WO2023037916A1

WO2023037916A1 - 弾性波装置

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Publication number: WO2023037916A1
Application number: PCT/JP2022/032383
Authority: WO
Inventors: 徹山路; 圭司岡田
Original assignee: 株式会社村田製作所
Priority date: 2021-09-09
Filing date: 2022-08-29
Publication date: 2023-03-16

Abstract

配線電極の断線が生じ難い、弾性波装置を提供する。　本発明の弾性波装置は、圧電体層を含む圧電性基板と、機能部と、圧電性基板上に設けられている絶縁層４と、絶縁層４上に一部が設けられている配線電極７と、配線電極７に接合されている、外部接続用電極部材とを備える。配線電極７は、外部接続用電極部材に接合されている接合部７ｄを含む第１の部分７ａと、第１の部分７ａに隣接しており、絶縁層４上に位置しており、かつ第１の部分７ａよりも幅が狭い第２の部分７ｂと、第２の部分７ｂに隣接しており、絶縁層４上に位置しておらず、かつ圧電体層上に位置している第３の部分７ｃとを有する。第１，第２の部分７ａ，７ｂの境界部が第１の境界部７ｅであり、第２，第３の部分７ｂ，７ｃの境界部が第２の境界部７ｆである。平面視において、接合部７ｄの中心Ｏと、第１の境界部７ｅとを通る直線Ａ上に、第２の境界部７ｆが位置していない。

Description

弾性波装置

　本発明は、弾性波装置に関する。

　従来、弾性波装置は携帯電話機のフィルタなどに広く用いられている。下記の特許文献１には、ＷＬＰ（Ｗａｆｅｒ　Ｌｅｖｅｌ　Ｐａｃｋａｇｅ）構造の弾性波装置の一例が開示されている。この弾性波装置においては、支持基板、高音速膜、低音速膜及び圧電膜の積層基板が設けられている。圧電膜上にＩＤＴ（Ｉｎｔｅｒｄｉｇｉｔａｌ　Ｔｒａｎｓｄｕｃｅｒ）電極が設けられている。平面視においてバンプと重なる部分に、絶縁層が設けられている。バンプと電気的に接続された配線が、絶縁層上から圧電膜上に延びている。該配線は、ＩＤＴ電極に電気的に接続されている。絶縁層は、上記積層基板の層間における線膨張係数の差に起因する応力を緩和するために設けられている。

特開２０１９－１６５２８３号公報

　しかしながら、特許文献１に記載されたような弾性波装置においても、ヒートサイクル試験などのように、応力が繰り返し配線に加わる場合には、断線が生じ易くなるおそれがある。

　本発明の目的は、配線電極の断線が生じ難い、弾性波装置を提供することにある。

　本発明に係る弾性波装置は、圧電体層を含む圧電性基板と、前記圧電体層上において構成されており、かつ少なくとも１個の機能電極を含む機能部と、前記圧電性基板上に設けられている絶縁層と、前記機能電極に接続されており、前記絶縁層上に一部が設けられている配線電極と、前記絶縁層上に設けられており、前記配線電極に接合されている、外部接続用電極部材とを備え、前記配線電極が、前記外部接続用電極部材に接合されている接合部を含む第１の部分と、前記第１の部分に隣接しており、前記絶縁層上に位置しており、かつ前記第１の部分よりも幅が狭い第２の部分と、前記第２の部分に隣接しており、前記絶縁層上に位置しておらず、かつ前記圧電体層上に位置している第３の部分とを有し、前記第１の部分及び前記第２の部分の境界部が第１の境界部であり、前記第２の部分及び前記第３の部分の境界部が第２の境界部であり、平面視において、前記第１の部分の前記接合部の中心と、前記第１の境界部とを通る直線上に、前記第２の境界部が位置していない。

　本発明に係る弾性波装置によれば、配線電極の断線が生じ難い。

図１は、本発明の第１の実施形態に係る弾性波装置の略図的正面断面図である。図２は、支持基板における第１～第３の領域を説明するための略図的平面図である。図３は、本発明の第１の実施形態に係る弾性波装置における電極構成を示す略図的平面図である。図４は、本発明の第１の実施形態における支持基板の第１の領域に設けられた絶縁層、及び配線電極の一部を示す平面図である。図５は、図４中のＩＩ－ＩＩ線に沿う断面図である。図６は、本発明の第１の実施形態の第１の変形例における支持基板の第１の領域に設けられた絶縁層、及び配線電極の一部を示す平面図である。図７は、本発明の第１の実施形態における送信フィルタの直列腕共振子の電極構成を示す平面図である。図８は、本発明の第１の実施形態に係る弾性波装置の回路図である。図９は、本発明の第１の実施形態の第２の変形例に係る弾性波装置の、図５に示す断面に相当する部分を示す断面図である。図１０は、本発明の第１の実施形態の第３の変形例に係る弾性波装置の、図５に示す断面に相当する部分を示す断面図である。図１１は、本発明の第１の実施形態の第４の変形例における支持基板の第１の領域に設けられた絶縁層、及び配線電極の一部を示す平面図である。図１２は、本発明の第１の実施形態の第５の変形例における配線電極の第２の境界部付近を示す平面図である。図１３は、本発明の第１の実施形態の第６の変形例に係る弾性波装置の略図的正面断面図である。図１４は、本発明の第２の実施形態における支持基板の第１の領域に設けられた絶縁層、及び配線電極の一部を示す平面図である。図１５は、図１４中のＩＩＩ－ＩＩＩ線に沿う断面図である。

