CN109075770B - 复合基板以及使用其的弹性波元件 - Google Patents

Abstract

一种复合基板(1)，具备：第1基板(10)，包含压电单晶体；和第2基板(20)，包含与所述第1基板10接合的硅单晶体，所述第2基板(20)的面取向为(111)，使欧拉角(

θ，ψ)的ψ从0°偏离。由此，能够减少特定频带的体波寄生。

Description

复合基板以及使用其的弹性波元件

技术领域

本发明涉及复合基板以及使用其的弹性波元件。

背景技术

以往，已知以改善电特性为目的，在将支承基板与压电基板贴合而成的复合基板设置电极来制作弹性波元件。这里，弹性波元件例如被用作为移动电话等通信设备中的带通滤波器。此外，已知复合基板使用铌酸锂、钽酸锂来作为压电基板，使用硅、石英、陶瓷等来作为支承基板(例如，参照JP特开2006-319679号公报)。

发明内容

-发明要解决的课题-

然而，近年来，伴随着用于移动体通信的移动终端装置的小型化、轻型化的发展，为了实现高通话质量，进一步需要具备较高电特性的弹性波元件。例如，为了降低输入输出信号向相邻信道的泄漏，需要通带外的特定频带下的衰减特性优良的弹性波元件。

本公开鉴于这样的课题而作出，提供一种用于提供电特性优良的弹性波元件的复合基板、以及使用其的弹性波元件。

-解决课题的手段-

本公开的复合基板具备：第1基板，包含压电单晶体；和第2基板，包含与所述第1基板接合的硅单晶体。所述第2基板的面取向为(111)，使欧拉角(

θ，ψ)的ψ从0°偏离。

本公开的复合基板具备：第1基板，包含压电单晶体；和第2基板，包含与所述第1基板接合的硅单晶体。所述第2基板的面取向为(110)、(100)或者(211)的任意一者。

本公开的弹性波元件具备：上述的任意一者所述的复合基板；和IDT电极，形成于所述复合基板的所述第1基板的上表面。

-发明效果-

通过上述的复合基板，能够提供电特性优良的弹性波元件。

附图说明

图1中的(a)是本公开所涉及的复合基板的俯视图，图1中的(b)是图1中的(a)的部分断裂立体图。

图2是本公开所涉及的弹性表面波元件的说明图。

图3中的(a)是表示实施例以及比较例所涉及的弹性波元件的频率特性的线图，图3中的(b)是图3中的(a)的主要部分放大图。

图4中的(a)、(b)分别是表示实施例以及比较例所涉及的弹性波元件的频率特性的线图。

图5是表示实施例以及比较例所涉及的弹性波元件的频率特性的线图。

图6是表示实施例以及比较例所涉及的弹性波元件的频率特性的线图。

图7是表示实施例以及比较例所涉及的弹性波元件的频率特性的线图。

图8A是将使硅晶体的欧拉角变化时的体波寄生的相位的最大值等高线表示的图。

图8B是将使硅晶体的欧拉角变化时的体波寄生的相位的最大值等高线表示的图。

图8C是将使硅晶体的欧拉角变化时的体波寄生的相位的最大值等高线表示的图。

图8D是将使硅晶体的欧拉角变化时的体波寄生的相位的最大值等高线表示的图。

图8E是将使硅晶体的欧拉角变化时的体波寄生的相位的最大值等高线表示的图。

图8F是将使硅晶体的欧拉角变化时的体波寄生的相位的最大值等高线表示的图。

图8G是将使硅晶体的欧拉角变化时的体波寄生的相位的最大值等高线表示的图。

图8H是将使硅晶体的欧拉角变化时的体波寄生的相位的最大值等高线表示的图。

图8I是将使硅晶体的欧拉角变化时的体波寄生的相位的最大值等高线表示的图。

图8J是将使硅晶体的欧拉角变化时的体波寄生的相位的最大值等高线表示的图。

图8K是将使硅晶体的欧拉角变化时的体波寄生的相位的最大值等高线表示的图。

图8L是将使硅晶体的欧拉角变化时的体波寄生的相位的最大值等高线表示的图。

具体实施方式

以下，使用附图来对本公开的复合基板、弹性波元件的一个例子详细进行说明。

(复合基板)

