JP2003283289A - 弾性表面波装置 - Google Patents
弾性表面波装置Info
- Publication number
- JP2003283289A JP2003283289A JP2002084100A JP2002084100A JP2003283289A JP 2003283289 A JP2003283289 A JP 2003283289A JP 2002084100 A JP2002084100 A JP 2002084100A JP 2002084100 A JP2002084100 A JP 2002084100A JP 2003283289 A JP2003283289 A JP 2003283289A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- acoustic wave
- surface acoustic
- wave device
- sealing material
- annular sealing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
- H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
- H01L2224/161—Disposition
- H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/16225—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
- H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
Landscapes
- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 小型、薄型で長期信頼性に優れ、簡略で安価
なプロセスで製造が可能な表面実装型弾性表面波装置を
提供すること。 【解決手段】 配線が形成された基台である絶縁性基板
８上に、圧電基板１の一主面に前記配線に接続されるＩ
ＤＴ電極５を形成した弾性表面波素子を、圧電基板１の
一主面を下面にして配設して成り、ＩＤＴ電極５を取り
囲む絶縁性の第１環状封止材６と、この第１環状封止材
６を取り囲み且つＩＤＴ電極５に絶縁性基板８上の配線
を接続するための接続部材３と同一材料から成る第２環
状封止材７とを、圧電基板１と絶縁性基板８との間に介
在させて成る弾性表面波装置Ｓ１とする。
なプロセスで製造が可能な表面実装型弾性表面波装置を
提供すること。 【解決手段】 配線が形成された基台である絶縁性基板
８上に、圧電基板１の一主面に前記配線に接続されるＩ
ＤＴ電極５を形成した弾性表面波素子を、圧電基板１の
一主面を下面にして配設して成り、ＩＤＴ電極５を取り
囲む絶縁性の第１環状封止材６と、この第１環状封止材
６を取り囲み且つＩＤＴ電極５に絶縁性基板８上の配線
を接続するための接続部材３と同一材料から成る第２環
状封止材７とを、圧電基板１と絶縁性基板８との間に介
在させて成る弾性表面波装置Ｓ１とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、例えば自動車電話
及び携帯電話等の移動体無線機器に内蔵される共振器、
及び周波数帯域フィルタに使用される弾性表面波装置に
関する。
及び携帯電話等の移動体無線機器に内蔵される共振器、
及び周波数帯域フィルタに使用される弾性表面波装置に
関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の代表的な弾性表面波（Surface Ac
oustic Wave ：ＳＡＷ）装置Ｊ１，Ｊ２の概略断面図を
図４，５に示す。
oustic Wave ：ＳＡＷ）装置Ｊ１，Ｊ２の概略断面図を
図４，５に示す。
【０００３】図４おいて、２１は圧電基板、２２は入出
力電極のパッド、２３はパッケージに形成された、外部
の駆動回路，共振回路，接地回路等に接続される電極パ
ターンのパッド、２４は弾性表面波素子Ｈ１を構成する
圧電基板２１上に形成された櫛歯状電極のＩＤＴ（Inte
r Digital Transducer）電極、２９はパッド２２，２３
を接続するワイヤであって、これら部材により弾性表面
波素子が構成されている。また、２５〜２７はセラミッ
ク，樹脂等の絶縁性材料からなるパッケージ部材、２８
はセラミック，金属（コバール）等からなる蓋体であ
る。これら部材によりパッケージが構成され、このパッ
ケージ内に弾性表面波素子Ｈ１が収容されている。
力電極のパッド、２３はパッケージに形成された、外部
の駆動回路，共振回路，接地回路等に接続される電極パ
ターンのパッド、２４は弾性表面波素子Ｈ１を構成する
圧電基板２１上に形成された櫛歯状電極のＩＤＴ（Inte
r Digital Transducer）電極、２９はパッド２２，２３
を接続するワイヤであって、これら部材により弾性表面
波素子が構成されている。また、２５〜２７はセラミッ
ク，樹脂等の絶縁性材料からなるパッケージ部材、２８
はセラミック，金属（コバール）等からなる蓋体であ
る。これら部材によりパッケージが構成され、このパッ
ケージ内に弾性表面波素子Ｈ１が収容されている。
【０００４】弾性表面波装置Ｊ１は、パッケージ部材２
５〜２７で囲まれた領域に圧電基板２１を接着剤により
載置固定し、パッド２２，２３をＡｌ，Ａｕ等のワイヤ
２９により電気的に接続し、さらに蓋体２８をシーム溶
接、はんだ，接着剤等によりパッケージ部材２７の上か
ら接着して気密性を保持していた。
５〜２７で囲まれた領域に圧電基板２１を接着剤により
載置固定し、パッド２２，２３をＡｌ，Ａｕ等のワイヤ
２９により電気的に接続し、さらに蓋体２８をシーム溶
接、はんだ，接着剤等によりパッケージ部材２７の上か
ら接着して気密性を保持していた。
【０００５】また図５において、３１は圧電基板、３２
は入出力電極のパッド、３３はパッド３２と後記するパ
