JP2013197921A - 電子部品の製造方法及び電子部品 - Google Patents

Abstract

【課題】対向空間の密閉性を向上できる電子部品を提供する。
【解決手段】電子部品１は、支持部材５と、支持部材５上に対向空間Ｓを介して実装されたＳＡＷ素子７と、ＳＡＷ素子７を覆い、かつ、電子部品１の周囲において支持部材５の上面１１ａに接着している封止シート１０と、封止シート１０を覆い、封止シート１０の外側領域（切り欠き１１ｅ）で支持部材５と接着しており、側面９ｃが支持部材５の側面１１ｃと面一な封止部９とを有する。支持部材５には、封止シート１０の外側領域において切り欠き１１ｅがあり、該切り欠き１１ｅに封止部９が入り込んでいる。
【選択図】図３

Description

本発明は、弾性表面波（ＳＡＷ：Surface Acoustic Wave）素子、圧電薄膜共振器（ＦＢＡＲ：Film Bulk Acoustic Resonator）等の電子素子を含む電子部品及び該電子部品の製造方法に関する。

複数のＳＡＷ素子を回路基板上に表面実装し、その上に封止樹脂を供給して複数のＳＡＷ素子を封止し、その後、封止樹脂と回路基板とを共にダイシングすることにより、複数のＳＡＷデバイス（電子部品）を作製する製造方法が知られている（例えば特許文献１）。なお、特許文献１では、封止樹脂がＳＡＷ素子と回路基板との間の対向空間に流れ込むことを抑制するために、対向空間を囲むようにＳＡＷ素子と回路基板との間に介在する環状の半田を設けている。

特開２００６−５０５８２号公報

特許文献１の技術において、封止樹脂が対向空間へ流れ込まないようにするために、樹脂シートを複数のＳＡＷ素子に被せ、その後、封止樹脂を供給することが考えられる。この場合、樹脂シートは、封止樹脂及び回路基板と共にダイシングされ、そのダイシングされた端部は封止樹脂及び回路基板の側面に露出する。従って、電子部品の側面から樹脂シートに沿って対向空間へ水分等が浸入するおそれがある。

本発明の目的は、対向空間の密閉性を向上できる電子部品及びその製造方法を提供することにある。

本発明の一態様に係る電子部品は、支持部材と、該支持部材上に対向空間を介して実装された電子素子と、該電子素子を覆い、かつ、該電子部品の周囲において前記支持部材の上面に接着している封止シートと、該封止シートを覆い、該封止シートの外側領域で前記支持部材と接着しており、側面が前記支持部材の側面と面一な封止材と、を有し、前記支持部材には、前記封止シートの外側領域において切り欠きがあり、該切り欠きに前記封止材が入り込んでいる。

好適には、前記支持部材は、前記切り欠きにおける表面粗さが前記封止シートの内側領域における表面粗さよりも粗い。

好適には、前記電子素子は、圧電基板と、該圧電基板の下面に設けられた励振電極と、を有する。

本発明の一態様に係る電子部品の製造方法は、複数の支持部材が含まれる母基板を準備する第１工程と、複数の電子素子を、前記複数の支持部材にそれぞれフェースダウン実装されるように、前記母基板に実装する第２工程と、前記複数の電子素子を覆い、各電子素子の周囲において前記母基板の上面に接着するように、封止シートを配置する第３工程と、前記電子素子の周囲において前記封止シートと前記母基板との接着領域が残るように、前記封止シートの前記支持部材同士の境界に跨る部分を除去する第４工程と、前記封止シートを覆い、前記封止シートが除去された領域で、前記支持部材と接着するように封止材を配置する第５工程と、前記境界に沿って、前記封止材および前記母基板をカットして、複数の個片を形成する第６工程と、を含む。

好適には、前記第４工程で、前記母基板の上面に前記境界に跨る凹部を形成し、これに伴って前記封止シートの前記境界に跨る部分を除去し、前記第５工程で、前記凹部内部にも前記封止材を配置し、前記第６工程で、前記凹部の底面中央部をカットする。

