優れた小型のＳＡＷ装置を提
供する。 【構成】 アルミナよりなるベース２２の上面に半田バ
ンプ２３，２４を形成し、ＳＡＷ素子２５を表面波伝搬
面２５ａが下となるように半田バンプ２３，２４により
接合し、ＳＡＷ素子２５の周囲を外装樹脂層３１で被覆
してなるＳＡＷ装置２１。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、外装の構造が改良され
た弾性表面波（以下、ＳＡＷと略す）装置に関し、特
に、樹脂外装が施された形式のＳＡＷ装置に関する。
た弾性表面波（以下、ＳＡＷと略す）装置に関し、特
に、樹脂外装が施された形式のＳＡＷ装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】ＳＡＷ装置としては、従来より、ＳＡＷ
共振子、ＳＡＷ遅延線、ＳＡＷフィルタ、エラスティッ
クコンボルバなどの種々の部品が実用化されている。こ
の種のＳＡＷ装置の製品としての構造を、ＳＡＷフィル
タを例にとり説明する。
共振子、ＳＡＷ遅延線、ＳＡＷフィルタ、エラスティッ
クコンボルバなどの種々の部品が実用化されている。こ
の種のＳＡＷ装置の製品としての構造を、ＳＡＷフィル
タを例にとり説明する。
【０００３】図１は従来のＳＡＷ装置の一例を示す分解
斜視図である。ここでは、絶縁性セラミックスもしくは
合成樹脂などよりなる板状のベース基板１上にＳＡＷフ
ィルタ素子２が取り付けられている。ＳＡＷフィルタ素
子２は、表面波基板２ａの上面において、所定距離を隔
てて一対のインターデジタルトランスデューサ（以下、
ＩＤＴと略す）２ｂ，２ｃを形成した構造を有する。各
ＩＤＴ２ｂ，２ｃは、互いに間挿し合う電極指を有する
一対のくし歯電極により構成されている。
斜視図である。ここでは、絶縁性セラミックスもしくは
合成樹脂などよりなる板状のベース基板１上にＳＡＷフ
ィルタ素子２が取り付けられている。ＳＡＷフィルタ素
子２は、表面波基板２ａの上面において、所定距離を隔
てて一対のインターデジタルトランスデューサ（以下、
ＩＤＴと略す）２ｂ，２ｃを形成した構造を有する。各
ＩＤＴ２ｂ，２ｃは、互いに間挿し合う電極指を有する
一対のくし歯電極により構成されている。
【０００４】ＳＡＷフィルタ素子２では、一方のＩＤＴ
２ｂが入力側または出力側ＩＤＴとして用いられ、他方
のＩＤＴ２ｃが出力側または入力側ＩＤＴとして用いら
れ、ＩＤＴ２ｂ，２ｃ間を表面波が伝搬する。
２ｂが入力側または出力側ＩＤＴとして用いられ、他方
のＩＤＴ２ｃが出力側または入力側ＩＤＴとして用いら
れ、ＩＤＴ２ｂ，２ｃ間を表面波が伝搬する。
【０００５】図１に示す構造では、ＳＡＷフィルタ素子
２の表面波伝搬面が上面となるようにしてＳＡＷ素子２
がベース基板１上に絶縁性接着剤等を用いて固定されて
いる。また、ベース基板１には、複数本のリード端子３
ａ〜３ｄが固定されている。リード端子３ａ〜３ｄは、
上端がベース基板１の上方に突出されており、下端がベ
ース基板１の下方に引き出されている。ＳＡＷフィルタ
素子２のＩＤＴ２ｂ，２ｃは、上記リード端子３ａ〜３
ｄに、ボンディングワイヤー４ａ〜４ｄにより電気的に
接続されている。
２の表面波伝搬面が上面となるようにしてＳＡＷ素子２
がベース基板１上に絶縁性接着剤等を用いて固定されて
いる。また、ベース基板１には、複数本のリード端子３
ａ〜３ｄが固定されている。リード端子３ａ〜３ｄは、
上端がベース基板１の上方に突出されており、下端がベ
ース基板１の下方に引き出されている。ＳＡＷフィルタ
素子２のＩＤＴ２ｂ，２ｃは、上記リード端子３ａ〜３
ｄに、ボンディングワイヤー４ａ〜４ｄにより電気的に
接続されている。
【０００６】また、上記ベース基板１には、上方から金
属キャップ５が固定される。このようにして、ＳＡＷフ
ィルタ素子２がベース基板１と金属キャップ５とで構成
されるパッケージ内に封止される。ＳＡＷフィルタ素子
２では、表面波伝搬面に異物が付着すると特性が劣化す
る。また、ＩＤＴ２ｂ，２ｃは、コスト低減のために、
通常アルミニウムにより構成されている。ところが、ア
ルミニウムよりなるくし歯電極は、高湿度雰囲気下で酸
化し易い。アルミニウムよりなるくし歯電極が酸化する
と、導電率が低下したり、あるいは重量が増加したり
し、共振特性が劣化する。
属キャップ５が固定される。このようにして、ＳＡＷフ
ィルタ素子２がベース基板１と金属キャップ５とで構成
されるパッケージ内に封止される。ＳＡＷフィルタ素子
２では、表面波伝搬面に異物が付着すると特性が劣化す
る。また、ＩＤＴ２ｂ，２ｃは、コスト低減のために、
通常アルミニウムにより構成されている。ところが、ア
ルミニウムよりなるくし歯電極は、高湿度雰囲気下で酸
化し易い。アルミニウムよりなるくし歯電極が酸化する
と、導電率が低下したり、あるいは重量が増加したり
し、共振特性が劣化する。
【０００７】従って、従来、金属キャップ５とベース基
板１とにより封止パッケージを構成することにより、Ｓ
ＡＷフィルタ素子２を該パッケージ内に封止していた。
図２は、従来のＳＡＷ装置のパッケージ構造の他の例を
示す分解斜視図である。図２に示す構造では、セラミッ
クスよりなるパッケージ材６が用いられる。パッケージ
材６は、平面形状が矩形であり、上方に開いた開口６ａ
を有する。この開口６ａ内にＳＡＷフィルタ素子２が固
定されている。すなわち、開口６ａの底面上に、絶縁性
接着剤を用いてＳＡＷフィルタ素子２が貼り付けられ
て、ＳＡＷフィルタ素子２が固定されている。また、パ
ッケージ材の凹部内には、端子電極７ａ〜７ｄが形成さ
れており、該端子電極７ａ〜７ｄはパッケージ材６の外
表面に引き出されている。端子電極７ａ〜７ｄは、ボン
ディングワイヤー８ａ〜８ｄによりＳＡＷフィルタ素子