ッド３４を電気的に接続するバンプ等の接続体、パッド
３４は基体３７の表面に形成され外部の駆動回路，共振
回路，接地回路等に接続される電極パターンから成り、
３５は弾性表面波素子Ｈ２を構成する圧電基板３１上に
形成されたＩＤＴ電極である。このような構成におい
て、蓋体３８をシーム溶接、はんだ，接着剤等を介して
パッケージ部材３７の上から密着させ気密性を保持して
いた。
は入出力電極のパッド、３３はパッド３２と後記するパ
ッド３４を電気的に接続するバンプ等の接続体、パッド
３４は基体３７の表面に形成され外部の駆動回路，共振
回路，接地回路等に接続される電極パターンから成り、
３５は弾性表面波素子Ｈ２を構成する圧電基板３１上に
形成されたＩＤＴ電極である。このような構成におい
て、蓋体３８をシーム溶接、はんだ，接着剤等を介して
パッケージ部材３７の上から密着させ気密性を保持して
いた。
【０００６】弾性表面波装置Ｊ２は、パッケージ部材３
６〜３８で構成されたキャビティ内に、ＩＤＴ電極３５
が設けられた機能面が、パッケージ部材３７の上面に対
面させフェースダウンで載置させたフリップチップ方式
を利用したものである。
６〜３８で構成されたキャビティ内に、ＩＤＴ電極３５
が設けられた機能面が、パッケージ部材３７の上面に対
面させフェースダウンで載置させたフリップチップ方式
を利用したものである。
【０００７】ここで、図５における接続体３３は、Ａ
ｕ，Ａｌ等の金属製のワイヤをボールボンディング法に
よりバンプとなるように形成するか、Ａｕ，はんだ等か
らなるバンプを蒸着法，印刷法，転写法，無電解メッキ
法または電解メッキ法等により、パッド３２上に形成し
て得られる。そして、接続体３３を設けた圧電基板３１
を、接続体３３とパッド３４との間で位置合わせし、導
電性接着剤の塗布やはんだのリフロー溶融法により接続
し、パッケージ部材３６上に固定している。
ｕ，Ａｌ等の金属製のワイヤをボールボンディング法に
よりバンプとなるように形成するか、Ａｕ，はんだ等か
らなるバンプを蒸着法，印刷法，転写法，無電解メッキ
法または電解メッキ法等により、パッド３２上に形成し
て得られる。そして、接続体３３を設けた圧電基板３１
を、接続体３３とパッド３４との間で位置合わせし、導
電性接着剤の塗布やはんだのリフロー溶融法により接続
し、パッケージ部材３６上に固定している。
【０００８】また、他の従来例を図６に示す。図６にお
いて、４１は圧電基板、４２は入出力電極のパッド、４
３はパッド４２とパッド４４を電気的に接続するバンプ
等の接続体、４４は基体４７の表面に形成され外部の駆
動回路，共振回路，接地回路等に接続される電極パター
ンのパッド、４５は弾性表面波素子用の圧電基板上に形
成されたＩＤＴ電極、４６は弾性表面波素子全体にモー
ルドされた絶縁性樹脂からなる保護部材である。そし
て、この保護部材４６が振動空間に入り込まないように
環状部材４８を配設した弾性表面波装置が提案されてい
る（例えば、特開平５−９０８８２号公報を参照）。
いて、４１は圧電基板、４２は入出力電極のパッド、４
３はパッド４２とパッド４４を電気的に接続するバンプ
等の接続体、４４は基体４７の表面に形成され外部の駆
動回路，共振回路，接地回路等に接続される電極パター
ンのパッド、４５は弾性表面波素子用の圧電基板上に形
成されたＩＤＴ電極、４６は弾性表面波素子全体にモー
ルドされた絶縁性樹脂からなる保護部材である。そし
て、この保護部材４６が振動空間に入り込まないように
環状部材４８を配設した弾性表面波装置が提案されてい
る（例えば、特開平５−９０８８２号公報を参照）。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、図４に
示す弾性表面波装置Ｊ１では、ワイヤ２９を使用してい
るため、ワイヤ２９が存在する横方向と高さ方向の距離
だけ弾性表面波装置全体の体積が大きくなり、小型軽量
化，薄型化に不利である。また、ワイヤボンディング装
置によりワイヤを１本ずつ接続しているので、製造工程
が煩雑となる。さらに、ワイヤ２９の存在により、不要
なインダクタンス成分を付加することになり、弾性表面
波装置の周波数特性が変化し、設計上それを考慮しなけ
ればならない。
示す弾性表面波装置Ｊ１では、ワイヤ２９を使用してい
るため、ワイヤ２９が存在する横方向と高さ方向の距離
だけ弾性表面波装置全体の体積が大きくなり、小型軽量
化，薄型化に不利である。また、ワイヤボンディング装
置によりワイヤを１本ずつ接続しているので、製造工程
が煩雑となる。さらに、ワイヤ２９の存在により、不要
なインダクタンス成分を付加することになり、弾性表面
波装置の周波数特性が変化し、設計上それを考慮しなけ
ればならない。
【００１０】また、図５に示す弾性表面波装置Ｊ２で
は、弾性表面波素子とパッケージ側壁からある程度の空
間が必要であり、横方向のサイズが大きくなる。さらに
縦方向のサイズも弾性表面波素子Ｈ２と蓋体３８の空間
が必要となり、弾性表面波装置の薄型化において不利な
構造となる。また、金属製蓋体による気密封止は、製造
コストが高くなる。
は、弾性表面波素子とパッケージ側壁からある程度の空
間が必要であり、横方向のサイズが大きくなる。さらに
縦方向のサイズも弾性表面波素子Ｈ２と蓋体３８の空間
が必要となり、弾性表面波装置の薄型化において不利な
構造となる。また、金属製蓋体による気密封止は、製造
コストが高くなる。
【００１１】また、弾性表面波装置Ｊ３では、絶縁性樹
脂４６が振動空間に入り込まないように、ＳＡＷ伝搬路
を囲むように機能面に環状部材４８を設けたとしても、
絶縁性樹脂４６の入り込みを完全に阻止するには不十分
であった。また、このような環状部材４８のみを設けた
場合には、環状部材４８がエポキシ樹脂等の塗布により
形成されるため、弾性表面波素子の耐湿性が不十分であ
り、長期信頼性に問題があった。
脂４６が振動空間に入り込まないように、ＳＡＷ伝搬路
を囲むように機能面に環状部材４８を設けたとしても、
絶縁性樹脂４６の入り込みを完全に阻止するには不十分