上記の構成又は手順によれば、対向空間の密閉性を向上できる。

図１（ａ）及び図１（ｂ）は本発明の実施形態に係る電子部品の外観を示す斜視図。 図１の電子部品の分解斜視図。 図３（ａ）は図２のIII−III線に対応する電子部品の断面図、図３（ｂ）は図３（ａ）の領域IIIｂの拡大図、図３（ｃ）は図３（ａ）の領域IIIｃの拡大図。 図４（ａ）〜図４（ｃ）は図１の電子部品の製造方法を説明する断面図。 図５（ａ）〜図５（ｃ）は図４（ｃ）の続きを示す断面図。 第２の実施形態に係る電子部品を示す断面図。

以下、本発明の実施形態に係る電子部品について、図面を参照して説明する。なお、以下の説明で用いられる図は模式的なものであり、図面上の寸法比率等は現実のものとは必ずしも一致していない。

（第１の実施形態）
図１（ａ）は、本発明の第１の実施形態に係る電子部品１の外観を示す上面１ａ側から見た斜視図であり、図１（ｂ）は、電子部品１の外観を示す下面１ｂ側から見た斜視図である。

なお、電子部品１は、いずれの方向が上方若しくは下方とされてもよいものであるが、便宜的に、直交座標系ｘｙｚを定義するとともに、ｚ方向の正側を上方として、上面若しくは下面の語を用いるものとする。

電子部品１は、例えば、概ね直方体状に形成されており、その下面１ｂには、複数の外部端子３が適宜な形状及び適宜な数で露出している。電子部品１の大きさは適宜な大きさとされてよいが、例えば、１辺の長さが１ｍｍ〜数ｍｍである。

電子部品１は、不図示の実装基板に対して下面１ｂを対向させて配置され、実装基板に設けられたパッドと複数の外部端子３とが半田バンプ等を介して接合されることにより実装基板に実装される。そして、電子部品１は、例えば、複数の外部端子３のいずれかを介して信号が入力され、入力された信号に所定の処理を施して複数の外部端子３のいずれかから出力する。

なお、複数の外部端子３の数、位置及び役割は、電子部品１内部の構成等に応じて適宜に設定されてよい。本実施形態では、４つの外部端子３が下面１ｂの４隅に設けられている場合を例示している。

図２は、電子部品１の分解斜視図である。図３（ａ）は、図２のIII−III線に対応する電子部品１の断面図である。

電子部品１は、図２に示すように、大きくは３つの部材を含んでいる。すなわち、電子部品１は、支持部材５と、当該支持部材５上に実装されたＳＡＷ素子７と、ＳＡＷ素子７を封止する封止部９とを有している。

また、電子部品１は、図３に示すように、支持部材５とＳＡＷ素子７との間に、これらの電気的接続を行うための半田バンプ８と、製造工程において封止部９となる液状材料が支持部材５とＳＡＷ素子７との間に流れ込むことを抑制するための封止シート１０とを有している。

支持部材５は、例えば、リジッド式のプリント配線板によって構成されており、絶縁基板１１と、絶縁基板１１の上面１１ａに形成された上面導電層１３Ａ（図３）と、絶縁基板１１の内部に上面１１ａに平行に形成された内部導電層１３Ｂ（図３）と、絶縁基板１１の全部又は一部を上下方向に貫通するビア導体１５（図３）と、絶縁基板１１の下面１１ｂに形成された既述の外部端子３とを有している。なお、支持部材５は、内部導電層１３Ｂが設けられないものであってもよい。

絶縁基板１１は、例えば、概ね薄型の直方体状に形成されている。ただし、絶縁基板１１の外周には、上面１１ａ側に切り欠き１１ｅが形成されている。切り欠き１１ｅは、例えば、断面形状（図３）が概ね矩形であり、絶縁基板１１の全周に亘って形成されている。切り欠き１１ｅの深さ（ｚ方向）及び幅（図３ではｙ方向）は、適宜に設定されてよく、例えば、深さは５０μｍ〜１００μｍであり、幅は５０μｍ〜１５０μｍである。

また、絶縁基板１１は、例えば、樹脂、セラミック及び／又はアモルファス状態の無機材料を含んで形成されている。絶縁基板１１は、単一の材料からなるものであってもよいし、基材に樹脂を含浸させた基板のように複合材料からなるものであってもよい。

