JP2020191597A - 弾性波デバイスおよびその製造方法 - Google Patents
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Abstract
Description
図3は、実施例1に係る弾性波デバイスの製造方法を示す平面図である。図4(a)から図5(b)は、実施例1に係る弾性波デバイスの製造方法を示す断面図である。図3に示すように、ウエハ66に切断領域68が格子状に設けられている。切断領域68はウエハ66が切断されるときに封止部30が除去される領域である。切断領域68の幅は例えば50μmから200μmである。
図7(a)から図7(c)は、比較例1に係る弾性波デバイスの製造方法を示す断面図である。図7(a)に示すように、実施例1の図4(a)において、レーザ光54を照射する前に、基板10上に基板20を搭載し、封止部30およびリッド36を形成する。切断領域68のリッド36、封止部30および圧電基板10bをダイシングブレード58を用い切断する。
図9(a)および図9(b)は、実施例1の変形例1に係る弾性波デバイスの製造方法を示す断面図である。図9(a)に示すように、実施例1の図4(b)の後に、テープ56を剥がす。リッド36上にテープ57を貼る。基板10の下方からレーザ光54を照射し、溝62を形成する。図9(b)に示すように、保護膜55の下面にテープ56を貼る。テープ57を剥がす。リッド36、封止部30および圧電基板10bをダイシングブレード58を用い切断することで除去し溝64を形成する。その後、実施例1の図5(b)以降の工程を行う。その他の工程は実施例1と同じであり説明を省略する。
図10(a)から図10(c)は、実施例1の変形例2に係る弾性波デバイスの製造方法を示す断面図である。図10(a)に示すように、保護膜55を設けず支持基板10aの下面にテープ56を貼る。その後、実施例1の図4(a)と同様に溝60を形成する。図4(b)と同様に、基板10上に基板20を搭載し封止部30およびリッド36を形成する。図10(b)に示すように、実施例1の図4(c)と同様にダイシングブレード58を用い溝64を形成する。
図12(a)および図12(b)は、実施例1の変形例3に係る弾性波デバイスの製造方法を示す断面図である。図12(a)に示すように、実施例1の変形例2の図10(a)の後に、リッド36上にテープ57を貼る。基板10の下面のテープ56を剥がす。基板10の下方からレーザ光54を照射し、支持基板10a内に改質領域62aを形成する。図12(b)に示すように、基板10の下面に保護膜55を形成する。保護膜55の下面にテープ56を貼る。テープ57を剥がす。リッド36、封止部30および圧電基板10bをダイシングブレード58を用い切断し溝64を形成する。その後、実施例1の図5(b)以降の工程を行う。その他の工程は実施例1の変形例2と同じであり説明を省略する。
図13(a)から図13(c)は、実施例1の変形例4に係る弾性波デバイスの製造方法を示す断面図である。図13(a)に示すように、支持基板10aの上面に溝60を形成せずに、基板10上に基板20を搭載し封止部30およびリッド36を形成する。基板10の下面にテープ56を貼り、実施例1の図4(c)と同様にダイシングブレード58を用い溝64を形成する。
図15(a)および図15(b)は、実施例1の変形例5に係る弾性波デバイスの製造方法を示す断面図である。図15(a)に示すように、実施例1の変形例4の図13(a)において基板10の下面にテープ56を貼る前に、リッド36上にテープ57を貼る。基板10の下方からレーザ光54を照射し、支持基板10aの下面に溝62を形成する。図15(b)に示すように、保護膜55の下面にテープ56を貼り、テープ57を剥がす。リッド36、封止部30および圧電基板10bにダイシングブレード58を用い溝64を形成する。その後、実施例1の図5(b)以降の工程を行う。その他の工程は実施例1の変形例4と同じであり説明を省略する。
図16(a)および図16(b)は、実施例1の変形例6に係る弾性波デバイスの製造方法を示す断面図である。図16(a)に示すように、基板10の下面に保護膜55を設けずテープ56を貼る。実施例1の変形例4の図13(a)と同様にダイシングブレード58を用い溝64を形成する。図16(b)に示すように、実施例1の変形例2の図10(c)と同様に基板10の下方からレーザ光54を照射し、支持基板10a内に改質領域62aを形成する。その後、実施例1の図5(b)以降の工程を行う。その他の工程は実施例1と同じであり説明を省略する。
