JP2019103127A - 弾性波装置 - Google Patents
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Abstract
Description
(1)弾性波装置の全体構成
以下、実施形態に係る弾性波装置1について、図面を参照して説明する。
次に、弾性波装置1の各構成要素について、図面を参照して説明する。
支持基板11は、図1及び2に示すように、機能膜12とIDT電極13とを含む積層体を支持している。支持基板11は、その厚さ方向D1において互いに反対側にある一の主面111(以下、第1主面111ともいう)及び第2主面112を有する。支持基板11の材料は、シリコンである。支持基板11は、圧電薄膜122を伝搬する弾性波の音速より伝搬するバルク波の音速が高速である高音速支持基板を構成している。高音速支持基板は、シリコンに限らず、例えば、窒化アルミニウム、酸化アルミニウム、炭化ケイ素、窒化ケイ素、サファイア、リチウムタンタレート、リチウムニオベイト、水晶等の圧電体、アルミナ、ジルコニア、コージライト、ムライト、ステアタイト、フォルステライト等の各種セラミック、マグネシアダイヤモンド、又は、上記各材料を主成分とする材料、上記各材料の混合物を主成分とする材料のいずれかにより形成されていてもよい。
IDT電極13は、アルミニウム、銅、白金、金、銀、チタン、ニッケル、クロム、モリブデン、タングステン又はこれらの金属のいずれかを主体とする合金などの適宜の金属材料により形成することができる。また、IDT電極13は、これらの金属又は合金からなる複数の金属膜を積層した構造を有していてもよい。
機能膜12は、圧電薄膜122を伝搬する弾性波の音速よりも伝搬するバルク波の音速が低速である低音速膜121と、低音速膜121上に直接的に設けられている圧電薄膜122と、で構成されている。要するに、圧電薄膜122は、高音速支持基板を構成する支持基板11上に間接的に設けられている。この場合、低音速膜121が、高音速支持基板である支持基板11と圧電薄膜122との間に形成されることにより、弾性波の音速が低下する。弾性波は本質的に低音速な媒質にエネルギーが集中する。したがって、圧電薄膜122内及び弾性波が励振されているIDT電極13内への弾性波エネルギーの閉じ込め効果を高めることができる。そのため、低音速膜121が設けられていない場合に比べて、損失を低減し、Q値を高めることができる。
配線層15は、外部接続電極14とIDT電極13とを電気的に接続している。配線層15は、アルミニウム、銅、白金、金、銀、チタン、ニッケル、クロム、モリブデン、タングステン又はこれらの金属のいずれかを主体とする合金などの適宜の金属材料により形成することができる。また、配線層15は、これらの金属又は合金からなる複数の金属膜を積層した構造を有していてもよい。
絶縁層16は、電気絶縁性を有する。図1〜3に示すように、絶縁層16は、支持基板11の第1主面111上において支持基板11の外周に沿って形成されている。絶縁層16は、圧電薄膜122の側面を囲んでいる。ここにおいて、絶縁層16は、機能膜12の側面を囲んでいる。絶縁層16の平面視形状は、枠状である。絶縁層16の側面は、支持基板11の側面と略面一となっている。絶縁層16の一部は、圧電薄膜122の周部に重なっている。ここにおいて、絶縁層16の一部は、機能膜12の周部に重なっている。また、圧電薄膜122の側面は、絶縁層16により覆われている。ここにおいて、機能膜12の側面は、絶縁層16により覆われている。
スペーサ層17は、平面視において、機能膜12を囲んでいる。スペーサ層17は、平面視において、支持基板11の外周に沿って形成されている。スペーサ層17の平面視形状は、枠状である。スペーサ層17の外周形状及び内周形状は、長方形状である。スペーサ層17は、支持基板11の厚さ方向D1において絶縁層16に重なっている。スペーサ層17の外周形は、絶縁層16の外周形よりも小さい。スペーサ層17の内周形は、絶縁層16の内周形よりも大きい。スペーサ層17の一部は、絶縁層16の一の主面161上の第2接続部152も覆っている。要するに、スペーサ層17は、絶縁層16の一の主面161上に直接形成されている第1部分と、絶縁層16の一の主面161上に第2接続部152を介して間接的に形成されている第2部分と、を含む。ここにおいて、第1部分は、絶縁層16の一の主面161の全周に亘って形成されている。
カバー部材18は、平板状である。カバー部材18の平面視形状(支持基板11の厚さ方向D1から見たときの外周形状)は、長方形状であるが、長方形状に限らず、例えば正方形状であってもよい。カバー部材18の外周形は、支持基板11の外周形と略同じ大きさである。カバー部材18は、スペーサ層17上に配置されている。カバー部材18は、厚さ方向D1においてIDT電極13から離れている。
弾性波装置1は、複数(2つ)の外部接続電極14を有する。外部接続電極14は、弾性波装置1において、回路基板、パッケージ用の実装基板(サブマウント基板)等と電気的に接続するための電極である。また、弾性波装置1は、IDT電極13には電気的に接続されていない複数(2つ)の実装用電極19を有している。実装用電極19は、回路基板、実装基板等に対する弾性波装置1の平行度を高めるための電極であり、電気的接続を目的とした電極とは異なる。つまり、実装用電極19は、弾性波装置1が回路基板、実装基板等に対して傾いて実装されるのを抑制するための電極であり、外部接続電極14の数及び配置、弾性波装置1の外周形状等によっては必ずしも設ける必要はない。
スペーサ層17は、支持基板11の厚さ方向D1からの平面視で、圧電薄膜122から遠い側の外側端171と、外側端171よりも圧電薄膜122に近い側の内側端172と、を有する。絶縁層16におけるスペーサ層17側の一の主面161は、支持基板11の厚さ方向D1からの平面視でスペーサ層17と重なる範囲において、外側端171から内側端172に向かって支持基板11の厚さ方向D1における支持基板11の一の主面111との距離が漸次増加する領域162を含む。
以下では、弾性波装置1の製造方法の一例について簡単に説明する。
実施形態に係る弾性波装置1は、支持基板11と、圧電薄膜122と、IDT電極13と、配線層15と、絶縁層16と、スペーサ層17と、カバー部材18と、を備える。圧電薄膜122は、支持基板11の一の主面111上に間接的に設けられている。配線層15は、IDT電極13に電気的に接続されている。絶縁層16は、支持基板11の一の主面111上に形成されている。絶縁層16は、圧電薄膜122を囲んでいる。スペーサ層17は、少なくとも一部が絶縁層16上に形成されている。スペーサ層17は、支持基板11の厚さ方向D1からの平面視において圧電薄膜122を囲んでいる。カバー部材18は、スペーサ層17上に配置されている。カバー部材18は、厚さ方向D1においてIDT電極13から離れている。スペーサ層17は、厚さ方向D1からの平面視で、外側端171と、外側端171よりも圧電薄膜122に近い側の内側端172と、を有する。絶縁層16におけるスペーサ層17側の一の主面161は、厚さ方向D1からの平面視でスペーサ層17と重なる範囲において、外側端171から内側端172に向かって厚さ方向D1における支持基板11の一の主面111との距離が漸次増加する領域162を含む。
(5.1)変形例1
図5に示す実施形態の変形例1に係る弾性波装置1aでは、領域162は、スペーサ層17の周方向に直交する面内において、外側端171側で支持基板11側に凸となる曲線1621と内側端172側でカバー部材18側に凸となる曲線1622との変曲点1623を含む。変形例1に係る弾性波装置1aの他の構成は実施形態に係る弾性波装置1と同様なので図示及び説明を省略する。
実施形態の変形例2に係る弾性波装置1bでは、図6に示すように、機能膜12bが、高音速膜123と、低音速膜121と、圧電薄膜122と、を含む。高音速膜123は、支持基板11上に直接的に設けられており、圧電薄膜122を伝搬する弾性波の音速よりも伝搬するバルク波の音速が高速である。低音速膜121は、高音速膜123上に設けられており、圧電薄膜122を伝搬する弾性波の音速よりも伝搬するバルク波の音速が低速である。圧電薄膜122は、低音速膜121上に設けられている。変形例2に係る弾性波装置1bに関し、実施形態に係る弾性波装置1(図1参照)と同様の構成要素については、同一の符号を付して説明を省略する。
実施形態の変形例3に係る弾性波装置1cでは、図7に示すように、機能膜12cが、圧電薄膜122のみにより構成され、支持基板11上に直接的に形成されている。つまり、実施形態の変形例3に係る弾性波装置1cでは、圧電薄膜122が支持基板11の一の主面111上に直接的に設けられている。変形例3に係る弾性波装置1cに関し、実施形態に係る弾性波装置1(図1参照)と同様の構成要素については、同一の符号を付して説明を省略する。
弾性波装置1、1aでは、機能膜12が、低音速膜121と支持基板11との間に介在する膜を含んでもよい。また、弾性波装置1bでは、機能膜12が、高音速膜123と支持基板11との間に介在する膜と、低音速膜121と圧電薄膜122との間に介在する膜と、の少なくとも一方を含んでもよい。また、弾性波装置1、1aでは、機能膜12が、圧電薄膜122と支持基板11との間に、低音速膜121の代わりに、音響インピーダンス層を備えていてもよい。音響インピーダンス層は、IDT電極13で励振された弾性波が支持基板11に漏洩するのを抑制する機能を有する。音響インピーダンス層は、音響インピーダンスが相対的に高い少なくとも1つの高音響インピーダンス層と音響インピーダンスが相対的に低い少なくとも1つの低音響インピーダンス層とが支持基板11の厚さ方向D1において並んだ積層構造を有する。上記の積層構造では、高音響インピーダンス層が複数設けられてもよいし、低音響インピーダンス層が複数設けられてもよい。この場合、上記の積層構造は、複数の高音響インピーダンス層と複数の低音響インピーダンス層とが支持基板11の厚さ方向D1において一層ごとに交互に並んだ構造である。
以上説明した実施形態等から以下の態様が開示されていることは明らかである。
11 支持基板
111 一の主面(第1主面)
112 第2主面
12、12b、12c 機能膜
121 低音速膜
122 圧電薄膜
1226 一の主面
1227 側面
123 高音速膜
126 一の主面
127 側面
13 IDT電極
14 外部接続電極
141 貫通電極部
142 バンプ
15 配線層
151 第1接続部
152 第2接続部
16 絶縁層
161 一の主面
162 領域
1621 曲線
1622 曲線
1623 変曲点
17 スペーサ層
171 外側端
172 内側端
18 カバー部材
D1 厚さ方向
S1 空間
スペーサ層17は、平面視において、機能膜12を囲んでいる。スペーサ層17は、平面視において、支持基板11の外周に沿って形成されている。スペーサ層17の平面視形状は、枠状である。スペーサ層17の外周形状及び内周形状は、長方形状である。スペーサ層17は、支持基板11の厚さ方向D1において絶縁層16に重なっている。スペーサ層17の外周形は、絶縁層16の外周形よりも小さい。スペーサ層17の内周形は、絶縁層16の内周形よりも大きい。スペーサ層17の一部は、絶縁層16の一の主面161上の第2接続部152も覆っている。要するに、スペーサ層17は、絶縁層16の一の主面161上に直接形成されている第1部分と、絶縁層16の一の主面161上に配線層15の第2接続部152を介して間接的に形成されている第2部分と、を含む。ここにおいて、第1部分は、絶縁層16の一の主面161の全周に亘って形成されている。
弾性波装置1、1aでは、機能膜12が、低音速膜121と支持基板11との間に介在する膜を含んでもよい。また、弾性波装置1bでは、機能膜12bが、高音速膜123と支持基板11との間に介在する膜と、低音速膜121と圧電薄膜122との間に介在する膜と、の少なくとも一方を含んでもよい。また、弾性波装置1、1aでは、機能膜12が、圧電薄膜122と支持基板11との間に、低音速膜121の代わりに、音響インピーダンス層を備えていてもよい。音響インピーダンス層は、IDT電極13で励振された弾性波が支持基板11に漏洩するのを抑制する機能を有する。音響インピーダンス層は、音響インピーダンスが相対的に高い少なくとも1つの高音響インピーダンス層と音響インピーダンスが相対的に低い少なくとも1つの低音響インピーダンス層とが支持基板11の厚さ方向D1において並んだ積層構造を有する。上記の積層構造では、高音響インピーダンス層が複数設けられてもよいし、低音響インピーダンス層が複数設けられてもよい。この場合、上記の積層構造は、複数の高音響インピーダンス層と複数の低音響インピーダンス層とが支持基板11の厚さ方向D1において一層ごとに交互に並んだ構造である。
Claims (14)
- 支持基板と、
前記支持基板の一の主面上に直接又は間接的に設けられている圧電薄膜と、
前記圧電薄膜上に形成されているIDT電極と、
前記IDT電極に電気的に接続されている配線層と、
前記支持基板の前記一の主面上に形成され、前記圧電薄膜を囲んでいる絶縁層と、
少なくとも一部が前記絶縁層上に形成され、前記支持基板の厚さ方向からの平面視において前記圧電薄膜を囲んでいるスペーサ層と、
前記スペーサ層上に配置され、前記厚さ方向において前記IDT電極から離れているカバー部材と、を備え、
