JP6590843B2 - 弾性波デバイス - Google Patents
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Description
図7(b)は、実施例1の変形例1に係る弾性波デバイスの断面図である。図7(b)に示すように、支持基板11の上面に圧電基板10が接合されている。支持基板11は例えばサファイア基板、アルミナ基板、スピネル基板またはシリコン基板である。圧電基板10は、例えばタンタルリチウム基板またはニオブ酸リチウム基板である。埋込層35は、圧電基板10を貫通する凹部に設けられ、埋込層35の下面は支持基板11の上面と接している。ビア配線16は圧電基板10および支持基板11を貫通している。その他の構成は実施例1と同じであり説明を省略する。
図7(c)は、実施例1の変形例2に係る弾性波デバイスの断面図である。図7(c)に示すように、封止部32および基板20の上面にリッド34が設けられている。基板20の上面とリッド34との間に封止部32が設けられていてもよい。リッド34、封止部32および埋込層35を覆うように保護膜36が設けられている。封止部32は、例えばSnAg半田等の金属層である。リッド34は、コバール板等の金属板または絶縁体板である。保護膜36は、ニッケル膜等の金属膜または絶縁体膜である。その他の構成は実施例1の変形例1と同じであり説明を省略する。
11 支持基板
12、22 弾性波素子
14、24 配線
16 ビア配線
18 端子
20 基板
30 バンプ
32 封止部
35 埋込層
Claims (10)
- 圧電材料からなる第1基板と、
前記第1基板上に設けられた弾性波素子と、
前記第1基板上に設けられたバンプと、
前記第1基板上に前記バンプを介し設けられ、前記第1基板と空隙を挟み対向する第2基板と、
前記第1基板の前記バンプが接合された面とは反対側の面と直接接合され、前記第1基板の線熱膨張係数より小さい線熱膨張係数を有する第3基板と、
前記第1基板の周縁の少なくとも一部に設けられた凹部に埋め込まれ、側面が前記凹部の側面と接し、前記第2基板と反対側の面が前記第3基板の前記第1基板側の面に接し、線熱膨張係数が前記第1基板の線熱膨張係数よりも小さい支持層と、
を備える弾性波デバイス。 - 圧電材料からなる第1基板と、
前記第1基板上に設けられた弾性波素子と、
前記第1基板上に設けられたバンプと、
前記第1基板上に前記バンプを介し設けられ、前記第1基板と空隙を挟み対向する第2基板と、
前記第1基板の周縁の少なくとも一部の前記第2基板側の表面に設けられた凹部に埋め込まれ、側面が前記凹部の側面と接し、線熱膨張係数が前記第1基板の線熱膨張係数よりも小さい支持層と、
平面視において前記第2基板を囲むように設けられ、前記支持層の上面に接合する封止部と、
を備える弾性波デバイス。 - 前記第1基板の前記バンプが接合された面とは反対側の面と直接接合され、前記第1基板の線熱膨張係数より小さい線熱膨張係数を有する第3基板を備える請求項2記載の弾性波デバイス。
- 前記支持層は前記第3基板上に設けられる請求項1または3記載の弾性波デバイス。
- 前記第1基板の平面形状は矩形であり、
前記支持層は、前記第1基板の長辺に沿って設けられている請求項1から4のいずれか一項記載の弾性波デバイス。 - 前記第1基板の平面形状は矩形であり、
前記支持層は、前記第1基板の4辺に沿って設けられている請求項1から4のいずれか一項記載の弾性波デバイス。 - 前記第1基板は、タンタル酸リチウム基板またはニオブ酸リチウム基板である請求項1から6のいずれか一項記載の弾性波デバイス。
- 前記バンプは前記空隙に囲まれている請求項1から7のいずれか一項記載の弾性波デバイス。
- 前記第2基板の線熱膨張係数は前記第1基板の線熱膨張係数より小さい請求項1から8のいずれか一項記載の弾性波デバイス。
- 前記支持層のヤング率は、前記第1基板のヤング率より大きい請求項1から9のいずれか一項記載の弾性波デバイス。
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