２のＩＤＴ２ｂ，２ｃに電気的に接続されている。
板１とにより封止パッケージを構成することにより、Ｓ
ＡＷフィルタ素子２を該パッケージ内に封止していた。
図２は、従来のＳＡＷ装置のパッケージ構造の他の例を
示す分解斜視図である。図２に示す構造では、セラミッ
クスよりなるパッケージ材６が用いられる。パッケージ
材６は、平面形状が矩形であり、上方に開いた開口６ａ
を有する。この開口６ａ内にＳＡＷフィルタ素子２が固
定されている。すなわち、開口６ａの底面上に、絶縁性
接着剤を用いてＳＡＷフィルタ素子２が貼り付けられ
て、ＳＡＷフィルタ素子２が固定されている。また、パ
ッケージ材の凹部内には、端子電極７ａ〜７ｄが形成さ
れており、該端子電極７ａ〜７ｄはパッケージ材６の外
表面に引き出されている。端子電極７ａ〜７ｄは、ボン
ディングワイヤー８ａ〜８ｄによりＳＡＷフィルタ素子
２のＩＤＴ２ｂ，２ｃに電気的に接続されている。
【０００８】この構造では、開口６ａを閉成するよう
に、パッケージ材６の上面に金属板９が固定される。こ
のようにして、図１に示した例と同様に、ＳＡＷフィル
タ素子２がパッケージ内に封止されることになる。な
お、図２では図示を省略しているが、パッケージ材６の
外表面には上記端子電極７ａ〜７ｄに電気的に接続され
る外部電極が形成される。
に、パッケージ材６の上面に金属板９が固定される。こ
のようにして、図１に示した例と同様に、ＳＡＷフィル
タ素子２がパッケージ内に封止されることになる。な
お、図２では図示を省略しているが、パッケージ材６の
外表面には上記端子電極７ａ〜７ｄに電気的に接続され
る外部電極が形成される。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】図１及び図２に示した
従来のＳＡＷ装置では、ＳＡＷフィルタ素子２がパッケ
ージ内に封止されるため、表面波伝搬面に対する異物の
付着による共振特性の劣化やＩＤＴの酸化による共振特
性の劣化を一応防止し得る。
従来のＳＡＷ装置では、ＳＡＷフィルタ素子２がパッケ
ージ内に封止されるため、表面波伝搬面に対する異物の
付着による共振特性の劣化やＩＤＴの酸化による共振特
性の劣化を一応防止し得る。
【００１０】しかしながら、ＳＡＷフィルタ素子２とパ
ッケージ側のリード端子３ａ〜３ｄや端子電極７ａ〜７
ｄとの電気的接続に、ボンディングワイヤー４ａ〜４
ｄ，８ａ〜８ｄが用いられている。従って、ボンディン
グワイヤーによる煩雑な接合作業を実施しなければなら
ないだけでなく、ボンディングワイヤー４ａ〜４ｄ，８
ａ〜８ｄを用いているため、全体構造を薄くすることが
非常に困難であった。
ッケージ側のリード端子３ａ〜３ｄや端子電極７ａ〜７
ｄとの電気的接続に、ボンディングワイヤー４ａ〜４
ｄ，８ａ〜８ｄが用いられている。従って、ボンディン
グワイヤーによる煩雑な接合作業を実施しなければなら
ないだけでなく、ボンディングワイヤー４ａ〜４ｄ，８
ａ〜８ｄを用いているため、全体構造を薄くすることが
非常に困難であった。
【００１１】近年、電磁波を利用したリモコン装置など
では、製品の薄型化・小型化が強く求められており、従
って、このような用途に用いられるＳＡＷ装置において
も薄型化が強く求められている。ところが、図１及び図
２に示した構造では薄型化が困難であり、上記要求に答
えることができなかった。
では、製品の薄型化・小型化が強く求められており、従
って、このような用途に用いられるＳＡＷ装置において
も薄型化が強く求められている。ところが、図１及び図
２に示した構造では薄型化が困難であり、上記要求に答
えることができなかった。
【００１２】もっとも、図３に示すように、プリント回
路基板１０上に直接ＳＡＷフィルタ素子２を実装するこ
とにより、ＳＡＷフィルタ素子２が組み込まれる回路の
薄型化を果たすことも可能である。
路基板１０上に直接ＳＡＷフィルタ素子２を実装するこ
とにより、ＳＡＷフィルタ素子２が組み込まれる回路の
薄型化を果たすことも可能である。
【００１３】しかしながら、図３に示した構造では、Ｓ
ＡＷフィルタ素子２が露出しているため、表面波伝搬面
に異物が付着することを避けることができない。例え
ば、図３に示すように、ＳＡＷフィルタ素子２以外に、
トランジスタ１１、ＩＣ１２及びコンデンサ１３などを
混載して半田付けする場合、異物がＳＡＷフィルタ素子
２の表面波伝搬面上に付着することがある。
ＡＷフィルタ素子２が露出しているため、表面波伝搬面
に異物が付着することを避けることができない。例え
ば、図３に示すように、ＳＡＷフィルタ素子２以外に、
トランジスタ１１、ＩＣ１２及びコンデンサ１３などを
混載して半田付けする場合、異物がＳＡＷフィルタ素子
２の表面波伝搬面上に付着することがある。
【００１４】のみならず、ＳＡＷフィルタ素子２の表面
波伝搬面が露出しているため、半田付け時のフラックス
や雰囲気ガスの影響により共振特性が劣化することもあ
った。
波伝搬面が露出しているため、半田付け時のフラックス
や雰囲気ガスの影響により共振特性が劣化することもあ
った。
【００１５】さらに、ＳＡＷフィルタ素子２が露出して
いるため、実使用時に、ＩＤＴ２ｂ，２ｃを形成してい
る電極の酸化による共振特性の劣化が生じたり、あるい
は異物の付着による共振特性の劣化や短絡等が生じるこ
ともある。
いるため、実使用時に、ＩＤＴ２ｂ，２ｃを形成してい
る電極の酸化による共振特性の劣化が生じたり、あるい
は異物の付着による共振特性の劣化や短絡等が生じるこ
ともある。
【００１６】よって、本発明の目的は、製造時や実使用
時の経時による劣化を確実に防止することができ、しか
も全体を薄くすることが可能なＳＡＷ装置を提供するこ
とにある。
時の経時による劣化を確実に防止することができ、しか
も全体を薄くすることが可能なＳＡＷ装置を提供するこ