如图1所示，本实施方式的复合基板1是所谓的贴合基板，由第1基板10、和接合于第1基板10的第2基板20构成。这里，图1中的(a)表示复合基板1的俯视图，图1中的(b)表示将复合基板1的一部分断裂的立体图。

第1基板10由包含压电材料的、包含铌酸锂(LiNbO₃)晶体或者钽酸锂(LiTaO₃)晶体且具有压电性的单晶体的基板构成。具体而言，例如，第1基板10由36°～48°Y-X切割的LiTaO₃基板(以下，称为LT基板)构成。

第1基板10的厚度是恒定的，可以根据弹性波元件所被应用的技术领域、弹性波元件所要求的规格等来适当地设定。作为一个例子，第1基板10的厚度为0.3μm～30μm。第1基板10的平面形状以及各种尺寸也可以适当地设定。

第2基板20例如由热膨胀系数比第1基板10的材料小的材料形成。因此，若产生温度变化，则在第1基板10产生热应力，此时，弹性常数的温度依存性与应力依存性抵消，由此，能补偿弹性波元件的电特性的温度变化。作为这种材料，例如能够举例蓝宝石等单晶体、硅等半导体以及氧化铝质烧结体等陶瓷。在本公开中，作为第2基板20，使用单晶体硅。针对硅的晶体取向以及取向平面角，后面进行叙述。

第2基板20的厚度例如恒定，可以与第1基板10的厚度同样地适当设定。但是，第2基板20的厚度是考虑第1基板10的厚度来设定的，以使得适当地进行温度补偿。作为一个例子，相对于第1基板10的厚度1～30μm，第2基板15的厚度为50～300μm。第2基板20的平面形状以及各种尺寸也可以设为与第1基板10相同。

第1基板10以及第2基板20也可以在利用等离子体、离子枪、中子枪等对粘接面进行活性化处理后通过不夹着粘接层地进行贴合、即所谓的直接接合而被贴合。换言之，第1基板10与第2基板20的接合面具备可直接接合的平坦度。一般地，可直接接合的接合面的算术平均粗糙度小于5nm。通过将具有这种接合面的基板彼此接合，从而与所谓的经由树脂、金属等接合层而接合的做法不同，两基板彼此的晶面彼此接触，声学边界变得明确。

在将两基板贴合时，使取向平面一致来进行贴合。

(弹性波元件)

并且，复合基板1被划分为图2所示那样的多个区域，其中的一个区域分别成为弹性波元件30。具体而言，将复合基板1按照每个各区域切割并单片化并设为弹性波元件30。弹性波元件30在第1基板10的上表面形成有激励弹性表面波的IDT电极31。IDT电极31具有多根电极指32，弹性波沿着其排列方向传播。这里，该排列方向与第1基板10的压电晶体的X轴大致平行。

弹性波元件30通过使用复合基板1，能够抑制温度变化引起的频率特性(电特性)变化。另一方面，第1基板10较薄、并且将第2基板20贴合，从而在弹性波元件30中，在第1基板10的下表面，体波反射并产生体波寄生。若该体波寄生在将多个IDT电极31组合而构成了滤波器时的通带的2倍的频带(以下，可能称为2f频带。)产生，则高频信号产生失真。因此，希望使2f频带中的体波寄生较小或者没有。

经过对这种2f频带的体波寄生仔细研究，发明人发现：通过在将第2基板20的晶面与取向平面的取向设定为特定的关系的状态下与第1基板10贴合，从而能够减少2f频带的体波寄生。另外，所谓第2基板20的“调整取向平面的取向”，是指变更欧拉角(

