JP6430977B2 - 弾性波デバイス - Google Patents

Description

本発明は、弾性波デバイスに関する。

サファイアなどの支持基板の上面にタンタル酸リチウム基板又はニオブ酸リチウム基板などの圧電基板が接合された接合基板を用いることで、周波数温度特性が改善された弾性波デバイスが知られている（例えば、特許文献１）。また、圧電基板が支持基板の上面の一部に接合し且つ配線が支持基板の上面の圧電基板が接合されていない領域から圧電基板上に延在した構成において、圧電基板の側面を傾斜面とすることで配線の断線を抑制することが知られている（例えば、特許文献２）。

特開２００４−３４３３５９号公報 特開２０１３−２１３８７号公報

しかしながら、特許文献２の方法では、配線の熱膨張が考慮されてなく、配線の断線を抑制する点において改善の余地が残されている。本発明は、上記課題に鑑みなされたものであり、配線の断線を抑制することを目的とする。

本発明は、直列共振器と並列共振器を含むラダー型フィルタである弾性波デバイスであって、支持基板と、前記支持基板の上面の一部に接合された１又は複数の圧電基板と、前記１又は複数の圧電基板上に設けられ、複数の電極指と前記複数の電極指が接続されたバスバーとを含み、前記直列共振器及び前記並列共振器を構成し、前記１又は複数の圧電基板内では各々前記複数の電極指が同じ方向に延びている複数の共振器と、前記１又は複数の圧電基板それぞれにおいて、前記複数の電極指が並んだ第１方向で前記支持基板の前記上面のうちの前記１又は複数の圧電基板が接合されていない非接合領域から前記１又は複数の圧電基板上に延在して前記複数の共振器に接続し、前記１又は複数の圧電基板の上面に平行な方向で前記第１方向に交差する第２方向では前記非接合領域から前記１又は複数の圧電基板上に延在していない配線と、を備える弾性波デバイスである。

本発明は、支持基板と、前記支持基板の上面の一部に接合された圧電基板と、前記圧電基板上に設けられ、複数の電極指と前記複数の電極指が接続されたバスバーとを含む共振器と、前記複数の電極指が並んだ第１方向で前記支持基板の前記上面のうちの前記圧電基板が接合されていない非接合領域から前記圧電基板上に延在し、前記共振器に接続する配線と、を備え、前記配線は、前記圧電基板の側面における厚さが前記支持基板上及び前記圧電基板上における厚さよりも薄い、弾性波デバイスである。

本発明は、支持基板と、前記支持基板の上面の一部に接合された圧電基板と、前記圧電基板上に設けられ、複数の電極指と前記複数の電極指が接続されたバスバーとを含む共振器と、前記複数の電極指が並んだ第１方向で前記支持基板の前記上面のうちの前記圧電基板が接合されていない非接合領域から前記圧電基板上に延在し、前記共振器に接続する配線と、を備え、前記支持基板の前記上面に複数の前記圧電基板が接合され、前記複数の圧電基板に設けられた前記共振器は前記配線によって互いに接続され、前記配線は、前記複数の圧電基板のうちの少なくとも１つの圧電基板上に前記非接合領域から延在する方向と残りの圧電基板上に前記非接合領域から延在する方向とが異なる、弾性波デバイスである。

上記構成において、前記配線は、前記圧電基板の上面に平行な方向で前記第１方向に交差する第２方向では前記非接合領域から前記圧電基板上に延在していない構成とすることができる。

上記構成において、前記１又は複数の圧電基板の前記第１方向の線膨張係数と前記配線の線膨張係数との差は、前記第２方向の前記１又は複数の圧電基板の線膨張係数と前記配線の線膨張係数との差よりも小さい構成とすることができる。

上記構成において、前記圧電基板は回転ＹカットＸ伝搬タンタル酸リチウム基板又は回転ＹカットＸ伝搬ニオブ酸リチウム基板である構成とすることができる。

上記構成において、前記配線は金、銅、又はニッケルのいずれかで形成されている構成とすることができる。

上記構成において、前記非接合領域における前記配線は前記圧電基板よりも厚い構成とすることができる。

上記構成において、前記１又は複数の圧電基板は１つの圧電基板であり、前記１つの圧電基板に前記複数の共振器が設けられている構成とすることができる。

上記構成において、前記１又は複数の圧電基板は複数の圧電基板であり、前記複数の圧電基板それぞれには前記複数の共振器それぞれが設けられていて、前記複数の圧電基板に設けられた前記複数の共振器は前記配線によって互いに接続されている構成とすることができる。

