JP2017046330A - 弾性波素子および弾性波装置 - Google Patents

Abstract

【課題】信頼性の高い弾性波素子および弾性波装置を提供する。【解決手段】基板３と、基板３の主面３ａ上に配置された、弾性波を発生させる励振電極２と、基板３の主面３ａと間隔を開けて配置される、基板３よりも線膨張係数の小さい材料からなる蓋体４と、蓋体４と基板３とを接合する接合部５と、を備える。接合部５は、基板３の主面３ａ上に配置された第１接合部１５と、第１接合部１５と蓋体４との間に配置される第２接合部１７と、を含み、第１接合部１５の外縁は、第２接合部１７の外縁よりも内側にある【選択図】図３

Description

本発明は、弾性表面波（ＳＡＷ：Surface Acoustic Wave）素子や圧電薄膜共振器（Ｆ
ＢＡＲ：Film Bulk Acoustic Resonator）などの弾性波素子および弾性波装置に関する。

小型化などを目的とした、いわゆるウェハレベルパッケージ（ＷＬＰ：Wafer Level Package）型の弾性波素子が知られている。このＷＬＰ型の弾性波素子は、圧電基板と、圧電基板に設けられた励振電極と、励振電極を封止するカバーとを有する。

また、このカバーの上面は、例えば、端子を配置するためのスペース、あるいは励振電極の振動空間の変形を防止するための、金属材料からなる補強部材を設けるためのスペースとして利用される（例えば、特許文献１参照）。

特開２００７−１４２７７０号公報

近年、さらにカバーにかかる応力が高まる環境においても、カバーの変形を抑え、かつ、振動空間を確保できる弾性波素子が求められている。

本願はかかる事情のもと勘案されたものであり、その目的は、高い応力が加わっても振動空間を確保することのできる弾性波素子および弾性波装置を提供することにある。

本発明の一態様としての弾性波素子は、基板と、該基板の主面上に配置された、弾性波を発生させる励振電極と、前記基板の前記主面と間隔を開けて配置される、前記基板よりも線膨張係数の小さい材料からなる蓋体と、前記蓋体と前記基板とを接合する接合部と、を備える。そして、前記接合部は、前記基板の前記主面上に配置された第１接合部と、前記第１接合部と前記蓋体との間に配置される第２接合部と、を含み、前記第１接合部の外縁は、前記第２接合部の外縁よりも内側にある。

本発明の一態様としての弾性波装置は、上記弾性波素子と、前記弾性波素子が実装される回路基板と、前記弾性波素子と前記回路基板の実装面とを覆う樹脂と、を含むものである。

本発明によれば、高い応力が付加されても振動空間を確保することのできる弾性波素子および弾性波装置を提供することができる。

本発明の実施形態に係る弾性波素子の外観図である。 図１の弾性波素子の蓋体を外した状態の平面図である。 （ａ）は図２のIIIａ−IIIａ線における断面図であり、（ｂ）は図２のＩＩＩｂ−ＩＩＩｂ線における断面図である。 図３（ｂ）のＭで示した部分の拡大断面図である。 （ａ）から（ｆ）は、シミュレーションに用いる各モデルにおける、図３（ｂ）のＭで示した部分の拡大断面図である。 シミュレーションによる各モデルの発生応力を比較する線図であり、（ａ）は高温下の，（ｂ）低温下における結果である。 （ａ）は、弾性波素子１Ａの蓋体を外した状態の平面図であり、（ｂ）は（ａ）のｂ−ｂ線における断面図である。 図１に示す弾性波装置の変形例を示す図４に対応する部分の拡大断面図である。 本発明の実施形態に係る弾性波装置の断面図である。

＜弾性波素子の構造＞
図１は、本発明の実施形態に係る弾性波素子１の外観上面図であり、図２は、図１の弾性波素子において蓋体を外した状態の平面図であり、図３（ａ）は図２のＩＩＩａ−ＩＩＩａ線における断面図であり、図３（ｂ）は図２のＩＩＩｂ−ＩＩＩｂ線における断面図である。ここで、本例では弾性波としてＳＡＷを用いた場合を示し、弾性波素子１をＳＡＷ素子１と呼ぶこととする。後述する弾性波装置についてもＳＡＷ装置とする。

ＳＡＷ素子１は、いわゆるＷＬＰ型のパッケージにより構成されている。ＳＡＷ素子１は、基板３と、基板３の主面３ａに配置された励振電極２と、基板３と間隔をあけて配置されている蓋体４と、蓋体４の上方に配置された複数の端子パッド７とを有している。

ＳＡＷ素子１は、複数の端子パッド７のいずれかを介して信号の入力がなされる。入力された信号は、ＳＡＷ素子１によりフィルタリングされる。そして、ＳＡＷ素子１は、フィルタリングした信号を複数の端子パッド７のいずれかを介して出力する。ＳＡＷ素子１は、例えば、蓋体４の側の面を不図示の回路基板などの実装面に対向させて当該実装面に載置された状態で樹脂封止されることにより、複数の端子パッド７を実装面上のパッドに接続した状態で実装される。

基板３は、圧電基板により形成されている。例えば、基板３は、タンタル酸リチウム単結晶（ＬｉＴａＯ_３），ニオブ酸リチウム単結晶（ＬｉＮｂＯ_３），水晶などの圧電性を有する直方体状の単結晶基板である。具体的には、例えば、基板３は、３６°〜４８°Ｙ−ＸカットのＬｉＴａＯ_３基板によって構成されている。

基板３の平面形状は適宜に設定されてよいが、例えば、所定方向（Ｙ方向）を長手方向とする矩形である。基板３の大きさは適宜に設定されてよいが、例えば、厚さは０．１ｍｍ〜０．５ｍｍ、１辺の長さは０．５ｍｍ〜２ｍｍである。

基板３の主面３ａには、励振電極２、接続配線１１といった各種の電極および配線が設けられている。

基板３の主面３ａとは反対側の面である裏面３ｂには導体層１３が取り付けられている。裏面３ｂに導体層１３が取り付けられていることによって、基板３に蓄積された余分な電荷が放電され、ＳＡＷ装置のフィルタとしての特性を安定化させることができる。なお、導体層１３を設けずに基板３の裏面が露出した状態とされていてもよい。

励振電極２は、ＳＡＷを発生させるためのものである。図２に示すように励振電極２は、複数の電極指を有する櫛歯状の複数のＩＤＴ電極と複数のＩＤＴ電極の両端に配置された反射器電極とを含む。このような励振電極２が圧電性の基板３の主面に配置されることによって、例えば、ラダー型フィルタや２重モードＳＡＷ共振器フィルタなどが構成されている。また、複数の励振電極２が直列接続や並列接続などの方式で接続され、ラダー型ＳＡＷフィルタなどが構成されてもよい。励振電極２は、例えばＡｌ−Ｃｕ合金などのＡｌ合金によって形成されている。

励振電極２は、接続配線１１および引出電極９を介して端子パッド７と接続されている。接続配線１１は、例えば、励振電極２と同じ材料により形成され、Ａｌ−Ｃｕ合金などのＡｌ合金によって形成されている。また接続配線１１の配線抵抗を小さくするために、配線接続１１の厚みを励振電極２の厚みよりも大きくしてもよい。

引出電極９は、接続配線１１と端子パッド７とを電気的に接続するものであり、導電性を備える材料であれば特に限定されず、複数の導体層が積層されて成ってもよい。例えば、接続配線１１と同様の材料でもよいし、Ａｕ，Ｎｉ，Ｃｕ，Ｔｉ等やその化合物としてもよい。

基板３の主面３ａに形成された励振電極２などの各種の電極および配線は、不図示の保護層で覆われている。この保護層は、励振電極２など基板３の主面３ａに設けられた各種の電極および配線の酸化防止などに寄与する。保護層は、例えば、絶縁性を有するとともに、ＳＡＷの伝搬に影響を与えない程度に質量の軽い材料により形成される。例えば、保護層１４は、酸化珪素、窒化珪素、シリコンなどからなる。

基板３の主面３ａに配置された各種の電極および配線を保護するとともに、励振電極２の振動空間６を確保するための蓋体４が基板３の主面３ａと間隔をあけて配置されている。蓋体４の平面形状は、例えば、基板３の平面形状と同様であり、矩形状である。ただし、蓋体４は、平面視したときに基板３の主面３ａの外周部が露出するように基板３の主面３ａよりもやや小さく形成されている。蓋体４の厚さは、フィルム状の樹脂膜等と比べると十分厚く、例えば、１０μｍ〜１００μｍである。蓋体４の厚みは後述の接合部５の厚みよりも大きくなっている。

蓋体４は、線膨張係数が、基板３を構成する材料の線膨張係数以下となるような材料からなる、このような材料の一例として、タンタル酸リチウム単結晶，ニオブ酸リチウム単結晶、Ｓｉ基板、サファイア基板、水晶、有機基板等を用いる。例えば、基板３としてタンタル酸リチウム単結晶を用いた場合には、蓋体４としてシリコン基板等を用いればよい。蓋体４としてこのような厚みおよび材料を用いることで、応力が加わっても変形を抑制することができる。

蓋体４は接合部５を介して配置される。接合部５は、基板３の主面３ａに積層される第１接合部１５と、第１接合部１５に積層される第２接合部１７とで構成されている。言い換えると、第１接合部１５は下面を基板３に上面を第２接合部１７に接合され、第２接合部１７は下面を第１接合部１５に上面を蓋体４に接合されている。この接合部５により、基板３と蓋体４とを間隔を開けて配置させることができる。

具体的には、主面３ａに第１接合部１５が形成された基板３と、下面に第２接合部１７が形成された蓋体４とを向き合わせ、第１接合部１５と第２接合部１７とを接合することにより基板３と蓋体４とを接合する接合部５が形成される。第１接合部１５と第２接合部１７とは、接触させた状態で電圧や熱、圧力等を印加して接合させてもよいし、接合面を活性化させて常温で接触させることで接合させてもよい。

接合部５は、概ね一定の厚さの層により構成されている。第１接合部１５，第２接合部１７の厚さはそれぞれ、例えば、２μｍ〜３０μｍである。

この例では、接合部５を構成する第１接合部１５，第２接合部１７はそれぞれ、Ｃｕ，Ｎｉ，Ｃｒ，Ａｕ等の導電材料およびこれらの積層体で構成してもよいし、感光性の樹脂により形成されもよい。感光性の樹脂は、例えば、アクリル基やメタクリル基などのラジカル重合により硬化する、ウレタンアクリレート系、ポリエステルアクリレート系、エポキシアクリレート系の樹脂である。

第１接合部１５および第２接合部１７は、同一の材料により形成されていてもよいし、互いに異なる材料により形成されていてもよい。図では説明の便宜上、第１接合部１５と第２接合部１７との境界線を明示しているが、実際の製品においては、第１接合部１５と第２接合部１７とが同一材料により形成され、一体的に形成されていてもよい。この場合に接合界面ｉを特定するためには、例えば、形状により推定したり、厚み方向で微小元素分布を確認し、Ｃ，Ａｒ等の不純物濃度が増加する厚み位置を接合界面ｉと推定したりすることができる。

接続配線１１を振動空間６の外側に引き出すために、接合部５と接続配線１１とが平面視で重なる領域が生じる。接合部５として導電性材料を用いる場合には、このような領域において、図３（ａ）に示すように両者の間に絶縁層１７を介在させて絶縁性を確保する。このように、第１接合部１５は基板３に直接接合されていなくてもよい。同様に、第２接合部１７は蓋体４に直接接合されていなくてもよい。

接合部５には開口部１６が形成されている。開口部１６は、接合部５を平面視したときに励振電極２と重なる部分に設けられている。換言すれば、接合部５の内壁は励振電極２を取り囲んでいる。この開口部１６が蓋体４によって塞がれることで、基板３の主面３ａと蓋体４との間に振動空間６が形成されることとなる。

振動空間６は空洞部であり、励振電極２の上面に設けられている。励振電極２の上面に振動空間６が設けられていることにより、励振電極２により発生するＳＡＷが基板３を伝搬しやすくなる。振動空間６は図２に示すように、平面形状が概ね矩形状に形成されている。図２では振動空間６を１つだけ設けた例を示しているが、例えば、複数の励振電極２を設けた場合には、複数の励振電極２ごとに複数の振動空間６を設けてもよい。

基板３の主面３ａのうち蓋体４と接合部５とで構成されるカバーの外側に露出する領域には接合部５の外側面を覆うように絶縁体９を設けてもよい。絶縁体９により振動空間６への水分・汚染源の侵入を抑制することができる。さらに、接続配線１１のうち第１接合部１５の外縁よりも外側に位置する領域に絶縁体９が設けられている場合には、絶縁体９により接合部５の外側面と引出電極９との絶縁性を確保することができる。

このように、蓋体４として基板を用いることで、応力が加わっても蓋体４の変形を抑制することができ、その結果、振動空間６を確保することのできる信頼性の高いＳＡＷ素子１を提供することができる。さらに、加熱または冷却されることで加わる接合部５への熱応力を抑制することができる。

ここで、接合部５について詳述する。図４に、図３（ｂ）において破線Ｍで囲んだ領域の拡大図を示す。図４において、接合部５の構成を分かりやすくするために、一部の構成の図示を省略している。

図４からも明らかなように、線膨張係数の大きい側の基板（基板３）に接合される第１接合部１５の外縁ｅ１１は、線膨張係数の小さい側の基板（蓋体４）に接合される第２接合部１７の外縁ｅ２１よりも内側に位置している。言い換えると、第１接合部１５の幅方向における中心Ｃ１は、第２接合部１７の幅方向における中心Ｃ２よりも内側に位置して
いる。

このような構成とすることにより第１接合部１５と第２接合部１７との接合界面ｉにかかる応力を低減することができる。さらに、第１接合部１５の内縁ｅ１２は、第２接合部１７の内縁ｅ２２に比べて内側に位置している。これにより、応力が集中する角部を接合界面ｉからずらして設けることができ、さらに接合界面ｉへの応力発生を抑制することができる。 さらに、図４に示す例では、第２接合部１７は、蓋部４の端部よりも距離Ｌだけ内側において蓋部４と接合されている。このような構成により、蓋部４を引き剥がす方向に発生する力が集中する蓋部４の端部から接合部５を離すことができる。これにより、さらに接合界面ｉへの応力発生を抑制することができ、信頼性の高いＳＡＷ素子１を提供することができる。

ここで、図４に示す構成の接合部５によって、熱履歴により生じる接合界面ｉにおける応力が低減されていることを確認するためにシミュレーションを行なった。ＳＡＷ素子の基本構造は以下の通りとした。

[基本構造]
基板３の材料：タンタル酸リチウム単結晶基板
基板３の直径：１４００μｍ
基板３の厚み：１００μｍ
基板３の特性：ヤング率 ２３０ＧＰａ
線膨張係数 x方向 １３．４ｐｐｍ／Ｋ，ｙ方向 １１．９ｐｐｍ／Ｋ
ポアソン比 ０．３
蓋体４の材料：Ｓｉ単結晶基板
蓋体４の直径：１４００μｍ
蓋体４の厚み：１００μｍ
蓋体４の特性：ヤング率 １９０ＧＰａ
線膨張係数 ２．４ｐｐｍ／Ｋ
ポアソン比 ０．２７
第１接合部１５の材料：Ｃｕ
第１接合部１５の幅：５０μｍ
第１接合部１５の厚み：１０μｍ
第１接合部１５の特性：ヤング率 １２８ＧＰａ
線膨張係数 １６．５ｐｐｍ／Ｋ
ポアソン比 ０．３４
降伏応力 １１３ＭＰａ
第２接合部１７は第１接合部１５と同様とした。

上述の基本構造を元に、モデル１〜モデル６の接合部５の構造についてシミュレーションを行なった。各モデルの構造を図５に示す。図５は図３（ｂ）の破線Ｍで囲む領域に相当する部分の要部拡大断面図である。

モデル１は、図５（ａ）に示すように、第１接合部１５と第２接合部１７との内縁ｅ１２，ｅ２２および外縁ｅ１１，ｅ２１が一致しており同一面となっている。なお、距離Ｌは５０μｍである。

モデル２は、図５（ｂ）に示すように、蓋体４の端部と第１接合部１５と第２接合部１７と外縁ｅ１１，ｅ２１とが一致しており同一面となっている。なお、蓋体４の直径は１２００μｍとした。

モデル３は、図５（ｃ）に示すように、蓋体４の端部と第２接合部１７と外縁ｅ１２とが一致しており同一面となっており、第１接合部１５と第２接合部１７との内縁ｅ１２，ｅ２２が一致しており同一面となっている。さらに第１接合部１５の幅が６０μｍとなっており、その外縁ｅ１１が蓋体４の端部および第２接合部１７の外縁ｅ１２よりも外側に位置している。

モデル４は、図５（ｄ）に示すように、第１接合部１５および第２接合部１７のそれぞれが厚みの途中で幅を変えることで接合部５の外縁を階段状としている。ここで、第１接合部１５と第２接合部１７との接合界面ｉにおいては両者は同一面となる領域を有している。そして、第１接合部１５および第２接合部１７のそれぞれが厚みの半分の位置で幅を変えており、第１接合部１５は６０μｍから５０μｍに、第２接合部は５０μｍから４５μｍへと幅を変えている。

モデル５は、図５（ｅ）に示すように、概ね図４に示す構造である。第２接合部１７は第１接合部１５よりも１０μｍ外側に位置させている。
モデル６は、図５（ｆ）に示すように、第１接合部１５の外縁ｅ１１が第２接合部ｅ２１の外縁よりも外側に位置している。そして、第１接合部１５は第２接合部１７よりも１０μｍ外側に位置させている。

このようなモデル１〜６について、１５０℃の環境下と−６５℃の環境下における接合界面ｉに加わる応力を測定した結果を図６に示す。図６において、横軸は各モデルの別を示し、縦軸は界面応力（単位：ＭＰａ）を示す。ここで、界面応力はマイナスの絶対値が大きくなるほど、剥離を引き起こすこととなる。図６に示す通り、図４に示す本実施形態のＳＡＷ素子１は、高温下においても低温下においても接合界面ｉに加わる応力を小さくすることができるので、接合を維持し、振動空間６を安定して確保できることを確認した。

また、上述のシミュレーションにより、接合界面ｉの面内における応力の分布を確認した。特に、接合界面ｉのうち振動空間４側における応力を確認したところ、モデル５を除く全てのモデルは引き剥がし方向の応力がかかっているのに対して、モデル５では、圧着方向の力が働いていることを確認した。このことから、第１接合部１５と第２接合部１７は外縁のみでなく、内縁側の位置関係もモデル５の構成とすることで、よりＳＡＷ素子１の接合強度を高めることができる。

なお、接合部５の一部が上述のモデル５に示す構成であれば、接合強度を高めることができるが、例えば、トランスファーモールドの際に特に応力の集中する可能性のある振動空間６の角部に対応する部分（四隅）や、振動空間６を平面視したときの長辺側の部分において上述のモデル５に示す構成とすることが好ましい。特に、接合部５全体（この例にでは全周）において、第１接合部１５と第２接合部１７とを上述のモデル５に示す位置関係にすると、接合強度を高め、信頼性の高いＳＡＷ素子１を提供することができる。

（変形例１）
図１〜図４に示す例では、接合部５は環状であったが、図７に示すように接合部５は点在していてもよい。図７（ａ）は、変形例１に係るＳＡＷ素子１Ａにおいて、蓋体４を外した状態の上面図であり、図７（ｂ）は図７（ａ）のｂ−ｂ線における断面図である。

ＳＡＷ素子１Ａでは、接合部５を基板３から蓋体４へとつなぐポスト電極として用いている。絶縁体９はその外周を囲う枠体として機能している。この場合には、熱履歴がかかってもポスト電極の接合を保持することができる。

ここでも、上述の実施形態と同様に、第１接合部１５の外縁ｅ１１が、第２接合部１７の外縁ｅ２１より内側に位置する。ここで、「内側」とは、平面視における振動空間６の中心に向かう方向をさすものとする。

なお、図７に示す例では、接合部５から端子パッド７までを蓋体４の外周面を経て接続する導電層１８により接続しているがこの例に限定されることはない。例えば、蓋体４を貫通させるビアを用いたり、蓋体４の内部に内部配線を形成したりして、蓋体４の上面まで電気的に導出させてもよい。

このような接合部５が複数ある場合には、そのうちの１つが、第１接合部１５の外縁ｅ１１が、第２接合部１７の外縁ｅ２１より内側に位置する構成であれば、接合強度を高めることができる。ただし、例えば、トランスファーモールドの際に特に応力の集中する可能性のある振動空間６の角部に対応する部分（四隅）や、振動空間６を平面視したときの長辺側の部分に配置された接合部５において上述の構成とすることが好ましい。また、空洞の振動空間４を支える観点から、共振子を挟んで配置された接合部５において上述の構成とすることが好ましい。

（変形例２）
図１〜図４に示す例では、基板３は単一材料であったが、ＳＡＷ素子１，１Ａにおいて、基板３の下面３ｂには支持基板が接合され、いわゆる貼り合せ基板を構成していてもよい。

基板３の厚さは、例えば、一定であり、その大きさは、ＳＡＷ素子１，１Ａが適用される技術分野やＳＡＷ素子１，１Ａに要求される仕様等に応じて適宜に設定されてよい。一例として、基板３の厚さは、１〜３０μｍである。

支持基板は、例えば、基板３の材料よりも熱膨張係数が小さい材料によって形成されている。このような構成とすることにより、基板３と支持基板とで構成される素子基板によれば、温度変化が生じると基板３に熱応力が生じ、この際、弾性定数の温度依存性と応力依存性とが打ち消し合い、ひいては、ＳＡＷ素子１，１Ａの電気特性の温度変化が補償される。このような材料としては、例えば、サファイア等の単結晶、シリコン等の半導体および酸化アルミニウム質焼結体等のセラミックを挙げることができる。なお、支持基板は、互いに異なる材料からなる複数の層が積層されて構成されていてもよい。

支持基板の厚さは、例えば、一定であり、その厚さは、基板３の厚さと同様に適宜に設定されてよい。ただし、支持基板の厚さは、温度補償が好適に行われるように、基板３の厚さを考慮して設定される。一例として、基板３の厚さ５〜３０μｍに対して、支持基板の厚さは７５〜３００μｍである。

基板３および支持基板は、例えば、不図示の接着層を介して互いに貼り合わされている。接着層の材料は、有機材料であってもよいし、無機材料であってもよい。有機材料としては、例えば、熱硬化性樹脂等の樹脂が挙げられる。無機材料としては、例えば、ＳｉＯ_２が挙げられる。また、両基板は、接着面をプラズマやイオンガン，中性子ガンなどで活性化処理した後に接着層無しに貼り合わせる、いわゆる直接接合によって貼り合わされていてもよい。

ここで、支持基板と蓋体４とを同一材料とした場合には、熱履歴が生じても蓋体４と素子基板との熱膨張差を小さくすることができるので、その結果、接合部５への応力も小さくなり、より信頼性の高いＳＡＷ素子１，１Ａを提供できるものとなる。

（変形例３）
図１〜図４に示す例は、第１接合部１５および第２接合部１７共に幅が一定であったが、それに限定されず、厚み位置によって幅が異なっていてもよい。図８に、変形例３に係るＳＡＷ素子１Ｂを示す。図８は図３（ｂ）のＭで示す領域の構造を示す要部断面図である。

図８において、第２接合部１７の外周側において段差部Ｄを備える。厚み方向において接合界面ｉ周辺の外周側は同一面を形成している。そしてこの段差部Ｄにより、接合界面ｉから離れた位置に角部が形成される。このような角部には応力が集中する。従って、段差部Ｄを形成することで、接合界面ｉから離れた位置において応力を集中させ、接合界面ｉに生じる応力を抑制することができる。

ここで、第１接合部１５の外縁ｅ１１は接合界面ｉの外縁であり、第２接合部１５の外縁ｅ２１は最も外側に位置する部分とする。

この例では、第２接合部１７の外周側のみに段差部Ｄを設けたが、内周側にも設けてもよいし、第１接合部１５に設けてもよい。

＜ＳＡＷ装置＞
ＳＡＷ装置１００は、図９に示すように、ＳＡＷ素子１と、実装面１１０ａに、ＳＡＷ素子１の端子パッド７に接続されるパッド１２０を備えた回路基板１１０とを備えている。回路基板１１０において、ＳＡＷ素子１はパワーアンプモジュールまたはＩＣ等に電気的に接続される。ＳＡＷ素子１は、バンプ１３０を介してパッド１２０に実装されている。

そしてＳＡＷ素子１は樹脂１４０でモールドされる。樹脂１４０は、実装面１１０ａの一部とＳＡＷ素子１とを覆うように設けられる。

本発明は、以上の実施形態に限定されず、種々の態様で実施されてよい。例えば、上述の例では弾性波としてＳＡＷを用いた例について説明したが、バルク波を用いてもよい。その場合であっても、厚み方向に積層した圧電膜を含む構造体をの振動を確保するために、振動空間６が必要となる。

（追記）
本明細書から以下の別概念の発明を抽出することができる。

[構成１]
基板と、
該基板の主面上に配置された、弾性波を発生させる励振電極と、
前記基板の前記主面と間隔を開けて配置される、前記基板よりも線膨張係数の小さい材料からなる蓋体と、
前記蓋体と前記基板とを接合する接合部と、を備え、
前記接合部は、前記基板の前記主面上に配置された第１接合部と、前記第１接合部と前記蓋体との間に配置される第２接合部と、を含み、
前記接合部の外周は、少なくとも１つの段差部を備えるとともに、前記第１接合部と前記第２接合部との接合面を挟む両側は同一面となっている弾性波素子。

[構成２]
構成１の弾性波素子において、前記第２接合部は前記蓋体の端部よりも内側に配置されている、弾性波素子。

上記の構成により、モデル４（図６（ｄ））や、変形例３のように、接合界面から離れた位置に応力を集中させることで、接合界面への応力発生を抑制することができる。

このような段差部を第１接合部、第２接合部にそれぞれ設けたときには、ＳＡＷ素子がどの方向に沿った場合でも応力を緩和することができる。

１・・・弾性表面波素子（ＳＡＷ素子，弾性波素子）
２・・・励振電極
３・・・基板
４・・・蓋体
５・・・接合部
６・・・振動空間
７・・・端子パッド
９・・・引出電極
１１・・・接続配線

Claims (6)

1. 基板と、
   該基板の主面上に配置された、弾性波を発生させる励振電極と、
   前記基板の前記主面と間隔を開けて配置される、前記基板よりも線膨張係数の小さい材料からなる蓋体と、
   前記蓋体と前記基板とを接合する接合部と、を備え、
   前記接合部は、前記基板の前記主面上に配置された第１接合部と、前記第１接合部と前記蓋体との間に配置される第２接合部と、を含み、前記第１接合部の外縁は、前記第２接合部の外縁よりも内側にある弾性波素子。
2. 前記第１接合部の内縁は、前記２第接合部の内縁よりも内側に位置する、請求項１に記載の弾性波素子。
3. 前記接合部は、前記励振電極が形成された領域の外側に位置し、前記領域を囲む環状である、請求項１または２に記載の弾性波素子。
4. 前記蓋体の前記基板と反対側の主面における外縁は、前記第２接合部の外縁よりも外側に位置している、請求項１乃至３のいずれかに記載の弾性波素子。
5. 前記基板の下面に、支持基板が接合された、請求項１乃至４のいずれかに記載の弾性波素子。
6. 請求項１乃至５のいずれかに記載の弾性波素子と、前記弾性波素子が実装される回路基板と、前記弾性波素子と前記回路基板の実装面とを覆う樹脂と、を含む弾性波装置。