であった。また、このような環状部材４８のみを設けた
場合には、環状部材４８がエポキシ樹脂等の塗布により
形成されるため、弾性表面波素子の耐湿性が不十分であ
り、長期信頼性に問題があった。
【００１２】そこで、本発明は上記従来の諸問題に鑑み
て完成されたものであり、簡便な構成でＳＡＷによる振
動空間への絶縁性樹脂の入り込みを完全に阻止でき、弾
性表面波装置の特性劣化がなく、また極めて薄型で、小
型軽量化が可能で、さらには低コストで製造可能な弾性
表面波装置を提供することを目的とする。
て完成されたものであり、簡便な構成でＳＡＷによる振
動空間への絶縁性樹脂の入り込みを完全に阻止でき、弾
性表面波装置の特性劣化がなく、また極めて薄型で、小
型軽量化が可能で、さらには低コストで製造可能な弾性
表面波装置を提供することを目的とする。
【００１３】
【課題を解決するための手段】本発明の弾性波装置は、
配線が形成された基台上に、圧電基板の一主面に前記配
線に接続される励振電極を形成した弾性表面波素子を、
前記圧電基板の一主面を下面にして配設して成る弾性表
面波装置であって、前記励振電極を取り囲む絶縁性の第
１環状封止材と、該第１環状封止材を取り囲み且つ前記
励振電極に前記基台上の配線を接続するための接続部材
と同一材料から成る第２環状封止材とを、前記圧電基板
と前記基台との間に介在させたことを特徴とする。
配線が形成された基台上に、圧電基板の一主面に前記配
線に接続される励振電極を形成した弾性表面波素子を、
前記圧電基板の一主面を下面にして配設して成る弾性表
面波装置であって、前記励振電極を取り囲む絶縁性の第
１環状封止材と、該第１環状封止材を取り囲み且つ前記
励振電極に前記基台上の配線を接続するための接続部材
と同一材料から成る第２環状封止材とを、前記圧電基板
と前記基台との間に介在させたことを特徴とする。
【００１４】また特に、前記第２環状封止材の外周面及
び前記圧電基板の側面及び他主面を絶縁性樹脂で覆った
こととする。また、前記第１環状封止材を感光性フィル
ムで構成し、写真製版で形成するようにしたことを特徴
とする。
び前記圧電基板の側面及び他主面を絶縁性樹脂で覆った
こととする。また、前記第１環状封止材を感光性フィル
ムで構成し、写真製版で形成するようにしたことを特徴
とする。
【００１５】
【発明の実施の形態】本発明に係る弾性表面波装置の実
施形態について図面に基づき詳細に説明する。図１は弾
性表面波装置Ｓ１の一部省略断面図である。
施形態について図面に基づき詳細に説明する。図１は弾
性表面波装置Ｓ１の一部省略断面図である。
【００１６】図１において、１は圧電基板、２は後記す
る励振電極に接続される入出力電極パッド、３は接続部
材、４は後記する電極リードパターン９のパッド（導電
パターン）、５は励振電極であるＩＤＴ電極、６は感光
性フィルムから成る第１環状封止材（接着材）、７はこ
の第１環状封止材６を取り囲むように形成された接続部
材３と同一材料から成る第２環状封止材である。また、
８はセラミックス，樹脂等からなる絶縁性基板、９は外
部の駆動回路、共振回路、接地回路等に接続され絶縁性
基板７に設けられた電極リードパターンである。また、
１０はＩＤＴ電極５の振動空間である。１１は圧電基板
に設けられた第２環状封止材７の接続パッド、１２は１
１と当接位置に設けた絶縁性基板８上の接続パッドであ
る。
る励振電極に接続される入出力電極パッド、３は接続部
材、４は後記する電極リードパターン９のパッド（導電
パターン）、５は励振電極であるＩＤＴ電極、６は感光
性フィルムから成る第１環状封止材（接着材）、７はこ
の第１環状封止材６を取り囲むように形成された接続部
材３と同一材料から成る第２環状封止材である。また、
８はセラミックス，樹脂等からなる絶縁性基板、９は外
部の駆動回路、共振回路、接地回路等に接続され絶縁性
基板７に設けられた電極リードパターンである。また、
１０はＩＤＴ電極５の振動空間である。１１は圧電基板
に設けられた第２環状封止材７の接続パッド、１２は１
１と当接位置に設けた絶縁性基板８上の接続パッドであ
る。
【００１７】弾性表面波素子は、圧電基板１と、この上
に設けられ互いに噛み合うように形成された少なくとも
一対の櫛歯状電極のＩＤＴ電極５等から構成されるが、
ＩＤＴ電極５は、所望の特性を得るために、複数対の櫛
歯状電極を、直列接続方式，並列接続方式で接続して構
成してもよい。
に設けられ互いに噛み合うように形成された少なくとも
一対の櫛歯状電極のＩＤＴ電極５等から構成されるが、
ＩＤＴ電極５は、所望の特性を得るために、複数対の櫛
歯状電極を、直列接続方式，並列接続方式で接続して構
成してもよい。
【００１８】このように、弾性表面波装置Ｓ１は、配線
が形成された基台である絶縁性基板８上に、圧電基板１
の一主面に前記配線に接続されるＩＤＴ電極５を形成し
た弾性表面波素子を、圧電基板１の一主面を下面にして
配設して成り、ＩＤＴ電極５を取り囲む絶縁性の第１環
状封止材６と、この第１環状封止材６を取り囲み且つＩ
ＤＴ電極５に絶縁性基板８上の配線を接続するための接
続部材３と同一材料から成る第２環状封止材７とを、圧
電基板１と絶縁性基板８との間に介在させて成る。ま
た、特に第１環状封止材６を感光性フィルムで構成し、
写真製版で形成するようにしたことを特徴とする。
が形成された基台である絶縁性基板８上に、圧電基板１
の一主面に前記配線に接続されるＩＤＴ電極５を形成し
た弾性表面波素子を、圧電基板１の一主面を下面にして
配設して成り、ＩＤＴ電極５を取り囲む絶縁性の第１環
状封止材６と、この第１環状封止材６を取り囲み且つＩ
ＤＴ電極５に絶縁性基板８上の配線を接続するための接
続部材３と同一材料から成る第２環状封止材７とを、圧
電基板１と絶縁性基板８との間に介在させて成る。ま
た、特に第１環状封止材６を感光性フィルムで構成し、
写真製版で形成するようにしたことを特徴とする。
【００１９】ここで、絶縁性基板８は、例えば一枚のセ
ラミック基板、または、セラミック基板と１枚以上の枠