本発明によれば、配線の断線を抑制することができる。

図１（ａ）は、実施例１に係る弾性波デバイスの上面図、図１（ｂ）は、図１（ａ）のＡ−Ａ間の断面図である。 図２（ａ）から図２（ｆ）は、実施例１に係る弾性波デバイスの製造方法を示す断面図である。 図３（ａ）及び図３（ｂ）は、実施例１に係る弾性波デバイスの効果を説明するための断面図である。 図４は、４２°ＹカットＸ伝搬ＬＴ基板のウエハ状態の上面図である。 図５は、実施例１の変形例１に係る弾性波デバイスの断面図である。 図６は、実施例２に係る弾性波デバイスの上面図である。 図７は、実施例３に係る弾性波デバイスの上面図である。 図８は、実施例４に係る弾性波デバイスの上面図である。 図９は、実施例５に係る弾性波デバイスの上面図である。 図１０は、実施例６に係る弾性波デバイスの断面図である。

以下、図面を参照して、本発明の実施例について説明する。

図１（ａ）は、実施例１に係る弾性波デバイス１００の上面図、図１（ｂ）は、図１（ａ）のＡ−Ａ間の断面図である。図１（ａ）及び図１（ｂ）のように、実施例１の弾性波デバイス１００は、支持基板１０の上面の一部に圧電基板２０が接合されている。支持基板１０と圧電基板２０とは、例えばその境界において支持基板１０を構成する原子と圧電基板２０を構成する原子とがアモルファス層を形成することにより強固に接合されている。支持基板１０は、例えばサファイア基板である。支持基板１０の厚さは、例えば７５μｍ〜２４０μｍである。圧電基板２０は、例えば４２°回転ＹカットＸ伝搬のタンタル酸リチウム（ＬＴ）基板である。圧電基板２０の厚さは、例えば２μｍ〜４μｍである。

圧電基板２０上に、共振器３０が形成されている。共振器３０は、例えば弾性表面波共振器である。共振器３０は、ＩＤＴ（Interdigital Transducer）３２と、ＩＤＴ３２の両側に設けられた反射器３４と、を有する。ＩＤＴ３２は、一対の櫛型電極３６を備える。一対の櫛型電極３６はそれぞれ、複数の電極指３８と複数の電極指３８を共通に接続するバスバー４０とを有する。ＩＤＴ３２は、圧電基板２０内又は表面に弾性波を励振する。反射器３４は、弾性波を反射する。すなわち、ＩＤＴ３２で励振される弾性波の主要波は、複数の電極指３８が並んだ方向に伝搬する。ＩＤＴ３２及び反射器３４は、例えばアルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）、又は銅が添加されたアルミニウムなどの金属で形成される。なお、以下において、複数の電極指３８が並んで弾性波の主要波が伝搬する方向を第１方向とし、圧電基板２０の上面に平行な方向において第１方向に交差（例えば直交）する方向を第２方向とする。

支持基板１０の上面のうちの圧電基板２０が接合されていない非接合領域１２にパッド５０が設けられている。パッド５０は、例えば８０μｍ×８０μｍ程度の大きさで、厚さが２．５μｍ〜５μｍ程度である。パッド５０は、支持基板１０を上面から下面に貫通する貫通配線５２を介して、支持基板１０の下面に設けられた端子電極５４に電気的に接続されている。貫通配線５２は、例えば銅又は銀などの金属で形成されていて、直径が４０μｍ〜５５μｍ程度の円柱形状をしている。なお、貫通配線５２は、楕円形形状や矩形形状である場合でもよい。圧電基板２０は脆いため、クラックなどの発生を抑制する点から、貫通配線５２は圧電基板２０を貫通せずに支持基板１０のみを貫通する場合が好ましく、支持基板１０の非接合領域１２に設けられる場合が好ましい。