とにある。
【００１７】
【課題を解決するための手段】本願の第１の発明は、板
状のベースと、前記ベース上に形成された電気的接続の
ための複数のバンプと、前記ベース上に表面波伝搬面を
下側として搭載されており、かつ前記バンプによりベー
スに固定されるとともに該バンプに電気的に接続された
表面波素子と、前記表面波素子の表面波伝搬面を露出さ
せる空隙を残して、少なくとも前記表面波素子を被覆し
ている外装樹脂層とを備える、ＳＡＷ装置である。
状のベースと、前記ベース上に形成された電気的接続の
ための複数のバンプと、前記ベース上に表面波伝搬面を
下側として搭載されており、かつ前記バンプによりベー
スに固定されるとともに該バンプに電気的に接続された
表面波素子と、前記表面波素子の表面波伝搬面を露出さ
せる空隙を残して、少なくとも前記表面波素子を被覆し
ている外装樹脂層とを備える、ＳＡＷ装置である。
【００１８】第１の発明においては、好ましくは、上記
ベースの表面波素子の表面波伝搬面と対向する領域に凹
部が形成される。また、好ましくは、上記外装樹脂は、
内側に形成された相対的に柔らかい第１の樹脂層と、第
１の樹脂層の外側に形成された相対的に固い第２の樹脂
層とを有するように構成される。
ベースの表面波素子の表面波伝搬面と対向する領域に凹
部が形成される。また、好ましくは、上記外装樹脂は、
内側に形成された相対的に柔らかい第１の樹脂層と、第
１の樹脂層の外側に形成された相対的に固い第２の樹脂
層とを有するように構成される。
【００１９】本願の第２の発明は、複数本のリード端子
と、各リード端子の上面に形成された電気的接続のため
のバンプと、前記複数本のリード端子上に、表面波伝搬
面を下側として搭載されており、前記バンプにより複数
本のリード端子に固定されるとともに、該バンプに電気
的に接続された表面波素子と、前記表面波素子の表面波
伝搬面を露出させる空隙を残して、少なくとも、前記表
面波素子を被覆している外装樹脂層とを備える、ＳＡＷ
装置である。
と、各リード端子の上面に形成された電気的接続のため
のバンプと、前記複数本のリード端子上に、表面波伝搬
面を下側として搭載されており、前記バンプにより複数
本のリード端子に固定されるとともに、該バンプに電気
的に接続された表面波素子と、前記表面波素子の表面波
伝搬面を露出させる空隙を残して、少なくとも、前記表
面波素子を被覆している外装樹脂層とを備える、ＳＡＷ
装置である。
【００２０】第２の発明においても、好ましくは、上記
ベースの表面波素子の表面波伝搬面と対向する領域に凹
部が形成される。
ベースの表面波素子の表面波伝搬面と対向する領域に凹
部が形成される。
【００２１】
【発明の作用及び効果】本願の第１の発明では、板状の
ベースにフェースダウン方式により表面波素子が搭載さ
れており、該表面波素子とベース基板とがバンプにより
接続されている。すなわち、バンプと電気的に接続され
る表面波素子の部分が、表面波伝搬面上に形成されてい
るため、フェースダウン方式により表面波素子をベース
基板上に搭載することにより、上記バンプによって表面
波素子のベースへの固定とともに、電気的接続をも果た
すことが可能とされている。しかも、上記バンプにより
電気的接続を行うものであるため、ボンディングワイヤ
ーを用いた電気的接続構造に比べて、全体の厚みを薄く
することができる。
ベースにフェースダウン方式により表面波素子が搭載さ
れており、該表面波素子とベース基板とがバンプにより
接続されている。すなわち、バンプと電気的に接続され
る表面波素子の部分が、表面波伝搬面上に形成されてい
るため、フェースダウン方式により表面波素子をベース
基板上に搭載することにより、上記バンプによって表面
波素子のベースへの固定とともに、電気的接続をも果た
すことが可能とされている。しかも、上記バンプにより
電気的接続を行うものであるため、ボンディングワイヤ
ーを用いた電気的接続構造に比べて、全体の厚みを薄く
することができる。
【００２２】加えて、上記外装樹脂層により表面波素子
が被覆されているものであるため、表面波装置全体の厚
みも薄くすることができる。特に、表面波素子が構成さ
れている部分のみを被覆するように外装樹脂層を形成し
た場合には、ベースの下面側を外装樹脂で被覆する必要
がないため、より一層全体の厚みを薄くすることができ
る。
が被覆されているものであるため、表面波装置全体の厚
みも薄くすることができる。特に、表面波素子が構成さ
れている部分のみを被覆するように外装樹脂層を形成し
た場合には、ベースの下面側を外装樹脂で被覆する必要
がないため、より一層全体の厚みを薄くすることができ
る。
【００２３】また、表面波伝搬面を下側として表面波素
子がベース上に固定されているが、表面波伝搬面とベー
スとの間は、上記バンプの厚みに相当した空間により隔
てられることになる。さらに、この空間の厚みは、上記
バンプの厚みにより決定されるため、かなり小さい。よ
って、上記外装樹脂層を構成するために樹脂を付与し硬
化させるに際し、溶融状態の樹脂の表面張力により、上
記空間内への樹脂の侵入を防止し得る。従って、表面波
伝搬面とベースとの間に、表面波の励振及び伝搬を妨げ
ない空隙を確実に構成することができる。
子がベース上に固定されているが、表面波伝搬面とベー
スとの間は、上記バンプの厚みに相当した空間により隔
てられることになる。さらに、この空間の厚みは、上記
バンプの厚みにより決定されるため、かなり小さい。よ
って、上記外装樹脂層を構成するために樹脂を付与し硬
化させるに際し、溶融状態の樹脂の表面張力により、上
記空間内への樹脂の侵入を防止し得る。従って、表面波
伝搬面とベースとの間に、表面波の励振及び伝搬を妨げ
ない空隙を確実に構成することができる。
【００２４】本発明の好ましい態様では、上記ベースの
