JP2017152870A - 弾性波デバイス - Google Patents
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Landscapes
- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
Abstract
Description
12 内部配線
14、16 パッド
18 金属パターン
20 弾性波チップ
22 支持基板
24、24a、24b 圧電基板
26 IDT
27 パッド
28 非接合領域
29 接合領域
30 バンプ
32 空隙
40 半田
42 金属膜
44 保護膜
50 レジスト膜
52 ブレード
54 金属リッド
60 凹部
100〜800 弾性波デバイス
Claims (9)
- パッケージ基板と、
支持基板と、前記支持基板の主面の一部に一方の面が接合され、他方の面上にIDTが設けられた圧電基板と、を備え、前記IDTが露出する空隙を有して前記パッケージ基板にフリップチップ実装された弾性波チップと、
前記パッケージ基板上であって前記支持基板の前記主面のうちの前記圧電基板が接合されていない非接合領域と前記圧電基板の側面とに設けられ、前記IDTを封止する半田と、を備える、弾性波デバイス。 - 前記圧電基板の前記側面に設けられた金属膜を備え、
前記半田は、前記金属膜を介して、前記圧電基板の前記側面に接合している、請求項1記載の弾性波デバイス。 - 前記支持基板の前記主面のうちの前記非接合領域と前記圧電基板の前記側面とに設けられた金属膜を備え、
前記半田は、前記金属膜を介して、前記支持基板の前記主面のうちの前記非接合領域と前記圧電基板の前記側面とに接合している、請求項1記載の弾性波デバイス。 - 前記半田の前記空隙側の側面は、前記圧電基板の前記側面に対して略平行である、請求項1から3のいずれか一項記載の弾性波デバイス。
- 前記支持基板の前記主面のうちの前記非接合領域は、前記支持基板の前記主面のうちの前記圧電基板が接合された接合領域よりも凹んでいて、
前記半田は、前記凹みに埋め込まれて、前記支持基板の前記主面のうちの前記非接合領域と前記圧電基板の側面とに設けられている、請求項1から4のいずれか一項記載の弾性波デバイス。 - 前記弾性波チップは、前記圧電基板の前記他方の面上に設けられ且つ前記空隙に露出したバンプによって前記パッケージ基板にフリップチップ実装されていて、
前記圧電基板の前記他方の面の面方向において、同じ方向における前記パッケージ基板と前記圧電基板との線膨張係数の差よりも、前記同じ方向における前記パッケージ基板と前記支持基板との線膨張係数の差が小さい、請求項1から5のいずれか一項記載の弾性波デバイス。 - 前記パッケージ基板は、酸化アルミニウム基板であり、
前記支持基板は、サファイア基板、スピネル基板、又はシリコン基板であり、
前記圧電基板は、タンタル酸リチウム基板又はニオブ酸リチウム基板である、請求項1から6のいずれか一項記載の弾性波デバイス。 - 前記パッケージ基板は、樹脂からなる第1基板と、前記第1基板よりも線膨張係数が前記支持基板に近い第2基板と、の積層基板であり、
前記弾性波チップは、前記圧電基板の前記他方の面上に設けられ且つ前記空隙に露出したバンプによって前記第2基板にフリップチップ実装されている、請求項1から7のいずれか一項記載の弾性波デバイス。 - 前記第2基板と前記支持基板とは同じ材料からなる、請求項8記載の弾性波デバイス。
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