JP2007020073A - 電子部品及びその製造方法 - Google Patents
電子部品及びその製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2007020073A JP2007020073A JP2005201697A JP2005201697A JP2007020073A JP 2007020073 A JP2007020073 A JP 2007020073A JP 2005201697 A JP2005201697 A JP 2005201697A JP 2005201697 A JP2005201697 A JP 2005201697A JP 2007020073 A JP2007020073 A JP 2007020073A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode
- metal layer
- wiring board
- bump
- electronic component
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/05—Holders; Supports
- H03H9/10—Mounting in enclosures
- H03H9/1064—Mounting in enclosures for surface acoustic wave [SAW] devices
- H03H9/1085—Mounting in enclosures for surface acoustic wave [SAW] devices the enclosure being defined by a non-uniform sealing mass covering the non-active sides of the BAW device
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H3/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators
- H03H3/007—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks
- H03H3/08—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks for the manufacture of resonators or networks using surface acoustic waves
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/02535—Details of surface acoustic wave devices
- H03H9/02818—Means for compensation or elimination of undesirable effects
- H03H9/02937—Means for compensation or elimination of undesirable effects of chemical damage, e.g. corrosion
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/05—Holders; Supports
- H03H9/058—Holders; Supports for surface acoustic wave devices
- H03H9/059—Holders; Supports for surface acoustic wave devices consisting of mounting pads or bumps
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/023—Redistribution layers [RDL] for bonding areas
- H01L2224/0237—Disposition of the redistribution layers
- H01L2224/02379—Fan-out arrangement
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
- H01L2224/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
- H01L2224/05001—Internal layers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
- H01L2224/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
- H01L2224/05001—Internal layers
- H01L2224/05005—Structure
- H01L2224/05008—Bonding area integrally formed with a redistribution layer on the semiconductor or solid-state body, e.g.
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
- H01L2224/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
- H01L2224/05001—Internal layers
- H01L2224/0502—Disposition
- H01L2224/05024—Disposition the internal layer being disposed on a redistribution layer on the semiconductor or solid-state body
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
- H01L2224/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
- H01L2224/05001—Internal layers
- H01L2224/05099—Material
- H01L2224/051—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
- H01L2224/05138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
- H01L2224/05144—Gold [Au] as principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
- H01L2224/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
- H01L2224/0554—External layer
- H01L2224/05599—Material