状セラミック基板とを積層することによって作製し、絶
縁性基板８に設けられる導体パターン４は、電解めっき
法または無電解めっき法によって形成する。
ラミック基板、または、セラミック基板と１枚以上の枠
状セラミック基板とを積層することによって作製し、絶
縁性基板８に設けられる導体パターン４は、電解めっき
法または無電解めっき法によって形成する。
【００２０】また、ＩＤＴ電極５は蒸着法，スパッタリ
ング法またはＣＶＤ法等の薄膜形成法により形成する。
ング法またはＣＶＤ法等の薄膜形成法により形成する。
【００２１】また、弾性表面波素子を形成するウェハ上
に、感光性フィルムを貼り付け、写真製版技術によって
各機能部を取り囲む第１環状封止材６を形成するまた、
接続部材３及び第２環状封止材７は、絶縁性基板８の導
体パターン４上に、Ａｕ−Ｓｎペースト、半田ペースト
等をスクリーン印刷等の印刷法により形成するかまたは
ディスペンサーで塗布することにより同時に形成され
る。
に、感光性フィルムを貼り付け、写真製版技術によって
各機能部を取り囲む第１環状封止材６を形成するまた、
接続部材３及び第２環状封止材７は、絶縁性基板８の導
体パターン４上に、Ａｕ−Ｓｎペースト、半田ペースト
等をスクリーン印刷等の印刷法により形成するかまたは
ディスペンサーで塗布することにより同時に形成され
る。
【００２２】そして、圧電基板１のＩＤＴ電極５が設け
られた主面（機能面）が絶縁性基板８の上面に対面する
フェースダウン構成として、圧電基板１を絶縁性基板８
上に載置固定する。
られた主面（機能面）が絶縁性基板８の上面に対面する
フェースダウン構成として、圧電基板１を絶縁性基板８
上に載置固定する。
【００２３】その後、第１環状封止材６がＩＤＴ電極５
の形成された機能面に入り込まない構成とし、圧電基板
１の固定とＩＤＴ電極５が存在する振動空間１０の気密
を確実にするために、第１環状封止材６が圧電基板１の
全外周を囲むような構造とする。
の形成された機能面に入り込まない構成とし、圧電基板
１の固定とＩＤＴ電極５が存在する振動空間１０の気密
を確実にするために、第１環状封止材６が圧電基板１の
全外周を囲むような構造とする。
【００２４】そして、圧電基板１を載置した絶縁性基板
８を、リフロー炉にてリフロー溶融することにより、接
続部材３を導体パターン４に電気的に導通させて接続
し、さらに、同時に第２環状封止材７が第１環状封止材
６を取り囲むように固着形成される。
８を、リフロー炉にてリフロー溶融することにより、接
続部材３を導体パターン４に電気的に導通させて接続
し、さらに、同時に第２環状封止材７が第１環状封止材
６を取り囲むように固着形成される。
【００２５】次に、他の実施形態である図２について説
明する。上記と同じ方法で第１環状封止材６、接続部材
３、第２環状封止材７を含み圧電基板１の全外周部を囲
む構造とした後、圧電基板１の裏面全体を覆うようにデ
ィスペンサー等でエポキシ樹脂を塗布し、少なくとも本
体外周面に設けられた絶縁性樹脂１３を形成する。最後
に、絶縁性樹脂を加熱硬化させて、弾性表面波装置Ｓ２
を完成する。すなわち、弾性表面波装置Ｓ２において
は、特に、第２環状封止材７の外周面及び圧電基板１の
側面及び他主面（裏面）を絶縁性樹脂１３で覆った構成
とする。
明する。上記と同じ方法で第１環状封止材６、接続部材
３、第２環状封止材７を含み圧電基板１の全外周部を囲
む構造とした後、圧電基板１の裏面全体を覆うようにデ
ィスペンサー等でエポキシ樹脂を塗布し、少なくとも本
体外周面に設けられた絶縁性樹脂１３を形成する。最後
に、絶縁性樹脂を加熱硬化させて、弾性表面波装置Ｓ２
を完成する。すなわち、弾性表面波装置Ｓ２において
は、特に、第２環状封止材７の外周面及び圧電基板１の
側面及び他主面（裏面）を絶縁性樹脂１３で覆った構成
とする。
【００２６】ここで、第２環状封止材７として半田を用
いる際、第１環状封止材６によりフラックスや半田によ
るＩＤＴ電極５の腐食を極力防止できる。
いる際、第１環状封止材６によりフラックスや半田によ
るＩＤＴ電極５の腐食を極力防止できる。
【００２７】特に、第１環状封止材６に使用するエポキ
シ樹脂はディスペンサーによる塗布、印刷法による塗布
で必要以上に樹脂が広がらないように、添加剤としてチ
クソ性付与剤を添加したり、フィラーの量で粘度を高目
に調整したものが好ましく、弾性表面波素子の電極腐食
が起こらないように、不純物イオン濃度を極力低減した
ものが好ましい。
シ樹脂はディスペンサーによる塗布、印刷法による塗布
で必要以上に樹脂が広がらないように、添加剤としてチ
クソ性付与剤を添加したり、フィラーの量で粘度を高目
に調整したものが好ましく、弾性表面波素子の電極腐食
が起こらないように、不純物イオン濃度を極力低減した
ものが好ましい。
【００２８】図１，図２において、振動空間１０内に低
湿度の空気を封入し密閉するようにしてもよい。これに
より、ＩＤＴ電極５の酸化等による劣化を抑制でき好ま
しい。また、空気のかわりに、窒素ガス，アルゴンガス
などの不活性ガス等を封入し密閉すれば、より好ましい
効果が得られる。
湿度の空気を封入し密閉するようにしてもよい。これに
より、ＩＤＴ電極５の酸化等による劣化を抑制でき好ま
しい。また、空気のかわりに、窒素ガス，アルゴンガス
などの不活性ガス等を封入し密閉すれば、より好ましい
効果が得られる。
【００２９】本発明において、ＩＤＴ電極５はＡｌある
いはＡｌ合金（Ａｌ−Ｃｕ系、Ａｌ−Ｔｉ系等）からな
り、特にＡｌの場合は励振効率が高く、材料コストが低
いため好ましい。また、ＩＤＴ電極５の形状は、互いに
噛み合うように形成された櫛歯状であるが、複数の電極
指を平行に配列した反射器のようなスリット型のものに
も適用でき、それらを併用したタイプであってよい。
いはＡｌ合金（Ａｌ−Ｃｕ系、Ａｌ−Ｔｉ系等）からな
り、特にＡｌの場合は励振効率が高く、材料コストが低
いため好ましい。また、ＩＤＴ電極５の形状は、互いに
噛み合うように形成された櫛歯状であるが、複数の電極