パッド５０は、支持基板１０の非接合領域１２から圧電基板２０上に延在する配線５６を介して、共振器３０に電気的に接続されている。配線５６は、第１方向で支持基板１０の非接合領域１２から圧電基板２０上に延在している。言い換えると、配線５６は、圧電基板２０の結晶方位のＸ軸方向で支持基板１０の非接合領域１２から圧電基板２０上に延在している。配線５６は、第２方向で支持基板１０の非接合領域１２から圧電基板２０上には延在していない。配線５６は、例えば金（Ａｕ）で形成されていて、厚さが２．５μｍ〜５μｍ程度、幅が５μｍ〜１０μｍ程度である。支持基板１０上及び圧電基板２０上における配線５６の厚さは、例えば圧電基板２０の厚さよりも厚くなっている。

次に、実施例１に係る弾性波デバイスの製造方法について説明する。図２（ａ）から図２（ｆ）は、実施例１に係る弾性波デバイス１００の製造方法を示す断面図である。図２（ａ）のように、支持基板１０の平坦上面に圧電基板２０の平坦下面を例えば直接接合によって接合させる。直接接合は、例えば１００℃以下の常温での表面活性化接合で行ってもよい。なお、支持基板１０と圧電基板２０とを接着剤を用いて接合してもよい。その後、圧電基板２０を貫通し且つ支持基板１０の途中まで掘り込まれた凹部を形成し、当該凹部に金属膜６０を埋め込む。凹部は例えばエッチング法又はブラスト法で形成することができ、金属膜６０は例えばメッキ法で形成することができる。

図２（ｂ）のように、圧電基板２０上に、共振器３０を形成する。共振器３０は一般的な方法を用いて形成することができる。共振器３０を覆う保護膜６２を形成する。保護膜６２としては、例えば酸化シリコン膜を用いることができる。

図２（ｃ）のように、共振器３０が形成された領域以外の領域において、圧電基板２０と金属膜６０とを、例えばエッチング法又はブラスト法によって除去する。これにより、支持基板１０の上面に、圧電基板２０が接合されていない非接合領域１２が形成される。

図２（ｄ）のように、支持基板１０上及び圧電基板２０上であって、配線５６及びパッド５０が形成されない領域を覆ってレジスト膜６４を形成する。図２（ｅ）のように、例えば蒸着法及びリフトオフ法を用いて、配線５６及びパッド５０を形成する。

図２（ｆ）のように、金属膜６０が露出するまで支持基板１０の下面に対して研磨（例えばバックグラインド）を施して、支持基板１０を薄くする。これにより、支持基板１０を貫通する金属膜６０からなる貫通配線５２が形成される。その後、支持基板１０の下面に、例えば蒸着法及びリフトオフ法を用いて、端子電極５４を形成する。これにより、実施例１の弾性波デバイス１００が形成される。

ここで、図３（ａ）及び図３（ｂ）を用いて、実施例１の弾性波デバイス１００の効果を説明する。図３（ａ）は、実施例１の弾性波デバイス１００における配線５６の形成部分を拡大した断面図である。図３（ｂ）は、比較例１の弾性波デバイス１０００における配線５６の形成部分を拡大した断面図である。なお、図３（ａ）及び図３（ｂ）では、圧電基板２０の厚さＴ１が２．０μｍ、配線５６の支持基板１０上の厚さＴ２及び圧電基板２０上の厚さＴ３が２．５μｍ、圧電基板２０の側面での幅Ｗが１．２μｍであるとする。また、図３（ａ）及び図３（ｂ）では、サファイア基板である支持基板１０、４２°回転ＹカットＸ伝搬ＬＴ基板である圧電基板２０、及びＡｕからなる配線５６の線膨張係数の数値を矢印と共に示している。

図３（ｂ）のように、比較例１の弾性波デバイス１０００では、配線５６は、圧電基板２０の結晶方位のＺ軸方向で支持基板１０の非接合領域１２から圧電基板２０上に延在している。４２°回転ＹカットＸ伝搬ＬＴ基板である圧電基板２０の結晶方位のＺ軸方向の線膨張係数は４．１ｐｐｍ／℃であることから、配線５６の線膨張係数（Ａｕ：１４．２ｐｐｍ／℃）との差が比較的大きい。この場合、温度サイクル試験（例えば−４０℃〜＋１２５℃）のような温度変化が大きい環境において、配線５６と圧電基板２０との間の熱膨張差及び熱収縮差に伴う応力が圧電基板２０の側面部分に集中し、その結果、圧電基板２０の側面での配線５６が比較的薄い箇所で断線が起こり易くなる。

