JP2017152870A - 弾性波デバイス - Google Patents

Abstract

【課題】放熱性を改善すること。【解決手段】パッケージ基板１０と、支持基板２２と、前記支持基板の主面の一部に一方の面が接合され、他方の面上にＩＤＴ２６が形成された圧電基板２４と、を備え、前記ＩＤＴが露出する空隙３２を有して前記パッケージ基板にフリップチップ実装された弾性波チップ２０と、前記パッケージ基板上であって前記支持基板の前記主面のうちの前記圧電基板が接合されていない非接合領域２８と前記圧電基板の側面とに設けられ、前記ＩＤＴを封止する半田４０と、を備える、弾性波デバイス。【選択図】図１

Description

本発明は、弾性波デバイスに関する。

周波数温度特性の改善のために、圧電基板にサファイアなどの支持基板を接合させることが知られている（例えば、特許文献１）。また、弾性波デバイスの小型化、低背化の要求に対して、弾性波チップをパッケージ基板にフリップチップ実装し、弾性波チップを半田によって封止することが知られている（例えば、特許文献２〜４）。また、素子が形成された基板と、素子上に空隙を有するように設けられた基板とを、素子を囲む枠体で接合したデバイスも知られている（例えば、特許文献５〜８）。

特開２００４−３４３３５９号公報 特開２０１０−７４４１８号公報 特開２０１０−１７７５５９号公報 特開２００４−１２９１９３号公報 特開２００４−３０４６２２号公報 特開２００６−２４６１１２号公報 特表２００８−５４６２０７号公報 特開２００５−１０９２２１号公報

しかしながら、パッケージ基板にフリップチップ実装した弾性波チップを半田で封止した従来の弾性波デバイスでは、放熱性の点において改善の余地が残されていた。

本発明は、上記課題に鑑みなされたものであり、放熱性を改善することを目的とする。

本発明は、パッケージ基板と、支持基板と、前記支持基板の主面の一部に一方の面が接合され、他方の面上にＩＤＴが設けられた圧電基板と、を備え、前記ＩＤＴが露出する空隙を有して前記パッケージ基板にフリップチップ実装された弾性波チップと、前記パッケージ基板上であって前記支持基板の前記主面のうちの前記圧電基板が接合されていない非接合領域と前記圧電基板の側面とに設けられ、前記ＩＤＴを封止する半田と、を備える、弾性波デバイスである。

上記構成において、前記圧電基板の前記側面に設けられた金属膜を備え、前記半田は、前記金属膜を介して、前記圧電基板の前記側面に接合している構成とすることができる。

上記構成において、前記支持基板の前記主面のうちの前記非接合領域と前記圧電基板の前記側面とに設けられた金属膜を備え、前記半田は、前記金属膜を介して、前記支持基板の前記主面のうちの前記非接合領域と前記圧電基板の前記側面とに接合している構成とすることができる。

上記構成において、前記半田の前記空隙側の側面は、前記圧電基板の前記側面に対して略平行である構成とすることができる。

上記構成において、前記支持基板の前記主面のうちの前記非接合領域は、前記支持基板の前記主面のうちの前記圧電基板が接合された接合領域よりも凹んでいて、前記半田は、前記凹みに埋め込まれて、前記支持基板の前記主面のうちの前記非接合領域と前記圧電基板の側面とに設けられている構成とすることができる。

上記構成において、前記弾性波チップは、前記圧電基板の前記他方の面上に設けられ且つ前記空隙に露出したバンプによって前記パッケージ基板にフリップチップ実装されていて、前記圧電基板の前記他方の面の面方向において、同じ方向における前記パッケージ基板と前記圧電基板との線膨張係数の差よりも、前記同じ方向における前記パッケージ基板と前記支持基板との線膨張係数の差が小さい構成とすることができる。

上記構成において、前記パッケージ基板は、酸化アルミニウム基板であり、前記支持基板は、サファイア基板、スピネル基板、又はシリコン基板であり、前記圧電基板は、タンタル酸リチウム基板又はニオブ酸リチウム基板である構成とすることができる。