表面波素子の表面波伝搬面と対向する領域に凹部が形成
され、従って、上記表面波伝搬面とベースとの間の空隙
をより確実に形成することができる。
表面波素子の表面波伝搬面と対向する領域に凹部が形成
され、従って、上記表面波伝搬面とベースとの間の空隙
をより確実に形成することができる。
【００２５】さらに、外装樹脂層を、上記第１，第２の
樹脂層を有するように構成した場合には、表面波素子に
対する外装樹脂からの締め付け応力を第１の樹脂層によ
り緩和することができ、第２の樹脂層により外装樹脂層
の強度を保つことができる。
樹脂層を有するように構成した場合には、表面波素子に
対する外装樹脂からの締め付け応力を第１の樹脂層によ
り緩和することができ、第２の樹脂層により外装樹脂層
の強度を保つことができる。
【００２６】本願の第２の発明では、第１の発明と同様
に表面波素子がフェースダウン方式で配置されている。
第２の発明では、リード端子の上面にバンプにより表面
波素子が接合され、従ってリード端子の上面と表面波伝
搬面との間に表面波の励振及び伝搬を妨げないための空
隙が形成される。この場合においても、外装樹脂層を構
成する樹脂の付与・硬化に際し、溶融樹脂の表面張力に
より、樹脂の上記空隙への侵入が防止される。従って、
表面波伝搬面を露出させる空隙を確実に形成したまま、
外装樹脂層を構成することができる。
に表面波素子がフェースダウン方式で配置されている。
第２の発明では、リード端子の上面にバンプにより表面
波素子が接合され、従ってリード端子の上面と表面波伝
搬面との間に表面波の励振及び伝搬を妨げないための空
隙が形成される。この場合においても、外装樹脂層を構
成する樹脂の付与・硬化に際し、溶融樹脂の表面張力に
より、樹脂の上記空隙への侵入が防止される。従って、
表面波伝搬面を露出させる空隙を確実に形成したまま、
外装樹脂層を構成することができる。
【００２７】また、リード端子と表面波素子とが上記バ
ンプにより接合されているため、すなわちボンディング
ワイヤーを用いずに、接続されているため、表面波装置
全体の厚みを薄くすることができる。
ンプにより接合されているため、すなわちボンディング
ワイヤーを用いずに、接続されているため、表面波装置
全体の厚みを薄くすることができる。
【００２８】また、第２の発明においても、好ましく
は、外装樹脂層が第１，第２の樹脂層で構成され、外装
樹脂から表面波素子に加えられる締め付け応力を第１の
樹脂層により緩和することができ、他方第２の樹脂層に
より外装樹脂層の強度を保つことができる。
は、外装樹脂層が第１，第２の樹脂層で構成され、外装
樹脂から表面波素子に加えられる締め付け応力を第１の
樹脂層により緩和することができ、他方第２の樹脂層に
より外装樹脂層の強度を保つことができる。
【００２９】上記第１，第２の発明によれば、表面波素
子が外装樹脂層内に確実に封止され、しかも表面波伝搬
面が上記空隙に確実に露出される。よって、経時による
特性の劣化等が生じ難い、信頼性に優れた表面波装置を
提供することができる。加えて、表面波素子とベースも
しくはリード端子との接合がバンプにより行われ、ボン
ディングワイヤーを用いないため、ＳＡＷ装置全体の厚
みを薄くすることができる。よって、薄型化が強く求め
られる用途に最適なＳＡＷ装置を提供することが可能と
なる。
子が外装樹脂層内に確実に封止され、しかも表面波伝搬
面が上記空隙に確実に露出される。よって、経時による
特性の劣化等が生じ難い、信頼性に優れた表面波装置を
提供することができる。加えて、表面波素子とベースも
しくはリード端子との接合がバンプにより行われ、ボン
ディングワイヤーを用いないため、ＳＡＷ装置全体の厚
みを薄くすることができる。よって、薄型化が強く求め
られる用途に最適なＳＡＷ装置を提供することが可能と
なる。
【００３０】本発明は、上記のように外装構造に特徴を
有するものであり、従って、ＳＡＷ共振子、ＳＡＷフィ
ルタ、ＳＡＷ遅延線、エラスティックコンボルバなどの
種々のＳＡＷ素子を用いたＳＡＷ装置に広く適用するこ
とができる。
有するものであり、従って、ＳＡＷ共振子、ＳＡＷフィ
ルタ、ＳＡＷ遅延線、エラスティックコンボルバなどの
種々のＳＡＷ素子を用いたＳＡＷ装置に広く適用するこ
とができる。
【００３１】
【実施例の説明】図４は、本発明の第１の実施例にかか
るＳＡＷ装置を説明するための断面図である。
るＳＡＷ装置を説明するための断面図である。
【００３２】本実施例のＳＡＷ装置２１は、ベース２２
を有する。ベース２２は、例えばアルミナなどの絶縁性
セラミックスより構成することができるが、他の絶縁セ
ラミックスまたは合成樹脂などの適宜の表面が絶縁性の
材料で構成することができる。ベース２２上には、半田
バンプ２３，２４が形成されている。半田バンプ２３，
２４は、ＳＡＷ素子２５をベース２２上に固定するとと
もに、ＳＡＷ素子２５をベース２２上に形成された配線
パターン（図示せず）に電気的に接続するために設けら
れている。
を有する。ベース２２は、例えばアルミナなどの絶縁性
セラミックスより構成することができるが、他の絶縁セ
ラミックスまたは合成樹脂などの適宜の表面が絶縁性の
材料で構成することができる。ベース２２上には、半田
バンプ２３，２４が形成されている。半田バンプ２３，
２４は、ＳＡＷ素子２５をベース２２上に固定するとと
もに、ＳＡＷ素子２５をベース２２上に形成された配線
パターン（図示せず）に電気的に接続するために設けら
れている。
【００３３】本実施例では、半田バンプ２３，２４が用
いられているが、ＳＡＷ素子２５の固定及び電気的接続
を果たし得る限り、他の材料、例えば、銀ろう等により
バンプ２３，２４を構成してもよい。
いられているが、ＳＡＷ素子２５の固定及び電気的接続