前記スペーサ層は、前記厚さ方向からの平面視で、外側端と、前記外側端よりも前記圧電薄膜に近い側の内側端と、を有し、
前記絶縁層における前記スペーサ層側の一の主面は、前記厚さ方向からの平面視で前記スペーサ層と重なる範囲において、前記外側端から前記内側端に向かって前記厚さ方向における前記支持基板の前記一の主面との距離が漸次増加する領域を含む、
弾性波装置。 - 前記絶縁層は、前記圧電薄膜における前記支持基板側とは反対の一の主面の一部と前記圧電薄膜の側面とを覆っている、
請求項1に記載の弾性波装置。 - 前記絶縁層の前記一の主面は、前記領域よりも前記圧電薄膜側において凸面となっている、
請求項2に記載の弾性波装置。 - 前記領域は、前記スペーサ層の周方向に直交する面内において、前記外側端側で前記支持基板側に凸となる曲線と前記内側端側で前記カバー部材側に凸となる曲線との変曲点を含む、
請求項1〜3のいずれか一項に記載の弾性波装置。 - 前記領域は、前記圧電薄膜を全周に亘って囲んでいる、
請求項1〜4のいずれか一項に記載の弾性波装置。 - 前記スペーサ層は、前記絶縁層の全周に亘って前記絶縁層と接している、
請求項5に記載の弾性波装置。 - 前記配線層は、
前記IDT電極上に位置している第1接続部と、
前記絶縁層と前記スペーサ層との間に介在し、前記絶縁層の外周よりも内側に位置している第2接続部と、を含み、
前記配線層の前記第2接続部上に形成され、前記配線層に電気的に接続された外部接続電極を更に備え、
前記外部接続電極は、前記支持基板の前記厚さ方向において前記スペーサ層と前記カバー部材とを貫通している貫通電極部を含む、
請求項6に記載の弾性波装置。 - 前記支持基板と前記圧電薄膜との間において前記支持基板の前記一の主面上に設けられており、前記圧電薄膜を伝搬する弾性波の音速よりも伝搬するバルク波の音速が低速である低音速膜を更に備え、
前記圧電薄膜は、前記低音速膜上に設けられており、
前記支持基板は、前記圧電薄膜を伝搬する弾性波の音速より伝搬するバルク波の音速が高速である高音速支持基板を構成している、
請求項1〜7のいずれか一項に記載の弾性波装置。 - 前記支持基板と前記圧電薄膜との間において前記支持基板の前記一の主面上に直接的に設けられており、前記圧電薄膜を伝搬する弾性波の音速よりも伝搬するバルク波の音速が高速である高音速膜と、
前記支持基板と前記圧電薄膜との間において前記高音速膜上に設けられており、前記圧電薄膜を伝搬する弾性波の音速よりも伝搬するバルク波の音速が低速である低音速膜と、を更に備え、
前記圧電薄膜は、前記低音速膜上に設けられている、
請求項1〜7のいずれか一項に記載の弾性波装置。 - 前記圧電薄膜は、リチウムタンタレート、リチウムニオベイト、酸化亜鉛、窒化アルミニウム、又は、チタン酸ジルコン酸鉛からなる、
請求項1〜9のいずれか一項に記載の弾性波装置。 - 前記圧電薄膜は、リチウムタンタレート、リチウムニオベイト、酸化亜鉛、窒化アルミニウム、又は、チタン酸ジルコン酸鉛からなり、
前記低音速膜は、酸化ケイ素、ガラス、酸窒化ケイ素、酸化タンタル、酸化ケイ素にフッ素又は炭素又はホウ素を加えた化合物からなる群から選択される少なくとも1種の材料を含む、
請求項8に記載の弾性波装置。 - 前記高音速支持基板は、シリコン、窒化アルミニウム、酸化アルミニウム、炭化ケイ素、窒化ケイ素、サファイア、リチウムタンタレート、リチウムニオベイト、水晶、アルミナ、ジルコニア、コージライト、ムライト、ステアタイト、フォルステライト及びマグネシアダイヤモンドからなる群から選択される少なくとも1種の材料を含む、
請求項11に記載の弾性波装置。 - 前記圧電薄膜は、リチウムタンタレート、リチウムニオベイト、酸化亜鉛、窒化アルミニウム、又は、チタン酸ジルコン酸鉛からなり、
前記低音速膜は、酸化ケイ素、ガラス、酸窒化ケイ素、酸化タンタル、酸化ケイ素にフッ素又は炭素又はホウ素を加えた化合物からなる群から選択される少なくとも1種の材料を含む、
請求項9に記載の弾性波装置。 - 前記高音速膜は、ダイヤモンドライクカーボン、窒化アルミニウム、酸化アルミニウム、炭化ケイ素、窒化ケイ素、シリコン、サファイア、リチウムタンタレート、リチウムニオベイト、水晶、アルミナ、ジルコニア、コージライト、ムライト、ステアタイト、フォルステライト及びマグネシアダイヤモンドからなる群から選択される少なくとも1種の材料を含む、
請求項13に記載の弾性波装置。
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