上記構成において、前記パッケージ基板は、樹脂からなる第１基板と、前記第１基板よりも線膨張係数が前記支持基板に近い第２基板と、の積層基板であり、前記弾性波チップは、前記圧電基板の前記他方の面上に設けられ且つ前記空隙に露出したバンプによって前記第２基板にフリップチップ実装されている構成とすることができる。

上記構成において、前記第２基板と前記支持基板とは同じ材料からなる構成とすることができる。

本発明によれば、放熱性を改善することができる。

図１（ａ）は、実施例１に係る弾性波デバイスの断面図、図１（ｂ）は、図１（ａ）のＡ−Ａ間の断面図である。 図２（ａ）から図２（ｄ）は、実施例１に係る弾性波デバイスの製造方法を示す断面図（その１）である。 図３（ａ）から図３（ｃ）は、実施例１に係る弾性波デバイスの製造方法を示す断面図（その２）である。 図４は、比較例１に係る弾性波デバイスの断面図である。 図５は、実施例２に係る弾性波デバイスの断面図である。 図６（ａ）から図６（ｄ）は、実施例２に係る弾性波デバイスの製造方法を示す断面図である。 図７は、実施例３に係る弾性波デバイスの断面図である。 図８（ａ）及び図８（ｂ）は、実施例３に係る弾性波デバイスの製造方法を示す断面図である。 図９は、実施例４に係る弾性波デバイスの断面図である。 図１０は、実施例５に係る弾性波デバイスの断面図である。 図１１は、実施例６に係る弾性波デバイスの断面図である。 図１２は、実施例７に係る弾性波デバイスの断面図である。 図１３は、実施例８に係る弾性波デバイスの断面図である。

以下、図面を参照して、本発明の実施例について説明する。

図１（ａ）は、実施例１に係る弾性波デバイス１００の断面図、図１（ｂ）は、図１（ａ）のＡ−Ａ間の断面図である。実施例１の弾性波デバイス１００は、図１（ａ）のように、酸化アルミニウムなどのセラミック基板からなるパッケージ基板１０の平坦上面に、弾性波チップ２０がバンプ３０によってフリップチップ実装されている。弾性波チップ２０は、例えば弾性表面波チップであり、支持基板２２と、圧電基板２４と、ＩＤＴ（Interdigital Transducer）２６と、を含む。圧電基板２４の一方の主面は、支持基板２２の平坦主面の一部に接合されている。支持基板２２と圧電基板２４とは、例えばその境界において支持基板２２を構成する原子と圧電基板２４を構成する原子とがアモルファス層を形成することにより強固に接合されている。圧電基板２４の他方の主面上にはＩＤＴ２６とバンプ３０が接合するパッド２７とが設けられている。すなわち、ＩＤＴ２６及びパッド２７は、圧電基板２４のパッケージ基板１０に対向する主面に設けられている。支持基板２２は、例えばサファイア基板、スピネル基板、又はシリコン基板などである。圧電基板２４は、例えばタンタル酸リチウム基板又はニオブ酸リチウム基板などであり、例えば回転ＹカットＸ伝搬タンタル酸リチウム基板又は回転ＹカットＸ伝搬ニオブ酸リチウム基板などである。ＩＤＴ２６は、例えばアルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）、又は銅が添加されたアルミニウムなどの金属で形成されている。バンプ３０は、例えば半田バンプである。

パッケージ基板１０の上面と弾性波チップ２０との間に、空隙３２が形成されている。ＩＤＴ２６は、振動が抑制されないように、空隙３２に露出している。バンプ３０も空隙３２に露出している。

パッケージ基板１０は、内部に内部配線１２が形成された多層配線基板である。内部配線１２によって、パッケージ基板１０の上面に形成されたパッド１４と下面に形成されたパッド１６とが電気的に接続されている。内部配線１２は、パッケージ基板１０が低温焼成セラミックス（Ｌｏｗ Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ Ｃｏ−ｆｉｒｅｄ Ｃｅｒａｍｉｃｓ）の場合、銀（Ａｇ）や銅（Ｃｕ）を選択することができ、高温焼成セラミックス（Ｈｉｇｈ Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ Ｃｏ−ｆｉｒｅｄ Ｃｅｒａｍｉｃｓ、）の場合、タングステン（Ｗ）を選択することができる。パッド１４、１６は、例えばニッケル（Ｎｉ）や金（Ａｕ）などの金属からなる。

図１（ａ）及び図１（ｂ）のように、パッケージ基板１０の上面に、圧電基板２４を囲んで金属パターン１８が設けられている。圧電基板２４を囲む半田４０が、金属パターン１８の上面に接合して設けられている。パッケージ基板１０の上面における半田４０の形状は、金属パターン１８で規定されている。半田４０は、圧電基板２４の側面と支持基板２２の主面のうちの圧電基板２４が接合されていない非接合領域２８とに設けられた金属膜４２を介して、圧電基板２４の側面と支持基板２２の主面のうちの非接合領域２８とに接合している。弾性波チップ２０のＩＤＴ２６は、半田４０によって気密封止されている。半田４０の空隙３２側の面はパッケージ基板１０の上面に対して斜めに傾斜している。一方、半田４０の空隙３２とは反対側の面はパッケージ基板１０の上面に対して略垂直で、支持基板２２の側面及びパッケージ基板１０の側面と同一面を形成している。金属パターン１８及び金属膜４２は、例えば金（Ａｕ）からなる。半田４０の側面には、例えばニッケル（Ｎｉ）めっき膜などの金属膜からなる保護膜４４が設けられている。保護膜４４は、半田４０の流出を抑制するために設けられている。

次に、実施例１に係る弾性波デバイス１００の製造方法について説明する。図２（ａ）から図３（ｃ）は、実施例１に係る弾性波デバイス１００の製造方法を示す断面図である。図２（ａ）から図３（ｃ）では、多面取りプロセスによる製造方法を示している。図２（ａ）のように、支持基板２２の平坦主面に圧電基板２４の平坦主面を例えば直接接合によって接合させる。直接接合は、例えば１００℃以下の常温での表面活性化接合で行ってもよい。なお、支持基板２２と圧電基板２４とを接着剤を用いて接合してもよい。

図２（ｂ）のように、例えばブレードを用いたダイシングによって、圧電基板２４を切断する。これにより、支持基板２２の主面に圧電基板２４が接合されていない非接合領域２８が形成される。その後、圧電基板２４上にＩＤＴ２６及びパッド２７を形成する。ＩＤＴ２６及びパッド２７は、一般的な方法によって形成することができる。その後、圧電基板２４上に、ＩＤＴ２６及びパッド２７を覆うように、レジスト膜５０を形成する。なお、図２（ｂ）のように支持基板２２上の圧電基板２４を部分的に除去する工程は、先述のダイシングに限らず、例えば、サンドブラスト、ウェットエッチングやドライエッチングなどの手法を用いてもよい。

図２（ｃ）のように、例えば蒸着法又はスパッタ法を用いて金属膜を堆積した後、レジスト膜５０をリフトオフすることで、圧電基板２４の側面から支持基板２２の主面のうちの非接合領域２８を覆う金属膜４２を形成する。

図２（ｄ）のように、例えばブレード５２を用いたダイシングによって支持基板２２を切断して、複数の弾性波チップ２０に個片化する。

図３（ａ）のように、パッド１４、１６や内部配線１２、金属パターン１８が形成されたパッケージ基板１０の平坦上面に、複数の弾性波チップ２０をバンプ３０によってフリップチップ実装する。これにより、パッケージ基板１０の上面と弾性波チップ２０との間には、空隙３２が形成される。また、弾性波チップ２０の周りを金属パターン１８が囲むようになる。その後、複数の弾性波チップ２０上に、半田４０を配置する。

図３（ｂ）のように、半田４０を加熱して溶融した状態とし、この状態で押圧板などを用いて半田４０を弾性波チップ２０側に押圧する。これにより、複数の弾性波チップ２０の間隙に半田４０が充填される。半田４０は、パッケージ基板１０上に形成された金属パターン１８上を濡れ広がった後に固化し、弾性波チップ２０の周囲を囲んで、金属パターン１８と金属膜４２とに接合する。これにより、ＩＤＴ２６は、半田４０によって、空隙３２を保ったまま封止される。

図３（ｃ）のように、複数の弾性波チップ２０の間で、ブレード５２を用いたダイシングによって、半田４０及びパッケージ基板１０を切断する。これにより、複数の弾性波デバイス１００に個片化される。その後、複数の弾性波デバイス１００に対してバレルめっきを施して、半田４０の側面に保護膜４４を形成することで、実施例１の弾性波デバイス１００が形成される。

ここで、実施例１の効果を説明するにあたり、比較例の弾性波デバイスについて説明する。図４は、比較例１に係る弾性波デバイス１０００の断面図である。比較例１の弾性波デバイス１０００は、図４のように、ＩＤＴ２６を封止する半田４０は、支持基板２２の側面と上面に設けられている。また、支持基板２２上には半田４０に接合した金属リッド５４が設けられている。その他の構成は、実施例１と同じであるため説明を省略する。

比較例１では、半田４０は支持基板２２の側面及び上面に設けられているだけで、圧電基板２４の側面には設けられていない。このため、ＩＤＴ２６で発生した熱は半田４０に伝わり難く、放熱性の点で改善の余地がある。一方、実施例１では、半田４０は圧電基板２４の側面に設けられている。このため、ＩＤＴ２６で発生した熱は半田４０に伝わり易く、放熱性が向上される。

以上のように、実施例１によれば、支持基板２２の主面の一部に圧電基板２４が接合され、ＩＤＴ２６を封止する半田４０は支持基板２２の主面のうちの非接合領域２８と圧電基板２４の側面とに設けられている。これにより、ＩＤＴ２６で発生した熱が半田４０に伝わり易くなるため、放熱性を改善することができる。

また、実施例１によれば、半田４０は、圧電基板２４の側面と支持基板２２の主面のうちの非接合領域２８とに設けられた金属膜４２を介して、圧電基板２４の側面と支持基板２２の主面のうちの非接合領域２８とに接合している。これにより、半田４０の接合面積が大きくなり、ＩＤＴ２６を封止する気密性が向上する。また、半田４０は縦方向及び横方向の両方向で金属膜４２に接合していることから、様々な方向からの応力に対して強くなって剥がれ難くなる。

また、実施例１によれば、パッケージ基板１０は酸化アルミニウム基板であり、支持基板２２はサファイア基板、スピネル基板、又はシリコン基板であり、圧電基板２４は回転ＹカットＸ伝搬タンタル酸リチウム基板又は回転ＹカットＸ伝搬ニオブ酸リチウム基板である。酸化アルミニウム基板の線膨張係数は７．１ｐｐｍ／℃であり、サファイア基板の線膨張係数は７．７ｐｐｍ／℃、スピネル基板の線膨張係数は５．０ｐｐｍ／℃、シリコン基板の線膨張係数は３．４ｐｐｍ／℃である。タンタル酸リチウム基板及びニオブ酸リチウム基板は結晶方位によって線膨張係数が異なり、タンタル酸リチウム基板の結晶方位のＸ軸方向は１６．１ｐｐｍ／℃であり、ニオブ酸リチウム基板の結晶方位のＸ軸方向は１５．４ｐｐｍ／℃である。

したがって、圧電基板２４の結晶方位のＸ軸方向において、パッケージ基板１０と圧電基板２４との線膨張係数の差よりも、パッケージ基板１０と支持基板２２との線膨張係数の差が小さい。つまり、圧電基板２４のＩＤＴ２６が形成された面の面方向において、同じ方向におけるパッケージ基板１０と圧電基板２４との線膨張係数の差よりも、同じ方向におけるパッケージ基板１０と支持基板２２との線膨張係数の差が小さい。これにより、圧電基板２４の線膨張を支持基板２２で抑え込むことができると共に支持基板２２とパッケージ基板１０との線膨張係数の差は小さいことから、バンプ３０の接合信頼性を向上させることができる。

また、比較例１では、支持基板２２の側面及び上面に半田４０及び金属リッド５４が設けられているため、大きな寄生容量が発生して、特性の劣化が起こり得る。一方、実施例１では、半田４０は圧電基板２４の側面と支持基板２２の主面のうちの非接合領域２８とにのみ設けられ、支持基板２２の側面及び上面には設けられていないため、寄生容量を抑制でき、その結果、特性の劣化を抑制できる。

なお、実施例１において、金属膜４２は、圧電基板２４の側面全面及び支持基板２２の主面のうちの非接合領域２８全面に設けられている場合が好ましいが、圧電基板２４の側面の一部及び／又は支持基板２２の主面のうちの非接合領域２８の一部に設けられていない場合でもよい。

なお、実施例１において、圧電基板２４の主面にＩＤＴ２６によって１つの共振器が形成されている場合でもよいし、複数の共振器が形成されてフィルタを構成している場合でもよい。

図５は、実施例２に係る弾性波デバイス２００の断面図である。実施例２の弾性波デバイス２００では、図５のように、支持基板２２の主面のうちの非接合領域２８が、支持基板２２の主面のうちの圧電基板２４が接合された接合領域２９よりも凹んでいる。金属膜４２は、圧電基板２４の側面と支持基板２２の非接合領域２８に形成された凹みの表面とに設けられている。半田４０は、支持基板２２の非接合領域２８に形成された凹みに埋め込まれて設けられている。その他の構成は、実施例１と同じであるため説明を省略する。

図６（ａ）から図６（ｄ）は、実施例２に係る弾性波デバイス２００の製造方法を示す断面図である。図６（ａ）のように、支持基板２２の主面に圧電基板２４を接合させる。支持基板２２への圧電基板２４の接合は、実施例１と同じように、直接接合で行うが、接着剤などを用いて行ってもよい。

図６（ｂ）のように、ブレードを用いたダイシングによって、圧電基板２４を切断すると共に、支持基板２２に凹部６０を形成する。これにより、支持基板２２の主面に、圧電基板２４が接合されてなく且つ凹部６０からなる非接合領域２８が形成される。その後、圧電基板２４上にＩＤＴ２６及びパッド２７を形成する。なお、図６（ｂ）のように支持基板２２上の圧電基板２４を部分的に除去し且つ支持基板２２に凹部６０をする工程は、先述のダイシングに限らず、例えば、サンドブラスト、ウェットエッチングやドライエッチングなどの手法を用いてもよい。

図６（ｃ）のように、圧電基板２４上に、ＩＤＴ２６及びパッド２７を覆うようにレジスト膜５０を形成する。図６（ｄ）のように、例えば蒸着法又はスパッタ法を用いて金属膜を堆積した後、レジスト膜５０をリフトオフすることで、圧電基板２４の側面から支持基板２２の非接合領域２８に形成された凹部６０の表面を覆う金属膜４２を形成する。その後、実施例１の図２（ｄ）〜図３（ｃ）と同じ処理を行うことで、実施例２の弾性波デバイス２００が形成される。

実施例２によれば、支持基板２２の主面のうちの非接合領域２８は、支持基板２２の主面のうちの接合領域２９よりも凹んでいる。半田４０は、当該凹みに埋め込まれて、支持基板２２の主面のうちの非接合領域２８と圧電基板２４の側面とに設けられている。これにより、非接合領域２８が凹んでいない場合に比べて、半田４０の体積を増大させることができる。よって、放熱性を更に向上させることができる。

図７は、実施例３に係る弾性波デバイス３００の断面図である。実施例３の弾性波デバイス３００は、図７のように、半田４０は、支持基板２２の主面のうちの非接合領域２８と圧電基板２４の側面とに加えて、支持基板２２の側面にも設けられている。その他の構成は、実施例１と同じであるため説明を省略する。

図８（ａ）及び図８（ｂ）は、実施例３に係る弾性波デバイス３００の製造方法を示す断面図である。まず、実施例１の図２（ａ）から図３（ｂ）と同じ処理を行い、図８（ａ）の状態とする。その後、図８（ｂ）のように、複数の弾性波チップ２０の間で、ブレード５２を用いたダイシングによって、半田４０及びパッケージ基板１０を切断する。この際、複数の弾性波チップ２０の間隔よりも狭い幅のブレード５２を用いることで、支持基板２２の側面にも半田４０が残存する。その後、複数の弾性波デバイス３００に対してバレルめっきを施して保護膜４４を形成することで、実施例３の弾性波デバイス３００が形成される。

