JP6950659B2 - 電子部品モジュール - Google Patents
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Description
本発明は、一般に電子部品モジュールに関し、より詳細には、弾性波装置と、この弾性波装置が実装される実装基板とを有する電子部品モジュールに関する。
従来、弾性波装置として、支持基板上に、圧電薄膜を含む積層膜が積層されている弾性波装置が知られている（例えば、特許文献１参照）。
特許文献１に記載された弾性波装置は、支持基板と、圧電薄膜等の圧電膜と、ＩＤＴ電極と、絶縁層と、配線電極と、支持層等のスペーサ層と、カバー部材と、アンダーバンプメタル層等の貫通電極と、金属バンプ等の外部接続電極と、を備える。
そして、特許文献１には、外部接続電極を形成する工程において圧電膜の割れや欠けが生じ難い旨が記載されている。
特許文献１に記載された弾性波装置では、外部接続電極を形成する工程において圧電膜の割れや欠けが生じ難いというメリットがある。しかしながら、実装基板に上記弾性波装置を実装した電子部品モジュールでは、支持基板の線膨張係数と実装基板の線膨張係数とが異なることが多いので、支持基板にクラックが発生する場合がある、という問題があった。
本発明の目的は、圧電膜の割れや欠けを抑制し、かつ、支持基板のクラックの発生を抑制することが可能な電子部品モジュールを提供することにある。
本発明の一態様に係る電子部品モジュールは、弾性波装置と、実装基板と、を有する。前記実装基板には、前記弾性波装置が実装されている。前記弾性波装置は、支持基板と、圧電膜と、ＩＤＴ電極と、絶縁層と、配線電極と、外部接続電極と、を備える。前記支持基板は、結晶基板からなる。前記圧電膜は、前記支持基板上に直接又は間接的に形成されている。前記ＩＤＴ電極は、前記圧電膜上に形成されている。前記絶縁層は、前記支持基板上に形成されている。前記配線電極は、少なくとも一部が前記絶縁層上に形成されている。前記配線電極は、前記ＩＤＴ電極と電気的に接続されている。前記外部接続電極は、前記配線電極と電気的に接続されている。前記外部接続電極と前記圧電膜は、前記支持基板の厚さ方向から平面視した場合に、重なっていない。前記弾性波装置は、前記外部接続電極を介して前記実装基板に実装されている。前記実装基板は、前記支持基板の線膨張係数と異なる線膨張係数を有している。前記絶縁層の線膨張係数と前記支持基板の線膨張係数の差は、前記圧電膜の線膨張係数と前記支持基板の線膨張係数の差よりも大きい。前記支持基板における前記圧電膜側の面が｛１００｝面である。
本発明の一態様に係る電子部品モジュールは、弾性波装置と、実装基板と、を有する。前記実装基板には、前記弾性波装置が実装されている。前記実装基板は、プリント配線基板又はＬＴＣＣ基板からなる。前記弾性波装置は、支持基板と、圧電膜と、ＩＤＴ電極、絶縁層と、配線電極と、外部接続電極と、を備える。前記圧電膜は、前記支持基板上に直接又は間接的に形成されている。前記ＩＤＴ電極は、前記圧電膜上に形成されている。前記絶縁層は、前記支持基板上に形成されている。前記配線電極は、少なくとも一部が前記絶縁層上に形成されている。前記配線電極は、前記ＩＤＴ電極と電気的に接続されている。前記外部接続電極は、前記配線電極と電気的に接続されている。前記外部接続電極と前記圧電膜は、前記支持基板の厚さ方向から平面視した場合に、重なっていない。前記弾性波装置は、前記外部接続電極を介して前記実装基板に実装されている。前記絶縁層の線膨張係数と前記支持基板の線膨張係数の差は、前記圧電膜の線膨張係数と前記支持基板の線膨張係数の差よりも大きい。前記支持基板は、シリコン基板、ゲルマニウム基板又はダイヤモンド基板である。前記支持基板における前記圧電膜側の面が、｛１００｝面である。
本発明の一態様に係る電子部品モジュールは、圧電膜の割れや欠けを抑制し、かつ、支持基板のクラックの発生を抑制することが可能となる。
以下、実施形態１〜５に係る電子部品モジュールについて、図面を参照して説明する。
以下の実施形態１〜５等において参照する図１〜７は、いずれも模式的な図であり、図中の各構成要素の大きさや厚さそれぞれの比が、必ずしも実際の寸法比を反映しているとは限らない。
（実施形態１）
（１．１）電子部品モジュールの全体構成
以下、実施形態１に係る電子部品モジュール１００について、図面を参照して説明する。
（１．１）電子部品モジュールの全体構成
以下、実施形態１に係る電子部品モジュール１００について、図面を参照して説明する。
実施形態１に係る電子部品モジュール１００は、図１及び２に示すように、弾性波装置１と、実装基板２と、を有する。実装基板２には、弾性波装置１が実装されている。図１における弾性波装置１は、図２のＸ−Ｘ線断面に対応する断面図である。図２では、後述のカバー部材１８（図１参照）の図示を省略してある。
弾性波装置１は、支持基板１１と、圧電膜１２２と、ＩＤＴ（Interdigital Transducer）電極１３と、絶縁層１６と、配線電極１５と、複数（２つ）の外部接続電極１４２と、を備える。圧電膜１２２は、支持基板１１上に形成されている。ここにおいて、弾性波装置１では、圧電膜１２２は、支持基板１１上に間接的に形成されている。ＩＤＴ電極１３は、圧電膜１２２上に形成されている。ここにおいて、「圧電膜１２２上に形成されている」とは、圧電膜１２２上に直接的に形成されている場合と、圧電膜１２２上に間接的に形成されている場合と、を含む。絶縁層１６は、支持基板１１上に形成されている。ここにおいて、「支持基板１１上に形成されている」とは、支持基板１１上に直接的に形成されている場合と、支持基板１１上に間接的に形成されている場合と、を含む。配線電極１５は、少なくとも一部が絶縁層１６上に形成されており、ＩＤＴ電極１３と電気的に接続されている。ここにおいて、「絶縁層１６上に形成されている」とは、絶縁層１６上に直接的に形成されている場合と、絶縁層１６上に間接的に形成されている場合と、を含む。外部接続電極１４２は、配線電極１５と電気的に接続されている。外部接続電極１４２と圧電膜１２２は、支持基板１１の厚さ方向から平面視した場合に、重なっていない。外部接続電極１４２は、配線電極１５と電気的に接続されている。弾性波装置１は、外部接続電極１４２を介して実装基板２に実装されている。弾性波装置１は、支持基板１１とＩＤＴ電極１３との間において支持基板１１上に形成され少なくとも圧電膜１２２を含む機能膜１２を備えている。
また、弾性波装置１は、スペーサ層１７と、カバー部材１８と、を更に備える。スペーサ層１７は、少なくとも一部が絶縁層１６上に形成されている。ここにおいて、「絶縁層１６上に形成されている」とは、絶縁層１６上に直接的に形成されている場合と、絶縁層１６上に間接的に形成されている場合と、を含む。スペーサ層１７は、支持基板１１の厚さ方向から平面視した場合にＩＤＴ電極１３の外側に形成されている。スペーサ層１７は、貫通孔１７３を有する。カバー部材１８は、スペーサ層１７上に形成されている。ここにおいて、「スペーサ層１７上に形成されている」とは、スペーサ層１７上に直接的に形成されている場合と、スペーサ層１７上に間接的に形成されている場合と、を含む。カバー部材１８は、スペーサ層１７の貫通孔１７３を塞ぐようにスペーサ層１７上に形成されている。
電子部品モジュール１００では、弾性波装置１は、実装基板２と電気的かつ機械的に接続されている。電子部品モジュール１００では、支持基板１１と実装基板２とで線膨張係数が異なる。つまり、実装基板２は、支持基板１１の線膨張係数と異なる線膨張係数を有している。
また、実施形態１に係る電子部品モジュール１００は、弾性波装置１を保護する保護層３を更に備える。
（１．２）弾性波装置の各構成要素
次に、弾性波装置１の各構成要素について、図面を参照して説明する。
次に、弾性波装置１の各構成要素について、図面を参照して説明する。
（１．２．１）支持基板
支持基板１１は、図１に示すように、圧電膜１２２とＩＤＴ電極１３とを含む積層体を支持している。支持基板１１は、その厚さ方向Ｄ１において互いに反対側にある第１主面１１１及び第２主面１１２を有する。第１主面１１１及び第２主面１１２は、互いに背向する。支持基板１１の平面視形状（支持基板１１を厚さ方向Ｄ１から見たときの外周形状）は、長方形状であるが、長方形状に限らず、例えば正方形状であってもよい。支持基板１１は、結晶基板である。具体的には、支持基板１１は、立方晶系の結晶構造を有する結晶基板である。一例として、支持基板１１は、シリコン基板である。支持基板１１における圧電膜１２２側の面（第１主面１１１）が（１００）面である。（１００）面は、図３に示すようなダイヤモンド構造を有するシリコンの結晶構造において、〔１００〕の結晶軸に直交する。図３において１８個の球体は、シリコン原子である。「支持基板１１の第１主面１１１が（１００）面である」とは、支持基板１１の第１主面１１１が（１００）面のみに限らず、（１００）面からのオフ角が０度よりも大きく５度以下の結晶面を含むことを意味する。シリコン基板では、（１００）面と（００１）面と（０１０）面とが互いに等価な結晶面なので、「支持基板１１における圧電膜１２２側の面（第１主面１１１）が（１００）面である」とは、支持基板１１における圧電膜１２２側の第１主面１１１が｛１００｝面であることを意味する。支持基板１１は、圧電膜１２２を伝搬する弾性波の音速よりも伝搬するバルク波の音速が高速である高音速支持基板を構成している。支持基板１１は、結晶構造を有する結晶基板としては、シリコン基板以外に、例えば、ゲルマニウム基板、ダイヤモンド基板等であってもよい。したがって、支持基板１１の材料は、シリコンに限らず、例えば、ゲルマニウム、ダイヤモンド等であってもよい。
支持基板１１は、図１に示すように、圧電膜１２２とＩＤＴ電極１３とを含む積層体を支持している。支持基板１１は、その厚さ方向Ｄ１において互いに反対側にある第１主面１１１及び第２主面１１２を有する。第１主面１１１及び第２主面１１２は、互いに背向する。支持基板１１の平面視形状（支持基板１１を厚さ方向Ｄ１から見たときの外周形状）は、長方形状であるが、長方形状に限らず、例えば正方形状であってもよい。支持基板１１は、結晶基板である。具体的には、支持基板１１は、立方晶系の結晶構造を有する結晶基板である。一例として、支持基板１１は、シリコン基板である。支持基板１１における圧電膜１２２側の面（第１主面１１１）が（１００）面である。（１００）面は、図３に示すようなダイヤモンド構造を有するシリコンの結晶構造において、〔１００〕の結晶軸に直交する。図３において１８個の球体は、シリコン原子である。「支持基板１１の第１主面１１１が（１００）面である」とは、支持基板１１の第１主面１１１が（１００）面のみに限らず、（１００）面からのオフ角が０度よりも大きく５度以下の結晶面を含むことを意味する。シリコン基板では、（１００）面と（００１）面と（０１０）面とが互いに等価な結晶面なので、「支持基板１１における圧電膜１２２側の面（第１主面１１１）が（１００）面である」とは、支持基板１１における圧電膜１２２側の第１主面１１１が｛１００｝面であることを意味する。支持基板１１は、圧電膜１２２を伝搬する弾性波の音速よりも伝搬するバルク波の音速が高速である高音速支持基板を構成している。支持基板１１は、結晶構造を有する結晶基板としては、シリコン基板以外に、例えば、ゲルマニウム基板、ダイヤモンド基板等であってもよい。したがって、支持基板１１の材料は、シリコンに限らず、例えば、ゲルマニウム、ダイヤモンド等であってもよい。
（１．２．２）ＩＤＴ電極
ＩＤＴ電極１３は、アルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）、白金（Ｐｔ）、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、チタン（Ｔｉ）、ニッケル（Ｎｉ）、クロム（Ｃｒ）、モリブデン（Ｍｏ）、タングステン（Ｗ）又はこれらの金属のいずれかを主体とする合金などの適宜の金属材料により形成することができる。また、ＩＤＴ電極１３は、これらの金属又は合金からなる複数の金属膜を積層した構造を有していてもよい。
ＩＤＴ電極１３は、アルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）、白金（Ｐｔ）、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、チタン（Ｔｉ）、ニッケル（Ｎｉ）、クロム（Ｃｒ）、モリブデン（Ｍｏ）、タングステン（Ｗ）又はこれらの金属のいずれかを主体とする合金などの適宜の金属材料により形成することができる。また、ＩＤＴ電極１３は、これらの金属又は合金からなる複数の金属膜を積層した構造を有していてもよい。
ＩＤＴ電極１３は、図２に示すように、一対のバスバー１３１、１３２（以下、第１バスバー１３１及び第２バスバー１３２ともいう）と、複数の電極指１３３（以下、第１電極指１３３ともいう）と、複数の電極指１３４（以下、第２電極指１３４ともいう）と、を含む。
第１バスバー１３１及び第２バスバー１３２は、支持基板１１の厚さ方向Ｄ１（第１方向）に直交する一方向（第２方向）を長手方向とする長尺状である。ＩＤＴ電極１３では、第１バスバー１３１と第２バスバー１３２とは、支持基板１１の厚さ方向Ｄ１（第１方向）と第２方向との両方に直交する第３方向において対向し合っている。
複数の第１電極指１３３は、第１バスバー１３１に接続され第２バスバー１３２に向かって延びている。ここにおいて、複数の第１電極指１３３は、第１バスバー１３１から第１バスバー１３１の長手方向（第２方向）に直交する方向（第３方向）に沿って延びている。複数の第１電極指１３３の先端と第２バスバー１３２とは離れている。例えば、複数の第１電極指１３３は、互いの長さ及び幅が同じである。
複数の第２電極指１３４は、第２バスバー１３２に接続され第１バスバー１３１に向かって延びている。ここにおいて、複数の第２電極指１３４は、第２バスバー１３２から第２バスバー１３２の長手方向に直交する方向に沿って延びている。複数の第２電極指１３４のそれぞれの先端は、第１バスバー１３１とは離れている。例えば、複数の第２電極指１３４は、互いの長さ及び幅が同じである。図２の例では、複数の第２電極指１３４の長さ及び幅は、複数の第１電極指１３３の長さ及び幅それぞれと同じである。
ＩＤＴ電極１３では、複数の第１電極指１３３と複数の第２電極指１３４とが、第１バスバー１３１と第２バスバー１３２との対向方向に直交する方向において、１本ずつ交互に互いに離隔して並んでいる。したがって、第１バスバー１３１の長手方向において隣り合う第１電極指１３３と第２電極指１３４とは離れている。ＩＤＴ電極１３の電極指周期は、隣り合う第１電極指１３３と第２電極指１３４との互いに対応する辺間の距離の２倍の値である。複数の第１電極指１３３と複数の第２電極指１３４とを含む一群の電極指は、複数の第１電極指１３３と複数の第２電極指１３４とが、第２方向において、離隔して並んでいる構成であればよく、複数の第１電極指１３３と複数の第２電極指１３４とが交互に互いに離隔して並んでいない構成であってもよい。例えば、第１電極指１３３と第２電極指１３４とが１本ずつ離隔して並んでいる領域と、第１電極指１３３又は第２電極指１３４が第２方向において２つ並んでいる領域と、とが混在してもよい。
（１．２．３）機能膜
機能膜１２は、圧電膜１２２を伝搬する弾性波の音速よりも伝搬するバルク波の音速が低速である低音速膜１２１と、低音速膜１２１上に直接または間接的に積層された圧電膜１２２と、を含む。圧電膜１２２は、高音速支持基板を構成する支持基板１１上に間接的に積層されている。この場合、低音速膜１２１が、高音速支持基板である支持基板１１と圧電膜１２２との間に形成されていることにより、弾性波の音速が低下する。弾性波は本質的に低音速な媒質にエネルギーが集中する。したがって、弾性波装置１は、圧電膜１２２内及び弾性波が励振されているＩＤＴ電極１３内への弾性波エネルギーの閉じ込め効果を高めることができる。そのため、弾性波装置１は、低音速膜１２１が設けられていない場合に比べて、損失を低減し、Ｑ値を高めることができる。機能膜１２は、低音速膜１２１及び圧電膜１２２以外の他の膜として、例えば低音速膜１２１と圧電膜１２２との間に介在する密着層を含んでいてもよい。これにより、低音速膜１２１と圧電膜１２２との密着性を向上させることができる。密着層は、例えば、樹脂（エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂等）、金属等からなる。また、機能膜１２は、密着層に限らず、誘電体膜を、低音速膜１２１と圧電膜１２２との間、圧電膜１２２上、又は低音速膜１２１下のいずれかに備えていてもよい。
機能膜１２は、圧電膜１２２を伝搬する弾性波の音速よりも伝搬するバルク波の音速が低速である低音速膜１２１と、低音速膜１２１上に直接または間接的に積層された圧電膜１２２と、を含む。圧電膜１２２は、高音速支持基板を構成する支持基板１１上に間接的に積層されている。この場合、低音速膜１２１が、高音速支持基板である支持基板１１と圧電膜１２２との間に形成されていることにより、弾性波の音速が低下する。弾性波は本質的に低音速な媒質にエネルギーが集中する。したがって、弾性波装置１は、圧電膜１２２内及び弾性波が励振されているＩＤＴ電極１３内への弾性波エネルギーの閉じ込め効果を高めることができる。そのため、弾性波装置１は、低音速膜１２１が設けられていない場合に比べて、損失を低減し、Ｑ値を高めることができる。機能膜１２は、低音速膜１２１及び圧電膜１２２以外の他の膜として、例えば低音速膜１２１と圧電膜１２２との間に介在する密着層を含んでいてもよい。これにより、低音速膜１２１と圧電膜１２２との密着性を向上させることができる。密着層は、例えば、樹脂（エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂等）、金属等からなる。また、機能膜１２は、密着層に限らず、誘電体膜を、低音速膜１２１と圧電膜１２２との間、圧電膜１２２上、又は低音速膜１２１下のいずれかに備えていてもよい。
圧電膜１２２は、例えば、リチウムタンタレート（ＬｉＴａＯ3）、リチウムニオベイト（ＬｉＮｂＯ3）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、又は、チタン酸ジルコン酸鉛（ＰＺＴ）のいずれかからなる。
低音速膜１２１は、酸化ケイ素、ガラス、酸窒化ケイ素、酸化タンタル、酸化ケイ素にフッ素又は炭素又はホウ素を加えた化合物、又は、上記各材料を主成分とする材料のいずれかからなる。
低音速膜が酸化ケイ素の場合、温度特性を改善することができる。リチウムタンタレートの弾性定数は負の温度特性を有し、酸化ケイ素は正の温度特性を有する。したがって、弾性波装置１では、周波数温度特性（ＴＣＦ：Temperature Coefficient of Frequency）の絶対値を小さくすることができる。加えて、酸化ケイ素の固有音響インピーダンスはリチウムタンタレートの固有音響インピーダンスより小さい。したがって、弾性波装置１では、電気機械結合係数の増大すなわち比帯域の拡大と、周波数温度特性の改善との双方を図ることができる。
圧電膜１２２の膜厚は、ＩＤＴ電極１３の電極指周期で定まる弾性波の波長をλとしたときに、３．５λ以下であることが望ましい。なぜならば、Ｑ値が高くなるためである。また、圧電膜１２２の膜厚を２．５λ以下とすることで、周波数温度特性が良くなる。さらに、圧電膜１２２の膜厚を１．５λ以下とすることで、音速の調整が容易になる。
低音速膜１２１の膜厚は、ＩＤＴ電極１３の電極指周期で定まる弾性波の波長をλとすると、２．０λ以下であることが望ましい。低音速膜１２１の膜厚を２．０λ以下とすることにより、膜応力を低減することができ、その結果、製造時に支持基板１１の元になるシリコンウェハを含むウェハの反りを低減することが可能となり、良品率の向上及び特性の安定化が可能となる。
（１．２．４）配線電極
配線電極１５は、外部接続電極１４２とＩＤＴ電極１３とを電気的に接続している。配線電極１５は、アルミニウム、銅、白金、金、銀、チタン、ニッケル、クロム、モリブデン、タングステン又はこれらの金属のいずれかを主体とする合金などの適宜の金属材料により形成することができる。また、配線電極１５は、これらの金属又は合金からなる複数の金属膜を積層した構造を有していてもよい。
配線電極１５は、外部接続電極１４２とＩＤＴ電極１３とを電気的に接続している。配線電極１５は、アルミニウム、銅、白金、金、銀、チタン、ニッケル、クロム、モリブデン、タングステン又はこれらの金属のいずれかを主体とする合金などの適宜の金属材料により形成することができる。また、配線電極１５は、これらの金属又は合金からなる複数の金属膜を積層した構造を有していてもよい。
配線電極１５は、支持基板１１の厚さ方向において、ＩＤＴ電極１３の一部と圧電膜１２２の一部と絶縁層１６の一部とに重なっている。配線電極１５は、絶縁層１６上に形成されている部分１５１上に外部接続電極１４２が形成されている。配線電極１５は、平面視において、絶縁層１６の外周よりも内側に位置している。
（１．２．５）絶縁層
絶縁層１６は、電気絶縁性を有する。図１及び２に示すように、絶縁層１６は、支持基板１１の第１主面１１１上において支持基板１１の外周に沿って形成されている。絶縁層１６は、圧電膜１２２の側面を囲んでいる。ここにおいて、弾性波装置１では、絶縁層１６は、機能膜１２の側面を囲んでいる。絶縁層１６の平面視形状は、枠形状（例えば、矩形枠状）である。絶縁層１６の一部は、支持基板１１の厚さ方向Ｄ１において圧電膜１２２の外周部に重なっている。ここにおいて、弾性波装置１では、絶縁層１６の上記一部は、支持基板１１の厚さ方向Ｄ１において機能膜１２の外周部に重なっている。圧電膜１２２の側面は、絶縁層１６により覆われている。ここにおいて、機能膜１２の側面は、絶縁層１６により覆われている。
絶縁層１６は、電気絶縁性を有する。図１及び２に示すように、絶縁層１６は、支持基板１１の第１主面１１１上において支持基板１１の外周に沿って形成されている。絶縁層１６は、圧電膜１２２の側面を囲んでいる。ここにおいて、弾性波装置１では、絶縁層１６は、機能膜１２の側面を囲んでいる。絶縁層１６の平面視形状は、枠形状（例えば、矩形枠状）である。絶縁層１６の一部は、支持基板１１の厚さ方向Ｄ１において圧電膜１２２の外周部に重なっている。ここにおいて、弾性波装置１では、絶縁層１６の上記一部は、支持基板１１の厚さ方向Ｄ１において機能膜１２の外周部に重なっている。圧電膜１２２の側面は、絶縁層１６により覆われている。ここにおいて、機能膜１２の側面は、絶縁層１６により覆われている。
絶縁層１６の材料は、例えば、エポキシ樹脂、ポリイミド等の合成樹脂である。絶縁層１６の線膨張係数と支持基板１１の線膨張係数との差は、圧電膜１２２の線膨張係数と支持基板１１の線膨張係数との差よりも大きい。
（１．２．６）スペーサ層
スペーサ層１７は、貫通孔１７３を有する。スペーサ層１７は、支持基板１１の厚さ方向からの平面視において、ＩＤＴ電極１３の外側に形成され、ＩＤＴ電極１３を囲んでいる。スペーサ層１７は、支持基板１１の厚さ方向からの平面視において、支持基板１１の外周に沿って形成されている。スペーサ層１７の平面視形状は、枠形状である。スペーサ層１７の外周形状及び内周形状は、例えば、長方形状である。スペーサ層１７は、支持基板１１の厚さ方向Ｄ１において絶縁層１６に重なっている。スペーサ層１７の外周形は、絶縁層１６の外周形よりも小さい。スペーサ層１７の内周形は、絶縁層１６の内周形よりも大きい。スペーサ層１７の一部は、絶縁層１６の表面上の配線電極１５も覆っている。スペーサ層１７は、絶縁層１６の表面上に直接形成されている第１部分と、絶縁層１６の表面上に配線電極１５を介して間接的に形成されている第２部分と、を含む。ここにおいて、第１部分は、絶縁層１６の表面の全周に亘って形成されている。
スペーサ層１７は、貫通孔１７３を有する。スペーサ層１７は、支持基板１１の厚さ方向からの平面視において、ＩＤＴ電極１３の外側に形成され、ＩＤＴ電極１３を囲んでいる。スペーサ層１７は、支持基板１１の厚さ方向からの平面視において、支持基板１１の外周に沿って形成されている。スペーサ層１７の平面視形状は、枠形状である。スペーサ層１７の外周形状及び内周形状は、例えば、長方形状である。スペーサ層１７は、支持基板１１の厚さ方向Ｄ１において絶縁層１６に重なっている。スペーサ層１７の外周形は、絶縁層１６の外周形よりも小さい。スペーサ層１７の内周形は、絶縁層１６の内周形よりも大きい。スペーサ層１７の一部は、絶縁層１６の表面上の配線電極１５も覆っている。スペーサ層１７は、絶縁層１６の表面上に直接形成されている第１部分と、絶縁層１６の表面上に配線電極１５を介して間接的に形成されている第２部分と、を含む。ここにおいて、第１部分は、絶縁層１６の表面の全周に亘って形成されている。
スペーサ層１７は、電気絶縁性を有する。スペーサ層１７の材料は、例えば、エポキシ樹脂、ポリイミド等の合成樹脂である。スペーサ層１７の材料は、絶縁層１６の材料と主成分が同じであるのが好ましく、同じ材料であるのがより好ましい。
スペーサ層１７の厚さと絶縁層１６の厚さとの合計厚さは、機能膜１２の厚さとＩＤＴ電極１３の厚さとの合計厚さよりも大きい。
（１．２．７）カバー部材
カバー部材１８は、平板状である。カバー部材１８の平面視形状（支持基板１１の厚さ方向Ｄ１から見たときの外周形状）は、長方形状であるが、長方形状に限らず、例えば正方形状であってもよい。カバー部材１８の外周形は、支持基板１１の外周形と略同じ大きさである。カバー部材１８は、スペーサ層１７の貫通孔１７３を塞ぐようにスペーサ層１７上に配置されている。カバー部材１８は、厚さ方向Ｄ１においてＩＤＴ電極１３から離れている。弾性波装置１では、カバー部材１８は、電気絶縁性を有する。カバー部材１８の材料は、例えば、エポキシ樹脂、ポリイミド等の合成樹脂である。カバー部材１８の材料は、スペーサ層１７の材料と主成分が同じであるのが好ましく、同じ材料であるのがより好ましい。
カバー部材１８は、平板状である。カバー部材１８の平面視形状（支持基板１１の厚さ方向Ｄ１から見たときの外周形状）は、長方形状であるが、長方形状に限らず、例えば正方形状であってもよい。カバー部材１８の外周形は、支持基板１１の外周形と略同じ大きさである。カバー部材１８は、スペーサ層１７の貫通孔１７３を塞ぐようにスペーサ層１７上に配置されている。カバー部材１８は、厚さ方向Ｄ１においてＩＤＴ電極１３から離れている。弾性波装置１では、カバー部材１８は、電気絶縁性を有する。カバー部材１８の材料は、例えば、エポキシ樹脂、ポリイミド等の合成樹脂である。カバー部材１８の材料は、スペーサ層１７の材料と主成分が同じであるのが好ましく、同じ材料であるのがより好ましい。
弾性波装置１では、カバー部材１８と、スペーサ層１７と、絶縁層１６と、支持基板１１上の積層体（圧電膜１２２とＩＤＴ電極１３とを含む積層体）と、で囲まれた空間Ｓ１を有する。弾性波装置１では、空間Ｓ１に気体が入っている。気体は、例えば、空気、不活性ガス（例えば、窒素ガス）等である。
（１．２．８）外部接続電極
弾性波装置１は、外部接続電極１４２を複数（２つ以上）備える。外部接続電極１４２は、弾性波装置１において実装基板２と電気的に接続するための電極である。また、弾性波装置１は、ＩＤＴ電極１３には電気的に接続されていない複数（２つ）の実装用電極１９を有している場合がある。実装用電極１９は、実装基板２に対する弾性波装置１の平行度を高めるための電極であり、電気的接続を目的とした電極とは異なる。つまり、実装用電極１９は、弾性波装置１が実装基板２に対して傾いて実装されるのを抑制するための電極であり、外部接続電極１４２の数及び配置、弾性波装置１の外周形状等によっては必ずしも設ける必要はない。
弾性波装置１は、外部接続電極１４２を複数（２つ以上）備える。外部接続電極１４２は、弾性波装置１において実装基板２と電気的に接続するための電極である。また、弾性波装置１は、ＩＤＴ電極１３には電気的に接続されていない複数（２つ）の実装用電極１９を有している場合がある。実装用電極１９は、実装基板２に対する弾性波装置１の平行度を高めるための電極であり、電気的接続を目的とした電極とは異なる。つまり、実装用電極１９は、弾性波装置１が実装基板２に対して傾いて実装されるのを抑制するための電極であり、外部接続電極１４２の数及び配置、弾性波装置１の外周形状等によっては必ずしも設ける必要はない。
弾性波装置１では、支持基板１１の厚さ方向Ｄ１からの平面視において、カバー部材１８の４つの角部のうち互いに対向する２つの角部に２つの外部接続電極１４２が１つずつ配置され、残りの２つの角部に２つの実装用電極１９が１つずつ配置されている。弾性波装置１では、支持基板１１の厚さ方向Ｄ１からの平面視において、２つの外部接続電極１４２及び２つの実装用電極１９のそれぞれが、圧電膜１２２に重なっていない。
弾性波装置１は、支持基板１１の厚さ方向Ｄ１においてスペーサ層１７とカバー部材１８とを貫通している、貫通電極１４１を含む。貫通電極１４１は、配線電極１５上に形成されており、配線電極１５と電気的に接続されている。貫通電極１４１は、アンダーバンプメタル層を構成する。また、外部接続電極１４２は、貫通電極１４１上に形成されている。外部接続電極１４２は、例えば、バンプである。外部接続電極１４２は、導電性を有する。外部接続電極１４２は、貫通電極１４１と接合されており、貫通電極１４１と電気的に接続されている。また、弾性波装置１は、実装用電極１９の直下において、支持基板１１の厚さ方向Ｄ１においてスペーサ層１７とカバー部材１８とを貫通している、貫通電極を含む。また、実装用電極１９は、貫通電極上に形成されているバンプである。
貫通電極１４１は、例えば、銅、ニッケル又はこれらの金属のいずれかを主体とする合金などの適宜の金属材料により形成することができる。外部接続電極１４２は、例えば、はんだ、金、銅等により形成することができる。実装用電極１９直下の貫通電極は、外部接続電極１４２直下の貫通電極１４１と同じ材料により形成されている。また、実装用電極１９は、外部接続電極１４２と同じ材料により形成されている。
（１．３）実装基板
実装基板２は、外部接続電極１４２を介して、弾性波装置１が実装される基板である。電子部品モジュール１００では、実装基板２に１つの弾性波装置１が実装されている。実装基板２は、支持基板１１の厚さ方向Ｄ１からの平面視において弾性波装置１よりも大きい。
実装基板２は、外部接続電極１４２を介して、弾性波装置１が実装される基板である。電子部品モジュール１００では、実装基板２に１つの弾性波装置１が実装されている。実装基板２は、支持基板１１の厚さ方向Ｄ１からの平面視において弾性波装置１よりも大きい。
実装基板２は、支持体２１と、支持体２１に支持された複数（２つ）の第１導体部２３と、支持体２１に支持された複数（２つ）の第２導体部２５と、を有する。また、実装基板２は、複数（２つ）の第１導体部２３と複数（２つ）の第２導体部２５とを一対一で電気的に接続している複数（２つ）の貫通電極２４と、を更に有する。第２導体部２５は、電子部品モジュール１００を回路基板等と電気的に接続するために利用される。
支持体２１は、電気絶縁性を有する。支持体２１は、平板状であり、厚さ方向において互いに反対側にある第１主面２１１及び第２主面２１２を有する。第１主面２１１及び第２主面２１２は、互いに背向する。支持体２１の外周形状は、例えば、長方形状である。
第１導体部２３は、支持体２１の第１主面２１１上に形成されている。第１導体部２３は、弾性波装置１の外部接続電極１４２が電気的に接続される導電層である。第１導体部２３の材料は、例えば、銅等である。第１導体部２３は、弾性波装置１の支持基板１１の厚さ方向Ｄ１において外部接続電極１４２と重なるように配置されている。外部接続電極１４２は、貫通電極１４１と第１導体部２３との間に介在している。支持体２１の第１主面２１１上には、弾性波装置１の実装用電極１９が接続される導電層も形成されている。この導電層は、弾性波装置１の支持基板１１の厚さ方向Ｄ１において実装用電極１９と重なるように配置されている。この導電層の厚さは、第１導体部２３の厚さと同じである。また、この導電層の材料は、第１導体部２３の材料と同じである。
第２導体部２５は、支持体２１の第２主面２１２上に形成されている。第２導体部２５は、第１導体部２３が貫通電極２４を介して電気的に接続される導電層である。第２導体部２５の材料は、例えば、銅等である。
実装基板２は、一例として、プリント配線基板により構成されている。プリント配線基板の線膨張係数は、例えば、１５ｐｐｍ／℃程度である。プリント配線基板は、ガラス布・エポキシ樹脂銅張積層板から形成されている。
支持体２１は、プリント配線基板における絶縁基板により構成されている。絶縁基板は、電気絶縁性を有する。
第１導体部２３及び第２導体部２５は、プリント配線基板における銅はくを含む。
（１．４）保護層
電子部品モジュール１００では、実装基板２に実装された弾性波装置１は、保護層３により覆われている。電子部品モジュール１００では、弾性波装置１の支持基板１１の第２主面１１２及び各側面１１３が保護層３により覆われている。保護層３の材料は、例えば、エポキシ樹脂、ポリイミド等の合成樹脂である。保護層３は、実装基板２上の弾性波装置１を封止する封止層としての機能を有する。保護層３は、略直方体状である。保護層３の一部は、弾性波装置１のカバー部材１８と実装基板２との間において外部接続電極１４２の周囲にも形成されている。つまり、保護層３の一部は、アンダーフィル部を構成している。電子部品モジュール１００は、実装基板２とは別のマザー基板等に表面実装することができる。電子部品モジュール１００では、実装基板２と保護層３とで、弾性波装置１を保護しかつ外部の電気回路等の接続を可能とするパッケージを構成している。電子部品モジュール１００におけるパッケージは、表面実装型パッケージである。
電子部品モジュール１００では、実装基板２に実装された弾性波装置１は、保護層３により覆われている。電子部品モジュール１００では、弾性波装置１の支持基板１１の第２主面１１２及び各側面１１３が保護層３により覆われている。保護層３の材料は、例えば、エポキシ樹脂、ポリイミド等の合成樹脂である。保護層３は、実装基板２上の弾性波装置１を封止する封止層としての機能を有する。保護層３は、略直方体状である。保護層３の一部は、弾性波装置１のカバー部材１８と実装基板２との間において外部接続電極１４２の周囲にも形成されている。つまり、保護層３の一部は、アンダーフィル部を構成している。電子部品モジュール１００は、実装基板２とは別のマザー基板等に表面実装することができる。電子部品モジュール１００では、実装基板２と保護層３とで、弾性波装置１を保護しかつ外部の電気回路等の接続を可能とするパッケージを構成している。電子部品モジュール１００におけるパッケージは、表面実装型パッケージである。
支持基板１１の厚さ方向Ｄ１からの平面視において、保護層３の外周形は、実装基板２の外周形と略同じ大きさである。
（１．５）弾性波装置の製造方法
以下では、弾性波装置１の製造方法の一例について簡単に説明する。
以下では、弾性波装置１の製造方法の一例について簡単に説明する。
弾性波装置１の製造方法では、まず、複数の弾性波装置１それぞれの支持基板１１の元になるシリコンウェハを準備する。
弾性波装置１の製造方法では、シリコンウェハの一の主面上に圧電膜１２２を含む機能膜１２を形成してから、ＩＤＴ電極１３、絶縁層１６、配線電極１５、スペーサ層１７を順次形成し、その後、スペーサ層１７の貫通孔１７３を塞ぐようにカバー部材１８をスペーサ層１７に接合し、続いて、カバー部材１８及びスペーサ層１７における貫通電極１４１の形成予定部位に貫通孔を形成し、この貫通孔を埋めるように貫通電極１４１を形成し、貫通電極１４１上に外部接続電極１４２を形成する。これにより、弾性波装置１の製造方法では、シリコンウェハに複数の弾性波装置１が形成されたウェハを得ることができる。シリコンウェハの一の主面は、シリコン基板からなる支持基板１１の第１主面１１１に対応する。
弾性波装置１の製造方法では、ウェハをダイシングするダイシング工程を行うことにより、１枚のウェハから複数の弾性波装置１を得ることができる。ダイシング工程では、例えば、ダイシングソー（Dicing Saw）等を用いる。
（１．６）電子部品モジュールの製造方法
電子部品モジュール１００の製造方法では、弾性波装置１を実装基板２に実装し、実装基板２上の弾性波装置１を覆うように保護層３を形成する。これにより、電子部品モジュール１００が形成される。
電子部品モジュール１００の製造方法では、弾性波装置１を実装基板２に実装し、実装基板２上の弾性波装置１を覆うように保護層３を形成する。これにより、電子部品モジュール１００が形成される。
（１．７）実施例に係る電子部品モジュールと比較例に係る電子部品モジュールとの比較
実施形態１の実施例１に係る電子部品モジュール１００では、支持基板１１がシリコン基板であり、支持基板１１の第１主面１１１が（１００）面である。支持基板１１の線膨張係数は、４ｐｐｍ／℃程度である。
実施形態１の実施例１に係る電子部品モジュール１００では、支持基板１１がシリコン基板であり、支持基板１１の第１主面１１１が（１００）面である。支持基板１１の線膨張係数は、４ｐｐｍ／℃程度である。
比較例に係る電子部品モジュールは、実施例１に係る電子部品モジュール１００と基本構成が同じであって、実施例１に係る電子部品モジュール１００の支持基板１１の代わりに、第１主面が（１１１）面のシリコン基板からなる支持基板を用いている点が相違する。
以下、実施例１に係る電子部品モジュール１００及び比較例に係る電子部品モジュールの両方の試料について熱衝撃試験を行った結果について説明する。ここにおいて、熱衝撃試験は、ＪＩＳ Ｃ ６００６８−２−１４及びＩＥＣ ６００６８−２−１４に準拠した二液槽温度急変試験である。
実施例１に係る電子部品モジュール１００では、低音速膜１２１の材料を酸化ケイ素、圧電膜１２２の材料をリチウムタンタレート（ＬｉＴａＯ3）とし、ＩＤＴ電極１３の材料をアルミニウム（Ａｌ）、絶縁層１６の材料をエポキシ樹脂、スペーサ層１７の材料をエポキシ樹脂、カバー部材１８の材料をエポキシ樹脂、貫通電極１４１の材料を銅（Ｃｕ）、外部接続電極１４２をバンプとし、バンプの材料をはんだとした。また、実施例１に係る電子部品モジュール１００では、シリコン基板の厚さを１２５μｍ、低音速膜１２１の厚さを６００ｎｍ、圧電膜１２２の厚さを６００ｎｍ、ＩＤＴ電極１３の厚さを１５０ｎｍとした。実施例１に係る電子部品モジュール１００では、支持基板１１の線膨張係数が４ｐｐｍ／℃程度、実装基板２の線膨張係数が１５ｐｐｍ／℃程度である。ここでいう実装基板２の線膨張係数は、実装基板２を構成するプリント配線基板における絶縁基板（実装基板２における支持体２１）の線膨張係数である。
比較例に係る電子部品モジュールでは支持基板の第１主面付近において、支持基板の側面から支持基板の第１主面に沿ったクラックが発生したのに対し、実施例１に係る電子部品モジュール１００では支持基板１１にクラックは発生しなかった。
また、実施例２に係る電子部品モジュール１００では、実装基板２としてプリント配線基板に変えてＬＴＣＣ（Low Temperature Co-fired Ceramics）基板を用いた。この場合の実装基板２の線膨張係数は、１０ｐｐｍ／℃程度である。
実施例２に係る電子部品モジュール１００の試料について信頼性評価の１つとして熱衝撃試験を行った場合、実施例２に係る電子部品モジュール１００の支持基板１１にはクラックは発生しなかった。
（１．８）効果
実施形態１に係る電子部品モジュール１００は、弾性波装置１と、実装基板２と、を有する。実装基板２には、弾性波装置１が実装されている。弾性波装置１は、支持基板１１と、圧電膜１２２と、ＩＤＴ電極１３と、絶縁層１６と、配線電極１５と、外部接続電極１４２と、を備える。支持基板１１は、結晶基板からなる。圧電膜１２２は、支持基板１１上に間接的に形成されている。ＩＤＴ電極１３は、圧電膜１２２上に形成されている。絶縁層１６は、支持基板１１上に形成されている。配線電極１５は、少なくとも一部が絶縁層１６上に形成されている。配線電極１５は、ＩＤＴ電極１３と電気的に接続されている。外部接続電極１４２と圧電膜１２２は、支持基板１１の厚さ方向Ｄ１から平面視した場合に、重なっていない。弾性波装置１は、外部接続電極１４２を介して実装基板２に実装されている。実装基板２は、支持基板１１の線膨張係数と異なる線膨張係数を有している。支持基板１１における圧電膜１２２側の面（第１主面１１１）が｛１００｝面である。
実施形態１に係る電子部品モジュール１００は、弾性波装置１と、実装基板２と、を有する。実装基板２には、弾性波装置１が実装されている。弾性波装置１は、支持基板１１と、圧電膜１２２と、ＩＤＴ電極１３と、絶縁層１６と、配線電極１５と、外部接続電極１４２と、を備える。支持基板１１は、結晶基板からなる。圧電膜１２２は、支持基板１１上に間接的に形成されている。ＩＤＴ電極１３は、圧電膜１２２上に形成されている。絶縁層１６は、支持基板１１上に形成されている。配線電極１５は、少なくとも一部が絶縁層１６上に形成されている。配線電極１５は、ＩＤＴ電極１３と電気的に接続されている。外部接続電極１４２と圧電膜１２２は、支持基板１１の厚さ方向Ｄ１から平面視した場合に、重なっていない。弾性波装置１は、外部接続電極１４２を介して実装基板２に実装されている。実装基板２は、支持基板１１の線膨張係数と異なる線膨張係数を有している。支持基板１１における圧電膜１２２側の面（第１主面１１１）が｛１００｝面である。
実施形態１に係る電子部品モジュール１００では、外部接続電極１４２と圧電膜１２２は支持基板１１の厚さ方向から平面視した場合に重なっていないため、製造時に外部接続電極１４２を形成する工程において、外部接続電極１４２から圧電膜１２２に力が加わるのを抑制でき、圧電膜１２２に割れや欠けが発生するのを抑制することが可能となる。また、実施形態１に係る電子部品モジュール１００では、支持基板１１と実装基板２の線膨張係数が異なるため、支持基板１１と実装基板２との線膨張係数差による熱応力が支持基板１１にかかってしまう。しかしながら、支持基板１１における圧電膜１２２側の面（第１主面１１１）が｛１００｝面であるので、支持基板１１と実装基板２との線膨張係数差による熱応力が支持基板１１にかかったとしても、支持基板１１における圧電膜１２２側の面（第１主面１１１）が（１１１）面の場合と比べて、支持基板１１の各側面１１３がクラックの発生によって剥離されにくい面方位となっている（支持基板１１の結晶構造におけるシリコン原子が、支持基板１１の一部がクラック発生によって剥離されにくいような配列となっている）ため、支持基板１１にクラックが発生するのを抑制することが可能となる。
なお、実施形態１に係る電子部品モジュール１００は、支持基板１１の厚さ方向Ｄ１から平面視した場合に外部接続電極１４２と重なる位置に圧電膜１２２（及び圧電膜１２２を含む機能膜１２）が存在しない構造である。また、仮に、支持基板１１の厚さ方向Ｄ１から平面視した場合に外部接続電極１４２と重なる位置に圧電膜１２２（及び圧電膜１２２を含む機能膜１２）が存在する構造を比較例とした場合に、圧電膜１２２と支持基板１１との線膨張係数差よりも絶縁層１６と支持基板１１との線膨張係数差が大きいときには、電子部品モジュール１００は比較例よりも支持基板１１にクラックがより発生し易くなる。
なぜならば、絶縁層１６が、圧電膜１２２と支持基板１１との線膨張係数差よりも支持基板１１との線膨張係数差が大きい材料の場合に、電子部品モジュール１００では、例えば熱衝撃試験を行われた場合のように熱衝撃がかかったときに、支持基板１１と実装基板２との線膨張係数差による熱応力だけでなく、支持基板１１と絶縁層１６との線膨張係数差による熱応力も支持基板１１にかかってしまう。一方、比較例では、熱衝撃がかかったときに、支持基板１１と実装基板２との線膨張係数差による熱応力だけでなく、支持基板１１と圧電膜１２２との線膨張係数差による熱応力が支持基板１１にかかる。しかしながら、支持基板１１と圧電膜１２２との線膨張係数差による熱応力は、支持基板１１と絶縁層１６との線膨張係数差による熱応力よりも小さいので、電子部品モジュール１００の方が比較例よりも支持基板１１にクラックがより発生し易くなる。
上述した通り、その場合でも、電子部品モジュール１００では、支持基板１１として圧電膜１２２側の面（第１主面１１１）が（１００）面であるので、支持基板１１にクラックが発生するのを抑制することが可能となる。
また、実施形態１に係る電子部品モジュール１００では、実装基板２は、プリント配線基板である。これにより、電子部品モジュール１００では、実装基板２をＬＴＣＣ基板により構成する場合と比べて、低コスト化を図ることが可能となる。
また、実施形態１に係る電子部品モジュール１００では、支持基板１１の厚さ方向Ｄ１からの平面視において圧電膜１２２（及び圧電膜１２２を含む機能膜１２）が支持基板１１外周よりも内側に形成されている。これにより、電子部品モジュール１００では、製造時のダイシング工程において圧電膜１２２（及び圧電膜１２２を含む機能膜１２）が支持基板１１側から剥離するのを抑制することが可能となり、信頼性の向上を図れる。
また、実施形態１に係る電子部品モジュール１００は、さらに、スペーサ層１７と、カバー部材１８と、貫通電極１４１と、備える。スペーサ層１７は、少なくとも一部が絶縁層１６上に形成されている。スペーサ層１７は、支持基板１１の厚さ方向Ｄ１から平面視した場合にＩＤＴ電極１３の外側に形成されている。カバー部材１８は、スペーサ層１７上に形成されている。貫通電極１４１は、絶縁層１６及び配線電極１５上に形成されている。貫通電極１４１は、配線電極１５と電気的に接続されている。貫通電極１４１は、スペーサ層１７とカバー部材１８とを貫通している。外部接続電極１４２は、配線電極１５及び貫通電極１４１と電気的に接続されている。外部接続電極１４２は、貫通電極１４１及びカバー部材１８上に形成されている。
（実施形態２）
実施形態２に係る電子部品モジュール１００ａは、図４に示すように、外部接続電極１４２ａが配線電極１５上に直接的に形成されている点等で、実施形態１に係る電子部品モジュール１００と相違する。実施形態２に係る電子部品モジュール１００ａに関し、実施形態１に係る電子部品モジュール１００と同様の構成要素については、同一の符号を付して説明を省略する。
実施形態２に係る電子部品モジュール１００ａは、図４に示すように、外部接続電極１４２ａが配線電極１５上に直接的に形成されている点等で、実施形態１に係る電子部品モジュール１００と相違する。実施形態２に係る電子部品モジュール１００ａに関し、実施形態１に係る電子部品モジュール１００と同様の構成要素については、同一の符号を付して説明を省略する。
実施形態２に係る電子部品モジュール１００ａでは、弾性波装置１ａが、実施形態１に係る電子部品モジュール１００の弾性波装置１におけるスペーサ層１７、カバー部材１８、貫通電極１４１等を備えていない。そして、電子部品モジュール１００ａでは、外部接続電極１４２ａが配線電極１５上に直接的に形成されている。外部接続電極１４２ａは、バンプである。バンプの材料は、例えば、はんだ、Ａｕ等である。
電子部品モジュール１００ａは、配線電極１５において絶縁層１６上に形成されている部分１５１の周部を覆うレジスト層１５５を更に備えている。電子部品モジュール１００ａでは、配線電極１５において絶縁層１６上に形成されている部分１５１のうちレジスト層１５５で覆われていない部分が、パッド電極１５２を構成している。外部接続電極１４ａは、配線電極１５のパッド電極１５２上に形成されている。
実施形態２に係る電子部品モジュール１００ａは、実施形態１に係る電子部品モジュール１００と同様、外部接続電極１４２ａと圧電膜１２２とが支持基板１１の厚さ方向から平面視した場合に重なっていない（離れている）ので、外部接続電極１４２ａから圧電膜１２２に力が加わるのを抑制でき、圧電膜１２２に割れが発生するのを抑制することが可能となる。また、実施形態２に係る電子部品モジュール１００ａは、実施形態１に係る電子部品モジュール１００と同様、支持基板１１として圧電膜１２２側の面（第１主面１１１）が｛１００｝面のシリコン基板を備えているので、圧電膜１２２側の面が（１１１）面のシリコン基板を支持基板として備える場合と比べて、支持基板１１にクラックが発生するのを抑制することが可能となる。
実施形態２に係る電子部品モジュール１００ａでは、外部接続電極１４２ａは、バンプである。バンプの材料は、はんだ又は金である。これにより、実施形態２に係る電子部品モジュール１００ａでは、実施形態１に係る電子部品モジュール１００と比べて、弾性波装置１ａの構成の簡略化を図ることが可能となる。
実施形態２の電子部品モジュール１００ａは、実施形態１に係る電子部品モジュール１００の保護層３と同様に、実装基板２上の弾性波装置１ａを覆う保護層を備えていてもよい。
（実施形態３）
以下、実施形態３に係る電子部品モジュール１００ｂについて図５を参照して説明する。
以下、実施形態３に係る電子部品モジュール１００ｂについて図５を参照して説明する。
実施形態３に係る電子部品モジュール１００ｂは、実施形態１に係る電子部品モジュール１００の貫通電極１４１及び外部接続電極１４２の代わりに、絶縁層１６及び支持基板１１を貫通する貫通電極１４１ｂと、外部接続電極１４２ｂと、を備える点等で、実施形態１に係る電子部品モジュール１００と相違する。実施形態３に係る電子部品モジュール１００ｂに関し、実施形態１に係る電子部品モジュール１００と同様の構成要素については、同一の符号を付して説明を省略する。
外部接続電極１４２ｂは、支持基板１１の厚さ方向Ｄ１において配線電極１５のうち絶縁層１６上に形成されている部分１５１に重なっている。外部接続電極１４２ｂは、支持基板１１の厚さ方向Ｄ１において絶縁層１６と支持基板１１とを貫通する貫通電極１４１ｂ上に形成されている。貫通電極１４１ｂと支持基板１１との間には電気絶縁膜１１４が介在している。電気絶縁膜１１４は、例えば、酸化ケイ素により形成されている。貫通電極１４１ｂは、配線電極１５ｂと電気的に接続されている。要するに、貫通電極１４１ｂは、配線電極１５ｂを介してＩＤＴ電極１３と電気的に接続されている。配線電極１５ｂは、圧電膜１２２の一部とＩＤＴ電極１３の一部とを覆うように形成されている。貫通電極１４１ｂは、例えば、銅、ニッケル又はこれらの金属のいずれかを主体とする合金などの適宜の金属材料により形成することができる。外部接続電極１４２ｂは、例えば、はんだ、金、銅等により形成することができる。
実施形態３に係る電子部品モジュール１００ｂは、実施形態１に係る電子部品モジュール１００のスペーサ層１７及びカバー部材１８の代わりに、スペーサ層１７ｂ及びカバー部材１８ｂを備える。
スペーサ層１７ｂは、支持基板１１上に形成されている。より詳細には、スペーサ層１７ｂは、支持基板１１の第１主面１１１上に、絶縁層１６（図１参照）を介さずに、直接的に形成されている。スペーサ層１７ｂは、貫通孔１７３を有する。スペーサ層１７ｂの材料は、例えば、エポキシ樹脂、ポリイミド等の合成樹脂である。
スペーサ層１７ｂの厚さは、機能膜１２の厚さとＩＤＴ電極１３の厚さとの合計厚さよりも大きい。
カバー部材１８ｂは、スペーサ層１７ｂの貫通孔１７３を塞ぐようにスペーサ層１７ｂ上に形成されている。カバー部材１８ｂは、支持基板１１の厚さ方向Ｄ１においてＩＤＴ電極１３から離れている。
電子部品モジュール１００ｂは、カバー部材１８ｂと支持基板１１との線膨張係数差が、実装基板２と支持基板１１との線膨張係数差よりも小さい。カバー部材１８ｂの材料は、シリコンである。言い換えれば、カバー部材１８ｂは、シリコン基板である。したがって、カバー部材１８ｂと実装基板２との線膨張係数差は、実装基板２と支持基板１１との線膨張係数差と同じである。カバー部材１８ｂは、シリコン基板の他に、シリコン基板に積層された絶縁膜等の薄膜を含んでいてもよい。電子部品モジュール１００ｂでは、カバー部材１８ｂにおける支持基板１１側の面と反対側の面が、｛１００｝面である。カバー部材１８ｂは、複数のカバー部材１８ｂの元になるシリコンウェハをダイシングすることにより形成されている。カバー部材１８ｂの厚さは、支持基板１１の厚さと異なっていてもよいし、同じであってもよい。
弾性波装置１ｂでは、カバー部材１８ｂと、スペーサ層１７ｂと、支持基板１１上の積層体（圧電膜１２２とＩＤＴ電極１３とを含む積層体）と、で囲まれた空間Ｓ１ｂを有する。弾性波装置１ｂでは、空間Ｓ１ｂに気体が入っている。気体は、例えば、空気、不活性ガス（例えば、窒素ガス）等である。
実施形態３に係る電子部品モジュール１００ｂでは、実施形態１に係る電子部品モジュール１００と同様、外部接続電極１４２ｂと圧電膜１２２は支持基板１１の厚さ方向Ｄ１から平面視した場合に重なっていない。これにより、実施形態３に係る電子部品モジュール１００ｂでは、製造時に外部接続電極１４２ｂを形成する工程において、外部接続電極１４２ｂから圧電膜１２２に力が加わるのを抑制でき、圧電膜１２２に割れや欠けが発生するのを抑制することが可能となる。また、実施形態３に係る電子部品モジュール１００ｂは、実施形態１に係る電子部品モジュール１００と同様、支持基板１１における圧電膜１２２側の面（第１主面１１１）が｛１００｝面であるので、支持基板１１における圧電膜１２２側の面が（１１１）面である場合と比べて、支持基板１１にクラックが発生するのを抑制することが可能となる。
また、電子部品モジュール１００ｂでは、カバー部材１８ｂと支持基板１１との線膨張係数差が、実装基板２と支持基板１１との線膨張係数差よりも小さい。これにより、電子部品モジュール１００ｂでは、支持基板１１にクラックが発生するのをさらに抑制することが可能となる。
また、電子部品モジュール１００ｂでは、カバー部材１８ｂの材料は、シリコンである。これにより、電子部品モジュール１００ｂでは、カバー部材１８ｂと支持基板１１との線膨張係数差をより小さくすることができ、カバー部材１８ｂから支持基板１１にかかる熱応力を低減することが可能となる。また、電子部品モジュール１００ｂでは、貫通電極１４１ｂが支持基板１１を貫通するように形成されているので、実施形態１に係る電子部品モジュール１００のように貫通電極１４１が樹脂により形成されたスペーサ層１７及び樹脂により形成されたカバー部材１８を貫通している場合と比べて、放熱性を向上させることが可能となる。また、電子部品モジュール１００ｂでは、カバー部材１８ｂの材料がシリコンなので、例えば樹脂によりモールドする際のモールド耐性を高めることができる。
また、電子部品モジュール１００ｂでは、シリコン基板を含むカバー部材１８ｂにおける支持基板１１側の面と反対側の面が｛１００｝面である。これにより、電子部品モジュール１００ｂでは、例えば製造する際のダイシング工程においてカバー部材１８ｂの面が（１１１）面である場合と比べて、支持基板１１とカバー部材１８ｂとで面方位を揃えることができるので、カバー部材１８ｂにチッピングが発生するのを抑制することが可能となる。
（実施形態４）
実施形態４に係る電子部品モジュール１００ｃでは、図６に示すように、弾性波装置１ｃにおける機能膜１２が、高音速膜１２０と、低音速膜１２１と、圧電膜１２２と、を含む。高音速膜１２０は、支持基板１１上に直接又は間接的に設けられている。高音速膜１２０は、圧電膜１２２を伝搬する弾性波の音速よりも伝搬するバルク波の音速が高速である。低音速膜１２１は、高音速膜１２０上に直接又は間接的に設けられている。低音速膜１２１は、圧電膜１２２を伝搬する弾性波の音速よりも伝搬するバルク波の音速が低速である。圧電膜１２２は、低音速膜１２１上に直接又は間接的に設けられている。実施形態４に係る電子部品モジュール１００ｃに関し、実施形態１に係る電子部品モジュール１００（図１参照）と同様の構成要素については、同一の符号を付して説明を省略する。
実施形態４に係る電子部品モジュール１００ｃでは、図６に示すように、弾性波装置１ｃにおける機能膜１２が、高音速膜１２０と、低音速膜１２１と、圧電膜１２２と、を含む。高音速膜１２０は、支持基板１１上に直接又は間接的に設けられている。高音速膜１２０は、圧電膜１２２を伝搬する弾性波の音速よりも伝搬するバルク波の音速が高速である。低音速膜１２１は、高音速膜１２０上に直接又は間接的に設けられている。低音速膜１２１は、圧電膜１２２を伝搬する弾性波の音速よりも伝搬するバルク波の音速が低速である。圧電膜１２２は、低音速膜１２１上に直接又は間接的に設けられている。実施形態４に係る電子部品モジュール１００ｃに関し、実施形態１に係る電子部品モジュール１００（図１参照）と同様の構成要素については、同一の符号を付して説明を省略する。
実施形態４に係る電子部品モジュール１００ｃにおける弾性波装置１ｃでは、高音速膜１２０は、弾性波が高音速膜１２０より下の構造に漏れないように機能している。
これにより、弾性波装置１ｃでは、フィルタや共振子の特性を得るために利用する特定のモードの弾性波のエネルギーは、圧電膜１２２及び低音速膜１２１の全体に分布し、高音速膜１２０の低音速膜１２１側の一部にも分布し、支持基板１１には分布しないことになる。高音速膜１２０により弾性波を閉じ込めるメカニズムは、非漏洩なＳＨ波であるラブ波型の表面波の場合と同様のメカニズムであり、例えば、文献「弾性表面波デバイスシミュレーション技術入門」、橋本研也、リアライズ社、ｐ．２６−２８に記載されている。上記メカニズムは、音響多層膜によるブラッグ反射器を用いて弾性波を閉じ込めるメカニズムとは異なる。
高音速膜１２０は、ダイヤモンドライクカーボン、窒化アルミニウム、酸化アルミニウム、炭化ケイ素、窒化ケイ素、シリコン、サファイア、リチウムタンタレート、リチウムニオベイト、水晶等の圧電体、アルミナ、ジルコニア、コージライト、ムライト、ステアタイト、フォルステライト等の各種セラミック、マグネシア、ダイヤモンド、又は、上記各材料を主成分とする材料、上記各材料の混合物を主成分とする材料からなる。
高音速膜１２０の膜厚に関しては、弾性波を圧電膜１２２及び低音速膜１２１に閉じ込める機能を高音速膜１２０が有するため、高音速膜１２０の膜厚は厚いほど望ましい。機能膜１２は、高音速膜１２０、低音速膜１２１及び圧電膜１２２以外の他の膜として密着層、誘電体膜等を有していてもよい。
実施形態４に係る電子部品モジュール１００ｃでは、実施形態１に係る電子部品モジュール１００と同様、外部接続電極１４２と圧電膜１２２は支持基板１１の厚さ方向Ｄ１から平面視した場合に重なっていない。これにより、実施形態４に係る電子部品モジュール１００ｃでは、製造時に外部接続電極１４２を形成する工程において、外部接続電極１４２から圧電膜１２２に力が加わるのを抑制でき、圧電膜１２２に割れや欠けが発生するのを抑制することが可能となる。また、実施形態４に係る電子部品モジュール１００ｃは、実施形態１に係る電子部品モジュール１００と同様、支持基板１１における圧電膜１２２側の面（第１主面１１１）が｛１００｝面であるので、支持基板１１における圧電膜１２２側の面が（１１１）面である場合と比べて、支持基板１１にクラックが発生するのを抑制することが可能となる。
（実施形態５）
実施形態５に係る電子部品モジュール１００ｄでは、図７に示すように、弾性波装置１ｃにおける機能膜１２が、圧電膜１２２である。圧電膜１２２は支持基板１１上に直接的に形成されている。実施形態５に係る電子部品モジュール１００ｄに関し、実施形態１に係る電子部品モジュール１００（図１参照）と同様の構成要素については、同一の符号を付して説明を省略する。
実施形態５に係る電子部品モジュール１００ｄでは、図７に示すように、弾性波装置１ｃにおける機能膜１２が、圧電膜１２２である。圧電膜１２２は支持基板１１上に直接的に形成されている。実施形態５に係る電子部品モジュール１００ｄに関し、実施形態１に係る電子部品モジュール１００（図１参照）と同様の構成要素については、同一の符号を付して説明を省略する。
支持基板１１は、圧電膜１２２を伝搬する弾性波の音速よりも伝搬するバルク波の音速が高速である高音速支持基板を構成している。機能膜１２は、圧電膜１２２以外の他の膜として、例えば、圧電膜１２２における支持基板１１側に設けられた密着層又は誘電体膜等を有していてもよい。また、機能膜１２は、圧電膜１２２におけるＩＤＴ電極１３側に設けられた誘電体膜等を有していてもよい。
実施形態５に係る電子部品モジュール１００ｄでは、実施形態１に係る電子部品モジュール１００と同様、外部接続電極１４２と圧電膜１２２は支持基板１１の厚さ方向Ｄ１から平面視した場合に重なっていない。これにより、実施形態５に係る電子部品モジュール１００ｄでは、製造時に外部接続電極１４２を形成する工程において、外部接続電極１４２から圧電膜１２２に力が加わるのを抑制でき、圧電膜１２２に割れや欠けが発生するのを抑制することが可能となる。また、実施形態５に係る電子部品モジュール１００ｄは、実施形態１に係る電子部品モジュール１００と同様、支持基板１１として圧電膜１２２側の面（第１主面１１１）が｛１００｝面であるので、支持基板１１として圧電膜１２２側の面が（１１１）面である場合と比べて、支持基板１１にクラックが発生するのを抑制することが可能となる。
上記の実施形態１〜５は、本発明の様々な実施形態の一つに過ぎない。上記の実施形態１〜５は、本発明の目的を達成できれば、設計等に応じて種々の変更が可能である。
例えば、実装基板２を構成するプリント配線基板は、ガラス布・エポキシ樹脂銅張積層板から形成されている場合に限らず、例えば、ガラス布・ポリイミド系樹脂銅張積層板、紙・エポキシ樹脂銅張積層板、紙・ガラス布・エポキシ樹脂銅張積層板、ガラス不織布・ガラス布エポキシ樹脂銅張積層板等から形成されていてもよい。
また、実装基板２は、プリント配線基板に限らず、例えば、ＬＴＣＣ基板であってもよい。ＬＴＣＣ基板は、アルミナ基板の焼成温度に比べて比較的低温である１０００℃以下（例えば、８５０℃〜１０００℃）で焼成された基板である。ＬＴＣＣ基板の線膨張係数は、例えば、１０ｐｐｍ／℃程度である。
また、電子部品モジュール１００、１００ａ、１００ｂ、１００ｃ、１００ｄは、実装基板２に電子部品として１つの弾性波装置１、１ａ、１ｂ、１ｃ、１ｄのみが実装された構成に限らず、例えば、複数の弾性波装置１、１ａ、１ｂ、１ｃ、１ｄが実装された構成でもよいし、弾性波装置１、１ａ、１ｂ、１ｃ、１ｄと弾性波装置１、１ａ、１ｂ、１ｃ、１ｄ以外の電子部品とが実装されていてもよい。
また、機能膜１２は、音響インピーダンス層を備えていてもよい。音響インピーダンス層は、圧電膜１２２と支持基板１１との間に形成される。音響インピーダンス層は、ＩＤＴ電極１３で励振された弾性波が支持基板１１に漏洩するのを抑制する機能を有する。音響インピーダンス層は、音響インピーダンスが相対的に高い少なくとも１つの高音響インピーダンス層と音響インピーダンスが相対的に低い少なくとも１つの低音響インピーダンス層とが支持基板１１の厚さ方向Ｄ１において並んだ積層構造を有する。上記の積層構造では、高音響インピーダンス層が複数設けられてもよいし、低音響インピーダンス層が複数設けられてもよい。この場合、上記の積層構造は、複数の高音響インピーダンス層と複数の低音響インピーダンス層とが支持基板１１の厚さ方向Ｄ１において一層ごとに交互に並んだ構造である。
高音響インピーダンス層は、例えば、白金、タングステン、窒化アルミニウム、リチウムタンタレート、サファイア、リチウムニオベイト、窒化シリコン又は酸化亜鉛からなる。
低音響インピーダンス層は、例えば、酸化ケイ素、アルミニウム又はチタンからなる。
また、弾性波装置１、１ａ、１ｂ、１ｃ、１ｄでは、圧電膜１２２上に１つのＩＤＴ電極１３が形成されているが、ＩＤＴ電極１３の数は１つに限らず、複数であってもよい。弾性波装置１、１ａ、１ｂ、１ｃ、１ｄでは、複数のＩＤＴ電極１３を備える場合、例えば、複数のＩＤＴ電極１３それぞれを含む複数の弾性表面波共振子が電気的に接続されて帯域通過型フィルタが構成されていてもよい。
また、弾性波装置１、１ｂ、１ｃ、１ｄにおける絶縁層１６及びスペーサ層１７、１７ｂの材料は、合成樹脂等の有機材料に限らず、無機材料であってもよい。
電子部品モジュール１００ｂでは、カバー部材１８ｂと支持基板１１との線膨張係数差が、実装基板２と支持基板１１との線膨張係数差よりも小さければよく、カバー部材１８ｂは、シリコン基板に限らず、例えば、硼珪酸ガラス基板等であってもよい。
（まとめ）
以上説明した実施形態１〜５等から以下の態様が開示されている。
以上説明した実施形態１〜５等から以下の態様が開示されている。
第１の態様に係る電子部品モジュール（１００；１００ａ；１００ｂ；１００ｃ；１００ｄ）は、弾性波装置（１；１ａ；１ｂ；１ｃ；１ｄ）と、実装基板（２）と、を有する。実装基板（２）には、弾性波装置（１；１ａ；１ｂ；１ｃ；１ｄ）が実装されている。弾性波装置（１；１ａ；１ｂ；１ｃ；１ｄ）は、支持基板（１１）と、圧電膜（１２２）と、ＩＤＴ電極（１３）、絶縁層（１６）と、配線電極（１５；１５ｂ）と、外部接続電極（１４２；１４２ａ；１４２ｂ）と、を備える。支持基板（１１）は、結晶基板からなる。圧電膜（１２２）は、支持基板（１１）上に直接又は間接的に形成されている。ＩＤＴ電極（１３）は、圧電膜（１２２）上に形成されている。絶縁層（１６）は、支持基板（１１）上に形成されている。配線電極（１５；１５ｂ）は、少なくとも一部が絶縁層（１６）上に形成されている。配線電極（１５；１５ｂ）は、ＩＤＴ電極（１３）と電気的に接続されている。外部接続電極（１４２；１４２ａ；１４２ｂ）は、配線電極（１５）と電気的に接続されている。外部接続電極（１４２；１４２ａ；１４２ｂ）と圧電膜（１２２）は、支持基板（１１）の厚さ方向（Ｄ１）から平面視した場合に、重なっていない。弾性波装置（１；１ａ；１ｂ；１ｃ；１ｄ）は、外部接続電極（１４２；１４２ａ；１４２ｂ）を介して実装基板（２）に実装されている。実装基板（２）は、支持基板（１１）の線膨張係数と異なる線膨張係数を有している。支持基板（１１）における圧電膜（１２２）側の面（第１主面１１１）が｛１００｝面である。
第１の態様に係る電子部品モジュール（１００；１００ａ；１００ｂ；１００ｃ；１００ｄ）では、圧電膜（１２２）の割れや欠け、及び、支持基板（１１）のクラック発生を抑制することが可能となる。
第２の態様に係る電子部品モジュール（１００；１００ａ；１００ｂ；１００ｃ；１００ｄ）は、弾性波装置（１；１ａ；１ｂ；１ｃ；１ｄ）と、実装基板（２）と、を有する。実装基板（２）には、弾性波装置（１；１ａ；１ｂ；１ｃ；１ｄ）が実装されている。実装基板（２）は、プリント配線基板又はＬＴＣＣ基板からなる。弾性波装置（１；１ａ；１ｂ；１ｃ；１ｄ）は、支持基板（１１）と、圧電膜（１２２）と、ＩＤＴ電極（１３）、絶縁層（１６）と、配線電極（１５；１５ｂ）と、外部接続電極（１４２；１４２ａ；１４２ｂ）と、を備える。圧電膜（１２２）は、支持基板（１１）上に直接又は間接的に形成されている。ＩＤＴ電極（１３）は、圧電膜（１２２）上に形成されている。絶縁層（１６）は、支持基板（１１）上に形成されている。配線電極（１５；１５ｂ）は、少なくとも一部が絶縁層（１６）上に形成されている。配線電極（１５；１５ｂ）は、ＩＤＴ電極（１３）と電気的に接続されている。外部接続電極（１４２；１４２ａ；１４２ｂ）は、配線電極（１５）と電気的に接続されている。外部接続電極（１４２；１４２ａ；１４２ｂ）と圧電膜（１２２）は、支持基板（１１）の厚さ方向（Ｄ１）から平面視した場合に、重なっていない。弾性波装置（１；１ａ；１ｂ；１ｃ；１ｄ）は、外部接続電極（１４２；１４２ａ；１４２ｂ）を介して実装基板（２）に実装されている。支持基板（１１）は、シリコン基板、ゲルマニウム基板又はダイヤモンド基板である。支持基板（１１）における圧電膜（１２２）側の面（第１主面１１１）が、｛１００｝面である。
第２の態様に係る電子部品モジュール（１００；１００ａ；１００ｂ；１００ｃ；１００ｄ）では、圧電膜（１２２）の割れや欠け、及び、支持基板（１１）のクラック発生を抑制することが可能となる。
第３の態様に係る電子部品モジュール（１００；１００ａ；１００ｂ；１００ｃ；１００ｄ）では、第１又は２の態様において、絶縁層（１６）の線膨張係数と支持基板（１１）の線膨張係数の差は、圧電膜（１２２）の線膨張係数と支持基板（１１）の線膨張係数の差よりも大きい。
第４の態様に係る電子部品モジュール（１００）は、第１〜３の態様のいずれか一つにおいて、さらに、スペーサ層（１７）と、カバー部材（１８）と、貫通電極（１４１）と、備える。スペーサ層（１７）は、絶縁層（１６）上に形成されている。カバー部材（１８）は、スペーサ層（１７）上に形成されている。貫通電極（１４１）は、絶縁層（１６）及び配線電極（１５）上に形成されている。貫通電極（１４１）は、配線電極（１５）と電気的に接続されている。貫通電極（１４１）は、厚さ方向（Ｄ１）においてスペーサ層（１７）とカバー部材（１８）とを貫通している。外部接続電極（１４２）は、貫通電極（１４１）及びカバー部材（１８）上に形成されている。外部接続電極（１４２）は、配線電極（１５）及び貫通電極（１４１）と電気的に接続されている。
第５の態様に係る電子部品モジュール（１００ｂ）は、第１又は２の態様において、さらに、スペーサ層（１７ｂ）と、カバー部材（１８ｂ）と、貫通電極（１４１ｂ）と、を備えている。スペーサ層（１７ｂ）は、少なくとも一部が絶縁層（１６）上に形成されている。スペーサ層（１７ｂ）は、支持基板（１１）の厚さ方向（Ｄ１）から平面視した場合にＩＤＴ電極（１３）の外側に形成されている。カバー部材（１８ｂ）は、スペーサ層（１７ｂ）上に形成されている。貫通電極（１４１ｂ）は、配線電極（１５ｂ）と電気的に接続されている。貫通電極（１４１ｂ）は、絶縁層（１６）と支持基板（１１）とを貫通している。外部接続電極（１４２ｂ）は、貫通電極（１４１ｂ）と電気的に接続されている。外部接続電極（１４２ｂ）は、支持基板（１１）の厚さ方向（Ｄ１）から平面視した場合に貫通電極（１４１ｂ）と重なっている。外部接続電極（１４２ｂ）は、支持基板（１１）における圧電膜（１２２）側の面（第１主面１１１）と反対の面（第２主面１１２）側に形成されている。
第５の態様に係る電子部品モジュール（１００ｂ）では、貫通電極（１４１ｂ）が支持基板（１１）を貫通するように形成されているので、貫通電極が樹脂により形成されたスペーサ層及び樹脂により形成されたカバー部材を貫通している場合と比べて、放熱性を向上させることが可能となる。
第６の態様に係る電子部品モジュール（１００；１００ａ；１００ｂ；１００ｃ；１００ｄ）では、第４又は５の態様において、カバー部材（１８；１８ｂ）と支持基板（１１）との線膨張係数差が、実装基板（２）と支持基板（１１）との線膨張係数差よりも小さい。
第６の態様に係る電子部品モジュール（１００；１００ａ；１００ｂ；１００ｃ；１００ｄ）では、支持基板（１１）にクラックが発生するのを抑制することが可能となる。
第７の態様に係る電子部品モジュール（１００；１００ａ；１００ｂ；１００ｃ；１００ｄ）では、第４〜６の態様のいずれか一つにおいて、カバー部材（１８；１８ｂ）は、シリコンである。
第７の態様に係る電子部品モジュール（１００；１００ａ；１００ｂ；１００ｃ；１００ｄ）では、カバー部材（１８；１８ｂ）と支持基板（１１）との線膨張係数差をより小さくすることができる。
第８の態様に係る電子部品モジュール（１００；１００ａ；１００ｂ；１００ｃ；１００ｄ）では、第７の態様において、カバー部材（１８；１８ｂ）における支持基板（１１）側の面と反対側の面が、｛１００｝面である。
第８の態様に係る電子部品モジュール（１００；１００ａ；１００ｂ；１００ｃ；１００ｄ）では、例えば製造する際のダイシング工程においてカバー部材（１８ｂ）の表面が（１１１）面である場合と比べて、カバー部材（１８；１８ｂ）にチッピングが発生するのを抑制することが可能となる。
第９の態様に係る電子部品モジュール（１００；１００ａ；１００ｂ；１００ｃ；１００ｄ）では、第１〜８の態様のいずれか一つにおいて、実装基板（２）は、プリント配線基板である。
第９の態様に係る電子部品モジュール（１００；１００ａ；１００ｂ；１００ｃ；１００ｄ）では、実装基板（２）をＬＴＣＣ基板により構成する場合と比べて、例えば実装基板（２）内にインダクタを形成しやすいという利点がある。
第１０の態様に係る電子部品モジュール（１００；１００ａ；１００ｂ；１００ｃ；１００ｄ）では、第１〜９の態様のいずれか一つにおいて、外部接続電極（１４２；１４２ａ；１４２ｂ）は、バンプである。バンプの材料は、はんだ又は金である。
第１１の態様に係る電子部品モジュール（１００；１００ａ；１００ｂ）では、第１〜１０の態様のいずれか一つにおいて、弾性波装置（１；１ａ；１ｂ）は、さらに、低音速膜（１２１）を備える。低音速膜（１２１）は、支持基板（１１）上に形成されており、圧電膜（１２２）を伝搬する弾性波の音速よりも伝搬するバルク波の音速が低速である。支持基板（１１）は、圧電膜（１２２）を伝搬する弾性波の音速よりも伝搬するバルク波の音速が高速である高音速支持基板を構成している。
第１１の態様に係る電子部品モジュール（１００；１００ａ；１００ｂ）では、弾性波装置（１；１ａ；１ｂ）において、低音速膜（１２１）が設けられていない場合に比べて、損失を低減し、Ｑ値を高めることができる。
第１２の態様に係る電子部品モジュール（１００ｃ）では、第１〜１０の態様のいずれか一つにおいて、弾性波装置（１ｃ）は、さらに、高音速膜（１２０）と、低音速膜（１２１）と、を備える。高音速膜（１２０）は、支持基板（１１）上に形成されており、圧電膜（１２２）を伝搬する弾性波の音速よりも伝搬するバルク波の音速が高速である。低音速膜（１２１）は、高音速膜（１２０）上に形成されており、圧電膜（１２２）を伝搬する弾性波の音速よりも伝搬するバルク波の音速が低速である。
第１２の態様に係る電子部品モジュール（１００ｃ）では、弾性波が支持基板（１１）に漏れるのを抑制することが可能となる。
第１３の態様に係る電子部品モジュール（１００；１００ａ；１００ｂ；１００ｃ；１００ｄ）では、第１の態様において、支持基板（１１）の材料は、シリコン、ゲルマニウム、又は、ダイヤモンドである。
第１４の態様に係る電子部品モジュール（１００；１００ａ；１００ｂ；１００ｃ；１００ｄ）では、第１〜１３の態様のいずれか一つにおいて、圧電膜（１２２）の材料は、リチウムタンタレート、リチウムニオベイト、酸化亜鉛、窒化アルミニウム、又は、チタン酸ジルコン酸鉛である。
第１５の態様に係る電子部品モジュール（１００；１００ａ；１００ｂ）では、第１１又は１２の態様において、低音速膜（１２１）の材料は、酸化ケイ素、ガラス、酸窒化ケイ素、酸化タンタル、酸化ケイ素にフッ素又は炭素又はホウ素を加えた化合物からなる群から選択される少なくとも１種の材料である。
第１６の態様に係る電子部品モジュール（１００ｃ）では、第１２の態様において、高音速膜（１２０）の材料は、ダイヤモンドライクカーボン、窒化アルミニウム、酸化アルミニウム、炭化ケイ素、窒化ケイ素、シリコン、サファイア、リチウムタンタレート、リチウムニオベイト、水晶、アルミナ、ジルコニア、コージライト、ムライト、ステアタイト、フォルステライト、マグネシア及びダイヤモンドからなる群から選択される少なくとも１種の材料である。
１、１ａ、１ｂ、１ｃ、１ｄ 弾性波装置
１１ 支持基板
１１１ 第１主面
１１２ 第２主面
１１４ 電気絶縁膜
１２ 機能膜
１２０ 高音速膜
１２１ 低音速膜
１２２ 圧電膜
１３ ＩＤＴ電極
１４１、１４１ｂ 貫通電極
１４２、１４２ａ、１４２ｂ 外部接続電極
１５、１５ｂ 配線電極
１５１ 部分
１５２ パッド電極
１６ 絶縁層
１７ スペーサ層
１７３ 貫通孔
１８、１８ｂ カバー部材
２ 実装基板
２１ 支持体
２１１ 第１主面
２１２ 第２主面
２３ 第１導体部
２４ 貫通電極
２５ 第２導体部
３ 保護層
１００、１００ａ、１００ｂ、１００ｃ、１００ｄ 電子部品モジュール
Ｄ１ 厚さ方向
Ｓ１、Ｓ１ｂ 空間
１１ 支持基板
１１１ 第１主面
１１２ 第２主面
１１４ 電気絶縁膜
１２ 機能膜
１２０ 高音速膜
１２１ 低音速膜
１２２ 圧電膜
１３ ＩＤＴ電極
１４１、１４１ｂ 貫通電極
１４２、１４２ａ、１４２ｂ 外部接続電極
１５、１５ｂ 配線電極
１５１ 部分
１５２ パッド電極
１６ 絶縁層
１７ スペーサ層
１７３ 貫通孔
１８、１８ｂ カバー部材
２ 実装基板
２１ 支持体
２１１ 第１主面
２１２ 第２主面
２３ 第１導体部
２４ 貫通電極
２５ 第２導体部
３ 保護層
１００、１００ａ、１００ｂ、１００ｃ、１００ｄ 電子部品モジュール
Ｄ１ 厚さ方向
Ｓ１、Ｓ１ｂ 空間
Claims (15)
- 弾性波装置と、前記弾性波装置が実装される実装基板と、を有する電子部品モジュールであって、
前記弾性波装置は、
結晶基板からなる支持基板と、
前記支持基板上に直接又は間接的に形成されている圧電膜と、
前記圧電膜上に形成されているＩＤＴ電極と、
前記支持基板上に形成されている絶縁層と、
少なくとも一部が前記絶縁層上に形成され、前記ＩＤＴ電極と電気的に接続されている配線電極と、
前記配線電極と電気的に接続されている、外部接続電極と、
を備え、
前記外部接続電極と前記圧電膜は、前記支持基板の厚さ方向から平面視した場合に、重なっておらず、
前記弾性波装置は、前記外部接続電極を介して前記実装基板に実装されており、
前記実装基板は、前記支持基板の線膨張係数と異なる線膨張係数を有しており、
前記絶縁層の線膨張係数と前記支持基板の線膨張係数の差は、前記圧電膜の線膨張係数と前記支持基板の線膨張係数の差よりも大きく、
前記支持基板における前記圧電膜側の面が、｛１００｝面である、
電子部品モジュール。 - 弾性波装置と、前記弾性波装置が実装されるプリント配線基板又はＬＴＣＣ基板からなる実装基板と、を有する電子部品モジュールであって、
前記弾性波装置は、
支持基板と、
前記支持基板上に直接又は間接的に形成されている圧電膜と、
前記圧電膜上に形成されているＩＤＴ電極と、
前記支持基板上に形成されている絶縁層と、
少なくとも一部が前記絶縁層上に形成され、前記ＩＤＴ電極と電気的に接続されている配線電極と、
前記配線電極と電気的に接続されている、外部接続電極と、
を備え、
前記外部接続電極と前記圧電膜は、前記支持基板の厚さ方向から平面視した場合に、重なっておらず、
前記弾性波装置は、前記外部接続電極を介して前記実装基板に実装されており、
前記絶縁層の線膨張係数と前記支持基板の線膨張係数の差は、前記圧電膜の線膨張係数と前記支持基板の線膨張係数の差よりも大きく、
前記支持基板は、シリコン基板、ゲルマニウム基板、又はダイヤモンド基板であり、
前記支持基板における前記圧電膜側の面が、｛１００｝面である、
電子部品モジュール。 - 前記弾性波装置は、さらに、スペーサ層と、カバー部材と、貫通電極と、を備えており、
前記スペーサ層は、少なくとも一部が前記絶縁層上に形成されており、前記支持基板の厚さ方向から平面視した場合に前記ＩＤＴ電極の外側に形成されており、
前記カバー部材は、前記スペーサ層上に形成されており、
前記貫通電極は、前記絶縁層及び前記配線電極上に形成されており、前記配線電極と電気的に接続されており、かつ、前記スペーサ層と前記カバー部材とを貫通しており、
前記外部接続電極は、前記貫通電極及び前記カバー部材上に形成されており、前記配線電極及び前記貫通電極と電気的に接続されている、
請求項１又は２に記載の電子部品モジュール。 - 前記弾性波装置は、さらに、スペーサ層と、カバー部材と、貫通電極と、を備えており、
前記スペーサ層は、少なくとも一部が前記絶縁層上に形成されており、前記支持基板の厚さ方向から平面視した場合に前記ＩＤＴ電極の外側に形成されており、
前記カバー部材は、前記スペーサ層上に形成されており、
前記貫通電極は、前記配線電極と電気的に接続されており、前記絶縁層と前記支持基板とを貫通しており、
前記外部接続電極は、前記貫通電極と電気的に接続されており、前記支持基板の厚さ方向から平面視した場合に前記貫通電極と重なっており、かつ、前記支持基板における前記圧電膜側の面と反対の面側に形成されている、
請求項１又は２に記載の電子部品モジュール。 - 前記カバー部材と前記支持基板との線膨張係数差が、前記実装基板と前記支持基板との線膨張係数差よりも小さい、
請求項３又は４に記載の電子部品モジュール。 - 前記カバー部材の材料は、シリコンである、
請求項３〜５のいずれか一項に記載の電子部品モジュール。 - 前記カバー部材における前記支持基板側の面と反対側の面が、｛１００｝面である、
ことを特徴とする請求項６に記載の電子部品モジュール。 - 前記実装基板は、プリント配線基板である、
請求項１〜７のいずれか一項に記載の電子部品モジュール。 - 前記外部接続電極は、バンプであり、
前記バンプの材料は、はんだ又は金である、
請求項１〜８のいずれか一項に記載の電子部品モジュール。 - 前記弾性波装置は、さらに、
前記支持基板と前記圧電膜との間において前記支持基板上に設けられており、前記圧電膜を伝搬する弾性波の音速よりも伝搬するバルク波の音速が低速である低音速膜を備え、
前記支持基板は、前記圧電膜を伝搬する弾性波の音速より伝搬するバルク波の音速が高速である高音速支持基板を構成している、
請求項１〜９のいずれか一項に記載の電子部品モジュール。 - 前記弾性波装置は、さらに、
前記支持基板と前記圧電膜との間において前記支持基板上に形成されており、前記圧電膜を伝搬する弾性波の音速よりも伝搬するバルク波の音速が高速である高音速膜と、
前記支持基板と前記圧電膜との間において前記高音速膜上に形成されており、前記圧電膜を伝搬する弾性波の音速よりも伝搬するバルク波の音速が低速である低音速膜と、を備える、
請求項１〜９のいずれか一項に記載の電子部品モジュール。 - 前記支持基板の材料は、シリコン、ゲルマニウム、又は、ダイヤモンドである、
請求項１に記載の電子部品モジュール。 - 前記圧電膜の材料は、リチウムタンタレート、リチウムニオベイト、酸化亜鉛、窒化アルミニウム、又は、チタン酸ジルコン酸鉛である、
請求項１〜１２のいずれか一項に記載の電子部品モジュール。 - 前記低音速膜の材料は、酸化ケイ素、ガラス、酸窒化ケイ素、酸化タンタル、酸化ケイ素にフッ素又は炭素又はホウ素を加えた化合物からなる群から選択される少なくとも１種の材料である、
請求項１０又は１１に記載の電子部品モジュール。 - 前記高音速膜の材料は、ダイヤモンドライクカーボン、窒化アルミニウム、酸化アルミニウム、炭化ケイ素、窒化ケイ素、シリコン、サファイア、リチウムタンタレート、リチウムニオベイト、水晶、アルミナ、ジルコニア、コージライト、ムライト、ステアタイト、フォルステライト、マグネシア及びダイヤモンドからなる群から選択される少なくとも１種の材料である、
請求項１１に記載の電子部品モジュール。
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