図18(a)および図18(b)は、実施例1の変形例7に係る弾性波デバイスの製造方法を示す断面図である。図18(a)に示すように、リッド36上にテープ57を貼る。基板10の下方からレーザ光54を照射し、支持基板10a内に改質領域62aを形成する。図18(b)に示すように、基板10の下面にテープ56を貼りテープ57を剥がす。リッド36、封止部30および圧電基板10bにダイシングブレード58を用い溝64を形成する。その後、実施例1の図5(b)以降の工程を行う。その他の工程は実施例1の変形例6と同じであり説明を省略する。
10b 圧電基板
12、22 弾性波素子
14、24 配線
16 ビア配線
18 端子
20 基板
26 空隙
28 バンプ
30 封止部
32、34 環状金属層
36 リッド
50 送信フィルタ
52 受信フィルタ
54 レーザ光
60、62、64 溝
61、63、63a レーザ痕
62a 改質領域
67 中心線
68 切断領域
Claims (10)
- 圧電基板と支持基板とが直接または間接的に接合された第1基板の平面方向に延伸する切断領域の幅方向の中心線の両側において前記支持基板にレーザ光を照射することで、前記支持基板に溝および/または改質領域を形成する工程と、
前記圧電基板の前記支持基板と反対の面の前記切断領域の間に複数の第2基板を、前記圧電基板と空隙を挟み対向するように搭載する工程と、
前記複数の第2基板を囲み前記切断領域を含む領域に前記切断領域において前記第1基板と接合し、前記圧電基板および前記第2基板の少なくとも一方に設けられた弾性波素子を前記空隙に封止する封止部を形成する工程と、
前記切断領域の幅方向の両辺を側面とする溝を形成することにより前記封止部を切断する工程と、
前記溝および/または前記改質領域を形成する工程および前記封止部を切断する工程の後、前記切断領域の中心線の両側において前記第1基板を割断する工程と、
を含む弾性波デバイスの製造方法。 - 前記溝および/または前記改質領域を形成する工程は、前記封止部を形成する工程の前に、前記第1基板の前記第2基板側の面にレーザ光を照射することで、前記溝または前記改質領域を形成する工程を含む請求項1に記載の弾性波デバイスの製造方法。
- 前記溝および/または前記改質領域を形成する工程は、前記第1基板の前記第2基板と反対の面にレーザ光を照射することで、前記溝または前記改質領域を形成する工程を含む請求項1に記載の弾性波デバイスの製造方法。
- 前記溝および/または前記改質領域を形成する工程は、
前記封止部を形成する工程の前に、前記第1基板の前記第2基板側の面にレーザ光を照射することにより、前記溝または前記改質領域を形成する工程と、
前記封止部を形成する工程の後に、前記第1基板の前記第2基板と反対の面にレーザ光を照射することで、前記溝または前記改質領域を形成する工程と、
を含む請求項1に記載の弾性波デバイスの製造方法。 - 前記溝および/または前記改質領域を形成する工程は、前記支持基板に前記溝を形成する工程を含む請求項1から4のいずれか一項に記載の弾性波デバイスの製造方法。
- 前記溝および/または前記改質領域を形成する工程は、前記支持基板に前記改質領域を形成する工程を含む請求項1から4のいずれか一項に記載の弾性波デバイスの製造方法。
- 前記封止部を切断する工程は、ダイシングブレードを用い前記封止部を切断する工程を含む請求項1から6のいずれか一項に記載の弾性波デバイスの製造方法。
- 前記支持基板は、サファイア基板、スピネル基板または石英基板であり、前記封止部は半田または樹脂である請求項1から7のいずれか一項に記載の弾性波デバイスの製造方法。
- 側面における厚さ方向の端部の少なくとも一方にレーザ痕を有する支持基板と、前記支持基板上に直接または間接的に接合された圧電基板と、を備える第1基板と、
前記第1基板上に前記圧電基板と空隙を挟み対向するように搭載された第2基板と、
前記第2基板を囲むように設けられ、前記第1基板と接合し、側面が前記支持基板の側面と略一致し、前記圧電基板および前記第2基板の少なくとも一方の前記空隙に面した表面に設けられた弾性波素子を封止する封止部と、
を備える弾性波デバイス。 - 前記支持基板は、サファイア基板、スピネル基板または石英基板であり、前記封止部は半田または樹脂である請求項9に記載の弾性波デバイス。
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