指を平行に配列した反射器のようなスリット型のものに
も適用でき、それらを併用したタイプであってよい。
【００３０】そして、ＩＤＴ電極５の対数は５０〜２０
０、ＩＤＴ電極５の電極指の幅は０．１〜１０．０μ
ｍ、電極指の間隔は０．１〜１０．０μｍ、電極指の交
差幅は１０〜８０μｍ、ＩＤＴ電極５の厚みは０．２〜
０．４μｍとすることが、共振器あるいはフィルタとし
の所期の特性を得るうえで好適である。また、ＩＤＴ電
極５おけるＳＡＷの伝搬路の両端に、ＳＡＷを反射し効
率よく共振させるための反射器を設けてもよい。
０、ＩＤＴ電極５の電極指の幅は０．１〜１０．０μ
ｍ、電極指の間隔は０．１〜１０．０μｍ、電極指の交
差幅は１０〜８０μｍ、ＩＤＴ電極５の厚みは０．２〜
０．４μｍとすることが、共振器あるいはフィルタとし
の所期の特性を得るうえで好適である。また、ＩＤＴ電
極５おけるＳＡＷの伝搬路の両端に、ＳＡＷを反射し効
率よく共振させるための反射器を設けてもよい。
【００３１】圧電基板１としては、３６°Ｙカット−Ｘ
伝搬のＬｉＴａＯ3 単結晶，６４°Ｙカット−Ｘ伝搬の
ＬｉＮｂＯ3 単結晶，４５°Ｘカット−Ｚ伝搬のＬｉＢ
4 Ｏ7 単結晶は、電気機械結合係数が大きく且つ群遅延
時間温度係数が小さいため好ましい。また、圧電基板の
厚みは０．３〜０．５mm程度がよく、０．３ｍｍ未満で
は圧電基板が脆くなり、０．５ｍｍ超では材料コストが
大きくなる。
伝搬のＬｉＴａＯ3 単結晶，６４°Ｙカット−Ｘ伝搬の
ＬｉＮｂＯ3 単結晶，４５°Ｘカット−Ｚ伝搬のＬｉＢ
4 Ｏ7 単結晶は、電気機械結合係数が大きく且つ群遅延
時間温度係数が小さいため好ましい。また、圧電基板の
厚みは０．３〜０．５mm程度がよく、０．３ｍｍ未満で
は圧電基板が脆くなり、０．５ｍｍ超では材料コストが
大きくなる。
【００３２】かくして、本発明は、ＩＤＴ電極５の振動
空間１０への絶縁性樹脂の入り込みを完全に阻止でき
る。また、半田等による弾性表面波素子の損傷が起きな
いので、特性劣化を極力防止できる。また、振動空間１
０を均一な高さ，幅で正確に形成できるので薄型化や小
型化が可能である。さらに、弾性表面波素子の外周部全
体を半田等で取り囲む構造なので、耐湿性を充分に確保
することができ、長期信頼性を確保することができる。
空間１０への絶縁性樹脂の入り込みを完全に阻止でき
る。また、半田等による弾性表面波素子の損傷が起きな
いので、特性劣化を極力防止できる。また、振動空間１
０を均一な高さ，幅で正確に形成できるので薄型化や小
型化が可能である。さらに、弾性表面波素子の外周部全
体を半田等で取り囲む構造なので、耐湿性を充分に確保
することができ、長期信頼性を確保することができる。
【００３３】なお、本発明は上記の実施形態に限定され
るものではなく、上記例のように接続部材３を第１環状
封止材６の内部に含ませるようにしなくともよく、接続
部材３の外周部を第１環状封止材６でもって取り囲ん
で、圧電基板１と絶縁性基板７とを接合するようにして
もよく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内で種々の変更
は何等差し支えない。
るものではなく、上記例のように接続部材３を第１環状
封止材６の内部に含ませるようにしなくともよく、接続
部材３の外周部を第１環状封止材６でもって取り囲ん
で、圧電基板１と絶縁性基板７とを接合するようにして
もよく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内で種々の変更
は何等差し支えない。
【００３４】
【実施例】次に、図２に基づいて本発明の具体的な実施
例について説明する。
例について説明する。
【００３５】図２に示すように、圧電基板１として３６
°Ｙカット−Ｘ伝搬のＬｉＴａＯ３結晶を用い、そのチ
ップサイズは、１．１ｍｍ×１．５ｍｍとした。また、
実装基板として１００ｍｍ×１００ｍｍ、厚さ２５０μ
ｍのアルミナ基板を用いた。また、アルミナ基板には合
計１μｍ膜厚のＡｕ及びＮｉを無電解めっきにて形成し
た。
°Ｙカット−Ｘ伝搬のＬｉＴａＯ３結晶を用い、そのチ
ップサイズは、１．１ｍｍ×１．５ｍｍとした。また、
実装基板として１００ｍｍ×１００ｍｍ、厚さ２５０μ
ｍのアルミナ基板を用いた。また、アルミナ基板には合
計１μｍ膜厚のＡｕ及びＮｉを無電解めっきにて形成し
た。
【００３６】第１環状封止材６は、感光性フィルムを用
いて線幅約１００μｍの環状封止材をフォトリソグラフ
ィにより形成した。感光性フィルムを用いてフォトリソ
グラフィにて形成しているので、感光性フィルムを微細
な形状に、寸法精度よく、しかも生産性よく製造が可能
であった。
いて線幅約１００μｍの環状封止材をフォトリソグラフ
ィにより形成した。感光性フィルムを用いてフォトリソ
グラフィにて形成しているので、感光性フィルムを微細
な形状に、寸法精度よく、しかも生産性よく製造が可能
であった。
【００３７】また、図３に示すように、圧電基板１の接
続部材３が載置される位置に、スパッタ法により電極パ
ッドをＡｌ−Ｃｕ１４、Ｃｒ１５、Ｎｉ１６、Ａｕ１７
で形成した。また、圧電基板１の第２環状封止材が載置
される位置に、スパッタ法によりＣｒ、Ｎｉ、Ａｕを形
成した。各電極パッドの層別の厚さは、Ａｌ−Ｃｕ１４
が１８００Å、Ｃｒ１５が５００Å、Ｎｉ１６が１００
００Å、Ａｕ１７が２０００Åであった。Ｃｒ１５は、
酸化物であるＬｉＴａＯ3 単結晶との密着性を改善させ
るためのものであり、Ｎｉ１６は半田食われを防止する
ために設けている。電極パッドのパターンは、リフトオ
フ法により形成した。
続部材３が載置される位置に、スパッタ法により電極パ
ッドをＡｌ−Ｃｕ１４、Ｃｒ１５、Ｎｉ１６、Ａｕ１７
で形成した。また、圧電基板１の第２環状封止材が載置
される位置に、スパッタ法によりＣｒ、Ｎｉ、Ａｕを形
成した。各電極パッドの層別の厚さは、Ａｌ−Ｃｕ１４
が１８００Å、Ｃｒ１５が５００Å、Ｎｉ１６が１００
００Å、Ａｕ１７が２０００Åであった。Ｃｒ１５は、