を果たし得る限り、他の材料、例えば、銀ろう等により
バンプ２３，２４を構成してもよい。
【００３４】ＳＡＷ素子２５は、表面波伝搬面２５ａが
下面となるようにフェースダウン方式でベース２２上に
固定されている。ＳＡＷ素子２５の電極構造を、図５の
平面図を参照して説明する。
下面となるようにフェースダウン方式でベース２２上に
固定されている。ＳＡＷ素子２５の電極構造を、図５の
平面図を参照して説明する。
【００３５】ＳＡＷ素子２５は、矩形の表面波基板２６
の上面において所定距離を隔てて一対のＩＤＴ２７，２
８を形成した構造を有する。各ＩＤＴ２７，２８は、互
いの電極指が間挿し合うように配置された一対のくし歯
電極２７ａ，２７ｂ，２８ａ，２８ｂを有する。また、
くし歯電極２７ａ，２７ｂ，２８ａ，２８ｂに電気的に
接続されるように端子電極２９ａ〜２９ｄが形成されて
いる。端子電極２９ａ〜２９ｄは、前述した半田バンプ
２３，２４に接合される部分を構成している。すなわ
ち、端子電極２９ａ〜２９ｄが半田バンプ２３，２４に
よりベース２２上に形成された配線パターンに電気的に
接続される。
の上面において所定距離を隔てて一対のＩＤＴ２７，２
８を形成した構造を有する。各ＩＤＴ２７，２８は、互
いの電極指が間挿し合うように配置された一対のくし歯
電極２７ａ，２７ｂ，２８ａ，２８ｂを有する。また、
くし歯電極２７ａ，２７ｂ，２８ａ，２８ｂに電気的に
接続されるように端子電極２９ａ〜２９ｄが形成されて
いる。端子電極２９ａ〜２９ｄは、前述した半田バンプ
２３，２４に接合される部分を構成している。すなわ
ち、端子電極２９ａ〜２９ｄが半田バンプ２３，２４に
よりベース２２上に形成された配線パターンに電気的に
接続される。
【００３６】上記ＩＤＴ２７，２８及び端子電極２９ａ
〜２９ｄは、適宜の導電性材料により構成することがで
きるが、コストの点から安価なアルミニウムからなるも
のを用いることが望ましい。
〜２９ｄは、適宜の導電性材料により構成することがで
きるが、コストの点から安価なアルミニウムからなるも
のを用いることが望ましい。
【００３７】上記ＳＡＷ素子２５は、所定距離隔てられ
て形成されたＩＤＴ２７，２８の一方を入力側、他方を
出力側とするトランスバーサル型のＳＡＷフィルタであ
る。図４に戻り、ＳＡＷ素子２５は、表面波伝搬面２５
ａを下面としてベース２２上に固定されているが、この
場合、表面波伝搬面２５ａとベース２２の上面２２ａと
の間には、半田バンプ２３，２４の厚みに相当の厚みの
空隙３０が形成される。
て形成されたＩＤＴ２７，２８の一方を入力側、他方を
出力側とするトランスバーサル型のＳＡＷフィルタであ
る。図４に戻り、ＳＡＷ素子２５は、表面波伝搬面２５
ａを下面としてベース２２上に固定されているが、この
場合、表面波伝搬面２５ａとベース２２の上面２２ａと
の間には、半田バンプ２３，２４の厚みに相当の厚みの
空隙３０が形成される。
【００３８】また、本実施例のＳＡＷ装置２１では、上
記ＳＡＷ素子２５を被覆するように外装樹脂層３１が形
成されている。外装樹脂層３１は、例えばエポキシ樹脂
などの熱硬化性樹脂を付与し、加熱により硬化させるこ
とにより形成することができる。この場合、溶融状態の
樹脂は、空隙３０には侵入しない。これは、バンプ２
３，２４の厚みが５０〜１００μｍ程度とかなり薄いた
め、溶融樹脂の表面張力により、空隙３０への樹脂の流
入が抑制されるからである。従って、上記バンプ２３，
２４の厚み及び溶融樹脂の粘度は、上記空隙３０が確実
に形成されるように選択すればよい。
記ＳＡＷ素子２５を被覆するように外装樹脂層３１が形
成されている。外装樹脂層３１は、例えばエポキシ樹脂
などの熱硬化性樹脂を付与し、加熱により硬化させるこ
とにより形成することができる。この場合、溶融状態の
樹脂は、空隙３０には侵入しない。これは、バンプ２
３，２４の厚みが５０〜１００μｍ程度とかなり薄いた
め、溶融樹脂の表面張力により、空隙３０への樹脂の流
入が抑制されるからである。従って、上記バンプ２３，
２４の厚み及び溶融樹脂の粘度は、上記空隙３０が確実
に形成されるように選択すればよい。
【００３９】本実施例のＳＡＷ装置２１では、上記のよ
うに空隙３０が内部に形成された状態で、ＳＡＷ素子２
５が外装樹脂層３１により被覆されている。従って、表
面波伝搬面２５ａが空隙３０に露出されているため、フ
ィルタ特性が、外装樹脂層３１により影響を受け難い。
しかも、外装樹脂層３１でＳＡＷ素子２５が周囲を被覆
されているため、周囲の雰囲気等により、ＳＡＷ素子２
５のくし歯電極などが劣化し難い。よって、経時による
特性の劣化が生じ難い表面波装置を提供することができ
る。
うに空隙３０が内部に形成された状態で、ＳＡＷ素子２
５が外装樹脂層３１により被覆されている。従って、表
面波伝搬面２５ａが空隙３０に露出されているため、フ
ィルタ特性が、外装樹脂層３１により影響を受け難い。
しかも、外装樹脂層３１でＳＡＷ素子２５が周囲を被覆
されているため、周囲の雰囲気等により、ＳＡＷ素子２
５のくし歯電極などが劣化し難い。よって、経時による
特性の劣化が生じ難い表面波装置を提供することができ
る。
【００４０】さらに、ＳＡＷ装置２１は、ベース２２上
に半田バンプ２３，２４を用いてＳＡＷ素子２５を取り
付け、外装樹脂層３１で被覆した構造を有するため、す
なわちボンディングワイヤーによる接合を必要としない
ため、その全体の厚みをかなり薄くすることができる。
に半田バンプ２３，２４を用いてＳＡＷ素子２５を取り
付け、外装樹脂層３１で被覆した構造を有するため、す
なわちボンディングワイヤーによる接合を必要としない
ため、その全体の厚みをかなり薄くすることができる。
【００４１】図６は、本発明の第２の実施例にかかるＳ