θ，ψ)的ψ来使其旋转，也是使第2基板20相对于第1基板10的取向平面角旋转，也是变更硅晶体相对于第1基板10的压电晶体的X轴的方向。因此，以下，存在通过欧拉角的ψ来标记“调整取向平面的取向”，或者通过硅晶体相对于第1基板10的X轴所成的角度来表示“调整取向平面的取向”的情况。

(复合基板1的实施方式)

以下，对能够减少2f频带的体波寄生的复合基板1的结构例进行说明。首先，作为第2基板20，使用将硅的面取向设为(111)、将取向平面的取向设为从通常的{110}起以60°±15°的角度旋转所得的取向的基板。另外，{110}表示取向，并不统一表示与(110)面等效的面。

这里，例如使其旋转了60°，若通过欧拉角来表示第2基板20的晶体取向，则为(-45°，-54.7°，60°)。此外，第1基板10的取向平面被设置为与弹性波的传播方向正交，因此接合第2基板20以使得硅的晶体的取向{110}的法线相对于作为弹性波的传播方向的压电晶体的X轴倾斜60°。另外，第1基板10的取向平面与弹性波的传播方向(LT基板的X轴方向)正交。

若使用这种复合基板1来构成弹性波元件30，则能够减少2f频带中的体波寄生的强度。以下验证其效果。

在本公开的复合基板1形成IDT电极31以及设置为夹着IDT电极31的反射器并制作弹性波元件30的模型，进行了模拟。制作出的弹性波元件30的基本结构模型如下。

[第1基板10]

材料：42°Y切割X传播LiTaO₃基板

取向平面：与压电晶体的X轴正交的方向

厚度：2μm

[IDT电极31]

材料：Al-Cu合金

(其中，与第1基板10之间存在6nm的包含Ti的基底层。)

厚度(Al-Cu合金层)：131.5nm

IDT电极31的电极指32：

(根数)200根

(间距)0.791μm

(占空比)0.65

(交叉宽度)20λ(λ＝2×间距)

[反射器]

材料：Al-Cu合金

(其中，与第1基板10之间存在6nm的包含Ti的基底层)

厚度(Al-Cu合金层)：131.5nm

反射电极指的根数：30根

反射电极指的交叉宽度：20λ(λ＝2×间距)

反射电极指的间距：0.791μm

[覆盖IDT电极31以及反射器的保护层]

材料：SiO₂

厚度：15nm

[第2基板20]

材料：硅单晶体

厚度：230μm

晶体取向：(111)

作为本实施方式的弹性波元件30，制作变更了第2基板20的取向平面角的模型并进行了模拟。此外，作为比较例，针对将第2基板20的硅基板设为一般流通的取向平面的取向的元件，制作模型并进行了模拟。具体而言如下。

实施例1：欧拉角

实施例2：欧拉角

实施例3：欧拉角

实施例4：欧拉角

实施例5：欧拉角

实施例6：欧拉角

比较例1：欧拉角

比较例1的取向平面的取向为{110}。

图3中表示针对实施例1～6和比较例1的频率的阻抗特性。在图3中，纵轴为阻抗(单位：°)，横轴表示频率(单位：MHz)。图3中的(a)是表示包含谐振频率、反谐振频率的较宽频率范围的特性的图，图3中的(b)是图3中的(a)的局部放大图，表示2f频带的特性。

根据图3能够确认，相对于比较例1，实施例1～6的2f频带的体波寄生的强度减少。综上，在使用(111)面的硅来作为第2基板20时，通过进行旋转以使得欧拉角的ψ从0°起变更，能够提供一种减少2f频带的体波寄生的强度并且电特性优良的弹性波元件10。此外，在将欧拉角的ψ设为60°±15°的范围时，能够进一步减少2f频带的体波寄生。

另外，由于硅的晶体具有旋转对称性，因此在使ψ增加到超过90°时，也会产生体波寄生的强度变化。具体而言，确认例如将ψ设为-60°时也同样地能够减少体波寄生。

接下来，为了确认第1基板10的切割角的影响，使用38.7°Y切割X传播基板和46°Y切割X传播基板，其他的结构与上述相同而制作了模型并进行了验证。

具体而言，作为实施例1-2～实施例6-2以及比较例1-2，除了将第1基板10设为38.7°Y切割X传播基板这方面以外，制作了与实施例1～6、比较例1相同的结构的模型。同样地，作为实施例1-3～实施例6-3以及比较例1-3，除了将第1基板10设为46°Y切割X传播基板这方面以外，制作与实施例1～6、比较例1相同的结构的模型。

图4中的(a)、(b)中表示其结果。图4是相当于图3中的(b)的图，图4中的(a)表示针对实施例1-2～实施例6-2以及比较例1-2的频率的阻抗特性，图4中的(b)表示针对实施例1-3～实施例6-3以及比较例1-3的频率的阻抗特性。

根据其结果也能够确认，即使改变第1基板10的切割角，也表示与实施例1～6、比较例1相同的趋势。即，通过进行旋转以使得欧拉角的ψ从0°起变更，能够提供一种减少2f频带的体波寄生的强度并且电特性优良的弹性波元件10，特别是将欧拉角的ψ设为60°±15°的范围时，能够进一步减少2f频带的体波寄生。

综上，确认了：能够通过不取决于第1基板10的切割角地改变硅晶体相对于压电晶体的X轴的角度，来减少2f频带的体波寄生，其结果，能够提高弹性波元件1的频率特性。

<另一实施方式>

对能够减少2f频带的体波寄生的另一复合基板1的结构例进行说明。首先，作为第2基板20，将硅的面取向变更为(100)、(110)、(211)，将取向平面的取向设为通常的{110}。即，使硅晶体的{110}的法线与压电晶体的X轴一致。

若使用这种复合基板1来构成弹性波元件30，则能够减少2f频带中的体波寄生的强度。以下验证其效果。

在本公开的复合基板1形成IDT电极31以及设置为夹着IDT电极31的反射器而制作弹性波元件30的模型并进行了模拟。制作出的弹性波元件30的基本结构模型如上述那样。此外，作为使用了上述以外的晶面的第2基板20时的比较例，针对将硅的面取向设为(113)的情况也制作了模型。具体而言如下。

实施例7：面取向(100)，

实施例8：面取向(110)，

实施例9：面取向(211)，

比较例2：面取向(113)，

图5中表示针对实施例7～9和比较例1、2的频率的阻抗特性。在图5中，纵轴为阻抗(单位：°)，横轴表示频率(单位：MHz)。图5是表示包含谐振频率、反谐振频率的较宽频率范围的特性的图。

根据图5可知，相对于比较例1、2，实施例7～9的2f频带的体波寄生的强度减少。另外，确认了：在实施例7的面取向(100)的情况下，将ψ设为-135°时和设为45°时得到同等的结果。此外，根据硅晶体的对称性推论，面取向(100)的情况和(010)、(001)的情况表示同等的结果。综上，在使用(100)、(110)、(211)面的硅来作为第2基板20时，能够提供减少2f频带的体波寄生的强度并且电特性优良的弹性波元件10。

另外，针对比较例1、2以及实施例7～9，验证了变更第1基板10的切割角的情况下的特性变化。具体而言，作为第1基板10，使用38.7°Y切割X传播基板和46°Y切割X传播基板，其他的结构与上述同样地制作模型并进行验证。

其结果，确认了即使改变第1基板10的切割角，也表示与实施例7～9、比较例1、2相同的趋势。综上，确认了不取决于第1基板10的切割角地，能够通过改变硅晶体相对于压电晶体的面取向，减少2f频带的体波寄生，其结果，能够提高弹性波元件1的频率特性。

另外，在第1基板10的切割角为37.8°时，与42°、46°时相比，体波寄生的强度变大。因此，考虑到第1基板10的机电耦合系数等，也可以将切割角设为42°。

<其他的实施方式>

对能够减少2f频带的体波寄生的其他复合基板1的结构例进行说明。首先，作为第2基板30，将硅的面取向设为(110)，变更了取向平面的取向。具体而言，相比于实施例8，如以下那样使欧拉角的ψ变化。

实施例10：

实施例11：

实施例12：

实施例13：

实施例14：

实施例15：

图6中表示针对实施例8以及实施例10～15的频率的阻抗特性。在图6中，纵轴为阻抗(单位：°)，横轴表示频率(单位：MHz)。图6是相当于图3中的(b)的图，表示2f频带的特性。

根据图6可知，实施例8以及实施例10～15的2f频带的体波寄生的强度均相比于比较例1有所减少。此外，确认了：若使硅晶体在面内旋转并改变ψ，则相比于45°～60°，在0°～15°的情况下能够进一步减小体波寄生的强度。若从硅晶体的对称性考虑，确认了：在设为-15°～15°时，特别能够进一步减小体波寄生的强度。

此外，确认了：若使其旋转75°～90°，则能够使体波寄生的峰值位置向低频率侧偏移。具体而言，确认了：在旋转90°时能够使其移动90MHz。若从硅晶体的对称性考虑，确认了：在将ψ设为75°～115°时，能够使寄生偏移。

综上，在使用面取向(110)的硅晶体作为第2基板20的情况下，通过将欧拉角设为-15°～15°，能够特别降低体波寄生的强度。该角度表示{110}的法线相对于第1基板10的压电晶体的X轴倾斜15°以下。

此外，确认了：在使用面取向(110)的硅晶体来作为第2基板20的情况下，通过将欧拉角的ψ设为90°±15°的范围，能够使体波寄生向低频率侧偏移。

另外，针对实施例8以及实施例10～15，验证了变更第1基板10的切割角的情况下的特性变化。具体而言，作为第1基板10，使用38.7°Y切割X传播基板和46°Y切割X传播基板，其他的结构与上述相同而制作模型并进行验证。

其结果，确认了：即使改变第1基板10的切割角，也表示与8以及实施例10～15相同的趋势。综上，确认了：能够通过不取决于第1基板10的切割角地改变硅晶体相对于压电晶体的面取向，从而减少2f频带的体波寄生，其结果，能够提高弹性波元件1的频率特性。

<其他的实施方式>

对能够减少2f频带的体波寄生的其他复合基板1的结构例进行说明。首先，作为第2基板30，将硅的面取向设为(100)，变更了取向平面的取向。具体而言，使与实施例7同等的欧拉角的ψ如以下那样从45°起进行变化。

实施例16：

实施例17：

实施例18：

实施例19：

实施例20：

实施例21：

图7中表示针对实施例7以及实施例16～21的频率的阻抗特性。在图7中，纵轴为阻抗(单位：°)，横轴表示频率(单位：MHz)。图7是相当于图3中的(b)的图，表示2f频带的特性。

根据图7可知，实施例7以及实施例16～21的2f频带的体波寄生的强度均相比于比较例1有所减少。此外，确认了若使硅晶体在面内旋转来改变ψ、则从45°偏离，由此能够进一步减小体波寄生的强度。

此外，确认了：通过将ψ设为0°、90°，能够使体波寄生的峰值位置向低频率侧偏移。具体而言，确认了在将ψ设为90°时能够使其移动80MHz。确认了：若从硅晶体的对称性考虑，则将ψ设为0°、90°、180°、270°时能够使寄生偏移。

综上，在使用面取向(100)的硅晶体来作为第2基板20的情况下，通过将欧拉角从45°偏离，从而能够使体波寄生的强度降低。

此外，确认了：通过将欧拉角的ψ设为0°、90°，从而能够使体波寄生向低频率侧偏移。

另外，针对实施例7以及实施例16～21，验证了对第1基板10的切割角进行变更后的情况下的特性变化。具体而言，作为第1基板10，使用38.7°Y切割X传播基板和46°Y切割X传播基板，其他的结构与上述相同而制作模型并进行验证。

其结果，确认了：即使改变第1基板10的切割角，也表示与7以及实施例16～21相同的趋势。综上，确认了：能够通过不取决于第1基板10的切割角地改变硅晶体相对于压电晶体的面取向，从而减少2f频带的体波寄生，其结果，能够提高弹性波元件1的频率特性。

此外，对使第2基板20的硅晶体的欧拉角变化时的2f频带(5GHz)的体波寄生进行了模拟。具体而言，作为第1基板10，使用厚度2.2μm的42°切割的LT基板，将电极指32的间距设为0.78μm，将Duty设为0.5的情况下，改变第2基板20的欧拉角并进行了模拟。图8A～图8L是将各欧拉角中的体波寄生的相位的最大值等高线描绘后的图。在图8中，表示相位较小的欧拉角的组合是能够抑制2f频带的体波寄生的结构。根据该图可知，随着欧拉角的旋转，与

θ、ψ的各方向一起，寄生强度重复周期性的变化，通过这些组合，能够看到能减小体波寄生的极小点。

根据图8的结果可知，在欧拉角

的情况((100)面ψ0旋转的情况)下，通过将ψ0(即，相对于LT基板的旋转角)设为90°，能够减小寄生。

同样地，在欧拉角

的情况((110)面ψ1旋转的情况)下，通过将ψ1设为20°能够减小寄生。

进一步地，在欧拉角

的情况((111)面ψ2旋转的情况)下，通过将ψ2设为0°、120°能够减小寄生。

这里，对图8中的寄生强度的强弱与上述的各实施例的各欧拉角中的寄生强度的强弱一致的情况进行说明。

在0°～180°的角度的范围内可表示各实施例的晶面的欧拉角的等效的面如下。若将实施例中的ψ的值设为ψx，则(111)面的欧拉角

在实施例中为(-45，-54.7，ψx)，而与其等效的面为(135，54.7，ψx+120)。同样地，(110)面为(135，90，ψx)，(210)面为(116.57，65.9，ψx+180)，(113)面为(135，25.2，ψx+180)。

例如，若针对使用硅(Si)的(111)面的情况进行验证，则实施例4的欧拉角

的0°～180°的角度下的等效的面为欧拉角

能够确认为相位较小的区域。同样地，能够确认与比较例1的欧拉角

等效的面(135，54.7，60)的相位特性不良。即，图3与图8J的结果一致。

接下来，若针对使用硅(Si)的(100)面的情况进行验证，则实施例7的欧拉角

的0°～180°的角度下的等效的面为欧拉角

能够确认为相位相比于比较例较小的区域。但是，若相比于其他面，则相位特性未异常地改善而是平均的，因此其中通过将ψ设为15、75、100°(实施例17、20)，能够确认改善了相位特性。即，图7与图8G的结果一致。

进一步地，若针对使用硅(Si)的(110)面的情况进行验证，则实施例7、8、14的欧拉角

的0°～180°的角度下的等效的面的欧拉角

能够确认在实施例8(即，ψ＝0°)中为相位最小的区域。即，图6与图8J的结果一致。

另外，在欧拉角中，最能够减少寄生的组合为欧拉角

这里，硅(Si)晶体是立方晶，在与上述欧拉角等效的欧拉角，也可以说能够基本同样地减少寄生。

接下来，针对变更了电极指的间距、LT基板的切割角的情况同样地进行了模拟。具体而言，针对将电极指32的间距设为0.8μm、其他的条件相同(作为第1基板10，使用厚度2.2μm的42°切割的LT基板，将电极指32的Duty设为0.5)的情况，改变第2基板20的欧拉角来进行了模拟。此外，针对将LT基板的切割角设为46°、其他的条件相同(作为第1基板10，使用厚度2.2μm的LT基板，将电极指32的间距设为0.78μm，将Duty设为0.5)的情况，改变第2基板20的欧拉角来进行了模拟。

其结果，即使变更电极指的间距、LT基板的切割角也能够减小相位的欧拉角的趋势相同。综上，确认了能够通过不取决于切割角、电极指间距地调整第2基板的欧拉角来抑制损耗的产生。

此外，认为在第1基板10(本例中为LT基板)与Si单晶体的界面产生的体波振动模式为上述的Si晶体的欧拉角引起的体波寄生的变动的原因。因此，认为寄生的强度仅根据LT基板(第1基板10)与Si单晶体的界面附近的结构而变化，上述的关系与LT基板(第1基板10)的厚度等无关地成立。

-符号说明-

1：复合基板

10：第1基板

20：第2基板

30：弹性波元件

31：IDT电极。

Claims (8)

1.一种复合基板，具备：

第1基板，包含压电单晶体；和

第2基板，包含与所述第1基板接合的硅单晶体，

所述第2基板的面取向为(111 )，将与所述第1基板的所述压电单晶体的X轴平行的方向作为该第2基板的欧拉角

的ψ＝0°的方向，将ψ设为从0°偏离的第1角度，或者

所述第2基板的面取向为与(111)等效的取向，将相对于所述第1基板的所述压电单晶体的X轴的该第2基板的欧拉角

的ψ设为与所述第1角度等效的角度。

2.根据权利要求1所述的复合基板，其中，

所述第2基板的面取向为(111)，将与所述第1基板的所述压电单晶体的X轴平行的方向作为该第2基板的欧拉角

的ψ＝0°的方向，将ψ设为60°±15°或-60°±15°的范围内的所述第1角度，或者

所述第2基板的面取向为与(1 11)等效的取向，将相对于所述第1基板的所述压电单晶体的X轴的该第2基板的欧拉角

的ψ设为与所述第1角度等效的角度。

3.根据权利要求1所述的复合基板，其中，

所述第2基板的面取向为(111)，所述第2基板的{110}的法线相对于所述第1基板的所述压电单晶体的X轴以60°±15°或-60°±15°的第1范围倾斜，或者

所述第2基板的面取向为与(111)等效的取向，所述第2基板的{110}的法线相对于所述第1基板的所述压电单晶体的X轴以与所述第1范围等效的范围倾斜。

4.一种复合基板，具备：

第1基板，包含压电单晶体；和

第2基板，包含与所述第1基板接合的硅单晶体，

将所述第2基板的硅单晶体的面取向变更为(211)或与(211)等效的取向中的任意一者，以使得所述硅单晶体的{110}的法线与所述压电单晶体的X轴一致。

5.一种复合基板，具备：

第1基板，包含压电单晶体；和

第2基板，包含与所述第1基板接合的硅单晶体，

所述第2基板的面取向为(110)，将与所述第1基板的所述压电单晶体的X轴平行的方向作为该第2基板的欧拉角

的ψ＝0°的方向，将ψ设为0°±15°的范围内的从0°偏离的第1角度，或者

所述第2基板的面取向为与(110)等效的取向，将相对于所述第1基板的所述压电单晶体的X轴的该第2基板的欧拉角

的ψ设为与所述第1角度等效的角度。

6.一种复合基板，具备：

第1基板，包含压电单晶体；和

第2基板，包含与所述第1基板接合的硅单晶体，

所述第2基板的面取向为(110)，所述第2基板的{110}的法线相对于所述第1基板的所述压电单晶体的X轴以0°±15°的范围内的第1角度倾斜，或者

所述第2基板的面取向为与(110)等效的取向，所述第2基板的{110}的法线相对于所述第1基板的所述压电单晶体的X轴以与所述第1角度等效的角度倾斜。

7.根据权利要求1～6的任意一项所述的复合基板，其中，

所述第1基板与所述第2基板的接合面是所述压电单晶体的晶面与所述硅单晶体的晶面直接接触。

8.一种弹性波元件，具备：

权利要求1～7的任意一项所述的复合基板；和

IDT电极，形成于所述复合基板的所述第1基板的上表面。

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