酸化物であるＬｉＴａＯ3 単結晶との密着性を改善させ
るためのものであり、Ｎｉ１６は半田食われを防止する
ために設けている。電極パッドのパターンは、リフトオ
フ法により形成した。
【００３８】絶縁性基板８には圧電基板１の電極パッド
が当接する位置に、接続部材３及び第２環状封止材７と
なる半田ペーストを予めスクリーン印刷法により塗布し
た。塗布した半田ペーストの線幅は約１００μｍであっ
た。
が当接する位置に、接続部材３及び第２環状封止材７と
なる半田ペーストを予めスクリーン印刷法により塗布し
た。塗布した半田ペーストの線幅は約１００μｍであっ
た。
【００３９】絶縁性基板８の導体パターンと圧電基板１
の電極パッドを当接させフェースダウンで載置した。さ
らに、ＳＡＷチップの上部よりエポキシ樹脂をポッティ
ングにより塗布した後、リフロー炉で２４０℃，５分
間、加熱硬化させた。
の電極パッドを当接させフェースダウンで載置した。さ
らに、ＳＡＷチップの上部よりエポキシ樹脂をポッティ
ングにより塗布した後、リフロー炉で２４０℃，５分
間、加熱硬化させた。
【００４０】最後に、絶縁性基板８の裏面より各チップ
間の分離位置でダイシングすることにより、個々のチッ
プを形成して２．５ｍｍ×２．０ｍｍのサイズの弾性表
面波装置を完成した。なお、弾性表面波装置の高さは
０．７ｍｍ程度であった。
間の分離位置でダイシングすることにより、個々のチッ
プを形成して２．５ｍｍ×２．０ｍｍのサイズの弾性表
面波装置を完成した。なお、弾性表面波装置の高さは
０．７ｍｍ程度であった。
【００４１】以上の工程で、第１環状封止材６にて外周
を取り囲んだ振動空間１０を充分に確保することがで
き、さらに接続部材３及び第２環状封止材７で耐湿性を
充分確保した気密構造の弾性表面波装置を作製すること
ができた。
を取り囲んだ振動空間１０を充分に確保することがで
き、さらに接続部材３及び第２環状封止材７で耐湿性を
充分確保した気密構造の弾性表面波装置を作製すること
ができた。
【００４２】このようにして、従来のワイヤボンディン
グ工程が不要となり、ワイヤの横方向空間及びワイヤの
高さ方向サイズを縮小でき、小型化・薄型化を図ること
ができた。さらに、接続部材及び第２環状封止材として
半田を用いているので、チップの接合応力が集中せず、
生産性よく且つ安価な製造プロセスで弾性表面波装置を
作製することが可能となる。
グ工程が不要となり、ワイヤの横方向空間及びワイヤの
高さ方向サイズを縮小でき、小型化・薄型化を図ること
ができた。さらに、接続部材及び第２環状封止材として
半田を用いているので、チップの接合応力が集中せず、
生産性よく且つ安価な製造プロセスで弾性表面波装置を
作製することが可能となる。
【００４３】
【発明の効果】本発明の弾性表面波装置によれば、第１
環状封止材にて外周を取り囲んで励振電極の振動空間を
充分に確保することができ、さらに、励振電極を接続部
材及び第２環状封止材で取り囲む構造としているので、
耐湿性を充分確保した気密構造の弾性表面波装置を作製
することができる。ひいては、長期信頼性に優れ特性の
劣化のない弾性表面波装置を提供できる。
環状封止材にて外周を取り囲んで励振電極の振動空間を
充分に確保することができ、さらに、励振電極を接続部
材及び第２環状封止材で取り囲む構造としているので、
耐湿性を充分確保した気密構造の弾性表面波装置を作製
することができる。ひいては、長期信頼性に優れ特性の
劣化のない弾性表面波装置を提供できる。
【００４４】また、弾性表面波素子の外表面を絶縁性樹
脂で覆うようにしているため、信頼性の高い弾性表面波
装置を、短時間且つ簡便な工程で生産性よく安価に提供
することが可能である。
脂で覆うようにしているため、信頼性の高い弾性表面波
装置を、短時間且つ簡便な工程で生産性よく安価に提供
することが可能である。
【００４５】さらに、本発明によれば、十分な薄型化及
び小型化を図ることが可能な優れた弾性表面波装置を提
供できる。
び小型化を図ることが可能な優れた弾性表面波装置を提
供できる。
【図１】本発明に係る弾性表面波装置の一実施形態を模
式的に説明する断面図である。
式的に説明する断面図である。
【図２】本発明に係る弾性表面波装置の他の実施形態を
模式的に説明する断面図である。
模式的に説明する断面図である。
【図３】本発明に係る弾性表面波装置を模式的に説明す
る断面図である。
る断面図である。
【図４】従来の弾性表面波装置の一例を模式的に説明す
る断面図である。
る断面図である。
【図５】従来の弾性表面波装置の一例を模式的に説明す
る断面図である。
る断面図である。
【図６】従来の弾性表面波装置の一例を模式的に説明す
る断面図である。
る断面図である。
１：圧電基板
２：電極パッド
３：接続部材
４：導体パターン
５：ＩＤＴ電極（励振電極）
６：第１環状封止材
７：第２環状封止材
８：絶縁性基板（基台）
９：電極リードパターン
１０：振動空間
１１：接続パッド
１２：接続パッド
１３：絶縁性樹脂
１４、１５、１６、１７：パッド
Ｓ１、Ｓ２：弾性表面波装置
Claims (3)
- 【請求項１】 配線が形成された基台上に、圧電基板の
一主面に前記配線に接続される励振電極を形成した弾性
表面波素子を、前記圧電基板の一主面を下面にして配設
して成る弾性表面波装置であって、前記励振電極を取り
囲む絶縁性の第１環状封止材と、該第１環状封止材を取
り囲み且つ前記励振電極に前記基台上の配線を接続する
ための接続部材と同一材料から成る第２環状封止材と
を、前記圧電基板と前記基台との間に介在させたことを
特徴とする弾性表面波装置。 - 【請求項２】 前記第２環状封止材の外周面及び前記圧
電基板の側面及び他主面を絶縁性樹脂で覆ったことを特
徴とする請求項１に記載の弾性表面波装置。 - 【請求項３】 前記第１環状封止材を感光性フィルムで
構成し、写真製版で形成するようにしたことを特徴とす