- H01L2224/056—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
- H01L2224/05638—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
- H01L2224/05644—Gold [Au] as principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
- H01L2224/06—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of a plurality of bonding areas
- H01L2224/061—Disposition
- H01L2224/0612—Layout
- H01L2224/0615—Mirror array, i.e. array having only a reflection symmetry, i.e. bilateral symmetry
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
- H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
- H01L2224/161—Disposition
- H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/16225—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/02—Bonding areas ; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
- H01L24/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/00014—Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Acoustics & Sound (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- Toxicology (AREA)
- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
耐湿性に優れ、電極間の電気的接続及び振動部を含む封止領域への気密性を確実なものとし、さらに大型化が抑えられた電子部品を提供すること。
【解決手段】
圧電基板の一面に振動部及び第1の電極が設けられた圧電素子と第2の電極を備えた配線基板とを含む電子部品において、第1の電極及び第2の電極の一方側に設けられ、第1の電極及び第2の電極の他方側に接続されたバンプと、振動部を囲う環状の第1の金属層と、前記第1の金属層に沿って設けられ、第1の金属層と配線基板との間を封止して振動部の配置領域を気密空間とするバンプより固相線温度が低いはんだ材料と、を備えた電子部品を構成することで気密空間への透湿及びはんだ材料の外方への広がりが抑えられ、またバンプが溶融して広がるスペースを省くことができる。また電極間の電気的接続と配置領域の封止とを別工程にて行えるので高い気密性が得られる。
【選択図】図1
Description
また例えばこの特許文献3でははんだ材料としてSn(すず)−Sb(アンチモン)系及びSn−Ag(銀)系のはんだを用いることが示唆されているが、これらのはんだ材料は一般に固相線温度が低く例えば218〜245℃程度であるため、SAWデバイスをリフローにより他の電子機器に実装する場合にリフロー炉の熱によりはんだバンプ及びはんだ層が再度溶融し、SAWフィルタと配線基板との電気的接続が損なわれ、またリフロー後はんだ層が固化した際に各部に均一に固着されず、能動領域の気密性が低下するおそれがある。
さらに前記SAWデバイスにおいて封止を行うためにSAWフィルタの圧電基板の側周面から配線基板上を外方側に広がるように筒状にはんだが供給されることになるため、例えば既述の特許文献3に記載のSAWデバイスのようにSAWフィルタの機能面に金属層を設けその金属層にはんだを供給して封止を行う場合に比べて実装基板上においてはんだが供給される領域が大きくなる。その結果としてSAWデバイスの大型化を招くおそれがある
なお「少なくとも加圧により」、とは加圧処理のみを行う場合及び加圧、加熱の両方の処理を行う場合を含む。
また圧電素子側の電極及び配線基板側の電極を互いに接続するためのバンプに対して固相線温度の低いはんだ材料を封止用のはんだ材料(封止部材)として用い、バンプと電極との電気的接続は例えば熱圧着(加熱した状態で圧着する工程)のように少なくとも加圧により行い、また圧電素子の振動部の配置領域の気密のための封止についてははんだ材料の溶融により行うようにしている。このため従来のようにバンプとしてはんだを用いその溶融により電極間の電気的接続を行う場合に比べ、はんだが広がるスペースを省くことができ、その結果として当該電子部品の小型化を図ることができると共に配線基板や圧電基板が反りを有していた場合でもバンプと電極との電気的接続を行う工程と振動部の配置領域(能動領域)の封止を行う工程とを夫々別工程にて行うことができるため、バンプと基板電極との電気的接続を確実なものとし、またはんだ材料を各部に高い均一性を持って固着させることができるので前記空間の充分な気密性を確保できる。
また外装樹脂層4を設ける代わりに例えば金属、ガラスあるいはセラミックスなどの無機材料からなる層をはんだ材料3、圧電基板11、第1の金属層15及び第2の金属層24が覆われるように設けてもよく、前記金属からなる層を設ける場合は例えばニッケルなどをはんだ材料3、圧電基板11、第1の金属層15及び第2の金属層24が覆われるようにメッキしてもよい。
またこの例ではSAWフィルタ1の入出力電極13に固定されたバンプ14と配線基板側の基板電極21とを超音波のエネルギーにより加熱してAu−Auの熱圧着を達成していることから機械的にも電気的にもこれらの間で確実な接合が図られている。そしてバンプ14に対して固相線温度の低いはんだ材料3を封止用のはんだ材料(封止部材)として用い、バンプ14と基板電極21との電気的接続は熱圧着により行い、またSAWフィルタ1の櫛歯電極12A,12Bを囲う能動領域31の気密のための封止についてははんだ材料3の溶融により行うようにしている。このため従来のようにバンプ14としてはんだを用いその溶融により電極間の電気的接続を行う場合に比べ、前記はんだが広がるスペースを省くことができ、その結果として当該SAWフィルタ1の小型化を図ることができる。そして配線基板2や圧電基板11が反りを有していた場合でもバンプ14と基板電極21との電気的接続を行う工程と能動領域31の封止を行う工程とを夫々別工程にて行うことができるため、バンプ14と基板電極21との間を確実に電気的接続することができ、また圧電基板11の周縁部においてもはんだ材料3の溶融により封止が行われることから、はんだ材料3が各部に均一に固着し、そのため前記能動領域31に対する確実な気密性が得られ、その結果信頼性の高いSAWデバイス10が得られる。
ところで前記隙間は5μm以下でもよく、またはんだ材料3が溶融した際に当該はんだ材料3が第1の金属層15に密着し能動領域31が封止され、製造されるSAWデバイス10の機能が損なわなければこの隙間Lが設けられず、はんだ材料3が第1の金属層15に当接していてもよい。なおこの隙間Lを所望の大きさにするためには例えば第1の金属層15及び第2の金属層24の厚さをこの隙間Lの大きさに対応した厚さになるように予め形成しておくことになる。
またバンプ14及び基板電極21の夫々の表面が例えば金または銅により構成される場合はバンプ14における基板電極21への接触面と基板電極21におけるバンプ14への接触面とを夫々平坦化し、またそれらの接触面上のパーティクルを取り除いて清浄化した後、例えば熱を加えずにバンプ14と電極21とを加圧することで両者を圧着して接続してもよい。
14 バンプ
15 第1の金属層
2 配線基板
21 基板電極
24 第2の金属層
3 はんだ材料
31 能動領域
Claims (9)
- 圧電基板の一面側に振動部及び第1の電極が設けられた圧電素子と、
前記圧電素子が実装され、前記第1の電極に電気的に接続される第2の電極を備えた配線基板と、を含む電子部品において、
前記第1の電極及び第2の電極の一方側に予め設けられ、圧電基板を配線基板に実装するときに第1の電極及び第2の電極の他方側に接続されたバンプと、
前記圧電基板の一面側に少なくとも振動部を囲うように設けられた環状の第1の金属層と、
前記第1の金属層に沿って設けられ、当該第1の金属層と配線基板との間を封止して振動部の配置領域を気密空間とする、前記バンプよりも固相線温度が低いはんだ材料からなる封止部材と、を備えたことを特徴とする電子部品。 - 前記配線基板における前記封止部材と接触する領域には、第2の金属層が設けられていることを特徴とする請求項1記載の電子部品。
- バンプとこのバンプに接続される第1の電極及び第2の電極の他方側とは少なくとも表面が金からなることを特徴とする請求項1記載の電子部品。
- 前記圧電素子が弾性表面波素子であることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか一つに記載の電子部品。
- 前記封止部材が金、銀、アンチモン及び銅から選択される金属とすずとを主成分とするはんだ材料であることを特徴とする請求項1乃至4のいずれか一つに記載の電子部品。
- その一面側に振動部及び第1の電極が設けられると共に少なくとも前記振動部を囲むように環状に第1の金属層が設けられた圧電素子を用い、前記第1の電極に対応する位置に第2の電極が設けられた配線基板上に前記圧電素子の一面側を対向させて、第1の電極及び第2の電極の一方側に固定されているバンプを第1の電極及び第2の電極の他方側に当接させる工程と、
次いで、予め前記第1の金属層に対応するように配線基板上に設けられるかまたは第1の金属層に設けられた封止部材をなすはんだ材料の固相線温度よりも低い温度で、前記バンプを第1の電極及び第2の電極の他方側に少なくとも加圧により接続する工程と、
その後、前記はんだ材料を前記バンプの固相線温度よりも低い温度で加熱し溶融させて当該はんだ材料により配線基板と第1の金属層との間の封止を行う工程と、を含むことを特徴とする電子部品の製造方法。 - その一面側に振動部及び第1の電極が設けられると共に少なくとも前記振動部を囲むように環状に第1の金属層が設けられた圧電素子を用い、前記第1の電極に対応する位置に第2の電極が設けられた配線基板上に前記圧電素子の一面側を対向させて、第1の電極及び第2の電極の一方側に固定されているバンプを第1の電極及び第2の電極の他方側に当接させる工程と、
次いで、前記バンプを第1の電極及び第2の電極の他方側に少なくとも加圧により接続する工程と、
その後、溶融した封止部材をなすはんだ材料を前記第1の金属層に沿って配線基板上に供給し配線基板と第1の金属層との間の封止を行う工程と、を含むことを特徴とする電子部品の製造方法。 - 前記配線基板における前記封止部材と接触する領域には、第2の金属層が設けられていることを特徴とする請求項6乃至7のいずれか一つに記載の電子部品の製造方法。
- バンプを少なくとも加圧により第1の電極または第2の電極に接続する手法は、超音波の振動による接続であることを特徴とする請求項6乃至8のいずれか一つ記載の電子部品の製造方法。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005201697A JP4744213B2 (ja) | 2005-07-11 | 2005-07-11 | 電子部品の製造方法 |
US11/484,270 US7486160B2 (en) | 2005-07-11 | 2006-07-10 | Electronic component and manufacturing method thereof |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005201697A JP4744213B2 (ja) | 2005-07-11 | 2005-07-11 | 電子部品の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007020073A true JP2007020073A (ja) | 2007-01-25 |
JP4744213B2 JP4744213B2 (ja) | 2011-08-10 |
Family
ID=37617774
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005201697A Expired - Fee Related JP4744213B2 (ja) | 2005-07-11 | 2005-07-11 | 電子部品の製造方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7486160B2 (ja) |
JP (1) | JP4744213B2 (ja) |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009278016A (ja) * | 2008-05-16 | 2009-11-26 | Kyocera Corp | 電子部品 |
JP2010074418A (ja) * | 2008-09-17 | 2010-04-02 | Fujitsu Media Device Kk | 弾性波デバイス及びその製造方法 |
JP2012500477A (ja) * | 2008-08-15 | 2012-01-05 | クゥアルコム・インコーポレイテッド | 積層型集積回路の腐食制御 |
JP2013098514A (ja) * | 2011-11-07 | 2013-05-20 | Seiko Epson Corp | 半導体装置の製造方法及び半導体装置、電子機器 |
JP2013172435A (ja) * | 2012-02-23 | 2013-09-02 | Kyocera Corp | 電子部品の製造方法及び電子部品 |
JP2015185818A (ja) * | 2014-03-26 | 2015-10-22 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置及びその製造方法 |