一方、実施例１の弾性波デバイス１００では、配線５６は、第１方向（圧電基板２０の結晶方位のＸ軸方向）で支持基板１０の非接合領域１２から圧電基板２０上に延在している。この場合、図３（ａ）のように、４２°回転ＹカットＸ伝搬ＬＴ基板である圧電基板２０の結晶方位のＸ軸方向の線膨張係数は１６．１ｐｐｍ／℃であることから、配線５６の線膨張係数（Ａｕ：１４．２ｐｐｍ／℃）との差が比較的小さい。このため、温度サイクル試験のような温度変化が大きい環境に曝された場合でも、配線５６と圧電基板２０との間の熱膨張差及び熱収縮差が小さく、その結果、熱膨張差及び熱収縮差に伴う応力が小さくなり、圧電基板２０の側面での配線５６の断線を抑制できる。

図４は、４２°回転ＹカットＸ伝搬ＬＴ基板のウエハ状態の上面図である。なお、図４の点線は基板のへき開方向を示している。図４のように、オリエンテーションフラット６６に直交する方向を結晶方位のＸ軸方向（線膨張係数：１６．１ｐｐｍ／℃）とすると、オリエンテーションフラット６６に平行な方向の線膨張係数は１１ｐｐｍ／℃となる。つまり、圧電基板２０に４２°回転ＹカットＸ伝搬ＬＴ基板を用いた実施例１の弾性波デバイス１００では、圧電基板２０の第１方向の線膨張係数は１６．１ｐｐｍ／℃で、第２方向の線膨張係数は１１ｐｐｍ／℃となる。この場合、第１方向で支持基板１０の非接合領域１２から圧電基板２０上に配線５６を延在させることで、第２方向で延在させる場合に比べて、配線５６と圧電基板２０との間の線膨張係数の差が小さくなる。このため、配線５６の断線を抑制できる。

以上のように、実施例１によれば、配線５６は、第１方向（複数の電極指３８が並んだ方向）で支持基板１０の非接合領域１２から圧電基板２０上に延在している。これにより、配線５６が断線することを抑制できる。

表１は、各種の圧電基板における第１方向及び第２方向の線膨張係数を示している。表１のように、３６°回転ＹカットＸ伝搬ＬＴ基板、４１°回転ＹカットＸ伝搬ニオブ酸リチウム（ＬＮ）基板、及び６４°回転ＹカットＸ伝搬ＬＮ基板においても、４２°回転ＹカットＸ伝搬ＬＴ基板と同様に、第１方向の線膨張係数が、第２方向の線膨張係数よりも、配線５６の線膨張係数（Ａｕ：１４．２ｐｐｍ／℃）に近い。したがって、配線５６の断線を抑制する点から、圧電基板２０が回転ＹカットＸ伝搬ＬＴ基板又は回転ＹカットＸ伝搬ＬＮ基板である場合に、配線５６を第１方向で支持基板１０の非接合領域１２から圧電基板２０上に延在させることが好ましい。また、表１から、圧電基板２０としては、３６°〜４２°ＹカットＸ伝搬ＬＴ基板又は４１°〜６４°ＹカットＸ伝搬ＬＮ基板を用いることが好ましい。

表２は、各種の金属における線膨張係数を示している。表２のように、金（Ａｕ）と銅（Ｃｕ）とニッケル（Ｎｉ）は、線膨張係数が互いに近い。したがって、配線５６は、金（Ａｕ）で形成される場合に限らず、銅（Ｃｕ）又はニッケル（Ｎｉ）で形成される場合でもよい。

なお、圧電基板２０は回転ＹカットＸ伝搬ＬＴ基板又は回転ＹカットＸ伝搬ＬＮ基板である場合に限られず、圧電基板２０の第１方向の線膨張係数と配線５６の線膨張係数との差が、圧電基板２０の第２方向の線膨張係数と配線５６の線膨張係数との差よりも小さい基板であればよい。また、支持基板１０は、サファイア基板以外の基板であってもよく、例えばシリコン基板、スピネル基板、ガラス基板、及び酸化アルミニウム基板などの絶縁基板であってもよい。各基板の線膨張係数は、サファイア基板が７．７ｐｐｍ／℃、シリコン基板が３．４ｐｐｍ／℃、スピネル基板が５．０ｐｐｍ／℃、ガラス基板が０．５ｐｐｍ／℃、酸化アルミニウム基板が７．１ｐｐｍ／℃である。

また、実施例１では、支持基板１０の非接合領域１２における配線５６が圧電基板２０よりも厚い場合を例に示したが、この場合に限られない。図５は、実施例１の変形例１に係る弾性波デバイス１１０の断面図である。図５のように、支持基板１０の非接合領域１２における配線５６が圧電基板２０よりも薄い場合でもよい。しかしながら、配線５６が圧電基板２０よりも薄い場合では、圧電基板２０の側方に空間６８が形成されるのに対し、配線５６が圧電基板２０よりも厚い場合では、図１（ｂ）及び図３（ａ）のように、圧電基板２０の側方に空間が形成されずに配線５６が存在するようになる。この場合、圧電基板２０の側方に存在する配線５６によって、圧電基板２０の側面上部にかかる応力が大きくなり、配線５６に断線が生じ易くなる。したがって、支持基板１０の非接合領域１２における配線５６が、圧電基板２０よりも厚い場合に、第１方向で支持基板１０の非接合領域１２から圧電基板２０上に配線５６を延在させて、配線５６の断線を抑制させることが好ましい。

また、圧電基板２０の側面における配線５６が薄い場合に、圧電基板２０の側面で配線５６の断線が発生し易くなる。したがって、圧電基板２０の側面における配線５６が、支持基板１０上及び圧電基板２０上における配線５６よりも薄い場合に、第１方向で支持基板１０の非接合領域１２から圧電基板２０上に配線５６を延在させて、配線５６の断線を抑制させることが好ましい。

図６は、実施例２に係る弾性波デバイス２００の上面図である。図６のように、実施例２の弾性波デバイス２００は、圧電基板２０上に複数の共振器３０ａ〜３０ｃが設けられたラダー型フィルタである。複数の共振器３０ａ〜３０ｃのうちの共振器３０ａ、３０ｂは直列共振器であって、入力パッド５０ａと出力パッド５０ｂとの間に直列に接続されている。共振器３０ｃは並列共振器であって、共振器３０ａ、３０ｂの間とグランドパッド５０ｃとの間に接続されている。その他の構成は、実施例１と同じであるため説明を省略する。

実施例２のように、１つの圧電基板２０上に複数の共振器３０ａ〜３０ｃが設けられている場合でもよい。なお、１つの圧電基板２０上に設けられた複数の共振器によってラダー型フィルタが形成されている場合に限られず、ダブルモード型フィルタなどの他のフィルタが形成されている場合でもよいし、フィルタが形成されていない場合でもよい。

図７は、実施例３に係る弾性波デバイス３００の上面図である。図７のように、実施例３の弾性波デバイス３００では、支持基板１０の上面に複数の圧電基板２０Ａ、２０Ｂが接合されている。複数の圧電基板２０Ａ、２０Ｂ上には、ラダー型フィルタを形成する複数の共振器３０が設けられている。圧電基板２０Ａ上に形成されたラダー型フィルタは、送信パッド５０Ａとアンテナパッド５０Ｃとの間に接続された送信フィルタ７０である。圧電基板２０Ｂ上に形成されたラダー型フィルタは、受信パッド５０Ｂとアンテナパッド５０Ｃとの間に接続された受信フィルタ７２である。したがって、実施例３の弾性波デバイス３００は、送信フィルタ７０と受信フィルタ７２とを備えるデュプレクサである。なお、パッド５０Ｄは、グランドパッドである。送信フィルタ７０は、送信パッド５０Ａから入力された信号のうち送信帯域の信号を送信信号としてアンテナパッド５０Ｃに通過させ、他の周波数の信号を抑圧する。受信フィルタ７２は、アンテナパッド５０Ｃから入力された信号のうち受信帯域の信号を受信信号として受信パッド５０Ｂに通過させ、他の周波数の信号を抑圧する。送信帯域と受信帯域は周波数が異なっている。その他の構成は、実施例１と同じであるため説明を省略する。

実施例３のように、支持基板１０の上面に複数の圧電基板２０Ａ、２０Ｂが接合され、複数の圧電基板２０Ａ、２０Ｂに設けられた共振器３０が配線５６によって接続されている場合でもよい。なお、実施例３では、圧電基板２０Ａ、２０Ｂの両方に複数の共振器３０が設けられている場合を例に示したが、圧電基板２０Ａ、２０Ｂの少なくとも一方には１つの共振器３０だけしか設けられていない場合でもよい。

圧電基板２０Ａ、２０Ｂは、同じ材料からなる場合でもよいし、異なる材料からなる場合でもよい。すなわち、圧電基板２０Ａ、２０Ｂの一方が回転ＹカットＸ伝搬ＬＴ基板で他方が回転ＹカットＸ伝搬ＬＮ基板の場合でもよい。また、圧電基板２０Ａ、２０Ｂが共に回転ＹカットＸ伝搬ＬＴ基板又は回転ＹカットＸ伝搬ＬＮ基板で、互いの基板のカット角が異なる場合でもよい。

図８は、実施例４に係る弾性波デバイス４００の上面図である。図８のように、実施例４の弾性波デバイス４００は、支持基板１０の上面に複数の圧電基板２０ａ〜２０ｃが接合されている。複数の圧電基板２０ａ〜２０ｃそれぞれには複数の共振器３０ａ〜３０ｃそれぞれが設けられている。複数の共振器３０ａ〜３０ｃはＩＤＴ３２のみからなり反射器は形成されていない。複数の圧電基板２０ａ〜２０ｃは、第１方向における側面が垂直になっている。このため、ＩＤＴ３２の両側に反射器を設けなくても、弾性波が反射される。その他の構成は、実施例２と同じであるため説明を省略する。

図９は、実施例５に係る弾性波デバイス５００の上面図である。なお、図９中の矢印は、複数の圧電基板２０ａ〜２０ｃそれぞれの第１方向を示している。図９のように、実施例５の弾性波デバイス５００では、複数の圧電基板２０ａ〜２０ｃのうちの圧電基板２０ａ、２０ｂにおける第１方向と圧電基板２０ｃにおける第１方向とが異なっている。例えば、圧電基板２０ａ、２０ｂにおける第１方向と圧電基板２０ｃにおける第１方向とは直交している。その他の構成は、実施例４と同じであるため説明を省略する。

実施例５のように、複数の圧電基板２０ａ〜２０ｃのうちの少なくとも１つの圧電基板２０ａ、２０ｂ上に非接合領域１２から延在する配線５６の方向と、残りの圧電基板２０ｃ上に非接合領域１２から延在する配線５６の方向と、を異ならせることで、実施例４に比べて、共振器間の配線５６の長さを短くすることができる。

図１０は、実施例６に係る弾性波デバイス６００の断面図である。図１０のように、実施例６の弾性波デバイス６００では、支持基板１０の上面の一部に共振器３０が設けられた圧電基板２０が接合されると共に、共振器８０が形成された基板８２がバンプ８６、８８によって支持基板１０の非接合領域１２に形成されたパッドにフリップチップ接続されている。基板８２は例えばシリコン基板であり、共振器８０は例えば圧電薄膜共振器である。共振器８０は、配線８４、バンプ８６、８８、貫通配線５２などを介して、端子電極５４に電気的に接続されている。支持基板１０の非接合領域１２に形成された金属パターン９０に共振器３０、８０を囲む半田９２が接合され、且つ、基板８２の共振器８０が形成された面とは反対側の面に半田９２に接合された金属製のリッド９４が設けられている。これにより、共振器３０、８０は、半田９２とリッド９４からなる封止部９６によって気密封止されている。封止部９６の外面には金属メッキ膜からなる保護膜９８が設けられている。その他の構成は、実施例１と同じであるため説明を省略する。

以上、本発明の実施例について詳述したが、本発明はかかる特定の実施例に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された本発明の要旨の範囲内において、種々の変形・変更が可能である。

１０ 支持基板
１２ 非接合領域
２０、２０Ａ、２０Ｂ、２０ａ〜２０ｃ 圧電基板
３０、３０ａ〜３０ｃ 共振器
３２ ＩＤＴ
３４ 反射器
３６ 櫛型電極
３８ 電極指
４０ バスバー
５０ パッド
５０ａ 入力パッド
５０ｂ 出力パッド
５０ｃ グランドパッド
５０Ａ 送信パッド
５０Ｂ 受信パッド
５０Ｃ アンテナパッド
５０Ｄ グランドパッド
５２ 貫通配線
５４ 端子電極
５６ 配線
６０ 金属膜
６２ 保護膜
６４ レジスト膜
６６ オリエンテーションフラット
６８ 空間
７０ 送信フィルタ
７２ 受信フィルタ
８０ 共振器
８２ 基板
８４ 配線
８６、８８ バンプ
９０ 金属パターン
９２ 半田
９４ リッド
９６ 封止部
９８ 保護膜
１００〜６００ 弾性波デバイス

Claims (10)

1. 直列共振器と並列共振器を含むラダー型フィルタである弾性波デバイスであって、
   支持基板と、
   前記支持基板の上面の一部に接合された１又は複数の圧電基板と、
   前記１又は複数の圧電基板上に設けられ、複数の電極指と前記複数の電極指が接続されたバスバーとを含み、前記直列共振器及び前記並列共振器を構成し、前記１又は複数の圧電基板内では各々前記複数の電極指が同じ方向に延びている複数の共振器と、
   前記１又は複数の圧電基板それぞれにおいて、前記複数の電極指が並んだ第１方向で前記支持基板の前記上面のうちの前記１又は複数の圧電基板が接合されていない非接合領域から前記１又は複数の圧電基板上に延在して前記複数の共振器に接続し、前記１又は複数の圧電基板の上面に平行な方向で前記第１方向に交差する第２方向では前記非接合領域から前記１又は複数の圧電基板上に延在していない配線と、を備える弾性波デバイス。
2. 支持基板と、
   前記支持基板の上面の一部に接合された圧電基板と、
   前記圧電基板上に設けられ、複数の電極指と前記複数の電極指が接続されたバスバーとを含む共振器と、
   前記複数の電極指が並んだ第１方向で前記支持基板の前記上面のうちの前記圧電基板が接合されていない非接合領域から前記圧電基板上に延在し、前記共振器に接続する配線と、を備え、
   前記配線は、前記圧電基板の側面における厚さが前記支持基板上及び前記圧電基板上における厚さよりも薄い、弾性波デバイス。
3. 支持基板と、
   前記支持基板の上面の一部に接合された圧電基板と、
   前記圧電基板上に設けられ、複数の電極指と前記複数の電極指が接続されたバスバーとを含む共振器と、
   前記複数の電極指が並んだ第１方向で前記支持基板の前記上面のうちの前記圧電基板が接合されていない非接合領域から前記圧電基板上に延在し、前記共振器に接続する配線と、を備え、
   前記支持基板の前記上面に複数の前記圧電基板が接合され、
   前記複数の圧電基板に設けられた前記共振器は前記配線によって互いに接続され、
   前記配線は、前記複数の圧電基板のうちの少なくとも１つの圧電基板上に前記非接合領域から延在する方向と残りの圧電基板上に前記非接合領域から延在する方向とが異なる、弾性波デバイス。
4. 前記配線は、前記圧電基板の上面に平行な方向で前記第１方向に交差する第２方向では前記非接合領域から前記圧電基板上に延在していない、請求項２または３記載の弾性波デバイス。
5. 前記１又は複数の圧電基板の前記第１方向の線膨張係数と前記配線の線膨張係数との差は、前記第２方向の前記１又は複数の圧電基板の線膨張係数と前記配線の線膨張係数との差よりも小さい、請求項１記載の弾性波デバイス。
6. 前記圧電基板は回転ＹカットＸ伝搬タンタル酸リチウム基板又は回転ＹカットＸ伝搬ニオブ酸リチウム基板である、請求項１から５のいずれか一項記載の弾性波デバイス。
7. 前記配線は金、銅、又はニッケルのいずれかで形成されている、請求項１から６のいずれか一項記載の弾性波デバイス。
8. 前記非接合領域における前記配線は前記圧電基板よりも厚い、請求項１から７のいずれか一項記載の弾性波デバイス。
9. 前記１又は複数の圧電基板は１つの圧電基板であり、
   前記１つの圧電基板に前記複数の共振器が設けられている、請求項１記載の弾性波デバイス。
10. 前記１又は複数の圧電基板は複数の圧電基板であり、
    前記複数の圧電基板それぞれには前記複数の共振器それぞれが設けられていて、
    前記複数の圧電基板に設けられた前記複数の共振器は前記配線によって互いに接続されている、請求項１記載の弾性波デバイス。

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