る請求項１に記載の弾性表面波装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002084100A JP4012753B2 (ja) | 2002-03-25 | 2002-03-25 | 弾性表面波装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002084100A JP4012753B2 (ja) | 2002-03-25 | 2002-03-25 | 弾性表面波装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003283289A true JP2003283289A (ja) | 2003-10-03 |
| JP4012753B2 JP4012753B2 (ja) | 2007-11-21 |
Family
ID=29231601
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002084100A Expired - Fee Related JP4012753B2 (ja) | 2002-03-25 | 2002-03-25 | 弾性表面波装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4012753B2 (ja) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007020073A (ja) * | 2005-07-11 | 2007-01-25 | Nippon Dempa Kogyo Co Ltd | 電子部品及びその製造方法 |
| KR100826394B1 (ko) | 2007-05-17 | 2008-05-02 | 삼성전기주식회사 | 반도체 패키지 제조방법 |
| JP2009059941A (ja) * | 2007-08-31 | 2009-03-19 | Seiko Instruments Inc | 気密パッケージ及び気密パッケージの製造方法 |
| WO2010097909A1 (ja) * | 2009-02-25 | 2010-09-02 | セイコーインスツル株式会社 | パッケージ、パッケージの製造方法、および圧電振動子の製造方法 |
| WO2015022856A1 (ja) * | 2013-08-13 | 2015-02-19 | 株式会社村田製作所 | 弾性波装置 |
| CN109004080A (zh) * | 2018-08-10 | 2018-12-14 | 付伟 | 带有延伸双围堰及焊锡的芯片封装结构及其制作方法 |
| CN109037430A (zh) * | 2018-08-10 | 2018-12-18 | 付伟 | 带有双围堰及外移通孔的芯片封装结构及其制作方法 |
| CN111003682A (zh) * | 2018-10-08 | 2020-04-14 | 凤凰先驱股份有限公司 | 电子封装件及其制法 |
| WO2023017825A1 (ja) * | 2021-08-11 | 2023-02-16 | 株式会社村田製作所 | 弾性波装置及びその製造方法 |
-
2002
- 2002-03-25 JP JP2002084100A patent/JP4012753B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007020073A (ja) * | 2005-07-11 | 2007-01-25 | Nippon Dempa Kogyo Co Ltd | 電子部品及びその製造方法 |
| JP4744213B2 (ja) * | 2005-07-11 | 2011-08-10 | 日本電波工業株式会社 | 電子部品の製造方法 |
| KR100826394B1 (ko) | 2007-05-17 | 2008-05-02 | 삼성전기주식회사 | 반도체 패키지 제조방법 |
| JP2009059941A (ja) * | 2007-08-31 | 2009-03-19 | Seiko Instruments Inc | 気密パッケージ及び気密パッケージの製造方法 |
| WO2010097909A1 (ja) * | 2009-02-25 | 2010-09-02 | セイコーインスツル株式会社 | パッケージ、パッケージの製造方法、および圧電振動子の製造方法 |
| CN102334287A (zh) * | 2009-02-25 | 2012-01-25 | 精工电子有限公司 | 封装件、封装件的制造方法以及压电振动器的制造方法 |
| JP5204891B2 (ja) * | 2009-02-25 | 2013-06-05 | セイコーインスツル株式会社 | パッケージ、パッケージの製造方法、および圧電振動子の製造方法 |
| US8597742B2 (en) | 2009-02-25 | 2013-12-03 | Seiko Instruments Inc. | Package |
| WO2015022856A1 (ja) * | 2013-08-13 | 2015-02-19 | 株式会社村田製作所 | 弾性波装置 |
| JP5729526B1 (ja) * | 2013-08-13 | 2015-06-03 | 株式会社村田製作所 | 弾性波装置 |
| CN105409120A (zh) * | 2013-08-13 | 2016-03-16 | 株式会社村田制作所 | 弹性波装置 |
| US9876484B2 (en) | 2013-08-13 | 2018-01-23 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Elastic wave device with first and second support layers providing a hollow path |
| CN109004080A (zh) * | 2018-08-10 | 2018-12-14 | 付伟 | 带有延伸双围堰及焊锡的芯片封装结构及其制作方法 |