Families Citing this family (21)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3646116B2 (ja) * | 2003-07-17 | 2005-05-11 | Tdk株式会社 | 表面弾性波素子、表面弾性波装置、表面弾性波デュプレクサ、及び表面弾性波素子の製造方法 |
US20090102337A1 (en) * | 2007-10-17 | 2009-04-23 | Larry Mitchell Grela | Side cabinet and hutch system |
JP4462332B2 (ja) * | 2007-11-05 | 2010-05-12 | セイコーエプソン株式会社 | 電子部品 |
JP2010021219A (ja) * | 2008-07-09 | 2010-01-28 | Nec Schott Components Corp | パッケージングデバイス装置およびパッケージ用ベース部材 |
US20100072716A1 (en) * | 2008-09-19 | 2010-03-25 | Larry Mitchell Grela | Portable tool storage assembly |
US8455260B2 (en) | 2009-03-27 | 2013-06-04 | Massachusetts Institute Of Technology | Tagged-fragment map assembly |
US8157337B2 (en) * | 2009-06-16 | 2012-04-17 | Edwin Dizon Manalang | Tool box storage assembly |
JP2013145932A (ja) * | 2010-05-07 | 2013-07-25 | Murata Mfg Co Ltd | 弾性表面波装置及びその製造方法 |
JP5779931B2 (ja) * | 2011-03-24 | 2015-09-16 | 富士通株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
JP6011074B2 (ja) | 2012-01-20 | 2016-10-19 | 富士通株式会社 | 電子装置の製造方法及び電子装置の製造装置 |
JP2014187354A (ja) * | 2013-02-21 | 2014-10-02 | Ricoh Co Ltd | デバイス、及びデバイスの作製方法 |
CN103560115A (zh) * | 2013-11-08 | 2014-02-05 | 宁波芯健半导体有限公司 | 一种带有支撑保护结构的封装方法 |
WO2016035629A1 (ja) * | 2014-09-03 | 2016-03-10 | 株式会社村田製作所 | モジュール部品 |
CA2968100C (en) * | 2014-12-16 | 2023-09-12 | Aktv8 LLC | Electronically controlled vehicle suspension system and method of manufacture |
US10547282B2 (en) * | 2016-10-31 | 2020-01-28 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Filter including bulk acoustic wave resonator |
KR102426210B1 (ko) * | 2016-10-31 | 2022-07-29 | 삼성전기주식회사 | 체적 음향 공진기를 포함하는 필터 |
JP2018085705A (ja) * | 2016-11-25 | 2018-05-31 | 太陽誘電株式会社 | 電子部品およびその製造方法 |
US20180269853A1 (en) * | 2017-03-14 | 2018-09-20 | Wisol Co., Ltd. | Surface acoustic wave wafer level package and method of manufacturing pcb for the same |
KR20180134237A (ko) * | 2017-06-08 | 2018-12-18 | (주)와이솔 | 웨이퍼레벨패키지 및 제조방법 |
KR20180134238A (ko) * | 2017-06-08 | 2018-12-18 | (주)와이솔 | 웨이퍼레벨패키지 및 제조방법 |
CN111696963A (zh) * | 2020-07-14 | 2020-09-22 | 立讯电子科技(昆山)有限公司 | 封装结构及其制作方法 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04293310A (ja) * | 1991-03-22 | 1992-10-16 | Murata Mfg Co Ltd | 弾性表面波装置 |
JP2003188294A (ja) * | 2001-12-21 | 2003-07-04 | Murata Mfg Co Ltd | 電子部品の製造方法 |
JP2003283289A (ja) * | 2002-03-25 | 2003-10-03 | Kyocera Corp | 弾性表面波装置 |
JP2004129193A (ja) * | 2002-07-31 | 2004-04-22 | Kyocera Corp | 弾性表面波装置 |
JP2004153579A (ja) * | 2002-10-30 | 2004-05-27 | Kyocera Corp | 弾性表面波装置及びその製造方法 |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH08316778A (ja) | 1995-05-23 | 1996-11-29 | Mitsumi Electric Co Ltd | 表面弾性波デバイスの実装構造 |
JP3683032B2 (ja) | 1996-04-22 | 2005-08-17 | 沖電気工業株式会社 | 弾性表面波デバイスの実装構造及び実装方法 |
JP3303791B2 (ja) * | 1998-09-02 | 2002-07-22 | 株式会社村田製作所 | 電子部品の製造方法 |
JP4179038B2 (ja) | 2002-06-03 | 2008-11-12 | 株式会社村田製作所 | 表面弾性波装置 |
US7154206B2 (en) * | 2002-07-31 | 2006-12-26 | Kyocera Corporation | Surface acoustic wave device and method for manufacturing same |
JP3905041B2 (ja) * | 2003-01-07 | 2007-04-18 | 株式会社日立製作所 | 電子デバイスおよびその製造方法 |
-
2005
