JP2009159001A - 弾性表面波デバイス - Google Patents

Abstract

【課題】弾性表面波素子片をフェースダウン接合により接合し、駆動可能な状態で周波数調整することが可能な弾性表面波デバイスを提供する。
【解決手段】パッケージ３０の凹部の凹底部分に接続された支持部４０上には、支持部の接続端子４５ｂおよびそれと対をなす接続端子に、中継基板２０の一端側に設けられた第２の電極端子２５ａ，２５ｂが接合部材４８を介して接合され、中継基板２０が、第１の電極端子２２ａ，２２ｂが設けられた他端側を突出させた状態で支持部４０上に片持ち支持されている。中継基板２０の他端側に設けられた第１の電極端子２２ａ，２２ｂには、ＳＡＷ共振子１０の外部接続電極１９ａ，１９ｂが接合部材４７を介してフェースダウン接合により接合され、ＳＡＷ共振子１０は、ＩＤＴ電極１２などが形成された主面１４を、パッケージ３０の凹底面と対向しない方向で上側に向け、パッケージ３０に接触しない態様で片持ち支持されている。
【選択図】図１

Description

本発明は、弾性表面波デバイスに関するものである。

従来より、携帯電話やテレビ受像機などの電子部品や通信部品において、共振子や帯域フィルタ等として、圧電基板の表面に形成したＩＤＴ（Interdigital Transducer）電極により圧電体表面に弾性表面波を励振させたり、弾性表面波を検出したりするように構成された弾性表面波素子片（以下「ＳＡＷ（Surface Acoustic Wave）素子片」という）を使用した弾性表面波デバイス（以下「ＳＡＷデバイス」という）が使用されている。ＳＡＷ素子片は、水晶やニオブ酸リチウムあるいはタンタル酸リチウムなどの圧電材料からなる圧電基板上に、ＩＤＴ電極と外部接続電極とが少なくとも設けられた素子片として形成され、外部接続電極を介してＩＤＴ電極に高周波を印加することにより、該素子片の表面に沿って表面波が伝播するものである。
近年、急速に普及してきている携帯電話などの電子機器においては、高機能化や小型化へのニーズがますます高まっており、これに伴って、電子機器に用いられるＳＡＷデバイスの小型化や周波数特性などの機能の充実、および低コスト化の要求が高まっている。このような小型化や高機能化、および低コスト化が可能なＳＡＷデバイスとして、基板にフェースダウン接合を用いてＳＡＷ素子片を接合したＳＡＷデバイスが、例えば特許文献１に示されている。

特許文献１のＳＡＷデバイス（弾性表面波素子デバイス）は、圧電基板の同一面にＩＤＴ電極および複数の外部接続電極（電極パッド）が形成されたＳＡＷ素子片（弾性表面波チップ）と、基板とを有し、ＳＡＷ素子片の外部接続電極と基板の電極端子（電極パッド）とを接合部材（バンプ）を介してフェースダウン接合することにより接続されている。そして、ＳＡＷ素子片のＩＤＴ電極および外部接続電極の周辺部と、基板の電極端子の周辺部とが、連続環状の封止材により気密に結合されている。このように、フェースダウン接合により基板に接合されたＳＡＷ素子片は、内部にひずみが生じにくいので、ＳＡＷ素子片の内部に応力が残存してしまった場合に起こりうる周波数特性への悪影響を回避することができ、また、ＳＡＷ素子片と基板とを接合部材を介してフェースダウン接合する実装構造により小型化が可能であるとともに、比較的低コストで製造することができる。

特開平８−２１３８７３号公報

ところで、ＳＡＷデバイスに用いられるＳＡＷ素子片は、ウェハ状態で複数個が同時に作成されるため、個々のＳＡＷ素子片には周波数のばらつきがあり、基板に接合した駆動可能な状態で周波数調整を行なう必要がある。しかしながら、特許文献１に記載のＳＡＷデバイスではＳＡＷ素子片のＩＤＴ電極形成面を基板と対向させて接合されるので、ＩＤＴ電極形成面と基板との間には僅かな隙間しかなく、ＩＤＴ電極が外部からほとんど見えない状態となる。このため、基板にＳＡＷ素子片を接合した状態で、ＩＤＴ電極をトリミングしたり、またはＩＤＴ電極に錘を付与したりすることによる周波数調整を行なうことができないので、所望の周波数特性のＳＡＷデバイスが得られず歩留りが低下する虞があるという問題があった。

本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態または適用例として実現することが可能である。

〔適用例１〕本適用例にかかる弾性表面波デバイスは、基板と、圧電基板の一方の面上にＩＤＴ電極および該ＩＤＴ電極に接続された外部接続電極が設けられた弾性表面波素子片と、接続端子が形成された支持部と、前記外部接続電極に接続される第１の電極端子および前記支持部の前記接続端子と接続される第２の電極端子が一方の面に設けられた中継基板と、を有し、前記ＩＤＴ電極と前記中継基板とが平面視で重ならないように、前記弾性表面波素子片の前記外部接続電極と前記中継基板の前記第１の電極端子とが接合され、前記第２の電極端子と前記支持部の前記接続端子とが、前記圧電基板の他方の面が前記基板と相対する状態で接合されていることを特徴とする。

この構成によれば、弾性表面波素子片のＩＤＴ電極が形成された面を基板と対向しない方向で、弾性表面波素子片と基板とを、弾性表面波素子片に生ずるひずみが少ないフェースダウン接合により接合されている。これにより、基板に接合した状態で、ＩＤＴ電極をトリミングしたり、またはＩＤＴ電極に錘を付与したりすることにより周波数調整をすることが可能になる。したがって、周波数が精緻に調整されて製造歩留りが高く、優れた周波数特性を有する弾性表面波デバイスを提供することができる。

〔適用例２〕上記適用例にかかる弾性表面波デバイスにおいて、前記基板がパッケージであり、該パッケージ内に前記弾性表面波素子片が接合されて封止されていることを特徴とする。

この構成によれば、小型で信頼性が高く、優れた周波数特性を有するディスクリート型の弾性表面波デバイスを提供することができる。

〔適用例３〕上記適用例にかかる弾性表面波デバイスにおいて、前記基板上に半導体回路素子が接合され、該半導体回路素子と前記弾性表面波素子片とが接続されていることを特徴とする。

この構成によれば、所望の機能を有する半導体回路素子を搭載することにより、より高機能な弾性表面波デバイスを提供することができる。

〔適用例４〕上記適用例にかかる弾性表面波デバイスにおいて、前記中継基板が前記弾性表面波素子片と同一材料からなることを特徴とする。

この構成によれば、弾性表面波素子片と中継基板との熱膨張係数が等しいことにより、弾性表面波素子片と中継基板との接合部に外部の温度変化による熱歪みが生じ難くなるので、中継基板と接合された状態における弾性表面波素子片の特性劣化を抑制することができる。

〔適用例５〕上記適用例にかかる弾性表面波デバイスにおいて、前記中継基板が半導体回路素子であることを特徴とする。

この構成によれば、所望の機能を有する半導体回路素子を中継基板として用いることにより、別途に中継基板を用意することなく、小型で高機能化が図られた弾性表面波デバイスを提供することができる。

〔適用例６〕上記適用例にかかる弾性表面波デバイスにおいて、前記支持部が半導体回路素子であることを特徴とする。

この構成によれば、所望の機能を有する半導体回路素子を支持部として用いることにより、別途に中継基板を用意することなく、小型で高機能化の図られた弾性表面波デバイスを提供することができる。

〔適用例７〕上記適用例にかかる弾性表面波デバイスにおいて、前記弾性表面波素子片の下方の前記基板面上に、前記弾性表面波素子片と接触される部分が前記ＩＤＴ電極の形成領域と平面視で重ならない位置となる緩衝部材が設けられていることを特徴とする。

この構成によれば、振動や落下などの衝撃が加わった場合に、弾性表面波素子片の変位が緩衝部材によって規制され、弾性表面波素子片が基板に接触あるいは衝突することが避けられるとともに、緩衝部材が緩衝材となって衝撃が吸収される。これにより、耐衝撃性の優れた弾性表面波デバイスを提供することができる。

〔適用例８〕上記適用例にかかる弾性表面波デバイスにおいて、複数の前記中継基板が前記弾性表面波素子片の両端側に接合されていることを特徴とする。

この構成によれば、弾性表面波素子片の片側のみを中継基板を介して支持部により支持する場合に比して、弾性表面波素子片を安定させて支持することができ、耐衝撃性の高い弾性表面波デバイスを提供することができる。

以下、弾性表面波デバイスとしてのＳＡＷデバイスの一実施形態について図面を参照して説明する。
（第１の実施形態）
図１は、本実施形態のＳＡＷデバイス１を説明するものであり、（ａ）は平面図、同図（ｂ）は、（ａ）のＡ−Ａ線断面図である。なお、（ａ）において、ＳＡＷデバイス１の上部に配置されるリッド３４は、ＳＡＷデバイス１の内部の構成を説明する便宜上図示を省略し、リッド３４が接合されたときの外形を示すリッド配置位置３４'として二点鎖線にて示す。また、図２は、本実施形態のＳＡＷデバイス１に搭載される弾性表面波素子片としてのＳＡＷ共振子１０を説明するものであり、（ａ）は斜視図、（ｂ）は、（ａ）のＢ−Ｂ線断面図である。また、図３は、本実施形態のＳＡＷデバイス１に用いられる中継基板２０を説明するものであり、（ａ）は平面図、（ｂ）は、（ａ）のＣ−Ｃ線断面図である。

図１に示すように、ＳＡＷデバイス１は、基板としてのパッケージ３０と、該パッケージ容器の凹部の凹底部分に設けられた支持部４０と、中継基板２０と、ＳＡＷ共振子１０とを有している。ＳＡＷ共振子１０は、ＩＤＴ電極１２が形成された面を上側に向けて、且つ、パッケージ３０の凹部の凹底部分に接触しない状態で、支持部４０上に中継基板２０を介して片持ち支持されている。そして、パッケージ３０上にリッド３４が接合され、ＳＡＷ共振子１０がパッケージ３０内に気密に封止されている。

〔ＳＡＷ共振子〕
図２（ａ）に示すように、ＳＡＷ共振子１０は、水晶などの圧電材料からなる矩形状の圧電基板１１上に、ＩＤＴ電極１２と、反射器１３と、ＩＤＴ電極１２に接続された一対の外部接続電極１９ａ，１９ｂが備えられている。圧電基板１１は表裏に主面１４，１５を有し、一方の主面１４の同一面上にＩＤＴ電極１２、反射器１３、および外部接続電極１９ａ，１９ｂが形成されている。
ＩＤＴ電極１２は二つの櫛型の交差指電極を有し、一方の交差指電極のバスバーに連結された複数の電極指１２ａと、他方の交差指電極のバスバーに連結された複数の電極指１２ｂとが、向かい合って互いに接触しないように配置されて形成されている。ＩＤＴ電極１２は、本実施形態ではアルミニウム（Ａｌ）で形成され、二つの交差指電極の電極指１２ａと電極指１２ｂのそれぞれに逆相の電圧が印加されることで弾性表面波を励振できるように構成されている。

外部接続電極１９ａ，１９ｂは、後述する中継基板２０との接続に供する電極端子であって、中継基板２０に接合されたときに、該中継基板２０がＩＤＴ電極１２と平面視で重ならない位置となるように配置されて形成されている。外部接続電極１９ａは、ＩＤＴ電極１２の一方の電極指１２ａを連結するバスバーに電極間配線１８ａにより接続され、外部接続電極１９ｂは、ＩＤＴ電極１２の他方の電極指１２ｂを連結するバスバーに電極間配線１８ｂにより接続されている。

反射器１３は、ＩＤＴ電極１２を挟んだ両側に配置されて形成されている。そして、ＩＤＴ電極１２から伝搬された弾性表面波を反射器１３で反射させて、圧電基板１１の中央部にエネルギーを封じ込める役目を果たしている。なお、本実施形態では反射器１３もＩＤＴ電極１２と同様にアルミニウムで形成されている。

図２（ｂ）に示すように、ＩＤＴ電極１２における電極指１２ａと電極指１２ｂ間の距離は等間隔ピッチＰにて形成され、励振される弾性表面波の波長λはλ＝２Ｐの関係になる。また、ＩＤＴ電極１２は厚みＨにて形成されている。また、圧電基板１１の厚みｔは弾性表面波の４波長（４λ）以上の厚みに設定されている。

〔中継基板〕
図３に示すように、中継基板２０は、絶縁材料からなる基材２１上に、ＳＡＷ共振子１０と接続される一対の第１の電極端子２２ａ，２２ｂと、支持部４０と接続される一対の第２の電極端子２５ａ，２５ｂとが設けられている。第１の電極端子２２ａと対応する第２の電極端子２５ａとは電極間配線２４ａにより接続され、第１の電極端子２２ｂと対応する第２の電極端子２５ｂとは電極間配線２４ｂにより接続されている。
なお、本実施形態の中継基板２０の基材２１には、ＳＡＷ共振子１０と同じ水晶を用いている。このとき、水晶からなる基材２１は、ＳＡＷ共振子１０と同じカット角と厚みであることがより好ましい。この構成によれば、ＳＡＷ共振子１０と中継基板２０との熱膨張係数が等しくなることにより、外部の温度変化が生じたときにＳＡＷ共振子１０と中継基板２０との接合部に熱歪みが生じ難くなるので、中継基板２０と接合された状態におけるＳＡＷ共振子１０の特性劣化を抑制することができる。

〔ＳＡＷデバイス〕
ふたたび図１に戻り、ＳＡＷデバイス１の構成について詳細に説明する。
図１（ｂ）に示すように、パッケージ３０は、セラミックス絶縁材料などからなる略矩形の平板状の第１層基板３１、略矩形フレーム状の第２層基板３２、およびシールリング３３が、この順に積層されて形成されている。パッケージ３０の外底部分となる第１層基板３１の底面には、一対の実装端子３５ａ，３５ｂが設けられている。
また、パッケージ３０の凹部の凹底部分には、絶縁材料からなるブロック状の基材の上面に接続端子４５ｂを有する支持部４０が設けられている。図中、接続端子４５ｂの奥側には、中継基板２０の第２の電極端子２５ａ（図１（ａ）を参照）と対応し接続端子４５ｂと対をなす接続端子（図示せず）が設けられている。なお、支持部４０は、パッケージ３０の一部として形成されたものでもよく、また、パッケージ３０とは別体として用意し、それをパッケージ３０に接合および接続する構成としてもよい。
接続端子４５ｂおよびそれと対をなす接続端子は、支持部４０および第１層基板３１に形成された図示しない配線パターンまたはスルーホールなどの層内配線パターンにより、対応する実装端子３５ａ，３５ｂにそれぞれ接続されている。これらの接続端子４５ｂおよびそれと対をなす接続端子、実装端子３５ａ，３５ｂ、およびそれらを接続する配線パターンは、一般に、タングステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）等の金属配線材料をセラミックス絶縁材料上にスクリーン印刷して焼成し、その上にニッケル（Ｎｉ）、金（Ａｕ）などのめっきを施すことにより形成される。

支持部４０上の接続端子４５ｂおよびそれと対をなす接続端子には、中継基板２０の一端側に設けられた第２の電極端子２５ａ，２５ｂが接合部材４８を介して接合され、中継基板２０が、第１の電極端子２２ａ，２２ｂが設けられた他端側を突出させた状態で支持部４０上に片持ち支持されている。
中継基板２０の他端側に設けられた第１の電極端子２２ａ，２２ｂには、ＳＡＷ共振子１０の外部接続電極１９ａ，１９ｂが接合部材４７を介して接合されている。ＳＡＷ共振子１０は、圧電基板１１のＩＤＴ電極１２や反射器１３が形成された主面１４（図２を参照）を中継基板２０側に対向させて、且つ、少なくともＩＤＴ電極１２が中継基板２０と平面視で重ならない配置にて、所謂フェースダウン接合により接合されている。これにより、ＳＡＷ共振子１０は、ＩＤＴ電極１２などが形成された主面１４を、パッケージ３０の凹部の凹底部分の面と対向しない方向で上側に向けて、且つ、支持部４０の有する厚みによりパッケージ３０の凹部の凹底部分に接触しないように所定の隙間を設けた態様で、支持部４０上に、中継基板２０を介して片持ち支持されている。
なお、接合部材４７，４８には、例えば、導電性接着剤や半田などを用いることができる。また、接合部材４７，４８として、ＳＡＷ共振子１０の外部接続電極１９ａ，１９ｂまたは中継基板の第１の電極端子２２ａ，２２ｂ、第２の電極端子２５ａ，２５ｂに、金、あるいは、樹脂コアの表面に導電膜が形成された樹脂コアバンプなどのバンプを予め設けておく構成としてもよい。また、接合部材４７と接合部材４８は、ＳＡＷ共振子１０または支持部４０と中継基板２０との接合の便宜により、それぞれ異なる接合部材を用いる構成としてもよい。

パッケージ３０の上側には、例えば金属製のリッド３４が、鉄−ニッケル（Ｆｅ−Ｎｉ）合金等をフレーム状に型抜きして形成されたシールリング３３を介してシーム溶接され、パッケージ３０内部に接合されたＳＡＷ共振子１０が気密に封止されている。

〔ＳＡＷデバイスの製造方法〕
次に、上記したＳＡＷデバイス１の製造方法における、中継基板２０とＳＡＷ共振子１０との接合、および中継基板２０と支持部４０との接合方法ついて説明する。
ＳＡＷデバイス１において、ＳＡＷ共振子１０の支持部４０上への中継基板２０を介した接合では、まず、中継基板２０とＳＡＷ共振子１０とのフェースダウン接合による接合を先に行なう。
中継基板２０とＳＡＷ共振子１０とのフェースダウン接合には、ＳＡＷ共振子１０の外部接続電極１９ａ，１９ｂが形成された主面１４（図２を参照）と、中継基板２０の第１の電極端子２２ａ，２２ｂが形成された面とを平行に対面させた状態でそれぞれを保持して、且つ、ＳＡＷ共振子１０と中継基板２０との対面方向および水平方向の相対位置を移動可能な保持治具を用いて行なわれる。このとき、ＳＡＷ共振子１０、中継基板２０それぞれの保持治具の少なくとも一方には、ＳＡＷ共振子１０の外部接続電極１９ａ，１９ｂと中継基板２０の第１の電極端子２２ａ，２２ｂとの接合部材４７による接合温度に加熱することが可能なヒータを備えている。
上記の各保持治具にＳＡＷ共振子１０および中継基板２０をそれぞれ保持させ、ＳＡＷ共振子１０の外部接続電極１９ａ，１９ｂと、対応する中継基板２０の第１の電極端子２２ａ，２２ｂとを位置合わせしてから、接合部材４７を介して各々を接触させ、さらに所定の圧力および温度にて所定時間の加熱・押圧を行なうことによりフェースダウン接合する。

次に、ＳＡＷ共振子１０が接合された中継基板２０と支持部４０との接合を行なう。中継基板２０と支持部４０との接合においても、支持部４０が設けられたパッケージ３０と、ＳＡＷ共振子１０が接合された中継基板２０とを、支持部４０上に中継基板２０が水平に接合されるようにそれぞれ保持することが可能な保持治具を用いて行なう。その保持治具にパッケージ３０と中継基板２０とをそれぞれ保持し、パッケージ３０に設けられた支持部４０の接続端子４５ｂと、対応する中継基板２０の第２の電極端子２５ａ，２５ｂとを位置合わせしてから、接合部材４８を介して各々を接触させ、さらに所定の圧力および温度にて所定時間の加熱・押圧を行なうことにより接合する。

〔周波数調整方法〕
上記した接合方法により、パッケージ３０に設けられた支持部４０上に、ＳＡＷ共振子１０が接合された中継基板２０を接合した状態で、ＳＡＷ共振子１０の周波数調整を行なう。
ＳＡＷ共振子１０の周波数調整は、ＳＡＷデバイス１を駆動させた状態で、圧電基板１１または圧電基板１１に形成されたＩＤＴ電極１２にプラズマを照射させてエッチングすることにより周波数を変化させ、変化する周波数をモニタリングしながら所望の周波数特性となるように調整される。
ここで、ＳＡＷ共振子１０は、ＩＤＴ電極１２をエッチングすると周波数が上がり、圧電基板１１をエッチングすると周波数が下がることが知られている。
ＳＡＷ共振子１０の周波数調整に用いる周波数調整用の装置には、ＳＡＷ共振子１０が接合されたパッケージ３０を収容可能な真空チャンバと、プラズマ照射装置と、ＳＡＷ共振子１０に駆動電圧を供給するとともに発振出力を検出する周波数カウンタが接続されたフィクスチャとが備えられる。周波数カウンタには、予め調整目標となる周波数データを有し、周波数カウンタから送られてくる検出周波数と比較する機能を備えた外部演算装置が接続されている。

真空チャンバ内にＳＡＷ共振子１０が接合されたパッケージ３０を載置し、真空チャンバ内を所定の真空度まで排気してから、ＳＡＷ共振子１０に駆動電圧を供給すると、ＳＡＷ共振子１０からの電気出力が周波数カウンタを介して外部演算装置に送られる。外部演算装置において、送られたＳＡＷ共振子１０の周波数と調整目標となる設定周波数が比較され、ＳＡＷ共振子１０の周波数が設定周波数と異なっていた場合に、プラズマ照射装置からＩＤＴ電極１２またはその周辺の圧電基板１１にプラズマが照射され、ＳＡＷ共振子１０が所望の周波数になるまでプラズマエッチングが行なわれる。具体的には、例えばＣＦ₄等の反応性ガスやアルゴンなどの不活性ガスがイオン化され、イオン化された粒子がＳＡＷデバイス１のＩＤＴ電極１２または圧電基板１１に照射され、これによりＩＤＴ電極１２または圧電基板１１がエッチングされ周波数調整が行なわれる。
なお、ＩＤＴ電極１２に、金属などにより錘を付与することによってもＳＡＷ共振子１０を周波数調整することが可能である。この場合、ＩＤＴ電極１２に錘を付与すると周波数が下がることが知られている。

上記第１の実施形態のＳＡＷデバイス１によれば、ＳＡＷ共振子１０のＩＤＴ電極１２などが形成された主面１４をパッケージ３０の凹部の凹底部分の面と対向しない方向で、ＳＡＷ共振子１０に生ずるひずみが少ないフェースダウン接合により中継基板２０に接合し、パッケージ３０に設けられた支持部４０上に、中継基板２０を介してＳＡＷ共振子１０を片持ち支持された態様で接合することができる。これにより、ＳＡＷ共振子１０を駆動可能な状態で、ＩＤＴ電極１２をトリミングしたり、またはＩＤＴ電極１２に錘を付与したりすることにより周波数調整をすることが可能になる。したがって、周波数が精緻に調整されて製造歩留りが高く、優れた周波数特性を有するＳＡＷデバイス１を提供することができる。

（第２の実施形態）
上記第１の実施形態のＳＡＷデバイス１では、中継基板２０は、ＳＡＷ共振子１０と支持部４０との電気的な接続を中継する目的の中継配線基板であった。これに限らず、所望の電気回路を備えた中継基板を用いることもでき、例えば、半導体回路素子を中継基板として用いることによって、より高機能化が図れたＳＡＷデバイスを提供することができる。
図４は、半導体回路素子を中継基板として用いたＳＡＷデバイス６１を説明するものであり、（ａ）は平面図、（ｂ）は、（ａ）のＥ−Ｅ線断面図である。なお、本実施形態のＳＡＷデバイス６１の構成のうち、中継基板として半導体回路素子６０を用いること以外は上記第１の実施形態と同一であるため、上記第１の実施形態と同じ構成については同一符号を付して説明を省略する。

図４（ｂ）において、ＳＡＷデバイス６１のパッケージ３０の凹部に設けられた支持部４０上の接続端子４５ｂには、例えば発振回路などが形成された中継基板としての半導体回路素子６０の一端側に設けられた第２の電極端子６５ｂが接合部材４８を介して接合されている。同様に、図中、支持部４０上の接続端子４５ｂの奥側に設けられた接続端子（図示されず）には、半導体回路素子６０の一端側に設けられた第２の電極端子６５ａ（図４（ａ）を参照）が接合部材を介して接合されている。
これにより、ＳＡＷ共振子１０は、圧電基板１１のＩＤＴ電極１２や反射器１３が形成された主面１４（図２を参照）を半導体回路素子６０側に対向させて、且つ、少なくともＩＤＴ電極１２が半導体回路素子６０と平面視で重ならない配置にて、所謂フェースダウン接合により接合されている。したがって、ＳＡＷ共振子１０は、ＩＤＴ電極１２などが形成された主面１４を、パッケージ３０の凹部の凹底部分の面と対向しない方向で上側に向けて、且つ、支持部４０の有する厚みによりパッケージ３０の凹部の凹底部分に接触しないように所定の隙間を設けた態様で、支持部４０上に、半導体回路素子６０を介して片持ち支持されている。
そして、パッケージ３０の上側にはリッド３４がシールリング３３を介して接合され、パッケージ３０内部に接合されたＳＡＷ共振子１０および半導体回路素子６０が気密に封止されている。

上記第２の実施形態のＳＡＷデバイス６１によれば、所望の機能を有する半導体回路素子６０を中継基板として搭載することによって、より高機能なＳＡＷデバイス６１を提供することができる。例えば、温度補償回路を有する半導体回路素子６０を中継基板として用いた場合には、周辺の温度変化による周波数特性の変化が抑制されたＳＡＷデバイス６１を提供することができる。また、発振回路を有する半導体回路素子６０を中継基板として用いた場合にはＳＡＷデバイス６１としての１チップタイプのＳＡＷ発振器を提供することができる。

（第３の実施形態）
上記第１および第２の実施形態では、ブロック状の絶縁材料からなる支持部４０を用いたが、所望の電気回路を備えた半導体回路素子を支持部として用いる構成としてもよい。
図５は、半導体回路素子１５０を支持部として用いたＳＡＷデバイス８１を説明するものであり、（ａ）は平面図、（ｂ）は、（ａ）のＧ−Ｇ線断面図である。なお、本実施形態のＳＡＷデバイス８１の構成のうち、上記第１および第２の実施形態と同じ構成については同一符号を付して説明を省略する。

図５（ａ）において、ＳＡＷデバイス８１は、パッケージ２３０の凹部の凹底部分に接合された支持部としての半導体回路素子１５０と、該半導体回路素子１５０上に一端側が接合され他端側を水平方向に突出させて設けられた中継基板８０と、該中継基板８０の他端側に片持ち支持されるように接合されたＳＡＷ共振子１０とを有している。

パッケージ２３０は、セラミックス絶縁材料などからなる略矩形の平板状の第１層基板２３１、略矩形フレーム状の第２層基板２３２、第３層基板２３３、およびシールリング２３４が、この順に積層されて形成されている。パッケージ２３０の外底部分となる第１層基板２３１の底面には、一対の実装端子２３６ａ，２３６ｂが設けられている。また、パッケージ２３０の中央部分には、略矩形フレーム状の第２層基板２３２と第３層基板２３３のうち第２層基板２３２の方がフレーム枠が大きいことにより段差を有する凹部が形成されていて、この凹部の凹底部分にはダイパッド２３７が設けられている。また、凹部において第２層基板２３２の上面に形成される棚部には、半導体回路素子１５０と接続される複数の接続端子２３８が設けられている。
ダイパッド２３７上には、上面に複数のパッド１５５を有する半導体回路素子１５０が接着剤により接着・固定されている。複数のパッド１５５のうちの一部のパッド１５５は、対応するパッケージ２３０の接続端子２３８とボンディングワイヤ９９により接続されている。

中継基板８０は、絶縁性基材の一主面に、ＳＡＷ共振子１０との接続に供する第１の電極端子８２ａ，８２ｂと、半導体回路素子１５０との接続または接合に供する第２の電極端子８５ａ，８５ｂおよび接合端子８６ａ，８６ｂを有している。ここで、第２の電極端子８５ａ，８５ｂは、対応する第１の電極端子８２ａ，８２ｂと、それぞれ図示しない電極間配線により接続されている。一方、接合端子８６ａ，８６ｂは半導体回路素子１５０との電気的な接続には寄与せず、半導体回路素子１５０上への中継基板８０の接合において接合強度を確保するために設けられているものである。ただし、第２の電極端子８５ａ，８５ｂにより半導体回路素子１５０との接合強度が十分に確保できる場合は、接合端子８６ａ，８６ｂを設けない構成としてもよい。

半導体回路素子１５０上の複数のパッド１５５のうち、パッケージ２３０の接続端子とボンディングワイヤ９９により接続されたパッド１５５と異なる複数のパッド１５５と、対応する中継基板８０の第２の電極端子８５ａ，８５ｂおよび接合端子８６ａ，８６ｂとは、接合部材４８を介して接合されている（図５（ｂ）を参照）。これにより、中継基板８０は、第１の電極端子８２ａ，８２ｂが形成された端部側を半導体回路素子１５０から水平方向に突出させた状態で半導体回路素子１５０上に支持されている。

図５（ｂ）に示すように、中継基板８０の第１の電極端子８２ａ，８２ｂには、ＳＡＷ共振子１０の外部接続電極１９ａ，１９ｂが接合部材４７を介してフェースダウン接合により接合されている。これにより、ＳＡＷ共振子１０は、ＩＤＴ電極１２および反射器１３が形成された主面を上側に向けて、半導体回路素子１５０の厚みによりパッケージ２３０の凹部の凹底部分から所定の隙間を設けた態様で、半導体回路素子１５０上に中継基板８０を介して片持ち支持されている。

パッケージ２３０の上側にはリッド２３５がシールリング２３４を介して接合され、パッケージ２３０内部に接合された支持部としての半導体回路素子１５０と、該半導体回路素子１５０上に片持ち支持されたＳＡＷ共振子１０が気密に封止されている。

上記構成のＳＡＷデバイス８１によれば、所望の機能を有する半導体回路素子１５０を支持部として搭載することによって、支持部をあらたに設けることなく、より高機能なＳＡＷデバイス８１を提供することができる。

上記第１〜第３の実施形態で説明したＳＡＷデバイス１，６１，８１は、以下の変形例として実施することも可能である。

（変形例１）
上記第１〜第３の実施形態では、支持部４０あるいは支持部としての半導体回路素子１５０上に、ＳＡＷ共振子１０を中継基板２０，８０あるいは中継基板としての半導体回路素子６０を介して片持ち支持された構成を説明した。本変形例は、ＳＡＷ共振子１０が片持ち支持された態様のＳＡＷデバイスの耐振動性および耐衝撃性を向上せしめるものである。
図６は、耐振動性および耐衝撃性を向上させたＳＡＷデバイス５１を説明するものであり、（ａ）は平面図、（ｂ）は、（ａ）のＤ−Ｄ線断面図である。なお、本変形例のＳＡＷデバイス５１は、ＳＡＷ共振子１０の下方に緩衝部材を設けることを特徴とし、それ以外の構成は上記第１の実施形態のＳＡＷデバイスと同じであるため、上記第１の実施形態と同じ構成については同一符号を付して説明を省略する。

図６（ａ），（ｂ）において、ＳＡＷデバイス５１は、パッケージ３０の凹部の凹底部分に設けられた支持部４０上に、ＳＡＷ共振子１０がＩＤＴ電極１２および反射器１３が形成された主面を上側に向けて、且つ、パッケージ３０の凹底部分と所定の間隔を設けた状態で、中継基板２０を介して片持ち支持されている。

ＳＡＷ共振子１０の下方の第１層基板３１上には、衝撃を吸収する柔らかさを有する絶縁性樹脂からなる緩衝部材５０が、ＳＡＷ共振子１０との間に所定の隙間を設けて、且つ、ＳＡＷ共振子１０に変位が生じて緩衝部材５０と接触した場合にその接触部分が少なくともＩＤＴ電極１２形成領域と平面視で重ならない位置に設けられている。なお、ＳＡＷ共振子１０と緩衝部材５０との接触部分が反射器１３形成領域とも平面視で重ならない位置に設けることがより好ましく、本変形例ではそのような態様となっている。また、緩衝部材５０がＳＡＷ共振子１０の振動特性に影響しない場合は、静止状態において、緩衝部材５０がＳＡＷ共振子１０と接触するように設けられていてもよい。

上記した構成のＳＡＷデバイス５１によれば、ＳＡＷデバイス５１に振動や落下などの衝撃が加わった場合に、ＳＡＷ共振子１０に変位が生じてパッケージ３０に接触あるいは衝突することが避けられるとともに、緩衝部材５０が緩衝材となって衝撃が緩和され、ＳＡＷ共振子１０の破損を防止することができる。したがって、振動や落下などの衝撃に対する耐衝撃性に優れたＳＡＷデバイス５１を提供することができる。

（変形例２）
上記第１〜第３の実施形態では、支持部４０あるいは支持部としての半導体回路素子１５０上に、ＳＡＷ共振子１０を中継基板２０，８０あるいは中継基板としての半導体回路素子６０を介して片持ち支持された構成を説明した。これに限らず、ＳＡＷ共振子の両端側を支持部により支持する構成としてもよい。
図７は、ＳＡＷ共振子の両端側が、それぞれ中継基板を介して二つの支持部により支持された構成のＳＡＷデバイス７１を説明するものであり、（ａ）は平面図、（ｂ）は、（ａ）のＦ−Ｆ線断面図である。なお、本変形例において、パッケージ１３０、およびＳＡＷ共振子１１０上に形成されたＩＤＴ電極、反射器、外部接続電極等の構成は、上記第１および第２の実施形態と同じであるため同一符号を付して説明を省略する。

図７（ａ）において、ＳＡＷデバイス７１は、パッケージ１３０の凹部の凹底部分の両端側に、第１の支持部１４０Ａと第２の支持部１４０Ｂがそれぞれ設けられている。第１の支持部１４０Ａ上には、第１の中継基板７０Ａの一端側が接合され、他端側を水平方向に突出させている。また、第２の支持部１４０Ｂ上には、第２の中継基板７０Ｂの一端側が接合され、他端側を水平方向に突出させている。第１の中継基板７０Ａの他端側と第２の中継基板７０Ｂの他端側は、所定の間隔を設けて向かい合っている。そして、中継基板７０Ａ，７０Ｂそれぞれの他端側の間には、ＩＤＴ電極１１２および反射器１１３が形成された主面を上側に向けた状態のＳＡＷ共振子１１０が、その両端部分を第１の中継基板７０Ａと第２の中継基板７０Ｂのそれぞれの下側に接合されて架設されている。
ここで、ＳＡＷ共振子１１０の基本的な構成は図１に示すＳＡＷ共振子１０と同一であるが、図１における圧電基板１１の外部接続電極１９ａ，１９ｂが形成された領域の、ＩＤＴ電極１２および反射器１３が形成された領域を挟んだ反対側に、第２の中継基板７０Ｂと接続するための外部接続電極（第２の外部接続電極）を形成するための領域が加えられた構成となっている。

第１の中継基板７０Ａは、第１の支持部１４０Ａに接合される一端側に第２の電極端子７５Ａａ，７５Ａｂを有し、他端側にＳＡＷ共振子１１０と接合される第１の電極端子７２Ａａ，７２Ａｂを有している。図示はしないが、第１の電極端子７２Ａａと第２の電極端子７５Ａａ、第１の電極端子７２Ａｂと第２の電極端子７５Ａｂは、電極間配線によりそれぞれ接続されている。
また、第２の中継基板７０Ｂは、第２の支持部１４０Ｂに接合される一端側に第２の電極端子７５Ｂａ，７５Ｂｂを有し、他端側にＳＡＷ共振子１１０と接合される第１の電極端子７２Ｂａ，７２Ｂｂを有している。なお、本実施形態では、第２の中継基板７０Ｂは、接合されるＳＡＷ共振子１１０との電気的な接続は行なわずに、ＳＡＷ共振子１１０との機械的な接合のみに供するものとして説明する。

図７（ｂ）において、第１の支持部１４０Ａ上の接続端子１４５Ａｂには、第１の中継基板７０Ａの一端側に設けられた第２の電極端子７５Ａｂが接合部材４８を介して接合されている。同様に、図中、接続端子１４５Ａｂの奥側には接続端子１４５Ａｂと対をなす接続端子（図示せず）が設けられていて、第１の中継基板７０Ａの第２の電極端子７５Ａａ（図７（ａ）を参照）と接合部材を介して接合されている。
また、第２の支持部１４０Ｂ上の接続端子１４５Ｂｂには、第２の中継基板７０Ｂの一端側に設けられた第２の電極端子７５Ｂｂが接合部材４８を介して接合されている。同様に、図中、接続端子１４５Ｂｂの奥側には接続端子１４５Ｂｂと対をなす接続端子（図示せず）が設けられていて、第２の中継基板７０Ｂの第２の電極端子７５Ｂａ（図７（ａ）を参照）と接合部材を介して接合されている。

第１の中継基板７０Ａの第１の電極端子７２Ａｂには、ＳＡＷ共振子１１０の一端側に設けられた第１の外部接続電極１１９Ａｂが接合部材４７を介して接合されている。同様に、図中、第１の外部接続電極１１９Ａｂの奥側には、その第１の外部接続電極１１９Ａｂと対をなす第１の外部接続電極（図示せず）が設けられていて、その第１の外部接続電極が第１の中継基板７０Ａの第１の電極端子７２Ａａ（図７（ａ）を参照）と接合部材を介して接合されている。
また、ＳＡＷ共振子１１０の他端側に設けられた第２の外部接続電極１１９Ｂｂには、第２の中継基板７０Ｂの第１の電極端子７２Ｂｂが接合部材４７を介して接合されている。同様に、図中、第２の外部接続電極１１９Ｂｂの奥側には、その第２の外部接続電極１１９Ｂｂと対をなす第２の外部接続電極（図示せず）が設けられていて、その第２の外部接続電極が第２の中継基板７０Ｂの第１の電極端子７２Ｂａ（図７（ａ）を参照）と接合部材を介して接続されている。

そして、パッケージ１３０の上側にはリッド１３４がシールリング１３３を介して接合され、パッケージ１３０内部に接合されたＳＡＷ共振子１１０が気密に封止されている。

上記構成のＳＡＷデバイス７１によれば、ＳＡＷ共振子の片側のみを中継基板を介して支持部により片持ち支持する場合に比して、ＳＡＷ共振子を安定させて支持することができ、耐衝撃性の高いＳＡＷデバイス７１を提供することができる。

（変形例３）
上記第２および第３の実施形態のＳＡＷデバイス６１，８１では、中継基板または支持部として半導体回路素子６０，１５０を用いた。これに限らず、支持部あるいは中継基板などのＳＡＷ共振子の支持構造体とは別に、ＳＡＷデバイス内に半導体回路素子を搭載する構成としてもよい。
図８は、半導体回路素子を搭載したＳＡＷデバイス９１を説明するものであり、（ａ）は平面図、（ｂ）は、（ａ）のＨ−Ｈ線断面図である。なお、本例のＳＡＷデバイス９１のうち、ＳＡＷ共振子の構成は第１の実施形態のＳＡＷ共振子１０と同じであるので、同一符号を付して説明を省略する。
図８（ａ）において、ＳＡＷデバイス９１は、パッケージ３３０の凹部の凹底部分に設けられた支持部３４０と、該支持部３４０上に一端側が接合され他端側をパッケージ３３０の凹部内に突出させて設けられた中継基板９０と、該中継基板９０の他端側に片持ち支持されるように接合されたＳＡＷ共振子１０とを有している。

パッケージ３３０は、セラミックス絶縁材料などからなる略矩形の平板状の第１層基板３３１、略矩形フレーム状の第２層基板３３２、第３層基板３３３、およびシールリング３３４が、この順に積層されて形成されている。パッケージ３３０の外底部分となる第１層基板３３１の底面には、一対の実装端子３３６ａ，３３６ｂが設けられている。また、パッケージ３３０の中央部分には、略矩形フレーム状の第３層基板３３３よりも第２層基板３３２の方がフレーム枠が大きいことにより段差を有する凹部が形成されていて、この凹部の凹底部分にはダイパッド３３７が設けられている。また、凹部において第２層基板３３２の上面に形成される棚部には、半導体回路素子２５０と接続される複数の接続端子３３８が設けられている。
ダイパッド３３７上には、上面に複数のパッド２５５を有する半導体回路素子２５０が接着剤により接着・固定されている。複数のパッド２５５と、対応するパッケージ３３０の接続端子３３８とは、ボンディングワイヤ９９により接続されている。

図８（ｂ）において、パッケージ３３０の凹部には、絶縁材料からなるブロック状の基材の上面に接続端子３４５ｂを有する支持部３４０が設けられている。なお、本例の支持部３４０は、パッケージ３３０の凹部内の第２層基板３３２上に設けられているが、第１層基板３３１上に設ける構成としてもよい。
支持部３４０上の接続端子３４５ｂには、中継基板９０の一端側に設けられた第２の電極端子９５ｂが接合部材４８を介して接合されている。同様に、図中、接続端子３４５ｂの奥側に配置される接続端子（図示されず）には、中継基板９０の第２の電極端子９５ａ（図８（ａ）を参照）が接合部材を介して接合されている。これにより、中継基板９０は、その他端側を支持部３４０から水平方向に突出させた状態で支持部３４０上に片持ち支持されている。

中継基板９０の他端側に設けられた第１の電極端子９２ｂには、ＳＡＷ共振子１０の外部接続電極１９ｂが接合部材４７を介して接合されている。同様に、中継基板９０の第１の電極端子９２ａ（図８（ａ）を参照）には、図中、ＳＡＷ共振子１０の外部接続電極１９ｂの奥側に配置された外部接続電極１９ａ（図２を参照）が接合部材を介して接合されている。これにより、ＳＡＷ共振子１０は、ＩＤＴ電極１２などが形成された主面を上側に向けた状態で、支持部３４０の有する厚みによってパッケージ３３０の凹部に接合された半導体回路素子２５０のボンディングワイヤ９９を含めた実装構造体に接触しない高さにて、支持部３４０上に中継基板９０を介して片持ち支持されている。

パッケージ３３０の上側には、リッド３３５が、シールリング３３４を介してシーム溶接され、パッケージ３３０内部に接合されたＳＡＷ共振子１０および半導体回路素子２５０が気密に封止されている。

上記構成のＳＡＷデバイス９１によれば、所望の機能を有する半導体回路素子２５０が搭載されることにより、高機能を有するＳＡＷデバイス９１を提供することができる。

以上、発明者によってなされた本発明の実施の形態について具体的に説明したが、本発明は上記した実施の形態およびその変形例に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々の変更を加えることが可能である。

例えば、上記第３の実施形態で説明した半導体回路素子１５０を支持部としたＳＡＷデバイス８１は、支持部に一つの半導体回路素子１５０を用いた。これに限らず、複数の半導体素子を積層させて接続した所謂スタックド構造の半導体素子を支持部とする構成とすることもできる。この構成によれば、その半導体回路に適したプロセスにより製造された別々の半導体素子が搭載されたＳＡＷデバイスとすることができるので、より高機能を有するＳＡＷデバイスを提供することができる。

また、上記第１〜第３の実施形態および変形例１〜３で説明したＳＡＷ共振子の圧電基板には水晶を用いたが、これに限定されない。水晶以外に、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、ニオブ酸リチウム（ＬｉＮｂＯ₃）、タンタル酸リチウム（ＬｉＴａＯ₃）、チタン酸ジルコン酸鉛（ＰＺＴ）、四ほう酸リチウム（Ｌｉ₂Ｂ₄Ｏ₇）などの酸化物基板や、ガラス基板上に窒化アルミニウム、五酸化タンタル（Ｔａ₂Ｏ₅）などの薄膜圧電材料を積層させて構成された圧電基板を用いることもできる。

また、上記第１および第２の実施形態では、ＩＤＴ電極１２および反射器１３の形成用金属材料としてアルミニウムを用いたが、これに限定されない。例えば、チタン（Ｔｉ）、タンタル（Ｔａ）、タングステン（Ｗ）などの金属材料を用いることもできる。また、金（Ａｕ）とクロム（Ｃｒ）の多層膜、あるいはマグネシウム（Ｍｇ）などを用いることも可能である。

また、上記第１〜第３の実施形態および変形例１〜３では、基板としてパッケージ３０，１３０，２３０，３３０を用いたが、これに限定されない。例えば、平板状の配線基板を基板として用いて、連続環状の封止材を介してリッドを接合したり、あるいは基板をベースに接着固定して該ベースに所謂ＣＡＮケースを被せて密閉することにより、基板上に支持部を設置し、該支持部に中継基板を介して支持されるように接合されたＳＡＷ素子片を気密に封止する構成としてもよい。

また、上記第１〜第３の実施形態および変形例１〜３では、ＳＡＷ素子片として、１ポート型のＳＡＷ共振子１０，１１０を用いた例を説明した。これに限定されず、より高い周波数帯に利用可能な２ポート型のＳＡＷ共振子であってもよく、この他、ＳＡＷフィルタ、あるいはセンサやコンボルバなどのＳＡＷ遅延素子などの、圧電基板上にＩＤＴ電極が形成されてなる他のＳＡＷデバイスであってもよい。また、上記ＳＡＷ共振子１０，１１０において、反射器のない構成としてもよい。

（ａ）は、第１の実施形態のＳＡＷデバイスを説明する平面図、（ｂ）は、同図（ａ）のＡ−Ａ線断面図。 （ａ）は、ＳＡＷ共振子を説明する斜視図、（ｂ）は、同図（ａ）のＢ−Ｂ線断面図。 （ａ）は、中継基板を説明する平面図、（ｂ）は、同図（ａ）のＣ−Ｃ線断面図。 （ａ）は、第２の実施形態のＳＡＷデバイスを説明する平面図、（ｂ）は、同図（ａ）のＥ−Ｅ線断面図。 （ａ）は、第３の実施形態のＳＡＷデバイスを説明する平面図、（ｂ）は、同図（ａ）のＧ−Ｇ線断面図。 （ａ）は、変形例１のＳＡＷデバイスを説明する平面図、（ｂ）は、同図（ａ）のＤ−Ｄ線断面図。 （ａ）は、変形例２のＳＡＷデバイスを説明する平面図、（ｂ）は、同図（ａ）のＦ−Ｆ線断面図。 （ａ）は、変形例３のＳＡＷデバイスを説明する平面図、（ｂ）は、同図（ａ）のＨ−Ｈ線断面図。

符号の説明

１，５１，６１，７１，８１，９１…弾性表面波デバイスとしてのＳＡＷデバイス、１０，１１０…弾性表面波素子片としてのＳＡＷ共振子、１１…圧電基板、１２，１１２…ＩＤＴ電極、１２ａ，１２ｂ…電極指、１３，１１３…反射器、１９ａ，１９ｂ…外部接続電極、２０，８０，９０…中継基板、２２ａ，２２ｂ，７２Ａａ，７２Ａｂ，７２Ｂａ，７２Ｂｂ，８２ａ，８２ｂ，９２ａ，９２ｂ…第１の電極端子、２５ａ，２５ｂ，６５ａ，６５ｂ，７５Ａａ，７５Ａｂ，７５Ｂａ，７５Ｂｂ，８５ａ，８５ｂ…第２の電極端子、８６ａ，８６ｂ…接合端子、３０，１３０，２３０，３３０…基板としてのパッケージ、３４，２３５，３３５…リッド、３５ａ，３５ｂ，２３６ａ，２３６ｂ，３３６ａ，３３６ｂ…実装端子、４０，３４０…支持部、４５ｂ，１４５Ａａ，１４５Ｂｂ…接続端子、４７，４８…接合部材、５０…緩衝部材、６０…中継基板としての半導体回路素子、７０Ａ…第１の中継基板、７０Ｂ…第２の中継基板、９９…ボンディングワイヤ、１１９Ａｂ…第１の外部接続電極、１１９Ｂｂ…第２の外部接続電極、１４０Ａ…第１の支持部、１４０Ｂ…第２の支持部、１５０…支持部としての半導体回路素子。

Claims (8)

1. 基板と、
   圧電基板の一方の面上にＩＤＴ電極および該ＩＤＴ電極に接続された外部接続電極が設けられた弾性表面波素子片と、
   接続端子が形成された支持部と、
   前記外部接続電極に接続される第１の電極端子および前記支持部の前記接続端子と接続される第２の電極端子が一方の面に設けられた中継基板と、を有し、
   前記ＩＤＴ電極と前記中継基板とが平面視で重ならないように、前記弾性表面波素子片の前記外部接続電極と前記中継基板の前記第１の電極端子とが接合され、
   前記第２の電極端子と前記支持部の前記接続端子とが、前記圧電基板の他方の面が前記基板と相対する状態で接合されていることを特徴とする弾性表面波デバイス。
2. 請求項１に記載の弾性表面波デバイスであって、
   前記基板がパッケージであり、該パッケージ内に前記弾性表面波素子片が接合されて封止されていることを特徴とする弾性表面波デバイス。
3. 請求項１または２に記載の弾性表面波デバイスであって、
   前記基板上に半導体回路素子が接合され、該半導体回路素子と前記弾性表面波素子片とが接続されていることを特徴とする弾性表面波デバイス。
4. 請求項１〜３のいずれか一項に記載の弾性表面波デバイスであって、
   前記中継基板が前記弾性表面波素子片と同一材料からなることを特徴とする弾性表面波デバイス。
5. 請求項１〜３のいずれか一項に記載の弾性表面波デバイスであって、
   前記中継基板が半導体回路素子であることを特徴とする弾性表面波デバイス。
6. 請求項１〜５のいずれか一項に記載の弾性表面波デバイスであって、
   前記支持部が半導体回路素子であることを特徴とする弾性表面波デバイス。
7. 請求項１〜６のいずれか一項に記載の弾性表面波デバイスであって、
   前記弾性表面波素子片の下方の前記基板面上に、前記弾性表面波素子片と接触される部分が前記ＩＤＴ電極の形成領域と平面視で重ならない位置となる緩衝部材が設けられていることを特徴とする弾性表面波デバイス。
8. 請求項１〜６のいずれか一項に記載の弾性表面波デバイスであって、
   複数の前記中継基板が前記弾性表面波素子片の両端側に接合されていることを特徴とする弾性表面波デバイス。

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