| CN109037430A (zh) * | 2018-08-10 | 2018-12-18 | 付伟 | 带有双围堰及外移通孔的芯片封装结构及其制作方法 |
| CN111003682A (zh) * | 2018-10-08 | 2020-04-14 | 凤凰先驱股份有限公司 | 电子封装件及其制法 |
| WO2023017825A1 (ja) * | 2021-08-11 | 2023-02-16 | 株式会社村田製作所 | 弾性波装置及びその製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP4012753B2 (ja) | 2007-11-21 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP6290850B2 (ja) | 弾性波装置および弾性波モジュール | |
| KR100654054B1 (ko) | 압전 부품 및 그 제조 방법 | |
| JP2002261582A (ja) | 弾性表面波デバイスおよびその製造方法ならびにそれを用いた回路モジュール | |
| US20120181898A1 (en) | Acoustic wave device | |
| JP2001185976A (ja) | 弾性表面波装置 | |
| JP2004129224A (ja) | 圧電部品およびその製造方法 | |
| JP4382945B2 (ja) | 弾性表面波装置 | |
| JP4012753B2 (ja) | 弾性表面波装置 | |
| JP2007081555A (ja) | 弾性表面波装置 | |
| US20210184650A1 (en) | Electronic device and module including the same | |
| JP3716123B2 (ja) | 弾性表面波装置 | |
| JP2000196400A (ja) | 弾性表面波装置の実装構造 | |
| JP2001345673A (ja) | 弾性表面波装置 | |
| JP2001102905A (ja) | 弾性表面波装置 | |
| JPH05291864A (ja) | 弾性表面波素子実装回路とその製造方法 | |
| JPH1174755A (ja) | 弾性表面波装置 | |
| JPH10163797A (ja) | 弾性表面波装置 | |
| JPH09162690A (ja) | 弾性表面波素子を有する装置およびその製造方法 | |
| CN116250178A (zh) | 弹性波装置 | |
| JP3638431B2 (ja) | 弾性表面波装置 | |
| JPH10215142A (ja) | 弾性表面波装置 | |
| JP3652067B2 (ja) | 弾性表面波装置 | |
| US20220329228A1 (en) | Elastic wave device and method of manufacturing elastic wave device | |
| JP2001077658A (ja) | 弾性表面波装置 | |
| JP4684343B2 (ja) | 弾性表面波装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20040914 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Effective date: 20060919 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 |
|
| A521 | Written amendment |
Effective date: 20061106 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Effective date: 20070309 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20070427 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Effective date: 20070817 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Effective date: 20070910 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 |
|
| R150 | Certificate of patent (=grant) or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Year of fee payment: 3 Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100914 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Year of fee payment: 4 Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110914 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Year of fee payment: 5 Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120914 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Year of fee payment: 6 Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130914 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |