JP4569447B2 - 弾性表面波素子片および弾性表面波デバイス - Google Patents
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り、特に圧電基板として水晶基板を用いた弾性表面波素子片および弾性表面波デバイスに
関する。
、製造も容易であるところから、携帯電話機をはじめとして多くの電子機器に用いられて
いる。弾性表面波デバイスは、主な構成要素として、圧電基板の表面にすだれ状電極から
なるIDT(Interdigital Transducer)を備えた弾性表面波素子片を有する。圧電材料
は、水晶をはじめとしてタンタル酸リチウム、ニオブ酸リチウムなど種々のものが知られ
ている。中でも、水晶基板を用いた弾性表面波素子片は、周囲温度の変化に対する周波数
変動(周波数温度特性)が比較的小さいため、高性能な電子機器に広く用いられている。
特に、STカット水晶板と呼ばれる水晶基板は、一次の温度係数が0であって周波数温度
特性が優れているため、高精度な弾性表面波素子片の製造に用いられている。このSTカ
ット水晶板からなる弾性表面波素子片は、使用温度範囲が0℃〜70℃で周波数の変動幅
が約40ppmである(非特許文献1)。
日本学術振興会弾性波素子技術第150委員会編「弾性波素子技術ハンドブック」、オーム社、第1版第1刷、平成3年、第155頁、図3・14
ち高精度な弾性表面波素子片が要求されてきている。このため、従来のSTカット水晶板
を用いた弾性表面波素子片では、要求される精度を満足することができなくなってきてい
る。
素子片より優れた周波数温度特性が得られるようにすることを目的としている。
依存している。しかし、弾性表面波素子片の周波数温度特性は、IDTを構成しているす
だれ状電極の膜厚、すだれ状電極の電極指の形成ピッチなども微妙に影響する。そこで、
発明者は、詳細を後述するIDTの実効膜厚を変化させるとともに、水晶のカット角を種
々変えた場合における弾性表面波素子片の周波数温度特性を詳細に検討し、STカット水
晶板より優れた特性を示す水晶のカット角の領域を見出した。
第1の形態は、水晶基板に設けたすだれ状電極が前記水晶基板に生成した弾性表面波の波長をλとしたときに、前記すだれ状電極の実効膜厚Tが以下の式により定義される弾性表面波素子片であって、
T=H×η÷0.5
η=L/(L+S)
但し、H:電極指の膜厚、η:ライン占有率、L:電極指の幅、S:電極指の間隔
前記実効膜厚Tは、4.8%λ以上且つ14.58%λ以下であり、前記すだれ状電極は、アルミニウムまたはアルミニウムを主成分とする合金からなり、前記水晶基板のカット角がオイラー角表示で(0°〜±5°,θ,ψ)とした場合に、θとψとは、
(1)100°≦θ≦140°、 5°≦ψ≦26°或は−26°≦ψ≦−5°
(2) 30°≦θ≦95°、 0°≦ψ≦26°或は−26°≦ψ≦0°
の組合せのいずれかである、ことを特徴とする弾性表面波素子片。
第2の形態は、第1の形態において、前記θは40°〜50°であり、前記ψは0°〜±10°であることを特徴とする弾性表面波素子片。
第3の形態は、第1又は2の形態において、前記ライン占有率ηは、0.65よりも大きいことを特徴とする弾性表面波素子片。
第4の形態は、第1乃至3の何れかの一形態に記載の弾性表面波素子片を備えていることを特徴とする弾性表面波デバイス。
適用例1の弾性表面波素子片は、水晶基板に設けたすだれ状電極が前記水晶基板に生成した弾性表面波の波長をλとしたときに、前記すだれ状電極の実効膜厚が4.8%λ以上であって、前記水晶基板のカット角がオイラー角表示で(0°〜±5°,θ,ψ)とした場合に、θとψとは、
(1)135°<θ≦150°、±40°≦ψ≦±55°
(2)113°≦θ≦125°、±35°≦ψ<±40°
(3)100°≦θ≦140°、 ±5°≦ψ≦±26°
(4) 80°≦θ<113°、±26°≦ψ≦±45°
(5) 30°≦θ≦95°、 0°≦ψ≦±26°
(6) 20°≦θ≦40°、 ±70°≦ψ<±90°
の組合せのいずれかである、であることを特徴としている。
角からなる水晶基板を用いた弾性表面波素子片は、0℃〜70℃の温度範囲における周波
数の変動量を40ppmより小さくすることができる。したがって、STカット水晶板を
用いた弾性表面波素子片より高精度の弾性表面波素子片を得ることができる。
図面に従って詳細に説明する。
図1は本発明の実施の形態に係る弾性表面波素子片を模式的に示した平面図であり、図
2は図1のA−A線に沿った一部断面図である。これらの図において、弾性表面波素子片
10は、圧電基板である矩形状の水晶基板12からなり、水晶基板12の表面中央部にI
DT14が形成してある。また、弾性表面波素子片10は、一対の反射器16が設けてあ
る。一対の反射器16は、IDT14によって水晶基板12に励振される弾性表面波の伝
播方向に沿って設けられ、IDT14を挟んで配置してある。
る。各櫛型電極22は、それぞれの一端をバスバー24(24a、24b)に接続した複
数の電極指26a、26bを備えている。そして、IDT14は、電極指26によってす
だれ状に形成してある。すなわち、IDT14は、各櫛型電極22の櫛歯に相当する電極
指26が噛み合うように交互に、かつ平行に等間隔で配置してある。そして、IDT14
は、櫛型電極22aと櫛型電極22bとの間に信号電圧が印加されて水晶基板12を励振
し、水晶基板12に所定周波数の弾性表面波を生成する。この弾性表面波は、電極指26
に直行した方向に伝播する。
リップ28からなり、格子状をなしている。これらの一対の反射器16とIDT14とは
、実施形態の場合、アルミニウムまたはアルミニウムを主成分とした合金の薄膜から形成
してある。すなわち、IDT14と反射器16とは、水晶ウエハの表面に蒸着やスパッタ
リングなどによって成膜されたアルミニウムまたはアルミニウム合金の薄膜を、所定の形
状にフォトエッチングすることにより形成される。そして、IDT14は、図示しな接続
パッドに電気的に接続してある。
して示したように、形成間隔(ピッチ)がpとなっている。そして、IDT14を形成し
ているすだれ状電極(電極指26)の実効電極膜厚は、実施形態の場合、IDT14の生
成した弾性表面波の波長をλとしたときに、4.8%λ以上にしてある。ここに、実効膜
厚Tは、図2に示したように、電極指26の膜厚をH、ライン占有率をηとしたときに、
表される。また、ライン占有率ηは、電極指26の幅をL、隣接する電極指26、26の
間隔(スペース)をSとした場合、
を形成するとともに、水晶基板12のカット角を種々変化させて、STカットより周波数
温度特性の優れているカット角が存在するか否かを、有限要素法(FEM)を用いて詳細
に検討した。すなわち、0℃〜70℃の温度範囲で周波数変動量(変動幅)が40ppm
より小さくなるカット角が存在するか否かを検討した。カット角の検討に際しては、オイ
ラー角を(φ,θ,ψ)とした場合に、φ=0°に固定し、θを0°〜180°まで所定
の角度間隔(実施形態においては2°間隔)で変化させるとともに、角θの変化させた値
ごとにψを所定の角度間隔(実施形態においては2°間隔)で0°〜180°まで変化さ
せた。ただし、オイラー角φは、発明者の研究によると、0°±5°の範囲であれば、周
波数変動量が40ppmより小さくなるカット角θ、ψの範囲にほとんど影響を与えない
。
れぞれ水晶結晶の結晶軸を表しており、X軸が水晶結晶の電気軸、Y軸が水晶結晶の機械
軸、Z軸が水晶結晶の光軸を示す。そして、符号30がZ軸に直交したXY平面に平行な
水晶Z板であって、カット角がオイラー角表示で(0°,0°,0°)である。オイラー
角θは、水晶Z板30を図3のX軸まわりに反時計方向に回転させた角度である。このと
きの新たな座標軸をX軸、Y´軸、Z´軸とする。また、オイラー角ψは、XY´面に平
行な水晶板32をZ´軸まわりに、すなわちXY´面内で回転させた角度である。
表面波素子片10は、水晶基板12の2辺がX´軸とY´´軸とに平行であって、弾性表
面波がX´軸に沿って伝播する。なお、図3においては、面内回転角ψが時計方向に回転
させた場合を示しているが、水晶結晶の対称性から、反時計方向に回転させてもよい。
した弾性表面波素子片10において、0℃〜70℃の温度範囲における、周波数変動量(
変動幅)が40ppmより小さくなるカット角を精査した結果を示したものである。前記
したように、オイラー角φは0°に固定してθとψとを0°〜180°変化させている。
図4の横軸はオイラー角ψを度で示し、縦軸がオイラー角θを度で示している。そして、
図4の四角で囲った領域は、周波数変動量が40ppmより小さい新たに見出したカット
角の範囲を示したものである。
±(40°〜55°))の範囲である。ただし、θ=135°は含まない。周波数変動量
が40ppmより小さいカット角が密のところが黒く塗って示してある。領域a内のその
他のところでは、弾性表面波素子片10の0℃〜70℃の温度範囲における周波数変動量
を40ppmより小さくできるカット角が点在している。
±(35°〜40°))の範囲である。ただし、ψ=±40°は含まない。そして、図4
においては、領域bに何も記されていないが、周波数変動量を40ppmより小さくでき
るカット角が点在している。領域cは、水晶基板12のカット角がオイラー角表示で(0
°,110°〜140°,±(5°〜26°))の範囲である。領域dは、水晶基板12
のカット角がオイラー角表示で(0°,80°〜113°,±(26°〜45°))の範
囲である。領域eは、水晶基板12のカット角がオイラー角表示で(0°,30°〜95
°,0°〜±26°)の範囲である。領域fは、水晶基板12のカット角がオイラー角表
示で(0°,20°〜40°,±(70°〜90°))の範囲である。ただし、ψ=±9
0°は含まない。
囲において、周波数の変動量を40ppmより小さくすることができる。したがって、こ
れらの領域のカット角を有する水晶基板12は、STカット水晶板より優れた周波数温度
特性を有することがわかった。したがって、オイラー角表示においてφ=0°であって、
θとψとが上記の領域a〜領域fの範囲内にある水晶板を用いた弾性表面波素子片10は
、非常に高精度な弾性表面波素子片とすることができ、高精度な弾性表面波デバイスを得
ることができる。
Wが高い反射係数で反射される周波数帯域)内となるように構成するが、本発明において
は、共振周波数がストップバンド内であって、かつストップバンド中心よりも高域側(以
下、単にストップバンド高域側という)となるようにSAW共振子を構成することで、さ
らに周波数温度特性を良好にすることができる。そして、例えば、特開平11−2149
58号公報公報に開示されている反射反転型弾性表面波変換器を用いてSAW共振子を構
成すれば、ストップバンド高域側でSAWを強く励振することができ、共振周波数がスト
ップバンド高域側であるSAW共振子を実現することができる。また、複数の共振周波数
を用いた多重モードSAWフィルタを構成する場合、通過帯域を形成する2つの共振モー
ドのいずれもがストップバンド高域側に共振周波数を有するようにすることが望ましい。
模式的に示した断面図である。図5において、共振子40は、弾性表面波素子片10がパ
ッケージ42に収容してある。パッケージ42は、例えばセラミックのグリーンシートを
積層して焼成した箱型のパッケージ本体44と、パッケージ本体44の上部開口を気密に
封止した蓋体46からなっている。蓋体46は、金属板やガラス板、セラミック板などか
らなっており、シーム溶接などによってパッケージ本体44の上端面に接合してある。
着剤50などを介してパッケージ本体44の底面に固着してある。パッケージ本体44の
底面には、実装端子52が設けてある。この実装端子52には、金やアルミニウムなどの
ボンディングワイヤ54を介して、弾性表面波素子片10のIDT14を構成している一
対の櫛型電極22のそれぞれが電気的に接続される。また、実装端子52は、図示しない
スルーホールなどを介して、パッケージ本体44の下面に設けた外部端子56に電気的に
接続してある。外部端子56は、電子機器のマザーボードに設けた配線パターンのランド
などに接合される。
性を示すカット角が存在しているように見えない。しかし、発明者が詳細に検討したとこ
ろ、きわめて周波数温度特性の優れたカット角が存在することがわかった。図6は、領域
gに含まれる一例のカット角の水晶基板を用いて形成したときの、弾性表面波素子片10
の周波数温度特性を計算によって求めたものである。
量であって、周波数変動量をppmで示した。また、周波数温度特性を求めるために使用
した水晶基板のカット角は、オイラー角表示で(0°,42.85°,0.54°)であ
る。そして,IDT14の電極をアルミニウムによって形成した。電極の膜厚Hは9.6
3%λ、IDT14のライン占有率ηは0.757である。したがって、IDT14の実
効膜厚Tは、約14.58%λである。
カット角を有する水晶基板からなる弾性表面波素子片10は、0℃〜70℃の温度範囲に
おいて温度変化に対する周波数変動が4次曲線を示す。そして、25℃における周波数を
基準とした場合に、マイナス側に最大で約0.02ppm、プラス側に最大で約0.01
ppmの周波数変動量を示した。すなわち、図4の領域gには、0℃〜70℃の温度範囲
において、周波数変動量(変動幅)が約0.03ppmというきわめて周波数温度特性の
優れたカット角が存在していることが明らかになった。
示していない部分においても、実効膜厚が4.8%λ以上の条件下において、電極膜厚H
とライン占有率ηとを適宜に設定することにより、従来よりも優れた周波数温度特性が得
られる。その際、ライン占有率ηを0.65よりも大きくする方が周波数温度特性が良好
である。
ない。例えば、前記実施形態においては、IDT14をアルミニウムまたはアルミニウム
合金で形成した場合について説明したが、IDT14はタングステンや銅、金、銀などの
導電性の金属、またはこれらの金属を主成分とする合金によって形成してもよい。また、
前記実施形態においては、共振型の弾性表面波素子片10について説明したが、トランス
バーサル型の弾性表面波素子片であってもよいし、複数のIDTを有していてもよい。
)、16………反射器、22a、22b………櫛型電極、26a、26b………電極指、
40………弾性表面波デバイス(共振子)、H………電極膜厚、L………電極指の幅、S
………電極指の間隔。
Claims (4)
- 水晶基板に設けたすだれ状電極が前記水晶基板に生成した弾性表面波の波長をλとしたときに、前記すだれ状電極の実効膜厚Tが以下の式により定義される弾性表面波素子片であって、
T=H×η÷0.5
η=L/(L+S)
但し、H:電極指の膜厚、η:ライン占有率、L:電極指の幅、S:電極指の間隔
前記実効膜厚Tは、4.8%λ以上且つ14.58%λ以下であり、
前記すだれ状電極は、アルミニウムまたはアルミニウムを主成分とする合金からなり、
前記水晶基板のカット角がオイラー角表示で(0°〜±5°,θ,ψ)とした場合に、θとψとは、
(1)100°≦θ≦140°、 5°≦ψ≦26°或は−26°≦ψ≦−5°
(2) 30°≦θ≦95°、 0°≦ψ≦26°或は−26°≦ψ≦0°
の組合せのいずれかである、
ことを特徴とする弾性表面波素子片。 - 請求項1に記載の弾性表面波素子片において、
前記θは40°〜50°であり、前記ψは0°〜±10°であることを特徴とする弾性表面波素子片。 - 請求項1または2に記載の弾性表面波素子片において、
前記ライン占有率ηは、0.65よりも大きいことを特徴とする弾性表面波素子片。 - 請求項1乃至3の何れか一項に記載の弾性表面波素子片を備えていることを特徴とする
弾性表面波デバイス。
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