実施例３によれば、半田４０は、支持基板２２の主面のうちの非接合領域２８と圧電基板２４の側面とに加えて、支持基板２２の側面にも設けられている。これにより、半田４０の体積を増大させることができて放熱性を更に向上させることができる。

図９は、実施例４に係る弾性波デバイス４００の断面図である。実施例４の弾性波デバイス４００は、図９のように、半田４０の空隙３２側の面が、圧電基板２４の側面からパッケージ基板１０に向かってほぼ真っ直ぐに延びている。すなわち、半田４０の空隙３２側の面が圧電基板２４の側面に略平行になっている。その他の構成は、実施例１と同じであるため説明を省略する。

実施例４によれば、半田４０の空隙３２側の面が圧電基板２４の側面に対して略平行になっている。これにより、支持基板２２の主面のうちの非接合領域２８の幅Ｗが実施例１と同じである場合には、半田４０の体積が大きくなるため、放熱性を更に向上させることができる。また、半田４０の体積を実施例１と同じにする場合には、支持基板２２の主面のうちの非接合領域２８の幅Ｗを狭くできるため、実施例１よりも小型化することができる。

図１０は、実施例５に係る弾性波デバイス５００の断面図である。実施例５の弾性波デバイス５００は、図１０のように、金属膜４２が圧電基板２４の側面にのみ設けられていて支持基板２２の主面のうちの非接合領域２８には設けられていない。その他の構成は、実施例１と同じであるため説明を省略する。

図１１は、実施例６に係る弾性波デバイス６００の断面図である。実施例６の弾性波デバイス６００は、図１１のように、金属膜４２が支持基板２２の主面のうちの非接合領域２８にのみ設けられていて圧電基板２４の側面には設けられていない。その他の構成は、実施例１と同じであるため説明を省略する。

金属膜４２は、実施例５の図１０のように、圧電基板２４の側面にのみ設けられていてもよいし、実施例６の図１１のように、支持基板２２の主面のうちの非接合領域２８にのみ設けられていてもよい。半田４０は金属膜４２を介して圧電基板２４の側面及び／又は支持基板２２の主面のうちの非接合領域２８に接合することから、ＩＤＴ２６で発生した熱が半田４０に効率良く伝わることを踏まえると、金属膜４２は圧電基板２４の側面に少なくとも設けられていることが好ましい。

図１２は、実施例７に係る弾性波デバイス７００の断面図である。実施例７の弾性波デバイス７００は、図１２のように、パッケージ基板１０は、樹脂からなる第１基板１０ａと、支持基板２２と同じ材料からなる第２基板１０ｂと、を含む。弾性波チップ２０は、バンプ３０によって第２基板１０ｂにフリップチップ実装されている。その他の構成は、実施例１と同じであるため説明を省略する。

実施例７によれば、弾性波チップ２０は、バンプ３０によって第２基板１０ｂにフリップチップ実装されている。第２基板１０ｂは支持基板２２と同じ材料からなることから、第２基板１０ｂと支持基板２２との線膨張係数が同じであるため、バンプ３０の接合信頼性を向上させることができる。

なお、実施例７では、第２基板１０ｂと支持基板２２とが同じ材料からなる場合に例に示したがこれに限られない。第２基板１０ｂとして、第２基板１０ｂの線膨張係数が第１基板１０ａよりも支持基板２２の線膨張係数に近い材料を用いてもよい。

図１３は、実施例８に係る弾性波デバイス８００の断面図である。実施例８の弾性波デバイス８００は、図１３のように、支持基板２２の主面に２つの圧電基板２４ａ、２４ｂが隣り合って接合されている。圧電基板２４ａ、２４ｂそれぞれには、ＩＤＴ２６とバンプ３０が接合するパッド２７とが設けられている。半田４０は、２つの圧電基板２４ａ、２４ｂをまとめて囲んでパッケージ基板１０上に設けられている。圧電基板２４ａには、例えばＩＤＴ２６によって送信フィルタが形成されている。圧電基板２４ｂには、例えばＩＤＴ２６によって受信フィルタが形成されている。送信フィルタは、送信端子から入力された信号のうち送信帯域の信号を送信信号としてアンテナ端子に通過させ、他の周波数の信号を抑圧する。受信フィルタは、アンテナ端子から入力された信号のうち受信帯域の信号を受信信号として受信端子に通過させ、他の周波数の信号を抑圧する。このように、実施例８の弾性波デバイス８００は、デュプレクサである。その他の構成は、実施例１と同じであるため説明を省略する。

実施例８のように、支持基板２２の主面に、ＩＤＴ２６が形成された複数の圧電基板２４ａ、２４ｂが接合されていて、半田４０は複数の圧電基板２４ａ、２４ｂをまとめて囲んでいる場合でもよい。

以上、本発明の実施例について詳述したが、本発明はかかる特定の実施例に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された本発明の要旨の範囲内において、種々の変形・変更が可能である。

１０ パッケージ基板
１２ 内部配線
１４、１６ パッド
１８ 金属パターン
２０ 弾性波チップ
２２ 支持基板
２４、２４ａ、２４ｂ 圧電基板
２６ ＩＤＴ
２７ パッド
２８ 非接合領域
２９ 接合領域
３０ バンプ
３２ 空隙
４０ 半田
４２ 金属膜
４４ 保護膜
５０ レジスト膜
５２ ブレード
５４ 金属リッド
６０ 凹部
１００〜８００ 弾性波デバイス

Claims (9)

1. パッケージ基板と、
   支持基板と、前記支持基板の主面の一部に一方の面が接合され、他方の面上にＩＤＴが設けられた圧電基板と、を備え、前記ＩＤＴが露出する空隙を有して前記パッケージ基板にフリップチップ実装された弾性波チップと、
   前記パッケージ基板上であって前記支持基板の前記主面のうちの前記圧電基板が接合されていない非接合領域と前記圧電基板の側面とに設けられ、前記ＩＤＴを封止する半田と、を備える、弾性波デバイス。
2. 前記圧電基板の前記側面に設けられた金属膜を備え、
   前記半田は、前記金属膜を介して、前記圧電基板の前記側面に接合している、請求項１記載の弾性波デバイス。
3. 前記支持基板の前記主面のうちの前記非接合領域と前記圧電基板の前記側面とに設けられた金属膜を備え、
   前記半田は、前記金属膜を介して、前記支持基板の前記主面のうちの前記非接合領域と前記圧電基板の前記側面とに接合している、請求項１記載の弾性波デバイス。
4. 前記半田の前記空隙側の側面は、前記圧電基板の前記側面に対して略平行である、請求項１から３のいずれか一項記載の弾性波デバイス。
5. 前記支持基板の前記主面のうちの前記非接合領域は、前記支持基板の前記主面のうちの前記圧電基板が接合された接合領域よりも凹んでいて、
   前記半田は、前記凹みに埋め込まれて、前記支持基板の前記主面のうちの前記非接合領域と前記圧電基板の側面とに設けられている、請求項１から４のいずれか一項記載の弾性波デバイス。
6. 前記弾性波チップは、前記圧電基板の前記他方の面上に設けられ且つ前記空隙に露出したバンプによって前記パッケージ基板にフリップチップ実装されていて、
   前記圧電基板の前記他方の面の面方向において、同じ方向における前記パッケージ基板と前記圧電基板との線膨張係数の差よりも、前記同じ方向における前記パッケージ基板と前記支持基板との線膨張係数の差が小さい、請求項１から５のいずれか一項記載の弾性波デバイス。
7. 前記パッケージ基板は、酸化アルミニウム基板であり、
   前記支持基板は、サファイア基板、スピネル基板、又はシリコン基板であり、
   前記圧電基板は、タンタル酸リチウム基板又はニオブ酸リチウム基板である、請求項１から６のいずれか一項記載の弾性波デバイス。
8. 前記パッケージ基板は、樹脂からなる第１基板と、前記第１基板よりも線膨張係数が前記支持基板に近い第２基板と、の積層基板であり、
   前記弾性波チップは、前記圧電基板の前記他方の面上に設けられ且つ前記空隙に露出したバンプによって前記第２基板にフリップチップ実装されている、請求項１から７のいずれか一項記載の弾性波デバイス。
9. 前記第２基板と前記支持基板とは同じ材料からなる、請求項８記載の弾性波デバイス。

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