　以下、図面を参照しつつ、本発明の具体的な実施形態を説明することにより、本発明を明らかにする。

　なお、本明細書に記載の各実施形態は、例示的なものであり、異なる実施形態間において、構成の部分的な置換または組み合わせが可能であることを指摘しておく。

　図１は、本発明の第１の実施形態に係る弾性波装置の略図的正面断面図である。図２は、支持基板における第１～第３の領域を説明するための略図的平面図である。図３は、第１の実施形態に係る弾性波装置における電極構成を示す略図的平面図である。図１及び図３においては、弾性波共振子を、矩形に２本の対角線を加えた略図により示す。図３においては、後述する絶縁層をハッチングにより示す。図３以外の平面図においても同様である。なお、図１は、図３中のＩ－Ｉ線に沿う断面図である。

　図１に示すように、弾性波装置１は圧電性基板２を有する。圧電性基板２は、支持基板３と、圧電体層６とを有する。支持基板３上に圧電体層６が設けられている。より具体的には、図１及び図２に示すように、支持基板３は第１の領域３ａ、第２の領域３ｂ及び第３の領域３ｃを含む。平面視において、第１の領域３ａは第２の領域３ｂにより囲まれている。第２の領域３ｂは第３の領域３ｃにより囲まれている。本明細書において平面視とは、図１における上方から見る方向をいう。本実施形態では、圧電体層６は第２の領域３ｂに設けられており、第１の領域３ａ及び第３の領域３ｃには設けられていない。第１の領域３ａ及び第３の領域３ｃには絶縁層４が設けられている。

　絶縁層４の材料としては、例えば、ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、シリコーン樹脂などを用いることができる。なお、絶縁層４には無機材料が用いられていてもよい。

　図３に示すように、圧電体層６上において機能部が構成されている。機能部は複数の弾性波共振子を含む。複数の弾性波共振子はそれぞれ、機能電極としてのＩＤＴ電極を有する。より具体的には、機能部は２個の送信フィルタを有する。弾性波装置１は複合フィルタ装置である。もっとも、複合フィルタ装置としての構成は上記に限定されない。弾性波装置１は、例えば、デュプレクサまたはマルチプレクサであってもよい。なお、機能部は複数のフィルタ装置を有していなくともよい。弾性波装置１は、例えば、送信フィルタまたは受信フィルタであってもよい。あるいは、弾性波装置１は、１ポート型の弾性波共振子であってもよい。機能部は、少なくとも１個の機能電極を有していればよい。

　圧電体層６上には複数の配線電極が設けられている。複数の配線電極のうち一部の配線電極は、弾性波共振子同士を接続している。複数の配線電極のうち他の一部の配線電極は、弾性波共振子及び外部を接続する。本実施形態では、配線電極における外部に接続される部分は、電極パッドとして構成されている。配線電極における電極パッドを含む部分は、絶縁層４上に設けられている。より詳細には、絶縁層４は、支持基板３の第１の領域３ａ及び第３の領域３ｃの双方に位置する。図３に示すように、本発明の配線電極７の一部は、第１の領域３ａに位置する絶縁層４上に設けられている。もっとも、本発明の配線電極７の一部は、第３の領域３ｃに位置する絶縁層４上に設けられていてもよい。

　図１に示すように、支持基板３の第３の領域３ｃに位置する絶縁層４上には、第１の支持層５Ａが設けられている。第１の支持層５Ａは、複数のＩＤＴ電極を囲むように設けられている。第１の支持層５Ａは枠状の形状を有する。より具体的には、第１の支持層５Ａは開口部５ａを有する。開口部５ａ内に複数のＩＤＴ電極が位置している。他方、第１の領域３ａに位置する絶縁層４上には、第２の支持層５Ｂが設けられている。第２の支持層５Ｂは柱状である。本発明における支持層は、第１の支持層５Ａ及び第２の支持層５Ｂを含む。第２の支持層５Ｂは、配線電極７の一部を覆っている。他方、第１の支持層５Ａは、配線電極７以外の複数の配線電極の一部を覆っている。

　第１の支持層５Ａ上及び第２の支持層５Ｂ上にはカバー部材１３が設けられている。カバー部材１３は、開口部５ａを塞ぐように設けられている。複数のＩＤＴ電極は、圧電性基板２、絶縁層４、第１の支持層５Ａ及びカバー部材１３により囲まれている。

　弾性波装置１は複数の外部接続用電極部材を有する。各外部接続用電極部材は各配線電極を外部に接続する。より具体的には、外部接続用電極部材はそれぞれ、貫通電極１４Ａまたは貫通電極１４Ｂと、バンプ１５とを含む。複数の貫通電極１４Ａは、カバー部材１３及び第１の支持層５Ａを貫通している。複数の貫通電極１４Ａの一端はそれぞれ、配線電極に接合されている。他方、貫通電極１４Ｂは、カバー部材１３及び第２の支持層５Ｂを貫通している。貫通電極１４Ｂの一端は配線電極７に接合されている。なお、配線電極７は接合部７ｄを有する。この接合部７ｄが貫通電極１４Ｂに接合されている。複数の貫通電極１４Ａ及び貫通電極１４Ｂの他端にそれぞれ、バンプ１５が接合されている。このように、本実施形態の弾性波装置１はＷＬＰ構造である。

　図４は、第１の実施形態における支持基板の第１の領域に設けられた絶縁層、及び配線電極の一部を示す平面図である。図５は、図４中のＩＩ－ＩＩ線に沿う断面図である。

　図４及び図５に示すように、配線電極７は、第１の部分７ａと、第２の部分７ｂと、第３の部分７ｃとを有する。第１の部分７ａは電極パッドとして構成されている。第１の部分７ａは上記接合部７ｄを含む。本実施形態では、接合部７ｄの中心Ｏと第１の部分７ａの中心とは一致している。もっとも、接合部７ｄの中心Ｏと第１の部分７ａの中心とは一致していなくともよい。第２の部分７ｂは、第１の部分７ａに隣接しており、絶縁層４上に位置しており、かつ第１の部分７ａよりも幅が狭い。第３の部分７ｃは、第２の部分７ｂに隣接しており、絶縁層４上に位置しておらず、かつ圧電体層６上に位置している。

　なお、第１の部分７ａの幅とは、中心を通る直線と外周縁との２つの交点の間の寸法のうち、最小の寸法をいう。第２の部分７ｂの幅は、第２の部分７ｂが、第１の部分７ａから引き出されて延びる方向と直交する方向に沿う、第２の部分７ｂの寸法である。上記の、第２の部分７ｂの幅が第１の部分７ａの幅よりも狭いという関係は、これらの寸法の関係をいう。そして、第２の部分７ｂの長さは、第２の部分７ｂが延びる方向に沿う第２の部分７ｂの寸法である。同様に第３の部分７ｃの幅は、第３の部分７ｃが延びる方向と直交する方向に沿う第３の部分７ｃの寸法である。第３の部分７ｃの長さは、第３の部分７ｃが延びる方向に沿う第３の部分７ｃの寸法である。

　配線電極７は第１の境界部７ｅ及び第２の境界部７ｆを含む。第１の境界部７ｅは、第１の部分７ａ及び第２の部分７ｂの境界部である。第２の境界部７ｆは、第２の部分７ｂ及び第３の部分７ｃの境界部である。

　本実施形態の特徴は、図４に示すように、平面視において、配線電極７における第１の部分７ａの接合部７ｄの中心Ｏと、第１の境界部７ｅとを通る直線Ａ上に、第２の境界部７ｆが位置していないことにある。より具体的には、直線Ａが、第１の境界部７ｅ上のどの点を通ったとしても、直線Ａ上に第２の境界部７ｆが位置していない。それによって、弾性波装置１において温度の昇降が繰り返し生じたとしても、配線電極７の断線が生じ難い。これを以下において説明する。

　温度が変化した際には、平面視においてバンプ１５と重なる部分において、応力が特に大きい。該部分には配線電極７の第１の部分７ａが位置しているため、第１の部分７ａに大きな応力が加わる。さらに、接合部７ｄの中心Ｏを通る直線上に位置する部分においても、大きな応力が加わる。上記直線のうち、図４に示す直線Ａ上に第１の境界部７ｅが位置しているため、第２の部分７ｂにも大きな応力が加わる。もっとも、第１の部分７ａ及び第２の部分７ｂは絶縁層４上に設けられている。これにより、第１の部分７ａ及び第２の部分７ｂにおいては、応力が緩和される。他方、第３の部分７ｃは、絶縁層４上には設けられていない。従来のように、第２の境界部７ｆが直線Ａ上に位置している場合には、第２の境界部７ｆにおいて応力が集中する。そのため、温度の昇降が繰り返される場合には、第２の境界部７ｆにおいて特に断線し易い。これに対して、本実施形態においては、第２の境界部７ｆは直線Ａ上には位置していない。それによって、第２の境界部７ｆ及び第３の部分７ｃにおいて、応力が抑制される。従って、弾性波装置１において温度の昇降が繰り返し生じたとしても、配線電極７は断線し難い。

　ところで、本実施形態では、配線電極７における接合部７ｄの平面視における形状は略円形である。もっとも、接合部７ｄの形状は上記に限定されない。接合部７ｄの平面視における形状が非円形である場合は、当該形状の重心を、接合部７ｄの中心Ｏとすることができる。

　以下において、本実施形態における好ましい構成を示す。

　図４に示すように、配線電極７の、第１の境界部７ｅと、接合部７ｄの中心Ｏとを結ぶ方向、及び第１の境界部７ｅから第２の部分７ｂが延びる方向が交叉する角度をθ［°］とする。第２の部分７ｂの長さをＬ２とし、第２の部分７ｂの幅をｍとしたときに、θ≠９０°である場合には、Ｌ２＞ｍ／ｔａｎ（１８０°－θ）の関係が成立することが好ましい。ｍ／ｔａｎ（１８０°－θ）は、直線Ａが第１の境界部７ｅと交叉する部分を原点とし、第２の部分７ｂが延びる方向をｘ方向、幅方向をｙ方向とした場合において、直線Ａ上を原点からｙ方向にｍ移動した際、原点からｘ方向に移動した距離に相当する。この値がＬ２よりも小さい場合、原点から第２の境界部７ｆのｘ方向の位置に到達する前に、第２の境界部７ｆのｙ方向の位置に既に到達し、さらに通り過ぎていることになる。すなわち、直線Ａ上に第２の境界部７ｆは位置しない。よって、配線電極７の断線をより確実に抑制することができる。

　図５に示すように、絶縁層４は、厚み方向において突出している凸部４ａを有する。凸部４ａの少なくとも一部が、圧電体層６上に配置されている。この凸部４ａ上に、配線電極７の第２の部分７ｂの少なくとも一部が設けられている。第２の部分７ｂにおいて、凸部４ａ上に設けられている部分の少なくとも一部が、平面視において圧電体層６と重なっていることが好ましい。この場合には、第２の部分７ｂは支持基板３の第１の領域３ａだけでなく、第２の領域３ｂにも位置している。これにより、第２の部分７ｂの長さＬ２を容易に長くすることができる。凸部４ａを適宜設けることにより、第２の境界部７ｆの配置の自由度を高めることができる。よって、第２の境界部７ｆをより確実に、直線Ａ上と異なる位置に配置することができる。

　絶縁層４が延伸部４ｂを有することが好ましい。延伸部４ｂとは、絶縁層４における、配線電極７の第２の部分７ｂが延びる方向に沿って延びている部分である。延伸部４ｂが設けられていることにより、第２の部分７ｂの長さＬ２を効果的に長くすることができる。よって、Ｌ２＞ｍ／ｔａｎ（１８０°－θ）の関係をより一層確実に成立させることができる。従って、配線電極７の断線をより一層確実に抑制することができる。

　Ｌ２＞ｍ／ｔａｎ（１８０°－θ）の関係においては、θ＝９０°を除外している。これは、式からｔａｎ９０°の場合を除外しているためである。もっとも、配線電極７の形状としては、θ＝９０°である場合を含んでいてもよい。図６に示す第１の実施形態の第１の変形例においては、配線電極２７の第１の境界部７ｅが、θ＝９０°である場合も含むように配置されている。θ＝９０°の場合の直線Ａ上には、第２の境界部７ｆは位置しない。

　圧電性基板２が、支持基板３及び圧電体層６を有することが好ましい。圧電性基板２が異種の材料からなる部材の積層体であるため、熱応力は大きくなる。この場合、本発明が好適である。

　支持基板３が高音速支持基板であることがより好ましい。高音速支持基板は相対的に高音速な基板である。より具体的には、高音速支持基板を伝搬するバルク波の音速は、圧電体層６を伝搬する弾性波の音速よりも高い。高音速支持基板及び圧電体層６が積層されていることにより、弾性波のエネルギーを圧電体層６側に効果的に閉じ込めることができる。

　なお、圧電体層６の材料としては、例えば、ニオブ酸リチウム、タンタル酸リチウム、酸化亜鉛、窒化アルミニウム、水晶、またはＰＺＴ（チタン酸ジルコン酸鉛）などを用いることができる。

　高音速支持基板の材料としては、例えば、窒化アルミニウム、タンタル酸リチウム、ニオブ酸リチウム、水晶などの圧電体、アルミナ、サファイア、マグネシア、窒化ケイ素、炭化ケイ素、ジルコニア、コージライト、ムライト、ステアタイト、フォルステライト、スピネル、サイアロンなどのセラミック、酸化アルミニウム、酸窒化ケイ素、ＤＬＣ（ダイヤモンドライクカーボン）、ダイヤモンドなどの誘電体、もしくはシリコンなどの半導体、または上記材料を主成分とする材料を用いることができる。なお、上記スピネルには、Ｍｇ、Ｆｅ、Ｚｎ、Ｍｎなどから選ばれる１以上の元素と酸素とを含有するアルミニウム化合物が含まれる。上記スピネルの例としては、ＭｇＡｌ_２Ｏ_４、ＦｅＡｌ_２Ｏ_４、ＺｎＡｌ_２Ｏ_４、ＭｎＡｌ_２Ｏ_４を挙げることができる。本明細書において主成分とは、占める割合が５０重量％を超える成分をいう。上記主成分の材料は、単結晶、多結晶、及びアモルファスのうちいずれかの状態、もしくは、これらが混在した状態で存在していてもよい。

　図５に示すように、配線電極７の第１の部分７ａ及び第２の部分７ｂが第２の支持層５Ｂに覆われており、かつ第３の部分７ｃの少なくとも一部が第２の支持層５Ｂに覆われていることが好ましい。それによって、伸縮方向の残留応力を緩和することができ、配線電極７の断線をより確実に抑制することができる。もっとも、第２の支持層５Ｂは、第１の部分７ａの少なくとも一部を覆っていればよい。

　以下において、弾性波装置１における弾性波共振子の電極構成、及び弾性波装置１の回路構成を説明する。

　図７は、第１の実施形態における送信フィルタの直列腕共振子の電極構成を示す平面図である。なお、図７においては、直列腕共振子Ｓ１に接続された配線は省略している。

　直列腕共振子Ｓ１はＩＤＴ電極８を有する。なお、ＩＤＴ電極８は圧電体層６上に設けられている。ＩＤＴ電極８に交流電圧を印加することにより、弾性波が励振される。圧電体層６上におけるＩＤＴ電極８の弾性波伝搬方向両側に、１対の反射器９Ａ及び反射器９Ｂが設けられている。

　なお、ＩＤＴ電極８は、第１のバスバー１６及び第２のバスバー１７並びに複数の第１の電極指１８及び複数の第２の電極指１９を有する。第１のバスバー１６及び第２のバスバー１７は互いに対向している。第１のバスバー１６に、複数の第１の電極指１８のそれぞれの一端が接続されている。第２のバスバー１７に、複数の第２の電極指１９のそれぞれの一端が接続されている。複数の第１の電極指１８及び複数の第２の電極指１９は互いに間挿し合っている。

　図８は、第１の実施形態に係る弾性波装置の回路図である。

　弾性波装置１は、共通接続端子１２Ａと、送信フィルタ１Ａ及び送信フィルタ１Ｂとを有する。送信フィルタ１Ａ及び送信フィルタ１Ｂは、共通接続端子１２Ａに共通接続されている。本実施形態では、共通接続端子１２Ａはアンテナに接続される。

　送信フィルタ１Ａはラダー型フィルタである。送信フィルタ１Ａは、第１の信号端子１２Ｂと、複数の弾性波共振子とを有する。送信フィルタ１Ａの複数の弾性波共振子は、直列腕共振子Ｓ１、直列腕共振子Ｓ２、直列腕共振子Ｓ３、直列腕共振子Ｓ４、並列腕共振子Ｐ１、並列腕共振子Ｐ２、並列腕共振子Ｐ３、並列腕共振子Ｐ４Ａ及び並列腕共振子Ｐ４Ｂである。第１の信号端子１２Ｂ及び共通接続端子１２Ａの間に、直列腕共振子Ｓ１、直列腕共振子Ｓ２、直列腕共振子Ｓ３及び直列腕共振子Ｓ４が互いに直列に接続されている。

　第１の信号端子１２Ｂ及び直列腕共振子Ｓ１の間の接続点とグラウンド電位との間に、並列腕共振子Ｐ１が接続されている。直列腕共振子Ｓ１及び直列腕共振子Ｓ２の間の接続点とグラウンド電位との間に、並列腕共振子Ｐ２が接続されている。直列腕共振子Ｓ２及び直列腕共振子Ｓ３の間の接続点とグラウンド電位との間に、並列腕共振子Ｐ３が接続されている。直列腕共振子Ｓ３及び直列腕共振子Ｓ４の間の接続点とグラウンド電位との間に、並列腕共振子Ｐ４Ａ及び並列腕共振子Ｐ４Ｂが、互いに並列に接続されている。

　送信フィルタ１Ｂはラダー型フィルタである。送信フィルタ１Ｂは、第２の信号端子１２Ｃと、複数の弾性波共振子とを有する。送信フィルタ１Ｂの複数の弾性波共振子は、直列腕共振子Ｓ１１、直列腕共振子Ｓ１２、直列腕共振子Ｓ１３、直列腕共振子Ｓ１４、並列腕共振子Ｐ１１、並列腕共振子Ｐ１２、並列腕共振子Ｐ１３Ａ、並列腕共振子Ｐ１３Ｂ及び並列腕共振子Ｐ１４である。第２の信号端子１２Ｃ及び共通接続端子１２Ａの間に、直列腕共振子Ｓ１１、直列腕共振子Ｓ１２、直列腕共振子Ｓ１３及び直列腕共振子Ｓ１４が互いに直列に接続されている。

　第２の信号端子１２Ｃ及び直列腕共振子Ｓ１１の間の接続点とグラウンド電位との間に、並列腕共振子Ｐ１１が接続されている。直列腕共振子Ｓ１１及び直列腕共振子Ｓ１２の間の接続点とグラウンド電位との間に、並列腕共振子Ｐ１２が接続されている。直列腕共振子Ｓ１２及び直列腕共振子Ｓ１３の間の接続点とグラウンド電位との間に、並列腕共振子Ｐ１３Ａ及び並列腕共振子Ｐ１３Ｂが、互いに並列に接続されている。直列腕共振子Ｓ１３及び直列腕共振子Ｓ１４の間の接続点とグラウンド電位との間に、並列腕共振子Ｐ１４が接続されている。なお、送信フィルタ１Ａ及び送信フィルタ１Ｂの各弾性波共振子は、直列分割または並列分割されていてもよい。例えば、図８においては、送信フィルタ１Ａの並列腕共振子Ｐ３を１つの共振子として示している。もっとも、並列腕共振子Ｐ３は直列分割された２つの分割共振子を含む。より具体的には、該２つの分割共振子は、図３に示す分割共振子Ｐ３Ａ及び分割共振子Ｐ３Ｂである。

　図３に示すように、共通接続端子１２Ａ、第１の信号端子１２Ｂ及び第２の信号端子１２Ｃは電極パッドとして構成されている。もっとも、上記各端子は、必ずしも電極パッドとして構成されていなくともよい。図３に示す、共通接続端子１２Ａ、第１の信号端子１２Ｂ及び第２の信号端子１２Ｃ以外の電極パッドは、グラウンド電位に接続される。

　本実施形態では、送信フィルタ１Ａの弾性波共振子及び送信フィルタ１Ｂの弾性波共振子が、弾性波伝搬方向において隣接している。例えば、送信フィルタ１Ａの直列腕共振子Ｓ２と、送信フィルタ１Ｂの直列腕共振子Ｓ１１とが隣接している。送信フィルタ１Ａの並列腕共振子Ｐ２と、送信フィルタ１Ｂの並列腕共振子Ｐ１１とが隣接している。送信フィルタ１Ａの直列腕共振子Ｓ４と、送信フィルタ１Ｂの直列腕共振子Ｓ１２とが隣接している。送信フィルタ１Ａの弾性波共振子及び送信フィルタ１Ｂの弾性波共振子は、配線電極を挟み隣接していてもよく、配線電極を挟まずに隣接していてもよい。各弾性波共振子の配置は上記に限定されない。さらに、弾性波装置１の回路構成も上記に限定されない。

　以下において、第１の実施形態の各変形例を示す。各変形例においても、第１の実施形態と同様に、配線電極７が断線し難い。

　圧電性基板２は、圧電体層６及び高音速支持基板以外の層を有していてもよい。図９に示す第１の実施形態の第２の変形例においては、圧電性基板２２は、支持基板２３、高音速膜２８、低音速膜２９及び圧電体層６を有する。より具体的には、支持基板２３上に高音速膜２８が設けられている。高音速膜２８上に低音速膜２９が設けられている。低音速膜２９上に圧電体層６が設けられている。圧電性基板２２において、高音速膜２８、低音速膜２９及び圧電体層６が積層されていることにより、弾性波のエネルギーを圧電体層６側に効果的に閉じ込めることができる。

　高音速膜２８は相対的に高音速な膜である。より具体的には、高音速膜２８を伝搬するバルク波の音速は、圧電体層６を伝搬する弾性波の音速よりも高い。高音速膜２８の材料としては、例えば、窒化アルミニウム、タンタル酸リチウム、ニオブ酸リチウム、水晶などの圧電体、アルミナ、サファイア、マグネシア、窒化ケイ素、炭化ケイ素、ジルコニア、コージライト、ムライト、ステアタイト、フォルステライト、スピネル、サイアロンなどのセラミック、酸化アルミニウム、酸窒化ケイ素、ＤＬＣ（ダイヤモンドライクカーボン）、ダイヤモンドなどの誘電体、もしくはシリコンなどの半導体、または上記材料を主成分とする材料を用いることができる。なお、上記スピネルには、Ｍｇ、Ｆｅ、Ｚｎ、Ｍｎなどから選ばれる１以上の元素と酸素とを含有するアルミニウム化合物が含まれる。上記スピネルの例としては、ＭｇＡｌ_２Ｏ_４、ＦｅＡｌ_２Ｏ_４、ＺｎＡｌ_２Ｏ_４、ＭｎＡｌ_２Ｏ_４を挙げることができる。

　低音速膜２９は相対的に低音速な膜である。より具体的には、低音速膜２９を伝搬するバルク波の音速は、圧電体層６を伝搬するバルク波の音速よりも低い。低音速膜２９の材料としては、例えば、ガラス、酸化ケイ素、酸窒化ケイ素、酸化リチウム、五酸化タンタル、または、酸化ケイ素にフッ素、炭素やホウ素を加えた化合物を主成分とする材料を用いることができる。

　高音速膜２８を有する場合には、支持基板２３が高音速支持基板ではなくとも、弾性波のエネルギーを効果的に閉じ込めることができる。この場合、支持基板２３の材料としては、例えば、酸化アルミニウム、タンタル酸リチウム、ニオブ酸リチウム、水晶などの圧電体、アルミナ、サファイア、マグネシア、窒化ケイ素、窒化アルミニウム、炭化ケイ素、ジルコニア、コージライト、ムライト、ステアタイト、フォルステライトなどの各種セラミック、ダイヤモンド、ガラスなどの誘電体、シリコン、窒化ガリウムなどの半導体または樹脂などを用いることができる。

　なお、圧電性基板は、支持基板２３、高音速膜２８及び圧電体層６の積層体であってもよく、高音速支持基板である支持基板３、低音速膜２９及び圧電体層６の積層体であってもよい。これらの場合にも、弾性波のエネルギーを圧電体層６側に効果的に閉じ込めることができる。

　図１に示すように、第１の実施形態においては、支持基板３の第１の領域３ａ及び第３の領域３ｃには、圧電体層６が設けられていない。なお、圧電体層６の配置は上記に限定されない。図１０に示す第１の実施形態の第３の変形例においては、支持基板３の第１の領域３ａ及び第２の領域３ｂにわたり圧電体層６が設けられている。第１の領域３ａにおける圧電体層６上、及び第２の領域３ｂの一部における圧電体層６上にわたり、絶縁層２４Ａが設けられている。本変形例では、絶縁層２４Ａは凸部４ａを有しない。なお、第３の領域３ｃにおいても、圧電体層６及び絶縁層２４Ａが積層されていてもよい。

　図４に示すように第１の実施形態においては、絶縁層４が延伸部４ｂを有する。もっとも、絶縁層４の構成は上記に限定されない。図１１に示す第１の実施形態の第４の変形例においては、絶縁層２４Ｂは延伸部４ｂを有しない。この場合においても、直線Ａ上に第２の境界部７ｆが位置していない。よって、第２の境界部７ｆ及び第３の部分７ｃにおいて、応力が抑制される。従って、第１の実施形態と同様に、配線電極７が断線し難い。

　図４に示す第１の実施形態では、配線電極７における第２の境界部７ｆは直線状である。あるいは、図１１に示す上記第４の変形例では、第２の境界部７ｆは曲線状である。もっとも、第２の境界部７ｆの形状はこれらに限定されない。図１２に示す第１の実施形態の第５の変形例においては、第２の境界部７ｆはミアンダ状である。すなわち、絶縁層２４Ｃの外周縁における、配線電極７と接触している部分はミアンダ状である。それによって、配線電極７及び絶縁層２４Ｃの間の接合力を高めることができる。加えて、伸縮方向の応力を分散することができ、配線電極７がより一層断線し難い。

　図１に示す弾性波装置１はＷＬＰ構造である。弾性波装置１における外部接続用電極部材は、貫通電極１４Ａまたは貫通電極１４Ｂと、バンプ１５とを含む。もっとも、弾性波装置１はＷＬＰ構造ではなくともよい。例えば、図１３に示す第１の実施形態の第６の変形例においては、外部接続用電極部材はバンプ１５である。複数のバンプ１５が、各配線電極上に設けられている。

　図１４は、第２の実施形態における支持基板の第１の領域に設けられた絶縁層、及び配線電極の一部を示す平面図である。図１５は、図１４中のＩＩＩ－ＩＩＩ線に沿う断面図である。

　図１４に示すように、本実施形態は、配線電極３７の第２の部分３７ｂがコーナー部３７ｇを有する点において、第１の実施形態と異なる。これにより、配線電極３７は曲がって延びている部分を含む。上記の点以外においては、本実施形態の弾性波装置は第１の実施形態の弾性波装置１と同様の構成を有する。コーナー部３７ｇは角状であってもよく、曲線状であってもよい。角状とは、具体的には、直線同士が交叉した形状である。

　図１５に示すように、コーナー部３７ｇは、絶縁層４における凸部４ａ上に位置している。コーナー部３７ｇは、平面視において、圧電体層６と重なる部分に位置している。配線電極３７は、第１の境界部７ｅを第２の部分３７ｂの始点とした場合における、コーナー部３７ｇよりも後の部分において、凸部４ａ上から圧電体層６上に至っている。

　図１４に示すように、配線電極３７の第２の部分３７ｂは、直線Ａ上に第２の境界部７ｆが位置しないように、曲がって延びている。それによって、配線電極３７をより確実に断線し難くすることができる。

１…弾性波装置
１Ａ，１Ｂ…送信フィルタ
２…圧電性基板
３…支持基板
３ａ～３ｃ…第１～第３の領域
４…絶縁層
４ａ…凸部
４ｂ…延伸部
５Ａ，５Ｂ…第１，第２の支持層
５ａ…開口部
６…圧電体層
７…配線電極
７ａ～７ｃ…第１～第３の部分
７ｄ…接合部
７ｅ，７ｆ…第１，第２の境界部
８…ＩＤＴ電極
９Ａ，９Ｂ…反射器
１２Ａ…共通接続端子
１２Ｂ，１２Ｃ…第１，第２の信号端子
１３…カバー部材
１４Ａ，１４Ｂ…貫通電極
１５…バンプ
１６，１７…第１，第２のバスバー
１８，１９…第１，第２の電極指
２２…圧電性基板
２３…支持基板
２４Ａ～２４Ｃ…絶縁層
２７…配線電極
２８…高音速膜
２９…低音速膜
３７…配線電極
３７ｂ…第２の部分
３７ｇ…コーナー部
Ｐ１～Ｐ３，Ｐ４Ａ，Ｐ４Ｂ，Ｐ１１，Ｐ１２，Ｐ１３Ａ，Ｐ１３Ｂ，Ｐ１４…並列腕共振子
Ｐ３Ａ，Ｐ３Ｂ…分割共振子
Ｓ１～Ｓ４，Ｓ１１～Ｓ１４…直列腕共振子

Claims

　圧電体層を含む圧電性基板と、
　前記圧電体層上において構成されており、かつ少なくとも１個の機能電極を含む機能部と、
　前記圧電性基板上に設けられている絶縁層と、
　前記機能電極に接続されており、前記絶縁層上に一部が設けられている配線電極と、
　前記絶縁層上に設けられており、前記配線電極に接合されている、外部接続用電極部材と、
を備え、
　前記配線電極が、前記外部接続用電極部材に接合されている接合部を含む第１の部分と、前記第１の部分に隣接しており、前記絶縁層上に位置しており、かつ前記第１の部分よりも幅が狭い第２の部分と、前記第２の部分に隣接しており、前記絶縁層上に位置しておらず、かつ前記圧電体層上に位置している第３の部分と、を有し、前記第１の部分及び前記第２の部分の境界部が第１の境界部であり、前記第２の部分及び前記第３の部分の境界部が第２の境界部であり、
　平面視において、前記第１の部分の前記接合部の中心と、前記第１の境界部とを通る直線上に、前記第２の境界部が位置していない、弾性波装置。
　前記配線電極の、前記第１の境界部と、前記接合部の中心とを結ぶ方向、及び前記第１の境界部から前記第２の部分が延びる方向が交叉する角度をθ［°］とし、前記第２の部分の長さをＬ２とし、前記第２の部分の幅をｍとしたときに、θ≠９０°であり、かつＬ２＞ｍ／ｔａｎ（１８０°－θ）の関係が成立する、請求項１に記載の弾性波装置。
　前記絶縁層が厚み方向において突出している凸部を有し、前記凸部の少なくとも一部が前記圧電体層上に配置されており、前記凸部上に、前記配線電極の前記第２の部分の少なくとも一部が設けられており、前記第２の部分において、前記凸部上に設けられている部分の少なくとも一部が、平面視において前記圧電体層と重なっている、請求項１または２に記載の弾性波装置。
　平面視において、前記第１の部分の前記接合部の中心と、前記第１の境界部とを通る直線上に、前記第２の境界部が位置しないように、前記第２の部分が、曲がって延びている部分を含む、請求項１～３のいずれか１項に記載の弾性波装置。
　前記第２の境界部がミアンダ状である、請求項１～４のいずれか１項に記載の弾性波装置。
　前記圧電性基板が、高音速支持基板を有し、前記高音速支持基板上に前記圧電体層が設けられており、
　前記高音速支持基板を伝搬するバルク波の音速が、前記圧電体層を伝搬する弾性波の音速よりも高い、請求項１～５のいずれか１項に記載の弾性波装置。
　前記高音速支持基板上の少なくとも一部において、前記圧電体層を介さずに前記絶縁層が設けられている、請求項６に記載の弾性波装置。
　前記絶縁層上に、前記配線電極の前記第１の部分の少なくとも一部を覆うように設けられている支持層と、
　前記支持層上に設けられているカバー部材と、
をさらに備え、
　前記外部接続用電極部材が、前記カバー部材及び前記支持層を貫通している貫通電極と、前記貫通電極に接合されているバンプと、を含む、請求項１～７のいずれか１項に記載の弾性波装置。
　前記支持層が、前記配線電極の前記第１の部分及び前記第２の部分を覆っており、かつ前記第３の部分の少なくとも一部を覆っている、請求項８に記載の弾性波装置。
　前記外部接続用電極部材がバンプである、請求項１～７のいずれか１項に記載の弾性波装置。
　前記機能電極がＩＤＴ電極であり、前記機能部が、複数の前記ＩＤＴ電極を含む、少なくとも１個のフィルタ装置を有する、請求項１～１０のいずれか１項に記載の弾性波装置。