上面導電層１３Ａは、半田バンプ８が接合される基板パッド１７（図３）を含んでいる。ビア導体１５及び内部導電層１３Ｂは、基板パッド１７と外部端子３とを接続する配線を含んでいる。なお、上面導電層１３Ａ、内部導電層１３Ｂ及びビア導体１５は、インダクタ、コンデンサ若しくは適宜な処理を実行する回路を含んでいてもよい。これら導電層等は、例えば、Ｃｕ等の金属により構成されている。基板パッド１７においては、半田バンプ８との接合性向上のために、Ｎｉ，Ａｕ等のめっきが施されていてもよい。

ＳＡＷ素子７は、圧電基板１９と、圧電基板１９の下面１９ａに設けられた素子導電層２０とを有している。なお、ＳＡＷ素子７は、この他、圧電基板１９の上面１９ｂを覆う電極及び／又は保護層等の適宜な部材を有していてよい。

圧電基板１９は、例えば、概ね薄型の直方体状に形成されている。圧電基板１９の平面視における大きさは、支持部材５の平面視における大きさよりも小さい。圧電基板１９は、例えば、タンタル酸リチウム単結晶、ニオブ酸リチウム単結晶等の圧電性を有する単結晶の基板により構成されている。

素子導電層２０は、ＳＡＷを励起するための励振電極２１と、半田バンプ８が接合される素子パッド２５とを有している。素子導電層２０は、例えば、Ａｌ−Ｃｕ合金等の金属により構成されている。素子パッド２５においては、半田バンプ８との接合性向上のために、Ｎｉ，Ａｕ等のめっきが施されていてもよい。

励振電極２１は、いわゆるＩＤＴ（InterDigital transducer）であり、図２に示すように、一対の櫛歯電極２３を含んでいる。各櫛歯電極２３は、バスバー２３ａと、バスバー２３ａから延びる複数の電極指２３ｂとを有しており、一対の櫛歯電極２３は、互いに噛み合うように（複数の電極指２３ｂが互いに交差するように）配置されている。なお、図２等は模式図であることから、複数本の電極指２３ｂを有する櫛歯電極２３が１対のみ図示されているが、実際には、これよりも多くの電極指２３ｂを有する複数対の櫛歯電極２３が設けられていてよい。励振電極２１は、例えば、ＳＡＷフィルタ、ＳＡＷ共振器及び／又はデュプレクサを構成している。

一対の櫛歯電極２３の一方に信号が入力されると、当該信号はＳＡＷに変換されて下面１９ａを電極指２３ｂに直交する方向（ｙ方向）に伝搬し、再度信号に変換されて一対の櫛歯電極２３の他方から出力される。その過程において、信号はフィルタリング等がなされる。

素子パッド２５は、下面１９ａに形成された不図示の配線を介して励振電極２１に接続されている。一対の櫛歯電極２３の一方は、複数の素子パッド２５のいずれかを介して信号が入力され、一対の櫛歯電極２３の他方は、複数の素子パッド２５のいずれかを介して信号を出力する。

半田バンプ８は、素子パッド２５と基板パッド１７との間に介在して、これらパッドを接合している。半田バンプ８を構成する半田は、Ｐｂ−Ｓｎ合金半田等の鉛を用いた半田であってもよいし、Ａｕ−Ｓｎ合金半田、Ａｕ−Ｇｅ合金半田、Ｓｎ−Ａｇ合金半田、Ｓｎ−Ｃｕ合金半田等の鉛フリー半田であってもよい。なお、半田バンプ８に代えて、導電性樹脂からなるバンプが設けられてもよい。

支持部材５とＳＡＷ素子７との間に半田バンプ８が介在していることにより、絶縁基板１１の上面１１ａと、圧電基板１９の下面１９ａとの間には間隙（対向空間Ｓ、図３）が形成されている。これにより、下面１９ａにおけるＳＡＷの伝搬が容易化されている。なお、半田バンプ８の厚みは、例えば、３０μｍ程度である。

封止シート１０（図３）は、厚さが概ね一定のシート（層）状の部材である。封止シート１０は、ＳＡＷ素子７を覆い、また、ＳＡＷ素子７の周囲において支持部材５に接着している。従って、対向空間Ｓは、封止シート１０によって封止されている。より具体的には、封止シート１０は、ＳＡＷ素子７から垂れた外周部がＳＡＷ素子７の外方へ広がるように曲がっており、ＳＡＷ素子７を覆う側の面（シート下面１０ａ）が支持部材５の上面１１ａに接着している。なお、封止シート１０は、ＳＡＷ素子７の上面１９ｂ及び側面１９ｃに対しても接着していることが好ましい。