- 2005-07-11 JP JP2005201697A patent/JP4744213B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2006
- 2006-07-10 US US11/484,270 patent/US7486160B2/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04293310A (ja) * | 1991-03-22 | 1992-10-16 | Murata Mfg Co Ltd | 弾性表面波装置 |
JP2003188294A (ja) * | 2001-12-21 | 2003-07-04 | Murata Mfg Co Ltd | 電子部品の製造方法 |
JP2003283289A (ja) * | 2002-03-25 | 2003-10-03 | Kyocera Corp | 弾性表面波装置 |
JP2004129193A (ja) * | 2002-07-31 | 2004-04-22 | Kyocera Corp | 弾性表面波装置 |
JP2004153579A (ja) * | 2002-10-30 | 2004-05-27 | Kyocera Corp | 弾性表面波装置及びその製造方法 |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009278016A (ja) * | 2008-05-16 | 2009-11-26 | Kyocera Corp | 電子部品 |
JP2012500477A (ja) * | 2008-08-15 | 2012-01-05 | クゥアルコム・インコーポレイテッド | 積層型集積回路の腐食制御 |
US8618670B2 (en) | 2008-08-15 | 2013-12-31 | Qualcomm Incorporated | Corrosion control of stacked integrated circuits |
JP2010074418A (ja) * | 2008-09-17 | 2010-04-02 | Fujitsu Media Device Kk | 弾性波デバイス及びその製造方法 |
JP2013098514A (ja) * | 2011-11-07 | 2013-05-20 | Seiko Epson Corp | 半導体装置の製造方法及び半導体装置、電子機器 |
JP2013172435A (ja) * | 2012-02-23 | 2013-09-02 | Kyocera Corp | 電子部品の製造方法及び電子部品 |
JP2015185818A (ja) * | 2014-03-26 | 2015-10-22 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置及びその製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP4744213B2 (ja) | 2011-08-10 |
US20070008051A1 (en) | 2007-01-11 |
US7486160B2 (en) | 2009-02-03 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4744213B2 (ja) | 電子部品の製造方法 | |
US7259500B2 (en) | Piezoelectric device | |
JP2004214469A (ja) | 電子デバイスおよびその製造方法 | |
JP2012151698A (ja) | 弾性波デバイス | |
KR100455058B1 (ko) | 전자회로장치가 밀봉된 전자부품 및 그 제조방법 | |
JP2006217226A (ja) | 弾性表面波素子およびその製造方法 | |
JP2008113178A (ja) | 中空封止素子およびその製造方法 | |
JP2007013444A (ja) | 圧電振動デバイス及びその製造方法 | |
JP2007081555A (ja) | 弾性表面波装置 | |
JP3911838B2 (ja) | 圧電振動子の製造方法 | |
JP2008034515A (ja) | 電子装置およびパッケージ | |
TW201543811A (zh) | 水晶震盪裝置及其製造方法 | |
JP2004153579A (ja) | 弾性表面波装置及びその製造方法 | |
JP2009077341A (ja) | 圧電デバイスおよび圧電振動子 | |
JP2009239475A (ja) | 表面実装型圧電発振器 | |
CN113597669A (zh) | 电子部件及其制造方法 | |
JP2007173973A (ja) | 水晶デバイスの製造方法 | |
JP2008186917A (ja) | 電子部品収納用パッケージ、電子装置、およびその製造方法 | |
JP4673670B2 (ja) | 圧電デバイスの製造方法 | |
JP2013140876A (ja) | 電子デバイスの製造方法、電子デバイス、圧電発振器、及び電子機器 | |
JP2013140874A (ja) | 電子デバイス、セラミック基板、製造方法、及び圧電発振器 | |
JP2013197921A (ja) | 電子部品の製造方法及び電子部品 | |
US8860285B2 (en) | Electronic component and method for producing electronic component | |
JP2004064599A (ja) | 弾性表面波装置及びその製造方法 | |
JP2009055394A (ja) | 圧電デバイス、及びその製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20080606 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20101022 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20101102 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20101228 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110201 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110404 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20110426 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20110510 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140520 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140520 Year of fee payment: 3 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |