JPH0746079A - 高安定弾性表面波素子 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】常温近傍の比較的広い温度範囲に亘って周波数
温度特性を改善し、バルク波を利用するＡＴカットと同
等あるいはそれ以上の周波数温度特性を呈する弾性表面
波素子を提供することを目的とする。 【構成】圧電基板表面近傍を伝搬するＳＨ型弾性表面波
を利用すべく前記圧電基板表面に少なくとも一の比較的
質量の重い金属材料から成るインタディジタルトランス
ジューサ（ＩＤＴ）電極を配設した弾性表面波素子に於
いて、結晶Ｘ軸を回転の中心としてＸＹ平面に対するカ
ットアングルθが２７゜乃至３７゜の範囲となるように
切り出した水晶基板を前記圧電基板として用いたもので
あって、前記ＳＨ型弾性表面波の位相速度伝搬方向と結
晶Ｘ軸との成す面内回転角ψが概ね７５゜≦｜ψ｜＜９
０゜となるよう前記ＩＤＴ電極を構成したもの

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は共振子あるいはフィルタ
として用いる弾性表面波素子、殊に温度変化に対して周
波数変動の少ない高安定弾性表面波素子に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、弾性体の表面付近を伝搬する弾性
表面波（ＳＡＷ：Ｓｕｒｆａｃｅ Ａｃｏｕｓｔｉｃ
Ｗａｖｅ）を利用したエレクトロメカニカル機能素子が
電子・通信機器の分野を中心に共振子あるいはフィルタ
として用いられており、例えば、最近ではページャ、携
帯電話等の移動体通信用フィルタとしての応用も進めら
れている。このような通信の分野に於いては周波数有効
利用の要請から、素子の高周波化並びに温度に対する周
波数の高安定化が強く求められている。

【０００３】周波数温度特性が安定な共振子としてはバ
ルク波を利用したＡＴカット（オイラー角θ＝１２５
゜；３５゜回転Ｙカット）水晶共振子が一般的であり、
図１に示す如く常温近傍を変曲点とする３次曲線の周波
数温度特性を呈し、前記変曲点を中心として比較的広い
温度範囲に亘って温度変化に対する周波数変動率（周波
数温度変化率）を小さくすることが可能であって、−４
０〜８０゜Ｃの温度変化に対し周波数温度変化率が約２
０ｐｐｍとなることが知られている。ところが水晶のバ
ルク波を利用した共振子は温度変化に対する周波数安定
性は優れているものの、その共振周波数が基板の厚さに
反比例するため、高周波用共振子を得ようとすると基板
を薄く加工しなければならず、結果として機械的強度が
低下するため製造が困難となり、基本波振動では数十Ｍ
Ｈｚ程度が高周波化の限界であった。これに対し、弾性
表面波素子はその共振周波数が電極周期で決定するた
め、基本波振動において１ＧＨｚ程度の高周波化が容易
であり、更なる高周波化が期待されている。

【０００４】しかしながら、一般に弾性表面波素子用圧
電基板はＡＴカット水晶に比べて周波数温度特性が著し
く劣ると云う欠点があり、図２に示す如く比較的周波数
温度特性が良好であるとしてＳＡＷ共振子あるいはＳＡ
Ｗフィルタ等に広く用いられているＳＴカット（オイラ
ー角θ＝１３２．７５゜；４２．７５゜回転ＹカットＸ
伝搬）水晶基板を用いた弾性表面波素子の場合であって
も、−４０〜８０゜Ｃの温度変化に対する周波数温度変
化率が約１２０ｐｐｍとＡＴカットに比して６倍もの変
動を呈すると云う欠陥があった。

【０００５】

【発明の目的】本発明は上述した如き従来の弾性表面波
素子の欠点を除去するためになされたものであって、常
温近傍の比較的広い温度範囲に亘って周波数温度特性を
改善し、ＳＴカット水晶を用いた弾性表面波素子よりも
はるかに優れた、望ましくはバルク波を利用するＡＴカ
ットと同等あるいはそれ以上の周波数温度特性を呈する
弾性表面波素子を提供することを目的とする。

【０００６】

【発明の概要】上述の目的を達成するため本発明は、圧
電基板表面近傍を伝搬するＳＨ型弾性表面波を利用すべ
く前記圧電基板表面に少なくとも一の比較的質量の重い
金属材料から成るインタディジタルトランスジューサ
（ＩＤＴ）電極を配設した弾性表面波素子に於いて、結
晶Ｘ軸を回転の中心としてＸＹ平面に対するカットアン
グルθが２７゜乃至３７゜の範囲となるように切り出し
た水晶基板を前記圧電基板として用いたものであって、
前記ＳＨ型弾性表面波の位相速度伝搬方向と結晶Ｘ軸と
の成す面内回転角ψが概ね７５゜≦｜ψ｜＜９０゜とな
るよう前記ＩＤＴ電極を構成したものであって、更には
前記面内回転角ψと前記カットアングルθが実質的に ｜ψ｜＝（１．１θ＋４８）±５ （ｄｅｇ．） 但し、｜ψ｜＜９０゜ を満足するよう構成した、あるいは前記ＳＨ型弾性表面
波の波長をλ、前記ＩＤＴ電極の膜厚をｈとしたとき、
ｈ／λが実質的に０．０１乃至０．０１８となるよう構
成した、あるいは前記ＩＤＴ電極の材料として金を用い
たもの、理想的には圧電基板表面近傍を伝搬するＳＨ型
弾性表面波を利用すべく前記圧電基板表面に金を材料と
する少なくとも一のインタディジタルトランスジューサ
（ＩＤＴ）電極を配設した弾性表面波素子に於いて、結
晶Ｘ軸を回転の中心としてＸＹ平面に対するカットアン
グルθが約３０゜となるように切り出した水晶基板を前
記圧電基板として用いたものであって、前記ＳＨ型弾性
表面波の位相速度伝搬方向と結晶Ｘ軸との成す面内回転
角ψが概ね８１．６゜となるよう前記ＩＤＴ電極を構成
したものであり、前記ＳＨ型弾性表面波の群速度伝搬方
向に沿って前記ＩＤＴ電極を配置したものである。

【０００７】

【実施例】以下、本発明を実施例を示す図面に基づいて
詳細に説明する。本発明は図３に示す如く、互いに直交
する２つの回転Ｙカット水晶基板の一方をＡＴカット基
板１と想定したとき、他方の基板２の表面にＩＤＴ電極
を配設することにより、周波数温度特性の優れたＡＴカ
ット基板１のバルク波と同じ図中黒ヌリの矢印で示す伝
搬方向をもち、この伝搬方向に対し垂直な図中白ヌキの
矢印で示す方向に粒子変位を有するＳＨ型弾性表面波
（例えば、所謂Ｌｏｖｅ波の如き弾性表面波）が存在す
るとの知見に基づきなされたものである。

【０００８】まず、周波数温度特性についての理論的解
析の結果を示し、次いでこれに基づいて行った実験結果
を示す。水晶基板の切断面および表面波の伝搬特性を論
ずる際には、一般にオイラー角を用いる。ここでは図４
に示す如き右手系のオイラー角（φ，θ，ψ）を用い
た。これは図中Ｘ，Ｙ，Ｚを夫々水晶の結晶軸とする
と、第１回転角φはＺ軸を中心に、第２回転角θはφに
よる変換後のＸ軸であるＸ′軸を中心にＸＹ平面を夫々
回転した角度であり、第３回転角ψは前記２つの回転で
決まった平面内でのＸ′軸からの回転角で表面波の伝搬
方向である。このオイラー角を用いて新しい座標系（Ｘ
₁，Ｘ₂，Ｘ₃）に対する材料係数を求めることができ
る。例えば、−６０゜回転ＹカットＺ′伝搬水晶基板の
場合は（０゜，３０゜，９０゜）と表記され、以下θを
カットアングル、ψを面内回転角と称する。

【０００９】回転Ｙカット水晶基板の表面に膜厚ｈの金
属膜を設け、Ｘ₁方向に伝搬するＳＨ型弾性表面波につ
いて解析を行う。この場合ＳＨ型弾性表面波はＸ₂方向
に粒子変位を持つ横波であり、所謂Ｌｏｖｅ波を利用す
るものとする。図５は解析モデルを示す図であって、Ｌ
ｏｖｅ波を励起するには比較的質量の重いＩＤＴ電極を
必要とするため膜厚ｈを有する金属膜の材料として金
（Ａｕ）を用いた場合につき解析を行なった。

【００１０】解析には、水晶基板内並びに金属膜内で夫
々独立の変位および電位を仮定し、各領域で構成方程式 Ｔ_ij＝Ｃ^E _ijklＳ_kl−ｅ_kljＥ_k （１） Ｄ_i＝ε^S _ijＥ_j＋ｅ_ijkＳ_jk （２） 但し、Ｃ^E：電界一定の時の弾性スティフネス定数 Ｔ ：応力 ε^S：ひずみ一定の時の誘電率 ｅ ：圧電定数 Ｅ ：電界 Ｓ ：ひずみ Ｄ ：電束蜜度 およびニュートンの運動方程式

【数１】を用いた。但し、文字上のドットは時間積分
を、コンマはその後の数字の方向への空間積分を表して
いる。さらにガウスの法則 Ｄ_i,j＝０ （ｉ＝１、２、３） （４） をこれらと連立させ、各境界における境界条件を （１）粒子変位が連続であること （２）応力が連続であること （３）電束密度の法線成分が連続であること （４）電位が連続であること として解析を行った。

【００１１】Ｘ₁方向に伝搬する波動の位相速度をＶ、
ＩＤＴの１周期長をＬとするとその中心周波数ｆは、 ｆ＝Ｖ／Ｌ （５） となる。位相速度Ｖは基板と金属膜厚の材料定数によっ
て決まるが、材料定数は温度によって変動するから、結
果としてＶが温度によって変化することとなる。ここ
で、温度によって変化するためＶに影響を及ぼす材料定
数として １）基板材料の弾性定数 ２）基板材料の密度 ３）電極金属膜の弾性定数 ４）電極金属膜の膜厚 ５）電極金属膜の密度 さらに、ＩＤＴの周期Ｌに影響を与えるものとして ６）基板材料の熱膨張 ７）電極金属膜の熱膨張 と云った事項を考慮した。

【００１２】上述の理論式に基づき解析した結果を以下
に示す。まず面内回転角ψが９０゜（Ｚ伝搬）の場合に
ついて解析した結果を図６に示す。同図に於いて横軸は
カットアングルθ、縦軸は伝搬するＳＨ型弾性表面波の
波長λで正規化した膜厚ｈ／λであって、等値線中の数
字は−４０〜８０゜Ｃに於ける周波数温度変化率の変化
量であり、単位はｐｐｍである。尚、斜線で示す部分は
周波数温度変化率が１００ｐｐｍ以下となる領域であ
る。面内回転角ψ＝９０゜の場合はＳＴカットの時と同
様に２次的な曲率の周波数温度特性を呈するものの最適
なカットを選択することにより周波数温度変化量がＳＴ
カットの場合の１／２以下となる。しかしながら、これ
はＡＴカットの周波数温度変化率の約３倍であり、更な
る周波数温度特性の改善をすべく面内回転角ψの条件を
段階的に変化せしめて解析を行った。

【００１３】図７はその結果をまとめたものであって、
横軸にはカットアングルθ、縦軸には面内回転角ψをと
り、各組合せにおいて−４０〜８０゜Ｃでの周波数温度
変化率の変化量が最小となる正規化膜厚ｈ／λをプロッ
トしたものである。同図によれば、カットアングルθが
２７゜乃至３７゜の範囲となるように切り出した水晶基
板において、 ψ≒１．１θ＋４８ （ｄｅｇ．） （６） なる式を満足する場合には、膜厚を適当に選択すれば最
適な周数温度特性が得られる。図８は正規化膜厚ｈ／λ
＝０．０１５の時の−４０〜８０゜Ｃでの周波数温度変
化率の変化量を等値線図として示したもので、等値線上
の数字は周波数温度変化率の変化量であり、単位はｐｐ
ｍである。斜線で示す部分は周波数温度変化率の変化量
がＳＴカット水晶基板を用いた弾性表面波素子のそれよ
り小さい１００ｐｐｍ以下となる領域であって、カット
アングルθが２７゜乃至４２゜の範囲であり、面内回転
角ψが概ね７０゜より大きく９０゜より小さい範囲に存
在する。図９および図１０は、夫々正規化膜厚ｈ／λ＝
０．０１５の時のカットアングルθおよび面内回転角ψ
による−４０〜８０゜Ｃでの周波数温度変化率曲線の違
いを求めたものであり、図１１は両者の結果より最も周
波数温度変化率の少なかったオイラー角（０゜，２９．
９゜，８１．５５゜）なる条件に於いて正規化膜厚ｈ／
λを変化せしめた場合の周波数温度変化率曲線である。
上述した最小となる条件に於いては、ＡＴカットの１／
３以下の約６ｐｐｍ以下と極めて高安定なＳＡＷデバイ
スの実現を示唆するものである。

【００１４】上述の最適条件に対してカットアングルθ
のみを変化させた場合は約±０．８５゜、面内回転角ψ
のみを変化させた場合は約±１．４゜、膜厚のみを変化
させた場合は正規化膜厚ｈ／λにして約±５％と云う比
較的広範囲に亘って、−４０〜８０゜Ｃでの周波数温度
変化率の変化量が３０ｐｐｍ以下となる。このような広
範囲に亘って良好な周波数温度特性が存在するならば、
実際に基板をカットする際、あるいは基板上に電極を形
成する際のマスク合わせにずれが生じた場合であっても
これを許容し十分な周波数温度特性のデバイスを実現す
る上で有利である。従って、従来のＳＴカット水晶基板
を用いた弾性表面波素子の周波数温度特性より優れた特
性を得る為に実質的には ψ＝（１．１θ＋５０）±５ （ｄｅｇ．） 但し、ψ＜９０゜ （７） なる式を満足するよう構成すればよい。

【００１５】明細書が煩雑となるので個別のデータは省
略するが、図７に示す各プロット点に於いて、上述した
正規化膜厚ｈ／λ＝０．０１５の時とほぼ同等の解析結
果を得ることができ、同図より面内回転角ψが９０゜に
近づく若しくはカットアングルθが大きくなるにしたが
って膜厚の最適条件は薄くなる。また、−４０〜８０゜
Ｃでの周波数温度変化率の変化量が３０ｐｐｍ以下とな
るためにカットアングルθ、面内回転角ψ並びに正規化
膜厚ｈ／λがとり得る領域は膜厚が厚いほど広くなり、
膜厚が薄くなるにしたがって狭くなる傾向があった。

【００１６】以上、周波数温度特性のみに着目し、その
解析結果について述べてきたが、ＳＡＷデバイスとして
他の特性、例えば電気機械結合係数（Ｋ²）、パワーフ
ロー角についても考慮する必要がある。ここで、周知の
通り電気機械結合係数は圧電効果の大小を示す量であ
り、弾性表面波素子の基板として利用する上で大きいほ
うが望ましい。図１２は正規化膜厚ｈ／λ＝０．０１５
の時の電気機械結合係数の解析結果を示す等値線図であ
って、実線はＳＨ型弾性表面波の、破線は一般的なレー
リー波の電気機械結合係数を示している。ＳＨ型弾性表
面波の電気機械結合係数はＳＴカット水晶基板の一般的
な値のおよそ２倍と大きく、今回利用するＳＨ型弾性表
面波にとってレーリー波は不要なスプリアス応答となる
ものの、ＳＨ型弾性表面波の電気機械結合係数はレーリ
ー波のそれに比して十分大きく、レーリー波による影響
は少ないと考えられるが、カットアングルθを小さく且
つ面内回転角ψを９０゜に近づけたほうが望ましく、７
５゜以下では弾性表面波素子を構成するのに十分な電気
機械結合係数を得ることが困難であると考えられる。ま
た図示は省略するが膜厚を厚くするほどＳＨ型弾性表面
波の電気機械結合係数が大きく、レーリー波のレスポン
スが小さくなることを見い出した。

【００１７】一方、パワーフロー角は図１３に示す如く
基板上に配設したＩＤＴ電極により励起される弾性表面
波の位相速度の伝搬方向と群速度の伝搬方向とのなす角
度であって、パワーフロー角が大きくなると伝搬損失が
増大する原因となることから零とすることが望ましいと
されている。図１４はパワーフロー角の解析結果を示す
等値線図であって、ＳＨ型弾性表面波の場合は面内回転
角ψが９０゜の時パワーフロー角が零となり、９０゜か
らずれるにしたがってパワーフロー角が大きくなる傾向
を呈する。即ち、電気機械結合係数及びパワーフロー角
の影響を勘案すればカットアングルθを２７゜乃至３７
゜の範囲、面内回転角ψを概ね７５゜より大きく９０゜
より小さい範囲で選ぶことが弾性表面波素子として実用
的であると言えよう。

【００１８】以上の解析結果に基づき、サンプルを試作
し−４０〜８０゜Ｃの温度範囲に於ける周波数温度変化
率の測定を行なった。以下煩雑となるのを避ける意味か
らオイラー角（０゜，３０゜，ψ）の水晶基板（−６０
゜回転Ｙカット水晶基板）上に電極を形成した場合につ
いて説明する。金と水晶基板との付着力が弱いことから
基板上に薄い（数１００オングストロームの）チタンを
蒸着した上に金を蒸着し、これをフォトエッチングする
ことにより電極形成した。ＩＤＴ電極は送・受波用それ
ぞれ６０対と４０対とし、交差幅は２０波長分とした。
また、送・受波用ＩＤＴ間には２０波長分のグレーティ
ングを、両ＩＤＴの外側には５０波長分の一様膜を設け
た。図１５は実験に用いた電極パターンの概略配置図で
あって、パワーフロー角を勘案して群速度伝搬方向に沿
って配置した。

【００１９】図１６は面内回転角ψが８１．５３゜、電
極膜厚が８７２０オングストローム，波長λが５２μ
ｍ、ＩＤＴ電極のピッチに対する電極指の幅の比率ｗ／
ｐが４７％であるサンプルについて、ＩＤＴによる周波
数伝送特性を５０Ω系のネットワーク・アナライザにて
測定した結果である。同図より、ＳＨ型弾性表面波の中
心周波数から約４．５％低い周波数側にレイリー波の応
答が確認できるが、レイリー波の周波数温度変化率に比
してＳＨ型弾性表面波のそれが非常に小さいことがわか
る。

【００２０】図１７は面内回転角ψを８１．６゜とした
サンプルについての周波数温度変化率の変化を示す図で
あり、理論値を示す図１８と同様に電極の膜厚ｈが薄い
場合には周波数温度変化特性は傾きの大きい右下がりの
直線的な変化を示し、膜厚を徐々に厚くするに従って傾
きが小さくなると共に２０゜Ｃ近傍に変曲点をもつ３次
曲線を呈すると云う傾向が見られた。グラフが煩雑とな
るためサンプル数を間引いて示したが、この例では８０
００乃至８６００オングストロームの範囲で−４０〜８
０゜Ｃでの周波数温度変化率の変化量が７０ｐｐｍ以下
となり、特に図中白抜きの三角印で示すサンプルは約２
０ｐｐｍと、目標とするＡＴカット水晶基板に於けるバ
ルク波の場合とほぼ同等の特性が得られた。而してさら
に膜厚を厚くするとこれも理論値と同様に再び右下がり
の直線を呈するようになる。

【００２１】面内回転角ψ、ｗ／ｐ、金薄膜の下地とし
て用いたチタンの膜厚及びマスク精度等の製造上のばら
つきを原因とするサンプル毎の周波数温度変化率のばら
つきも見られたが、これらのばらつきを考慮し補正を行
なってみるとほぼ理論値通りの結果を得ることができ
た。さらに、面内回転角ψを８３．０゜及び８５．０゜
としたサンプルによる実験結果を夫々図１９及び図２０
に示す。この場合も理論値とほぼ同等の結果を得ること
ができた。また、実験結果は省略したがカットアングル
θが３０゜以外の条件についてもほぼ同等の結果が得ら
れることを確認した。

【００２２】尚、以上本発明を面内回転角ψが正の場合
を例に説明してきたが、本発明はこれのみに限定される
ものではなく、結晶の対称性からψを負の方向に回転せ
しめた場合であっても同等の特性が得られることは当然
であり説明するまでもない。即ち、周波数温度変化率の
変化量が１００ｐｐｍ以下であり、電気機械結合係数及
びパワーフロー角の影響を勘案した弾性表面波素子とし
て実用的な領域は、カットアングルθが２７゜乃至４２
゜の範囲で、面内回転角ψが概ね７５゜≦｜ψ｜＜９０
゜となる範囲に存在し、前記（７）式は ｜ψ｜＝（１．１θ＋４８）±５ （ｄｅｇ．） 但し、｜ψ｜＜９０゜ と書き換えることが可能である。また、実施例として水
晶基板上に２つのＩＤＴ電極を形成した弾性表面波共振
子を例に本発明を説明してきたが、本発明はこれのみに
限定されるものではなく、水晶基板上に１つのＩＤＴ電
極とその両側に反射器を配置するタイプあるいは多数の
ＩＤＴ電極を配置しこれらを縦続接続するタイプ等のあ
らゆる弾性表面波素子に適用可能なこと言うまでもな
い。

【００２３】

【発明の効果】本発明は、以上説明した如く構成するも
のであるから、ＳＨ型弾性表面波を利用するＳＡＷデバ
イスを、カットアングルθが２７゜乃至３７゜の範囲と
なるように切り出した水晶基板を前記圧電基板として用
い、面内回転角ψが概ね７５゜≦｜ψ｜＜９０゜となる
よう適宜選択して電極を構成するのみで何ら格別の手段
を講じることなく、ＡＴカット水晶のバルク波と同等の
周波数温度特性を実現可能とする上で著しい効果を奏す
る。

【００２４】

【図面の簡単な説明】

【図１】ＡＴカット水晶共振子の周波数温度特性を示す
図。

【図２】ＳＴカット水晶基板を用いた弾性表面波共振子
の周波数温度特性を示す図。

【図３】ＳＨ型弾性表面波を説明する図。

【図４】オイラー角の定義を示す図。

【図５】解析に用いた解析モデルを示す図。

【図６】オイラー角（０，θ，９０゜）に於ける解析結
果を示す図。

【図７】面内回転角ψを段階的に変化せしめたときの解
析結果を示す図。

【図８】正規化膜厚ｈ／λ＝０．０１５の時の周波数温
度変化率の変化量を等値線図として示した図。

【図９】カットアングルθを段階的に変化せしめたとき
の周波数温度変化率曲線を示す図。

【図１０】面内回転角ψを段階的に変化せしめたときの
周波数温度変化率曲線を示す図。

【図１１】正規化膜厚ｈ／λを段階的に変化せしめたと
きの周波数温度変化率曲線を示す図。

【図１２】正規化膜厚ｈ／λ＝０．０１５の時の電気機
械結合係数の解析結果を等値線図として示した図。

【図１３】パワーフロー角を説明する図。

【図１４】パワーフロー角の解析結果を等値線図として
示した図。

【図１５】電極パターンの概略配置図。

【図１６】周波数伝送特性を測定した結果を示す図。

【図１７】面内回転角ψが８１．６゜のサンプルの周波
数温度変化率曲線を示す図。

【図１８】解析により求めた面内回転角ψが８１．６゜
のときの周波数温度変化率曲線を示す図。

【図１９】面内回転角ψが８３．０゜のサンプルの周波
数温度変化率曲線を示す図。

【図２０】面内回転角ψが８５．０゜のサンプルの周波
数温度変化率曲線を示す図。

Claims (6)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】圧電基板表面近傍を伝搬するＳＨ型弾性表
   面波を利用すべく前記圧電基板表面に少なくとも一の比
   較的質量の重い金属材料から成るインタディジタルトラ
   ンスジューサ（ＩＤＴ）電極を配設した弾性表面波素子
   に於いて、 結晶Ｘ軸を回転の中心としてＸＹ平面に対するカットア
   ングルθが２７゜乃至３７゜の範囲となるように切り出
   した水晶基板を前記圧電基板として用いたものであっ
   て、前記ＳＨ型弾性表面波の位相速度伝搬方向と結晶Ｘ
   軸との成す面内回転角ψが概ね７５゜≦｜ψ｜＜９０゜
   となるよう前記ＩＤＴ電極を構成したことを特徴とする
   高安定弾性表面波素子。
2. 【請求項２】前記面内回転角ψと前記カットアングルθ
   が実質的に ｜ψ｜＝（１．１θ＋４８）±５ （ｄｅｇ．） 但し、｜ψ｜＜９０゜ を満足するよう構成したことを特徴とする請求項１記載
   の高安定弾性表面波素子。
3. 【請求項３】前記ＳＨ型弾性表面波の波長をλ、前記Ｉ
   ＤＴ電極の膜厚をｈとしたとき、ｈ／λが実質的に０．
   ０１乃至０．０１８となるよう構成したことを特徴とす
   る請求項１あるいは請求項２記載の高安定弾性表面波素
   子。
4. 【請求項４】前記ＩＤＴ電極の材料として金を用いたこ
   とを特徴とする請求項１乃至請求項３記載の高安定弾性
   表面波素子。
5. 【請求項５】圧電基板表面近傍を伝搬するＳＨ型弾性表
   面波を利用すべく前記圧電基板表面に金を材料とする少
   なくとも一のインタディジタルトランスジューサ（ＩＤ
   Ｔ）電極を配設した弾性表面波素子に於いて、結晶Ｘ軸
   を回転の中心としてＸＹ平面に対するカットアングルθ
   が約３０゜となるように切り出した水晶基板を前記圧電
   基板として用いたものであって、前記ＳＨ型弾性表面波
   の位相速度伝搬方向と結晶Ｘ軸との成す面内回転角ψが
   概ね８１．６゜となるよう前記ＩＤＴ電極を構成したこ
   とを特徴とする高安定弾性表面波素子。
6. 【請求項６】前記ＳＨ型弾性表面波の群速度伝搬方向に
   沿って前記ＩＤＴ電極を配置したことを特徴とする請求
   項１乃至請求項５記載の高安定弾性表面波素子。