ＡＷ装置４１を示す断面図である。第２の実施例のＳＡ
Ｗ装置４１は、ベース２２の上面に凹部２２ｂが形成さ
れていることを除いては、第１の実施例と同様に構成さ
れている。従って、第１の実施例と異なる点のみを説明
し、その他の点については第１の実施例について行った
説明を援用する。
ＡＷ装置４１を示す断面図である。第２の実施例のＳＡ
Ｗ装置４１は、ベース２２の上面に凹部２２ｂが形成さ
れていることを除いては、第１の実施例と同様に構成さ
れている。従って、第１の実施例と異なる点のみを説明
し、その他の点については第１の実施例について行った
説明を援用する。
【００４２】凹部２２ｂは、ＳＡＷ素子２５の表面波伝
搬面２５ａと対向する領域に形成されており、該凹部２
２ｂが形成されている分だけ表面波伝搬面が確実に空隙
３０に露出されることになる。すなわち、凹部２２ｂが
形成されているため、バンプ２３，２４の厚みがかなり
薄い場合であっても、表面波伝搬面２５ａを確実に空隙
３０に露出させることができる。すなわち、第１の実施
例では、半田バンプ２３，２４の厚みにより上記空隙３
０の厚みを制御していたが、凹部２２ｂが設けられてい
るため、第２の実施例では半田バンプ２３，２４の厚み
が薄い場合であっても確実に空隙３０を形成し得るた
め、半田バンプ２３，２４の厚みの高精度な管理を必要
としない。
搬面２５ａと対向する領域に形成されており、該凹部２
２ｂが形成されている分だけ表面波伝搬面が確実に空隙
３０に露出されることになる。すなわち、凹部２２ｂが
形成されているため、バンプ２３，２４の厚みがかなり
薄い場合であっても、表面波伝搬面２５ａを確実に空隙
３０に露出させることができる。すなわち、第１の実施
例では、半田バンプ２３，２４の厚みにより上記空隙３
０の厚みを制御していたが、凹部２２ｂが設けられてい
るため、第２の実施例では半田バンプ２３，２４の厚み
が薄い場合であっても確実に空隙３０を形成し得るた
め、半田バンプ２３，２４の厚みの高精度な管理を必要
としない。
【００４３】図７は、本発明の第３の実施例のＳＡＷ装
置を説明するための断面図である。第３の実施例にかか
るＳＡＷ装置５１は、外装樹脂層５２が第１の実施例と
異なる点を除いては、第１の実施例と同様に構成されて
いる。従って、第１の実施例と同じ部分については、同
一の参照番号を付することにより第１の実施例について
行った説明を援用する。
置を説明するための断面図である。第３の実施例にかか
るＳＡＷ装置５１は、外装樹脂層５２が第１の実施例と
異なる点を除いては、第１の実施例と同様に構成されて
いる。従って、第１の実施例と同じ部分については、同
一の参照番号を付することにより第１の実施例について
行った説明を援用する。
【００４４】外装樹脂層５２は、内側に形成された第１
の樹脂層５３と、外側に形成された第２の樹脂層５４と
を有する。第１の樹脂層５３は、第２の樹脂層５４に比
べて相対的に柔らかい樹脂材料で構成されている。この
第１の樹脂層５３は、外装樹脂層５２からの締め付け応
力によるＳＡＷ素子２５の特性の劣化を防止するために
設けられている。従って、第１の樹脂層５３を構成する
樹脂材料としては、ＳＡＷ素子２５の特性の劣化を引き
起こし難い適宜の硬度を有する材料で構成することがで
きる。
の樹脂層５３と、外側に形成された第２の樹脂層５４と
を有する。第１の樹脂層５３は、第２の樹脂層５４に比
べて相対的に柔らかい樹脂材料で構成されている。この
第１の樹脂層５３は、外装樹脂層５２からの締め付け応
力によるＳＡＷ素子２５の特性の劣化を防止するために
設けられている。従って、第１の樹脂層５３を構成する
樹脂材料としては、ＳＡＷ素子２５の特性の劣化を引き
起こし難い適宜の硬度を有する材料で構成することがで
きる。
【００４５】また、第２の樹脂層５４は、ＳＡＷ装置５
１を外部からの機械的の衝撃に対して保護するために設
けられているものであり、第１の樹脂層５３に比べて固
い樹脂材料で構成される。
１を外部からの機械的の衝撃に対して保護するために設
けられているものであり、第１の樹脂層５３に比べて固
い樹脂材料で構成される。
【００４６】上記のような第１，第２の樹脂層を構成す
る材料の組合せ例としては、第１の樹脂層をエポキシ樹
脂で構成し、第２の樹脂層としてエポキシ樹脂にシリカ
などの充填剤を所定量含有することにより硬度を高めた
ものを挙げることができる。このように、第１，第２の
樹脂層を同一の熱硬化性樹脂を用いて構成することによ
り、第１，第２の樹脂層の硬化を単一の加熱工程により
行ない得る。もっとも、第１，第２の樹脂層を構成する
材料としては、特に限定されるものではなく、上記機能
を果たし得る限り、適宜の樹脂材料を用いることができ
る。
る材料の組合せ例としては、第１の樹脂層をエポキシ樹
脂で構成し、第２の樹脂層としてエポキシ樹脂にシリカ
などの充填剤を所定量含有することにより硬度を高めた
ものを挙げることができる。このように、第１，第２の
樹脂層を同一の熱硬化性樹脂を用いて構成することによ
り、第１，第２の樹脂層の硬化を単一の加熱工程により
行ない得る。もっとも、第１，第２の樹脂層を構成する
材料としては、特に限定されるものではなく、上記機能
を果たし得る限り、適宜の樹脂材料を用いることができ
る。
【００４７】図８は、本発明の第４の実施例にかかるＳ
ＡＷ装置を説明するための断面図である。本実施例のＳ
ＡＷ装置６１は、複数本のリード端子６２，６３を有す
る。リード端子６２，６３は、銅、アルミ、ステンレス
もしくはこれらの合金などの適宜の金属材料により構成
される。リード端子６２，６３の先端近傍において、上
面に半田バンプ６４，６５が形成されている。半田バン
プ６４，６５上に、ＳＡＷ素子２５がフェースダウン方
式で取り付けられている。すなわち、半田バンプ６４，
６５とＳＡＷ素子２５との接合構造は、第１の実施例の
半田バンプ２３，２４とＳＡＷ素子２５の接合構造と同
一である。
ＡＷ装置を説明するための断面図である。本実施例のＳ
ＡＷ装置６１は、複数本のリード端子６２，６３を有す
る。リード端子６２，６３は、銅、アルミ、ステンレス
もしくはこれらの合金などの適宜の金属材料により構成
される。リード端子６２，６３の先端近傍において、上
面に半田バンプ６４，６５が形成されている。半田バン
プ６４，６５上に、ＳＡＷ素子２５がフェースダウン方
式で取り付けられている。すなわち、半田バンプ６４，
６５とＳＡＷ素子２５との接合構造は、第１の実施例の
半田バンプ２３，２４とＳＡＷ素子２５の接合構造と同
一である。
【００４８】リード端子６２，６３の内側端６２ａ，６
３ａは、図示のように所定距離を隔てられている。従っ
て、ＳＡＷ素子２５の表面波伝搬面２５ａは、リード端
子６２，６３間及び半田バンプ６４，６５により形成さ
れる厚みの空間に露出されている。
３ａは、図示のように所定距離を隔てられている。従っ
て、ＳＡＷ素子２５の表面波伝搬面２５ａは、リード端
子６２，６３間及び半田バンプ６４，６５により形成さ
れる厚みの空間に露出されている。
【００４９】なお、６６はキャリアテープを示し、キャ
リアテープ６６は、リード端子６２，６３に接着されて
いる。キャリアテープ６６は、製造に際し、リード端子
６２，６３を所定の位置関係で配置した状態で搬送する
ために設けられている。
リアテープ６６は、リード端子６２，６３に接着されて
いる。キャリアテープ６６は、製造に際し、リード端子
６２，６３を所定の位置関係で配置した状態で搬送する
ために設けられている。
【００５０】すなわち、複数本のリード端子６２，６３
が所定の位置関係でキャリアテープ６６上に貼り付けら
れたまま、半田バンプ６４，６５の形成及びＳＡＷ素子
２５の接合が行われる。しかる後、ＳＡＷ素子２５を覆
うように第１の樹脂層６７が形成される。
が所定の位置関係でキャリアテープ６６上に貼り付けら
れたまま、半田バンプ６４，６５の形成及びＳＡＷ素子
２５の接合が行われる。しかる後、ＳＡＷ素子２５を覆
うように第１の樹脂層６７が形成される。
【００５１】第１の樹脂層６７は、第３の実施例で用い
た第１の樹脂層５３と同様の材料で構成されている。ま
た、第１の樹脂層６７は、リード端子６２，６３の上面
とＳＡＷ素子２５とを被覆するように付与されている。
さらに、リード端子６２，６３の引き出されている部分
を除く残りの部分全体が第２の樹脂層６８で被覆されて
いる。第２の樹脂層６８を構成する樹脂材料としては、
第３の実施例で用いた第２の樹脂層５４を構成する樹脂
材料と同一材料を用いることができる。
た第１の樹脂層５３と同様の材料で構成されている。ま
た、第１の樹脂層６７は、リード端子６２，６３の上面
とＳＡＷ素子２５とを被覆するように付与されている。
さらに、リード端子６２，６３の引き出されている部分
を除く残りの部分全体が第２の樹脂層６８で被覆されて
いる。第２の樹脂層６８を構成する樹脂材料としては、
第３の実施例で用いた第２の樹脂層５４を構成する樹脂
材料と同一材料を用いることができる。
【００５２】本実施例においても、外装樹脂層６９が第
１の樹脂層６７及び第２の樹脂層６８を有するため、外
装樹脂層からＳＡＷ素子２５に加えられる締め付け応力
を第１の樹脂層６７により緩和することができる。ま
た、第２の樹脂層６８により耐機械的衝撃性が高められ
る。従って、第３の実施例と同様に、信頼性に優れたＳ
ＡＷ装置を構成することができる。
１の樹脂層６７及び第２の樹脂層６８を有するため、外
装樹脂層からＳＡＷ素子２５に加えられる締め付け応力
を第１の樹脂層６７により緩和することができる。ま
た、第２の樹脂層６８により耐機械的衝撃性が高められ
る。従って、第３の実施例と同様に、信頼性に優れたＳ
ＡＷ装置を構成することができる。
【００５３】しかも、本実施例においても、リード端子
６２，６３とＳＡＷ素子２５との接合にボンディングワ
イヤーを用いていないため、全体の厚みを薄くすること
ができる。
６２，６３とＳＡＷ素子２５との接合にボンディングワ
イヤーを用いていないため、全体の厚みを薄くすること
ができる。
【００５４】なお、第４の実施例においても、第１の実
施例と同様に単一の合成樹脂により外装樹脂層を形成し
てもよい。さらに、本実施例では、キャリアテープ６６
を用いたが、キャリアテープ６６は省略されてもよい。
すなわち、例えば金型内に複数のリード端子６２，６３
を所定の位置関係で配置しておき、上記バンプ６４，６
５の形成、ＳＡＷ素子２５の接合、外装樹脂による被覆
等を実施してもよい。
施例と同様に単一の合成樹脂により外装樹脂層を形成し
てもよい。さらに、本実施例では、キャリアテープ６６
を用いたが、キャリアテープ６６は省略されてもよい。
すなわち、例えば金型内に複数のリード端子６２，６３
を所定の位置関係で配置しておき、上記バンプ６４，６
５の形成、ＳＡＷ素子２５の接合、外装樹脂による被覆
等を実施してもよい。
【００５５】図９は、本発明の第５の実施例にかかるＳ
ＡＷ装置を説明するための断面図である。第５の実施例
のＳＡＷ装置７１は、プリント回路基板７２を用いて構
成されている。すなわち、トランジスタ７３などの他の
電子部品が実装されているプリント回路基板７２上に、
ＳＡＷ素子２５がフェースダウン方式で取り付けられて
いる。ＳＡＷ素子２５は、プリント回路基板７２上に形
成された半田バンプ２３，２４により、プリント回路基
板７２に固定されるとともに、電気的接続が果たされて
いる。
ＡＷ装置を説明するための断面図である。第５の実施例
のＳＡＷ装置７１は、プリント回路基板７２を用いて構
成されている。すなわち、トランジスタ７３などの他の
電子部品が実装されているプリント回路基板７２上に、
ＳＡＷ素子２５がフェースダウン方式で取り付けられて
いる。ＳＡＷ素子２５は、プリント回路基板７２上に形
成された半田バンプ２３，２４により、プリント回路基
板７２に固定されるとともに、電気的接続が果たされて
いる。
【００５６】また、ＳＡＷ素子２５及びトランジスタ７
３などの他の回路部品を被覆するように外装樹脂層７４
が形成されている。従って、第１の実施例と同様に、ベ
ースとしてのプリント回路基板７２上にボンディングワ
イヤーを用いることなく、ＳＡＷ素子２５が固定されて
いるため、ＳＡＷ装置７１は、ボンディングワイヤーを
用いた従来のＳＡＷ装置に比べてその厚みを薄くするこ
とができる。
３などの他の回路部品を被覆するように外装樹脂層７４
が形成されている。従って、第１の実施例と同様に、ベ
ースとしてのプリント回路基板７２上にボンディングワ
イヤーを用いることなく、ＳＡＷ素子２５が固定されて
いるため、ＳＡＷ装置７１は、ボンディングワイヤーを
用いた従来のＳＡＷ装置に比べてその厚みを薄くするこ
とができる。
【００５７】しかも、第１の実施例と同様に、ＳＡＷ素
子２５の表面波伝搬面２５ａの下方に空隙３０が構成さ
れるため、表面波の励振及び伝搬がＳＡＷ素子２５の固
定構造により阻害されるおそれもない。
子２５の表面波伝搬面２５ａの下方に空隙３０が構成さ
れるため、表面波の励振及び伝搬がＳＡＷ素子２５の固
定構造により阻害されるおそれもない。
【００５８】このように、本発明のＳＡＷ装置では、ベ
ースとして既存のプリント回路基板７２を用いてもよ
く、さらにベースとしてのプリント回路基板７２上にト
ランジスタ７３などの他の部品を搭載してもよい。
ースとして既存のプリント回路基板７２を用いてもよ
く、さらにベースとしてのプリント回路基板７２上にト
ランジスタ７３などの他の部品を搭載してもよい。
【００５９】また、ＳＡＷ素子２５を封止するための外
装樹脂は、ＳＡＷ素子だけでなく他の回路部品を封止し
ていてもよい。加えて、第１〜第３の実施例及び第５の
実施例では、外装樹脂層はＳＡＷ素子２５のみを被覆し
ており、ベースの下面には至らないように付与されてい
るが、ベースの下面をも被覆するように外装樹脂層を形
成してもよい。
装樹脂は、ＳＡＷ素子だけでなく他の回路部品を封止し
ていてもよい。加えて、第１〜第３の実施例及び第５の
実施例では、外装樹脂層はＳＡＷ素子２５のみを被覆し
ており、ベースの下面には至らないように付与されてい
るが、ベースの下面をも被覆するように外装樹脂層を形
成してもよい。
【図１】従来のＳＡＷ装置の一例を説明するための分解
斜視図。
斜視図。
【図２】従来のＳＡＷ装置の他の例を説明するための分
解斜視図。
解斜視図。
【図３】従来のＳＡＷ装置のさらに他の例を示す斜視
図。
図。
【図４】第１の実施例のＳＡＷ装置の断面図。
【図５】第１の実施例に用いられるＳＡＷ素子の平面
図。
図。
【図６】第２の実施例のＳＡＷ装置を示す断面図。
【図７】第３の実施例のＳＡＷ装置を示す断面図。
【図８】第４の実施例のＳＡＷ装置を説明するための断
面図。
面図。
【図９】第５の実施例のＳＡＷ装置を説明するための断
面図。
面図。
２１…ＳＡＷ装置 ２２…ベース ２３，２４…半田バンプ ２５…ＳＡＷ素子 ２５ａ…表面波伝搬面 ３０…空隙 ４１…ＳＡＷ装置 ４２…凹部 ５１…ＳＡＷ装置 ５２…外装樹脂層 ５３…第１の樹脂層 ５４…第２の樹脂層 ６１…ＳＡＷ装置 ６２，６３…リード端子 ６４，６５…半田バンプ ６６…キャリアテープ ６７…第１の樹脂層 ６８…第２の樹脂層 ６９…外装樹脂層 ７１…ＳＡＷ装置 ７２…ベースとしてのプリント回路基板 ７４…外装樹脂層
Claims (5)
- 【請求項１】 板状のベースと、 前記ベース上に形成された電気的接続のための複数のバ
ンプと、 前記ベース上に表面波伝搬面を下側として搭載されてお
り、かつ前記バンプによりベースに固定されるとともに
該バンプに電気的に接続された表面波素子と、 前記表面波素子の表面波伝搬面を露出させる空隙を残し
て、少なくとも前記表面波素子を被覆している外装樹脂
層とを備える、弾性表面波装置。 - 【請求項２】 前記ベースの表面波素子の表面波伝搬面
と対向する領域に凹部が形成されている、請求項１に記
載の弾性表面波装置。 - 【請求項３】 前記外装樹脂層が、内側に形成されてお
り、かつ相対的に柔らかい第１の樹脂層と、前記第１の
樹脂層の外側に形成されており、かつ相対的に固い第２
の樹脂層とを有する、請求項１または２に記載の弾性表
面波装置。 - 【請求項４】 複数本のリード端子と、 各リード端子の上面に形成された電気的接続のためのバ
ンプと、 前記複数本のリード端子上に表面波伝搬面を下側として
搭載されており、前記バンプにより複数本のリード端子
に固定されるとともに、該バンプに電気的に接続された
表面波素子と、 前記表面波素子の表面波伝搬面を露出させる空隙を残し
て、少なくとも、前記表面波素子を被覆している外装樹
脂層とを備えることを特徴とする、弾性表面波装置。 - 【請求項５】 前記外装樹脂層が、内側に形成された相
対的に柔らかい第１の樹脂層と、第１の樹脂層の外側に
形成された相対的に固い第２の樹脂層とを有する、請求
項４に記載の弾性表面波装置。
Priority Applications (3)
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|---|---|---|---|
| JP1095695A JPH08204497A (ja) | 1995-01-26 | 1995-01-26 | 弾性表面波装置 |
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