封止シート１０と上面１１ａとの接着領域１０ｃの幅Ｗは、例えば、３０μｍ〜１００μｍである。幅Ｗが３０μｍ以上であれば、対向空間Ｓの密閉性の維持が容易であり、幅Ｗが１００μｍ以下であれば、電子部品１の小型化が容易である。封止シート１０の外周縁部は、支持部材５の上面１１ａ（切り欠き１１ｅよりも内側部分）の外周縁部と一致しており、支持部材５の切り欠き１１ｅは、封止シート１０の外側領域に位置している。封止シート１０は、例えば、ポニフェニレンサルファイド（ＰＰＳ）等の樹脂フィルムに粘着剤が塗布されて構成されており、その厚さは例えば１〜数μｍである。

封止部９は、封止シート１０を覆っている。好ましくは、封止部９は、封止シート１０に接着している。また、封止部９は、封止シート１０の外側領域において支持部材５と接着している。換言すれば、封止部９は、封止シート１０の縁部を覆っており、封止シート１０の縁部は電子部品１の外部へ露出していない。別の観点では、電子部品１の側面に露出する部材間の界面は、支持部材５と封止部９との界面一つのみである。具体的には、封止部９は、支持部材５の切り欠き１１ｅに入り込み、支持部材５と接着している。

封止部９の外形は、例えば、概ね直方体状になるように形成されている。その平面視における形状及び大きさは、例えば、支持部材５の平面形状と同様であり、封止部９の側面９ｃは支持部材５（絶縁基板１１）の側面１１ｃと面一になっている。封止部９のＳＡＷ素子７上の厚みは、ＳＡＷ素子７の保護の観点等の種々の観点から適宜な大きさとされてよい。

封止部９は、例えば、樹脂を含んで構成されている。当該樹脂は、好ましくは熱硬化性樹脂であり、熱硬化性樹脂は、例えば、エポキシ樹脂若しくはフェノール樹脂である。樹脂には、当該樹脂よりも熱膨張係数が低い材料により形成された絶縁性粒子からなるフィラーが混入されていてもよい。絶縁性粒子の材料は、例えば、シリカ、アルミナ、フェノール、ポリエチレン、グラスファイバー、グラファイトフィラーである。なお、封止部９は、樹脂以外の材料、例えば、アモルファス状態の無機材料によって構成されていてもよい。

対向空間Ｓは、封止部９によって密閉されている。対向空間Ｓ内は、真空となっていてもよいし、空気等の気体が封入されていてもよい。気体が封入されている場合、その圧力は、対向空間Ｓ内の温度が大気の温度と同等のときに、大気圧よりも高くてもよいし、同等でもよいし、大気圧よりも低くてもよい。

図３（ｂ）は、図３（ａ）の領域IIIｂの拡大図であり、図３（ｃ）は、図３（ａ）の領域IIIｃの拡大図である。

絶縁基板１１において、切り欠き１１ｅにおける表面粗さは、上面１１ａにおける表面粗さよりも粗くなっている。例えば、切り欠き１１ｅの表面の算術平均粗さは１５μｍ〜２５μｍ程度であり、上面１１ａの算術平均粗さは０．５μｍ〜１．０μｍ程度である。そして、封止部９は、その切り欠き１１ｅの凹凸に密着している（溝に入り込んでいる。）。なお、図３（ｂ）は、切り欠き１１ｅの、ｚ方向に面する表面を示しているが、ｙ方向（若しくはｘ方向）に面する表面も同様に粗くなっている。

図４（ａ）〜図５（ｃ）は、電子部品１の製造方法を説明する、図３に対応する断面図である。ただし、これらの図では、複数の電子部品１に対応する断面を示している。

まず、図４（ａ）に示すように、複数の支持部材５が含まれる母基板３１が用意される。なお、図４（ａ）では、支持部材５同士の境界３３を点線で示している。点線の位置は、側面１１ｃとなる位置である。母基板３１は、一般的なプリント配線板と同様に作製されてよい。例えば、母基板３１は、導電ペーストが配置されたセラミックグリーンシートが焼成されたり、又は、絶縁基板１１に対してアディティブ法若しくはサブトラクティブ法によって導電層が形成されたりすることによって作製されてよい。

母基板３１が用意されると、図４（ｂ）に示すように、複数のＳＡＷ素子７が複数の支持部材５（母基板３１）に実装される。具体的には、例えば、スクリーン印刷等によって半田バンプ８が母基板３１に形成され、次に、複数のＳＡＷ素子７が母基板３１に載置され、その後、これらはリフロー炉等によって加熱される。なお、ＳＡＷ素子７は、例えば、分割されることによって圧電基板１９となる母基板を対象に素子導電層２０を形成し、その後、ダイシングすることによって作製される。

次に、図４（ｃ）に示すように、複数の封止シート１０を含む封止シート３４が複数のＳＡＷ素子７に被せられる。なお、封止シート３４は、例えば、適宜に加熱されつつ、封止シート３４と母基板３１との間の真空引きがなされることにより、ＳＡＷ素子７、及び、母基板３１のＳＡＷ素子７の周囲部分に密着し、粘着する。

封止シート３４が配置されると、図５（ａ）に示すように、複数の支持部材５の境界３３に跨る凹部３５を形成する。凹部３５の形成は、例えば、ダイシングブレード３７によるハーフカットダイシングによって行われる。ダイシングブレード３７の厚みは、境界３３の幅よりも大きく、且つ、複数のＳＡＷ素子７間の隙間よりも小さく設定されている。そして、この凹部３５の形成に伴って、封止シート３４は、接着領域１０ｃが残るように、境界３３に跨る部分が除去される。

このとき、母基板３１（絶縁基板１１）において、凹部３５の表面（凹部３５の底面及び側面）は、上面（上面１１ａ）よりも粗くなる。例えば、凹部３５の表面には、砥粒によって削られることによって形成された、ダイシングブレード３７の外周部の接線方向に沿う直線状（凹部３５の側面においては厳密には弧状）の複数の溝が形成される。

凹部３５が形成されると、図５（ｂ）に示すように、封止部９となる液状の樹脂３９が供給される。液状の樹脂３９は、封止シート１０（３４）を覆うとともに、凹部３５内に流入する。また、液状の樹脂３９は、凹部３５の表面に形成された複数の溝にも入り込む。そして、加熱されることによって液状の樹脂３９は硬化し、支持部材５に接着する。

液状の樹脂３９が硬化すると、図５（ｃ）に示すように、樹脂３９及び母基板３１を境界３３に沿って共にカットして、複数の電子部品１を個片化する。カットは、例えば、ダイシングブレード４１によって行われる。ダイシングブレード４１の厚さは、凹部３５の幅よりも小さく、ダイシングブレード４１は、凹部３５の底面中央部をカットする。これによって、切り欠き１１ｅ及び封止部９の切り欠き１１ｅに入り込んだ部分が形成され、また、封止部９の側面９ｃと支持部材５の側面１１ｃとは面一になる。

以上のとおり、本実施形態では、電子部品１は、支持部材５と、支持部材５上に対向空間Ｓを介して実装されたＳＡＷ素子７と、ＳＡＷ素子７を覆い、かつ、電子部品１の周囲において支持部材５の上面１１ａに接着している封止シート１０と、封止シート１０を覆い、封止シート１０の外側領域（切り欠き１１ｅ）で支持部材５と接着しており、側面９ｃが支持部材５の側面１１ｃと面一な封止部９とを有する。

別の観点では、本実施形態の電子部品１の製造方法は、複数の支持部材５が含まれる母基板３１を準備する第１工程（図４（ａ））と、複数のＳＡＷ素子７を、複数の支持部材５にそれぞれフェースダウン実装されるように、母基板３１に実装する第２工程（図４（ｂ））と、複数のＳＡＷ素子７を覆い、各ＳＡＷ素子の周囲において母基板３１の上面に接着するように、封止シート３４（１０）を配置する第３工程（図４（ｃ））と、ＳＡＷ素子７の周囲において封止シート３４と母基板３１との接着領域１０ｃが残るように、封止シート３４の支持部材５同士の境界３３に跨る部分を除去する第４工程（図５（ａ））と、封止シート３４を覆い、封止シート３４が除去された領域で、支持部材５と接着するように樹脂３９（封止部９）を配置する第５工程（図５（ｂ））と、境界３３に沿って、樹脂３９および母基板３１をカットして、複数の個片を形成する第６工程（図５（ｃ））と、を含む。

従って、支持部材５の側面と封止部９の側面とが面一となる構成、換言すれば、支持部材５と封止部９とが共にダイシングされて簡便に作製される構成において、封止シート１０の縁部が電子部品１の側面に露出しなくなり、封止シート１０と支持部材５との界面を介して水分等が対向空間Ｓへ浸入することが抑制される。

支持部材５には、封止シート１０の外側領域において切り欠き１１ｅがあり、該切り欠き１１ｅに封止部９が入り込んでいる。

従って、後述する第２の実施形態との比較から明らかになるように、支持部材５が平面視において大型化することなく、支持部材５と封止部９との接着面積が増加し、且つ、封止部９は支持部材５に食い込む形状となる。その結果、封止部９と支持部材５との接着強度が向上し、電子部品１は、外部から水分が浸入しにくくなる。また、剥離が生じたとしても、電子部品１の側面から対向空間Ｓへの水分の浸入経路が長くなっており、且つ、当該浸入経路は途中で曲がっていることから、水分が浸入しにくい。

このような構成は、第４工程（図５（ａ））で、母基板３１の上面に境界３３に跨る凹部３５を設け、これに伴って封止シート３４の境界３３に跨る部分を除去し、第５工程（図５（ｂ））で、凹部３５内部にも樹脂３９を配置し、第６工程（図５（ｃ））で、凹部３５の底面中央部をカットすることによって実現される。

従って、切り欠き１１ｅの形成と、封止シート３４の境界３３における除去とが共に行われ、製造工程が簡素化される。

また、支持部材は、切り欠き１１ｅにおける表面粗さが封止シート３４の内側領域における表面粗さよりも粗い。従って、封止部９が表面の凹部に入り込み、封止部９と支持部材５との密着性が向上すると共に、水分の浸入も抑制される。

なお、以上の第１の実施形態において、ＳＡＷ素子７は本発明の電子素子の一例であり、封止部９及び樹脂３９は本発明の封止材の一例である。

（第２の実施形態）
図６は、第２の実施形態に係る電子部品１０１の断面図（図３に相当する図）である。

電子部品１０１は、切り欠き１１ｅ（図３）が設けられていない点のみが第１の実施形態の電子部品１と相違する。従って、第２の実施形態において、封止部１０９は、封止シート１０の外側において、支持部材１０５（絶縁基板１１１）の上面１１１ａに対して接着している。この接着領域の幅（図６ではｙ方向）は、例えば、５０μｍ〜１００μｍである。なお、支持部材１０５の側面１０５ｃと封止部１０９の側面１０９ｃとは面一である。

電子部品１０１の製造方法は、第１の実施形態において、図５（ａ）に示す工程のみを変更すればよい。すなわち、第２の実施形態では、図５（ａ）の工程に代えて、封止シート３４の境界３３に跨る部分を除去し、その一方で、母基板３１に凹部３５を形成しない工程を行う。封止シート３４の境界３３に跨る部分の除去は、例えば、フォトリソグラフィーによって行ってもよいし、レーザーを用いたアブレーション加工によって行ってもよい。

本発明は、以上の実施形態及び変形例に限定されず、種々の態様で実施されてよい。

電子部品は、ＳＡＷ装置に限定されない。換言すれば、電子素子は、ＳＡＷ素子に限定されない。電子素子は、弾性波を利用しないものであってもよいし、圧電薄膜共振器等のＳＡＷ以外の弾性波を利用するものであってもよい。

支持部材は、電子素子と実装基板とを仲介するものに限定されない。例えば、支持部材は、携帯機器等の電子機器のマザーボード（メインボード、主基板）として機能するものであってもよい。また、支持部材は、複数の電子素子が実装されるものであってもよい。

支持部材の、封止シートの外側領域に切り欠きが設けられる場合において、当該切り欠きは、支持部材の外周全体に亘って形成されるものに限定されない。例えば、切り欠きは、平面形状が矩形の支持部材において、その１〜３辺に設けられてもよいし、１辺のうちの一部にのみ設けられてもよいし、１辺の複数位置に設けられてもよい。また、切り欠きは、封止シートの縁部に隣接していなくてもよい。

１辺のうち一部にのみ設ける切り欠きは、レーザ、又は金型での打ち抜きによって形成することができる。具体的には、支持部材の母基板における、支持部材同士の境界上に、
前記のような手段で複数の穴を設ける（ちなみに、この場合の穴は、支持部材の反対側の主面までは貫通していない。）。そして、その境界に沿って、複数の支持部材に分割すれば、一辺のうち複数箇所に部分的な切り欠きが設けられた支持部材を得ることができる。
なお、金型での打ち抜きを選択すれば、部分的な切り欠きの内部の粗さを、支持部材の上面の粗さより大きくできるので、好ましい。

また、切り欠きの形成方法は、ダイシングブレードによるハーフカットを利用するものに限定されないし、また、封止シートの一部の除去を伴うものに限定されない。例えば、封止シートを被せる前において、母基板に対してマスクを介してエッチングを行ったり、レーザー光を照射したりして、切り欠きを形成してもよいし、封止シートの一部をレーザー光の照射等によって除去した後に、ハーフカットダイシングによって切り欠きを形成してもよい。

電子素子において、対向空間内に位置する配線や機能体（励振電極）は、これらの酸化防止等に寄与する絶縁性の保護層に覆われていてもよい。なお、保護層は、例えば、酸化珪素（ＳｉＯ_２など）、酸化アルミニウム、酸化亜鉛、酸化チタン、窒化珪素、またはシリコンにより形成されている。

封止シートは、粘着剤によって支持部材に密着されるものに限定されない。例えば、封止シートは、封止部となる液状の樹脂よりも粘度が高い樹脂（熱硬化性樹脂、光硬化性樹脂等）によって構成され、電子素子に被せられた後に硬化されることによって、それ自体が支持部材に密着してもよい。、なお、当該硬化は、封止部となる液状の樹脂の硬化の前であってもよいし、同時であってもよい。

１…電子部品、５…支持部材、７…ＳＡＷ素子（電子素子）、９…封止部（封止材）、１０…封止シート。

Claims (5)

1. 支持部材と、
   該支持部材上に対向空間を介して実装された電子素子と、
   該電子素子を覆い、かつ、該電子部品の周囲において前記支持部材の上面に接着している封止シートと、
   該封止シートを覆い、該封止シートの外側領域で前記支持部材と接着しており、側面が前記支持部材の側面と面一な封止材と、
   を有し、
   前記支持部材には、前記封止シートの外側領域において切り欠きがあり、
   該切り欠きに前記封止材が入り込んでいる
   電子部品。
2. 前記支持部材は、前記切り欠きにおける表面粗さが前記封止シートの内側領域における表面粗さよりも粗い
   請求項１に記載の電子部品。
3. 前記電子素子は、
   圧電基板と、
   該圧電基板の下面に設けられた励振電極と、を有する
   請求項１又は２に記載の電子部品。
4. 複数の支持部材が含まれる母基板を準備する第１工程と、
   複数の電子素子を、前記複数の支持部材にそれぞれフェースダウン実装されるように、前記母基板に実装する第２工程と、
   前記複数の電子素子を覆い、各電子素子の周囲において前記母基板の上面に接着するように、封止シートを配置する第３工程と、
   前記電子素子の周囲において前記封止シートと前記母基板との接着領域が残るように、前記封止シートの前記支持部材同士の境界に跨る部分を除去する第４工程と、
   前記封止シートを覆い、前記封止シートが除去された領域で、前記支持部材と接着するように封止材を配置する第５工程と、
   前記境界に沿って、前記封止材および前記母基板をカットして、複数の個片を形成する第６工程と、
   を含む電子部品の製造方法。
5. 前記第４工程で、前記母基板の上面に前記境界に跨る凹部を形成し、これに伴って前記封止シートの前記境界に跨る部分を除去し、
   前記第５工程で、前記凹部内部にも前記封止材を配置し、
   前記第６工程で、前記凹部の底面中央部をカットする
   請求項４に記載の電子部品の製造方法。

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